JP2019050341A - 圧着ヘッドおよび実装装置 - Google Patents
圧着ヘッドおよび実装装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019050341A JP2019050341A JP2017174936A JP2017174936A JP2019050341A JP 2019050341 A JP2019050341 A JP 2019050341A JP 2017174936 A JP2017174936 A JP 2017174936A JP 2017174936 A JP2017174936 A JP 2017174936A JP 2019050341 A JP2019050341 A JP 2019050341A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressing
- elastic member
- head
- elastic
- displacement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L24/80 - H01L24/90
- H01L24/92—Specific sequence of method steps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13075—Plural core members
- H01L2224/1308—Plural core members being stacked
- H01L2224/13082—Two-layer arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/75251—Means for applying energy, e.g. heating means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/75252—Means for applying energy, e.g. heating means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75312—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75314—Auxiliary members on the pressing surface
- H01L2224/75315—Elastomer inlay
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75314—Auxiliary members on the pressing surface
- H01L2224/75315—Elastomer inlay
- H01L2224/75316—Elastomer inlay with retaining mechanisms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7565—Means for transporting the components to be connected
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/757—Means for aligning
- H01L2224/75701—Means for aligning in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/757—Means for aligning
- H01L2224/75743—Suction holding means
- H01L2224/75744—Suction holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/759—Means for monitoring the connection process
- H01L2224/75901—Means for monitoring the connection process using a computer, e.g. fully- or semi-automatic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7598—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors specially adapted for batch processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
- H01L2224/81191—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/812—Applying energy for connecting
- H01L2224/81201—Compression bonding
- H01L2224/81203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
- H01L2224/81815—Reflow soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/832—Applying energy for connecting
- H01L2224/83201—Compression bonding
- H01L2224/83203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
- H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
- H01L2224/83862—Heat curing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
- H01L2224/9212—Sequential connecting processes
- H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
- H01L2224/92125—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Abstract
【課題】電子部品に適切な押圧を作用させて電子部品の高さバラツキを吸収し破損を防止するとともに、交換頻度の低減による実装効率の向上を可能とする圧着ヘッドおよび実装装置を提供する。【解決手段】実装装置に設けられる圧着ヘッド14は、ヘッド本体16と押圧部材17との間に介在する弾性部材19とを備える。弾性部材19とヘッド本体16との間には板状の変位阻止部材20を備え、弾性部材19と押圧部材17との間には板状の変位阻止部材21を備えている。変位阻止部材20および21は弾性部材19と強い密着性を有する材料で構成されるので、弾性部材19とヘッド本体16との接触面、および弾性部材19と押圧部材17との接触面にはより強い摩擦力が発生する。従って、これら接触面に沿って、押圧方向に対して垂直な方向へ弾性部材19が滑るように変位することを阻止できる。【選択図】図4
Description
本発明は、フレキシブル基板、ガラスエポキシ基板、ガラス基板、セラミックス基板、シリコンインターポーザー、シリコン基板などの回路基板にIC、LSIなどの半導体装置やその他の電子部品を接着、直接に電気的接合または積層状態のまま実装するための圧着ヘッドおよび実装装置に関する。
半導体チップをはじめとする電子部品の小型化と高密度化に伴い、電子部品を回路基板に実装する方法としてフリップチップ実装、さらには電子部品を貫通する貫通電極によって3次元的に積層する三次元積層実装が急速に広まってきている。そこで、実装における接合の信頼性確保が重要になってきている。
半導体チップの接合部分の接続信頼性を確保するための方法としては、半導体チップ上に形成されたバンプと回路基板の電極パッドを接合した後に、半導体チップと回路基板との隙間に液状封止接着剤を注入し硬化させることが一般的な方法として採られている。このような実装装置において、半導体チップを押圧および加熱しながら基板に接合させるヘッド本体を備えることにより、電気的接合と樹脂封止を同時に行う構成が提案されている。
また、チップ実装の生産効率を向上すべく複数個の半導体チップを同時に基板に圧着させる実装装置が用いられている。このような実装装置では、基板の面積に相当する比較的大面積の加熱圧着ヘッド(ヘッド本体)に対して、複数個の半導体チップを同時かつ個別に押圧する複数個の押圧用ブロックが形成されている。基板上に配置された複数個の半導体チップに対して当該ヘッド本体を下降させることにより、複数個の半導体チップに対して同時に電気的接合と樹脂封止とを実行できる。
近年ではこのような複数個の半導体チップを同時に基板に圧着させる実装装置において、半導体チップの高さのバラツキを吸収して全ての半導体チップに対して均一に押圧力を作用させる構成が提案されている。具体的には、複数個の押圧用ブロックがヘッド本体に形成されており、当該押圧用ブロックの各々とヘッド本体との間に弾性体を挿入し、押圧用ブロックの各々をヘッド本体の下方で弾性支持している(特許文献1、2を参照)。
しかしながら、上記の従来構成では次のような問題がある。
すなわち、弾性体をヘッド本体と押圧用ブロックとの間に備えるような従来の実装装置を用いて半導体チップを基板に実装させる場合、ヘッド本体による半導体チップの押圧操作を繰り返すことによって、弾性体の位置が当初に配置された位置から押圧方向と垂直な方向へずれるという事態が高い頻度で発生することが判明した。
すなわち、弾性体をヘッド本体と押圧用ブロックとの間に備えるような従来の実装装置を用いて半導体チップを基板に実装させる場合、ヘッド本体による半導体チップの押圧操作を繰り返すことによって、弾性体の位置が当初に配置された位置から押圧方向と垂直な方向へずれるという事態が高い頻度で発生することが判明した。
弾性体が押圧方向と垂直な方向へずれることにより、弾性体と押圧用ブロックとの相対的な位置関係がずれ、押圧用ブロック全面のうち一部において弾性体が接触しなくなる。この場合、ヘッド本体を下降させて半導体チップを基板に実装させる際に、押圧用ブロックのうち弾性体と接触している部分が受ける反発力と弾性体と接触していない部分が受ける反発力との間に差が生じる。その結果、半導体チップの全面に対して均一に押圧力を作用させることが困難となるので、半導体チップを基板へ均一に圧着させることが困難となる。
