JP2019059660A - 誘電体磁器組成物および電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】 低温焼結可能であり、Ａｇと同時焼成可能であり、焼結後のＱ値および耐湿性に優れる誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】 主成分としてＭｇ_２ＳｉＯ_４を含み、副成分としてＲ含有化合物、Ｃｕ含有化合物、Ｂ含有化合物およびＬｉ含有ガラスを含む。Ｒはアルカリ土類金属である。主成分１００質量部に対して、Ｒ含有化合物を酸化物換算で０．２質量部以上４．０質量部以下、Ｃｕ含有化合物を酸化物換算で０．５質量部以上３．０質量部以下、Ｂ含有化合物を酸化物換算で０．２質量部以上３．０質量部以下、それぞれ含有する。主成分と、Ｌｉ含有ガラスを除く副成分と、の合計１００質量部に対して、Ｌｉ含有ガラスを２質量部以上１０質量部以下、含有する。
【選択図】 なし

Description

本発明は、誘電体磁器組成物および電子部品に関する。

近年、需要が増加しているスマートフォン等の移動体通信機器では、数百ＭＨｚから数ＧＨｚ程度のいわゆる準マイクロ波と呼ばれる高周波帯域が使用されている。そのため、移動体通信機器に用いられる電子部品においても高周波帯域での使用に適した諸特性が要求されている。そして、高周波帯域での使用に適する優れたＬＴＣＣ（低温同時焼成セラミックス）材料が求められてきた。特にＡｇ内部電極と同時焼成可能であり、各種特性が優れたＬＴＣＣ材料を得るために様々な方法が提案されてきた。

特許文献１では、フォルステライトを主成分とし、ＺｎＯ等を副成分として含むガラスセラミックス組成物が提案されている。特許文献３に記載されたガラスセラミックス組成物は、ＺｎＯを副成分として含むことにより、１０００℃以下の低温で焼成する場合に、十分に緻密化することが容易となっている。

しかし、近年の電子部品の小型化に伴うセラミック層の薄層化や、これまでより高い周波数帯への対応のためには、特にＡｇ内部電極と同時に焼成する場合において、さらにこれまでよりＬＴＣＣ材料のＱ値および耐湿性を向上させることが要求されている。

特開２００８−３７７３９号公報

本発明は、低温焼結可能であり、Ａｇ電極と同時焼成可能であり、焼結後のＱ値および耐湿性に優れる誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明の誘電体磁器組成物は、
主成分としてＭｇ_２ＳｉＯ_４を含み、副成分としてＲ含有化合物、Ｃｕ含有化合物、Ｂ含有化合物およびＬｉ含有ガラスを含み、
Ｒはアルカリ土類金属であり、
前記主成分１００質量部に対して、前記Ｒ含有化合物を酸化物（ＲＯ）換算で０．２質量部以上４．０質量部以下、前記Ｃｕ含有化合物を酸化物（ＣｕＯ）換算で０．５質量部以上３．０質量部以下、前記Ｂ含有化合物を酸化物（Ｂ_２Ｏ_３）換算で０．２質量部以上３．０質量部以下、それぞれ含有し、
前記主成分と、前記Ｌｉ含有ガラスを除く前記副成分と、の合計１００質量部に対して、前記Ｌｉ含有ガラスを２質量部以上１０質量部以下、含有することを特徴とする。

前記誘電体磁器組成物は、Ｑ値および耐湿性に優れ、１０００℃以下で低温焼結可能であり、Ａｇと同時焼成可能である。

本発明の誘電体磁器組成物は、前記副成分としてさらにＭｎ含有化合物を含んでもよく、
前記主成分１００質量部に対して、前記Ｍｎ含有化合物を酸化物（ＭｎＯ）換算で０．０５質量部以上１．５質量部以下、含有してもよい。

本発明の誘電体磁器組成物は、前記副成分としてさらにＴｉ含有化合物を含んでもよく、
前記主成分１００質量部に対して、前記Ｔｉ含有化合物を酸化物（ＴｉＯ_２）換算で０．３質量部以上３．０質量部以下、含有してもよい。

本発明の誘電体磁器組成物は、前記副成分としてさらにＡｌ含有化合物を含んでもよく、
前記主成分１００質量部に対して、前記Ａｌ含有化合物を酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）換算で０．３質量部以上３．０質量部以下、含有してもよい。

本発明の誘電体磁器組成物は、前記副成分としてさらにＺｒ含有化合物を含んでもよく、
前記主成分１００質量部に対して、前記Ｚｒ含有化合物を酸化物（ＺｒＯ_２）換算で０．２質量部以上３．０質量部以下、含有してもよい。

本発明の誘電体磁器組成物は、前記副成分としてさらにＡｇを含んでもよく、
前記主成分と、前記Ｌｉ含有ガラスを除く前記副成分と、の合計１００質量部に対して、前記Ａｇを０．０５質量部以上１．０質量部以下、含有してもよい。

本発明の電子部品は、上記のいずれかの誘電体磁器組成物からなる誘電体層を有する。

以下、本発明を好適に実施するための実施形態につき説明する。

本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４を含む主成分と、Ｒ含有化合物（Ｒはアルカリ土類金属）、Ｃｕ含有化合物、Ｂ含有化合物およびＬｉ含有ガラスを含む副成分と、を含む。

なお、本実施形態において、焼成とは、焼結を目的とした加熱処理を意味し、焼成温度とは、加熱処理の際に誘電体磁器組成物が曝される雰囲気の温度である。

本実施形態に係る誘電体磁器組成物についての誘電特性は、その焼結体のＱｆ値、温度変化による共振周波数の変化（共振周波数の温度係数τｆ）、および比誘電率εｒによって評価することができる。Ｑｆ値、比誘電率εｒは、日本工業規格「マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法」（ＪＩＳ Ｒ１６２７ １９９６年度）に従って測定することができる。

