JP2019016789A - 液体混合物および液体混合物を用いて基板をエッチングするための方法 - Google Patents
液体混合物および液体混合物を用いて基板をエッチングするための方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019016789A JP2019016789A JP2018126453A JP2018126453A JP2019016789A JP 2019016789 A JP2019016789 A JP 2019016789A JP 2018126453 A JP2018126453 A JP 2018126453A JP 2018126453 A JP2018126453 A JP 2018126453A JP 2019016789 A JP2019016789 A JP 2019016789A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid mixture
- substrate
- range
- etching
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 128
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 122
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 30
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 17
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- -1 aqua regia Chemical compound 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N Nitrous acid Chemical compound ON=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000218 acetic acid group Chemical group C(C)(=O)* 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000004334 fluoridation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/061—Shaping switching materials
- H10N70/063—Shaping switching materials by etching of pre-deposited switching material layers, e.g. lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
- H10N70/245—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies the species being metal cations, e.g. programmable metallization cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8833—Binary metal oxides, e.g. TaOx
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Weting (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】プラズマ損傷部分および/または汚染部分を除去するのに用いられるエッチングプロセスは、基板の他の露出材料に対して十分に選択的ではない。つまり、エッチングプロセスがプラズマ損傷部分および/または汚染部分を十分にエッチングするときは、所望するより多くの厚さの他の露出材料もエッチングする。【解決手段】基板をエッチングするための液体混合物は、液体混合物の15〜70質量%の範囲の酢酸と、液体混合物の5〜50質量%の範囲の硝酸と、液体混合物の8〜50質量%の範囲の硫酸と、液体混合物の0〜30質量%の範囲の水とを含む。【選択図】図2
Description
本開示は、基板処理システムに関し、特に、液体混合物、ならびに、液体混合物を用いて基板のプラズマ損傷部分および/または汚染部分をエッチングするための方法に関する。
本明細書で提供される背景技術の説明は、開示内容を一般的に提示するためである。本背景技術欄で説明される範囲において、現在名前を挙げられた発明者の発明は、出願時に先行技術と見なされない説明の態様と共に、明示または黙示を問わず本開示に対する先行技術として認められない。
基板処理システムは、半導体ウエハなどの基板上に材料を堆積させ、その材料をエッチングし、あるいはその材料を処理するのに用いられる。エッチングプロセスの例には、ドライエッチング、気相エッチング、および/または、ウェットエッチングが含まれる。処理時には、基板のいくつかの層は、プラズマによって損傷される、および/または、先行するプロセス工程で用いられる化学物質によって汚染される可能性がある。
処理時に基板の1つ以上の層がプラズマ損傷および/または汚染されたときは、基板のプラズマ損傷部分および/または汚染部分を除去するのにエッチングプロセスが用いられてよい。プラズマ損傷部分および/または汚染部分を除去するのに用いられるエッチングプロセスは、基板の他の露出材料に対して十分に選択的ではない。つまり、エッチングプロセスがプラズマ損傷部分および/または汚染部分を十分にエッチングするときは、所望するより多くの厚さの他の露出材料もエッチングする。
基板をエッチングするための液体混合物は、液体混合物の15〜70質量%の範囲の酢酸と、液体混合物の5〜50質量%の範囲の硝酸と、液体混合物の8〜50質量%の範囲の硫酸と、液体混合物の0〜30質量%の範囲の水と、を含む。
他の特徴では、液体混合物は、さらに、液体混合物の0.05〜1質量%の範囲のフッ化水素酸を含む。フッ化水素酸の濃度は、液体混合物の0.1〜0.5質量%の範囲である。酢酸の濃度は、液体混合物の20〜60質量%の範囲である。硝酸の濃度は、液体混合物の15〜40質量%の範囲である。
他の特徴では、硫酸の濃度は、液体混合物の10〜40質量%の範囲である。水は、液体混合物の0〜20質量%を含む。
基板をエッチングするための方法は、基板を提供することと、基板上に液体混合物を分注して基板をエッチングすることと、を含む。
他の特徴では、基板は、酸化タンタル層を含む。液体混合物は、予め定められた厚さの酸化タンタル層をエッチングする。基板は、抵抗ランダムアクセスメモリセルを含む。
基板をエッチングするための方法は、基板をスピンチャック上に配置することと、スピンチャックを用いて基板を回転させることと、基板上に液体混合物を分注して基板をエッチングすることと、を含む。
基板をエッチングするための方法は、基板を提供することと、液体混合物をフッ化水素酸と混ぜ合わせて第2の液体混合物を生成することと、基板上に第2の液体混合物を分注して基板をエッチングすることと、を含む。
他の特徴では、フッ化水素酸の濃度は、第2の液体混合物の0.05〜1質量%の範囲である。フッ化水素酸の濃度は、第2の液体混合物の0.1〜0.5質量%の範囲である。
基板をウェットエッチングするための方法は、基板をスピンチャック上に配置することと、スピンチャックを用いて基板を回転させることと、液体混合物をフッ化水素酸と混ぜ合わせて第2の液体混合物を生成することと、第2の液体混合物を基板上に分注して基板をエッチングすることと、を含む。
他の特徴では、フッ化水素酸の濃度は、第2の液体混合物の0.05〜1質量%の範囲である。フッ化水素酸の濃度は、第2の液体混合物の0.1〜0.5質量%の範囲である。
本開示の利用可能性のさらなる分野は、発明を実施するための形態、特許請求の範囲、および図面から明らかになろう。発明を実施するための形態および特定の例は、例示のみを目的とし、開示の範囲を限定する意図はない。
本開示は、発明を実施するための形態および添付の図面からより詳細に理解されるだろう。
図面では、類似および/または同一の要素を確認するために参照番号は再利用されてよい。
本開示は、基板層のプラズマ損傷部分および/または汚染部分をエッチングするための液体混合物に関する。例えば、いくつかの用途では、酸化タンタル層の上部は、プラズマ損傷する、および/または、1つ以上の事前処理工程からのハロゲン種(塩素など)で汚染される。
硝酸(HNO3)およびフッ化水素酸(HF)の液体混合物は、酸化タンタル層のプラズマ損傷部分または汚染部分を除去するのに用いられうる。しかし、ウェットエッチング時における亜硝酸(HNO2)の形成によって、液体混合物のエッチング速度および再現性を制御することに問題がある。過酸化水素(H2O2)などの酸化剤なしの液体混合物、または、異なる酸化剤が含まれる液体混合物では、酸化タンタルの不十分な除去が見られる。王水などのHFなしの混合物では、酸化タンタルの不十分な除去が見られる。
処理時における酸化タンタル層のプラズマ損傷部分および/または汚染部分の除去は、動作時のデータ保持期間を向上させる。そのため、基板の他の露出材料の損傷および/または除去を制限しつつ、酸化タンタル層のプラズマ損傷部分および/または汚染部分が除去されることが望ましい。
例示のみでは、他の露出材料には、ハードマスク材料(化学気相堆積(CVD)酸化ハードマスクなど)、五酸化タンタル(Ta2O5)、窒化チタン(TiN)、および、イリジウム(Ir)、窒化チタン(TiN)、または他の材料などの電極材料が含まれてよい。いくつかの例では、本開示による液体混合物は、200オングストローム(A)未満または180オングストローム未満のCVD酸化シリコンを除去しつつ、約30オングストロームの酸化タンタルを除去する。つまり、本例では、酸化タンタルに対するCVD酸化物のエッチング選択比は、それぞれ約7:1または約6:1未満に制限される。いくつかの例では、液体混合物が基板の表面上に分注される間、スピンチャックは、基板を回転させるのに用いられてよい。
いくつかの例では、液体混合物は、酢酸、硝酸、硫酸、水、および、フッ化水素酸を含む。酢酸、硝酸、および、硫酸は予混合されることができ、フッ化水素酸は、液体混合物をスピンチャック上に分注する前に、混合システムによって液体混合物と混合されてよい。あるいは、酢酸、硝酸、硫酸、および、フッ化水素酸は、予混合されうる。
いくつかの例では、液体混合物は、液体混合物の15〜70質量%の範囲の酢酸と、液体混合物の5〜50質量%の範囲の硝酸と、液体混合物の8〜50質量%の範囲の硫酸と、液体混合物の0〜30質量%の範囲の水と、を含む。質量%で示される濃度は、分析濃度である。
いくつかの例では、液体混合物は、フッ化水素酸をさらに含む。フッ化水素酸は、スピンチャックにおいて基板上に分注される前に、予混合されうる、または、液体混合物と混合されうる。いくつかの例では、フッ化水素酸は、液体混合物の0.05〜1質量%の範囲である。他の例では、フッ化水素酸は、液体混合物の0.1〜0.5質量%の範囲である。
他の例では、酢酸は、液体混合物の20〜60質量%の範囲であり、硝酸は、液体混合物の15〜40質量%の範囲であり、硫酸は、液体混合物の10〜40質量%の範囲であり、および/または、水は、液体混合物の0〜20質量%の範囲である。
以下の説明では、液体混合物を分注するためのスピンチャックの例が図1Aおよび図1Bに示されている。図2には、液体混合物を用いるための方法の例が示され説明されている。図3Aおよび図3Bには、処理されうる酸化タンタルを含む基板の例が示されている。いくつかの例が示されているが、液体混合物は、他の種類の材料および/または他の種類の基板をエッチングするのに用いられうる。また、液体混合物は、他の種類の装置を用いて分注されうる。
図1Aおよび図1Bを参照すると、スピンチャック50が示されている。スピンチャック50は、液体混合物を供給して、他の材料の除去を制限しつつ、プラズマ損傷したおよび/または汚染した層の部分を選択的にエッチングするのに用いられてよい。図1Aでは、スピンチャック50は、処理チャンバ52と、基板58を支持する回転可能なチャック56を備える。モータ60は、回転可能なチャック56に接続されたシャフト62を回転させる。モータ60が回転可能なチャック56に接続されたシャフト62を回転させながら、液体供給アーム64およびノズル66は、液体を基板58の表面に供給する。弁72は、脱イオン(DI)水、上述の液体混合物、および/または、液体供給部74からの他の液体など、1種以上の液体の供給を制御する。制御装置76は、エッチング時に、モータ60、モータ70、および弁72を制御するのに用いられてよい。図1Bでは、液体供給アーム64の回転位置は、モータ70を用いて分注位置から点線で示される収納位置に調整されてよい。特定のスピンチャックが示されているが、他の種類のスピンチャック、または、他の液体混合物塗布方法が用いられうる。
図2を参照すると、基板をウェットエッチングするための方法100は、基板を提供することと、110においてスピンチャック上に基板を配置することと、を含む。いくつかの例では、基板は、酸化タンタルなどのプラズマ損傷材料および/または汚染材料、ならびに、少なくとも1つの他の露出材料を含む。この方法は、114においてスピンチャックを用いて基板を回転させることを含む。118では、この方法は、基板の表面上に液体混合物を塗布することを含む。液体混合物は、酸化タンタルなどのプラズマ損傷材料および/または汚染材料を選択的にエッチングする。いくつかの例では、基板58は、脱イオン(DI)水などの水との液体混合物を用いたエッチング後に、120において洗浄される。洗浄後、基板58は、122において乾燥されてよい。
いくつかの例では、回転可能なチャック56は、50rpm以上の速度で回転される。他の例では、回転可能なチャック56は、300rpm以上の速度で回転される。他の例では、回転可能なチャック56は、1000rpmの速度で回転される。いくつかの例では、液体混合物は、自由流動液体として基板56の上に分注される。いくつかの例では、液体混合物は、10〜40℃の範囲の温度(例えば、25℃)で分注される。
一例では、液体混合物は、液体混合物の54質量%の酢酸と、液体混合物の19.8質量%の硝酸と、液体混合物の15質量%の硫酸と、液体混合物の0.2質量%のフッ化水素酸と、液体混合物の11質量%の水とを含む。
別の例では、液体混合物は、液体混合物の31.9質量%の酢酸と、液体混合物の29質量%の硝酸と、液体混合物の24質量%の硫酸と、液体混合物の0.1質量%のフッ化水素酸と、液体混合物の15質量%の水とを含む。
図3Aおよび図3Bを参照すると、上述の液体混合物は、抵抗ランダムアクセスメモリ(ReRAM)セル210の酸化タンタル層をエッチングするのに用いられてよい。ReRAMセル210は、抵抗素子スタック214、電源ライン216、ビットライン218、スイッチングトランジスタ220、および、接続部222を備える。抵抗素子スタック214は、上部電極224、下部電極226、第1の層228、および、第2の層230を備えてよい。第1の層228は、酸化タンタル(TaOy)を含み、下部電極226に隣接して配置される。第2の層230は、上部電極224と第1の層228との間に配置される。第2の層230は、五酸化タンタル(Ta2O5)を含む。
動作時に、負電荷を上部電極に印加して第2の層230への酸素イオンの移動を引き起こすことによって、第1の抵抗状態が設定される。第2の抵抗状態は、正電荷を上部電極に印加して第1の層228への酸素イオンの移動を引き起こすことによって設定される。第1の抵抗状態は、第2の抵抗状態よりも高い抵抗値を有する。
ReRAMセル210の処理時に、第1の層228および/または第2の層230はエッチングされて、プラズマ損傷部分または汚染部分が除去される。処理時にプラズマ損傷したおよび/または汚染された酸化タンタルを除去することで、ReRAMメモリセル210のデータ保持期間が向上する。
前述の説明は、本質的に単なる例示であり、本開示、その適用、または使用を決して限定する意図はない。本開示の広範の教示は、様々な形式で実施されうる。そのため、本開示は特定の例を含むが、図面、明細書、および以下の請求項を見ると他の変更が明らかになるため、本開示の真の範囲はそれほど限定されるべきでない。方法の範囲内の1つ以上の工程は、本開示の本質を変更することなく異なる順序で(または同時に)実行されてよいことを理解されたい。さらに、各実施形態は特定の特徴を有すると上述されているが、本開示の実施形態に関して記載された1つ以上のそれらの特徴は、他の実施形態において、および/または、他の実施形態の特徴と組み合わせて(その組み合わせが明記されていなくても)実施されうる。つまり、記載の実施形態は互いに排他的ではなく、1つ以上の実施形態の互いの順列は、本開示の範囲内にある。
要素間(例えば、モジュール間、回路素子間、半導体層間など)の空間関係および機能関係は、「接続された」、「係合された」、「結合された」、「近接する」、「隣接する」、「上に」、「上方に」、「下方に」、および「配された」を含む様々な用語を用いて説明される。「直接的」と明記されない限り、第1の要素と第2の要素との間の関係が上記の開示に説明されるときは、その関係は、第1の要素と第2の要素との間に他の介在要素が存在しない場合は直接的関係でありうるが、第1の要素と第2の要素との間に1つ以上の介在要素が(空間的または機能的に)存在する場合は、間接的関係でもありうる。本明細書では、A、B、およびCのうち少なくとも1つ、との表現は、非排他的な論理であるまたはを用いる論理(AまたはBまたはC)を意味すると解釈されるべきであり、「少なくとも1つのA、少なくとも1つのB、および少なくとも1つのC」を意味すると解釈されるべきでない。
Claims (17)
- 基板をエッチングするための液体混合物であって、
前記液体混合物の15〜70質量%の範囲の酢酸と、
前記液体混合物の5〜50質量%の範囲の硝酸と、
前記液体混合物の8〜50質量%の範囲の硫酸と、
前記液体混合物の0〜30質量%の範囲の水と、
を含む、液体混合物。 - 請求項1に記載の液体混合物であって、
前記液体混合物は、さらに、前記液体混合物の0.05〜1質量%の範囲のフッ化水素酸を含む、液体混合物。 - 請求項1に記載の液体混合物であって、
前記液体混合物は、さらに、前記液体混合物の0.1〜0.5質量%の範囲のフッ化水素酸を含む、液体混合物。 - 請求項1に記載の液体混合物であって、
酢酸の濃度は、前記液体混合物の20〜60質量%の範囲である、液体混合物。 - 請求項1に記載の液体混合物であって、
硝酸の濃度は、前記液体混合物の15〜40質量%の範囲である、液体混合物。 - 請求項1に記載の液体混合物であって、
硫酸の濃度は、前記液体混合物の10〜40質量%の範囲である、液体混合物。 - 請求項1に記載の液体混合物であって、
前記水は、前記液体混合物の0〜20質量%を含む、液体混合物。 - 基板をエッチングするための方法であって、
前記基板を提供することと、
請求項1に記載の前記液体混合物を前記基板上に分注して前記基板をエッチングすることと、
を含む、方法。 - 請求項8に記載の方法であって、
前記基板は、酸化タンタル層を含み、前記液体混合物は、予め定められた厚さの前記酸化タンタル層をエッチングする、方法。 - 請求項8に記載の方法であって、
前記基板は、抵抗ランダムアクセスメモリセルを備える、方法。 - 基板をエッチングするための方法であって、
前記基板をスピンチャック上に配置することと、
前記スピンチャックを用いて前記基板を回転させることと、
請求項1に記載の前記液体混合物を前記基板上に分注して前記基板をエッチングすることと、
を含む、方法。 - 基板をエッチングするための方法であって、
前記基板を提供することと、
請求項1に記載の前記液体混合物をフッ化水素酸と混ぜ合わせて第2の液体混合物を生成することと、
前記第2の液体混合物を前記基板上に分注して前記基板をエッチングすることと、
を含む、方法。 - 請求項12に記載の方法であって、
前記フッ化水素酸の濃度は、前記第2の液体混合物の0.05〜1質量%の範囲である、方法。 - 請求項12に記載の方法であって、
前記フッ化水素酸の濃度は、前記第2の液体混合物の0.1〜0.5質量%の範囲である、方法。 - 基板をウェットエッチングするための方法であって、
前記基板をスピンチャック上に配置することと、
前記スピンチャックを用いて前記基板を回転させることと、
請求項1に記載の前記液体混合物をフッ化水素酸と混ぜ合わせて第2の液体混合物を生成することと、
前記第2の液体混合物を前記基板上に分注して前記基板をエッチングすることと、
を含む、方法。 - 請求項15に記載の方法であって、
前記フッ化水素酸の濃度は、前記第2の液体混合物の0.05〜1質量%の範囲である、方法。 - 請求項16に記載の方法であって、
前記フッ化水素酸の濃度は、前記第2の液体混合物の0.1〜0.5質量%の範囲である、方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/642,951 | 2017-07-06 | ||
US15/642,951 US20190010397A1 (en) | 2017-07-06 | 2017-07-06 | Liquid mixture and method for etching a substrate using the liquid mixture |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019016789A true JP2019016789A (ja) | 2019-01-31 |
Family
ID=64904494
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018126453A Pending JP2019016789A (ja) | 2017-07-06 | 2018-07-03 | 液体混合物および液体混合物を用いて基板をエッチングするための方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190010397A1 (ja) |
JP (1) | JP2019016789A (ja) |
SG (1) | SG10201805523YA (ja) |
TW (1) | TW201930558A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111363551B (zh) * | 2020-03-19 | 2021-11-30 | 常州星海电子股份有限公司 | 超大功率光阻玻璃芯片刻蚀用腐蚀液及腐蚀工艺 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5050850B2 (ja) * | 2005-06-24 | 2012-10-17 | 三菱瓦斯化学株式会社 | メタル材料用エッチング剤組成物およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