また、弾性体が押圧方向と垂直な方向へずれることにより、弾性体の下方に設けられている押圧用ブロックの位置も押圧方向と垂直な方向へずれる場合もある。押圧方向と垂直な方向へ位置がずれた押圧用ブロックは、半導体チップに対して均一に押圧することが困難となる。その結果、押圧用ブロックの位置ずれに起因する実装不良(実装位置のずれ等)が容易に発生する。このような実装不良の発生を回避するには、押圧用ブロックの位置ずれが発生する前に押圧用ブロックを少なくともヘッド本体ごと交換する必要がある。従って、ヘッド本体の交換頻度の上昇に起因する実装効率の低下という問題が懸念される。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、電子部品に適切な押圧を作用させて電子部品の高さバラツキを吸収し破損を防止するとともに、交換頻度の低減による実装効率の向上を可能とする圧着ヘッドおよび実装装置を提供することを主たる目的としている。
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、電子部品を基板に実装する圧着ヘッドであって、
ヘッド本体と、
前記ヘッド本体の下部に装着され電子部品を押圧する押圧部材と、
前記ヘッド本体と押圧部材との間に介在する弾性部材と、
前記電子部品を押圧する押圧方向に対して垂直な方向へ前記弾性部材が変位することを阻止する阻止部材と、
を備えたことを特徴とする
ヘッド本体と、
前記ヘッド本体の下部に装着され電子部品を押圧する押圧部材と、
前記ヘッド本体と押圧部材との間に介在する弾性部材と、
前記電子部品を押圧する押圧方向に対して垂直な方向へ前記弾性部材が変位することを阻止する阻止部材と、
を備えたことを特徴とする
(作用・効果)この構成によれば、電子部品を押圧する押圧部材とヘッド本体の間に弾性部材が介在するとともに、阻止部材を備えている。当該阻止部材は、電子部品を押圧する方向に対して垂直な方向へ前記弾性部材が変位することを阻止する。そのため、弾性部材とともに押圧部材が変位し、変位した押圧部材が電子部品を不均一に押圧することによって電子部品の実装不良が発生するといった事態を回避できる。
なお、上記構成において、前記阻止部材は、前記ヘッド本体と前記弾性部材との間に介在しており、前記阻止部材と前記弾性部材との間における密着力が、前記ヘッド本体と前記弾性部材との間における密着力と比べて高くなるように構成されることが好ましい。
(作用・効果)この構成によれば、阻止部材はヘッド本体と弾性部材との間に介在しており、阻止部材と弾性部材との間における密着力が、ヘッド本体と弾性部材との間における密着力と比べて高くなるように構成される。密着力の向上により、接触面における摩擦係数が増大するので、阻止部材と弾性部材との間で発生する摩擦力はヘッド本体と弾性部材との間で発生する摩擦力より大きくなる。従って、弾性部材とヘッド本体とが直接接触している場合と比べて、阻止部材が介在する場合は摩擦力が増大するので、阻止部材は弾性部材の変位を阻止できる。
すなわち、圧着ヘッドによる加圧を繰り返しても、弾性部材の変位に起因して電子部品と押圧部材とが相対的位置関係を好適に維持できる。すなわち電子部品と押圧部材とが相対的に位置ズレすることによって圧着ヘッドを交換する事態を防止できる。従って、圧着ヘッドの交換頻度を低減し、電子部品の実装効率を向上させることができる。
なお、上記構成において、前記阻止部材は、前記押圧部材と前記弾性部材との間に介在しており、前記阻止部材は、前記弾性部材との間における密着力が、前記押圧部材と前記弾性部材との間における密着力と比べて高くなるように構成されることが好ましい。
(作用・効果)この構成によれば、阻止部材は押圧部材と弾性部材との間に介在しており、阻止部材と弾性部材との間における密着力が、押圧部材と弾性部材との間における密着力と比べて高くなるように構成される。密着力の向上により、接触面における摩擦係数が増大するので、阻止部材と弾性部材との間で発生する摩擦力は押圧部材と弾性部材との間で発生する摩擦力より大きくなる。従って、弾性部材と押圧部材とが直接接触している場合と比べて、阻止部材が介在する場合は摩擦力が増大するので、阻止部材は弾性部材の変位を阻止できる。
なお、上記構成において、前記阻止部材は板状の金属材で構成されることが好ましい。この場合、阻止部材は容易に平坦な構成にすることができる。そのため、阻止部材の下方に配設されている押圧部材は電子部材に対して高い精度の平行性を維持できる。また金属製の阻止部材は押圧に適する堅さを有するので、押圧方向における厚みを薄くできる。
なお、上記構成において、前記弾性部材はフッ素ゴムで構成され、前記阻止部材は板状のステンレス鋼で構成されることが好ましい。この場合、弾性部材と阻止部材とは高い密着性を有するので、弾性部材および阻止部材の表面を平坦な構成としつつ、弾性部材と阻止部材とを好適に密着させて摩擦係数を増大させることができる。すなわち、弾性部材と阻止部材との間の摩擦力を向上させて弾性部材の変位を好適に阻止できるとともに、弾性部材の厚みを精度良く均一にできる。また、電子部品に対する押圧部材の平行性を高い精度で維持できる。従って、電子部品を均一に押圧できるとともに、均一な厚みを有する弾性部材によって電子部品の高さのバラツキを好適に吸収できる。
なお、上記構成において、前記阻止部材は、前記弾性部材へ外力を加えて前記押圧方向へ圧縮して前記押圧方向に対する反発力を前記弾性部材に発生させ、前記圧着ヘッドが前記電子部品を押圧しない場合であっても前記反発力を維持した状態で前記弾性部材を前記ヘッド本体と前記押圧部材との間に介在させる垂直抗力維持手段であることが好ましい。
(作用・効果)この構成によれば、阻止部材は垂直抗力維持手段であり、弾性部材へ外力を加えて押圧方向へ圧縮し、押圧方向に対する反発力を弾性部材に発生させ、圧着ヘッドが電子部品を押圧しない場合であっても反発力を維持した状態で弾性部材をヘッド本体と押圧部材との間に介在させる。この場合、圧着ヘッドが電子部品を押圧しない場合であっても、反発力に応じた大きさの垂直抗力が弾性部材において発生している。そのため、圧着ヘッドによる押圧が行われる際に、当該垂直抗力の大きさに応じて、弾性部材の表面に発生する摩擦力が増大する。従って、押圧方向と垂直な方向における弾性部材の変位は阻止部材によって阻止される。
また、前記阻止部材は前記弾性部材を80%以上99%以下の厚みに圧縮させた状態を維持することが好ましい。この場合、弾性部材を予め適度に圧縮させて反発力を発生させた状態とすることができる。そのため、圧着ヘッドによる押圧が行われる際に、弾性部材の表面に発生する摩擦力を適切な大きさに増大できるので、押圧方向と垂直な方向における弾性部材の変位をより確実に阻止できる。
また、この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、電子部品を基板に実装する圧着ヘッドであって、
ヘッド本体と、
前記ヘッド本体の下部に装着され電子部品を押圧する押圧部材と、
前記ヘッド本体と押圧部材との間に介在する弾性部材と、
前記電子部品を押圧する押圧方向に対して垂直な方向へ前記弾性部材が変位することを阻止する阻止部材と、
を備え、
前記ヘッド本体と前記弾性部材との接触面、および前記押圧部材と前記弾性部材との接触面において、それぞれ同一の凹凸パターンを有する凹凸部が形成されている
ことを特徴とする。
ヘッド本体と、
前記ヘッド本体の下部に装着され電子部品を押圧する押圧部材と、
前記ヘッド本体と押圧部材との間に介在する弾性部材と、
前記電子部品を押圧する押圧方向に対して垂直な方向へ前記弾性部材が変位することを阻止する阻止部材と、
を備え、
前記ヘッド本体と前記弾性部材との接触面、および前記押圧部材と前記弾性部材との接触面において、それぞれ同一の凹凸パターンを有する凹凸部が形成されている
ことを特徴とする。
(作用・効果)この構成によれば、ヘッド本体と弾性部材との接触面、および押圧部材と弾性部材との接触面において、それぞれ同一パターンの凹凸面が形成されている。凹凸面の凹凸パターンにより、ヘッド本体と弾性部材との接触面、および押圧部材と弾性部材との接触面における摩擦力が増大する。従って、押圧方向と垂直な方向へ弾性部材が変位することをより確実に阻止できる。また、各凹凸部の凹凸パターンが同一であるので、弾性部材の厚みは全面にわたって均一となる。従って、電子部品の高さのバラツキを吸収する力は、弾性部材の全面にわたって均一となるので、弾性部材のバラツキ吸収の不均一化に起因する実装エラーの発生を回避できる。
また、この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、電子部品を基板に実装する実装装置であって、
上記記載のいずれかの圧着ヘッドと、
前記圧着ヘッドを昇降させる昇降機構と、
前記基板を載置保持する保持ステージと、
と備えたことを特徴とする。
上記記載のいずれかの圧着ヘッドと、
前記圧着ヘッドを昇降させる昇降機構と、
前記基板を載置保持する保持ステージと、
と備えたことを特徴とする。
(作用・効果) この構成によれば、保持ステージ上に載置保持された基板に電子部品を実装する際に過度の押圧による破損を防止するとともに、基板と電子部品の界面を短時間で確実に昇温させることができる。
なお、上記構成で、電子部品がバンプを有する半導体装置であって、熱硬化性樹脂を介して基板に実装するものであってもよい。この場合、半導体装置のバンプと基板の電極を接続するとともに、半導体装置と基板の間に介在する熱硬化性樹脂を短時間で熱硬化させることが出来る。
本発明の圧着ヘッドおよび実装装置によれば、電子部品に適切な押圧を作用させて電子部品の高さバラツキを吸収し破損を防止するとともに、圧着ヘッドの交換頻度を低減させることにより電子部品の実装効率を向上できる。
以下、図面を参照して本発明の実施例1を説明する。
実施例1では、熱硬化性樹脂としてNCP(Non-Conductive Paste)、NCF(Non-Conductive Film)などを使用して、電子部品としての半導体装置を基板に実装する場合を例に採って説明する。また本発明の実装方法においては、熱硬化性樹脂は、NCF(非導電性接着剤フィルム)であることが好ましい。
