JP2019003505A - 静電容量型タッチパネル及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】透明導電膜からなるセンサー電極のパターンが視認し難い静電容量型タッチパネルを提供する。【解決手段】本発明で提供する静電容量型タッチパネルは、第一層２と第二層３に形成されたＸ電極Ｘ１、Ｙ電極Ｙ１、ダミー電極（第一ダミー電極Ｄ１１及び第二ダミー電極Ｄ２１）に曲線状のスリットＳを形成することによって、第一層２と第二層３の電極パターンを投射した際に生ずる単位格子によるセンサー電極パターンを視認し難くできる。更に、Ｘ電極Ｘ１とＹ電極Ｙ１の重なる面積が小さく、電極間の静電容量が小さいことから、感度に優れたタッチパネルを提供できる。【選択図】図２１

Description

本発明は、静電容量型タッチパネル及びその製造方法に関する。

タッチパネルは、表示領域がタッチされたこと、及びタッチされた座標を検出する装置である。タッチパネルは、例えばスマートフォン、タブレット端末、ノートパソコン等に搭載される。タッチ検出方式は数種類あり、例えば静電容量方式、抵抗膜方式、赤外線方式等がある。本技術は、主に静電容量方式のタッチパネルである静電容量型タッチパネルに関するものである。

静電容量型タッチパネルは、透明導電膜からなる複数の互いに直交するＸ電極及びＹ電極からなる。Ｘ電極及びＹ電極は、互いに交差する部分と交差しない部分を有するのが一般的である。

これらタッチパネルでは、指が触れていない定常状態の電極間の静電容量、すなわち、主に直交する電極の交差部及び隣接する電極間の静電容量が、指を触れた際に変化することを検出している。

具体的な構造としては、Ｘ電極とＹ電極とを異なる層で形成して絶縁層を介して積層した構造、又はＸ電極とＹ電極とを同一層に形成して交差部のみを絶縁層を介して立体的に橋渡しした構造が一般的である。

両構造ともに、透明導電膜からなる電極のある部分とない部分とが存在する。その結果、ある部分とない部分との光学的な差、すなわち、透過率、反射率、及びそのスペクトルに起因した色相の差が面内に存在し、それがセンサー電極パターンとなって視認される問題があった。

また、電極のない部分をなくすために、電極間に、電気的に接続されていないダミー電極を配置した構造も提案され実用化されている。しかし、絶縁を得るために透明導電膜を細いスペースで除去した領域が必要となり、この透明導電膜のないスペースも僅かながら視認される。

このため、このスペースの空間的な配置を均一化することによって、ダミー電極のパターンを見え難くする工夫も提案され実用化されている。

非特許文献１では、図１〜３示すように第一層のＸ電極と第二層のＹ電極とを異なる層で形成して絶縁層を介して積層した構造において、Ｘ電極とＸ方向及びＹ方向に延在するスリット状のスペースを形成したダミー電極とをＹ方向に配置し、Ｙ電極の中にスリット状のスペースをＸ方向に入れることによって、第一層と第二層を投射して見た場合に全面で均一な格子形状を得る構造が記されている。

タッチパネルがわかる本 越石 健司／黒沢 理［共編］オーム社（2011年発売） ｐ.５７

しかしながら、上記方法ではＸ電極とＹ電極の幅に制約があり、また、第一層と第二層に形成された電極及びダミー電極の形状が十分には視認し難いとは言えず、更なる視認性の向上が求められている。

一方、前述のようにタッチパネルでは、指が触れていない定常状態の電極間の静電容量、すなわち、主に直交する電極の交差部及び隣接する電極間の静電容量が、指を触れた際に変化することを検出している。定常状態の静電容量は小さい方が検出感度に優れ、コントローラーＩＣにとって好ましい。一般的には静電容量は０．５〜２ｐＦ以下であることが望まれている。定常状態での静電容量は簡易的には式（１）で示され、電極間の比誘電率、電極が重なる電極面積と電極間の距離がパラメータとなる。