US8314022B1 (en) * | 2011-05-20 | 2012-11-20 | Intermolecular, Inc. | Method for etching gate stack |
US9054303B2 (en) * | 2012-06-21 | 2015-06-09 | Fudan University | Metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure integrated with a resistance random access memory (RRAM) and the manufacturing methods thereof |
US20150170923A1 (en) * | 2013-12-18 | 2015-06-18 | Intermolecular, Inc. | Feature Size Reduction in Semiconductor Devices by Selective Wet Etching |
US10818705B2 (en) * | 2016-03-18 | 2020-10-27 | Ricoh Company, Ltd. | Method for manufacturing a field effect transistor, method for manufacturing a volatile semiconductor memory element, method for manufacturing a non-volatile semiconductor memory element, method for manufacturing a display element, method for manufacturing an image display device, and method for manufacturing a system |
-
2017
- 2017-07-06 US US15/642,951 patent/US20190010397A1/en not_active Abandoned
-
2018
- 2018-06-27 SG SG10201805523YA patent/SG10201805523YA/en unknown
- 2018-07-02 TW TW107122715A patent/TW201930558A/zh unknown
- 2018-07-03 JP JP2018126453A patent/JP2019016789A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201930558A (zh) | 2019-08-01 |
SG10201805523YA (en) | 2019-02-27 |
US20190010397A1 (en) | 2019-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7343543B2 (ja) | 高アスペクト比の構造体のための除去方法 | |
TWI815007B (zh) | 使用對刺激敏感的犧牲性支撐材料的基板處理系統及方法 | |
TW201905959A (zh) | 基板處理方法以及基板處理裝置 | |
KR101787514B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
TWI666697B (zh) | 基板處理方法、基板處理裝置及記憶媒體 | |
TWI773741B (zh) | 用以選擇性溼蝕刻矽化鍺之液態混合物及方法 | |
WO2015147237A1 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2019016789A (ja) | 液体混合物および液体混合物を用いて基板をエッチングするための方法 | |
JP6032878B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
TW202328496A (zh) | 釕的濕式原子層蝕刻方法 | |
JP6195788B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2002353182A (ja) | 半導体装置の洗浄方法および洗浄装置、ならびに半導体装置の製造方法 | |
US20020127859A1 (en) | Compositions and methods for the selective etching of polysilicon for wafer reclamation | |
JP2001015477A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP7201494B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2002100603A (ja) | シリコン残渣除去方法 | |
JP2006351805A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6985987B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2009290170A (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法 | |
JPH07201854A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20090055861A (ko) | 웨이퍼 식각 방법 |