なお、本発明における「半導体装置」としては、例えば、ICチップ、半導体チップ、光素子、表面実装部品、チップ、ウエハ、TCP(Tape Carrier Package)、FPC(Flexible Printed Circuit)などバンプを有するものである。また、これら半導体装置は、種類や大きさに関係なく、基板と接合させる側の全ての形態を示し、例えばフラット表示パネルへのチップボンディングであるCOG(Chip On Glass)、TCP、およびFPCのボンディングであるOLB(Outer Lead Bonding)などが使用される。
また、本発明における「基板」とは、例えば、フレキシブル基板、ガラスエポキシ基板、ガラス基板、セラミックス基板、シリコンインターポーザー、シリコン基板などが使用される。
先ず、実施例1に使用する装置について図面を参照して具体的に説明する。図1は実施例1に係る実装装置を構成する本圧着装置の概略構成を示した斜視図、図2は搬送機構の要部構成を示した平面図である。
図1および図2に示すように、実施例1における実装装置は、搬送機構1および本圧着装置2から構成されている。以下、各構成について詳述する。
搬送機構1は、可動台3および搬送アーム4を備えている。可動台3は、ガイドレール5に沿って水平軸方向に移動するよう構成されている。
搬送アーム4は、基端側を可動台3の昇降駆動機構に連結されており、上下方向(z方向)、およびz軸周り方向(θ方向)に、それぞれ移動自在に構成されている。また、搬送アーム4は、先端に保持フレーム6を備えている。保持フレーム6は、図2および図3に示すように、馬蹄形をしており、熱伝導遅延用のプレートおよび基板Wを係止する複数個の係止爪7を角部に備えている。
本圧着装置2は、可動テーブル8および押圧機構9を備えている。
可動テーブル8は、基板Wを吸着保持する保持ステージ10を備えている。保持ステージ10は、水平2軸方向(x方向およびy方向)、z方向、およびθ方向に、それぞれ移動自在に構成されている。なお、保持ステージ10の外形は、保持フレーム6の内側に収まるサイズに設定されている。また、保持ステージ10は、内部にヒータ11が埋設されている。
押圧機構9は、シリンダ13および圧着ヘッド14を備えている。圧着ヘッド14の上方にシリンダ13が連結されており、圧着ヘッド14が上下方向であるz方向に移動するよう構成されている。すなわち実施例1において、圧着ヘッド14の押圧方向はz方向となるように構成されている。シリンダ13は昇降する機構の一例であり、圧着ヘッド14を押圧方向に移動させる構成であれば、適宜他の駆動機構を用いてもよい。
圧着ヘッド14は、図4に示すように、ヒータ15の埋設されたヘッド本体16と、当該ヘット本体16の下部に複数本の押圧部材17を収納した支持ホルダ18を備えている。なお、ヒータ15は、本発明の加熱器に相当する。ヘッド本体16の材料としては、熱伝導率が高い材料であることが好ましく、好ましい材料の一例としてはアルミや銅などが挙げられる。ヘッド本体16の熱伝導性を高めることにより、ヒータ15による熱を効率良く押圧部材17へ伝導できるので、より好適な加熱押圧を実現できる。
押圧部材17は、下向き凸形状をしている。その先端は、半導体装置Cと略同じサイズの当接面を有しており、基板Wに配置された複数個の半導体装置Cを個々に押圧するよう位置合わせされている。なお、押圧部材17は、支持ホルダ18に形成された当該凸部より僅かに大きい貫通孔に先端を通すことにより、基端側が支持ホルダ18によって支持されるよう構成されている。支持ホルダ18をネジ締めすることにより、押圧部材17の基端部17Sが、支持ホルダ18とヘッド本体16によって把持される。
押圧部材17の材料としては、熱伝導率が高い材料であることが好ましく、好ましい材料の一例としてはアルミや銅などが挙げられる。押圧部材17の熱伝導性を高めることにより、ヒータ15の熱は押圧部材17の先端部17Tを介して、後述する熱硬化性樹脂Gへ効率良く伝導されるので、より好適に半導体装置Cを基板Wへ実装できる。なお、本実施例では半導体装置CのバンプBに対してはんだが用いられている。
圧着ヘッド14は図4に示すように、ヘッド本体16と押圧部材17との間に弾性部材19を備えている。押圧方向における弾性部材19の厚みは一定となっており、高い平行度を有するように構成されている。弾性部材19の材料としては、一般的なゴムを使用することができるが、ヒータ11およびヒータ15による加熱が行われるという観点から耐熱性のフッ素ゴムを使用することが好ましい。特に半導体装置CのバンプBにはんだを用いる実施例の構成では、耐熱性を有するフッ素ゴムを用いることにより、はんだが溶融する温度に加熱する場合であっても好適に半導体装置Cを実装できる。押圧方向における弾性部材19の厚みは、一例として500μm〜1000μmである。
また、圧着ヘッド14は図4に示すように、変位阻止部材20を備えている。変位阻止部材20は、ヘッド本体16の押圧面16aと弾性部材19との間に設けられている。変位阻止部材20は弾性部材19を構成する弾性体との密着性が高い材料で構成される。すなわち弾性部材19の構成材料とヘッド本体16の構成材料との間の摩擦係数より、弾性部材19の構成材料と変位阻止部材20の構成材料との間の摩擦係数が大きくなるように構成される。そのため、弾性部材19とヘッド本体16との間で発生する摩擦力V1と比べて、弾性部材19と変位阻止部材20との間で発生する摩擦力V2の方が大きくなるように構成される。
変位阻止部材20を構成する材料の具体的な例として、プレート状のステンレス鋼(SUS)など、板状の金属材が挙げられる。押圧方向における変位阻止部材20の厚みは、一例として10μm〜100μmである。弾性部材19やヘッド本体16などと比べて変位阻止部材20の厚みは非常に薄いので、ヒータ15の熱は変位阻止部材20によって妨げられることなく好適に押圧部材17へ伝導される。
ヘッド本体16を構成する材料と弾性部材19との密着性と比べて、変位阻止部材20と弾性部材19との密着性がより高い。そのため、弾性部材19および変位阻止部材20の表面がそれぞれ平坦な構成であっても、摩擦係数の増大によって、ヘッド本体16と弾性部材19との間で発生する摩擦力と比べて、弾性部材19と変位阻止部材20との間で発生する摩擦力を大きくすることができる。
その結果、変位阻止部材20をヘッド本体16の押圧面16aと弾性部材19との間に設けることにより、弾性部材19がヘッド本体16に対して押圧方向と垂直な方向(x方向、y方向、およびθ方向)へ相対的に変位することを阻止できる。実施例1において、変位阻止部材20は本発明における阻止手段に相当する。
さらに圧着ヘッド14は図4に示すように、弾性部材19と押圧部材17の基端部17Sとの間に変位阻止部材21を備えている。変位阻止部材21は変位阻止部材20と同様に、弾性部材19を構成する弾性体と密着性の高い材料で構成されている。すなわち弾性部材19および変位阻止部材21の表面がそれぞれ平坦な構成であっても、弾性部材19と押圧部材17との間における摩擦係数より、弾性部材19と変位阻止部材21との間における摩擦係数が大きくなるように構成される。
従って、摩擦係数の増大により、弾性部材19の構成材料と押圧部材17の構成材料との間で発生する摩擦力V3と比べて、弾性部材19の構成材料と変位阻止部材21の構成材料との間で発生する摩擦力V4の方が大きくなる。摩擦力が増大することによって、弾性部材19と変位阻止部材21とが接触面において相対的に位置ズレすることを回避できる。
変位阻止部材21と押圧部材17との相対的な位置関係は変位しないので、変位阻止部材21を弾性部材19と押圧部材17との間に設けることにより、弾性部材19が押圧部材17に対して押圧方向と垂直な方向(x方向、y方向、およびθ方向)へ相対的に変位することを阻止できる。変位阻止部材21を構成する材料の具体的な例として、プレート状のステンレス鋼(SUS)などが挙げられる。押圧方向における変位阻止部材21の厚みは、一例として10μm〜100μmである。
なお、圧着ヘッド14による押圧を行う際に、各半導体装置Cの全体にわたって均一に押圧力が作用するように、ヘッド本体16、押圧部材17、弾性部材19、変位阻止部材20、変位阻止部材21の各々は半導体装置Cの表面(xy平面)に平行な構造となっている。
制御部23は、圧着ヘッド14のヒータ15および保持ステージ10のヒータ11の温度が、熱硬化性樹脂Gを硬化させる温度と同等またはそれ以上の温度となるよう制御している。
<動作の説明>
次に上述の実施例1に係る実装装置を用いて半導体装置Cを当該基板Wに本圧着する一巡の動作について、図5に示すフローチャートおよび図6から図8を参照しながら説明する。なお、本実施例では、前工程の仮圧着工程でNCFによって複数個の半導体装置Cが基板Wに予め仮圧着された状態で搬送されたものに対し、熱硬化性樹脂を完全に硬化させ本圧着する場合を例に採って説明する。
次に上述の実施例1に係る実装装置を用いて半導体装置Cを当該基板Wに本圧着する一巡の動作について、図5に示すフローチャートおよび図6から図8を参照しながら説明する。なお、本実施例では、前工程の仮圧着工程でNCFによって複数個の半導体装置Cが基板Wに予め仮圧着された状態で搬送されたものに対し、熱硬化性樹脂を完全に硬化させ本圧着する場合を例に採って説明する。
ステップS1(条件の設定)
先ず、保持ステージ10および圧着ヘッド14に備わった両ヒータ11、15の温度を、操作部24を操作して設定する。ここで、両ヒータ11、15の温度は、熱伝導遅延用のプレートPと基板Wの界面および圧着ヘッド14と半導体装置Cの界面の温度が熱硬化性樹脂Gの硬化温度よりも高く設定される。すなわち、保持ステージ10に吸着保持された基板Wが、圧着ヘッド14の下側の実装位置に達した時点で、半導体装置CおよびプレートPを介して熱硬化性樹脂Gに伝達される熱が、硬化温度になるように設定される。
先ず、保持ステージ10および圧着ヘッド14に備わった両ヒータ11、15の温度を、操作部24を操作して設定する。ここで、両ヒータ11、15の温度は、熱伝導遅延用のプレートPと基板Wの界面および圧着ヘッド14と半導体装置Cの界面の温度が熱硬化性樹脂Gの硬化温度よりも高く設定される。すなわち、保持ステージ10に吸着保持された基板Wが、圧着ヘッド14の下側の実装位置に達した時点で、半導体装置CおよびプレートPを介して熱硬化性樹脂Gに伝達される熱が、硬化温度になるように設定される。
また、本実施例では、プレートPにステンレス鋼が使用される。なお、プレートPは、ステンレス鋼に限定されず、圧着ヘッド14の押圧によって変形しない材質であればよく、金属、セラミック、カーボンおよび多孔質材などであってもよい。
ステップS2(装置の作動開始)
