JP2019068100A - Light-emitting apparatus - Google Patents

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Abstract

To provide a light emitting apparatus capable of improving bonding strength to a mounting board while suppressing degradation of the strength of a base member.SOLUTION: A light emitting apparatus 1000 comprises: a substrate which has a base member having a front surface, a rear surface 112, a bottom surface 113 and an upper surface, a first wiring 12 disposed on the front surface, a second wiring 13 disposed on the rear surface, and a via hole electrically connecting the first wiring and the second wiring; at least one light-emitting element 20 placed on the first wiring; and a light reflecting cover member covering a side surface of the light emitting element and the front surface of the substrate. The base member further includes a plurality of depressed portions 16 which open on the rear surface and the bottom surface, and the substrate includes a third wiring 14 which covers an inner wall of each of the depressed portions and is electrically connected to the second wiring. The depth of each of the depressed portions from the rear surface in a front surface direction on a bottom surface side is deeper than the depth on an upper surface side. The covering member has lateral surfaces positioned on a bottom surface side and an upper surface side, respectively and inclined inward from the rear surface in the front surface direction.SELECTED DRAWING: Figure 2A

Description

本発明は、発光装置に関する。   The present invention relates to a light emitting device.

支持体(基材)の実装面が凹部を備えており、凹部にろう材を充填することによって支
持体(基材)と実装基板とが固定される発光装置が知られている(例えば、特許文献1参
照)。
There is known a light emitting device in which a mounting surface of a support (base) is provided with a recess, and the support (base) and the mounting substrate are fixed by filling the recess with a brazing material (for example, a patent) Reference 1).

特開2013−041865号公報JP, 2013-041865, A

本発明は、基材の強度低下を抑制しながら、実装基板との接合強度を向上させることが
できる発光装置を提供することを目的とする。
An object of the present invention is to provide a light emitting device capable of improving the bonding strength with a mounting substrate while suppressing the strength reduction of a base material.

本発明の一態様に係る発光装置は、長手方向である第1方向と短手方向である第2方向
に延長する正面と、前記正面の反対側に位置する背面と、前記正面と隣接し、前記正面と
直交する底面と、前記底面の反対側に位置する上面と、を有する基材と、前記正面に配置
される第1配線と、前記背面に配置される第2配線と、前記第1配線と前記第2配線を電
気的に接続するビアホールと、を備える基板と、前記第1配線と電気的に接続され、前記
第1配線上に載置される少なくとも1つの発光素子と、前記発光素子の側面及び前記基板
の正面を被覆する光反射性の被覆部材と、を備える発光装置であって、前記基材は、正面
視において前記ビアホールと離間し、且つ、前記背面と前記底面とに開口する複数の窪み
、を有し、前記基板は、複数の前記窪みの内壁を被覆し、前記第2配線と電気的に接続さ
れる第3配線を備え、前記背面から前記正面方向における複数の前記窪みの深さのそれぞ
れは、前記上面側よりも前記底面側で深い。
The light emitting device according to one aspect of the present invention is adjacent to a front surface extending in a first direction which is a longitudinal direction and a second direction which is a short direction, a back surface located on the opposite side of the front surface, and the front surface. A base material having a bottom surface orthogonal to the front surface, and a top surface located on the opposite side of the bottom surface, a first wiring disposed on the front surface, a second wiring disposed on the back surface, the first A substrate including a wiring and a via hole electrically connecting the second wiring, and at least one light emitting element electrically connected to the first wiring and mounted on the first wiring; A light-emitting device comprising: a light-reflecting covering member for covering the side surface of the element and the front surface of the substrate, wherein the base material is separated from the via hole in front view, and the back surface and the bottom surface A plurality of openings, and the substrate is A third wiring is provided which covers the inner wall of the recess and is electrically connected to the second wiring, and the depth of the plurality of recesses in the front direction from the back surface is the bottom surface more than the top surface side Deep on the side.

本発明の発光装置によれば、基材の強度低下を抑制しながら、実装基板との接合強度を
向上させることができる発光装置を提供することができる。
According to the light emitting device of the present invention, it is possible to provide a light emitting device capable of improving the bonding strength with the mounting substrate while suppressing the strength reduction of the base material.

図1Aは、実施形態1に係る発光装置の概略斜視図1である。FIG. 1A is a schematic perspective view 1 of the light emitting device according to the first embodiment. 図1Bは、実施形態1に係る発光装置の概略斜視図2である。FIG. 1B is a schematic perspective view 2 of the light emitting device according to the first embodiment. 図1Cは、実施形態1に係る発光装置の概略正面図である。FIG. 1C is a schematic front view of the light emitting device according to the first embodiment. 図2Aは、図1Cの2A−2A線における概略端面図である。FIG. 2A is a schematic end view taken along line 2A-2A of FIG. 1C. 図2Bは、図1Cの2B−2B線における概略端面図である。FIG. 2B is a schematic end view taken along line 2B-2B of FIG. 1C. 図3Aは、実施形態1に係る発光装置の概略底面図である。FIG. 3A is a schematic bottom view of the light emitting device according to the first embodiment. 図3Bは、実施形態1に係る発光装置の変形性の概略底面図である。FIG. 3B is a schematic bottom view of the deformability of the light emitting device according to the first embodiment. 図3Cは、実施形態1に係る基材の概略正面図である。FIG. 3C is a schematic front view of the base according to Embodiment 1. 図4Aは、実施形態1に係る発光装置の概略背面図である。FIG. 4A is a schematic rear view of the light emitting device according to the first embodiment. 図4Bは、実施形態1に係る発光装置の変形例について示す概略背面図である。FIG. 4B is a schematic rear view showing the modification of the light emitting device according to the first embodiment. 図4Cは、実施形態1に係る発光装置の変形例について示す概略背面図である。FIG. 4C is a schematic rear view showing the modification of the light emitting device according to the first embodiment. 図4Dは、実施形態1に係る発光装置の変形性の概略底面図である。FIG. 4D is a schematic bottom view of the deformability of the light emitting device according to the first embodiment. 図4Eは、実施形態1に係る発光装置の変形性の概略底面図である。FIG. 4E is a schematic bottom view of the deformability of the light emitting device according to the first embodiment. 図4Fは、実施形態1に係る発光装置の変形性の概略底面図である。FIG. 4F is a schematic bottom view of the deformability of the light emitting device according to the first embodiment. 図5Aは、実施形態1に係る発光装置の概略右側面図である。FIG. 5A is a schematic right side view of the light emitting device according to the first embodiment. 図5Bは、実施形態1に係る発光装置の概略左側面図である。FIG. 5B is a schematic left side view of the light emitting device according to the first embodiment. 図6は、実施形態1に係る発光装置の概略上面図である。FIG. 6 is a schematic top view of the light emitting device according to the first embodiment. 図7は、実施形態2に係る発光装置の概略正面図である。FIG. 7 is a schematic front view of the light emitting device according to the second embodiment. 図8Aは、図7の8A−8A線における概略端面図である。FIG. 8A is a schematic end view taken along line 8A-8A of FIG. 図8Bは、図7の8B−8B線における概略端面図である。FIG. 8B is a schematic end view taken along line 8B-8B of FIG. 図9Aは、実施形態2に係る発光装置の概略底面図である。FIG. 9A is a schematic bottom view of the light emitting device according to the second embodiment. 図9Bは、実施形態2に係る発光装置の概略背面図である。FIG. 9B is a schematic rear view of the light emitting device according to the second embodiment. 図10は、実施形態3に係る発光装置の概略正面図である。FIG. 10 is a schematic front view of the light emitting device according to the third embodiment. 図11は、図10の11A−11A線における概略端面図である。FIG. 11 is a schematic end view taken along line 11A-11A of FIG. 図12は、実施形態3に係る発光装置の概略底面図である。FIG. 12 is a schematic bottom view of the light emitting device according to the third embodiment. 図13は、実施形態3に係る発光装置の概略背面図である。FIG. 13 is a schematic rear view of the light emitting device according to the third embodiment. 図14は、実施形態3に係る発光装置の概略右側面図である。FIG. 14 is a schematic right side view of the light emitting device according to the third embodiment. 図15は、実施形態3に係る発光装置の変形例について示す概略正面図である。FIG. 15 is a schematic front view showing a modification of the light emitting device according to the third embodiment. 図16は、図15の15A−15A線における概略端面図である。16 is a schematic end view taken along line 15A-15A of FIG. 図17は、実施形態4に係る発光装置の概略正面図である。FIG. 17 is a schematic front view of the light emitting device according to the fourth embodiment. 図18は、図17の18A−18A線における概略端面図である。18 is a schematic end view taken along line 18A-18A of FIG. 図19は、実施形態4に係る発光装置の概略底面図である。FIG. 19 is a schematic bottom view of the light emitting device according to the fourth embodiment. 図20は、実施形態4に係る発光装置の概略背面図である。FIG. 20 is a schematic rear view of the light emitting device according to the fourth embodiment. 図21は、実施形態4に係る発光装置の概略右側面図である。FIG. 21 is a schematic right side view of the light emitting device according to the fourth embodiment. 図22は、実施形態5に係る発光装置の概略背面図である。FIG. 22 is a schematic rear view of the light emitting device according to the fifth embodiment. 図23は、実施形態6に係る発光装置の概略背面図である。FIG. 23 is a schematic rear view of the light emitting device according to the sixth embodiment. 図24は、実施形態7に係る発光装置の概略背面図である。FIG. 24 is a schematic rear view of the light emitting device according to the seventh embodiment. 図25Aは、実施形態1に係る発光装置を点線で記載したランドパターンの概略底面図である。FIG. 25A is a schematic bottom view of a land pattern in which the light emitting device according to Embodiment 1 is described by a dotted line. 図25Bは、実施形態1に係る発光装置を点線で記載したランドパターンの変形例について示す概略底面図である。FIG. 25B is a schematic bottom view showing the modified example of the land pattern in which the light emitting device according to the first embodiment is described by dotted lines. 図25Cは、実施形態1に係る発光装置を点線で記載したランドパターンの変形例について示す概略底面図である。FIG. 25C is a schematic bottom view showing the modification of the land pattern in which the light emitting device according to Embodiment 1 is described by a dotted line. 図26Aは、実施形態4に係る発光装置を点線で記載したランドパターンの概略底面図である。FIG. 26A is a schematic bottom view of a land pattern in which the light emitting device according to the fourth embodiment is described by a dotted line. 図26Bは、実施形態4に係る発光装置を点線で記載したランドパターンの変形例について示す概略底面図である。FIG. 26B is a schematic bottom view showing the modification of the land pattern in which the light emitting device according to the fourth embodiment is described by a dotted line. 図27は、実施形態8に係る発光装置の概略正面図である。FIG. 27 is a schematic front view of a light emitting device according to an eighth embodiment. 図28Aは、図27の28A−28A線における概略端面図である。28A is a schematic end view taken along line 28A-28A of FIG. 図28Bは、図27の28B−28B線における概略端面図である。28B is a schematic end view taken along line 28B-28B of FIG. 図29は、実施形態8に係る発光装置の概略底面図である。FIG. 29 is a schematic bottom view of the light emitting device according to the eighth embodiment. 図30は、実施形態8に係る発光装置の概略背面図である。FIG. 30 is a schematic rear view of the light emitting device according to the eighth embodiment. 図31は、実施形態8に係る発光装置の変形例の概略端面図である。FIG. 31 is a schematic end view of a modification of the light emitting device according to the eighth embodiment.

以下、発明の実施形態について適宜図面を参照して説明する。但し、以下に説明する発
光装置は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り
、本発明を以下のものに限定しない。また、図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説
明を明確にするため、誇張していることがある。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings as appropriate. However, the light emitting device described below is for embodying the technical concept of the present invention, and the present invention is not limited to the following unless there is a specific description. Further, the sizes and positional relationships of members shown in the drawings may be exaggerated in order to clarify the description.

<実施形態1>
本発明の実施形態に係る発光装置1000を図1Aから図6に基づいて説明する。発光
装置1000は、基板10と、少なくとも1つの発光素子20と、被覆部材40と、を備
える。基板10は、基材11と、第1配線12と、第2配線13と、第3配線14と、ビ
アホール15と、を備える。基材11は、長手方向である第1方向と短手方向である第2
方向に延長する正面111と、正面の反対側に位置する背面112と、正面111と隣接
し正面111と直交する底面113と、底面113の反対側に位置する上面114と、を
有する。基材11は、更に複数の窪み16を有する。第1配線12は、基材11の正面1
11に配置される。第2配線13は、基材11の背面112に配置される。ビアホール1
5は、第1配線12と第2配線13を電気的に接続する。発光素子20は、第1配線12
と電気的に接続され、第1配線12上に載置される。被覆部材40は、光反射性を有し、
発光素子20の側面202及び基板の正面111を被覆する。複数の窪み16は、正面視
においてビアホール15と離間し、且つ、背面112と底面113とに開口する。第3配
線14は、複数の窪み16の内壁を被覆し、第2配線13と電気的に接続される。背面1
12から正面111方向における複数の窪み16の深さのそれぞれは、上面側の窪みの深
さW2よりも底面側の窪みの深さW1が深い。尚、本明細書において直交とは、90±3
°を意味する。
First Embodiment
A light emitting device 1000 according to an embodiment of the present invention will be described based on FIGS. 1A to 6. The light emitting device 1000 includes a substrate 10, at least one light emitting element 20, and a covering member 40. The substrate 10 includes a base 11, a first wire 12, a second wire 13, a third wire 14, and a via hole 15. The base material 11 has a first direction which is a longitudinal direction and a second direction which is a lateral direction.
It has a front surface 111 extending in a direction, a back surface 112 located on the opposite side of the front surface, a bottom surface 113 adjacent to the front surface 111 and orthogonal to the front surface 111, and a top surface 114 located on the opposite side of the bottom surface 113. The substrate 11 further has a plurality of depressions 16. The first wiring 12 is a front surface 1 of the base 11.
11 is placed. The second wiring 13 is disposed on the back surface 112 of the base 11. Via hole 1
5 electrically connects the first wiring 12 and the second wiring 13. The light emitting element 20 includes the first wiring 12.
And is mounted on the first wiring 12. The covering member 40 has light reflectivity,
The side surface 202 of the light emitting element 20 and the front surface 111 of the substrate are covered. The plurality of recesses 16 are separated from the via holes 15 in a front view, and open to the back surface 112 and the bottom surface 113. The third wiring 14 covers the inner walls of the plurality of recesses 16 and is electrically connected to the second wiring 13. Back 1
The depth W1 of the recess on the bottom side is deeper than the depth W2 of the recess on the upper surface side in each of the depths of the plurality of recesses 16 in the direction from 12 to the front surface 111. In this specification, orthogonal means 90 ± 3.
Means °

発光装置1000は、複数の窪み16内に形成した半田等の接合部材によって実装基板
に固定することができる。複数の窪み内に接合部材が位置することができるので、窪みが
1つの場合よりも発光装置1000と実装基板との接合強度を向上させることができる。
図2Aに示すように、背面から正面方向(Z方向)における複数の窪みの深さのそれぞれ
が上面側よりも底面側で深いことで、背面から正面方向(Z方向)において、窪みの上面
側に位置する基材の厚みW5を窪みの底面側に位置する基材の厚みW6よりも厚くするこ
とができる。これにより、基材の強度低下を抑制することができる。また、底面側の窪み
の深さW1が深いことで、窪み内に形成される接合部材の体積が増加するので、発光装置
1000と実装基板との接合強度を向上させることができる。発光装置1000が、基材
11の背面112と、実装基板と、を対向させて実装する上面発光型(トップビュータイ
プ)でも、基材11の底面113と、実装基板と、を対向させて実装する側面発光型(サ
イドビュータイプ)でも、接合部材の体積が増加することで、実装基板との接合強度を向
上させることができる。尚、本明細書において、背面から正面方向をZ方向とも言う。
The light emitting device 1000 can be fixed to the mounting substrate by a bonding member such as solder formed in the plurality of recesses 16. Since the bonding members can be located in the plurality of depressions, the bonding strength between the light emitting device 1000 and the mounting substrate can be improved more than in the case of one depression.
As shown in FIG. 2A, each of the depths of the plurality of depressions in the front direction (Z direction) from the back side is deeper on the bottom side than the top side, whereby the top side of the depressions in the front direction (Z direction) from the back side The thickness W5 of the base located on the bottom of the recess can be made thicker than the thickness W6 of the base located on the bottom side of the recess. Thereby, the strength reduction of the base material can be suppressed. In addition, since the depth W1 of the depression on the bottom side is deep, the volume of the bonding member formed in the depression is increased, so that the bonding strength between the light emitting device 1000 and the mounting substrate can be improved. Even in the top-emission type (top view type) in which the light emitting device 1000 mounts the back surface 112 of the substrate 11 so as to face the mounting substrate, the bottom surface 113 of the substrate 11 faces the mounting substrate and mounted Even in the side light emission type (side view type), the bonding strength with the mounting substrate can be improved by increasing the volume of the bonding member. In the present specification, the front direction from the back surface is also referred to as the Z direction.