ここで、Ｃは電極間の静電容量、ｄは電極間の距離、Ｓは電極面積、ε₀は真空の誘電率、εは電極間の媒体の比誘電率を表す。式１より、静電容量は重なる面積に比例し、電極間距離に反比例する。したがって、Ｘ電極とＹ電極の距離が小さい構成の場合、静電容量を小さくするには、電極が重なる面積を小さくする必要がある。

本発明は上記事情を鑑みてなされたものであり、透明導電膜からなるセンサー電極パターンが視認し難く、かつ、検出感度に優れた静電容量型タッチパネル及びその製造方法を提供する。

本発明に係る静電容量型タッチパネルは、Ｙ方向に延在してＹ方向と直交するＸ方向に配列された複数のＸ電極と、隣り合うＸ電極の間に配置された第一ダミー電極とが形成された透明導電膜の第一層と、Ｘ方向に延在してＹ方向に配列された複数のＹ電極と、隣り合うＹ電極の間に配置された第二ダミー電極とが形成された透明導電膜の第二層と、を備え、第一層と第二層とは、絶縁層を介して積層され、Ｘ電極には、当該Ｘ電極の延在方向に延びるスリットが形成され、Ｙ電極には、当該Ｙ電極の延在方向に延びるスリットが形成され、ダミー電極には、Ｘ方向に延びるスリット及びＹ方向に延びるスリットが形成され、第一層と第二層とを第一層と第二層との積層方向に投射した投射像において、スリットによる格子形状が全面に形成されるとともに、第一層のＸ電極と第二層のＹ電極とが重なるＡ領域の中において、Ｘ電極とＹ電極の中に、それぞれダミー電極が形成される。なお、ダミー電極とは、周辺と絶縁されている浮遊電極を意味する。

本発明に係る静電容量型タッチパネルでは、第一層と第二層とに形成されたＸ電極、Ｙ電極及びダミー電極にスリットを形成することによって、第一層と第二層の電極パターンを投射した際に生ずる単位格子をタッチパネルの全面に配列する。これにより、センサー電極パターンを視認し難くできる。更に、第一層のＸ電極と第二層のＹ電極とが重なるＡ領域の中において、Ｘ電極とＹ電極の中にもダミー電極を形成することによって、Ｘ電極中のダミー電極となっている領域又はＹ電極の中のダミー電極となっている領域では、Ｘ電極とＹ電極とが重ならない領域が形成される。このため、電極が重なる面積を小さくできる。これによって第一層と第二層の距離、すなわちＸ電極とＹ電極の距離が近い場合でも静電容量を小さくすることができる。

投射像のＡ領域の中において、Ｘ電極中のダミー電極とＹ電極中のダミー電極とが重なっていなくてもよい。これにより、電極が重なる面積を更に小さくできる。

投射像において、スリットによる格子形状が形成されるとともに、第一層のＸ電極と第二層のＹ電極とが重なるＡ領域と、第一層のＸ電極と第二層の第二ダミー電極とが重なるＢ領域と、第一層の第一ダミー電極と第二層のＹ電極とが重なるＣ領域と、第一層の第一ダミー電極と第二層の第二ダミー電極とが重なるＤ領域と、において、Ｂ領域及びＣ領域は、Ｄ領域より大きくしてもよい。

Ｘ電極のＡ領域の中にダミー電極を形成したことによって配線幅が小さくなっても、Ｂ領域での配線幅を広くして、Ｘ電極の全長での抵抗を低くできる。同様に、Ｙ電極のＡ領域の中にダミー電極を形成したことによって配線幅が小さくなっても、Ｃ領域での配線幅を広くして、Ｙ電極の全長での抵抗を低くできる。

第一層のＸ電極に形成されたスリットは、投射像において第二層のＹ電極と重なるが第二ダミー電極とは重ならないスリットと、投射像において第二層のＹ電極と重ならないが第二ダミー電極とは重なるスリットの２種類からなり、第二層のＹ電極に形成されたスリットは、投射像において第一層のＸ電極と重なるが第一ダミー電極とは重ならないスリットと、投射像において第一層のＸ電極と重ならないが第一ダミー電極とは重なるスリットの２種類からなっていてもよい。