初期設定を完了した後、実装装置に設けられている図示しない入力部(ボタンなど)を適宜操作して、装置の作動を開始させる。本圧着装置側では、制御部23がヒータ11およびヒータ15をオンの状態にして、初期設定の温度を一定に保つように温度制御を開始する。
初期設定を完了した後、実装装置に設けられている図示しない入力部(ボタンなど)を適宜操作して、装置の作動を開始させる。本圧着装置側では、制御部23がヒータ11およびヒータ15をオンの状態にして、初期設定の温度を一定に保つように温度制御を開始する。
ステップS3(基板の搬送)
仮圧着工程側に配備された図示しない搬送ロボットによって、図3に示すように、搬送機構1の保持フレーム6にプレートPが載置され、その後に当該プレートP上に基板Wが載置される。
仮圧着工程側に配備された図示しない搬送ロボットによって、図3に示すように、搬送機構1の保持フレーム6にプレートPが載置され、その後に当該プレートP上に基板Wが載置される。
ステップS4(基板の保持)
プレートPと基板Wが重ね合わされた状態で、本圧着装置2へと搬送される。このプレートPを下にして基板Wは、図6の二点鎖線で示すように、保持ステージ10に移載される。プレートPには、複数個の貫通孔が形成されおり、貫通孔を介して保持ステージ10に吸着保持される。また、保持ステージ10は図示しない駆動機構によって、圧着ヘッド14の下方における予め決められた実装位置に移動する。
プレートPと基板Wが重ね合わされた状態で、本圧着装置2へと搬送される。このプレートPを下にして基板Wは、図6の二点鎖線で示すように、保持ステージ10に移載される。プレートPには、複数個の貫通孔が形成されおり、貫通孔を介して保持ステージ10に吸着保持される。また、保持ステージ10は図示しない駆動機構によって、圧着ヘッド14の下方における予め決められた実装位置に移動する。
ステップS5(基板裏面側の加熱)
保持ステージ10にプレートPおよび基板Wが吸着保持された時点からヒータ11によって加熱が開始される。
保持ステージ10にプレートPおよび基板Wが吸着保持された時点からヒータ11によって加熱が開始される。
ステップS6(半導体装置の加熱押圧)
保持ステージ10が実装位置に達すると、図7に示すように、シリンダ13の作動により圧着ヘッド14が下降し、複数個の半導体装置Cが同時に挟み込まれる。このとき、加熱されている圧着ヘッド14によって、半導体装置Cは、加熱されながら押圧される。
保持ステージ10が実装位置に達すると、図7に示すように、シリンダ13の作動により圧着ヘッド14が下降し、複数個の半導体装置Cが同時に挟み込まれる。このとき、加熱されている圧着ヘッド14によって、半導体装置Cは、加熱されながら押圧される。
すなわち、圧着ヘッド14が所定の高さまで下降したとき、熱硬化性樹脂Gは、未硬化状態にあるので、図8に示すように、圧着ヘッド14の加圧によって半導体装置CのバンプBが熱硬化性樹脂Gに押し込まれる。すなわち、半導体装置CのバンプBが基板Wの電極に達した後に、熱硬化性樹脂が硬化する。なお、半導体装置CのバンプBにはんだを用いている本実施例では、接着剤が完全に硬化する前に、はんだを溶融するようヒータの温度が制御される。半導体装置CのバンプBにはんだを用いない場合、はんだの溶融温度にさせるヒータの温度制御を省略できる。
また、押圧部材17によって半導体装置Cが押圧され、バンプBが基板Wに達する際に、弾性部材19が圧縮される。このとき、変位阻止部材20および変位阻止部材21によって、押圧方向(z方向)に対して垂直な方向へ弾性部材19が変位することが阻止される。
すなわち、変位阻止部材20と弾性部材19とは密着性が高いので、圧着ヘッド14の加圧によって、弾性部材19は変位阻止部材20に対して好適に密着して接触面における摩擦係数が増大する。そのため、接触面における摩擦力が増大するので、変位阻止部材20に対して弾性部材19が押圧方向に対して垂直な方向(x、y、θの各方向)に滑る事態を回避できる。その結果、押圧方向に対して垂直な方向について、弾性部材19と変位阻止部材20とが相対的に変位する事態が阻止される。従って、半導体装置Cに対する押圧部材17の位置ズレが発生するなどの不利益な事態を回避できる。
また、圧着ヘッド14の加圧によって、弾性部材19は変位阻止部材21に対しても好適に密着する。そのため、弾性部材19と変位阻止部材21との接触面における摩擦係数が増大するので、変位阻止部材21に対して弾性部材19が押圧方向に対して垂直な方向に滑る事態を回避できる。その結果、押圧方向に対して垂直な方向について、弾性部材19と変位阻止部材21とが相対的に変位する事態が阻止される。従って、押圧部材17に対する弾性部材19の相対的位置が押圧方向に対して垂直な方向にずれることに起因して、弾性部材19が不均一に圧縮されるなどの不利益な事態を回避できる。ステップS6に係る加熱押圧によって本圧着が行われ、複数の半導体装置Cの各々は基板Wへ同時に実装される。
ステップS7(基板の搬出)
熱硬化性樹脂Gが硬化する所定時間(設定時間)が経過するまで半導体装置Cに対する加熱押圧を行った後、圧着ヘッド14を上方の待機位置に復帰させて加圧を解除するとともに、搬送機構1によってプレート、および半導体装置Cが実装された基板Wを搬出させる。所定の位置まで搬送されたプレートPおよび基板Wは、他の搬送ロボットなどを介して、ストッカに収納される。
熱硬化性樹脂Gが硬化する所定時間(設定時間)が経過するまで半導体装置Cに対する加熱押圧を行った後、圧着ヘッド14を上方の待機位置に復帰させて加圧を解除するとともに、搬送機構1によってプレート、および半導体装置Cが実装された基板Wを搬出させる。所定の位置まで搬送されたプレートPおよび基板Wは、他の搬送ロボットなどを介して、ストッカに収納される。
以上で1枚の基板W上に半導体装置Cを実装させる工程が終了する。以後、所定枚数の基板について同じ動作が繰り返される。
<実施例1の構成による効果>
実施例1に係る実装装置において、圧着ヘッド14は変位阻止部材20および変位阻止部材21を備えている。変位阻止部材20は、圧着ヘッド14の押圧方向に対して垂直な方向について、ヘッド本体16に対して弾性部材19が相対的に変位することを阻止する。変位阻止部材21は、圧着ヘッド14の押圧方向に対して垂直な方向について、押圧部材17に対して弾性部材19が相対的に変位することを阻止する。
実施例1に係る実装装置において、圧着ヘッド14は変位阻止部材20および変位阻止部材21を備えている。変位阻止部材20は、圧着ヘッド14の押圧方向に対して垂直な方向について、ヘッド本体16に対して弾性部材19が相対的に変位することを阻止する。変位阻止部材21は、圧着ヘッド14の押圧方向に対して垂直な方向について、押圧部材17に対して弾性部材19が相対的に変位することを阻止する。
変位阻止部材20および変位阻止部材21の各々が弾性部材19の変位を阻止することにより、半導体装置Cに対する押圧部材19の位置がズレるなどの不利益な事態が発生することを回避できる。以下、従来の実装装置と実施例1に係る実装装置とを比較しつつ、実施例1の構成による効果を説明する。
複数の半導体装置における高さ方向(押圧方向)のバラツキを吸収すべく、弾性体を加熱圧着ヘッド(ヘッド本体)と押圧用ブロックとの間に備える実装装置が従来の構成として存在している。しかし、このような弾性体を備える従来の実装装置を用いて半導体チップを基板に実装させる場合、加熱圧着ヘッドによる半導体チップの押圧操作を繰り返すことによって、弾性体の位置が当初に配置された位置から押圧方向と垂直な方向へ徐々にずれるという問題が発生する。
発明者の鋭意検討により、このような従来装置において発生する弾性体の位置ズレは、加熱圧着ヘッドおよび押圧用ブロックの構成材料、および加熱圧着ヘッドと弾性体と押圧用ブロックとの位置関係のズレに起因することが判明した。図9(a)に示すように、弾性体を加熱圧着ヘッドと押圧用ブロックとの間に備える従来の実装装置Mにおいて、弾性体Dは加熱圧着ヘッドHおよび押圧用ブロックRの各々に対して、それぞれ直接接触している。
半導体装置に対して加熱しつつ押圧を行う実装装置では、加熱圧着ヘッドに内蔵されているヒータの熱と、加熱圧着ヘッドによる押圧力とを押圧対象である半導体装置へ効率良く伝える必要がある。そのため、加熱圧着ヘッドや押圧用ブロックの材料としては、熱伝導率が高くかつ一定以上の堅さを有する材料を用いることが要求される。そこで加熱圧着ヘッドや押圧用ブロックの構成材料として、アルミや銅を例とする熱伝導性の高い金属が用いられることが一般的である。
ここで発明者の鋭意検討により、弾性体を構成する材料は、銅やアルミを例とする熱伝導性の高い金属に対して密着性が低く、当該密着性の低さに起因して弾性体の位置ズレが発生することが判明した。すなわち従来の構成において、弾性体Dは密着性の低い加熱圧着ヘッドHと直接接触している。そして密着性の低さに起因して、弾性体Dと加熱圧着ヘッドHとの接触面における摩擦係数は低くなる。従って、弾性体Dと加熱圧着ヘッドHとが接触する面において発生する摩擦力V1は低くなる。
従って、従来の実装装置Mを用いて半導体装置Cを押圧した場合、図9(b)に示すように、押圧時において弾性体Dがヘッド本体Hとの接触面に沿って広がろうとする力J1およびJ2の各々は摩擦力V1を上回る。その結果、符号SLで示すように、弾性体Dはヘッド本体Hとの接触面に沿って滑るように広がる。すなわち、z方向に圧縮された弾性体Dは厚み方向における中央部分のみならず、ヘッド本体Hとの接触面においても押圧方向と垂直な方向(図ではx方向)へ突出するように広がる。このとき、弾性体Dがx方向における左右方向のそれぞれに広がろうとする力J1およびJ2の大きさは均一とは限らない。
そして押圧を解除して加熱圧着ヘッドHを上昇させることにより、力J1および力J2の大きさに応じて、弾性体Dに対して押圧方向と垂直な方向に反発力が作用する。従って、力J1およびJ2の大きさが均一でない場合、図9(c)に示すように、力J1に基づく反発力と力J2に基づく反発力の差に起因して、弾性体Dは押圧方向と垂直な方向(図では左方向)へと変位する。
弾性体Dの変位に従って、弾性体Dの下方に位置する押圧用ブロックRの位置も変位する。その結果、当初は正対するように配置されていた押圧用ブロックRと半導体装置Cとの位置関係は(図9(a))、加熱圧着ヘッドHによる押圧を繰り返すことによって徐々に相対的にずれることとなる(図9(c))。
押圧用ブロックRと半導体装置Cとの位置ズレが発生すると、押圧用ブロックRは半導体装置Cを均一に押圧できなくなる。従って、半導体装置Cに対する押圧用ブロックRの押圧ミスや、不均一な押圧によって実装された半導体装置Cが傾くなどといった、基板に対する半導体装置Cの実装不良が発生する(図9(d))。なお、半導体装置Cに対する押圧用ブロックRの位置ズレの許容範囲は、一例としてバンプBの直径の長さの10%以下であり、押圧実装時における押圧用ブロックRの位置については高い精度が要求される。
