JP2019012711A - 不揮発性メモリ素子、不揮発性メモリおよび不揮発性メモリの制御方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】消費電力の低い不揮発性メモリ素子を提供する。
【解決手段】電極層24,26を、ビスマスフェライト層22を形成するビスマスフェライトの結晶の主軸(c軸)と垂直な方向からビスマスフェライト層22を挟むように配置して、ビスマスフェライト層22に接続する。電極層24,26との間に電圧を印加して、ビスマスフェライトの結晶の主軸と垂直な方向の電場をビスマスフェライト層22に印加することにより、データを書き込むことができ、消費電力の低い不揮発性メモリを提供することができる。
【選択図】図1
【解決手段】電極層24,26を、ビスマスフェライト層22を形成するビスマスフェライトの結晶の主軸(c軸)と垂直な方向からビスマスフェライト層22を挟むように配置して、ビスマスフェライト層22に接続する。電極層24,26との間に電圧を印加して、ビスマスフェライトの結晶の主軸と垂直な方向の電場をビスマスフェライト層22に印加することにより、データを書き込むことができ、消費電力の低い不揮発性メモリを提供することができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、不揮発性メモリ素子、不揮発性メモリおよび不揮発性メモリの制御方法に関し、詳しくは、ビスマスフェライトにより形成されたビスマスフェライト層を有する不揮発性メモリ素子、こうした不揮発性メモリ素子を備える不揮発性メモリおよびこうした不揮発性メモリの制御方法に関する。
従来、ビスマスフェライト(BiFeO3)により形成されたビスマスフェライト層を有する素子としては、ビスマスフェライト層の上下に半透明の金電極を配置したものが提案されている(例えば、特許文献1参照)。この素子では、ビスマスフェライト層に対して、結晶の主軸(c軸)と平行な方向に電場を印加することにより、電気分極を制御して、素子の抵抗を変化させている。
磁化の変化によってデータを記憶する不揮発性メモリ素子では、低消費電力化を図ることが重要な課題として認識されている。一般に、データの書き込みに磁場を用いるものは、磁場を発生させるために比較的大きな電流が必要であるため、低消費電力化を図ることが困難である。そのため、電場を用いてデータを書き込むタイプの素子が望まれている。こうした素子として、上述のビスマスフェライト層を有するものが考えられる。しかしながら、ビスマスフェライト層では、結晶の主軸(c軸)と平行な方向の電気分極が比較的大きいことから、結晶の主軸と平行な方向に電場を印加すると、ビスマスフェライト層を有する素子自体の消費電力が高くなると考える。したがって、より消費電力が低い不揮発性メモリ素子が望まれている。
本発明の不揮発性メモリ素子、不揮発性メモリおよび不揮発性メモリの制御方法は、より消費電力が低い不揮発性メモリ素子や不揮発性メモリやこうしたメモリの制御方法を提供することを主目的とする。
本発明の不揮発性メモリ素子、不揮発性メモリおよび不揮発性メモリの制御方法は、上述の主目的を達成するために以下の手段を採った。
本発明の不揮発性メモリ素子は、
ビスマスフェライトにより形成されたビスマスフェライト層と、
前記ビスマスフェライト層を形成するビスマスフェライトの結晶の主軸と垂直な方向から前記ビスマスフェライト層を挟むように配置され、前記ビスマスフェライト層に接続された第1,第2電極層と、
を備えることを要旨とする。
ビスマスフェライトにより形成されたビスマスフェライト層と、
前記ビスマスフェライト層を形成するビスマスフェライトの結晶の主軸と垂直な方向から前記ビスマスフェライト層を挟むように配置され、前記ビスマスフェライト層に接続された第1,第2電極層と、
を備えることを要旨とする。
この本発明の不揮発性メモリ素子では、第1,第2電極層を、ビスマスフェライト層を形成するビスマスフェライトの結晶の主軸(c軸)と垂直な方向からビスマスフェライト層を挟むように配置して、ビスマスフェライト層に接続する。発明者は、ビスマスフェライトの結晶において、結晶の主軸と垂直な方向の電気分極を見出した。また、発明者は、ビスマスフェライトの結晶において、結晶の主軸と垂直な方向に電場を印加すると抵抗が変化することや、こうした電場を除いた後でも抵抗が変化した状態が維持されることを見出した。したがって、第1,第2電極層を、ビスマスフェライト層を形成するビスマスフェライトの結晶の主軸と垂直な方向からビスマスフェライト層を挟むように配置して、ビスマスフェライト層に接続し、第1電極層と第2電極層との間に電圧を印加して、ビスマスフェライトの結晶の主軸と垂直な方向の電場をビスマスフェライト層に印加することにより、素子の抵抗を変化させてデータの書き込みや書き込んだデータの変更を行なうことができる。電場を用いてデータの書き込みや書き込んだデータの変更を行なうから、磁場を用いて行なうものより、消費電力が低いメモリ素子を提供することができる。さらに、発明者は、結晶の主軸と垂直な方向の電気分極が、結晶の主軸と平行な方向の電気分極より小さいことを見出した。したがって、結晶の主軸と垂直な方向に電場を印加することによりデータの書き込みや書き込んだデータの変更を行なうから、結晶の主軸と平行な方向に電場を印加するものより、消費電力が低い不揮発性メモリ素子を提供することができる。
こうした本発明の不揮発性メモリ素子において、ビスマスフェライト層は、ビスマスフェライトの単結晶により形成されているものとしてもよい。
本発明の不揮発性メモリは、
上述したいずれかの態様の本発明の不揮発性メモリ素子、すなわち、基本的には、ビスマスフェライトにより形成されたビスマスフェライト層と、ビスマスフェライト層を形成するビスマスフェライトの結晶の主軸と垂直な方向からビスマスフェライト層を挟むように配置され、ビスマスフェライト層に接続された第1,第2電極層と、を有する不揮発性メモリ素子と、
前記不揮発性メモリ素子にデータを書き込むときには、前記第1電極層に基準電圧を印加すると共に前記第2電極層に前記基準電圧より高い第1電圧を印加し、前記不揮発性メモリ素子に書き込んだデータを変更するときには、前記第1電極層に前記基準電圧を印加すると共に前記第2電極層に前記基準電圧よりも低い第2電圧を印加する制御回路と、
を備えることを要旨とする。
上述したいずれかの態様の本発明の不揮発性メモリ素子、すなわち、基本的には、ビスマスフェライトにより形成されたビスマスフェライト層と、ビスマスフェライト層を形成するビスマスフェライトの結晶の主軸と垂直な方向からビスマスフェライト層を挟むように配置され、ビスマスフェライト層に接続された第1,第2電極層と、を有する不揮発性メモリ素子と、
前記不揮発性メモリ素子にデータを書き込むときには、前記第1電極層に基準電圧を印加すると共に前記第2電極層に前記基準電圧より高い第1電圧を印加し、前記不揮発性メモリ素子に書き込んだデータを変更するときには、前記第1電極層に前記基準電圧を印加すると共に前記第2電極層に前記基準電圧よりも低い第2電圧を印加する制御回路と、
を備えることを要旨とする。
この本発明の不揮発性メモリでは、制御回路は、不揮発性メモリ素子にデータを書き込むときには、第1電極層に基準電圧を印加すると共に第2電極層に基準電圧より高い第1電圧を印加し、不揮発性メモリ素子に書き込んだデータを変更するときには、第1電極層に基準電圧を印加すると共に第2電極層に基準電圧よりも低い第2電圧を印加する。これにより、不揮発性メモリ素子へデータを書き込んだり、書き込んだデータを変更することができる。また、本発明の不揮発性メモリでは、上述したいずれかの態様の本発明の不揮発性メモリ素子を有しているから、本発明の不揮発性メモリ素子が奏する効果、例えば、消費電力が低い不揮発性メモリ素子を提供することができるという効果などと同等の効果を奏する。したがって、消費電力が低い不揮発性メモリを提供することができる。
こうした本発明の不揮発性メモリにおいて、前記制御回路は、前記不揮発性メモリ素子にデータを書き込むときには、前記第2電極層に前記第1電圧を複数回印加する、ものとしてもよい。発明者は、第2電極層に第1電圧を複数回印加することにより、不揮発性メモリ素子のビスマスフェライト層の抵抗がある一定の値に近づくことを見出した。したがって、第2電極層に第1電圧を複数回印加することにより、より確実に、不揮発性メモリ素子にデータを書き込むことができる。
本発明の不揮発性メモリの制御方法は、
上述したいずれかの態様の本発明の不揮発性メモリ素子、すなわち、基本的には、ビスマスフェライトにより形成されたビスマスフェライト層と、前記ビスマスフェライト層を形成するビスマスフェライトの結晶の主軸と垂直な方向からビスマスフェライト層を挟むように配置され、ビスマスフェライト層に接続された第1,第2電極層と、を有する不揮発性メモリ素子を備える不揮発性メモリを制御する、不揮発性メモリの制御方法であって、
前記不揮発性メモリ素子にデータを書き込むときには、前記第1電極層に基準電圧を印加すると共に前記第2電極層に前記基準電圧より高い第1電圧を印加し、
前記不揮発性メモリ素子に書き込んだデータを変更するときには、前記第1電極層に前記基準電圧を印加すると共に前記第2電極層に前記基準電圧より低い第2電圧を印加する、
ことを要旨とする。
上述したいずれかの態様の本発明の不揮発性メモリ素子、すなわち、基本的には、ビスマスフェライトにより形成されたビスマスフェライト層と、前記ビスマスフェライト層を形成するビスマスフェライトの結晶の主軸と垂直な方向からビスマスフェライト層を挟むように配置され、ビスマスフェライト層に接続された第1,第2電極層と、を有する不揮発性メモリ素子を備える不揮発性メモリを制御する、不揮発性メモリの制御方法であって、
前記不揮発性メモリ素子にデータを書き込むときには、前記第1電極層に基準電圧を印加すると共に前記第2電極層に前記基準電圧より高い第1電圧を印加し、
前記不揮発性メモリ素子に書き込んだデータを変更するときには、前記第1電極層に前記基準電圧を印加すると共に前記第2電極層に前記基準電圧より低い第2電圧を印加する、
ことを要旨とする。
この本発明の不揮発性メモリの制御方法では、不揮発性メモリ素子にデータを書き込むときには、第1電極層に基準電圧を印加すると共に第2電極層に基準電圧より高い第1電圧を印加し、不揮発性メモリ素子に書き込んだデータを変更するときには、第1電極層に基準電圧を印加すると共に第2電極層に基準電圧よりも低い第2電圧を印加する。これにより、不揮発性メモリ素子へデータを書き込んだり、書き込んだデータを変更することができる。また、本発明の不揮発性メモリの制御装置では、上述したいずれかの態様の本発明の不揮発性メモリ素子を有する不揮発性メモリを制御するから、本発明の不揮発性メモリ素子が奏する効果、例えば、消費電力が低い不揮発性メモリ素子を提供することができるという効果などと同等の効果を奏する。したがって、消費電力が低い不揮発性メモリを提供することができる。
こうした本発明の不揮発性メモリの制御方法において、前記不揮発性メモリ素子にデータを書き込むときには、前記第2電極層に前記第1電圧を複数回印加する、ものとしてもよい。発明者は、第2電極層に第1電圧を複数回印加することにより、不揮発性メモリ素子のビスマスフェライト層の抵抗がある一定値に近づくことを見出した。したがって、第2電極層に第1電圧を複数回印加することにより、より確実に、不揮発性メモリ素子にデータを書き込むことができる。
次に、本発明を実施するための形態を実施例を用いて説明する。
図1は、本発明の一実施例としての不揮発性メモリ10の構成の概略を示す構成図である。不揮発性メモリ10は、不揮発性メモリ素子20と、制御回路30と、を備えている。
不揮発性メモリ素子20は、ビスマスフェライト層22と、電極層24,26と、を備えている。ビスマスフェライト層22は、単結晶のビスマスフェライト(BiFeO3)により形成されている。電極層24,26は、ビスマスフェライト層22を形成するビスマスフェライトの結晶の主軸(c軸)と垂直な方向からビスマスフェライト層22を挟むように配置されてビスマスフェライト層22に接続している。