発光装置1000と実装基板の接合強度は、特に側面発光型の場合に向上させることが
できる。Z方向における窪みの深さが上面側よりも底面側で深いことで、底面における窪
みの開口部の面積を大きくすることができる。実装基板と対向する底面における窪みの開
口部の面積が大きくなることで、底面に位置する接合部材の面積も大きくすることができ
る。これにより、実装基板と対向する面に位置する接合部材の面積を大きくすることがで
きるので発光装置1000と実装基板の接合強度を向上させることができる。
The bonding strength between the light emitting device 1000 and the mounting substrate can be improved particularly in the case of the side light emission type. Since the depth of the depression in the Z direction is deeper on the bottom side than on the top side, the area of the opening of the depression on the bottom can be increased. By increasing the area of the opening of the depression on the bottom surface facing the mounting substrate, the area of the bonding member located on the bottom surface can also be increased. Thus, the area of the bonding member located on the surface facing the mounting substrate can be increased, so that the bonding strength between the light emitting device 1000 and the mounting substrate can be improved.

図2Aに示すように、Z方向における窪み16の深さW1は、Z方向における基材の厚
みW3よりも浅い。つまり、窪み16は基材を貫通していない。基材を貫通する孔を形成
すると基材の強度が低下する。このため、基材を貫通しない窪みを設けることで基材の強
度低下を抑制することができる。Z方向における複数の窪みの深さそれぞれの最大は、基
材の厚みの0.4倍から0.8倍であることで好ましい。窪みの深さが基材の厚みの0.
4倍よりも深いことで、窪み内に形成される接合部材の体積が増加するので発光装置と実
装基板の接合強度を向上させることができる。窪みの深さが基材の厚みの0.8倍よりも
浅いことで、基材の強度低下を抑制することができる。
As shown in FIG. 2A, the depth W1 of the recess 16 in the Z direction is shallower than the thickness W3 of the substrate in the Z direction. That is, the recess 16 does not penetrate the substrate. Forming a hole through the substrate reduces the strength of the substrate. For this reason, the strength reduction of a substrate can be suppressed by providing a hollow which does not penetrate a substrate. The maximum of the depth of each of the plurality of depressions in the Z direction is preferably 0.4 to 0.8 times the thickness of the substrate. The depth of the depression is 0.
When the depth is more than four times, the volume of the bonding member formed in the recess is increased, so that the bonding strength between the light emitting device and the mounting substrate can be improved. When the depth of the depression is shallower than 0.8 times the thickness of the substrate, the decrease in strength of the substrate can be suppressed.

断面視において、窪み16は、背面112から底面113と平行方向(Z方向)に延び
る平行部161を備えていることが好ましい。平行部161を備えることで、背面におけ
る窪みの開口部の面積が同じでも窪みの体積を大きくすることができる。窪みの体積を大
きくすることで窪み内に形成できる半田等の接合部材の量を増やすことができるので、発
光装置1000と実装基板との接合強度を向上させることができる。尚、本明細書におい
て平行とは、±3°程度の傾斜を許容することを意味する。また、断面視において窪み1
6は、底面113から基材11の厚みが厚くなる方向に傾斜する傾斜部162を備える。
傾斜部162は直線でも、湾曲していてもよい。傾斜部162が直線であることで、先端
が尖ったドリルにより形成が容易になる。尚、傾斜部162における直線とは、3μm程
度の曲りやズレ等の変動は許容されることを意味する。
In a sectional view, the recess 16 preferably includes a parallel portion 161 extending from the back surface 112 in the direction parallel to the bottom surface 113 (Z direction). By providing the parallel portion 161, the volume of the depression can be increased even if the area of the opening of the depression on the back surface is the same. By increasing the volume of the recess, the amount of bonding members such as solder that can be formed in the recess can be increased, so that the bonding strength between the light emitting device 1000 and the mounting substrate can be improved. In the present specification, “parallel” means to allow an inclination of about ± 3 °. Moreover, hollow 1 in cross sectional view
6 includes an inclined portion 162 which is inclined from the bottom surface 113 in the direction in which the thickness of the substrate 11 is increased.
The inclined portion 162 may be straight or curved. The straight portion of the inclined portion 162 facilitates formation by a drill having a sharp tip. The straight line at the inclined portion 162 means that variations such as bending or deviation of about 3 μm are allowed.

図3Aに示すように、底面において、複数の窪み16のそれぞれで中央の深さW1が、
Z方向における窪みの深さの最大であることが好ましい。このようにすることで、底面に
おいて、X方向の窪みの端部で、Z方向における基材の厚みW8を厚くすることができる
ので基材の強度を向上させることができる。尚、本明細書で中央とは、5μm程度の変動
は許容されることを意味する。尚、実施形態1の変形例である図3Bに示すように、底面
において、Z方向における窪み16の深さW7は略一定でもよい。換言すると、窪み16
の最深部が平坦な面でもよい。窪み16は、ドリルや、レーザー等の公知の方法で形成す
ることができる。底面において、中央の深さが最大である窪みは、先端が尖ったドリルに
より容易に形成することができる。また、ドリルを用いることで、最深部が略円錐形状で
あり、略円錐形状の底面の円形状から連続する略円柱形状を有する窪みを形成することが
できる。窪みの一部をダイシング等により切断することで、最深部が略半円柱形状であり
、略半円形状から連続する略半円柱形状を有する窪みを形成することができる。
As shown in FIG. 3A, in the bottom surface, a central depth W1 of each of the plurality of depressions 16 is
Preferably the maximum of the depth of the depression in the Z direction. By doing this, the thickness W8 of the base in the Z direction can be increased at the end of the recess in the X direction on the bottom surface, so the strength of the base can be improved. In the present specification, the middle means that a variation of about 5 μm is acceptable. As shown in FIG. 3B which is a modification of the first embodiment, the depth W7 of the depression 16 in the Z direction may be substantially constant at the bottom surface. In other words, the depression 16
The deepest part of may be a flat surface. The recess 16 can be formed by a known method such as a drill or a laser. In the bottom surface, the recess with the greatest central depth can be easily formed by a drill with a pointed tip. In addition, by using a drill, it is possible to form a recess having a substantially cylindrical shape in which the deepest portion has a substantially conical shape and the circular shape of the bottom surface of the substantially conical shape is continuous with a substantially cylindrical shape. By cutting a part of the recess by dicing or the like, it is possible to form a recess having a substantially semi-cylindrical shape in which the deepest portion is a substantially semi-cylindrical shape and a continuous substantially semi-circular shape.

図4Aに示すように、背面において、複数の窪み16のそれぞれの形状が同一であるこ
とが好ましい。複数の窪みのそれぞれの形状が同一であることで、窪みの形状がそれぞれ
異なる場合よりも窪みの形成が容易になる。例えば、窪みをドリル工法により形成する場
合では、複数の窪みのそれぞれの形状が同一であれば、1つのドリルにより窪みを形成す
ることができる。尚、本明細書で同一とは、5μm程度の違いは許容されることを意味す
る。
As shown to FIG. 4A, it is preferable that the shape of each of the some hollow 16 is the same in a back surface. When the shapes of the plurality of depressions are the same, the formation of the depressions is easier than when the shapes of the depressions are different. For example, when forming a hollow by a drilling method, if the shape of each of a plurality of hollows is the same, hollow can be formed by one drill. In the present specification, the same means that a difference of about 5 μm is allowed.

また、背面視における複数の窪みの開口部の面積は同じでもよいし、異なっていてもよ
い。例えば、図4Bに示すように、背面視において基材の中央に位置する窪み16Cの開
口部の面積が、X+側に位置する窪み16L及びX−側に位置する窪み16Rのそれぞれ
の開口部の面積より大きくてもよい。尚、図4B、図4C等に示す背面視においては、発
光装置の中心からX軸上における右側をX+側とし、左側をX−側とする。基材の中央に
位置する窪み16Cの開口部の面積を大きくすることで、発光装置と実装基板との接合強
度を向上させることができる。また、X+側に位置する窪み16L及びX−側に位置する
窪み16Rの開口部の面積が小さいことで、第2配線13の面積を大きくしやすくなる。
第2配線13の面積が大きいことにより、発光装置の特性検査等でプローブ針を第2配線
に接触させる場合には検査が容易になる。また、図4Cに示すように、背面視においてX
+側に位置する窪み16L及びX−側に位置する窪み16Rのそれぞれの開口部の面積が
基材の中央に位置する窪み16Cの開口部の面積よりも大きくてもよい。X+側に位置す
る窪み16L及びX−側に位置する窪み16Rのそれぞれの開口部の面積を大きくするこ
とで、発光装置と実装基板との接合強度を向上させることができる。また、背面視におい
てX+側に位置する窪み16L及びX−側に位置する窪み16Rの開口部の面積は略同一
のであることが好ましい。このようにすることで、X+側に位置する窪み16L内に形成
した接合部材と、X−側に位置する窪み16R内に形成した接合部材との偏りを抑制しや
すくなる。これにより、実装基板に発光装置が傾いて実装されることを抑制しやすくなる
Moreover, the area of the opening part of several hollow in back view may be the same, and may differ. For example, as shown in FIG. 4B, the area of the opening of the recess 16C located at the center of the substrate in the rear view is the recess 16L located on the X + side and the opening of each recess 16R located on the X− side. It may be larger than the area. In the rear view shown in FIG. 4B, FIG. 4C, etc., the right side on the X axis from the center of the light emitting device is the X + side, and the left side is the X− side. The bonding strength between the light emitting device and the mounting substrate can be improved by increasing the area of the opening of the recess 16C located at the center of the base material. Further, the area of the opening of the recess 16L located on the X + side and the opening of the recess 16R located on the X− side is small, so that the area of the second wiring 13 can be easily increased.
Since the area of the second wiring 13 is large, the inspection becomes easy when the probe needle is brought into contact with the second wiring in the characteristic inspection of the light emitting device or the like. In addition, as shown in FIG.
The area of the opening of each of the recess 16L located on the + side and the recess 16R located on the X − side may be larger than the area of the opening of the recess 16C located at the center of the substrate. The bonding strength between the light emitting device and the mounting substrate can be improved by increasing the areas of the openings of the recess 16L located on the X + side and the recess 16R located on the X- side. Moreover, it is preferable that the area of the opening part of the hollow 16L located in a X + side and the hollow 16R located in a X- side in a back view is substantially the same. By doing so, it becomes easy to suppress the deviation between the joining member formed in the recess 16L located on the X + side and the joining member formed in the recess 16R located on the X- side. This makes it easy to suppress the light emitting device from being inclined and mounted on the mounting substrate.

図3A、図3Bに示すように、Z方向における複数の窪みの深さW1、W7は、同じで
もよいし、図4Dに示すように、Z方向における複数の窪みの深さが異なっていてもよい
。例えば、図4Dに示すように、底面視において基材の中央に位置する窪み16CのZ方
向における深さW1Cが、X+側に位置する窪み16LのZ方向における深さW1L及び
X−側に位置する窪み16RのZ方向における深さW1Rよりも深くてもよい。尚、図4
D、4E、図4Fに示す底面視においては、発光装置の中心からX軸上における左側がX
+側となり、右側がX−側となる。基材の中央に位置する窪み16Cの深さW1Cが深い
ことで、発光装置と実装基板との接合強度を向上させることができる。底面視においてX
+側に位置する窪み16LのZ方向における深さW1L及びX−側に位置する窪み16R
のZ方向における深さW1Rが、基材の中央に位置する窪み16Cの窪みW1Cよりも深
くてもよい。また、X+側に位置する窪み16LのZ方向における深さW1Lと、X−側
に位置する窪み16RのZ方向における深さW1Rは、略同一であることが好ましい。こ
のようにすることで、X+側に位置する窪み内に形成した接合部材と、X−側に位置する
窪み内に形成した接合部材との偏りが抑制しやすくなるので、実装基板に発光装置が傾い
て実装されることを抑制しやすくなる。
As shown in FIGS. 3A and 3B, the depths W1 and W7 of the plurality of depressions in the Z direction may be the same, or as shown in FIG. 4D, the depths of the plurality of depressions in the Z direction may be different. Good. For example, as shown in FIG. 4D, the depth W1C in the Z direction of the recess 16C located at the center of the base in the bottom view is located at the depth W1L in the Z direction and the X − side of the recess 16L located on the X + side It may be deeper than the depth W1R in the Z direction of the recess 16R. Note that FIG.
In the bottom view shown in D, 4E, and FIG. 4F, the left side on the X axis from the center of the light emitting device is X
It becomes + side and the right side becomes X-side. By the depth W1C of the depression 16C located at the center of the base material being deep, the bonding strength between the light emitting device and the mounting substrate can be improved. Bottom view X
Depth W1L in the Z direction of recess 16L located on the + side and recess 16R located on the X-side
The depth W1R in the Z direction of Z may be deeper than the recess W1C of the recess 16C located at the center of the substrate. The depth W1L in the Z direction of the recess 16L located on the X + side and the depth W1R in the Z direction of the recess 16R located on the X− side are preferably substantially the same. This makes it easy to suppress the deviation between the bonding member formed in the recess located on the X + side and the bonding member formed in the recess located on the X- side, so that the light emitting device is mounted on the mounting substrate. It becomes easy to control being inclined and mounted.

図4Dに示すように、底面視において基材の中央に位置する窪み16CのX方向におけ
る幅D1C、X+側に位置する窪み16LのX方向における幅D1L及びX−側に位置す
る窪み16RのX方向における幅D1Rは略同一でもよいし、図4E、図4Fに示すよう
に、底面視において基材の中央に位置する窪み16CのX方向における幅D1C、X+側
に位置する窪み16LのX方向における幅D1L及び/又はX−側に位置する窪み16R
のX方向における幅D1Rは異なっていてよい。底面視において基材の中央に位置する窪
み16CのX方向における幅D1C、X+側に位置する窪み16LのX方向における幅D
1L及び/又はX−側に位置する窪み16RのX方向における幅D1Rが異なっている場
合でも、Z方向における複数の窪みの深さは、同じでもよいし、異なっていてもよい。ま
た、底面視においてX+側に位置する窪み16LのX方向における幅D1L及びX−側に
位置する窪み16RのX方向における幅D1Rは略同一のであることが好ましい。このよ
うにすることで、X+側に位置する窪み16L内に形成した接合部材と、X−側に位置す
る窪み16R内に形成した接合部材との偏りを抑制しやすくなる。これにより、実装基板
に発光装置が傾いて実装されることを抑制しやすくなる。
As shown in FIG. 4D, the width D1C in the X direction of the recess 16C located at the center of the base in a bottom view, and the width D1L in the X direction and the width D1L of the recess 16L located on the X + side Width D1R in the direction may be substantially the same, as shown in FIG. 4E and FIG. 4F, width D1C in the X direction of recess 16C located at the center of the substrate in a bottom view, X direction of recess 16L located on the X + side Recess R located on the width D1L and / or the X-side at
The width D1R in the X direction of may be different. Width D1C in the X direction of recess 16C located at the center of the base in a bottom view, width D in the X direction of recess 16L located on the X + side
Even when the widths D1R in the X direction of the recesses 16R located on the 1L and / or X-side are different, the depths of the plurality of recesses in the Z direction may be the same or different. The width D1L in the X direction of the recess 16L located on the X + side in a bottom view and the width D1R in the X direction of the recess 16R located on the X− side are preferably substantially the same. By doing so, it becomes easy to suppress the deviation between the joining member formed in the recess 16L located on the X + side and the joining member formed in the recess 16R located on the X- side. This makes it easy to suppress the light emitting device from being inclined and mounted on the mounting substrate.

背面において、複数の窪み16が第2方向(Y方向)に平行な基材の中心線に対して左
右対称に位置することが好ましい。このようにすることで、発光装置を実装基板に接合部
材を介して実装される際にセルフアライメントが効果的に働き、発光装置を実装範囲内に
精度よく実装することができる。
In the back surface, it is preferable that the plurality of depressions 16 be positioned symmetrically with respect to the center line of the substrate parallel to the second direction (Y direction). In this way, when the light emitting device is mounted on the mounting substrate via the bonding member, the self alignment effectively works, and the light emitting device can be mounted within the mounting range with high accuracy.

