JP2019021664A - ラミネートブスバー - Google Patents
ラミネートブスバー Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019021664A JP2019021664A JP2017135656A JP2017135656A JP2019021664A JP 2019021664 A JP2019021664 A JP 2019021664A JP 2017135656 A JP2017135656 A JP 2017135656A JP 2017135656 A JP2017135656 A JP 2017135656A JP 2019021664 A JP2019021664 A JP 2019021664A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- bus bar
- terminal
- laminate
- conductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1(a)及び図1(b)は、第1の実施形態に係るラミネートブスバーを模式的に表す平面図及び断面図である。
図1(b)は、図1(a)のA1−A2線断面を模式的に表す。
図1(a)及び図1(b)に表したように、ラミネートブスバー10は、積層体12と、第1接続部21と、第2接続部22と、を備える。
図2(a)〜図2(c)では、ラミネートブスバー10の第1突出部51の部分を拡大して表している。また、図2(a)〜図2(c)の断面は、図1(b)の断面に相当している。
図3は、第2の実施形態に係るラミネートブスバーを模式的に表す平面図である。
なお、上記第1の実施形態と機能・構成上実質的に同じものについては、同符号を付し、詳細な説明は省略する。
図3に表したように、ラミネートブスバー10aでは、第2突出部52の一端12aと反対側の端部52aが、第1領域R1及び第2領域R2よりも一端12aから離間している。同様に、第1突出部51の一端12aと反対側の端部51aが、第1領域R1及び第2領域R2よりも一端12aから離間している。換言すれば、端部51a、52aは、第1端子2aの端部及び第2端子2bの端部よりも一端12aから離間している。
図4は、第3の実施形態に係るラミネートブスバーを模式的に表す平面図である。
図4に表したように、ラミネートブスバー10bでは、第3絶縁層33が、突起33aを有する。突起33aは、第3絶縁層33の一端12a側において延在部14の部分に設けられている。同様に、第1絶縁層31が、突起31aを有する。突起31aは、第1絶縁層31の一端12a側において延在部14の部分に設けられている。
図5は、第4の実施形態に係るラミネートブスバーを模式的に表す平面図である。
図5に表したように、ラミネートブスバー10cでは、積層体12の延在部14が、一端12aから反対側に向かって凹んだ凹部14aを有する。ラミネートブスバー10cでは、積層体12の一端12a側において、延在部14の部分が、第1領域R1の部分及び第2領域R2の部分よりも凹んでいる。
図6(b)は、図6(a)のB1−B2線断面を模式的に表す。
図6(a)及び図6(b)に表したように、ラミネートブスバー10dでは、第1突出部51及び第2突出部52が、凹部14aの部分において凹部14aよりも一端12a側に突出している。そして、第1突出部51が、一端12a側において第2突出部52と連続している。
図7は、第5の実施形態に係るラミネートブスバーを模式的に表す断面図である。
図7の断面は、図1(b)の断面に相当している。
図7に表したように、ラミネートブスバー10eでは、第1絶縁層31が、一対の第1突出部51を有し、第3絶縁層33が、一対の第2突出部52を有する。一対の第1突出部51は、第1接続部21と第2接続部22との間の中央CTを挟んで並べて設けられている。一対の第2突出部52は、第1接続部21と第2接続部22との間の中央CTを挟んで並べて設けられている。
Claims (6)
- 第1端子と第2端子とを有する半導体装置に取り付けられるラミネートブスバーであって、
第1絶縁層と、前記第1絶縁層の上に設けられた第1導電層と、前記第1導電層の上に設けられた第2絶縁層と、前記第2絶縁層の上に設けられた第2導電層と、前記第2導電層の上に設けられた第3絶縁層と、を有する積層体と、
前記積層体の一端側に寄せて配置され、前記第1端子と前記第1導電層とを電気的に接続するための第1接続部と、
前記積層体の前記一端に沿って前記第1接続部と並べて配置され、前記第2端子と前記第2導電層とを電気的に接続するための第2接続部と、
を備え、
前記積層体は、前記第1接続部と前記第2接続部との間に延在する延在部を有し、
前記第1絶縁層及び前記第3絶縁層の少なくとも一方は、前記延在部に設けられ、上下方向に突出して前記第1接続部と前記第2接続部との間の沿面絶縁距離を長くする突出部を有するラミネートブスバー。 - 前記積層体は、前記半導体装置に取り付けた時に、前記第1端子と重なる第1領域と、前記第2端子と重なる第2領域と、を有し、
前記突出部の前記一端と反対側の端部は、前記第1領域及び前記第2領域よりも前記一端から離間している請求項1記載のラミネートブスバー。 - 前記第1絶縁層及び前記第3絶縁層の前記少なくとも一方の前記延在部の部分は、前記延在部の両側の部分よりも前記一端側に突出している請求項1又は2に記載のラミネートブスバー。
- 前記延在部は、前記一端から反対側に向かって凹んだ凹部を有する請求項1又は2に記載のラミネートブスバー。
- 前記突出部は、前記第1絶縁層及び前記第3絶縁層のそれぞれに設けられ、
前記第1絶縁層の前記突出部及び前記第3絶縁層の前記突出部は、前記凹部の部分において前記凹部よりも前記一端側に突出し、
前記第1絶縁層の前記突出部は、前記一端側において前記第3絶縁層の前記突出部と連続している請求項4記載のラミネートブスバー。 - 前記第1絶縁層及び前記第3絶縁層の前記少なくとも一方は、前記第1接続部と前記第2接続部との間の中央を挟んで並べて設けられた一対の前記突出部を有する請求項1〜5のいずれか1つに記載のラミネートブスバー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017135656A JP6824840B2 (ja) | 2017-07-11 | 2017-07-11 | ラミネートブスバー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017135656A JP6824840B2 (ja) | 2017-07-11 | 2017-07-11 | ラミネートブスバー |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019021664A true JP2019021664A (ja) | 2019-02-07 |
JP6824840B2 JP6824840B2 (ja) | 2021-02-03 |
Family
ID=65353397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017135656A Active JP6824840B2 (ja) | 2017-07-11 | 2017-07-11 | ラミネートブスバー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6824840B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020167311A (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 日本ケミコン株式会社 | バスバー積層体及びそれを備える電子部品実装モジュール、電子部品実装モジュールの製造方法 |
KR20220002518A (ko) | 2020-03-17 | 2022-01-06 | 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 | 래미네이트 버스 바, 전력 변환기, 전력 변환 장치 및 무정전 전원 장치 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6081660U (ja) * | 1983-11-10 | 1985-06-06 | 富士電機株式会社 | ダ−リントントランジスタ |
JPH1198815A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-09 | Hitachi Ltd | 電力変換装置並びに多層積層導体と電気部品接続体 |