本実施形態に係る誘電体磁器組成物には、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４（フォルステライト）が主成分として含まれる。Ｍｇ_２ＳｉＯ_４は、単体でのＱｆ値が２０００００ＧＨｚ以上であり、誘電損失が小さいため、誘電体磁器組成物の誘電損失を低下させる機能を有する。また、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４は、その比誘電率εｒが６〜７程度と低いため、誘電体磁器組成物の比誘電率εｒを低下させる機能も有する。ここで、誘電損失とは、高周波のエネルギの一部が熱となって放散する現象である。誘電損失の大きさは、現実の電流と電圧との位相差と、理想の電流と電圧との位相差（９０度）との差である損失角度δの正接ｔａｎδの逆数Ｑ（Ｑ＝１／ｔａｎδ）で表わされる。誘電体磁器組成物の誘電損失の評価は、このＱ値と共振周波数ｆの積であるＱｆ値を用いている。誘電損失が小さくなればＱｆ値は大きくなり、誘電損失が大きくなればＱｆ値は小さくなる。誘電損失は高周波デバイスの電力損失を意味するため、誘電体磁器組成物のＱｆ値は大きいことが好ましい。ただし、本実施形態では、試験時の共振周波数ｆを概ね一定とみなして、誘電損失の評価には、Ｑ値を用いる。

誘電体磁器組成物の誘電損失を低下させるという観点からは、主成分が実質的にＭｇ_２ＳｉＯ_４のみからなることが好ましい。しかし、比誘電率εｒを調整するためにＭｇ_２ＳｉＯ_４以外の主成分をＭｇ_２ＳｉＯ_４と併用することができる。Ｍｇ_２ＳｉＯ_４以外の主成分としては、例えば比誘電率εｒが１７前後であるチタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉＯ_３）、および、比誘電率εｒが２００前後であるチタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ_３）等が挙げられる。なお、「主成分が実質的にＭｇ_２ＳｉＯ_４のみからなる」とは、主成分１００質量部に対するＭｇ_２ＳｉＯ_４の含有量が９５質量部以上であることを意味する。

Ｍｇ_２ＳｉＯ_４を構成するＭｇＯとＳｉＯ_２とのモル比は、化学量論的にはＭｇＯ対ＳｉＯ_２が２：１である。しかし、本実施形態ではＭｇＯ対ＳｉＯ_２が２：１に限定されるものではなく、本実施形態に係る誘電体磁器組成物の効果を損なわない範囲内で化学量論比から外れてもよい。例えば、ＭｇＯ：ＳｉＯ_２は、１．９：１．１〜２．１：０．９の範囲内とすることができる。

本実施形態の誘電体磁器組成物は、主成分であるＭｇ_２ＳｉＯ_４に対する副成分として、Ｒ含有化合物（Ｒはアルカリ土類金属）、Ｃｕ含有化合物、Ｂ含有化合物およびＬｉ含有ガラスを含む。なお、本願明細書ではアルカリ土類金属にＢｅおよびＭｇは含まれない。

本実施形態の誘電体磁器組成物は、副成分としてＲ含有化合物を含むことで、低温焼結しやすくなる。Ｒ含有化合物としては、例えば、Ｒの酸化物、炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、水酸化物、硫化物、有機金属化合物等が例示される。また、Ｒ含有化合物の含有量は、主成分１００質量部に対して酸化物（ＲＯ）換算で０．２質量部以上４．０質量部以下であり、０．２質量部以上３．５質量部以下であることが好ましい。Ｒ含有化合物の含有量が少なすぎる場合には低温焼結しにくくなる。また、焼結体の抗折強度が低下する。ＲＯの含有量が多すぎる場合には焼結体のＱ値が低下する。

アルカリ土類金属であるＲとしては、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａのいずれかが好ましく、これらのうち２種以上を混合して用いてもよい。ＲとしてＣａを含有する場合におけるＣａ含有化合物の含有量は主成分１００質量部に対して酸化物（ＣａＯ）換算で０．２質量部以上３．０質量部以下が好ましい。ＲとしてＳｒを含有する場合におけるＳｒ含有化合物の含有量は主成分１００質量部に対して酸化物（ＳｒＯ）換算で０．２質量部以上３．０質量部以下が好ましい。ＲとしてＢａを含有する場合におけるＢａ含有化合物の含有量は主成分１００質量部に対して酸化物（ＢａＯ）換算で０．２質量部以上３．０質量部以下が好ましい。

本実施形態の誘電体磁器組成物は、副成分としてＣｕ含有化合物を含むことで、低温焼結しやすくなるとともに焼結体のＱ値が向上する。Ｃｕ含有化合物としては、例えば、Ｃｕの酸化物、炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、水酸化物、硫化物、有機金属化合物等が例示される。また、Ｃｕ含有化合物の含有量は、主成分１００質量部に対して酸化物（ＣｕＯ）換算で０．５質量部以上３．０質量部以下であり、０．５質量部以上２．５質量部以下であることが好ましい。Ｃｕ含有化合物の含有量が少なすぎる場合には低温焼結しにくくなる。Ｃｕ含有化合物の含有量が多すぎる場合には焼結体のＱ値が低下する。さらに、Ａｇ内部電極を用いる場合には焼成時にＡｇが誘電体磁器組成物へ拡散してしまう。その結果、誘電体と電極との間に空隙が発生し、密着性が低下し、耐湿性が低下する。

本実施形態の誘電体磁器組成物は、副成分としてＢ含有化合物を含むことで、低温焼結しやすくなるとともに焼結体のＱ値が向上する。Ｂ含有化合物としては、例えば、Ｂの酸化物、炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、水酸化物、硫化物、有機金属化合物等が例示される。また、Ｂ含有化合物の含有量は、主成分１００質量部に対して酸化物（Ｂ_２Ｏ_３）換算で０．２質量部以上３．０質量部以下であり、０．２質量部以上２．５質量部以下であることが好ましい。Ｂ含有化合物の含有量が少なすぎる場合には低温焼結しにくくなる。Ｂ含有化合物の含有量が多すぎる場合にはＱ値が低下する。さらに、Ａｇ内部電極を用いる場合には焼成時にＡｇが誘電体磁器組成物へ拡散してしまう。その結果、誘電体と電極との間に空隙が発生し、密着性が低下し、耐湿性が低下する。