背面において、複数の窪みのそれぞれの開口形状が略半円形状であることが好ましい。
開口形状が円形状である窪みはドリル加工により形成することができ、円形状の窪みの一
部をダイシング等により切断することで、背面において略半円形状の窪みを容易に形成す
ることができる。また、背面において、窪みの開口形状が角部のない略半円形状であるこ
とで窪みに係る応力が集中することを抑制できるので、基材が割れることを抑制すること
ができる。
In the rear surface, it is preferable that the opening shape of each of the plurality of depressions is substantially semicircular.
The hollow whose opening shape is circular can be formed by drilling, and by cutting a part of the circular hollow by dicing or the like, a substantially semicircular hollow can be easily formed on the back surface. . In addition, in the rear surface, since the opening shape of the recess is substantially semicircular having no corner, concentration of the stress related to the recess can be suppressed, so that it is possible to suppress the substrate from being broken.

図1A、図2A、図2Bに示すように、発光装置1000は、透光性部材30を備えて
いてもよい。透光性部材30は、発光素子20上に位置することが好ましい。発光素子上
に透光性部材が位置することで、発光素子20を外部応力から保護することができる。被
覆部材40は、透光性部材30の側面を被覆することが好ましい。このようにすることで
、発光装置からの光を点光源に近づけることができる。発光装置を点光源に近づけること
により例えば、レンズ等の光学系による配光の調整が容易になる。
As shown in FIGS. 1A, 2A, and 2B, the light emitting device 1000 may include the light transmitting member 30. It is preferable that the translucent member 30 be located on the light emitting element 20. The light emitting element 20 can be protected from external stress by the translucent member being positioned on the light emitting element. The covering member 40 preferably covers the side surface of the translucent member 30. By doing this, the light from the light emitting device can be brought close to the point light source. By bringing the light emitting device close to a point light source, for example, adjustment of light distribution by an optical system such as a lens becomes easy.

発光素子20は、基板10と対向する載置面と、載置面の反対側に位置する光取り出し
面201を備える。図2Aに示すように、発光素子をフリップチップ実装する場合は、発
光素子の正負電極が位置する面と、反対側の面を光取り出し面とする。透光性部材30は
導光部材50を介して、発光素子20に接合されてもよい。導光部材50は発光素子の光
取り出し面201と、透光性部材30の間のみに位置して発光素子20と被覆部材40を
接着してもよいし、発光素子の光取り出し面201から発光素子の側面202まで被覆し
て発光素子20と被覆部材40を接着してもよい。導光部材50は、被覆部材40よりも
発光素子20からの光の透過率が高い。このため、導光部材50が発光素子の側面202
まで被覆することで、発光素子20の側面から出射される光が導光部材50を通して発光
装置の外側に取り出しやすくなるので光取り出し効率を高めることができる。
The light emitting element 20 includes a mounting surface facing the substrate 10 and a light extraction surface 201 located on the opposite side of the mounting surface. As shown in FIG. 2A, when the light emitting element is flip-chip mounted, the surface on which the positive and negative electrodes of the light emitting element are located and the surface on the opposite side are used as light extraction surfaces. The translucent member 30 may be bonded to the light emitting element 20 via the light guide member 50. The light guide member 50 may be positioned only between the light extraction surface 201 of the light emitting element and the light transmitting member 30 to bond the light emitting element 20 and the covering member 40, and light is emitted from the light extraction surface 201 of the light emitting element The light emitting element 20 and the covering member 40 may be bonded by covering the side surface 202 of the element. The light guide member 50 has a higher transmittance of light from the light emitting element 20 than the covering member 40. For this reason, the light guide member 50 is the side surface 202 of the light emitting element.
Since the light emitted from the side surface of the light emitting element 20 can be easily taken out to the outside of the light emitting device through the light guide member 50 by covering up to the side, the light extraction efficiency can be enhanced.

発光素子20が複数ある場合は、一方の発光素子と他方の発光素子のピーク波長が同じ
でも異なっていてもよい。一方の発光素子と他方の発光素子のピーク波長が異なる場合は
、発光のピーク波長が430nm以上490nm未満の範囲(青色領域の波長範囲)にあ
る発光素子と、発光のピーク波長が490nm以上570nm以下の範囲(緑色領域の波
長範囲)にある発光素子と、であることが好ましい。このようにすることで発光装置の演
色性を向上させることができる。
When there are a plurality of light emitting elements 20, peak wavelengths of one light emitting element and the other light emitting element may be the same or different. When the peak wavelengths of one light emitting element and the other light emitting element are different, the light emitting element having a peak wavelength of light emission in the range of 430 nm to less than 490 nm (wavelength range of blue region) and the peak wavelength of light emission of 490 nm to 570 nm or less Preferably, the light emitting element is in the range of (wavelength range of green region). This can improve the color rendering of the light emitting device.

図2A、図2Bに示すように、透光性部材30は波長変換物質32を含有させてもよい
。波長変換物質32は、発光素子20が発する一次光の少なくとも一部を吸収して、一次
光とは異なる波長の二次光を発する部材である。透光性部材30に波長変換物質32を含
有させることにより、発光素子20が発する一次光と、波長変換物質32が発する二次光
とが混色された混色光を出力することができる。例えば、発光素子20に青色LEDを、
波長変換物質32にYAG等の蛍光体を用いれば、青色LEDの青色光と、この青色光で
励起されて蛍光体が発する黄色光とを混合させて得られる白色光を出力する発光装置を構
成することができる。
As shown in FIGS. 2A and 2B, the light transmissive member 30 may contain a wavelength conversion substance 32. The wavelength conversion substance 32 is a member that absorbs at least a part of the primary light emitted by the light emitting element 20 and emits secondary light of a wavelength different from that of the primary light. By making the light transmitting member 30 contain the wavelength conversion substance 32, it is possible to output mixed color light in which the primary light emitted from the light emitting element 20 and the secondary light emitted from the wavelength conversion substance 32 are mixed. For example, the light emitting element 20 is a blue LED,
When a phosphor such as YAG is used as the wavelength conversion substance 32, a light emitting device is configured to output white light obtained by mixing blue light of a blue LED and yellow light excited by the blue light and emitted by the phosphor. can do.

波長変換物質は透光性部材中に均一に分散させてもよいし、透光性部材30の上面より
も発光素子の近傍に波長変換物質を偏在させてもよい。このようにすることで、水分に弱
い波長変換物質32を使用しても透光性部材30の母材31が保護層としても機能を果た
すので波長変換物質32の劣化を抑制できる。また、図2A、図2Bに示すように、透光
性部材30が波長変換物質32を含有する層と、波長変換物質を実質的に含有しない層3
3と、を備えていてもよい。透光性部材30が波長変換物質32を含有する層上に、波長
変換物質を実質的に含有しない層33が位置することで、波長変換物質を実質的に含有し
ない層33が保護層としても機能を果たすので波長変換物質32の劣化を抑制できる。水
分に弱い波長変換物質32としては、例えばマンガン賦活フッ化物蛍光体が挙げられる。
マンガン賦活フッ化物系蛍光体は、スペクトル線幅の比較的狭い発光が得られ色再現性の
観点において好ましい部材である。
The wavelength converting substance may be dispersed uniformly in the light transmitting member, or the wavelength converting substance may be unevenly distributed in the vicinity of the light emitting element than the upper surface of the light transmitting member 30. In this way, even if the wavelength conversion substance 32 which is weak to moisture is used, the base material 31 of the light transmitting member 30 also functions as a protective layer, so that deterioration of the wavelength conversion substance 32 can be suppressed. Also, as shown in FIGS. 2A and 2B, the light-transmissive member 30 includes a layer containing the wavelength conversion substance 32 and a layer 3 substantially containing no wavelength conversion substance.
3 and may be provided. The layer 33 substantially containing no wavelength conversion substance is positioned on the layer containing the wavelength conversion substance 32 on the light transmitting member 30 so that the layer 33 substantially containing no wavelength conversion substance is also used as a protective layer. Since the function is performed, the deterioration of the wavelength conversion substance 32 can be suppressed. As a wavelength conversion substance 32 which is weak to moisture, for example, a manganese activated fluoride phosphor is mentioned.
The manganese-activated fluoride phosphor is a preferable member from the viewpoint of color reproducibility because light emission with a relatively narrow spectral line width can be obtained.

図2Bに示すように、ビアホール15は基材11の正面111と背面112とを貫通す
る孔内に設けられる。ビアホール15は基材の貫通孔の表面を被覆する第4配線151と
第4配線151内に充填された充填部材152とを備える。充填部材152は、導電性で
も絶縁性でもよい。充填部材152には、樹脂材料を使用することが好ましい。一般的に
硬化前の樹脂材料は、硬化前の金属材料よりも流動性が高いので第4配線151内に充填
しやすい。このため、充填部材に樹脂材料を使用することで基板の製造が容易になる。充
填しやすい樹脂材料としては、例えばエポキシ樹脂が挙げられる。充填部材として樹脂材
料を用いる場合は、線膨張係数を下げるために添加部材を含有することが好ましい。この
ようにすることが、第4配線との線膨張係数の差が小さくなるので、発光素子からの熱に
よって第4配線と充填部材との間に隙間ができることを抑制できる。添加部材としては、
例えば酸化ケイ素が挙げられる。また、充填部材152に金属材料を使用した場合には、
放熱性を向上させることができる。
As shown in FIG. 2B, the via holes 15 are provided in the holes passing through the front surface 111 and the back surface 112 of the substrate 11. The via hole 15 includes a fourth wire 151 covering the surface of the through hole of the base material and a filling member 152 filled in the fourth wire 151. The filling member 152 may be conductive or insulating. It is preferable to use a resin material for the filling member 152. In general, the resin material before curing is easier to fill in the fourth wiring 151 because the resin material has higher fluidity than the metal material before curing. For this reason, manufacture of a board | substrate becomes easy by using a resin material for a filling member. Examples of resin materials that can be easily filled include epoxy resins. In the case of using a resin material as the filling member, it is preferable to include an addition member in order to lower the linear expansion coefficient. By doing this, the difference in linear expansion coefficient with the fourth wiring is reduced, so it is possible to suppress the formation of a gap between the fourth wiring and the filling member by the heat from the light emitting element. As an additive member,
For example, silicon oxide can be mentioned. When a metal material is used for the filling member 152,
Heat dissipation can be improved.

図4Aに示すように、背面におけるビアホール15の面積は、背面における窪み16の
開口部の面積よりも小さい。このため、ビアホール15は基材11を貫通しているが、背
面における窪み16の開口部の面積よりも小さいので基材11の強度が低下することを抑
制することができる。
As shown in FIG. 4A, the area of the via hole 15 on the back surface is smaller than the area of the opening of the recess 16 on the back surface. For this reason, although the via hole 15 penetrates the base material 11, it is smaller than the area of the opening of the recess 16 in the back surface, so that the strength of the base material 11 can be prevented from being reduced.

図4Aに示すように、背面視においてビアホール15と隣り合うビアホールとの間に窪
み16が位置することが好ましい。換言すると、背面視においてビアホール15と隣り合
うビアホールと結ぶ直線上に窪み16が位置することが好ましい。このようにすることで
、発光素子からの熱がビアホール15から窪み16内に位置する第3配線14に効率的に
伝わることができる。第3配線14に伝わった熱は、接合部材を介して実装基板に伝わる
ので発光装置の放熱性が向上する。
As shown to FIG. 4A, it is preferable that the hollow 16 is located between the via hole 15 and the adjacent via hole in a rear view. In other words, it is preferable that the recess 16 be located on a straight line connecting the via hole 15 and the adjacent via hole in the rear view. In this way, the heat from the light emitting element can be efficiently transmitted from the via hole 15 to the third wiring 14 located in the recess 16. The heat transferred to the third wiring 14 is transferred to the mounting substrate through the bonding member, so the heat dissipation of the light emitting device is improved.

また、図4Aに示すように、背面視において窪み16と隣り合う窪みとの間にビアホー
ル15が位置することが好ましい。換言すると、背面視において窪み16と隣り合う窪み
を結ぶ直線上にビアホール15が位置することが好ましい。このようにすることで、発光
素子からの熱がビアホール15から窪み内に位置する第3配線14に効率的に伝わること
ができる。これにより、発光装置の放熱性が向上する。
Moreover, as shown to FIG. 4A, it is preferable that the via hole 15 is located between the hollow 16 and the hollow adjacent in the rear view. In other words, it is preferable that the via hole 15 be located on a straight line connecting the recesses adjacent to the recess 16 in the rear view. By doing this, the heat from the light emitting element can be efficiently transmitted from the via hole 15 to the third wiring 14 located in the recess. Thereby, the heat dissipation of the light emitting device is improved.

図2Bに示すように、発光素子20は少なくとも半導体積層体23を含み、半導体積層
体23には正負電極21、22が設けられている。正負電極21、22は発光素子20の
同じ側の面に形成されており、発光素子20が基板10にフリップチップ実装されている
ことが好ましい。これにより、発光素子の正負電極に電気を供給するワイヤが不要になる
ので発光装置を小型化することができる。なお、本実施形態では発光素子20は素子基板
24を有するが、素子基板24は除去されていてもよい。発光素子20が基板10にフリ
ップチップ実装されている場合は、発光素子の正負電極21、22が導電性接着部材60
を介して第1配線12に接続されている。
As shown in FIG. 2B, the light emitting element 20 includes at least a semiconductor laminate 23, and the semiconductor laminate 23 is provided with positive and negative electrodes 21 and 22. The positive and negative electrodes 21 and 22 are preferably formed on the same side of the light emitting element 20, and the light emitting element 20 is preferably flip-chip mounted on the substrate 10. As a result, a wire for supplying electricity to the positive and negative electrodes of the light emitting element is not necessary, and the light emitting device can be miniaturized. Although the light emitting element 20 includes the element substrate 24 in the present embodiment, the element substrate 24 may be removed. When the light emitting element 20 is flip-chip mounted on the substrate 10, the positive and negative electrodes 21 and 22 of the light emitting element are electrically conductive adhesive members 60.
Are connected to the first wiring 12 via

図2Bに示すように、発光装置1000が発光素子20を複数備えている場合は、複数
の発光素子は第1方向(X方向)に並んで設けられることが好ましい。このようにするこ
とで、発光装置1000の第2方向(Y方向)の幅を短くすることができるので発光装置
を薄型化することができる。尚、発光素子の数は、3つ以上でも、1つでもよい。
As shown to FIG. 2B, when the light-emitting device 1000 is equipped with two or more light emitting elements 20, it is preferable that a several light emitting element is provided along with a 1st direction (X direction). By doing this, the width of the light emitting device 1000 in the second direction (Y direction) can be shortened, so that the light emitting device can be thinned. The number of light emitting elements may be three or more or one.

図3C、図4Aに示すように、基板10は、基材11と、第1配線12と、第2配線1
3と、を備えている。基材11は、長手方向である第1方向と短手方向である第2方向に
延長する正面111と、正面の反対側に位置する背面112と、正面111と隣接し正面
111と直交する底面113と、底面113の反対側に位置する上面114と、を有して
いる。
As shown in FIGS. 3C and 4A, the substrate 10 includes a base 11, a first wire 12, and a second wire 1.
3 and. The base material 11 has a front surface 111 extending in a first direction as a longitudinal direction and a second direction as a lateral direction, a back surface 112 opposite to the front surface, and a bottom surface adjacent to the front surface 111 and orthogonal to the front surface 111 113 and an upper surface 114 opposite to the bottom surface 113.

図4Aに示すように、発光装置1000は、第2配線13の一部を被覆する絶縁膜18
を備えてもよい。絶縁膜18を備えることで、背面における絶縁性の確保及び短絡の防止
を図ることができる。また、基材から第2配線が剥がれることを防止することができる。
As shown in FIG. 4A, the light emitting device 1000 has an insulating film 18 covering a part of the second wiring 13.
May be provided. By providing the insulating film 18, it is possible to secure insulation on the rear surface and prevent short circuit. Moreover, it can prevent that a 2nd wiring peels from a base material.

図5Aに示すように、底面113側に位置する被覆部材40の長手方向の側面403は
、Z方向において発光装置1000の内側に傾斜していることが好ましい。このようにす
ることで、発光装置1000を実装基板に実装する時に、被覆部材40の側面403と実
装基板との接触が抑えられ、発光装置1000の実装姿勢が安定しやすい。また、被覆部
材40が熱膨張した際、実装基板との接触による応力を抑えることもできる。上面114
側に位置する被覆部材40の長手方向の側面404は、Z方向において発光装置1000
の内側に傾斜していることが好ましい。このようにすることで、被覆部材40の側面と吸
着ノズル(コレット)との接触が抑えられ、発光装置1000の吸着時の被覆部材40の
損傷を抑制することができる。また、発光装置1000が照明ユニットなどに組み込まれ
た際、被覆部材40の側面404よりも基材11の上面114が優先的に周辺部材と接触
することで、被覆部材40に係る応力を抑制することができる。このように、底面113
側に位置する被覆部材40の長手方向の側面403及び上面114側に位置する被覆部材
40の長手方向の側面404は、背面から正面方向(Z方向)において発光装置1000
の内側に傾斜していることが好ましい。被覆部材40の傾斜角度θは、適宜選択できるが
、このような効果の奏しやすさ及び被覆部材40の強度の観点から、0.3°以上3°以
下であることが好ましく、0.5°以上2°以下であることがより好ましく、0.7°以
上1.5°以下であることがよりいっそう好ましい。
As shown to FIG. 5A, it is preferable that the side surface 403 of the longitudinal direction of the covering member 40 located in the bottom face 113 side inclines inside the light-emitting device 1000 in a Z direction. In this way, when the light emitting device 1000 is mounted on the mounting substrate, the contact between the side surface 403 of the covering member 40 and the mounting substrate is suppressed, and the mounting posture of the light emitting device 1000 is likely to be stable. In addition, when the covering member 40 thermally expands, the stress due to the contact with the mounting substrate can be suppressed. Top surface 114
The longitudinal side surface 404 of the covering member 40 located on the side is a light emitting device 1000 in the Z direction.
It is preferable that the inside of the By doing this, the contact between the side surface of the covering member 40 and the suction nozzle (collet) can be suppressed, and damage to the covering member 40 at the time of suction of the light emitting device 1000 can be suppressed. In addition, when the light emitting device 1000 is incorporated into a lighting unit or the like, the upper surface 114 of the base material 11 preferentially contacts the peripheral members rather than the side surface 404 of the covering member 40, thereby suppressing stress on the covering member 40. be able to. Thus, the bottom 113
The side 403 in the longitudinal direction of the covering member 40 located on the side and the side 404 in the longitudinal direction of the covering member 40 located on the upper surface 114 side are the light emitting device 1000 in the front direction (Z direction) from the back side.
It is preferable that the inside of the The inclination angle θ of the covering member 40 can be appropriately selected, but is preferably 0.3 ° or more and 3 ° or less from the viewpoint of the easiness of such effects and the strength of the covering member 40, 0.5 ° It is more preferably 2 ° or less and still more preferably 0.7 ° or more and 1.5 ° or less.

図5A、図5Bに示すように、発光装置1000の右側面と左側面は略同一の形状をし
ていることが好ましい。このようにすることで発光装置1000を小型化することができ
る。
As shown to FIG. 5A and FIG. 5B, it is preferable that the right side and left side of the light-emitting device 1000 are carrying out the substantially identical shape. By doing this, the light emitting device 1000 can be miniaturized.

図6に示すように、被覆部材40の短手方向の側面405と基板10の短手方向の側面
105とが実質的に同一平面上にあることが好ましい。このようにすることで、長手方向
(X方向)の幅を短くすることができるので発光装置を小型化することができる。
As shown in FIG. 6, it is preferable that the lateral side surface 405 of the covering member 40 and the lateral side surface 105 of the substrate 10 be substantially coplanar. By doing this, the width in the longitudinal direction (X direction) can be shortened, so that the light emitting device can be miniaturized.

<実施形態2>
図7〜図9Bに示す本発明の実施形態2に係る発光装置2000は、実施形態1に係る
発光装置1000と比較して、基板上に載置された発光素子の数、基材が備える窪み及び
ビアホールの数が相違する。窪み16の形状は実施形態1と同様である。
Second Embodiment
As compared with the light emitting device 1000 according to Embodiment 1, the light emitting device 2000 according to Embodiment 2 of the present invention shown in FIGS. 7 to 9B includes the number of light emitting elements mounted on the substrate and the depression provided in the base material. And the number of via holes is different. The shape of the recess 16 is the same as that of the first embodiment.

図8Aに示すように、発光装置2000は、実施形態1と同様に、背面から正面方向に
おける窪みの深さが上面側よりも底面側で深いことで、窪みの上面側に位置する基材の厚
みを窪みの底面側に位置する基材の厚みよりも厚くすることができる。これにより、基材
の強度低下を抑制することができる。また、底面側の窪みが深いことで、窪み内に形成さ
れる接合部材の体積が増加するので、発光装置2000と実装基板との接合強度を向上さ
せることができる。
As shown in FIG. 8A, in the light emitting device 2000, as in the first embodiment, the depth of the depression in the front direction from the back surface is deeper on the bottom side than on the top side. The thickness can be greater than the thickness of the base located on the bottom side of the recess. Thereby, the strength reduction of the base material can be suppressed. In addition, since the hollow on the bottom side is deep, the volume of the bonding member formed in the hollow is increased, so that the bonding strength between the light emitting device 2000 and the mounting substrate can be improved.

図8Bに示すように、発光素子の数は1つでもよい。発光素子が1つであることで、発
光素子が複数ある場合よりも第1方向(X方向)の幅を短くすることができるので発光装
置を小型化できる。発光装置の第1方向(X方向)の幅が短くなることにより、窪みの数
も適宜変更してもよい。例えば、図9Aに示すように、窪み16の数を2つにしてもよい
。尚、窪み16は1つでも、3つ以上でもよい。
As shown in FIG. 8B, the number of light emitting elements may be one. When the number of light emitting elements is one, the width in the first direction (X direction) can be shorter than in the case where there are a plurality of light emitting elements, so that the light emitting device can be miniaturized. By reducing the width in the first direction (X direction) of the light emitting device, the number of depressions may be changed as appropriate. For example, as shown in FIG. 9A, the number of depressions 16 may be two. The number of depressions 16 may be one or three or more.

図9Bに示すように、背面視において窪み16と隣り合う窪みとの間に複数のビアホー
ル15が位置することが好ましい。換言すると、背面視において窪み16と隣り合う窪み
を結ぶ直線上に複数のビアホール15が位置することが好ましい。このようにすることで
、発光素子からの熱がビアホール15から窪み内に位置する第3配線14に効率的に伝わ
ることができる。これにより、発光装置の放熱性が向上する。
As shown in FIG. 9B, it is preferable that the plurality of via holes 15 be located between the recess 16 and the recess adjacent in the rear view. In other words, it is preferable that the plurality of via holes 15 be located on a straight line connecting the recesses adjacent to the recess 16 in the rear view. By doing this, the heat from the light emitting element can be efficiently transmitted from the via hole 15 to the third wiring 14 located in the recess. Thereby, the heat dissipation of the light emitting device is improved.

<実施形態3>
図10〜図14に示す本発明の実施形態3に係る発光装置3000は、実施形態1に係
る発光装置1000と比較して、形状の異なる窪み16を備える点で相違する。
Embodiment 3
A light emitting device 3000 according to the third embodiment of the present invention shown in FIGS. 10 to 14 is different from the light emitting device 1000 according to the first embodiment in that a recess 16 having a different shape is provided.

発光装置3000は発光装置1000と同様に、基板10と、少なくとも1つの発光素
子20と、被覆部材40と、を備える。基板10は、基材11と、第1配線12と、第2
配線13と、第3配線14と、ビアホール15と、を備える。基材11は、長手方向であ
る第1方向と短手方向である第2方向に延長する正面111と、正面の反対側に位置する
背面112と、正面111と隣接し正面111と直交する底面113と、底面113の反
対側に位置する上面114と、正面111と背面112の間に位置する側面115を備え
る。基材11は、更に複数の窪み16を有する。複数の窪み16は、背面112と底面1
13とに開口した中央窪み161と、背面112と底面113と側面115とに開口した
端部窪み162とを備える。第3配線14は、窪み16の内壁を被覆し、第2配線13と
電気的に接続される。
Similar to the light emitting device 1000, the light emitting device 3000 includes the substrate 10, at least one light emitting element 20, and the covering member 40. The substrate 10 includes a base 11, a first wiring 12, and a second
A wire 13, a third wire 14, and a via hole 15 are provided. The base material 11 has a front surface 111 extending in a first direction as a longitudinal direction and a second direction as a lateral direction, a back surface 112 opposite to the front surface, and a bottom surface adjacent to the front surface 111 and orthogonal to the front surface 111 And 113, a top surface 114 opposite to the bottom surface 113, and a side surface 115 located between the front surface 111 and the back surface 112. The substrate 11 further has a plurality of depressions 16. The plurality of depressions 16 have a back surface 112 and a bottom surface 1
A central recess 161 opened at 13 and an end recess 162 opened at the back surface 112, the bottom surface 113 and the side surface 115. The third wiring 14 covers the inner wall of the recess 16 and is electrically connected to the second wiring 13.

図14に示すように、発光装置3000は、背面から正面方向における中央窪み161
及び/又は端部窪み162の深さが上面側よりも底面側で深いことで、中央窪み161及
び/又は端部窪み162の上面側に位置する基材の厚みを中央窪み161及び/又は端部
窪み162の底面側に位置する基材の厚みよりも厚くすることができる。これにより、基
材の強度低下を抑制することができる。また、底面側の中央窪み161及び/又は端部窪
み162が深いことで、中央窪み161及び/又は端部窪み162内に形成される接合部
材の体積が増加するので、発光装置3000と実装基板との接合強度を向上させることが
できる。尚、中央窪み161及び/又は端部窪み162は少なくとも1つあればよい。
As shown in FIG. 14, the light emitting device 3000 has a central recess 161 in the front direction from the back surface.
And / or the depth of the end recess 162 is deeper on the bottom side than on the upper surface side, the thickness of the substrate located on the upper surface side of the center recess 161 and / or the end recess 162 is set to the center recess 161 and / or the end It can be thicker than the thickness of the base located on the bottom side of the partial recess 162. Thereby, the strength reduction of the base material can be suppressed. In addition, since the central recess 161 and / or the end recess 162 on the bottom side is deep, the volume of the bonding member formed in the central recess 161 and / or the end recess 162 is increased, so that the light emitting device 3000 and the mounting substrate The bonding strength with this can be improved. The center recess 161 and / or the end recess 162 may be at least one.

端部窪み162は、図11〜図14に示すように、基材の側面115にも開口している
。これにより、基材の側面115側にも接合部材が位置するので、更に発光装置3000
と実装基板との接合強度を向上させることができる。発光装置3000が基材11の底面
113と、実装基板と、を対向させて実装する側面発光型の場合には、特に端部窪み16
2を備えていることが好ましい。端部窪み162を備えていることで、基材の側面115
を固定することができるので、発光装置3000が実装基板上で傾斜したり、基材の背面
が実装基板と対向して立ち上がったりするマンハッタン現象の発生を抑制することができ
る。端部窪み162は少なくとも1つあればよいが、複数あることが好ましい。端部窪み
162が複数あることで、更に発光装置3000と実装基板との接合強度を向上させるこ
とができる。端部窪み162が複数ある場合には、背面視において端部窪みが基材の両端
に位置していることが好ましい。このようにすることで、更にマンハッタン現象の発生を
抑制することができる。
The end recess 162 is also open to the side surface 115 of the base, as shown in FIGS. As a result, the bonding member is also located on the side surface 115 side of the base material.
It is possible to improve the bonding strength between the and the mounting substrate. In the case of the side light emission type in which the light emitting device 3000 is mounted with the bottom surface 113 of the base 11 and the mounting substrate facing each other, the end depressions 16 in particular
It is preferable to have two. By providing the end recess 162, the side surface 115 of the substrate
Accordingly, it is possible to suppress the occurrence of the Manhattan phenomenon in which the light emitting device 3000 is inclined on the mounting substrate and the back surface of the base material faces the mounting substrate and stands up. At least one end recess 162 may be provided, but a plurality of end recesses 162 is preferable. The presence of the plurality of end recesses 162 can further improve the bonding strength between the light emitting device 3000 and the mounting substrate. In the case where there are a plurality of end depressions 162, it is preferable that the end depressions be located at both ends of the substrate in rear view. By doing this, the occurrence of the Manhattan phenomenon can be further suppressed.

背面視において、中央窪み161の形状が円形状の半分の略半円形状であり、端部窪み
162の形状が円形状の略4分の1の形状である場合には、中央窪み161と端部窪み1
62の円形状の直径は異なっていても、略同一でもよい。中央窪み161と端部窪み16
2の円形状の直径が略同一であれば、1つのドリルにより中央窪み161及び端部窪み1
62を形成することができるので好ましい。また、断面視において中央窪み161及び端
部窪み162が底面113から基材11の厚みが厚くなる方向に傾斜する傾斜部を備えて
いる場合には、中央窪み161の傾斜部と端部窪み162の傾斜部の角度は異なっていて
も、略同一でもよい。中央窪み161の傾斜部と端部窪み162の傾斜部の角度が略同一
であれば、1つのドリルにより中央窪み161及び端部窪み162を形成することができ
るので好ましい。
When the shape of the central recess 161 is substantially half of a circle and the shape of the end recess 162 is substantially a quarter of a circle in the rear view, the central recess 161 and the end are Partial depression 1
The diameters of the circular shapes 62 may be different or substantially the same. Central depression 161 and end depression 16
If the diameters of the two circular shapes are substantially the same, one hollow is used to form the central recess 161 and the end recess 1.
It is preferable because 62 can be formed. In the case where the central recess 161 and the end recess 162 have an inclined portion which inclines in the direction in which the thickness of the base 11 increases from the bottom surface 113 in the cross sectional view, the inclined portion and the end recess 162 of the central recess 161 The angle of the inclined portion of may be different or substantially the same. If the angle of the inclined portion of the central recess 161 and the inclined portion of the end recess 162 are substantially the same, it is preferable because the central recess 161 and the end recess 162 can be formed by one drill.

図15、図16に示すように、1つの透光性部材30が、複数の発光素子上に位置して
いてもよい。このようにすることで、正面視における透光性部材の面積を大きくすること
ができるので発光装置の光取り出し効率が向上する。また、発光装置の発光面が1つにな
ることで発光装置の輝度ムラを低減することができる。
As shown to FIG. 15, FIG. 16, one translucent member 30 may be located on several light emitting elements. By doing this, the area of the light transmitting member in the front view can be increased, so the light extraction efficiency of the light emitting device is improved. In addition, since the light emitting surface of the light emitting device is one, luminance unevenness of the light emitting device can be reduced.

1つの透光性部材30が、複数の発光素子上に位置している場合には、各発光素子20
と透光性部材30とを接合する導光部材50は、繋がっていても、それぞれ離間していて
もよい。図16に示すように、一方の発光素子と他方の発光素子の間を繋ぐように導光部
材が位置することが好ましい。このようにすることで、一方の発光素子と他方の発光素子
の間からも導光部材を介して発光素子の光を透光部材に導光することができるので、発光
装置の輝度ムラを低減することができる。また、一方の発光素子と他方の発光素子の間に
位置する被覆部材の部分が減少するので、被覆部材が発光素子からの光で劣化を抑制する
ことができる。尚、導光部材としては被覆部材よりも発光素子からの光によって劣化しに
くい材料を用いることが好ましい。
When one translucent member 30 is located on a plurality of light emitting elements, each light emitting element 20
The light guide member 50 joining the light transmitting member 30 and the light transmitting member 30 may be connected or separated from each other. As shown in FIG. 16, it is preferable that the light guide member be positioned so as to connect one light emitting element to the other light emitting element. In this way, the light of the light emitting element can be guided to the light transmitting member through the light guide member also between the one light emitting element and the other light emitting element, thereby reducing the uneven brightness of the light emitting device. can do. In addition, since the portion of the covering member located between one light emitting element and the other light emitting element is reduced, the covering member can suppress deterioration by light from the light emitting element. As the light guide member, it is preferable to use a material that is less likely to be deteriorated by the light from the light emitting element than the covering member.

<実施形態4>
図17〜図21に示す本発明の実施形態4に係る発光装置4000は、実施形態2に係
る発光装置2000と比較して、形状の異なる窪み16を備える点で相違する。
Fourth Embodiment
The light emitting device 4000 according to the fourth embodiment of the present invention shown in FIGS. 17 to 21 is different from the light emitting device 2000 according to the second embodiment in that a recess 16 having a different shape is provided.

図21に示すように、発光装置4000は、端部窪み162を備えている。背面から正
面方向における端部窪みの深さが上面側よりも底面側で深いことで、端部窪みの上面側に
位置する基材の厚みを窪みの底面側に位置する基材の厚みよりも厚くすることができる。
これにより、基材の強度低下を抑制することができる。また、底面側の端部窪みが深いこ
とで、端部窪み内に形成される接合部材の体積が増加するので、発光装置4000と実装
基板との接合強度を向上させることができる。
As shown in FIG. 21, the light emitting device 4000 includes an end recess 162. Since the depth of the end depression in the front direction from the back surface is deeper on the bottom side than on the top side, the thickness of the base located on the top side of the end depression is greater than the thickness of the base located on the bottom of the depression It can be thickened.
Thereby, the strength reduction of the base material can be suppressed. Further, since the end recess on the bottom surface side is deep, the volume of the bonding member formed in the end recess is increased, so that the bonding strength between the light emitting device 4000 and the mounting substrate can be improved.

端部窪み162は、図18〜図21に示すように、基材の側面115にも開口している
。これにより、基材の側面115側にも接合部材が位置するので、更に発光装置4000
と実装基板との接合強度を向上させることができる。
The end recess 162 is also open to the side surface 115 of the substrate, as shown in FIGS. As a result, the bonding member is also located on the side surface 115 side of the base material.
It is possible to improve the bonding strength between the and the mounting substrate.

<実施形態5>
図22に示す本発明の実施形態5に係る発光装置5000は、実施形態4に係る発光装
置4000と比較して、中央窪み161を備える点で相違する。
Fifth Embodiment
A light emitting device 5000 according to the fifth embodiment of the present invention shown in FIG. 22 is different from the light emitting device 4000 according to the fourth embodiment in that a center depression 161 is provided.

発光装置5000は、中央窪み161及び端部窪み162を備えていることで接合部材
により固定できる箇所が増えるので発光装置と実装基板の接合強度を向上させることがで
きる。尚、背面から正面方向における中央窪み161及び/又は端部窪み162の深さが
上面側よりも底面側で深い。これにより、発光装置5000と実装基板との接合強度を向
上させることができる。
Since the light emitting device 5000 includes the central recess 161 and the end recess 162, the number of locations that can be fixed by the bonding member increases, so the bonding strength between the light emitting device and the mounting substrate can be improved. The depth of the central recess 161 and / or the end recess 162 in the front direction from the back surface is deeper on the bottom side than on the upper surface side. Thus, the bonding strength between the light emitting device 5000 and the mounting substrate can be improved.

<実施形態6>
図23に示す本発明の実施形態6に係る発光装置6000は、実施形態1に係る発光装
置1000と比較して、第2配線及び絶縁膜の形状と、発光装置の中央に窪み(中央窪み
)を備えていない点で相違する。
Embodiment 6
Compared to the light emitting device 1000 according to Embodiment 1, the light emitting device 6000 according to Embodiment 6 of the present invention shown in FIG. 23 has a shape of the second wiring and the insulating film and a recess (center recess) in the center of the light emitting device. The difference is that they do not have

発光装置6000の第2配線13は、背面視において2つの端部窪みの間に位置し、絶
縁膜18から露出する露出部131を備えている。露出部131は、底面113側を除い
て絶縁膜18に囲まれている。露出部131に接合部材を配置することで発光装置と実装
基板の接合強度を向上させることができる。背面視における露出部131の形状は四角形
状でも半球形状でも任意の形状でよい。背面視における露出部131の形状は絶縁膜の形
状を変更することにより容易に変更することができる。背面視における露出部131の形
状は、底面側に幅狭部132を備え、第2方向(Y方向)に延長した位置に幅広部133
を備えることが好ましい。幅狭となる部位を配置することにより、発光装置を実装する場
合に、接合部材に含まれるフラックスなどが、露出部131の表面に沿って、発光素子下
にまで浸入することを抑制することができる。また、絶縁膜18から露出した第2配線1
3の形状は第2方向(Y方向)に平行な基材の中心線に対して左右対称に位置することが
好ましい。このようにすることで、発光装置を実装基板に接合部材を介して実装される際
にセルフアライメントが効果的に働き、発光装置を実装範囲内に精度よく実装することが
できる。
The second wiring 13 of the light emitting device 6000 includes an exposed portion 131 which is located between the two end depressions in the rear view and is exposed from the insulating film 18. The exposed portion 131 is surrounded by the insulating film 18 except for the bottom surface 113 side. By arranging the bonding member in the exposed portion 131, bonding strength between the light emitting device and the mounting substrate can be improved. The shape of the exposed portion 131 in the rear view may be any shape, square or hemispherical. The shape of the exposed portion 131 in the rear view can be easily changed by changing the shape of the insulating film. The shape of the exposed portion 131 in the rear view has a narrow portion 132 on the bottom side and a wide portion 133 at a position extended in the second direction (Y direction).
Preferably, By arranging a portion having a narrow width, it is possible to suppress flux or the like contained in the bonding member from entering the area below the light emitting element along the surface of the exposed portion 131 when the light emitting device is mounted. it can. Also, the second wire 1 exposed from the insulating film 18
It is preferable that the shape of 3 is located symmetrically with respect to the center line of the base material parallel to the second direction (Y direction). In this way, when the light emitting device is mounted on the mounting substrate via the bonding member, the self alignment effectively works, and the light emitting device can be mounted within the mounting range with high accuracy.

<実施形態7>
図24に示す本発明の実施形態7に係る発光装置7000は、実施形態4に係る発光装
置4000と比較して、第2配線及び絶縁膜の形状が相違する。
Seventh Embodiment
The light emitting device 7000 according to the seventh embodiment of the present invention shown in FIG. 24 is different from the light emitting device 4000 according to the fourth embodiment in the shapes of the second wiring and the insulating film.

発光装置7000の第2配線13は、発光装置6000と同様に背面視において2つの
端部窪みの間に位置し、絶縁膜18から露出する露出部131を備えている。露出部13
1は、底面113側を除いて絶縁膜18に囲まれている。露出部131に接合部材を配置
することで発光装置7000と実装基板の接合強度を向上させることができる。
Similar to the light emitting device 6000, the second wiring 13 of the light emitting device 7000 includes an exposed portion 131 which is located between two end depressions in a rear view and is exposed from the insulating film 18. Exposed section 13
1 is surrounded by the insulating film 18 except for the bottom surface 113 side. By arranging the bonding member in the exposed portion 131, bonding strength between the light emitting device 7000 and the mounting substrate can be improved.

発光装置を実装する実装基板のランドパターンの形状は、特に限定されるものではなく
、略四角形状でも略円形状でもよい。例えば、図25Aに示すように、実施形態1に係る
発光装置を実装する実装基板のランドパターンは、X方向において幅の広い幅広部W10
と幅の狭い幅狭部W9とを備えていてもよい。底面視において、窪みと重なる位置に幅狭
部W9が位置することで、発光装置を実装基板に実装する時のセルフアライメント性を高
めることができる。また、ランドパターンが幅広部W10を備えることで、底面視におけ
るランドパターンの面積を大きくすることができる。これにより、接合部材の厚みのバラ
つきを抑制することができる。また、実施形態1に係る発光装置のように、窪みの中央の
深さが、Z方向における窪みの深さの最大である発光装置を実装する実装基板のランドパ
ターンは、図25Bに示すように、ランドパターンの中央におけるZ方向の長さW12が
、ランドパターンの端部におけるZ方向の長さW11よりも長いことが好ましい。このよ
うにすることで、発光装置を実装基板に実装する時のセルフアライメント性を高めること
ができる。また、図25Cに示すように、ランドパターンは、幅広部W10と幅狭部W9
とを備え、且つ、ランドパターンの幅狭部において中央のZ方向における長さW14が、
ランドパターンの幅狭部の端部のZ方向における長さW13よりも長くしてもよい。この
ようにすることで、実施形態1に係る発光装置を実装基板に実装する時のセルフアライメ
ント性を高めることと、接合部材の厚みのバラつきを抑制することができる。
The shape of the land pattern of the mounting substrate on which the light emitting device is mounted is not particularly limited, and may be substantially square or substantially circular. For example, as shown in FIG. 25A, the land pattern of the mounting substrate on which the light emitting device according to the first embodiment is mounted has a wide portion W10 with a wide width in the X direction.
And a narrow portion W9 having a narrow width. In the bottom view, the narrow portion W9 is positioned at a position overlapping the recess, whereby the self alignment property when mounting the light emitting device on the mounting substrate can be enhanced. Moreover, the land pattern includes the wide portion W10, whereby the area of the land pattern in a bottom view can be increased. Thereby, variation in the thickness of the bonding member can be suppressed. Further, as in the light emitting device according to the first embodiment, the land pattern of the mounting substrate on which the light emitting device is mounted, in which the depth of the center of the recess is the maximum of the depth of the recess in the Z direction, is shown in FIG. Preferably, the length W12 in the Z direction at the center of the land pattern is longer than the length W11 in the Z direction at the end of the land pattern. By doing this, it is possible to improve self-alignment when mounting the light emitting device on a mounting substrate. Also, as shown in FIG. 25C, the land pattern has a wide portion W10 and a narrow portion W9.
And a length W14 in the central Z direction at the narrow portion of the land pattern,
It may be longer than the length W13 in the Z direction of the end of the narrow portion of the land pattern. By doing this, it is possible to improve the self alignment property when mounting the light emitting device according to the first embodiment to the mounting substrate and to suppress the thickness variation of the bonding member.

また、実施形態4に係る発光装置のように発光装置の中心から離れるほどZ方向におけ
る窪みの深さが深くなる発光装置を実装する実装基板のランドパターンは、図26Aに示
すように、発光装置の中心から遠い側のランドパターンのZ方向における長さW15が、
発光装置の中心から近い側のランドパターンのZ方向における長さW16よりも長いこと
が好ましい。このようにすることで、発光装置を実装基板に実装する時のセルフアライメ
ント性を高めることができる。また、図26Bに示すように、ランドパターンは、X方向
において幅の広い幅広部W10と幅の狭い幅狭部W9とを備え、且つ、発光装置の中心か
ら遠い側のランドパターンの幅狭部の端部のZ方向の長さW17が、発光装置の中心から
近い側のランドパターンの幅狭部の端部のZ方向の長さW18よりも長いことが好ましい
。底面視において、端部窪みと重なる位置に幅狭部が位置することで、発光装置を実装基
板に実装する時のセルフアライメント性を高めることができる。また、ランドパターンが
幅広部を備えることで、底面視におけるランドパターンの面積を大きくすることができる
。これにより、接合部材の厚みのバラつきを抑制することができる。また、発光装置の中
心から遠い側のランドパターンの幅狭部の端部のZ方向の長さW17が、発光装置の中心
から近い側のランドパターンの幅狭部の端部のZ方向の長さW18よりも長いことで、発
光装置を実装基板に実装する時のセルフアライメント性を高めることができる。
Further, as shown in FIG. 26A, the land pattern of the mounting substrate on which the light emitting device is mounted, in which the depth of the depression in the Z direction becomes deeper as being farther from the center of the light emitting device Length W15 in the Z direction of the land pattern far from the center of
The length W 16 in the Z direction of the land pattern closer to the center of the light emitting device is preferably longer. By doing this, it is possible to improve self-alignment when mounting the light emitting device on a mounting substrate. Also, as shown in FIG. 26B, the land pattern includes a wide portion W10 having a large width in the X direction and a narrow portion W9 having a narrow width, and the narrow portion of the land pattern on the side far from the center of the light emitting device. It is preferable that the length W17 of the end portion in the Z direction be longer than the length W18 in the Z direction of the end portion of the narrow portion of the land pattern closer to the center of the light emitting device. In the bottom view, the narrow portion is positioned at a position overlapping the end recess, whereby the self alignment property when mounting the light emitting device on the mounting substrate can be enhanced. In addition, by providing the wide portion with the land pattern, the area of the land pattern in a bottom view can be increased. Thereby, variation in the thickness of the bonding member can be suppressed. In addition, the length W17 in the Z direction of the end of the narrow portion of the land pattern on the side far from the center of the light emitting device is the length in the Z direction of the end of the narrow portion of the land pattern on the side closer to the center of the light emitting device When the light emitting device is mounted on the mounting substrate, the self alignment can be enhanced by making the light emitting device longer than the width W18.

<実施形態8>
図27〜図30に示す本発明の実施形態8に係る発光装置8000は、実施形態1に係
る発光装置1000と比較して、基板上に載置された発光素子の数、基材が備える窪み及
びビアホールの数、透光性部材の形状が相違する。窪み16の形状は実施形態1と同様で
ある。
Eighth Embodiment
As compared with the light emitting device 1000 according to Embodiment 1, the light emitting device 8000 according to Embodiment 8 of the present invention shown in FIGS. 27 to 30 has the number of light emitting elements mounted on the substrate and the depression provided in the base material. The number of via holes and the shape of the light transmitting member are different. The shape of the recess 16 is the same as that of the first embodiment.

図28Aに示すように、発光装置8000は、実施形態1と同様に、背面から正面方向
における窪みの深さが上面側よりも底面側で深いことで、窪みの上面側に位置する基材の
厚みを窪みの底面側に位置する基材の厚みよりも厚くすることができる。これにより、基
材の強度低下を抑制することができる。また、底面側の窪みが深いことで、窪み内に形成
される接合部材の体積が増加するので、発光装置8000と実装基板との接合強度を向上
させることができる。
As shown in FIG. 28A, in the light emitting device 8000, as in the first embodiment, the depth of the depression in the front direction from the back is deeper on the bottom side than on the top side. The thickness can be greater than the thickness of the base located on the bottom side of the recess. Thereby, the strength reduction of the base material can be suppressed. In addition, since the hollow on the bottom side is deep, the volume of the bonding member formed in the hollow is increased, so that the bonding strength between the light emitting device 8000 and the mounting substrate can be improved.

図28Bに示すように、発光素子の数は3つでもよい。3つの発光素子のピーク波長は
同じでもよく、3つの発光素子のピーク波長がそれぞれ異なっていてもよく、2つの発光
素子のピーク波長が同じで1つの発光素子のピーク波長が2つの発光素子のピーク波長と
異なっていてもよい。尚、本明細書において発光素子のピーク波長が同じとは、5nm程
度の変動は許容することを意味する。発光素子のピーク波長が異なる場合には、図28B
に示すように、発光のピーク波長が430nm以上490nm未満の範囲(青色領域の波
長範囲)にある第1発光素子20Bと、発光のピーク波長が490nm以上570nm以
下の範囲(緑色領域の波長範囲)にある第2発光素子20Gと、を備えていることが好ま
しい。特に、第2発光素子20Gは、半値幅が40nm以下の発光素子を用いることが好
ましく、半値幅が30nm以下である発光素子を用いることがより好ましい。これにより
、緑色蛍光体を用いて緑色光を得る場合と比べ、緑色光が容易に鋭いピークを持つことが
できる。この結果、発光装置8000を備えた液晶表示装置は、高い色再現性を達成する
ことができる。
As shown in FIG. 28B, the number of light emitting elements may be three. The peak wavelengths of the three light emitting elements may be the same, or the peak wavelengths of the three light emitting elements may be different, and the peak wavelengths of the two light emitting elements are the same, and the peak wavelength of one light emitting element is the two light emitting elements It may be different from the peak wavelength. In the present specification, the same peak wavelength of the light emitting element means that a fluctuation of about 5 nm is allowed. When the peak wavelengths of the light emitting elements are different, as shown in FIG. 28B.
As shown in the first light emitting element 20B whose peak wavelength of light emission is in the range of 430 nm to less than 490 nm (wavelength range of blue region), the peak wavelength of light emission is in the range of 490 nm to 570 nm (wavelength range of green region) And the second light emitting element 20G. In particular, as the second light emitting element 20G, it is preferable to use a light emitting element whose half width is 40 nm or less, and more preferable to use a light emitting element whose half width is 30 nm or less. Thereby, green light can have a sharp peak easily compared with the case where green light is obtained using green fluorescent substance. As a result, the liquid crystal display device including the light emitting device 8000 can achieve high color reproducibility.

第1発光素子20Bと第2発光素子20Gの配置は特に限定されないが、図28Bに示
すように、左から順に青色発光素子である第1発光素子20Bと、緑色発光素子である第
2発光素子20Gと、青色発光素子である第1発光素子20Bと、が並んで配置されてい
ることが好ましい。第1発光素子20Bと第2発光素子20Gが交互に並んで配置される
ことで発光装置の混色性を向上させることができる。尚、左から順に第2発光素子と、第
1発光素子と、第2発光素子と、が並んで配置されてもよい。また、得ようとする発光特
性に応じて、第1発光素子20Bの個数の方が第2発光素子20Gの個数よりも多くても
よく、第2発光素子20Gの個数の方が第1発光素子20Bの個数よりも多くてもよく、
また第1発光素子20Bと第2発光素子20Gの個数が同じであってよい。発光素子の個
数を調整することで、任意の色調や光量を有する発光装置とすることができる。
The arrangement of the first light emitting element 20B and the second light emitting element 20G is not particularly limited, but as shown in FIG. 28B, the first light emitting element 20B which is a blue light emitting element and the second light emitting element which is a green light emitting element It is preferable that 20G and the first light emitting element 20B, which is a blue light emitting element, be arranged side by side. By alternately arranging the first light emitting elements 20B and the second light emitting elements 20G, the color mixing property of the light emitting device can be improved. The second light emitting element, the first light emitting element, and the second light emitting element may be arranged in order from the left. The number of first light emitting elements 20B may be greater than the number of second light emitting elements 20G according to the light emission characteristics to be obtained, and the number of second light emitting elements 20G is the first light emitting element. It may be more than the number of 20 B,
The number of first light emitting elements 20B and the number of second light emitting elements 20G may be the same. By adjusting the number of light emitting elements, a light emitting device having an arbitrary color tone and light quantity can be obtained.

図28Bに示すように、1つの透光性部材30が第1発光素子20Bと第2発光素子2
0G上に位置する場合には、波長変換物質32は、第2発光素子20Gの緑色光を吸収し
て赤色光を発光することがほとんどないことが好ましい。すなわち、波長変換物質32は
緑色光を赤色光に実質的に変換しないことが好ましい。そして、波長変換物質32の緑色
光に対する反射率は、緑色光の波長の範囲で平均して70%以上であることが好ましい。
波長変換物質32を緑色光に対する反射率が高い、すなわち、緑色光を吸収することが少
ない蛍光体、すなわち緑色光を波長変換することが少ない蛍光体とすることにより、発光
装置の設計を容易にすることができる。
緑色光の吸収が大きい赤色蛍光体を使うと、第1発光素子20Bだけでなく、第2発光
素子20Gについても波長変換物質32による波長変換を考慮して発光装置の出力バラン
スを検討しなければない。一方、緑色光をほとんど波長変換しない波長変換物質32を用
いると、第1発光素子20Bの発光する青色の波長変換のみを考慮するだけで発光装置の
出力バランスを設計することができる。
As shown in FIG. 28B, one light transmitting member 30 includes the first light emitting element 20B and the second light emitting element 2.
When positioned on 0 G, it is preferable that the wavelength conversion substance 32 hardly absorbs the green light of the second light emitting element 20 G to emit red light. That is, it is preferable that the wavelength conversion substance 32 does not substantially convert green light into red light. And it is preferable that the reflectance with respect to the green light of the wavelength conversion substance 32 is 70% or more on the average in the range of the wavelength of green light.
Design of the light emitting device can be facilitated easily by using the wavelength conversion substance 32 as a phosphor having high reflectance to green light, that is, a phosphor that absorbs less green light, that is, a phosphor that converts less green light. can do.
If a red phosphor that absorbs large amounts of green light is used, the output balance of the light emitting device should be examined not only for the first light emitting element 20B but also for the second light emitting element 20G in consideration of wavelength conversion by the wavelength conversion substance 32. Absent. On the other hand, when the wavelength conversion substance 32 which hardly converts the wavelength of green light is used, the output balance of the light emitting device can be designed only by considering only the wavelength conversion of the blue light emitted by the first light emitting element 20B.

このような好ましい波長変換物質32として以下の赤色蛍光体を挙げることができる。
波長変換物質32はこれらの少なくとも1つ以上である。
第1の種類は、その組成が以下の一般式(I)で示される赤色蛍光体である。

2MF6:Mn4+ (I)

ただし、上記一般式(I)中、Aは、K、Li、Na、Rb、Cs及びNH4+からな
る群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群
から選ばれる少なくとも1種の元素である。
As such a preferable wavelength conversion substance 32, the following red fluorescent substance can be mentioned.
The wavelength conversion substance 32 is at least one or more of these.
The first type is a red phosphor whose composition is represented by the following general formula (I).

A 2 MF 6 : Mn 4+ (I)

However, in the above general formula (I), A is at least one selected from the group consisting of K, Li, Na, Rb, Cs and NH 4 + , and M is a group 4 element or group 14 element And at least one element selected from the group consisting of

第4族元素はチタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)及びハフニウム(Hf)である。
第14族元素は、ケイ素(Si)、ゲルマニウム(Ge)、スズ(Sn)及び鉛(Pb)
である。
第1の種類の赤色蛍光体の具体例として、KSiF:Mn4+、K(Si,Ge
)F:Mn4+、KTiF:Mn4+を挙げることができる。
The group 4 elements are titanium (Ti), zirconium (Zr) and hafnium (Hf).
Group 14 elements include silicon (Si), germanium (Ge), tin (Sn) and lead (Pb)
It is.
As a specific example of the first type of red phosphor, K 2 SiF 6 : Mn 4+ , K 2 (Si, Ge
) F 6 : Mn 4+ , K 2 TiF 6 : Mn 4+ can be mentioned.

第2の種類は、その組成が3.5MgO・0.5MgF・GeO:Mn4+で表さ
れる赤色蛍光体または、その組成が以下の一般式(II)で示される赤色蛍光体である。

(x−a)MgO・a(Ma)O・b/2(Mb)・yMgF・c(Mc)X
・(1−d−e)GeO・d(Md)O・e(Me):Mn4+ (I
I)

ただし、上記一般式(II)中、Maは、Ca,Sr,Ba,Znから選択された少な
くとも1種であり、Mbは、Sc,La,Luから選択された少なくとも1種であり、M
cは、Ca,Sr,Ba,Znから選択された少なくとも1種であり、Xは、F,Clか
ら選択された少なくとも1種であり、Mdは、Ti,Sn,Zrから選択された少なくと
も1種であり、Meは、B,Al,Ga,Inから選択された少なくとも1種である。ま
た、x、y、a、b、c、d、eについて、2≦x≦4、0<y≦2、0≦a≦1.5、
0≦b<1、0≦c≦2、0≦d≦0.5、0≦e<1である。
The second type is a red phosphor whose composition is represented by 3.5MgO.0.5MgF 2 .GeO 2 : Mn 4+ or a red phosphor whose composition is represented by the following general formula (II) .

(X-a) MgO · a (Ma) O · b / 2 (Mb) 2 O 3 · yMgF 2 · c (Mc) X
2 · (1-d−e) GeO 2 · d (Md) O 2 · e (Me) 2 O 3 : Mn 4+ (I
I)

However, in the above general formula (II), Ma is at least one selected from Ca, Sr, Ba, Zn, and Mb is at least one selected from Sc, La, Lu, M
c is at least one selected from Ca, Sr, Ba, Zn, X is at least one selected from F, Cl, and Md is at least one selected from Ti, Sn, Zr And Me is at least one selected from B, Al, Ga, In. In addition, for x, y, a, b, c, d and e, 2 ≦ x ≦ 4, 0 <y ≦ 2, 0 ≦ a ≦ 1.5,
0 ≦ b <1, 0 ≦ c ≦ 2, 0 ≦ d ≦ 0.5, 0 ≦ e <1.

発光装置8000は、発光素子が3つであることで、発光素子が1つである場合よりも
第1方向(X方向)の幅が長くなりやすい。このため、窪み及びビアホールの数を適宜変
更してもよい。例えば、図30に示すように、窪み16及びビアホールの数を4つにして
もよい。
In the light-emitting device 8000, the width in the first direction (X direction) is likely to be longer than in the case where one light-emitting element is provided because the number of light-emitting elements is three. Therefore, the number of recesses and via holes may be changed as appropriate. For example, as shown in FIG. 30, the number of recesses 16 and via holes may be four.

図31に示すように、第1発光素子と、第2発光素子の上にそれぞれ1つの透光性部材
30が位置していてもよく、図28Bに示すように、1つの透光性部材30が、複数の発
光素子上に位置していてもよい。図31のように第1発光素子と、第2発光素子の上にそ
れぞれ1つの透光性部材30が位置している場合には、第1発光素子20B上に位置する
透光性部材30と、第2発光素子20G上に位置する透光性部材30に含有する波長変換
物質32の材料は同じでもよく、異なっていてもよい。例えば、波長変換物質32が、第
2発光素子20Gの緑色光を吸収して赤色光を発光することがほとんどない場合は、第1
発光素子20B上に位置する透光性部材30には赤色蛍光体である波長変換物質32を含
有し、第2発光素子20G上に位置する透光性部材30には赤色蛍光体である波長変換物
質32を含有しなくてもよい。このようにすることで、第1発光素子20Bの発光する青
色の波長変換のみを考慮するだけで発光装置の出力バランスを設計することができる。第
1発光素子と、第2発光素子の上にそれぞれ1つの透光性部材30が位置する場合には、
第1発光素子20B上に位置する透光性部材30と、第2発光素子20G上に位置する透
光性部材30との間には被覆部材が形成されている。図28Bに示すように、1つの透光
性部材30が、複数の発光素子上に位置している場合は、正面視における透光性部材30
の面積を大きくすることができるので発光装置の光取り出し効率が向上する。また、発光
装置の発光面が1つになることで発光装置の輝度ムラを低減することができる。
As shown in FIG. 31, one light-transmissive member 30 may be positioned on each of the first light-emitting element and the second light-emitting element, and as shown in FIG. 28B, one light-transmissive member 30 is provided. May be located on a plurality of light emitting elements. As shown in FIG. 31, when one light-transmissive member 30 is located on the first light-emitting element and the second light-emitting element, the light-transmissive member 30 located on the first light-emitting element 20B The material of the wavelength conversion substance 32 contained in the translucent member 30 located on the second light emitting element 20G may be the same or different. For example, in the case where the wavelength conversion substance 32 hardly absorbs the green light of the second light emitting element 20G and emits red light, the first
The light transmitting member 30 located on the light emitting element 20B contains the wavelength conversion substance 32 which is a red phosphor, and the light transmitting member 30 located on the second light emitting element 20G has a wavelength conversion which is a red phosphor. The substance 32 may not be contained. By doing this, it is possible to design the output balance of the light emitting device only by considering only the wavelength conversion of the blue light emitted by the first light emitting element 20B. When one translucent member 30 is positioned on each of the first light emitting element and the second light emitting element,
A covering member is formed between the light transmitting member 30 located on the first light emitting element 20B and the light transmitting member 30 located on the second light emitting element 20G. As shown to FIG. 28B, when one translucent member 30 is located on several light emitting elements, the translucent member 30 in a plain view
Thus, the light extraction efficiency of the light emitting device is improved. In addition, since the light emitting surface of the light emitting device is one, luminance unevenness of the light emitting device can be reduced.

1つの透光性部材30が、複数の発光素子上に位置している場合には、各発光素子20
と透光性部材30とを接合する導光部材50は、繋がっていても、それぞれ離間していて
もよい。図28Bに示すように、一方の発光素子と他方の発光素子の間を繋ぐように導光
部材50が位置することが好ましい。このようにすることで、一方の発光素子と他方の発
光素子の間からも導光部材を介して発光素子の光を透光部材に導光することができるので
、発光装置の輝度ムラを低減することができる。
When one translucent member 30 is located on a plurality of light emitting elements, each light emitting element 20
The light guide member 50 joining the light transmitting member 30 and the light transmitting member 30 may be connected or separated from each other. As shown to FIG. 28B, it is preferable that the light guide member 50 is located so that it may connect between one light emitting element and the other light emitting element. In this way, the light of the light emitting element can be guided to the light transmitting member through the light guide member also between the one light emitting element and the other light emitting element, thereby reducing the uneven brightness of the light emitting device. can do.

図28B、図31に示すように、透光性部材30が波長変換物質32を含有する層と、
波長変換物質を実質的に含有しない層33と、を備えていてもよい。透光性部材30が波
長変換物質32を含有する層上に、波長変換物質を実質的に含有しない層33が位置する
ことで、波長変換物質を実質的に含有しない層33が保護層としても機能を果たすので波
長変換物質32の劣化を抑制できる。図31に示すように第1発光素子と、第2発光素子
の上にそれぞれ1つの透光性部材30が位置している場合には、第1発光素子20B上に
位置する透光性部材30の波長変換物質を実質的に含有しない層33の厚みと、第2発光
素子20G上に位置する透光性部材30波長変換物質を実質的に含有しない層33の厚み
はそれぞれ同じでも異なっていてもよい。また、第1発光素子と、第2発光素子の上にそ
れぞれ1つの透光性部材30が位置している場合には、第1発光素子20B上に位置する
透光性部材30の波長変換物質32を含有する層の厚みと、第2発光素子20G上に位置
する透光性部材30波長変換物質32を含有する層の厚みはそれぞれ同じでも異なってい
てもよい。尚、本明細書において厚みが同じとは、5μm程度の違いは許容されることを
意味する。
As shown in FIGS. 28B and 31, a layer in which the light transmitting member 30 contains the wavelength conversion substance 32,
And a layer 33 substantially containing no wavelength conversion substance. The layer 33 substantially containing no wavelength conversion substance is positioned on the layer containing the wavelength conversion substance 32 on the light transmitting member 30 so that the layer 33 substantially containing no wavelength conversion substance is also used as a protective layer. Since the function is performed, the deterioration of the wavelength conversion substance 32 can be suppressed. As shown in FIG. 31, when one light-transmissive member 30 is located on each of the first light-emitting element and the second light-emitting element, the light-transmissive member 30 located on the first light-emitting element 20B. The thickness of the layer 33 substantially free of the wavelength conversion substance of the present invention and the thickness of the layer 33 substantially free of the light transmitting member 30 wavelength conversion substance located on the second light emitting element 20G are the same or different. It is also good. In addition, in the case where one translucent member 30 is positioned on each of the first light emitting element and the second light emitting element, the wavelength conversion material of the translucent member 30 positioned on the first light emitting element 20B The thickness of the layer containing 32 and the thickness of the layer containing the light transmitting member 30 wavelength conversion substance 32 located on the second light emitting element 20G may be the same or different. In the present specification, the same thickness means that a difference of about 5 μm is allowed.

以下、本発明の一実施形態に係る発光装置における各構成要素について説明する。   Hereinafter, each component in the light emitting device according to the embodiment of the present invention will be described.

(基板10)
基板10は、発光素子を載置する部材である。基板10は、少なくとも、基材11と、
第1配線12と、第2配線13と、第3配線14と、ビアホール15と、により構成され
る。
(Board 10)
The substrate 10 is a member on which the light emitting element is mounted. The substrate 10 is at least a substrate 11;
A first wiring 12, a second wiring 13, a third wiring 14, and a via hole 15 are formed.

(基材11)
基材11は、樹脂若しくは繊維強化樹脂、セラミックス、ガラスなどの絶縁性部材を用
いて構成することができる。樹脂若しくは繊維強化樹脂としては、エポキシ、ガラスエポ
キシ、ビスマレイミドトリアジン(BT)、ポリイミドなどが挙げられる。セラミックス
としては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム
、酸化チタン、窒化チタン、若しくはこれらの混合物などが挙げられる。これらの基材の
うち、特に発光素子の線膨張係数に近い物性を有する基材を使用することが好ましい。基
材の厚さの下限値は、適宜選択できるが、基材の強度の観点から、0.05mm以上であ
ることが好ましく、0.2mm以上であることがより好ましい。また、基材の厚さの上限
値は、発光装置の厚さ(奥行き)の観点から、0.5mm以下であることが好ましく、0
.4mm以下であることがより好ましい。
(Base material 11)
The base material 11 can be comprised using insulating members, such as resin or fiber reinforced resin, ceramics, glass. As resin or fiber reinforced resin, epoxy, glass epoxy, bismaleimide triazine (BT), polyimide etc. are mentioned. Examples of the ceramic include aluminum oxide, aluminum nitride, zirconium oxide, zirconium nitride, titanium oxide, titanium nitride, or a mixture thereof. It is preferable to use the base material which has a physical property close | similar to the linear expansion coefficient of a light emitting element especially among these base materials. The lower limit of the thickness of the substrate can be appropriately selected, but is preferably 0.05 mm or more, and more preferably 0.2 mm or more from the viewpoint of the strength of the substrate. The upper limit of the thickness of the substrate is preferably 0.5 mm or less from the viewpoint of the thickness (depth) of the light emitting device, and 0
. More preferably, it is 4 mm or less.