第一層のＸ電極に形成されたスリットは、投射像において第二層のＹ電極と重なるが第二ダミー電極とは重ならず等しいピッチでＸ方向に配置されたスリットと、投射像において第二層のＹ電極と重ならないが第二ダミー電極とは重なる等しいピッチでＸ方向に配置されたスリットの２種類からなり、第二層のＹ電極に形成されたスリットは、投射像において第一層のＸ電極と重なるが第一ダミー電極とは重ならず等しいピッチでＹ方向に配置されたスリットと、投射像において第一層のＸ電極と重ならないが第一ダミー電極とは重なる等しいピッチでＹ方向に配置されたスリットの２種類からなっていてもよい。

第一層のＸ電極に形成されたスリットのピッチは、第一層の第一ダミー電極に形成されたＹ方向に延びるスリットのピッチと等しい、または２倍であり、第二層のＹ電極に形成されたスリットのピッチは、第二層の第二ダミー電極に形成されたＸ方向に延びるスリットのピッチと等しい、または２倍であってもよい。

投射像において、スリットによる格子形状がタッチパネルの全面に形成され、格子形状の最小単位である単位格子における４つの格子点間の縦二辺及び横二辺の計四辺のスリット形状が、それぞれ任意な曲線からなってもよい。

投射像において、スリットによる格子形状がタッチパネルの全面に形成され、格子形状の最小単位である単位格子における４つの格子点間の縦二辺及び横二辺の計四辺のスリット形状が、それぞれ２種類の凹凸の曲線のうちの何れかからなってもよい。

格子形状の最小単位である単位格子を形成するスリットは、Ｘ方向及びＹ方向に沿って一階微分が連続となるような配列で構成されていてもよい。

投射像において、第一層のＸ電極と第二層のＹ電極とが重なる部分の面積がタッチパネルの全面において同じとなるように、スリットの形状及び配列が構成されていてもよい。

格子形状の最小単位である単位格子のＸ方向とＹ方向との比が０．７〜１．３であってもよい。

格子形状の最小単位である単位格子のＸ方向とＹ方向の比が１であってもよい。

第一層及び第二層がそれぞれ透明基板の両側に形成されていてもよい。

第一層及び第二層は、透明基板の片側に、透明基板、第一層、及び第二層の順、又は透明基板、第二層、及び第一層の順に形成されていてもよい。本発明は、第一層と第二層の距離が近い上記構造において特に有用である。

第一層のＸ電極及び第一ダミー電極、並びに第二層のＹ電極及び第二ダミー電極は、同一の透明導電膜からなってもよい。

スリットの幅が４０μｍ以下であってもよい。スリットによって両側の導電層間の絶縁が確保されている限りは、できるだけスリットの幅が小さいことが好ましい。

透明導電膜は、金属ナノワイヤを含有する組成物で形成されてもよい。

本発明に係る静電容量型タッチパネルの製造方法は、上記の静電容量型タッチパネルにおいて、金属ナノワイヤからなる透明導電材を感光性プロセスでパターニングすることで、透明導電膜を形成する。

本発明によれば、任意に幅の異なるＸ電極とＹ電極を構成でき、更に、第一層と第二層の電極パターンを投射した際に生ずる単位格子によるセンサー電極パターンを視認し難くいタッチパネルを提供できる。更に、Ｘ電極とＹ電極との重なる面積が小さく、電極間の静電容量が小さいことから、感度に優れたタッチパネルを提供できる。