JP2000236677A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体スタック |
JP2005130542A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-05-19 | Hitachi Ltd | インバータ装置 |
JP2012005300A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Fuji Electric Co Ltd | ラミネートブスバー |
JP2012095472A (ja) * | 2010-10-28 | 2012-05-17 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置 |
JP2015005573A (ja) * | 2013-06-19 | 2015-01-08 | 富士電機株式会社 | 絶縁ブスバー及びその製造方法 |
JP2017022309A (ja) * | 2015-07-14 | 2017-01-26 | 富士電機株式会社 | 絶縁ブスバーおよび製造方法 |
-
2017
- 2017-07-11 JP JP2017135656A patent/JP6824840B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6081660U (ja) * | 1983-11-10 | 1985-06-06 | 富士電機株式会社 | ダ−リントントランジスタ |
JPH1198815A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-09 | Hitachi Ltd | 電力変換装置並びに多層積層導体と電気部品接続体 |
JP2000236677A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体スタック |
JP2005130542A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-05-19 | Hitachi Ltd | インバータ装置 |
JP2012005300A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Fuji Electric Co Ltd | ラミネートブスバー |
JP2012095472A (ja) * | 2010-10-28 | 2012-05-17 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置 |
JP2015005573A (ja) * | 2013-06-19 | 2015-01-08 | 富士電機株式会社 | 絶縁ブスバー及びその製造方法 |
JP2017022309A (ja) * | 2015-07-14 | 2017-01-26 | 富士電機株式会社 | 絶縁ブスバーおよび製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020167311A (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 日本ケミコン株式会社 | バスバー積層体及びそれを備える電子部品実装モジュール、電子部品実装モジュールの製造方法 |
JP7223266B2 (ja) | 2019-03-29 | 2023-02-16 | 日本ケミコン株式会社 | バスバー積層体及びそれを備える電子部品実装モジュール、電子部品実装モジュールの製造方法 |
KR20220002518A (ko) | 2020-03-17 | 2022-01-06 | 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 | 래미네이트 버스 바, 전력 변환기, 전력 변환 장치 및 무정전 전원 장치 |
US11901721B2 (en) | 2020-03-17 | 2024-02-13 | Toshiba Mitsubishi—Electric Industrial Systems Corporation | Laminated bus bar, power converter, power conversion device, and uninterruptible power supply device |
KR102645318B1 (ko) | 2020-03-17 | 2024-03-07 | 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 | 래미네이트 버스 바, 전력 변환기, 전력 변환 장치 및 무정전 전원 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6824840B2 (ja) | 2021-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4984485B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4660214B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
US9159715B2 (en) | Miniaturized semiconductor device | |
JP2013069782A (ja) | 半導体装置 | |
JP2014082484A (ja) | パワー半導体モジュール | |
WO2018096734A1 (ja) | 半導体モジュール | |
WO2017159029A1 (ja) | 半導体モジュール | |
JP2019021664A (ja) | ラミネートブスバー | |
JP6480856B2 (ja) | 半導体モジュール | |
JP2015115471A (ja) | 電力用半導体装置 | |
US11538725B2 (en) | Semiconductor module arrangement | |
US20200388605A1 (en) | Semiconductor Substrate and Semiconductor Arrangement | |
US11699666B2 (en) | Semiconductor device and power conversion device | |
CN113692697A (zh) | 电子电路单元 | |
JP6898203B2 (ja) | パワー半導体モジュール | |
US11658109B2 (en) | Electronic module | |
JP2016082092A (ja) | 半導体装置 | |
US20180145020A1 (en) | Semiconductor device | |
JP6383614B2 (ja) | コンデンサモジュール及びパワーユニット | |
JP6274019B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20220263425A1 (en) | Electric circuit device | |
CN112309994B (zh) | 半导体模块装置 | |
WO2022038831A1 (ja) | パワー半導体モジュールおよび電力変換装置 | |
JP6274380B1 (ja) | 半導体モジュール | |
JP2022130754A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190906 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200727 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201002 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210112 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210113 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6824840 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |