JP2019006108A5 - - Google Patents

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上記課題を解決するために本発明は以下の構成を有する。すなわち、記録装置であって、画像を記録するための記録素子を有する記録ヘッド基板と、前記記録素子を駆動するための駆動素子と、前記駆動素子に駆動信号を印加する印加回路と、前記印加回路が接続される接地配線と、前記記録ヘッド基板に関わる温度を検出するための数の温度センサと、前記複数の温度センサのうちのいずれかを選択するための択回路と前記択回路により選択された温度センサのアノード側の電圧と、前記択回路により選択された当該温度センサのカソード側の電圧との差分に応じて温度信号を出力する温度信号出力回路と、前記複数の温度センサに対応して設けられ、前記接地配線と前記複数の温度センサの間に直列に接続された複数の抵抗とを備える。

Claims (18)

  1. 記録装置であって、
    画像を記録するための記録素子を有する記録ヘッド基板と、
    前記記録素子を駆動するための駆動素子と、
    前記駆動素子に駆動信号を印加する印加回路と、
    前記印加回路が接続される接地配線と、
    前記記録ヘッド基板に関わる温度を検出するための数の温度センサと、
    前記複数の温度センサのうちのいずれかを選択するための択回路と
    前記択回路により選択された温度センサのアノード側の電圧と、前記択回路により選択された当該温度センサのカソード側の電圧との差分に応じて温度信号を出力する温度信号出力回路と
    前記複数の温度センサに対応して設けられ、前記接地配線と前記複数の温度センサの間に直列に接続された複数の抵抗とを備える
    ことを特徴とする記録装置。
  2. 前記記録装置は、制御手段を備え、
    前記択回路は、前記制御手段からの信号に応じて、前記複数の温度センサの中から温度センサの選択を行う
    ことを特徴とする請求項1に記載の記録装置。
  3. 前記温度信号出力回路に基づき、温度の値を取得する手段を更に有する
    ことを特徴とする請求項1に記載の記録装置。
  4. 前記記録素子は、前記記録ヘッド基板において複数設けられる
    ことを特徴とする請求項1に記載の記録装置。
  5. 前記温度信号出力回路は、差動回路を含む
    ことを特徴とする請求項1に記載の記録装置。
  6. 前記選択回路は、
    前記複数の温度センサのアノード側において、前記複数の温度センサのうちのいずれかを選択するための第1の選択回路と、
    前記複数の温度センサのカソード側において、前記複数の温度センサのうちのいずれかを選択するための第2の選択回路を有する
    ことを特徴とする請求項1に記載の記録装置。
  7. 前記温度センサは、PNPトランジスタのベースとコレクタをショートしたダイオード接続構成、NPNトランジスタのベースとコレクタをショートしたダイオード接続構成のいずれかを含む
    ことを特徴とする請求項1に記載の記録装置。
  8. 前記抵抗は、前記PNPトランジスタのコレクタとサブコンタクトとの間で構成されるSi基板抵抗であることを特徴とする請求項7に記載の記録装置。
  9. 前記抵抗は、多結晶シリコン、前記記録素子と同材料の抵抗、Si基板抵抗、のいずれかで構成される
    ことを特徴とする請求項1に記載の記録装置。
  10. 記録ヘッド基板であって、
    記録素子と、
    前記記録素子を駆動するための駆動素子と、
    前記駆動素子に駆動信号を印加する印加回路と、
    前記印加回路が接続される接地配線と、
    前記記録ヘッド基板に関わる温度を検出するための数の温度センサと、
    前記複数の温度センサのうちのいずれかを選択するための択回路と
    前記択回路により選択された温度センサのアノード側の電圧と、前記択回路により選択された当該温度センサのカソード側の電圧するための出力部と
    前記複数の温度センサに対応して設けられ、前記接地配線と前記複数の温度センサの間に直列に接続された複数の抵抗とを備える
    ことを特徴とする記録ヘッド基板。
  11. 前記択回路は、外部信号に応じて、前記複数の温度センサの中から温度検知を行わせる温度センサの選択を行う
    ことを特徴とする請求項10に記載の記録ヘッド基板。
  12. 前記選択回路は、
    前記複数の温度センサのアノード側において、前記複数の温度センサのうちのいずれかを選択するための第1の選択回路と、
    前記複数の温度センサのカソード側において、前記複数の温度センサのうちのいずれかを選択するための第2の選択回路を有する
    ことを特徴とする請求項10に記載の記録ヘッド基板。
  13. 前記選択回路は、電力の供給元と複数の温度センサのアノード側との間に設けられ、前記電力の供給先となる温度センサを選択するための第3の選択回路を更に備える
    ことを特徴とする請求項10に記載の記録ヘッド基板。
  14. 前記抵抗は、前記複数の温度センサのうちのいずれかと前記接地配線との接続を切り替
    えるための第3の選択回路により構成される
    ことを特徴とする請求項10に記載の記録ヘッド基板。
  15. 前記温度センサは、PNPトランジスタのベースとコレクタをショートしたダイオード接続構成、NPNトランジスタのベースとコレクタをショートしたダイオード接続構成のいずれかを含むである
    ことを特徴とする請求項10に記載の記録ヘッド基板。
  16. 前記抵抗は、前記PNPトランジスタのコレクタとサブコンタクトとの間で構成されるSi基板抵抗である
    ことを特徴とする請求項15に記載の記録ヘッド基板。
  17. 前記抵抗は、多結晶シリコン、前記記録素子と同材料の抵抗、Si基板抵抗、のいずれかで構成される
    ことを特徴とする請求項10に記載の記録ヘッド基板。
  18. 前記記録素子は、前記記録ヘッド基板において複数設けられる
    ことを特徴とする請求項10に記載の記録ヘッド基板。
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