非特許文献１（比較例１）における第一層の構成例を示す図である。 非特許文献１（比較例１）における第二層の構成例を示す図である。 非特許文献１（比較例１）における第一層と第二層を重ね合わせた投射像の例を示す図である。 第一の実施形態における第一層の構成例を示す図である。 第一の実施形態における第二層の構成例を示す図である。 第一の実施形態におけるタッチパネルの断面構造例を示す図である。 第一の実施形態におけるタッチパネルの断面構造例を示す図である。 第一の実施形態における第一層と第二層を重ね合わせた投射像の例を示す図である。 第一の実施形態における格子形状からなる４つの異なる領域を示す図である。 ４つの隣接する単位格子の形状の一例を示す図である。 第二の実施形態における第一層の構成例を示す図である。 第二の実施形態における第二層の構成例を示す図である。 第二の実施形態における第一層と第二層を重ね合わせた投射像の例を示す図である。 第三の実施形態における第一層の構成例を示す図である。 第三の実施形態における第二層の構成例を示す図である。 第三の実施形態における第一層と第二層を重ね合わせた投射像の例を示す図である。 第三の実施形態における格子形状からなる４つの異なる領域を示す図である。 第四の実施形態における第一層の構成例を示す図である。 第四の実施形態における第二層の構成例を示す図である。 第四の実施形態における第一層と第二層を重ね合わせた投射像の例を示す図である。 第五の実施形態における第一層と第二層を重ね合わせた投射像の例を示す図である。 図２１におけるスリットの基準位置を示す基準線を示す図である。 第六の実施形態における第一層の構成例を示す図である。 第六の実施形態における第二層の構成例を示す図である。 第六の実施形態における第一層と第二層を重ね合わせた投射像の例を示す図である。 比較例２における第一層の構成例を示す図である。 比較例２における第二層の構成例を示す図である。 比較例２における第一層と第二層を重ね合わせた投射像の例を示す図である。

以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、本明細書において「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。

また、以下の実施形態では、第一層のＸ電極は３本のライン、第二層のＹ電極は３本のラインで構成され、第一層のＸ電極の幅Ｗ１とダミー電極の幅Ｗ２とは等しく、第二層のＹ電極の幅Ｗ３とダミー電極の幅Ｗ４とも等しい例を示している。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。

＜第一の実施の形態＞
図４は、本実施形態のタッチパネルの第一層２の構成例を示す。第一層２は、透明導電膜からなる。第一層２には、Ｙ方向に延在してＹ方向と直交するＸ方向に配列された複数のＸ電極Ｘ１と、隣り合うＸ電極Ｘ１の間に配置された第一ダミー電極Ｄ１１とが形成されている。第一ダミー電極Ｄ１１は、電気的に接続されていない浮遊電極である。Ｘ電極Ｘ１には、Ｘ電極Ｘ１の延在方向、すなわちＹ方向に延在するスリットＳが形成されている。第一ダミー電極Ｄ１１には、Ｘ方向に延在するスリットＳ及びＹ方向に延在するスリットＳが形成されている。これらのスリットＳは、絶縁性を有する。更に、Ｘ電極Ｘ１の中には、部分的なダミー電極ＰＤ１が形成されている。部分的なダミー電極ＰＤ１とは、Ｘ電極Ｘ１の一部の領域を占めるダミー電極である。

図５は、本実施形態のタッチパネルの第二層３の構成例を示す。第二層３は、透明導電膜からなる。第二層３には、Ｘ方向に延在してＹ方向に配列された複数のＹ電極Ｙ１と、隣り合うＹ電極Ｙ１の間に配置された第二ダミー電極Ｄ２１と、が形成されている。第二ダミー電極Ｄ２１は、電気的に接続されていない浮遊電極である。Ｙ電極Ｙ１には、Ｙ電極Ｙ１の延在方向、すなわちＸ方向に延在するスリットＳが形成されている。第二ダミー電極Ｄ２１には、Ｘ方向に延在するスリットＳ及びＹ方向に延在するスリットＳが形成されている。これらのスリットＳは、絶縁性を有する。更に、Ｙ電極Ｙ１の中には、部分的なダミー電極ＰＤ２が形成されている。部分的なダミー電極ＰＤ２とは、Ｙ電極Ｙ１の一部の領域を占めるダミー電極である。

本実施形態のタッチパネルは、このように構成される第一層２と第二層３とが絶縁層を介して積層された静電容量型タッチパネルセンサである。

図６は、本実施形態のタッチパネル１において、第一層２及び第二層３がそれぞれ透明基板４の両側に形成された構造を示す。図６では透明基板が絶縁層を兼ねる。図７は、本実施形態のタッチパネル１において、第一層２及び第二層３が透明基板４の片側に、透明基板４、第一層２、絶縁層５及び第二層３の順、又は透明基板４、第二層３、絶縁層５及び第一層２の順に形成された構造を示す。

図８は、本実施形態のタッチパネルの第一層２と第二層３とを絶縁層を介して積層した場合の投射像を示す。なお、図８では、第一層２を実線で示し、第二層３を破線で示している。投射像は、第一層２と第二層３とを第一層２と第二層３との積層方向に投射した像である。投射像には、スリットＳによる格子形状がタッチパネルの全面に渡って均一に形成されている。以下、第一層２と第二層３とを重ね合わせて投射方向で見た際に、スリットＳで形成される最小単位の格子を単位格子という。単位格子は、Ｘ方向に延在する二つのスリットＳと、Ｙ方向に延在する二つのスリットＳと、の合計四つのスリットＳにより形成される格子である。

図９は、図８の投射像において分類分けできる４つの領域を示す。すなわち、投射像には、Ａ領域、Ｂ領域、Ｃ領域、及びＤ領域の４つの異なるセンサー電極パターンの領域がある。Ａ領域は、第一層２のＸ電極Ｘ１と第二層３のＹ電極Ｙ１とが重なる領域である。Ｂ領域は、第一層２のＸ電極Ｘ１１と第二層３の第二ダミー電極Ｄ２１とが重なる領域である。Ｃ領域は、第一層２の第一ダミー電極Ｄ１１と第二層３のＹ電極Ｙ１とが重なる領域である。Ｄ領域は、第一層２の第一ダミー電極Ｄ１１と第二層３の第二ダミー電極Ｄ２１とが重なる領域である。

ここで、本発明者らが鋭意研究したところ、以下の知見を得た。すなわち、第一層２と第二層３とを重ね合わせて投射した際に生ずる単位格子に関して、Ａ領域〜Ｄ領域の４つの領域の繰り返しをタッチパネルの全面に配列することによって、センサー電極パターンを視認し難くできることを見出した。

更に本実施形態では、第一層２のＸ電極Ｘ１のＡ領域の中には部分的なダミー電極ＰＤ１が形成されており、第二層３のＹ電極Ｙ１のＡ領域の中には部分的なダミー電極ＰＤ２が形成されている。投射像において、ダミー電極ＰＤ１とダミー電極ＰＤ２とは重ならない。ダミー電極ＰＤ１は、Ａ領域において、それぞれＡ領域の４／３６の面積を有する２つの領域からなる。同様に、ダミー電極ＰＤ２は、Ａ領域において、それぞれＡ領域の４／３６の面積を有する２つの領域からなる。その結果、Ａ領域においてＸ電極Ｘ１とＹ電極Ｙ１の重なる領域は５つとなり、その合計面積はダミー電極ＰＤ１及びダミー電極ＰＤ２がない場合の５５％と小さくなっている。なお、図８及び図９では、Ａ領域においてＸ電極Ｘ１とＹ電極Ｙ１とが重なる領域をグレーでハッチングしている。図８の投射像において、Ｘ電極Ｘ１中のダミー電極ＰＤ１とＹ電極Ｙ１中のダミー電極ＰＤ２とは全く重ならない。

具体的に記述すると、図８の投射像において、第一層２のＸ電極Ｘ１に形成されるスリットＳは、第二層３のＹ電極Ｙ１と重なるが第二ダミー電極Ｄ２１とは重ならないスリットＳ１と、第二層３のＹ電極Ｙ１と重ならないが第二ダミー電極Ｄ２１とは重なるスリットＳ２の２種類からなる。