図2は、電極層24に基準電位Vcc(例えば、0Vなど)を印加すると共に電極層26に電圧Vmを印加したときにおける、ビスマスフェライト層22の電界の強度Emとビスマスフェライト層22の抵抗Rmとの関係の一例を示すグラフである。発明者は、ビスマスフェライトの結晶において、結晶の主軸(c軸)と垂直な方向の電気分極を見出し、ビスマスフェライトに結晶の主軸(c軸)と垂直な方向の電場を印加することにより、電気分極を変化させて、結晶の抵抗を変化させることができることを見出した。また、発明者は、結晶の主軸と垂直な方向の電気分極が、結晶の主軸と平行な方向の電気分極の約1000分の1程度であることを見出した。そして、発明者は、図示するように、電圧Vmとして基準電圧Vccより高い電圧を1回印加するとビスマスフェライト層22の抵抗Rmが低くなること、その後電圧Vmを基準電圧Vccまで下げた後に電圧Vmを再び高くしたときに抵抗Rmが低い状態が維持されていることを見出した。すなわち、発明者は、ビスマスフェライト層22に対して、結晶の主軸(c軸)と垂直な方向に電場を印加することにより、素子が不揮発性のメモリ素子として機能することを見出したのである。さらに、発明者は、実験などにより、日常生活で触れる程度の磁界に対してビスマスフェライト層22が変化後の抵抗を維持することを確認している。なお、図2では、電界強度Emの最大値を0.4MV/mとしているが、0.4MV/mより大きい電界強度(例えば、0.5MV/m,1.0MV/m,1.5MV/mなど)としても揮発性のメモリ素子として機能すると考えられる。
図3は、電圧Vmとして正の電圧と負の電圧とを交互に印加したときの抵抗Rmの時間変化の一例を示すグラフである。発明者は、図示するように、電圧Vmとして正の電圧と負の電圧とを交互に印加するとで電圧Vmに応じて抵抗Rmが低くなったり高くなったり変化すること、そして、その後、電圧Vmを基準電圧Vccとしても抵抗Rmが変化しないことを見出した。また、発明者は、図示するように、電極層26に正の電圧を複数回印加すると、抵抗Rmの値が徐々に安定することを見出した。なお、図3では、電圧Vmを+50V〜−50Vの間で変化させているが、ビスマスフェライト層22の厚さを調整することにより、より低い電圧でも同様の抵抗変化が見られると考えられる。
このように、発明者は、ビスマスフェライト層22は、電極層24を基準電位Vccとして電極層26に電圧Vmを正の電圧とすることで低抵抗となり(データが書き込まれ)、電圧Vmを値0としてもデータを保持し、電圧Vmを負の電圧とすることで高抵抗となる(書き込んだデータが変更される)、不揮発性メモリとして機能できることを見出したのである。
制御回路30は、電極層24に基準電圧Vccを印加したり、電極層26に基準電圧Vccより高い電圧や基準電圧Vccより低い電圧を印加できるように形成されている。
こうした不揮発性メモリ10では、不揮発性メモリ素子20にデータを書き込むときには、電極層24に基準電圧Vccを印加すると共に電極層26に基準電圧Vccより高い電圧V1を複数回印加する。これにより、ビスマスフェライト層22の抵抗Rmを低い値とすることができる。したがって、例えば、こうした低抵抗な状態をデータの「1」に対応させることにより、データを書き込むことができる。また、電極層26に基準電圧Vccより高い電圧V1を複数回印加することにより、データをより確実に書き込むことができる。
不揮発性メモリ素子20からデータを読み出すときには、電極層24に基準電圧Vccを印加すると共に電極層26に所定の電圧Vrefを印加した状態で、電極層24と電極層26との間に流れる電流を検出することにより行なわれる。
不揮発性メモリ素子20に書き込んだデータを変更するときには、電極層24に基準電圧Vccを印加すると共に電極層26に基準電圧Vccより低い電圧を印加する。これにより、ビスマスフェライト層22の抵抗Rmを高くすることができ、例えば、こうした高抵抗な状態をデータの「0」に対応させることにより、書き込んだデータを変更することができる。
このように実施例の不揮発性メモリ素子20では、電極層24,26に電圧を印加してビスマスフェライト層22に電場を印加することで、ビスマスフェライト層22の電気分極を制御するから、磁場を印加するものと比較すると、消費電力を低くすることができる。また、ビスマスフェライト層22を形成するビスマスフェライトの結晶の主軸と垂直な方向の電気分極が、結晶の主軸と平行な方向の電気分極より小さいことから、ビスマスフェライト層22を形成するビスマスフェライトの結晶の主軸と垂直な方向に電場を印加することにより、結晶の主軸と平行な方向に電場を印加する場合と比較すると、不揮発性メモリ素子20自体の消費電力を低くすることができる。これにより、消費電力の低い不揮発性メモリを提供することができる。
