JP2019016998A - 携帯型電子装置、画像撮影モジュール及び画像検知ユニット - Google Patents
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Abstract
Description
[第1の実施例]
[第2の実施例]
[第3の実施例]
[第4の実施例]
[第5の実施例]
[第6の実施例]
[実施例の効果]
M 画像撮影モジュール
S 画像検知ユニット
1 回路基板
2 画像検知チップ
201 画像検知領域
202 非画像検知領域
3 パッド構造
30 プレハブパッド
301 第1の粘着層
302 第2の粘着層
31 囲み状プレハブパッド
4 フィルタユニット
5 レンズユニット
51 ホルダ構造
52 レンズ構造
6 充填樹脂
B 導電体
W 導線
H、h1、h2 高さ
D 所定距離
R 密閉空間
Claims (10)
- 回路基板と、
前記回路基板に電気的に接続され、上表面に画像検知領域及び前記画像検知領域を取り囲む非画像検知領域を有する画像検知チップと、
前記非画像検知領域に設けられるパッド構造と、
前記パッド構造に設けられることで、前記画像検知チップから所定距離を離間させるフィルタユニットと、
前記回路基板に設けられるホルダ構造と、前記ホルダ構造によって載置されると共に前記画像検知領域に対応するレンズ構造とを備えるレンズユニットとを備えることを特徴とする、画像撮影モジュール。 - 前記パッド構造は、互いに分離すると共に前記非画像検知領域に設けられる複数のプレハブパッドを備え、
複数の前記プレハブパッドは同じ高さを有し、
各前記プレハブパッドの上表面に前記フィルタユニットに接続される第1の粘着層を有し、各前記プレハブパッドの下表面に前記非画像検知領域に接続される第2の粘着層を有し、
前記フィルタユニットに位置する微粒子が前記画像検知チップの前記画像検知領域に撮像されることを回避するように、前記フィルタユニットの前記画像検知チップからの前記所定距離は前記プレハブパッドの高さ、前記第1の粘着層の高さ、及び前記第2の粘着層の高さの三者の合算に等しく、
前記プレハブパッドはガラス、シリコンウェーハ及び半導体チップのうちの一方であり、
前記第1の粘着層と前記第2の粘着層は接着剤又は粘着テープであり、
前記フィルタユニットは被覆ガラス又は非被覆ガラスであることを特徴とする、請求項1に記載の画像撮影モジュール。 - 前記画像検知チップと前記フィルタユニットとの間に取り囲んで設けられると共に複数の前記プレハブパッドに接続されることで、前記画像検知チップと前記フィルタユニットとの間に位置すると共に前記画像検知領域を保護する密閉空間を形成する充填樹脂を更に備え、
前記画像検知チップは前記回路基板の下表面に設けられ、複数の導電体により前記回路基板に電気的に接続されることを特徴とする、請求項2に記載の画像撮影モジュール。 - 前記画像検知チップと前記フィルタユニットとの間に取り囲んで設けられると共に複数の前記プレハブパッドに接続されることで、前記画像検知チップと前記フィルタユニットとの間に位置すると共に前記画像検知領域を保護する密閉空間を形成する充填樹脂を更に備え、
前記画像検知チップは前記回路基板の上表面に設けられ、複数の導線により前記回路基板に電気的に接続されることを特徴とする、請求項2に記載の画像撮影モジュール。 - 前記画像検知チップと前記フィルタユニットとの間に取り囲んで設けられると共に複数の前記プレハブパッドに接続されることで、前記画像検知チップと前記フィルタユニットとの間に位置すると共に前記画像検知領域を保護する密閉空間を形成する充填樹脂を更に備え、
前記画像検知チップは前記回路基板の上表面に設けられ、複数の導電体により前記回路基板に電気的に接続されることを特徴とする、請求項2に記載の画像撮影モジュール。 - 上表面に画像検知領域及び前記画像検知領域を取り囲む非画像検知領域を有する画像検知チップと、
前記非画像検知領域に設けられるパッド構造と、
前記パッド構造に設けられることで、前記画像検知チップから所定距離を離間させるフィルタユニットと、
を備えることを特徴とする、画像検知ユニット。 - 前記パッド構造は、前記非画像検知領域に設けられると共に前記画像検知領域を取り囲む囲み状プレハブパッドを備え、
前記囲み状プレハブパッドは均一な高さを有することを特徴とする、請求項6に記載の画像検知ユニット。 - 画像撮影モジュールを備える携帯型電子装置であって、
前記画像撮影モジュールは、
回路基板と、
前記回路基板に電気的に接続され、上表面に画像検知領域及び前記画像検知領域を取り囲む非画像検知領域を有する画像検知チップと、
前記非画像検知領域に設けられるパッド構造と、
前記パッド構造に設けられることで、前記画像検知チップから所定距離を離間させるフィルタユニットと、
前記回路基板に設けられるホルダ構造と、前記ホルダ構造によって載置されると共に前記画像検知領域に対応するレンズ構造と、を備えるレンズユニットと、
を備えることを特徴とする、携帯型電子装置。 - 前記パッド構造は、互いに分離すると共に前記非画像検知領域に設けられる複数のプレハブパッドを備え、
複数の前記プレハブパッドは同じ高さを有し、
各前記プレハブパッドの上表面に前記フィルタユニットに接続される第1の粘着層を有し、各前記プレハブパッドの下表面に前記非画像検知領域に接続される第2の粘着層を有し、
前記フィルタユニットに位置する微粒子が前記画像検知チップの前記画像検知領域に撮像されることを回避するように、前記フィルタユニットの前記画像検知チップからの前記所定距離は前記プレハブパッドの高さ、前記第1の粘着層の高さ、及び前記第2の粘着層の高さの三者の合算に等しく、
前記プレハブパッドはガラス、シリコンウェーハ及び半導体チップのうちの一方であり、
前記第1の粘着層と前記第2の粘着層は接着剤又は粘着テープであり、
前記フィルタユニットは被覆ガラス又は非被覆ガラスであることを特徴とする、請求項8に記載の携帯型電子装置。 - 前記画像検知チップと前記フィルタユニットとの間に取り囲んで設けられると共に複数の前記プレハブパッドに接続されることで、前記画像検知チップと前記フィルタユニットとの間に位置すると共に前記画像検知領域を保護する密閉空間を形成する充填樹脂を更に備えることを特徴とする、請求項9に記載の携帯型電子装置。
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CN110412709A (zh) * | 2018-04-28 | 2019-11-05 | 三赢科技(深圳)有限公司 | 镜头模组及该镜头模组的组装方法 |
KR102401776B1 (ko) * | 2018-09-21 | 2022-05-25 | 닝보 세미컨덕터 인터내셔널 코포레이션 (상하이 브랜치) | 이미지 센서 모듈 및 이의 제조 방법 |
CN111554698B (zh) * | 2020-03-27 | 2023-05-23 | 广州立景创新科技有限公司 | 图像获取组件及其制备方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005181541A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Fujinon Corp | 撮像装置 |
JP2005259208A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Kitano Engineering Co Ltd | 合体ディスク基板の分離方法及びそのための分離装置 |