本実施形態の誘電体磁器組成物は、副成分としてＬｉ含有ガラスを含むことで低温焼結しやすくなるとともに焼結体のＱ値が向上する。さらに、焼結体の化学的安定性および絶縁信頼性も向上する。

Ｌｉ含有ガラスとしては、例えば、ＳｉＯ_２−ＲＯ−Ｌｉ_２Ｏ（ＲＯはアルカリ土類金属酸化物）系ガラスとＢ_２Ｏ_３−ＲＯ−Ｌｉ_２Ｏ系ガラスとのいずれか一方または両方を含んで構成されるものが好ましい。ガラス成分として、具体的には、ＳｉＯ_２−ＲＯ−Ｌｉ_２Ｏ系ガラスとしては、ＳｉＯ_２−ＣａＯ−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス、ＳｉＯ_２−ＳｒＯ−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス、ＳｉＯ_２−ＢａＯ−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス、ＳｉＯ_２−ＣａＯ−ＳｒＯ−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス、ＳｉＯ_２−ＢａＯ−ＣａＯ−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス、ＳｉＯ_２−ＳｒＯ−ＢａＯ−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス、ＳｉＯ_２−ＣａＯ−ＳｒＯ−ＢａＯ−Ｌｉ_２Ｏ系ガラスなどが挙げられる。Ｂ_２Ｏ_３−ＲＯ−Ｌｉ_２Ｏ系ガラスとしては、Ｂ_２Ｏ_３−ＣａＯ−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス、Ｂ_２Ｏ_３−ＳｒＯ−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス、Ｂ_２Ｏ_３−ＢａＯ−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス、Ｂ_２Ｏ_３−ＣａＯ−ＳｒＯ−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス、Ｂ_２Ｏ_３−ＢａＯ−ＣａＯ−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス、Ｂ_２Ｏ_３−ＳｒＯ−ＢａＯ−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス、Ｂ_２Ｏ_３−ＣａＯ−ＳｒＯ−ＢａＯ−Ｌｉ_２Ｏ系ガラスなどが挙げられる。これらの中でも、ＳｉＯ_２−ＢａＯ−ＣａＯ−Ｌｉ_２Ｏ系ガラスが好ましい。

Ｌｉ含有ガラスとしてＳｉＯ_２−ＢａＯ−ＣａＯ−Ｌｉ_２Ｏ系ガラスを用いる場合、当該ＳｉＯ_２−ＢａＯ−ＣａＯ−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス全体を１００質量部としてＳｉＯ_２の含有量が２５質量部以上４５質量部以下、ＢａＯの含有量が２０質量部以上４０質量部以下、ＣａＯの含有量が１０質量部以上３０質量部以下、Ｌｉ_２ＯがＬｉ含有ガラスの実質的な残部であってＬｉ_２Ｏの含有量が１０質量部以上３０質量部以下であることが好ましい。ＳｉＯ_２の含有量を２５質量部以上とすることで焼結体の化学的安定性を向上させやすくなる。ＳｉＯ_２の含有量を４５質量部以下とすることで低温焼結しやすくなる。ＢａＯの含有量を２０質量部以上とすることで焼結体の絶縁信頼性が向上する。ＢａＯの含有量を４０質量部以下とすることで焼結体の絶縁信頼性およびＱ値が向上する。ＣａＯの含有量を１０質量部以上とすることで焼結体の絶縁信頼性が向上する。ＣａＯの含有量を３０質量部以下とすることで焼結体の絶縁信頼性およびＱ値が向上する。なお、Ｌｉ_２ＯがＬｉ含有ガラスの実質的な残部であるとは、ＳｉＯ_２−ＢａＯ−ＣａＯ−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス全体を１００質量部としてＳｉＯ_２、ＢａＯ、ＣａＯおよびＬｉ_２Ｏの合計含有量が９５質量部以上であることを意味する。なお、特に記載が無ければＬｉ含有ガラスに含まれる成分の含有量は、Ｌｉ含有ガラス以外の副成分の含有量には含めない。

また、Ｌｉ含有ガラスは、Ａｌ_２Ｏ_３を含んでいてもよい。Ａｌ_２Ｏを含むＬｉ含有ガラスとしては、例えば、ＳｉＯ_２−ＲＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｌｉ_２Ｏ（ＲＯはアルカリ土類金属酸化物）系ガラスとＢ_２Ｏ_３−ＲＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｌｉ_２Ｏ系ガラスとのいずれか一方または両方を含んで構成されるものが好ましい。ガラス成分として、具体的には、ＳｉＯ_２−ＲＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｌｉ_２Ｏ系ガラスとしては、ＳｉＯ_２−ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス、ＳｉＯ_２−ＳｒＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス、ＳｉＯ_２−ＢａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス、ＳｉＯ_２−ＣａＯ−ＳｒＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス、ＳｉＯ_２−ＢａＯ−ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス、ＳｉＯ_２−ＳｒＯ−ＢａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス、ＳｉＯ_２−ＣａＯ−ＳｒＯ−ＢａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｌｉ_２Ｏ系ガラスなどが挙げられる。Ｂ_２Ｏ_３−ＲＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｌｉ_２Ｏ系ガラスとしては、Ｂ_２Ｏ_３−ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス、Ｂ_２Ｏ_３−ＳｒＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス、Ｂ_２Ｏ_３−ＢａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス、Ｂ_２Ｏ_３−ＣａＯ−ＳｒＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス、Ｂ_２Ｏ_３−ＢａＯ−ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス、Ｂ_２Ｏ_３−ＳｒＯ−ＢａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス、Ｂ_２Ｏ_３−ＣａＯ−ＳｒＯ−ＢａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｌｉ_２Ｏ系ガラスなどが挙げられる。これらの中でも、ＳｉＯ_２−ＢａＯ−ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｌｉ_２Ｏ系ガラスが好ましい。