なお、ビスマスフェライト層22を形成するビスマスフェライトは、結晶の主軸と垂直な方向に電場を印加すると、結晶の主軸と平行な方向に電場を印加する場合より、結晶へのダメージが少なくなると考えられる。したがって、ビスマスフェライト層22を形成するビスマスフェライトの結晶の主軸と垂直な方向に電場を印加することにより、結晶の主軸と平行な方向に電場を印加する場合と比較すると、結晶へのダメージが少なくなると考えられる。
以上説明した実施例の不揮発性メモリ10では、電極層24,26を、ビスマスフェライト層22を形成するビスマスフェライトの結晶の主軸と垂直な方向からビスマスフェライト層22を挟むように配置してビスマスフェライト層22に接続することにより、電極層24,26との間に電圧を印加してビスマスフェライトの結晶の主軸と垂直な方向の電場をビスマスフェライト層に印加する。これにより、消費電力の低い不揮発性メモリを提供することができる。
実施例の不揮発性メモリ10では、不揮発性メモリ素子20にデータを書き込むときには、電極層26に電圧V1を複数回印加するものとしたが、電極層26に電圧V1を一度のみ印加するものとしてもよい。
実施例の不揮発性メモリ10では、ビスマスフェライト層22を単結晶のビスマスフェライトにより形成するものとしたが、多結晶のビスマスフェライトにより形成するものとしてもよい。この場合、多結晶のビスマスフェライトを構成する複数の単結晶の結晶軸が一定の方向にそろっていることが望ましい。
以上、本発明を実施するための形態について実施例を用いて説明したが、本発明はこうした実施例に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において、種々なる形態で実施し得ることは勿論である。
本発明は、不揮発性メモリ素子や不揮発性メモリの製造産業などに利用可能である。
10 不揮発性メモリ、20 不揮発性メモリ素子、22 ビスマスフェライト層、24,26 電極層、30 制御回路。
Claims (6)
- ビスマスフェライトにより形成されたビスマスフェライト層と、
前記ビスマスフェライト層を形成するビスマスフェライトの結晶の主軸と垂直な方向から前記ビスマスフェライト層を挟むように配置され、前記ビスマスフェライト層に接続された第1,第2電極層と、
を備える不揮発性メモリ素子。 - 請求項1記載の不揮発性メモリ素子であって、
前記ビスマスフェライト層は、単結晶のビスマスフェライトにより形成されている、
不揮発性メモリ素子。 - 請求項1または2記載の不揮発性メモリ素子と、
前記不揮発性メモリ素子にデータを書き込むときには、前記第1電極層に基準電圧を印加すると共に前記第2電極層に前記基準電圧より高い第1電圧を印加し、前記不揮発性メモリ素子に書き込んだデータを変更するときには、前記第1電極層に前記基準電圧を印加すると共に前記第2電極層に前記基準電圧よりも低い第2電圧を印加する制御回路と、
を備える不揮発性メモリ。 - 請求項3記載の不揮発性メモリであって、
前記制御回路は、前記不揮発性メモリ素子にデータを書き込むときには、前記第2電極層に前記第1電圧を複数回印加する、
不揮発性メモリ。 - 請求項1または2記載の不揮発性メモリ素子を備える不揮発性メモリを制御する不揮発性メモリの制御方法であって、
前記不揮発性メモリ素子にデータを書き込むときには、前記第1電極層に基準電圧を印加すると共に前記第2電極層に前記基準電圧より高い第1電圧を印加し、
前記不揮発性メモリ素子に書き込んだデータを変更するときには、前記第1電極層に前記基準電圧を印加すると共に前記第2電極層に前記基準電圧より低い第2電圧を印加する、
不揮発性メモリの制御方法。 - 請求項5記載の不揮発性メモリの制御方法であって、
前記不揮発性メモリ素子にデータを書き込むときには、前記第2電極層に前記第1電圧を複数回印加する、
不揮発性メモリの制御方法。
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