(第1配線12、第2配線13、第3配線14)
第1配線は、基板の正面に配置され、発光素子と電気的に接続される。第2配線は、基
板の背面に配置され、ビアホールを介して第1配線と電気的に接続される。第3配線は、
窪みの内壁を被覆し、第2配線と電気的に接続される。第1配線、第2配線及び第3配線
は、銅、鉄、ニッケル、タングステン、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン、パラジ
ウム、ロジウム、又はこれらの合金で形成することができる。これらの金属又は合金の単
層でも多層でもよい。特に、放熱性の観点においては銅又は銅合金が好ましい。また、第
1配線及び/又は第2配線の表層には、導電性接着部材の濡れ性及び/若しくは光反射性
などの観点から、銀、白金、アルミニウム、ロジウム、金若しくはこれらの合金などの層
が設けられていてもよい。
(First Wiring 12, Second Wiring 13, Third Wiring 14)
The first wiring is disposed on the front of the substrate and is electrically connected to the light emitting element. The second wiring is disposed on the back surface of the substrate and is electrically connected to the first wiring through the via hole. The third wire is
It covers the inner wall of the recess and is electrically connected to the second wiring. The first wiring, the second wiring, and the third wiring can be formed of copper, iron, nickel, tungsten, chromium, aluminum, silver, gold, titanium, palladium, rhodium, or an alloy of these. It may be a single layer or multiple layers of these metals or alloys. In particular, copper or a copper alloy is preferable in terms of heat dissipation. In addition, in the surface layer of the first wiring and / or the second wiring, a layer of silver, platinum, aluminum, rhodium, gold or an alloy thereof, from the viewpoint of wettability and / or light reflectivity of the conductive adhesive member, etc. May be provided.

(ビアホール15)
ビアホール15は基材11の正面と背面とを貫通する孔内に設けられ、第1配線と前記
第2配線を電気的に接続する部材である。ビアホール15は基材の貫通孔の表面を被覆す
る第4配線151と、第4配線内151に充填された充填部材152と、によって構成さ
れる。第4配線151には、第1配線、第2配線及び第3配線と同様の導電性部材を用い
ることができる。充填部材152には、導電性の部材を用いても絶縁性の部材を用いても
よい。
(Via hole 15)
The via hole 15 is provided in a hole that penetrates the front surface and the back surface of the base material 11, and is a member that electrically connects the first wiring and the second wiring. The via hole 15 is constituted by the fourth wiring 151 covering the surface of the through hole of the base material, and the filling member 152 filled in the fourth wiring 151. For the fourth wiring 151, the same conductive member as the first wiring, the second wiring, and the third wiring can be used. For the filling member 152, a conductive member or an insulating member may be used.

(絶縁膜18)
絶縁膜18は、背面における絶縁性の確保及び短絡の防止を図る部材である。絶縁膜は
、当該分野で使用されるもののいずれで形成されていてもよい。例えば、熱硬化性樹脂又
は熱可塑性樹脂等が挙げられる。
(Insulating film 18)
The insulating film 18 is a member for securing insulation on the rear surface and preventing short circuit. The insulating film may be formed of any of those used in the relevant field. For example, a thermosetting resin or a thermoplastic resin can be mentioned.

(発光素子20)
発光素子20は、電圧を印加することで自ら発光する半導体素子であり、窒化物半導体
等から構成される既知の半導体素子を適用できる。発光素子20としては、例えばLED
チップが挙げられる。発光素子20は、少なくとも半導体積層体23を備え、多くの場合
に素子基板24をさらに備える。発光素子の上面視形状は、矩形、特に正方形状又は一方
向に長い長方形状であることが好ましいが、その他の形状であってもよく、例えば六角形
状であれば発光効率を高めることもできる。発光素子の側面は、上面に対して、垂直であ
ってもよいし、内側又は外側に傾斜していてもよい。また、発光素子は、正負電極を有す
る。正負電極は、金、銀、錫、白金、ロジウム、チタン、アルミニウム、タングステン、
パラジウム、ニッケル又はこれらの合金で構成することができる。発光素子の発光ピーク
波長は、半導体材料やその混晶比によって、紫外域から赤外域まで選択することができる
。半導体材料としては、波長変換物質を効率良く励起できる短波長の光を発光可能な材料
である、窒化物半導体を用いることが好ましい。窒化物半導体は、主として一般式In
AlGa1−x−yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)で表される。発光素子の発光ピ
ーク波長は、発光効率、並びに波長変換物質の励起及びその発光との混色関係等の観点か
ら、400nm以上530nm以下が好ましく、420nm以上490nm以下がより好
ましく、450nm以上475nm以下がよりいっそう好ましい。このほか、InAlG
aAs系半導体、InAlGaP系半導体、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、炭化珪素などを用
いることもできる。発光素子の素子基板は、主として半導体積層体を構成する半導体の結
晶を成長可能な結晶成長用基板であるが、結晶成長用基板から分離した半導体素子構造に
接合させる接合用基板であってもよい。素子基板が透光性を有することで、フリップチッ
プ実装を採用しやすく、また光の取り出し効率を高めやすい。素子基板の母材としては、
サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、シリコン、炭化珪素、ガリウム砒素、ガ
リウム燐、インジウム燐、硫化亜鉛、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、ダイヤモンドなどが挙げ
られる。なかでも、サファイアが好ましい。素子基板の厚さは、適宜選択でき、例えば0
.02mm以上1mm以下であり、素子基板の強度及び/若しくは発光装置の厚さの観点
において、0.05mm以上0.3mm以下であることが好ましい。
(Light-emitting element 20)
The light emitting element 20 is a semiconductor element that emits light by applying a voltage, and a known semiconductor element formed of a nitride semiconductor or the like can be applied. As the light emitting element 20, for example, an LED
There is a chip. The light emitting device 20 comprises at least a semiconductor laminate 23 and in many cases further comprises a device substrate 24. The top view shape of the light emitting element is preferably a rectangular shape, particularly a square shape or a rectangular shape elongated in one direction, but may be another shape, for example, a hexagonal shape can also enhance the luminous efficiency. The side surface of the light emitting element may be perpendicular to the upper surface, or may be inclined inward or outward. In addition, the light emitting element has positive and negative electrodes. The positive and negative electrodes are gold, silver, tin, platinum, rhodium, titanium, aluminum, tungsten,
It can be composed of palladium, nickel or their alloys. The emission peak wavelength of the light emitting element can be selected from the ultraviolet region to the infrared region depending on the semiconductor material and the mixed crystal ratio thereof. As a semiconductor material, it is preferable to use a nitride semiconductor which is a material capable of emitting light of a short wavelength capable of efficiently exciting a wavelength conversion substance. The nitride semiconductor is mainly of the general formula In x
Al y Ga 1-x-y N (0 ≦ x, 0 ≦ y, x + y ≦ 1) is represented by. The light emission peak wavelength of the light emitting element is preferably 400 nm or more and 530 nm or less, more preferably 420 nm or more and 490 nm or less, and more preferably 450 nm or more and 475 nm or less from the viewpoint of light emission efficiency and color mixing relationship with excitation of wavelength conversion substance and the light emission. More preferred. Besides, InAlG
An aAs-based semiconductor, an InAlGaP-based semiconductor, zinc sulfide, zinc selenide, silicon carbide or the like can also be used. The element substrate of the light emitting element is mainly a crystal growth substrate capable of growing a crystal of a semiconductor constituting the semiconductor laminate, but may be a bonding substrate joined to a semiconductor element structure separated from the crystal growth substrate. . Since the element substrate has a light transmitting property, it is easy to adopt flip chip mounting, and it is easy to enhance the light extraction efficiency. As a base material of the element substrate,
Sapphire, gallium nitride, aluminum nitride, silicon, silicon carbide, gallium arsenide, gallium phosphorus, indium phosphorus, zinc sulfide, zinc oxide, zinc selenide, diamond and the like can be mentioned. Among them, sapphire is preferred. The thickness of the element substrate can be appropriately selected, for example, 0
. The thickness is preferably 02 mm or more and 1 mm or less, and preferably 0.05 mm or more and 0.3 mm or less in terms of the strength of the element substrate and / or the thickness of the light emitting device.

(透光性部材30)
透光性部材は発光素子上に設けられ、発光素子を保護する部材である。透光性部材は、
少なくとも以下のような母材により構成される。また、透光性部材は、以下のような波長
変換物質32を母材中に含有することで、波長変換物質として機能させることができる。
透光性部材が、波長変換物質を含有する層と、波長変換物質を実質的に含有しない層を備
えている場合も、各層の母材が以下のように構成される。尚、各層の母材は同じでも異な
っていてもよい。但し、透光性部材が波長変換物質を有することは必須ではない。また、
透光性部材は、波長変換物質と例えばアルミナなどの無機物との焼結体、又は波長変換物
質の板状結晶などを用いることもできる。
(Transparent member 30)
The translucent member is provided on the light emitting element to protect the light emitting element. The translucent member is
It is composed of at least the following base materials. Moreover, the translucent member can be functioned as a wavelength conversion substance by containing the following wavelength conversion substances 32 in a base material.
Also in the case where the light transmitting member includes the layer containing the wavelength conversion substance and the layer substantially containing no wavelength conversion substance, the base material of each layer is configured as follows. The base material of each layer may be the same or different. However, it is not essential that the translucent member has a wavelength conversion material. Also,
The light-transmissive member may be a sintered body of a wavelength conversion substance and an inorganic substance such as alumina, or a plate crystal of the wavelength conversion substance.

(透光性部材の母材31)
透光性部材の母材31は、発光素子から発せられる光に対して透光性を有するものであ
ればよい。なお、「透光性」とは、発光素子の発光ピーク波長における光透過率が、好ま
しくは60%以上であること、より好ましくは70%以上であること、よりいっそう好ま
しくは80%以上であることを言う。透光性部材の母材は、シリコーン樹脂、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂を用
いることができる。ガラスでもよい。なかでも、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂
は、耐熱性及び耐光性に優れ、好ましい。具体的なシリコーン樹脂としては、ジメチルシ
リコーン樹脂、フェニル−メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂が挙げられ
る。透光性部材は、これらの母材のうちの1種を単層で、若しくはこれらの母材のうちの
2種以上を積層して構成することができる。なお、本明細書における「変性樹脂」は、ハ
イブリッド樹脂を含むものとする。
(Base material 31 of translucent member)
The base material 31 of the light transmitting member may be a material having light transmitting property with respect to the light emitted from the light emitting element. Here, “translucent” means that the light transmittance at the light emission peak wavelength of the light emitting element is preferably 60% or more, more preferably 70% or more, still more preferably 80% or more Say that. As a base material of the translucent member, silicone resin, epoxy resin, phenol resin, polycarbonate resin, acrylic resin, or modified resin thereof can be used. It may be glass. Among them, silicone resins and modified silicone resins are preferable because they are excellent in heat resistance and light resistance. Specific silicone resins include dimethyl silicone resins, phenyl-methyl silicone resins and diphenyl silicone resins. The translucent member can be configured by forming one of these base materials in a single layer or by laminating two or more of these base materials. The "modified resin" in the present specification includes a hybrid resin.

透光性部材の母材は、上記樹脂若しくはガラス中に各種のフィラーを含有してもよい。
このフィラーとしては、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛など
が挙げられる。フィラーは、これらのうちの1種を単独で、又はこれらのうちの2種以上
を組み合わせて用いることができる。特に、熱膨張係数の小さい酸化珪素が好ましい。ま
た、フィラーとして、ナノ粒子を用いることで、発光素子が発する光の散乱を増大させ、
波長変換物質の使用量を低減することもできる。なお、ナノ粒子とは、粒径が1nm以上
100nm以下の粒子とする。また、本明細書における「粒径」は、例えば、D50で定
義される。
The base material of the translucent member may contain various fillers in the resin or glass.
Examples of the filler include silicon oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, zinc oxide and the like. A filler can be used individually by 1 type in these, or in combination of 2 or more types in these. In particular, silicon oxide having a small thermal expansion coefficient is preferable. In addition, by using nanoparticles as a filler, scattering of light emitted from the light emitting element is increased,
The amount of wavelength conversion substance used can also be reduced. The nanoparticles are particles having a particle size of 1 nm to 100 nm. Further, "particle size" herein, for example, it is defined by the D 50.

(波長変換物質32)
波長変換物質は、発光素子が発する一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光とは異
なる波長の二次光を発する。波長変換物質は、以下に示す具体例のうちの1種を単独で、
又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
(Wavelength conversion substance 32)
The wavelength conversion material absorbs at least a portion of the primary light emitted by the light emitting element and emits secondary light of a wavelength different from that of the primary light. The wavelength converting substance may be one of the specific examples shown below alone.
Or it can use combining 2 or more types.

緑色発光する波長変換物質としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光
体(例えばY(Al,Ga)12:Ce)、ルテチウム・アルミニウム・ガーネッ
ト系蛍光体(例えばLu(Al,Ga)12:Ce)、テルビウム・アルミニウム
・ガーネット系蛍光体(例えばTb(Al,Ga)12:Ce)系蛍光体、シリケ
ート系蛍光体(例えば(Ba,Sr)SiO:Eu)、クロロシリケート系蛍光体(
例えばCaMg(SiOCl:Eu)、βサイアロン系蛍光体(例えばSi
−zAl8−z:Eu(0<z<4.2))、SGS系蛍光体(例えばSrGa
:Eu)などが挙げられる。黄色発光の波長変換物質としては、αサイアロン系蛍
光体(例えばM(Si,Al)12(O,N)16(但し、0<z≦2であり、MはL
i、Mg、Ca、Y、及びLaとCeを除くランタニド元素)などが挙げられる。このほ
か、上記緑色発光する波長変換物質の中には黄色発光の波長変換物質もある。また例えば
、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、Yの一部をGdで置換すること
で発光ピーク波長を長波長側にシフトさせることができ、黄色発光が可能である。また、
これらの中には、橙色発光が可能な波長変換物質もある。赤色発光する波長変換物質とし
ては、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(CASN又はSCASN)系蛍光体(例えば(
Sr,Ca)AlSiN:Eu)などが挙げられる。このほか、マンガン賦活フッ化物
系蛍光体(一般式(I)A[M1−aMn]で表される蛍光体である(但し、上
記一般式(I)中、Aは、K、Li、Na、Rb、Cs及びNHからなる群から選ばれ
る少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少
なくとも1種の元素であり、aは0<a<0.2を満たす))が挙げられる。このマンガ
ン賦活フッ化物系蛍光体の代表例としては、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体(
例えばKSiF:Mn)がある。
As a wavelength conversion material that emits green light, yttrium aluminum garnet phosphors (for example, Y 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Ce), lutetium aluminum garnet phosphors (for example, Lu 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Ce), Terbium aluminum garnet phosphor (eg Tb 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Ce) phosphor, silicate phosphor (eg (Ba, Sr) 2 SiO 4 : Eu) ), Chlorosilicate phosphors (
For example, Ca 8 Mg (SiO 4 ) 4 Cl 2 : Eu), β-sialon-based phosphor (eg, Si 6)
−z Al z O z N 8-z : Eu (0 <z <4.2), SGS-based phosphor (eg, SrGa)
2 S 4 : Eu) and the like. As a wavelength conversion substance for yellow light emission, an α-sialon-based phosphor (eg, M z (Si, Al) 12 (O, N) 16 (where 0 <z ≦ 2, where M is L)
i, Mg, Ca, Y, and lanthanide elements other than La and Ce) and the like. In addition to the above-mentioned wavelength conversion substances that emit green light, there are wavelength conversion substances that emit yellow light. Further, for example, in the yttrium-aluminum-garnet-based phosphor, the emission peak wavelength can be shifted to the long wavelength side by substituting a part of Y with Gd, and yellow light emission is possible. Also,
Among these, there are also wavelength conversion substances capable of emitting orange light. As a wavelength conversion substance that emits red light, a nitrogen-containing calcium aluminosilicate (CASN or SCASN) -based phosphor (for example
Sr, Ca) AlSiN 3 : Eu) and the like. Besides, it is a phosphor represented by a manganese-activated fluoride phosphor (general formula (I) A 2 [M 1 -a Mn a F 6 ] (however, in the above general formula (I), A is At least one member selected from the group consisting of K, Li, Na, Rb, Cs and NH 4 , and M is at least one member selected from the group consisting of Group 4 elements and Group 14 elements, a is 0 <a <0.2)). As a representative example of this manganese-activated fluoride phosphor, a phosphor of manganese-activated potassium fluorosilicate (
For example, K 2 SiF 6 : Mn).