JP2006005211A (ja) * | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Iwate Toshiba Electronics Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2006287533A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Sharp Corp | 光学装置用モジュール |
JP2007194930A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2009003073A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Hitachi Maxell Ltd | カメラモジュール、台座マウント及び撮像装置 |
JP2010213034A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 撮像装置 |
JP2011187482A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Sharp Corp | 固体撮像装置、光学装置用モジュール、及び固体撮像装置の製造方法 |
JP2014057231A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Ricoh Co Ltd | 撮像装置 |
JP2014175465A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Sony Corp | 半導体装置、製造方法、電子機器 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060001196A (ko) * | 2004-06-30 | 2006-01-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법 |
US7645635B2 (en) * | 2004-08-16 | 2010-01-12 | Micron Technology, Inc. | Frame structure and semiconductor attach process for use therewith for fabrication of image sensor packages and the like, and resulting packages |
CN101094316A (zh) * | 2006-06-19 | 2007-12-26 | 大瀚光电股份有限公司 | 超薄型ccm封装结构及其封装方法 |
KR100818546B1 (ko) | 2006-07-31 | 2008-04-01 | 하나 마이크론(주) | 이미지 센서 패키지 및 이의 제조방법 |
US9009220B2 (en) * | 2011-10-14 | 2015-04-14 | Mimecast North America Inc. | Analyzing stored electronic communications |
TW201508367A (zh) * | 2013-08-22 | 2015-03-01 | Lite On Technology Corp | 用於降低組裝傾角的影像擷取模組 |
US9225887B1 (en) * | 2014-08-11 | 2015-12-29 | Lite-On Technology Corporation | Image capturing module for reducing assembly tilt |
US10890733B2 (en) * | 2015-04-06 | 2021-01-12 | Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. | Image sensor module with auto focus control |
KR20160132745A (ko) | 2015-05-11 | 2016-11-21 | 삼성전기주식회사 | 전자 모듈과 그 제조 방법 및 이를 구비하는 카메라 모듈 |
TWI647828B (zh) * | 2017-07-10 | 2019-01-11 | 海華科技股份有限公司 | 可攜式電子裝置及其影像擷取模組與影像感測組件 |
-
2017
- 2017-07-10 TW TW106123045A patent/TWI647828B/zh active
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005181541A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Fujinon Corp | 撮像装置 |
JP2005259208A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Kitano Engineering Co Ltd | 合体ディスク基板の分離方法及びそのための分離装置 |
JP2006005211A (ja) * | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Iwate Toshiba Electronics Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2006287533A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Sharp Corp | 光学装置用モジュール |
JP2007194930A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2009003073A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Hitachi Maxell Ltd | カメラモジュール、台座マウント及び撮像装置 |
JP2010213034A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 撮像装置 |
JP2011187482A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Sharp Corp | 固体撮像装置、光学装置用モジュール、及び固体撮像装置の製造方法 |
JP2014057231A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Ricoh Co Ltd | 撮像装置 |
JP2014175465A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Sony Corp | 半導体装置、製造方法、電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN207124192U (zh) | 2018-03-20 |
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