Ｌｉ含有ガラスとしてＳｉＯ_２−ＢａＯ−ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｌｉ_２Ｏ系ガラスを用いる場合、当該ＳｉＯ_２−ＢａＯ−ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス全体を１００質量部としてＳｉＯ_２の含有量が２５質量部以上４５質量部以下、ＢａＯの含有量が２０質量部以上４０質量部以下、ＣａＯの含有量が１０質量部以上３０質量部以下、Ａｌ_２Ｏ_３の含有量が１質量部以上１０質量部以下、Ｌｉ_２ＯがＬｉ含有ガラスの実質的な残部であってＬｉ_２Ｏの含有量が１０質量部以上３０質量部以下であることが好ましい。ＳｉＯ_２の含有量を２５質量部以上とすることで焼結体の化学的安定性を向上させやすくなる。ＳｉＯ_２の含有量を４５質量部以下とすることで低温焼結しやすくなる。ＢａＯの含有量を２０質量部以上とすることで焼結体の絶縁信頼性が向上する。ＢａＯの含有量を４０質量部以下とすることで焼結体の絶縁信頼性およびＱ値が向上する。ＣａＯの含有量を１０質量部以上とすることで焼結体の絶縁信頼性が向上する。ＣａＯの含有量を３０質量部以下とすることで焼結体の絶縁信頼性およびＱ値が向上する。Ａｌ_２Ｏ_３の含有量を１質量部以上とすることで焼結体の化学的安定性を向上させやすくなる。Ａｌ_２Ｏ_３の含有量を１０質量部以下とすることで低温焼結しやすくなる。なお、Ｌｉ_２ＯがＬｉ含有ガラスの実質的な残部であるとは、ＳｉＯ_２−ＢａＯ−ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｌｉ_２Ｏ系ガラス全体を１００質量部としてＳｉＯ₂、ＢａＯ、ＣａＯ、Ａｌ_２Ｏ_３およびＬｉ_２Ｏの合計含有量が９５質量部以上であることを意味する。

Ｌｉ含有ガラスの含有量は、主成分およびＬｉ含有ガラスを除く副成分の合計を１００質量部として２．０質量部以上１０．０質量部以下であり、２．０質量部以上７．０質量部以下であることが好ましい。Ｌｉ含有ガラスの含有量が少なすぎる場合には、低温焼結しにくくなる。Ｌｉ含有ガラスの含有量が多すぎる場合には、Ｑ値が低下し誘電損失が大きくなる。

さらに、本実施形態の誘電体磁器組成物は、副成分としてＭｎ含有化合物を含むことが好ましい。Ｍｎ含有化合物としては、例えば、Ｍｎの酸化物、炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、水酸化物、硫化物、有機金属化合物等が例示される。Ｍｎ含有化合物の含有量は、主成分１００質量部に対して酸化物（ＭｎＯ）換算で０．０５質量部以上１．５質量部以下とすることが好ましく、０．０５質量部以上１．０質量部以下とすることがさらに好ましい。Ｍｎ含有化合物を酸化物換算で０．０５質量部以上含有させることで、低温焼結しやすくなり、焼結体のＱ値が向上する。また、Ｍｎ含有化合物の含有量を酸化物換算で１．５質量部以下とすることで、Ａｇ内部電極を用いる場合に、焼結時においてＡｇの誘電体への拡散を抑制しやすくなる。

さらに、本実施形態の誘電体磁器組成物は、副成分としてＴｉ含有化合物を含有することが好ましい。Ｔｉ含有化合物としては、例えば、Ｔｉの酸化物、炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、水酸化物、硫化物、有機金属化合物等が例示される。Ｔｉ含有化合物の含有量は、主成分１００質量部に対して酸化物（ＴｉＯ_２）換算で０．３質量部以上３．０質量部以下とすることが好ましく、０．３質量部以上２．０質量部以下とすることがさらに好ましい。Ｔｉ含有化合物を酸化物換算で０．３質量部以上含有させることで、焼結体の耐湿性が向上する。さらに、Ａｇ内部電極を用いる場合に、焼結時においてＡｇの誘電体への拡散を抑制できる。Ｔｉ含有化合物を含有させることでＬｉ含有ガラスの結晶性を向上させることができるため、上記の効果を奏すると予想される。また、Ｔｉ含有化合物の含有量を酸化物換算で３．０質量部以下とすることで低温焼結しやすくなる。

さらに、本実施形態の誘電体磁器組成物は、副成分としてＡｌ含有化合物を含有することが好ましい。Ａｌ含有化合物としては、例えば、Ａｌの酸化物、炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、水酸化物、硫化物、有機金属化合物等が例示される。Ａｌ含有化合物の含有量は、主成分１００質量部に対して酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）換算で０．３質量部以上３．０質量部以下とすることが好ましく、０．３質量部以上２．０質量部以下とすることがさらに好ましい。Ａｌ含有化合物を酸化物換算で０．３質量部以上含有させることで、焼結体の耐湿性が向上する。さらに、Ａｇ内部電極を用いる場合に、焼結時においてＡｇの誘電体への拡散を抑制できる。Ａｌ含有化合物の含有量を酸化物換算で３．０質量部以下とすることで低温焼結しやすくなる。

さらに、本実施形態の誘電体磁器組成物は、副成分としてＺｒ含有化合物を含有することが好ましい。Ａｌ含有化合物としては、例えば、Ｚｒの酸化物、炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、水酸化物、硫化物、有機金属化合物等が例示される。Ｚｒ含有化合物の含有量は、主成分１００質量部に対して酸化物（ＺｒＯ_２）換算で０．２質量部以上３．０質量部以下とすることが好ましく、０．２質量部以上２．０質量部以下とすることがさらに好ましい。Ｚｒ含有化合物を酸化物換算で０．２質量部以上含有させることで、焼結体のＱ値が向上する。Ｚｒ含有化合物を含有させることでＬｉ含有ガラスの結晶性を向上させることができるため、上記の効果を奏すると予想される。また、Ｚｒ含有化合物の含有量を酸化物換算で３．０質量部以下とすることで低温焼結しやすくなる。

さらに、本実施形態の誘電体磁器組成物は、Ａｇ内部電極を用いる場合には副成分としてあらかじめＡｇを含有させていてもよい。Ａｇを誘電体に含有させることで、焼結時においてＡｇ内部電極中のＡｇの誘電体（Ａｇ電極間誘電体）への拡散を抑制しやすくなる。Ａｇを含有する場合、Ａｇの含有量は、主成分およびＬｉ含有ガラスを除く副成分の合計を１００質量部として０．０５質量部以上１．０質量部以下とすることが好ましい。Ａｇを０．０５質量部以上含有させることでＡｇ内部電極を用いる場合に、焼結時においてＡｇ内部電極中のＡｇの誘電体への拡散を抑制しやすくなる。Ａｇの含有量を１．０質量部以下とすることで焼結体のＱ値を良好に維持できる。ただし、Ｑ値をさらに向上させる観点からはＡｇの含有量は０質量部以上０．０５質量部以下とすることが好ましい。

なお、本実施形態の誘電体磁器組成物は、上記以外の副成分を含んでもよいが、Ｚｎ含有化合物については実質的に含有しないことが好ましい。Ｚｎ含有化合物としては、例えば、Ｚｎの酸化物、炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、水酸化物、硫化物、有機金属化合物等が例示される。Ｚｎ含有化合物を実質的に含有しないとは、焼成後の焼結体をＸＲＤ測定した場合にＺｎＯのピークが観察されず、かつ、フォルステライトおよびＺｎＯからなる化合物のピーク、Ｌｉ含有ガラスおよびＺｎＯからなる化合物のピーク、および、各副成分およびＺｎＯからなる化合物のピークも観察されないことを指す。また、この場合には、主成分の合計を１００質量部としてＺｎ含有化合物の含有量が酸化物（ＺｎＯ）換算で概ね０．０５質量部未満である。Ｚｎ含有化合物を実質的に含有しないことで、焼結体のＱ値および耐湿性が向上する。さらに、Ａｇ内部電極を用いる場合に、焼結時においてＡｇの誘電体への拡散を抑制する。

また、本実施形態の誘電体磁器組成物は、上記以外の副成分の含有量の合計に特に制限はなく、本願発明の効果を損なわない範囲で含有してもよい。例えば、誘電体磁器組成物全体を１００質量部として酸化物換算で５質量部以下、含有してもよい。

以下、本実施形態に係る誘電体磁器組成物および焼結体の製造方法の一例について説明する。本実施形態に係る誘電体磁器組成物および焼結体の製造方法は、以下の工程を含む。
（ａ） 酸化マグネシウムの原料粉末と二酸化珪素の原料粉末とを混合して熱処理することでＭｇ_２ＳｉＯ_４結晶粉末を作製するＭｇ_２ＳｉＯ_４結晶粉末の作製工程
（ｂ） Ｍｇ_２ＳｉＯ_４結晶粉末に、副成分原料粉末を添加し、誘電体磁器組成物を得る誘電体磁器組成物の作製工程
（ｃ） 誘電体磁器組成物を酸素雰囲気下において８００℃以上１０００℃以下の温度で焼成して、誘電体磁器組成物の焼結体を得る焼成工程

＜Ｍｇ_２ＳｉＯ_４結晶粉末の作製工程＞
Ｍｇ_２ＳｉＯ_４結晶粉末の作製工程は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の原料粉末と酸化珪素（ＳｉＯ_２）の原料粉末とを混合して仮焼きし、フォルステライト（Ｍｇ_２ＳｉＯ_４）結晶粉末を作製する工程である。Ｍｇ_２ＳｉＯ_４結晶粉末の原料となるＭｇＯの原料粉末とＳｉＯ_２の原料粉末とをそれぞれ所定量秤量した後、混合する。これにより原料混合粉末を得る。また、ＭｇＯの原料粉末およびＳｉＯ_２の原料粉末との混合は、乾式混合又は湿式混合等の混合方式で行うことができ、例えば、ボールミルなどの混合分散機で純水、エタノール等の溶媒を用いて混合する。ボールミルの場合の混合時間は４時間から２４時間程度とする。

原料混合粉末を、好ましくは１００℃以上２００℃以下、より好ましくは１２０℃以上１４０℃以下で１２時間から３６時間程度乾燥させた後、熱処理（仮焼き）する。この仮焼きによって、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４結晶が得られる。仮焼温度は、１１００℃以上１５００℃以下であることが好ましく、１１００℃以上１３５０℃以下であることが好ましい。また、仮焼時間は１時間から２４時間程度行うことが好ましい。

合成されたＭｇ_２ＳｉＯ_４結晶を、粉砕して粉末とした後、乾燥する。これにより、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４結晶粉末が得られる。このＭｇ_２ＳｉＯ_４結晶粉末が誘電体磁器組成物の主成分粉末として用いられる。粉砕は乾式粉砕又は湿式粉砕等の粉砕方式で行うことができ、例えば、ボールミルで純水、エタノール等の溶媒を用いて湿式粉砕する。粉砕時間は、特に限定されるものではなく、所望の平均粒子径の大きさのＭｇ_２ＳｉＯ_４結晶粉末が得られればよく、粉砕時間は例えば４時間から２４時間程度とすればよい。Ｍｇ_２ＳｉＯ_４結晶粉末の乾燥は、好ましくは１００℃以上２００℃以下、より好ましくは１２０℃以上１４０℃以下の乾燥温度で、１２時間以上３６時間以下程度行う。