図８の投射像において、第二層３のＹ電極Ｙ１に形成されるスリットＳは、第一層２のＸ電極Ｘ１と重なるが第一ダミー電極Ｄ１１とは重ならないスリットＳ３と、第一層２のＸ電極Ｘ１と重ならないが第一ダミー電極Ｄ１１とは重なるスリットＳ４の２種類からなる。

図８の投射像において、第一層２の第一ダミー電極Ｄ１１に形成されるスリットＳは、第二層３のＹ電極Ｙ１及び第二ダミー電極Ｄ２１と重なる。

図８の投射像において、第二層３の第二ダミー電極Ｄ２１に形成されるスリットＳは、第一層２のＸ電極Ｘ１及び第一ダミー電極Ｄ１１と重なる。

Ａ領域では、第一層２のＸ電極Ｘ１に形成されたＹ方向に延びるスリットＳ１と第二層３のＹ電極Ｙ１に形成されたＸ方向に延びるスリットＳ３とが形成される。Ｂ領域では、第一層２のＸ電極Ｘ１に形成されたＹ方向に延びるスリットＳ２と第二層３の第二ダミー電極Ｄ２１に形成されたＸ方向に延びるスリットＳ及びＹ方向に延びるスリットＳが形成される。Ｃ領域では、第一層２の第一ダミー電極Ｄ１１に形成されたＸ方向に延びるスリットＳ及びＹ方向に延びるスリットＳと第二層３のＹ電極Ｙ１に形成されたＸ方向に延びるスリットＳ４とが形成される。Ｄ領域では、第一層２の第一ダミー電極Ｄ１１に形成されたＹ方向に延びるスリットＳと第二層３の第二ダミー電極Ｄ２１に形成されたＸ方向に延びるスリットＳとが形成される。そして、このＡ領域〜Ｄ領域の４つの領域の繰り返しが、タッチパネルの全面に配列されている。

そして、スリットＳ１及びスリットＳ２は、それぞれ、等しいピッチでＸ方向に配置されており、Ｘ方向に隣り合うスリット間の距離が等しい。このピッチは、第一層２の第一ダミー電極Ｄ１１に形成されたＹ方向に延びるスリットＳのピッチの２倍である。

スリットＳ３及びスリットＳ４は、それぞれ、等しいピッチでＹ方向に配置されており、Ｙ方向に隣り合うスリット間の距離が等しい。このピッチは、第二層３の第二ダミー電極Ｄ２１に形成されたＸ方向に延びるスリットＳのピッチの２倍である。

また、単位格子における４つの格子点間を結ぶ、縦二辺及び横二辺の計四辺のスリット形状は、任意の曲線であると視認されにくい。このため、それぞれ任意の曲線からなってもよい。また、それぞれ２種類の凹凸の曲線のうちの何れかからなってもよい。

更に、これら単位格子が隣接した４つの格子の形状に注目すると、例えば、図１０（ａ）〜（ｆ）に示す様にスリット曲線を滑らかに接続することによって、電極パターンを視認し難くできる。図１０では６つの例を示したが、そのスリットの組み合わせは任意で、よりランダムな組み合わせの方が規則性を緩和でき、特定角度から見た際の視認性を向上できる。なお、図１０において、太線は、スリットＳを示しており、互いに直交する細線の格子は、スリットＳの基準位置を示す基準線を示している。

タッチパネルで検出する静電容量は、第一層２のＸ電極Ｘ１と第二層３のＹ電極Ｙ１とが重なる面積、第一層２のＸ電極Ｘ１及び第二層３のＹ電極Ｙ１間の距離、第一層２のＸ電極Ｘ１と第二層３のＹ電極Ｙ１間の材料の誘電率に依存する。第一層２のＸ電極Ｘ１と第二層３のＹ電極Ｙ１とが重なる面積は、第一層２のＸ電極Ｘ１の幅と第二層３のＹ電極Ｙ１の幅で規定される。そこで、静電容量を規定する第一層２のＸ電極Ｘ１と第二層３のＹ電極Ｙ１とが重なる面積は、タッチパネルの全面で一定になるようにスリット形状を設計する方が好ましい。この制約を一番簡単に実現するには、第一層２のＸ電極Ｘ１と第二層３のＹ電極Ｙ１が重なる部分では、スリットの形状、配列をタッチパネルの全面において同じとなるように構成することが好ましい。