(被覆部材40)
光反射性の被覆部材は、上方への光取り出し効率の観点から、発光素子の発光ピーク波
長における光反射率が、70%以上であることが好ましく、80%以上であることがより
好ましく、90%以上であることがよりいっそう好ましい。さらに、被覆部材は、白色で
あることが好ましい。よって、被覆部材は、母材中に白色顔料を含有してなることが好ま
しい。被覆部材は、硬化前には液状の状態を経る。被覆部材は、トランスファ成形、射出
成形、圧縮成形、ポッティングなどにより形成することができる。
(Covering member 40)
The light reflective covering member preferably has a light reflectance of 70% or more, more preferably 80% or more, at the light emission peak wavelength of the light emitting element from the viewpoint of the light extraction efficiency to the upper side. It is even more preferable that it is% or more. Furthermore, the covering member is preferably white. Therefore, the covering member preferably contains a white pigment in the base material. The covering member passes through a liquid state before curing. The covering member can be formed by transfer molding, injection molding, compression molding, potting or the like.

(被覆部材の母材)
被覆部材の母材は、樹脂を用いることができ、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂が挙げら
れる。なかでも、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れ、
好ましい。具体的なシリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル−メチ
ルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂が挙げられる。また、被覆部材の母材は、
上述の透光性部材と同様のフィラーを含有してもよい。
(Base material of covering member)
As a base material of the covering member, a resin can be used, and for example, a silicone resin, an epoxy resin,
A phenol resin, a polycarbonate resin, an acrylic resin, or modified resin of these is mentioned. Among them, silicone resins and modified silicone resins are excellent in heat resistance and light resistance,
preferable. Specific silicone resins include dimethyl silicone resins, phenyl-methyl silicone resins and diphenyl silicone resins. Also, the base material of the covering member is
You may contain the filler similar to the above-mentioned translucent member.

(白色顔料)
白色顔料は、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マ
グネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、
チタン酸バリウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコ
ニウム、酸化ケイ素のうちの1種を単独で、又はこれらのうちの2種以上を組み合わせて
用いることができる。白色顔料の形状は、適宜選択でき、不定形若しくは破砕状でもよい
が、流動性の観点では球状が好ましい。また、白色顔料の粒径は、例えば0.1μm以上
0.5μm以下程度が挙げられるが、光反射や被覆の効果を高めるためには小さい程好ま
しい。光反射性の被覆部材中の白色顔料の含有量は、適宜選択できるが、光反射性及び液
状時における粘度などの観点から、例えば10wt%以上80wt%以下が好ましく、2
0wt%以上70wt%以下がより好ましく、30wt%以上60wt%以下がよりいっ
そう好ましい。なお、「wt%」は、重量パーセントであり、光反射性の被覆部材の全重
量に対する当該材料の重量の比率を表す。
(White pigment)
White pigments include titanium oxide, zinc oxide, magnesium oxide, magnesium carbonate, magnesium hydroxide, calcium carbonate, calcium hydroxide, calcium silicate, magnesium silicate,
One of barium titanate, barium sulfate, aluminum hydroxide, aluminum oxide, zirconium oxide and silicon oxide can be used alone, or two or more of these can be used in combination. The shape of the white pigment can be appropriately selected, and may be indeterminate or crushed, but is preferably spherical in terms of fluidity. Further, the particle diameter of the white pigment is, for example, about 0.1 μm or more and 0.5 μm or less, but in order to enhance the effects of light reflection and coating, the smaller the better. The content of the white pigment in the light-reflecting covering member can be selected as appropriate, but from the viewpoint of light-reflecting property and viscosity in liquid state, for example, 10 wt% to 80 wt% is preferable, 2
0 wt% or more and 70 wt% or less is more preferable, and 30 wt% or more and 60 wt% or less is even more preferable. "Wt%" is weight percent and represents the ratio of the weight of the material to the total weight of the light reflective covering member.

(導光部材50)
導光部材は、発光素子と透光性部材を接着し、発光素子からの光を透光性部材に導光す
る部材である。導光部材の母材は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂が挙げられる。なかでも、シ
リコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れ、好ましい。具体的な
シリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル−メチルシリコーン樹脂、
ジフェニルシリコーン樹脂が挙げられる。また、導光部材の母材は、上述の透光性部材と
同様のフィラーを含有してもよい。また、導光部材は、省略することができる。
(Light guiding member 50)
The light guide member bonds the light emitting element and the light transmitting member, and guides the light from the light emitting element to the light transmitting member. As a base material of the light guide member, silicone resin, epoxy resin, phenol resin, polycarbonate resin, acrylic resin, or modified resin thereof can be mentioned. Among them, silicone resins and modified silicone resins are preferable because they are excellent in heat resistance and light resistance. Specific silicone resins include dimethyl silicone resin, phenyl-methyl silicone resin,
Diphenyl silicone resin is mentioned. Moreover, the base material of the light guide member may contain the same filler as the above-mentioned light transmitting member. Moreover, the light guide member can be omitted.

(導電性接着部材60)
導電性接着部材とは、発光素子の電極と第1配線とを電気的に接続する部材である。導
電性接着部材としては、金、銀、銅などのバンプ、銀、金、銅、プラチナ、アルミニウム
、パラジウムなどの金属粉末と樹脂バインダを含む金属ペースト、錫−ビスマス系、錫−
銅系、錫−銀系、金−錫系などの半田、低融点金属などのろう材のうちのいずれか1つを
用いることができる。
(Conductive adhesive member 60)
The conductive adhesive member is a member that electrically connects the electrode of the light emitting element and the first wiring. Conductive adhesive members include bumps of gold, silver, copper and the like, metal powders containing metal powders of silver, gold, copper, platinum, aluminum, palladium and the like and resin binders, tin-bismuth type, tin-
Any one of copper-based, tin-silver-based, gold-tin-based solder, and brazing materials such as low melting point metals can be used.

本発明の一実施形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト装置、各種照
明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、プロジェクタ装置、さ
らには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取
装置などに利用することができる。
A light-emitting device according to an embodiment of the present invention includes a backlight device for a liquid crystal display, various illumination devices, a large display, various display devices such as advertisement and destination guidance, a projector device, and further, a digital video camera, a facsimile, a copier , Scanners, etc. can be used.

1000、2000 発光装置
10 基板
11 基材
12 第1配線
13 第2配線
14 第3配線
15 ビアホール
151 第4配線
152 充填部材
16 窪み
18 絶縁膜
20 発光素子
30 透光性部材
40 被覆部材
50 導光部材
60 導電性接着部材
1000, 2000 Light Emitting Device 10 Substrate 11 Base Material 12 First Wiring 13 Second Wiring 14 Third Wiring 15 Via Hole
151 4th wiring
152 Filling member 16 hollow 18 insulating film 20 light emitting element 30 light transmitting member 40 covering member 50 light guiding member 60 conductive adhesive member

Claims (13)

第1方向および第2方向に延長する正面と、前記正面の反対側に位置する背面と、前記正面および前記背面を接続する底面と、前記底面の反対側に位置する上面と、を有する基材と、前記正面に配置される第1配線と、前記背面に配置される第2配線と、前記第1配線と前記第2配線を電気的に接続するビアホールと、を備える基板と、
前記第1配線と電気的に接続され、前記第1配線上に載置される少なくとも1つの発光素子と、
前記発光素子の側面及び前記基板の正面を被覆する光反射性の被覆部材と、を備える発光装置であって、
前記基材は、前記背面と前記底面とに開口する複数の窪みを有し、
前記基板は、複数の前記窪みの内壁を被覆し、前記第2配線と電気的に接続される第3配線を備え、
前記背面から前記正面方向における複数の前記窪みの深さのそれぞれは、前記上面側よりも前記底面側で深く、
前記被覆部材は、前記底面側および前記上面側にそれぞれ位置し、前記第1方向に沿った2つの側面を有し、
前記底面側に位置する前記側面、および、前記上面側に位置する前記側面は、前記背面から前記正面方向において内側に傾斜している発光装置。
い発光装置。
A substrate having a front surface extending in a first direction and a second direction, a back surface located opposite to the front surface, a bottom surface connecting the front surface and the back surface, and a top surface located opposite the bottom surface A substrate comprising: a first wiring disposed on the front; a second wiring disposed on the back; and a via hole electrically connecting the first wiring and the second wiring;
At least one light emitting element electrically connected to the first wiring and mounted on the first wiring;
A light emitting device comprising: a light reflective covering member for covering the side surface of the light emitting element and the front surface of the substrate,
The substrate has a plurality of depressions opened in the back surface and the bottom surface,
The substrate is provided with a third wiring that covers the inner walls of the plurality of recesses and is electrically connected to the second wiring.
Each of the depths of the plurality of recesses in the front direction from the back surface is deeper on the bottom surface side than on the top surface side,
The covering member is positioned on the bottom side and the top side, and has two side surfaces along the first direction,
The light emitting device in which the side surface located on the bottom surface side and the side surface located on the upper surface side are inclined inward in the front direction from the back surface.
Light emitting device.
前記底面において、前記窪みは、中央で最大深さを有する請求項1に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein the recess has a maximum depth at the center of the bottom surface. 前記背面において、前記窪みは、半円形状を有する請求項1又は2に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 1, wherein the recess has a semicircular shape on the back surface. 前記窪みの最大深さは、前記基材の厚みの0.4倍から0.8倍である請求項1から3のいずれか1項に記載の発光装置。   The light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the maximum depth of the recess is 0.4 times to 0.8 times the thickness of the substrate. 前記背面において、複数の前記窪みのそれぞれの形状は同一である請求項1から4のいずれか1項に記載の発光装置。   The light emitting device according to any one of claims 1 to 4, wherein the shape of each of the plurality of recesses is the same on the back surface. 前記背面において、複数の前記窪みは、第2方向に平行な中心線に対して左右対称に位置する請求項1から5のいずれか1項に記載の発光装置。   The light emitting device according to any one of claims 1 to 5, wherein in the back surface, the plurality of depressions are positioned symmetrically with respect to a center line parallel to a second direction. 前記発光素子上に透光性部材が位置する請求項1から6のいずれか1項に記載の発光装置。   The light emitting device according to any one of claims 1 to 6, wherein a translucent member is located on the light emitting element. 前記被覆部材が、前記透光性部材の側面を被覆する請求項7に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 7, wherein the covering member covers a side surface of the light transmitting member. 前記発光素子を複数備え、複数の前記発光素子は第1方向に並んで配置される請求項1から8のいずれか1項に記載の発光装置。   The light emitting device according to any one of claims 1 to 8, comprising a plurality of the light emitting elements, wherein the plurality of light emitting elements are arranged side by side in a first direction. 前記ビアホールは、第4配線と充填部材とを備え、前記充填部材が樹脂材料である請求項1から9のいずれか1項に記載の発光装置。   The light emitting device according to any one of claims 1 to 9, wherein the via hole includes a fourth wiring and a filling member, and the filling member is a resin material. 前記基材は前記正面と前記背面の間に位置する側面を備え、複数の前記窪みの少なくとも1つは前記背面と前記底面と前記側面とに開口する端部窪みである請求項1から10のいずれか1項に記載の発光装置。   The substrate according to any one of claims 1 to 10, wherein the substrate comprises a side surface located between the front surface and the back surface, and at least one of the plurality of recesses is an end recess open to the back surface, the bottom surface and the side surface. The light-emitting device according to any one of the items. 前記端部窪みを複数備え、背面視において前記端部窪みが基材の両端に位置する請求項11に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 11, comprising a plurality of the end depressions, wherein the end depressions are located at both ends of the base in a rear view. 複数の前記窪みは、正面視において前記ビアホールと離間している請求項1から12のいずれか1項に記載の発光装置。   The light emitting device according to any one of claims 1 to 12, wherein the plurality of depressions are separated from the via hole in a front view.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7186358B2 (en) 2018-11-15 2022-12-09 日亜化学工業株式会社 Method for manufacturing light emitting device, light emitting device and light source device
US11594662B2 (en) 2019-07-31 2023-02-28 Nichia Corporation Light-emitting device
US11664355B2 (en) 2019-12-02 2023-05-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus
US11664356B2 (en) 2020-03-26 2023-05-30 Nichia Corporation Light emitting device
JP7121309B2 (en) 2020-03-26 2022-08-18 日亜化学工業株式会社 light emitting device

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001257465A (en) * 2000-03-13 2001-09-21 Ibiden Co Ltd Printed wiring board and its manufacturing method
JP2002344030A (en) * 2001-05-18 2002-11-29 Stanley Electric Co Ltd Lateral emission surface-mounted led and its manufacturing method
JP2008300386A (en) * 2007-05-29 2008-12-11 Iwatani Internatl Corp Semiconductor light emitting device
JP2012124191A (en) * 2010-12-06 2012-06-28 Citizen Electronics Co Ltd Light emitting device and manufacturing method of the same
JP2013110210A (en) * 2011-11-18 2013-06-06 Stanley Electric Co Ltd Semiconductor optical device
JP2014022407A (en) * 2012-07-12 2014-02-03 Toyoda Gosei Co Ltd Light emitting device
JP2014033237A (en) * 2013-11-20 2014-02-20 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting device
JP2017050369A (en) * 2015-08-31 2017-03-09 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0265293A (en) * 1988-08-31 1990-03-05 Toyo Commun Equip Co Ltd Pattern on printed board for surface mounting
JPH0236074U (en) * 1988-09-01 1990-03-08
JPH0537144A (en) * 1991-07-29 1993-02-12 Ibiden Co Ltd Pad of printed wiring board
JP4818536B2 (en) * 2001-06-26 2011-11-16 ローム株式会社 Mounting method of infrared data communication module
JP2004031475A (en) * 2002-06-24 2004-01-29 Sharp Corp Infrared data communication module and electronic equipment mounted therewith
JP2004281994A (en) * 2003-01-24 2004-10-07 Kyocera Corp Package for storing light emitting element and light emitting device
JP4698259B2 (en) * 2005-03-16 2011-06-08 三洋電機株式会社 Electronic component mounting package and package assembly board
JP2007134602A (en) * 2005-11-11 2007-05-31 Stanley Electric Co Ltd Surface mount semiconductor light emitting device
KR100957411B1 (en) * 2008-02-05 2010-05-11 엘지이노텍 주식회사 Light emitting apparatus
JP2011054736A (en) 2009-09-01 2011-03-17 Sharp Corp Light-emitting device, plane light source, and liquid crystal display device
JP2012074478A (en) * 2010-09-28 2012-04-12 Asahi Glass Co Ltd Substrate for light emitting element, and light emitting device
JP5937315B2 (en) 2011-08-11 2016-06-22 シチズン電子株式会社 Light emitting diode
JP2013045842A (en) * 2011-08-23 2013-03-04 Sharp Corp Light-emitting device
US10168499B2 (en) * 2014-09-24 2019-01-01 Kyocera Corporation Electronic module
KR20170045544A (en) * 2015-10-19 2017-04-27 서울반도체 주식회사 Light emitting diode package and manufacturing method of the same
JP6693369B2 (en) * 2016-09-21 2020-05-13 豊田合成株式会社 Light source and light emitting device mounting method

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001257465A (en) * 2000-03-13 2001-09-21 Ibiden Co Ltd Printed wiring board and its manufacturing method
JP2002344030A (en) * 2001-05-18 2002-11-29 Stanley Electric Co Ltd Lateral emission surface-mounted led and its manufacturing method
JP2008300386A (en) * 2007-05-29 2008-12-11 Iwatani Internatl Corp Semiconductor light emitting device
JP2012124191A (en) * 2010-12-06 2012-06-28 Citizen Electronics Co Ltd Light emitting device and manufacturing method of the same
JP2013110210A (en) * 2011-11-18 2013-06-06 Stanley Electric Co Ltd Semiconductor optical device
JP2014022407A (en) * 2012-07-12 2014-02-03 Toyoda Gosei Co Ltd Light emitting device
JP2014033237A (en) * 2013-11-20 2014-02-20 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting device
JP2017050369A (en) * 2015-08-31 2017-03-09 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device

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