JP2019009217A5 - - Google Patents

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Figure 2019009217
(式中、Rは、水素原子又は炭素原子数2〜5のアルキル基を表し、Rは、水素原子又は炭素原子数1〜5のアルキル基を表す。)
Figure 2019009217
(式中、R及びRは、各々独立に水素原子又は炭素原子数1〜5のアルキル基を表す。)

Claims (4)

  1. 下記一般式(1)で表される化合物及び(2)で表される化合物からなる群より選択される少なくとも1種の化合物を含有してなる薄膜形成用原料:
    Figure 2019009217
    (式中、Rは、水素原子又は炭素原子数2〜5のアルキル基を表し、Rは、水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基を表す。)
    Figure 2019009217
    (式中、R及びRは、各々独立に水素原子又は炭素原子数1〜5のアルキル基を表す。)
  2. 請求項1に記載の薄膜形成用原料を用いてホウ素原子を含有する薄膜を形成する薄膜の製造方法。
  3. 薄膜形成用原料を気化させることにより、ホウ素原子を含有する蒸気を得る工程と、該蒸気を基体と接触させることにより、前記薄膜形成用原料を分解及び/又は化学反応させて該基体上に薄膜を形成する工程とを含む、請求項2に記載の薄膜の製造方法。
  4. 薄膜形成用原料を基体上に塗布する塗布工程と、その後に、該基体を100〜800℃に加熱することによって薄膜を形成する工程とを含む、請求項2または3に記載の薄膜の製造方法。
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