単位格子のＸ方向とＹ方向の比が０．７〜１．３であると、対称性が高く、センサー電極パターンを視認し難くできるため、好ましい。また、単位格子のＸ方向とＹ方向の比が１であると、対称性が更に高く、センサー電極パターンを更に視認し難くできるため、更に好ましい。

また、単位格子の大きさは、大きすぎても小さすぎても視認され易く、一辺が５０〜５００μｍとなるのが好ましい。

本実施形態のタッチパネルにおいては、第一層２のＸ電極Ｘ１及び第一ダミー電極Ｄ１１、並びに第二層３のＹ電極Ｙ１及び第二ダミー電極Ｄ２１が同一の透明導電膜からなることが好ましい。透明導電膜としては、酸化インジウムスズ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）、導電性ポリマー、金属ナノワイヤ含有組成物、カーボンナノチューブ含有組成物等が挙げられる。

また、本実施形態のタッチパネルにおいては、スリットＳの幅が４０μｍ以下であることが好ましい。スリットＳの幅が４０μｍ以下であると、スリットＳ自体が視認され難くなるため好ましい。一方、スリットＳの幅は、小さいほど視認され難いが、電極間でショートする可能性がでてくるので、視認性と電極間のショートの両立を図ることが必要となる。

本実施形態のタッチパネルは、透明導電膜として、金属ナノワイヤを含有する組成物で形成する場合、特に有効である。金属ナノワイヤ含有組成物は、金属ナノワイヤの散乱に起因して、電極のある部分とない部分の光学的な差、すなわち、透過、反射に関する鏡面、拡散成分、及びそのスペクトルに起因した色相の差が視認され易い。したがって、本実施形態の構成は、金属ナノワイヤ含有組成物によりセンサー電極パターンを視認し難くできるため、有用である。

本実施形態の静電容量型タッチパネルの製造方法では、金属ナノワイヤからなる透明導電材を感光性プロセスでパターニングすることが好ましい。すなわち、透明導電膜によるセンサー電極パターンを感光性プロセスで形成し、タッチパネルを製造することが好ましい。

前述のように、一般に使用されているコントローラーＩＣは、静電容量が一定範囲内にあることを必要とする。また、一般に使用されているコントローラーＩＣは、電極の長さと幅で規定される抵抗が一定範囲内にあることを必要とする。

これらの要求から、第一層のＸ電極及び第二層のＹ電極の幅を設計する必要がある。一方、各電極のピッチは、指の大きさから４〜５ｍｍが適当である。以上から、電極の幅とダミー電極の幅の比率が求まる。また、電極のラインの本数はタッチパネルの寸法に依存し、タッチパネルの寸法が大きければラインの本数は多くなる。

＜第二の実施の形態＞
図１１は本実施形態のタッチパネル１Ａの第一層２Ａの構成例を示す。第一層２Ａは、透明導電膜からなる。第一層２Ａには、Ｙ方向に延在してＹ方向と直交するＸ方向に配列された複数のＸ電極Ｘ２と、隣り合うＸ電極Ｘ２の間に配置された第一ダミー電極Ｄ１２とが形成されている。第一ダミー電極Ｄ１２は、電気的に接続されていない浮遊電極である。Ｘ電極Ｘ２には、Ｘ電極Ｘ２の延在方向、すなわちＹ方向に延在するスリットＳが形成されている。第一ダミー電極Ｄ１２には、Ｘ方向に延在するスリットＳ及びＹ方向に延在するスリットＳが形成されている。これらのスリットＳは、絶縁性を有する。更に、Ｘ電極Ｘ２の中には、部分的なダミー電極ＰＤ３が形成されている。部分的なダミー電極ＰＤ３とは、Ｘ電極Ｘ２の一部の領域を占めるダミー電極である。