なお、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４結晶による効果を大きくするためには、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４中に含まれる未反応のＭｇＯやＳｉＯ_２の原料成分を少なくする必要があるため、ＭｇＯとＳｉＯ_２とを混合した原料混合粉末を調製する際、マグネシウムのモル数が珪素のモル数の２倍となるように、ＭｇＯとＳｉＯ_２とを混合することが好ましい。

Ｍｇ_２ＳｉＯ_４結晶粉末は、ＭｇＯの原料粉末およびＳｉＯ_２の原料粉末からＭｇ_２ＳｉＯ_４結晶を合成する方法に限定されるものではなく、市販のＭｇ_２ＳｉＯ_４を用いてもよい。この場合、市販のＭｇ_２ＳｉＯ_４を、上述と同様の方法で粉砕し、乾燥してＭｇ_２ＳｉＯ_４結晶粉末を得るようにしてもよい。

Ｍｇ_２ＳｉＯ_４結晶粉末を得た後、誘電体磁器組成物の作製工程に移行する。

＜誘電体磁器組成物の作製工程＞
誘電体磁器組成物の作製工程は、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４結晶粉末に、副成分原料粉末を添加し、誘電体磁器組成物を得る工程である。

得られたＭｇ_２ＳｉＯ_４結晶粉末と、誘電体磁器組成物の副成分の原料であるＲ含有化合物、Ｂ含有化合物およびＣｕ含有化合物等を所定量秤量した後、これらを混合して熱処理する。なお、副成分に関しては、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４結晶粉末の不純物として添加されてもよい。なお、副成分の各原料の秤量は、誘電体磁器組成物における各副成分の含有量（質量部）が所望の値となるように行う。前記熱処理後の粉末に対してＬｉ含有ガラスを添加し、粉砕処理して誘電体磁器組成物とする。本実施形態では、Ｌｉ含有ガラスは、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４結晶粉末と副成分の原料とを混合した後、熱処理して得られる粉末に添加するようにしているが、Ｌｉ含有ガラスの添加時期は、これに限定されるものではない。Ｌｉ含有ガラスは、例えばＭｇ_２ＳｉＯ_４結晶粉末と副成分の原料とを混合する段階（熱処理前の段階）で添加してもよい。

副成分の原料として、後述する仮焼等の熱処理で焼成することによって酸化物となる化合物を用いることもできる。焼成により上記酸化物となる化合物としては、例えば、炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、水酸化物、硫化物、有機金属化合物等が例示される。

各原料の秤量は、完成後の誘電体磁器組成物における各副成分の含有量が、主成分に対して所望の上記質量比率（質量部）となるように行う。

混合は、乾式混合又は湿式混合等の混合方式で行うことができ、例えば、ボールミルなどの混合分散機で純水、エタノール等の溶媒を用いた混合方式により行うことができる。混合時間は、４時間以上２４時間以下程度とすればよい。

原料混合粉末を、好ましくは１００℃以上２００℃以下、より好ましくは１２０℃以上１４０℃以下の乾燥温度で、１２時間以上３６時間以下程度乾燥する。

乾燥させた原料混合粉末は、例えば７００℃以上８５０℃以下で、１時間以上１０時間以下程度、熱処理（仮焼）する。このように仮焼を焼成温度以下の温度で行うことによって、原料混合粉末中のフォルステライトが融解することを抑制でき、誘電体磁器組成物中に、結晶の形でＭｇ_２ＳｉＯ_４を含有させることができる。

仮焼後の原料混合粉末に対してＬｉ含有ガラスを添加、混合粉砕した後、乾燥する。これにより、誘電体磁器組成物が得られる。粉砕は乾式粉砕又は湿式粉砕等の粉砕方式で行うことができる。粉砕時間は４時間以上２４時間以下程度とすればよい。粉砕後の原料混合粉末の乾燥は、好ましくは８０℃以上２００℃以下、より好ましくは１００℃以上１４０℃以下の処理温度で１２時間以上３６時間以下程度行えばよい。

上述した誘電体粉末である原料混合粉末の作成方法により、誘電体磁器組成物の主成分と副成分とが均一に混合されて、材質が均一な誘電体磁器組成物を得ることができる。

誘電体磁器組成物を得た後、誘電体磁器組成物を焼成する焼成工程に移行する。

＜焼成工程＞
焼成工程では、得られた誘電体磁器組成物を焼成して、焼結体を得る。焼成は、例えば、空気中のような酸素雰囲気にて行うことが好ましい。また、焼成温度は、導体材（内部電極）として用いるＡｇ系金属の融点以下であることが好ましい。例えば、８００℃以上１０００℃以下であることが好ましく、８００℃以上９５０℃以下であることがより好ましい。

このように本実施形態に係る誘電体磁器組成物の製造方法を用いて得られる誘電体磁器組成物は、８００℃以上１０００℃以下の低温で焼成しても誘電体磁器の相対密度を十分に高くすることができる。したがって、本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、焼成工程において低温で焼成することができ、誘電体磁器組成物の焼結性を確保し、抗折強度を維持すると共に、Ｑ値の優れた誘電体磁器組成物となる。したがって、本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、フィルター、共振器、コンデンサ、回路基板等の電子部品の一部を構成する誘電体層として好適に用いることができる。

以上、本発明に係る誘電体磁器組成物の好適な実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、本発明に係る誘電体磁器組成物は、低温で焼成可能としつつ、焼結性を確保し、焼結体の抗折強度を維持すると共に、焼結体の誘電損失を低下させる効果を阻害しない範囲内で、他の化合物を含むようにしてもよい。

以下、本発明を実施例および比較例を挙げてさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

（実施例１〜１８）
＜誘電体磁器組成物の作製＞
まず、主成分Ｍｇ_２ＳｉＯ_４の原料であるＭｇＯおよびＳｉＯ_２を、Ｍｇのモル数がＳｉのモル数の２倍となるように、それぞれ秤量した。秤量したＭｇＯおよびＳｉＯ_２に対して純水を加えてスラリーを作成した。スラリー全体を１００質量部とした場合のＭｇＯとＳｉＯ_２との合計含有量が２５質量部となるようにした。当該スラリーに対してボールミルにて１６時間湿式混合した後に、１２０℃で２４時間乾燥してＭｇＯおよびＳｉＯ_２の混合粉末を得た。当該混合粉末を、空気中で３時間、１２００℃で仮焼して、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４結晶を得た。当該Ｍｇ_２ＳｉＯ_４粉末に改めて純水を加えてスラリーを作成した。スラリー全体を１００質量部とした場合のＭｇ_２ＳｉＯ_４粉末の含有量が２５質量部となるようにした。当該スラリーをボールミルにて１６時間かけて粉砕した後に、１２０℃で２４時間乾燥して、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４結晶粉末を作製した。

次に、得られたＭｇ_２ＳｉＯ_４結晶粉末に対して、ＣｕＯ、Ｂ_２Ｏ_３、ＣａＣＯ_３、ＭｎＣＯ_３、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｇおよびＬｉ含有ガラスを添加した。ＡｇおよびＬｉ含有ガラス以外の各副成分は主成分１００質量部に対して酸化物換算で表１に記載の含有量となるように添加した。なお、上記のＣａＣＯ_３およびＭｎＣＯ_３は後述する焼成時にＣａＯおよびＭｎＯに変化する。ＡｇおよびＬｉ含有ガラスは、主成分と、Ｌｉ含有ガラスを除く副成分と、の合計を酸化物換算で１００質量部とした場合の含有量が表１に記載の含有量となるように添加した。また、Ｌｉ含有ガラスとしては、ＳｉＯ_２−ＢａＯ−ＣａＯ−Ｌｉ_２Ｏ系ガラスを用いた。また、当該Ｌｉ含有ガラスの組成は、Ｌｉ含有ガラス全体を１００質量部として、ＳｉＯ_２を３５質量部、ＢａＯを２９質量部、ＣａＯを１９質量部、Ｌｉ_２Ｏを１７質量部とした。

さらに、上記の混合物に有機バインダーとしてアクリル樹脂であるポリ（エチルメタクリレート）を１０質量％添加した後に、ドクターブレード法によってシート成型してシート成型体を複数、作製した。複数のシート成型体を積層後にプレスして基板状に成型することでシート積層成型体を作製した。当該シート積層成型体を所望のサイズに切断してチップを得た。チップの面取りを行った後に焼成温度９００℃で２時間焼成して誘電体磁器組成物の焼結体を作製した。有機バインダーの混合量は各実施例および比較例の組成により適宜変化させた。

得られた各実施例および比較例の焼結密度、Ｑ値、耐湿性およびＡｇ電極間誘電体へのＡｇ拡散濃度を測定した。なお、全ての実施例および比較例においてＺｎ含有化合物を実質的に含有しないことをＸＲＤ測定により確認した。

＜焼結密度＞
焼成後の試験片が概ね４．５ｍｍ×３．２ｍｍ×０．８ｍｍとなるように切断加工し、各方向の寸法をマイクロメーターで精密に測定した。また、電子天秤で切断加工後の試験片の質量を測定した、切断加工後の試験片の質量を切断加工後の試験片の体積で割ることにより、焼結密度を測定した。本実施例では、焼結密度が３．１ｇ／ｃｍ^３以上である場合を良好とした。なお、焼結密度が良好ではない試験片は焼結不足のため、以下に記載する評価項目が測定不能となった。

＜Ｑ値＞
焼結体のＱ値は、日本工業規格「マイクロ波用ファインセラミックスの誘電特性の試験方法（ＪＩＳ Ｒ１６２７ １９９６年度）」に従って測定した。具体的には、１０ｍｍφ×５ｍｍの円柱を作製し、両端短絡形誘電体共振器法により誘電正接ｔａｎδを算出し、１／ｔａｎδ＝Ｑとした。Ｑ≧１５００である場合にＱ値が良好であるとした。Ｑ≧１８００である場合がさらに好ましい。

＜耐湿性＞
上記のシート成型体にＡｇ電極ペーストを厚さ２μｍで塗布した。その後、導電性ペースト膜が端部に交互に引き出されるようにＡｇ電極ペーストを塗布したシート成型体を１１枚重ね、上下にＡｇ電極ペーストを塗布しないシート成型体を複数重ね、さらに加圧接着することで積層数が１０層の積層体を作製した。積層体を所望の形状に切断し、グリーンチップを得、面取りを行った後に焼成温度９００℃で２時間焼成して幅３．２ｍｍ、長さ４．５ｍｍ、厚み０．８ｍｍのコンデンサ素子を得た。さらにバレル研磨を行って端面研磨を施し、外部電極用ペーストを塗布して焼成し、評価用の積層セラミックコンデンサを作製した。

耐湿性については、各実施例および比較例のシート成型体を用いて上述のように作製した積層セラミックコンデンサについて、プレッシャークッカー試験（ＰＣＴ）後のＩＲを測定することにより評価した。ＰＣＴは１２１℃、２ａｔｍ、９５％ｒｈにて９６時間行った。その後、５０Ｖの電圧を印可してＩＲを測定した。ＰＣＴ後のＩＲが１．００Ｅ＋９Ω・ｃｍ以上である場合を良好とした。

＜Ａｇ電極間誘電体へのＡｇ拡散濃度＞
Ａｇ電極間誘電体へのＡｇ拡散濃度は、上記の積層セラミックコンデンサについて幅方向からチップ中央付近まで研磨を行い、Ａｇ電極で挟まれた任意の誘電体部３０点について、ＥＰＭＡ（電子プローブマイクロアナライザー：ＪＥＯＬ製ＪＸＡ８５００）にて測定することにより評価した。加速電圧１０ｋＶ、照射電流０．２μＡ、ビーム径５μｍφ、計測時間Ａｇピーク１０秒、バック５秒の条件で測定を行い、誘電体中に拡散したＡｇの平均濃度を定量した。このＡｇ濃度が０．３ｗｔ％以下の場合にＡｇの拡散抑制が良好であるとした。

（実施例１９〜２２）
実施例１９〜２２は、Ｌｉ含有ガラスとしてＳｉＯ_２−ＢａＯ−ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｌｉ_２Ｏ系ガラスを用いた点、および、得られたＭｇ_２ＳｉＯ_４結晶粉末に対して、必要に応じてＺｒＯ_２を添加した点以外は実施例１６と同様の方法でチップを作製し、焼結密度、Ｑ値、耐湿性およびＡｇ電極間誘電体へのＡｇ拡散濃度を測定した。

なお実施例１９〜２２で用いたＳｉＯ_２−ＢａＯ−ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−Ｌｉ_２Ｏ系のＬｉ含有ガラスとしては、Ｌｉ含有ガラス全体を１００質量部として、ＳｉＯ_２を３３質量部、ＢａＯを２８質量部、ＣａＯを１８質量部、Ａｌ_２Ｏ_３を５質量部、Ｌｉ_２Ｏを１６質量部とした。

表１より全ての組成が本願発明の範囲内である実施例は、９００℃という低温で焼成しても十分な焼結密度を得ることができた。そして、Ｑ値および耐湿性が良好であり、Ａｇの拡散も十分に抑制することができた。

これに対し、いずれかの副成分の組成が本願発明の範囲外である比較例は、焼結密度、Ｑ値、耐湿性、Ａｇの拡散抑制のいずれか一つ以上が良好ではなかった。

また、実施例１９で得られた焼成温度９００℃で２時間焼成して得られた誘電体磁器組成物の焼結体の組成を実測して確認した。具体的には、焼結体を粉砕して粉末化し、ＩＣＰ発光分光分析した。実測値を表２に示す。また、各成分の添加量から計算される組成を同時に示す。

表２に示すＭｇ_２ＳｉＯ_４（主成分）の含有量の実測値はＩＣＰ発光分光分析により得られたＭｇ濃度より換算して得た。また、表２に示すその他の成分の含有量はＭｇ_２ＳｉＯ_４の含有量を１００質量部として酸化物で換算して得た。

Ａｌ_２Ｏ_３およびＣａＯについては、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４結晶粉末に対して独立した副成分として添加する部分と、Ｌｉ含有ガラスに含まれる部分と、がある。表２の計算値ではこれらの部分を合算した。

表２より、本実施例ではＡｌ_２Ｏ_３およびＺｒＯ_２以外の各成分の含有量が計算値と実測値とでほぼ一致することが確認できた。さらに、各成分の含有量は本願発明の範囲内であることが確認できた。

また、Ａｌ_２Ｏ_３およびＺｒＯ_２の含有量は計算値よりも実測値の方が多かった。これは、各混合過程においてＹＳＺ（イットリア安定化ジルコニル）ボールやＡｌ_２Ｏ_３ボールをメディアとして用いたためである。しかし、Ａｌ_２Ｏ_３およびＺｒＯ_２の含有量は計算値でも実測値でも本願発明の範囲内であることが確認できた。

なお、ＺｎＯの含有量については、実測値で０．０５質量部未満であり、実質的に含有されていないことが確認できた。

Claims (7)

1. 主成分としてＭｇ_２ＳｉＯ_４を含み、副成分としてＲ含有化合物、Ｃｕ含有化合物、Ｂ含有化合物およびＬｉ含有ガラスを含み、
   Ｒはアルカリ土類金属であり、
   前記主成分１００質量部に対して、前記Ｒ含有化合物を酸化物（ＲＯ）換算で０．２質量部以上４．０質量部以下、前記Ｃｕ含有化合物を酸化物（ＣｕＯ）換算で０．５質量部以上３．０質量部以下、前記Ｂ含有化合物を酸化物（Ｂ_２Ｏ_３）換算で０．２質量部以上３．０質量部以下、それぞれ含有し、
   前記主成分と、前記Ｌｉ含有ガラスを除く前記副成分と、の合計１００質量部に対して、前記Ｌｉ含有ガラスを２質量部以上１０質量部以下、含有することを特徴とする誘電体磁器組成物。
2. 前記副成分としてさらにＭｎ含有化合物を含み、
   前記主成分１００質量部に対して、前記Ｍｎ含有化合物を酸化物（ＭｎＯ）換算で０．０５質量部以上１．５質量部以下、含有する請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
3. 前記副成分としてさらにＴｉ含有化合物を含み、
   前記主成分１００質量部に対して、前記Ｔｉ含有化合物を酸化物（ＴｉＯ_２）換算で０．３質量部以上３．０質量部以下、含有する請求項１または２に記載の誘電体磁器組成物。
4. 前記副成分としてさらにＡｌ含有化合物を含み、
   前記主成分１００質量部に対して、前記Ａｌ含有化合物を酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）換算で０．３質量部以上３．０質量部以下、含有する請求項１〜３のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
5. 前記副成分としてさらにＺｒ含有化合物を含み、
   前記主成分１００質量部に対して、前記Ｚｒ含有化合物を酸化物（ＺｒＯ_２）換算で０．２質量部以上３．０質量部以下、含有する請求項１〜４のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
6. 前記副成分としてさらにＡｇを含み、
   前記主成分と、前記Ｌｉ含有ガラスを除く前記副成分と、の合計１００質量部に対して、前記Ａｇを０．０５質量部以上１．０質量部以下、含有する請求項１〜５のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
7. 請求項１〜６のいずれかに記載の誘電体磁器組成物からなる誘電体層を有する電子部品。