従来の実装装置Mにおいて、加熱圧着ヘッドHと弾性体Dの接触面における滑りの発生により、弾性体Dの位置はx方向のみならずy方向においてもずれることとなる。さらに図10(a)に示すように、弾性体Dはz軸を中心とするθ方向へ回転するように変位することがある。実装装置の平面視において、点線で示される押圧用ブロックRの各々は、実線で示される半導体装置Cの各々と正対するように配置される(図10(b))。
しかし図10(a)に示すような回転方向の変位が発生した場合、弾性体Dの変位に従って押圧用ブロックRもθ方向に回転変位する。その結果、図10(c)に示すように、押圧用ブロックRと半導体装置Cとが正確に正対しなくなるので、押圧用ブロックRは半導体装置Cの全面を均一に押圧することが困難となる。従って、半導体装置Cの実装不良が発生しやすくなる。
さらに従来の実装装置Mにおいて、弾性体Dは押圧用ブロックRと直接接触しており、一般的な弾性体Dの構成材料と一般的な押圧用ブロックRの構成材料とは密着性が低い。そのため、弾性体Dと押圧用ブロックRとの間で発生する摩擦力V3は小さくなる。従って、押圧時において弾性体Dが押圧用ブロックRとの接触面に沿って広がろうとする力J1およびJ2の各々は摩擦力V3を上回るので、図11(b)において符号SLで示すように、弾性体Dは押圧用ブロックRとの接触面に沿って滑るように広がる。すなわち、z方向に圧縮された弾性体Dは厚み方向における中央部分のみならず、押圧用ブロックRとの接触面においても押圧方向と垂直な方向へ突出するように広がる。
その結果、押圧が解除されてヘッド本体Hが上昇する際に、力J1およびJ2に起因する反発力の差などによって、押圧用ブロックRと弾性体Dとの位置は相対的に変位する。すなわち、当初は正対するように配置されていた押圧用ブロックRと弾性体Dとの位置関係は(図11(a))、加熱圧着ヘッドHによる押圧を繰り返すことによって徐々に相対的にずれることとなる(図11(c))。
押圧用ブロックRの位置と弾性体Dの位置とが押圧方向と垂直な方向へ相対的にずれる場合、弾性体Dは押圧用ブロックRの全面に対して均一に接触しなくなる事態や、押圧用ブロックRと半導体装置Cとの位置がずれるなどといった事態が発生する。このような状態で加熱圧着ヘッドHによる押圧を行うことにより、押圧用ブロックRがxy平面に対して傾く事態や半導体装置Cの実装不良といった事態が発生する(図11(d))。
また、摩擦力V1およびV3が小さいことに起因して、弾性体Dのみが押圧方向と垂直な方向へずれることにより、押圧用ブロックRおよびヘッド本体Hに対する、弾性体Dの相対的な位置関係がずれることがある(図12(a))。この場合、押圧用ブロックRの全面のうち一部において弾性体Dが接触しなくなる。そのため、ヘッド本体Hを下降させて半導体チップを基板に実装させる際に、押圧用ブロックRのうち弾性体と接触している部分Raが受ける反発力と弾性体と接触していない部分Rbが受ける反発力との間に差が生じる(図12(b))。その結果、半導体チップの全面に対して均一に押圧力を作用させることが困難となるので、半導体チップを基板へ均一に圧着させることが困難となる。
さらに弾性体Dが押圧方向と垂直な方向へずれることにより、図12(c)に示すように弾性体Dが隣接する弾性体Dsと接触する場合が考えられる。このような接触により、押圧力のバラツキがさらに発生する。すなわち、弾性体Dが隣接する弾性体Dsと接触しない場合、ヘッド本体Hを下降させて半導体チップを押圧させると、弾性体Dはz方向に圧縮されて厚みが薄くなるとともに、z方向と直交する水平方向へ放射状に拡大変位する。言い換えると図12(d)に示すように、弾性体Dは少なくとも厚み方向の中央部分において水平方向へ拡大し、押圧前と比べて水平方向へ拡大した拡大部DLが形成される。
その一方で、図12(c)のように弾性体Dのズレにより弾性体Dと弾性体Dsが接触した状態でヘッド本体を下降させた場合、弾性体Dのうち弾性体Dsと接触していない部分においては、弾性体Dの一部が水平方向へ拡大変位して拡大部DLを形成できる。しかし、弾性体Dのうち弾性体Dsと接触している部分においては、弾性体Dsに遮られて弾性体Dは拡大変位できないので、拡大部DLを形成できない(図12(e))。従って、弾性体Dsと接触していない部分において弾性体Dはz方向へ圧縮しにくくなるので、押圧用ブロックRに対して反発力のバラツキが発生する。その結果、押圧用ブロックRによる押圧を均一に行うことが困難となる。
そこで実施例1に係る実装装置では図13(a)に示すように、弾性部材19とヘッド本体16との間に変位阻止部材20を備えている。変位阻止部材20はステンレス鋼(SUS)などによって構成されている。発明者の鋭意検討の結果、ステンレス鋼によって構成される変位阻止部材20をフッ素ゴムによって構成される弾性部材19とヘッド本体16との間に挿入して圧着ヘッド14による押圧を行った場合、平坦な変位阻止部材20と平坦な弾性部材19との間に強い密着力が発生することが分かった。
すなわち実施例1に係る圧着ヘッド14を用いて押圧を行った場合、図13(b)に示すように、変位阻止部材20を有する実施例1の構成では、変位阻止部材20と弾性部材19との接触面において強い摩擦力V2が発生する。銅やアルミなどの素材からなるヘッド本体16と弾性部材19との間で発生する摩擦力(摩擦力V1、図9(b)参照)と比べて、変位阻止部材20と弾性部材19との間で発生する摩擦力V2は大きい。
そのため、変位阻止部材20を備えることにより、押圧時において弾性部材19が変位阻止部材20との接触面に沿って、押圧方向に垂直な方向へ滑るように変位するという事態は、摩擦力V1より増大している摩擦力V2によって阻止される(図13(b)、符号ST)。その結果、弾性部材19の変位に起因する押圧部材17の位置ズレを防止できるので、半導体装置Cの各々は、押圧部材17の各々によって均一に押圧される。従って、半導体装置Cの実装を好適に完了できる。
さらに実施例1に係る実装装置では図13(a)に示すように、弾性部材19と押圧部材17との間に変位阻止部材21を備えている。変位阻止部材21は変位阻止部材20と同様に、ステンレス鋼(SUS)などによって構成されている。すなわち実施例1に係る圧着ヘッド14を用いて押圧を行った場合、図13(c)に示すように、変位阻止部材21と弾性部材19との接触面において強い摩擦力V4が発生する。銅やアルミなどの素材からなる押圧部材17と弾性部材19との間で発生する摩擦力(摩擦力V3、図11(b)参照)と比べて、変位阻止部材21と弾性部材19との間で発生する摩擦力V4は大きい。
そのため、変位阻止部材20を備えることにより、押圧時において弾性部材19が変位阻止部材21との接触面に沿って、押圧方向に垂直な方向へ滑るように変位するという事態は、摩擦力V3より増大している摩擦力V4によって阻止される(図13(c)、符号ST)。その結果、図11(c)に示すような、弾性部材19と押圧部材17との位置関係が変化する事態を防止できる。これにより図13(d)に示すように、xy平面(水平方向)における半導体装置Cの位置および押圧部材17の位置が相対的に変位することを回避できるので、半導体装置Cの実装を好適に完了できる。
なお、弾性部材19を圧着ヘッド16または押圧部材17へ単に密着させる方法としては、樹脂などを例とする接着剤を用いて弾性部材19を圧着ヘッド16または押圧部材17に接着させる構成が例として挙げられる。しかし公知の接着剤を用いて接着を行った場合、高い耐熱性を実現しつつ、半導体装置Cの表面に対する弾性部材19および押圧部材17の平行性を精度良く維持することが困難である。すなわち比較的可塑性の高い接着剤の層において細かい凹凸が容易に発生するので、半導体装置Cの表面(xy平面)に対して弾性部材19および押圧部材17は傾斜することとなる。その結果、接着剤を用いて接着を行う構成では押圧部材17を用いて半導体装置Cの各々を同時かつ均一に押圧させることが困難となる。
これに対して実施例1において、変位阻止部材20および21の各々は、ステンレス鋼など弾性体と密着性の高い金属で構成される、板状の部材である。樹脂などの接着剤と異なり、板状の金属部材は精度の高い平面状とすることが容易である。そのため、変位阻止部材の各々と弾性部材19との密着力を高めて摩擦係数を増大させつつ、半導体装置Cの表面に対する押圧部材17の平行性を精度良く維持できる。その結果、高精度の平行性を有する押圧部材17によって、半導体装置Cを均一に押圧できる。
また、弾性部材19の表面を平坦とすることにより、弾性部材19全体において弾性体の厚みを精度良く均一にできる。従って、厚みが均一である弾性部材19によって、半導体装置Cの各々における高さのバラツキを、より好適に吸収できる。
次に、本発明の実施例2を説明する。実施例1に係る圧着ヘッド14では弾性部材19との密着性が大きい材料で構成される、変位阻止部材20および変位阻止部材21を備える。すなわち、密着性の向上に起因して摩擦係数を増大させることによって、弾性部材19と他の構成との接触面における摩擦力を上昇させる。摩擦力が上昇することによって、押圧方向と垂直な方向へ弾性部材19が滑るように変位することを阻止させる。
一方、実施例2では弾性部材19の垂直抗力を上げることにより、弾性部材19と他の構成との接触面における摩擦力を上昇させ、その結果、押圧方向と垂直な方向へ弾性部材19が変位することを阻止させる構成となっている。以下、図面を用いて実施例2の構成を説明する。なお実施例2において、実施例1と共通する構成については同符号を付して詳細な説明を省略する。
実施例2に係る圧着ヘッド14Aは図14(a)に示すように、ヘッド本体16は板状のプレート部16Pと、プレート部16Pの下面に取り付けられているブロック部16Qとを備えている。プレート部16Pには押圧方向へ貫通する貫通孔25が形成されており、ブロック部16Qには押圧方向へ貫通する貫通孔27が形成されている。
貫通孔25および貫通孔27の各々は、押圧部材17が配置される位置に応じて形成されている。貫通孔25および貫通孔27はそれぞれ連通形成されている。実施例2において、押圧部材17は、上方へ突出した形状の突出部17aを有しており、突出部17aは貫通孔27の内部に嵌合配置される。貫通孔27の上部には、後述する規制部30を嵌合させる窪み部31が設けられている
圧着ヘッド14Aは、変位阻止部材20および変位阻止部材21の代わりにボルト29を備えている。ボルト29は、押圧部材17の各々が配設される数および位置に応じて配設される。ボルト29の各々は、頭部29aと軸部29bとリング29cとを備えている。ボルト29の頭部29aは、プレート部16Pに形成される貫通孔25の内部にそれぞれ個別配置されている。
ボルト29の頭部29aはリング29cの上面に受け止められており、リング29cは貫通孔27の外側でブロック部16Qの上面に受け止められている。ボルト29の軸部29bは、貫通孔27の内部に配置されるとともに、押圧部材17の突出部17aの上面に形成されているネジ穴33にねじ込まれる。
圧着ヘッド14Aはさらに規制部30を備えている。規制部30は図14(b)に示すように、リング29cの下面においてその一端側に接するような位置に設けられている。また、押圧部材17の突出部17aは図14(c)に示すように、その上端側面の一部が規制部30の形状に応じて切り欠かれることにより、切り欠き部17bを形成している。規制部30は窪み部31および切り欠き部17bに嵌合するように配設されており、リング29cおよび押圧部材17の各々について、θ方向への回転を規制する。なお、図14(a)に示される押圧部材17は、図14(c)におけるA−A断面の図である。
実施例2に係る圧着ヘッド14Aの特徴として、ネジ穴33に対するボルト29のねじ込みにより、押圧方向へ予め圧縮された状態の弾性部材19Aを、ヘッド本体16と押圧部材17との間に配設させる構成を有している。具体的には、外力が作用していない非圧縮状態の弾性部材19(図15(a))に対して外力Tを作用させると、当該弾性部材19は非圧縮状態から、さらに圧縮が可能な状態である準圧縮状態を経て(図15(b))、これ以上の圧縮が不可能な状態である圧縮限界状態へと達する(図15(c))。非圧縮状態の弾性部材19は押圧方向への反発力が発生しない一方、準圧縮状態の弾性部材19Aまたは圧縮限界状態の弾性部材19Bの内部では、外力Tの大きさに応じた反発力Fが発生する。
実施例2に係る圧着ヘッド14Aにおいて、半導体装置Cに対する押圧を行わない状態すなわち初期状態の時点で、予め準圧縮状態となっている弾性部材19Aがヘッド本体16と押圧部材17との間に配設されている。すなわち非圧縮状態の弾性部材19をボルト29がネジ留めしている状態(図16(a))からさらにボルト29を強く締め付けることにより厚みh1を有していた弾性部材19はz方向へ圧縮され、厚みh2を有する準圧縮状態の弾性部材19Aが初期状態の圧着ヘッド14Aに配設された構成となる(図16(b)、図14(a))。準圧縮状態で圧着ヘッド14に固定されている弾性部材19Aの内部では、ボルト29の締め付け力の大きさに応じた反発力Fが常に発生する。
従って、反発力Fの大きさに応じて、弾性部材19Aとヘッド本体16との接触面、および弾性部材19Aと押圧部材17との接触面の各々に対する弾性部材19の垂直抗力は常に増大することとなる。なお実施例2において、弾性部材19Aは1%以上20%以下の減衰率で圧縮された準圧縮状態で圧着ヘッド14Aに配設されることが好ましい。すなわち、図16(b)に示すような、準圧縮状態における弾性部材19Aの厚みh2は、図16(a)に示すような非圧縮状態における厚みh1と比べて80%以上99%以下の厚みとなることが好ましい。実施例2において、ボルト29は本発明における阻止部材および垂直抗力維持手段に相当する。
実施例2に係る実装装置を用いて半導体装置Cを当該基板Wに本圧着する一巡の動作は、実施例1における動作と共通である。但し、半導体装置Cに対する押圧を行う前の工程、例えばステップS1からステップS5までの工程において、実施例1に係る実装装置では弾性部材19が非圧縮状態である一方、実施例2に係る実装装置では弾性部材19Aが準圧縮状態である点で相違する。
すなわち、実施例2において弾性部材19Aは予め押圧方向に外力が加わった準圧縮状態であるので、半導体装置Cに対する押圧を行う前の初期状態であっても、所定値N1の大きさの反発力Fが、押圧部材17の接触面およびヘッド本体16の接触面に作用している。
実施例2に係るステップS6が開始されると、シリンダ13の作動により圧着ヘッド14Aが下降し、加熱されている圧着ヘッド14Aによって、複数個の半導体装置Cは同時に加熱されながら押圧される。このとき、圧着ヘッド14Aに埋設されているヒータ15の熱は、弾性部材19Aを介して押圧部材17へ伝導されるとともに、貫通孔27に嵌合されている突出部17aを介して押圧部材17へ伝導される。突出部17aは押圧部材17の一部であり、特に熱伝導性の高い材料で構成されている。そのため、ヒータ15の熱は突出部17aを介してより効率よく押圧部材17へと伝えられるので、半導体装置Cや熱硬化性樹脂Gをより効率よく加熱できる。
図17に示すように圧着ヘッド14Aのヘッド本体16を下降させることによって半導体装置Cが押圧されると、厚みh2を有し準圧縮状態となっている弾性部材19Aはさらにz方向へ圧縮され、その厚みはh3となる。このとき、弾性部材19Aは予め準圧縮状態となっているので、圧着ヘッド14Aによる押圧が実行される際に、弾性部材19Aは押圧方向に対してさらに薄くなる余地が残されている。そのため、複数個の半導体装置Cの各々が押圧方向のおける高さにバラツキがあっても当該バラツキは弾性部材19Aによって吸収される。
そして弾性部材19Aを準圧縮状態からさらに圧縮すべく、弾性部材19Aに対してさらに押圧方向に外力が加わる。この際に、既に所定値N1の大きさの反発力Fが押圧部材17の接触面およびヘッド本体16の接触面に作用している。そのため、これら接触面に対する垂直抗力は反発力Fの大きさN1に応じて大きくなっている。
接触面に作用する摩擦力は接触面における垂直抗力と摩擦係数の各々に比例する。そのため、非圧縮状態の弾性部材19を圧縮させる場合と比べて、準圧縮状態の弾性部材19Aをさらに圧縮させる場合は、押圧部材17の接触面およびヘッド本体16の接触面に作用する摩擦力V2およびV4が大きくなる(図17)。
従って、弾性部材19Aがヘッド本体16との接触面に沿って滑るように広がることは、従来装置における摩擦力V1と比べて増大している摩擦力V2によって阻止される。また、弾性部材19Aが押圧部材17との接触面に沿って滑るように広がることは、従来装置における摩擦力V3と比べて増大している摩擦力V4によって阻止される。
言い換えれば、ボルト29によって弾性部材19Aを予め準圧縮状態とすることによって弾性部材19Aの垂直抗力が増大するので、弾性部材19Aが押圧方向に対して垂直な方向へ変位することを阻止できる。ボルト29は実施例2における阻止部材に相当する。
従来例および実施例1に係る圧着ヘッドでは、半導体装置の上方で待機している状態である初期状態において、ヘッド本体と押圧部材との間に配設される弾性部材は非圧縮状態となるように構成されている。一方、実施例2に係る圧着ヘッド14Aでは、初期状態の時点で、ヘッド本体16と押圧部材17との間に配設される弾性部材19Aが準圧縮状態となるように構成されている。
このように、実施例2では弾性部材19Aの垂直抗力を増大させることによって、弾性部材19Aと他部材との接触面において発生する摩擦力を増大させる。従って、ヘッド本体16および押圧部材17を、熱伝導性が高い一方で弾性部材19Aの構成材料との摩擦係数が比較的小さな材料(アルミや銅など)で構成しても、弾性部材19Aが押圧方向に対して垂直な方向へ滑るように変位することを回避できる。
すなわち実施例2では、変位阻止部材20や変位阻止部材21を弾性部材19Aの上面または下面に備えなくとも、弾性部材19Aの変位を回避できるので、半導体装置Cの位置ズレや傾きが発生することなく、好適に半導体装置Cの各々を基板Wに実装できる。なお、押圧部材17の下面高さが個々にバラツいていても、バラツキが数μm程度であれば、ボルト29の締め上げ具合を調整することにより、同一面内に揃えることも可能である。
さらに、ヘッド本体と押圧部材16の間に介したボルト29(及びリング29c)は熱伝導性の高い金属性であるため、ヒータ15の熱は押圧部材17へより効率よく伝導される。弾性部材19Aは熱伝導性の高い材料で構成されるヘッド本体16および押圧部材17の各々と直接接触しており、弾性部材19Aは準圧縮状態であるので、非圧縮状態の弾性部材19より厚みが薄くなっている。そのため、弾性部材19Aにおけるヒータ15の熱の伝導効率をより向上できる。
ところで、弾性部材19Aに押圧外力が加わることにより弾性部材19Aが横方向に膨らむ。このため、設計に際しては、仕様上最大の押圧外力においても、弾性部材19Aが押圧部材17の突出部17aに接触しないよう寸法を配慮する必要がある。仮に、弾性部材19Aが押圧部材17の突出部17aに接触すると、突出部17aに水平方向に不均一な力が加わり、不都合が生じる。
次に、本発明の実施例3を説明する。図18(a)は、実施例3に係る圧着ヘッド14Bの概略構成を示している。圧着ヘッド14Bにおいて、弾性部材19はヘッド本体16と押圧部材17との間に設けられており、弾性部材19は実施例2と同様にヘッド本体16および押圧部材17の各々と直接接触している。但し、弾性部材19とヘッド本体16との接触面において凹凸部41が形成されており、弾性部材19と押圧部材17との接触面において凹凸部43が形成されているという点において他の実施例と相違する。
凹凸部41および凹凸部43の構成について、図18(b)を用いて説明する。ヘッド本体16の下面、すなわちヘッド本体16において弾性部材19と接触する面には凹凸面16jが形成されている。弾性部材19の上面、すなわち弾性部材19においてヘッド本体16と接触する面には凹凸面19hが形成されている。凹凸面16jと凹凸面19hは互いに嵌合するように凹凸パターンが形成されており、凹凸面16jと凹凸面19hとが嵌合することによって凹凸部41が形成される。
弾性部材19の下面、すなわち弾性部材19において押圧部材17と接触する面には凹凸面19jが形成されている。押圧部材17の上面、すなわち押圧部材17において弾性部材19と接触する面には凹凸面17hが形成されている。凹凸面19jと凹凸面17hは互いに嵌合するように凹凸パターンが形成されており、凹凸面19jと凹凸面17hとが嵌合することによって凹凸部43が形成される。なお、凹凸部41および凹凸部43は、凹凸形状に限ることはなく、弾性部材19の表面における摩擦係数を向上させるような形状であれば、適宜形状を変更してもよい。
凹凸部41を構成する凹凸パターンにより、弾性部材19とヘッド本体16との接触面における摩擦係数が上昇する。また、凹凸部43を構成する凹凸パターンにより、弾性部材19と押圧部材17との接触面における摩擦係数が上昇する。従って、凹凸部41および凹凸部43を形成させることにより、弾性部材19の各接触面における摩擦力が向上するので、弾性部材19が押圧方向と直交する水平方向へ滑るように変位することをより確実に回避できる。
また実施例3の特徴として、押圧方向において凹凸部41の凹凸パターンと凹凸部43の凹凸パターンとは一致するように構成される(図18(c)の点線を参照)。そのため図18(c)に示すように、弾性部材19は水平方向における全面にわたって、z方向における厚みは一定の値haとなる。弾性部材19の全面にわたってその厚みが均一であるので、半導体装置Cの高さのバラツキを弾性部材19が吸収する力は、弾性部材19の水平方向全面にわたって同じとなる。従って、凹凸部41および43によって水平方向における弾性部材19の変位を抑制できるとともに、ヘッド本体16を下降させて半導体装置Cの押圧を行う際に押圧部材17が水平面に対して傾くといった事態の発生を確実に回避できる。
実施例3に係る圧着ヘッドでは、ヘッド本体16、弾性部材19、および押圧部材17の各々に凹凸面が形成されている。ヘッド本体16の凹凸面16jと弾性部材19の凹凸面19hとを嵌合させて形成される凹凸部41により、弾性部材19とヘッド本体16との接触面における摩擦係数は、平坦なヘッド本体Hと弾性体Dとを接触させるような従来の構成と比べて大きく向上する。また、凹凸部43により、弾性部材19と押圧部材17との接触面における摩擦係数が大きく向上する。
摩擦係数の向上により摩擦力が大きくなるので、押圧方向に対して垂直な方向へ弾性部材19が変位することを回避できる。このように、実施例3では弾性部材19がヘッド本体16および押圧部材17と直接接触する構成であるにも関わらず、凹凸部41および43を形成させることによって、実施例1と同様に摩擦係数の向上に起因する弾性部材19の摩擦力上昇を実現できる。
本発明は上述した実施例のものに限らず、次のように変形実施することもできる。
(1)上記の本発明において、実施例1および実施例2の構成を組み合わせてもよい。すなわち図19に示すように、当該変形例に係る圧着ヘッド14Cは実施例2のように、準圧縮状態となっている弾性部材19Aをヘッド本体16と押圧部材17との間に備えている。さらに当該変形例では実施例1のように、変位阻止部材20が弾性部材19Aとヘッド本体16との間に設けられ、変位阻止部材21が弾性部材19Aと押圧部材17との間に設けられている。
このような変形例では、弾性部材19Aを予め準圧縮状態にして反発力Fを発生させるとともに、弾性部材19Aの構成材料との摩擦係数が高い材料(ステンレス鋼など)で構成される変位阻止部材20および21を備えている。すなわち本変形例では弾性部材19Aとの接触面における垂直抗力および摩擦係数の両方を高める構成となっている。
そのため、弾性部材19Aと変位阻止部材20との接触面、および弾性部材19Aと変位阻止部材21との接触面において発生する摩擦力は、垂直抗力および摩擦係数の向上により飛躍的に高められる。その結果、押圧方向に垂直な方向へ弾性部材19Aが変位する事態をより確実に阻止できる。従って、xy平面における弾性部材19Aおよび押圧部材17の位置および体勢が固定されるので、半導体装置Cの位置ズレや傾きが発生することなく、押圧部材17による半導体装置Cの加熱押圧実装を完了できる。
(2)上記各実施例および各変形例に係る実装装置において、押圧対象である半導体装置Cは説明の便宜上、図7などに示すように1層のバンプBを有する単層構造としている。押圧実装の対象は単層構造に限ることはなく、図20に示すように多層のバンプBが積層された、多層構造の半導体装置Cを基板Wへ実装させる場合にも本発明に係る実装装置を利用できる。
(3)上記各実施例2および各変形例に係る実装装置において、ヘッド本体16を貫通するようなボルト29を新たに設け、当該ボルト29の締め付け力によって弾性部材19Aを準圧縮状態で固定させている。しかし、弾性部材19Aを準圧縮状態で固定する構成はボルト29に限ることはない。一例として実施例1に係る支持ホルダ18を流用し、当該支持ホルダ18を実施例1の締め付け力よりも強い力で弾性部材19を締め付け固定する構成が挙げられる。
支持ホルダ18で強く締め付けることによって、弾性部材19は非圧縮状態(図21(a))から準圧縮状態(図21(b))となるようにz方向へ圧縮され、当該準圧縮状態で固定される。準圧縮状態となった弾性部材19Aには締め付け力N2の強さに応じた反発力Fが発生し、当該反発力に起因して弾性部材19における垂直抗力は増大する。このような変形例において、支持ホルダ18は本発明における阻止部材および垂直抗力維持手段に相当する。
(4)上記各実施例1および各変形例に係る実装装置において、変位阻止部材20または21として1枚板の構成を例示したが、これに限られない。すなわち図22(a)に示すように、変位阻止部材20および21の各々は複数枚の板状の素材Sを重ねる構成であってもよい。素材Sの構成材料は、一例としてステンレス鋼(SUS)である。
このような変形例では図22(b)に示すように、素材Sの枚数を適宜変更することによって、隣接する押圧部材17Pと押圧部材17Qとの間でz方向の高さを独立選択的に適宜変更できる。従って、図22(b)に示すように隣接する弾性部材19Pと弾性部材19Qとの厚みにバラツキが発生している場合であっても、変位阻止部材を構成する素材Sの枚数を調節することによって、押圧部材17Pの下面の高さと押圧部材17Qの下面の高さとを均一にできる。その結果、弾性部材19の厚みのバラツキに起因する実装エラーの発生を確実に回避できる。
なお、隣接する押圧部材17Pと押圧部材17Qとの厚みにバラツキが発生している場合についても、弾性部材19Pの上下面に配設する素材Sの枚数と弾性部材19Qの上下面に配設する素材Sの枚数とを適宜調整することにより、複数個の押圧部材17について、それぞれの先端部の高さを均一化できる。従って、複数個の押圧部材17の厚みのバラツキに起因する実装エラーの発生を確実に回避できる。
(5)上記実施例および各変形例に係る実装装置において、複数個の押圧部材17を備えた1個の圧着ヘッド14を備え、当該圧着ヘッド14によって複数の半導体装置Cを本圧着する構成に限ることはない。すなわち実装装置は図23に示すように、押圧部材17を備えた圧着ヘッド14を複数個備えた構成であってもよい。
(6)上記実施例および各変形例に係る実装装置において、圧着ヘッド14のヒータ15は、ヘッド本体16に埋設された構成となっているが、ヘッド本体16の外部から加熱する構成であっても良い。また、上記実施例において、ヒータを高温に加熱することとしたが、工程中に温度を変化させるパルスヒータを使用することもでき、熱伝導遅延用のプレートを介さず実装を行うこともできる。
(7)上記実施例および各変形例に係る実装装置において、変位阻止部材20および変位阻止部材21の一方を省略してもよい。変位阻止部材20を設けることによって弾性部材19とヘッド本体16とが相対的に位置ズレする事態を回避できる。また、当該位置ズレとは別に、変位阻止部材21を設けることによって弾性部材19と押圧部材17とが相対的に位置ズレする事態を回避できる。このように、いずれか一方の変位阻止部材の配設によっても、半導体装置Cに対する押圧部材17の位置ズレが発生することを防止する効果を奏することができる。また、変位阻止部材20および変位阻止部材21の両方を備える場合、相乗効果によって、半導体装置Cに対する押圧部材17の位置ズレが発生することをより確実に回避できる。
(8)上記実施例および各変形例に係る実装装置において、熱硬化性樹脂を介して、バンプを有する複数の半導体装置を基板に実装する例を示したが、本発明は半導体装置に適切な押圧を作用させて高さバラツキの吸収が必要とされる実装であれば有効に適用できる。例えば、熱硬化性樹脂を介在させないフリップチップ実装や、熱硬化性樹脂を介して半導体チップの非電極面を基板に実装するダイボンディング等に用いても良い。更に、半導体装置以外の電子部品(抵抗器、キャパシタ、圧電素子、等)を基板に実装するのに際して、本発明を用いても良い。
(9)上記実施例および各変形例に係る実装装置において、保持フレーム6を備えた搬送アーム4によって基板Wを係止保持した状態で保持ステージ10の上に搬送・載置し、基板Wを保持ステージ10で吸着保持させる構成を例にとって説明した。しかし、基板Wを適切に搬送・載置・保持できる構成であれば、搬送アーム4および保持ステージ10などの構成は適宜変更してよい。基板Wを搬送・載置する構成の他の例としては、搬送アーム4で基板を吸着保持して搬送する構成や、手動で基板Wを搬送して保持ステージ10の上に載置させる構成などが挙げられる。また、保持ステージ10は基板Wを吸着する構成を省略してもよい。
(10)上記実施例および各変形例に係る実装装置において、ヒータ15はヘッド本体16に内蔵されている構成を例示したが、半導体装置Cを加熱押圧できる構成であればこれに限られない。すなわちヘッド本体16の外部にヒータ15を配設し、ヘッド本体16の外部からヘッド本体16などに対して加熱を行う構成であってもよい。
1 … 搬送機構
2 … 本圧着装置
4 … 搬送アーム
6 … 保持フレーム
9 … 押圧機構
10 … 保持ステージ
11 … ヒータ
13 … シリンダ
14 … 圧着ヘッド
15 … ヒータ
16 … ヘッド本体
17 … 押圧部材
18 … 支持ホルダ
19 … 弾性部材
20 … 変位阻止部材
21 … 変位阻止部材
29 … ボルト
W … 基板
C … 半導体装置
G … 熱硬化性樹脂
P … 熱伝達遅延用のプレート
2 … 本圧着装置
4 … 搬送アーム
6 … 保持フレーム
9 … 押圧機構
10 … 保持ステージ
11 … ヒータ
13 … シリンダ
14 … 圧着ヘッド
15 … ヒータ
16 … ヘッド本体
17 … 押圧部材
18 … 支持ホルダ
19 … 弾性部材
20 … 変位阻止部材
21 … 変位阻止部材
29 … ボルト
W … 基板
C … 半導体装置
G … 熱硬化性樹脂
P … 熱伝達遅延用のプレート
Claims (10)
- 電子部品を基板に実装する圧着ヘッドであって、
ヘッド本体と、
前記ヘッド本体の下部に装着され電子部品を押圧する押圧部材と、
前記ヘッド本体と押圧部材との間に介在する弾性部材と、
前記電子部品を押圧する押圧方向に対して垂直な方向へ前記弾性部材が変位することを阻止する阻止部材と、
を備えたことを特徴とする圧着ヘッド。 - 請求項1に記載の圧着ヘッドにおいて、
前記阻止部材は、前記ヘッド本体と前記弾性部材との間に介在しており、
前記阻止部材と前記弾性部材との間における密着力が、前記ヘッド本体と前記弾性部材との間における密着力と比べて高くなるように構成される
ことを特徴とする圧着ヘッド。 - 請求項1または請求項2に記載の圧着ヘッドにおいて、
前記阻止部材は、前記押圧部材と前記弾性部材との間に介在しており、
前記阻止部材は、前記弾性部材との間における密着力が、前記押圧部材と前記弾性部材との間における密着力と比べて高くなるように構成される
ことを特徴とする圧着ヘッド。 - 請求項2または請求項3に記載の圧着ヘッドにおいて、
前記阻止部材は板状の金属材で構成される
ことを特徴とする圧着ヘッド。 - 請求項2ないし請求項4のいずれかに記載の圧着ヘッドにおいて、
前記弾性部材はフッ素ゴムで構成され、
前記阻止部材は板状のステンレス鋼で構成される
ことを特徴とする圧着ヘッド。 - 請求項1に記載の圧着ヘッドにおいて、
前記阻止部材は、前記弾性部材へ外力を加えて前記押圧方向へ圧縮して前記押圧方向に対する反発力を前記弾性部材に発生させ、前記圧着ヘッドが前記電子部品を押圧しない場合であっても前記反発力を維持した状態で前記弾性部材を前記ヘッド本体と前記押圧部材との間に介在させる垂直抗力維持手段である
ことを特徴とする圧着ヘッド。 - 請求項6に記載の圧着ヘッドにおいて、前記阻止部材は前記弾性部材を80%以上99%以下の厚みに圧縮させた状態を維持する
ことを特徴とする圧着ヘッド。 - 電子部品を基板に実装する圧着ヘッドであって、
ヘッド本体と、
前記ヘッド本体の下部に装着され電子部品を押圧する押圧部材と、
前記ヘッド本体と押圧部材との間に介在する弾性部材と、
前記電子部品を押圧する押圧方向に対して垂直な方向へ前記弾性部材が変位することを阻止する阻止部材と、
を備え、
前記ヘッド本体と前記弾性部材との接触面、および前記押圧部材と前記弾性部材との接触面において、それぞれ同一の凹凸パターンを有する凹凸部が形成されている
ことを特徴とする圧着ヘッド。 - 電子部品を基板に実装する実装装置であって、
請求項1ないし請求項8のいずれかに記載の圧着ヘッドと、
前記圧着ヘッドを昇降させる昇降機構と、
前記基板を載置保持する保持ステージと、
と備えたことを特徴とする実装装置。 - 請求項9に記載の実装装置であって、
前記電子部品がバンプを有する半導体装置であって、熱硬化性樹脂を介して前記基板に実装することを特徴とする実装装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017174936A JP2019050341A (ja) | 2017-09-12 | 2017-09-12 | 圧着ヘッドおよび実装装置 |
PCT/JP2018/033135 WO2019054284A1 (ja) | 2017-09-12 | 2018-09-07 | 圧着ヘッドおよび実装装置 |
KR1020207006392A KR20200051608A (ko) | 2017-09-12 | 2018-09-07 | 압착 헤드 및 실장 장치 |
TW107132016A TW201921533A (zh) | 2017-09-12 | 2018-09-12 | 壓著頭及安裝裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017174936A JP2019050341A (ja) | 2017-09-12 | 2017-09-12 | 圧着ヘッドおよび実装装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019050341A true JP2019050341A (ja) | 2019-03-28 |
Family
ID=65723012
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017174936A Pending JP2019050341A (ja) | 2017-09-12 | 2017-09-12 | 圧着ヘッドおよび実装装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2019050341A (ja) |
KR (1) | KR20200051608A (ja) |
TW (1) | TW201921533A (ja) |
WO (1) | WO2019054284A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7453035B2 (ja) | 2020-03-30 | 2024-03-19 | 東レエンジニアリング株式会社 | 圧着ヘッド、これを用いた実装装置および実装方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4080554A3 (de) * | 2021-04-21 | 2023-04-19 | PINK GmbH Thermosysteme | Sintervorrichtung und verfahren zum steuern einer sintervorrichtung |
WO2023195175A1 (ja) * | 2022-04-08 | 2023-10-12 | 株式会社Fuji | 電気回路形成方法、および電気回路形成装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007294607A (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Sony Chemical & Information Device Corp | 押圧ヘッド及び押圧装置 |
JP2010034423A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Fujitsu Ltd | 加圧加熱装置及び方法 |
JP2011009357A (ja) | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Fujitsu Ltd | 実装装置 |
JP6234277B2 (ja) * | 2014-03-05 | 2017-11-22 | 東レエンジニアリング株式会社 | 圧着ヘッド、それを用いた実装装置および実装方法 |
WO2016031806A1 (ja) * | 2014-08-25 | 2016-03-03 | 東レエンジニアリング株式会社 | 実装用ヘッドおよびそれを用いた実装装置 |
-
2017
- 2017-09-12 JP JP2017174936A patent/JP2019050341A/ja active Pending
-
2018
- 2018-09-07 WO PCT/JP2018/033135 patent/WO2019054284A1/ja active Application Filing
- 2018-09-07 KR KR1020207006392A patent/KR20200051608A/ko unknown
- 2018-09-12 TW TW107132016A patent/TW201921533A/zh unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7453035B2 (ja) | 2020-03-30 | 2024-03-19 | 東レエンジニアリング株式会社 | 圧着ヘッド、これを用いた実装装置および実装方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201921533A (zh) | 2019-06-01 |
KR20200051608A (ko) | 2020-05-13 |
WO2019054284A1 (ja) | 2019-03-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4014481B2 (ja) | ボンディング方法およびその装置 | |
CN107210239B (zh) | 安装装置和安装方法 | |
WO2019054284A1 (ja) | 圧着ヘッドおよび実装装置 | |
JP6234277B2 (ja) | 圧着ヘッド、それを用いた実装装置および実装方法 | |
JP5602439B2 (ja) | 加熱装置および実装体の製造方法 | |
JPWO2013094098A1 (ja) | 電子部品実装ライン及び電子部品実装方法 | |
KR20160108196A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP2002110744A (ja) | 半導体実装装置、および半導体実装方法 | |
JP4619209B2 (ja) | 半導体素子実装方法および半導体素子実装装置 | |
TWI494038B (zh) | Method of manufacturing a connecting structure | |
JP2013012513A (ja) | 電子部品の実装方法 | |
JP4949114B2 (ja) | 接続材料塗布装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2008235840A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体製造装置および半導体モジュール | |
JP5406974B2 (ja) | 熱圧着装置及び電気部品の実装方法 | |
JP3872763B2 (ja) | ボンディング方法 | |
JP2008263039A5 (ja) | ||
JP2009032845A (ja) | 熱圧着装置及び電気部品の実装方法 | |
JP6461822B2 (ja) | 半導体装置の実装方法および実装装置 | |
JP2011187699A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP7453035B2 (ja) | 圧着ヘッド、これを用いた実装装置および実装方法 | |
WO2016125763A1 (ja) | 実装装置および実装方法 | |
JP2019110187A (ja) | 実装装置及び実装方法 | |
JP2006253179A (ja) | 半導体装置の製造方法と製造装置 | |
JP5288898B2 (ja) | 接着シートの貼付装置および貼付方法、ならびに電子部品の実装装置および実装方法 | |
JP2006135019A (ja) | 電子部品実装方法及び装置 |