JP2019012803A - 半導体装置 - Google Patents
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Description
<装置構成>
なお、以下の説明では、不純物の導電型に関して、n型を「第1導電型」、p型を「第2導電型」として一般的に定義するが、その逆の定義でも構わない。
次に、製造工程を順に示す断面図である図3〜図7を用いて、実施の形態1のIGBT100の製造方法について説明する。なお、以下においてはIGBT100はSiC−IGBTとして説明する。
以下、図9〜図11を用いてIGBT100の動作について説明する。図9は、ゲート酸化膜における電界強度に対する保護ベース層4の影響を確認するためのテストモデルの構成を示す断面図である。図9に示すテストモデルは、隣り合う2つ以上のベース層3と隣り合う2つ以上の保護ベース層4とを有する構成となっている。
図1に示したIGBT100では平板状のゲート電極8が複数の保護ベース層4上を覆う構成となっていたが、図12に示すIGBT100Aのようにゲート電極8が保護ベース層4上で分割されていても良い。
図12に示したIGBT100Aではゲート電極8が保護ベース層4上で分割されていたが、図13に示すIGBT100Bのように、隣り合う保護ベース層4間上にはゲート電極81ではなくエミッタ電極91を設けても良い。
図14は実施の形態2のプレーナゲート型のIGBT200の構成を示す部分断面図である。なお、図14においては、図1を用いて説明したIGBT100と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
<装置構成>
図15は実施の形態3のプレーナゲート型のIGBT300の構成を示す部分断面図である。なお、図15においては、図1を用いて説明したIGBT100と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
図16は、シミュレーションによる隣り合うベース層3間の間隔L1に対するベース層3と保護ベース層4との間隔L2に対する比率であるL2/L1を小さくした場合のゲート酸化膜7の電界強度の変化を示す図であり、横軸に間隔比率L2/L1を示し、縦軸に酸化膜の電界強度(任意単位)を示している。図16では、ベース層3とベース層3との間上のゲート酸化膜7の電界強度の変化を特性F11として表し、ベース層3と保護ベース層4との間上のゲート酸化膜7の電界強度の変化を特性F12として表している。
図15に示したIGBT300では平板状のゲート電極81が保護ベース層4上から二組のベース層の組のそれぞれのベース層3の端縁部上にかけて設けられていたが、図17に示すIGBT300Aのようにゲート電極81が保護ベース層4上で分割されていても良い。
図15に示したIGBT300では平板状のゲート電極81(第2の電極)が保護ベース層4上から二組のベース層の組のそれぞれのベース層3の端縁部上にかけて設けられていたが、図18に示すIGBT300Aのようにゲート電極81の代わりにエミッタ電極91(第2の電極)を設けても良い。なお、ゲート電極8およびエミッタ電極91を「電極」と呼称する場合もある。
図15に示したIGBT300においては、二組のベース層の組の間に保護ベース層4を1つ設けた構成を示したが、この保護ベース層4を分割して2つ以上の保護ベース層4が配置された構成としても良い。
Claims (10)
- 第1導電型の半導体層と、
前記半導体層の第1の主面側の上層部に選択的に設けられた第2導電型の複数の第1のベース層と、
前記半導体層の上層部に選択的に設けられ、少なくとも1つが前記第1のベース層と隣り合う第2導電型の複数の第2のベース層と、
前記第1のベース層の上層部に選択的に設けられた第1導電型のエミッタ層と、
前記半導体層の第2の主面上に設けられた第2導電型のコレクタ層と、
少なくとも、隣り合う前記第2のベース層の端縁部間上および前記第1のベース層と前記第2のベース層の端縁部間上を覆うようにゲート酸化膜を介して設けられた電極と、
前記エミッタ層に接するように設けられたエミッタ電極と、
前記コレクタ層に接するように設けられたコレクタ電極と、を備え、
前記電極は、隣り合う前記第2のベース層の端縁部間上においてはゲート電極として機能せず、
前記第2のベース層の電位は浮遊電位であって、
隣り合う前記第2のベース層間の第1の間隔が前記第1のベース層と前記第2のベース層の第2の間隔より小さく設定される、半導体装置。 - 前記電極は、
前記第1のベース層と前記第2のベース層の端縁部間上に前記ゲート酸化膜を介して設けられた第1の電極と、
隣り合う前記第2のベース層の端縁部間上に前記ゲート酸化膜を介して設けられた第2の電極と、を含み、
前記第1および第2の電極は、互いに間隔を開けて配置され、
前記第1および第2の電極は、ゲート電圧が与えられる、請求項1記載の半導体装置。 - 前記電極は、
前記第1のベース層と前記第2のベース層の端縁部間上に前記ゲート酸化膜を介して設けられた第1の電極と、
隣り合う前記第2のベース層の端縁部間上に前記ゲート酸化膜を介して設けられた第2の電極と、を含み、
前記第1および第2の電極は、互いに間隔を開けて配置され、
前記第1の電極は、ゲート電圧が与えられ、
前記第2の電極は、エミッタ電位に接続される、請求項1記載の半導体装置。 - 前記電極は、
前記第1のベース層と前記第2のベース層の端縁部間上に前記ゲート酸化膜を介して設けられた第1の電極と、
少なくとも複数の前記第2のベース層の上部に渡るように前記ゲート酸化膜を介して設けられた第2の電極と、を含み、
前記第1および第2の電極は、互いに間隔を開けて配置され、
前記第1の電極は、ゲート電圧が与えられ、
前記第2の電極は、エミッタ電位に接続される、請求項1記載の半導体装置。 - 第1導電型の半導体層と、
前記半導体層の第1の主面側の上層部に選択的に隣り合って設けられた、第2導電型の複数の第1のベース層と、
前記半導体層の上層部に選択的に少なくとも1つ設けられ、前記第1のベース層と隣り合う第2導電型の第2のベース層と、
前記第1のベース層の上層部に選択的に設けられた第1導電型のエミッタ層と、
前記半導体層の第2の主面上に設けられた第2導電型のコレクタ層と、
隣り合う前記第1のベース層の端縁部間上を覆うようにゲート酸化膜を介して設けられた第1の電極と
少なくとも前記第1のベース層と前記第2のベース層の端縁部間上を覆うようにゲート酸化膜を介して設けられた第2の電極と、
前記エミッタ層に接するように設けられたエミッタ電極と、
前記コレクタ層に接するように設けられたコレクタ電極と、を備え、
前記第1の電極はゲート電極として機能し、
前記第2の電極はゲート電極として機能せず、
前記第2のベース層の電位は浮遊電位であって、
前記第1のベース層と前記第2のベース層の第1の間隔が隣り合う前記第1のベース層間の第2の間隔より小さく設定される、半導体装置。 - 前記第2の間隔に対する前記第1の間隔の比が0.6以上、0.9以下である、請求項1または請求項5記載の半導体装置。
- 前記第1および第2の電極は、互いに間隔を開けて配置され、
前記第1および第2の電極は、ゲート電圧が与えられる、請求項5記載の半導体装置。 - 前記第2の電極は、
前記第1のベース層と前記第2のベース層の端縁部間上のみに前記ゲート酸化膜を介して設けられる、請求項7記載の半導体装置。 - 前記第1および第2の電極は、互いに間隔を開けて配置され、
前記第1の電極は、ゲート電圧が与えられ、
前記第2の電極は、エミッタ電位に接続される、請求項5記載の半導体装置。 - 前記半導体層は、炭化珪素の半導体層である、請求項1から請求項9の何れか1項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2017130054A JP6771433B2 (ja) | 2017-07-03 | 2017-07-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2017130054A JP6771433B2 (ja) | 2017-07-03 | 2017-07-03 | 半導体装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019012803A true JP2019012803A (ja) | 2019-01-24 |
JP6771433B2 JP6771433B2 (ja) | 2020-10-21 |
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JP6962511B1 (ja) * | 2020-05-29 | 2021-11-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、及び電力変換装置 |
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