図１２は本実施形態のタッチパネル１Ａの第二層３Ａの構成例を示す。第二層３Ａは、透明導電膜からなる。第二層３Ａには、Ｘ方向に延在してＹ方向に配列された複数のＹ電極Ｙ２と、隣り合うＹ電極Ｙ２の間に配置された第二ダミー電極Ｄ２２と、が形成されている。第二ダミー電極Ｄ２２は、電気的に接続されていない浮遊電極である。Ｙ電極Ｙ２には、Ｙ電極Ｙ２の延在方向、すなわちＸ方向に延在するスリットＳが形成されている。第二ダミー電極Ｄ２２には、Ｘ方向に延在するスリットＳ及びＹ方向に延在するスリットＳが形成されている。これらのスリットＳは、絶縁性を有する。更に、Ｙ電極Ｙ２の中には、部分的なダミー電極ＰＤ４が形成されている。部分的なダミー電極ＰＤ４とは、Ｙ電極Ｙ２の一部の領域を占めるダミー電極である。

図１３は、本実施形態のタッチパネル１Ａの第一層２Ａと第二層３Ａとを絶縁層を介して積層した場合の投射像を示す。なお、図１３では、第一層２Ａを実線で示し、第二層３Ａを破線で示している。投射像は、第一層２Ａと第二層３Ａとを第一層２Ａと第二層３Ａとの積層方向に投射した像である。投射像には、スリットＳによる格子形状がタッチパネルの全面に渡って均一に形成されている。以下、第一層２Ａと第二層３Ａとを重ね合わせて投射方向で見た際に、スリットＳで形成される最小単位の格子を単位格子という。単位格子は、Ｘ方向に延在する二つのスリットＳと、Ｙ方向に延在する二つのスリットＳと、の合計四つのスリットＳにより形成される格子である。

図１３の投射像には、Ａ領域、Ｂ領域、Ｃ領域、及びＤ領域の４つの異なるセンサー電極パターンの領域がある。Ａ領域は、第一層２ＡのＸ電極Ｘ２と第二層３ＡのＹ電極Ｙ２とが重なる領域である。Ｂ領域は、第一層２ＡのＸ電極Ｘ２と第二層３Ａの第二ダミー電極Ｄ２２とが重なる領域である。Ｃ領域は、第一層２Ａの第一ダミー電極Ｄ１２と第二層３ＡのＹ電極Ｙ２とが重なる領域である。Ｄ領域は、第一層２Ａの第一ダミー電極Ｄ１２と第二層３Ａの第二ダミー電極Ｄ２２とが重なる領域である。

そして、投射像のＡ領域では、ダミー電極ＰＤ３とダミー電極ＰＤ４とが重なる領域と、ダミー電極ＰＤ３とダミー電極ＰＤ４とが重ならない領域とが形成されている。ダミー電極ＰＤ３は、Ａ領域において、それぞれ１０／３６の面積を有する２つの領域からなる。同様に、ダミー電極ＰＤ４は、Ａ領域において、それぞれ１０／３６の面積を有する２つの領域からなる。そして、ダミー電極ＰＤ３とダミー電極ＰＤ４とは、Ａ領域において、Ａ領域の８／３６の面積においてのみ重なる。その結果、Ａ領域においてＸ電極Ｘ２とＹ電極Ｙ２の重なる領域は１つとなり、その面積はダミー電極ＰＤ３及びダミー電極ＰＤ４がない場合の１１．１％と小さくなっている。なお、図１３では、Ａ領域においてＸ電極Ｘ２とＹ電極Ｙ２とが重なる領域をグレーでハッチングしている。図１３の投射像において、Ｘ電極Ｘ２中のダミー電極ＰＤ３とＹ電極Ｙ２中のダミー電極ＰＤ４とは、一部、重なりがある。

具体的に記述すると、図１３の投射像において、第一層２ＡのＸ電極Ｘ２に形成されるスリットＳは、第二層３ＡのＹ電極Ｙ２と重なるが第二ダミー電極Ｄ２２とは重ならないスリットＳ１と、第二層３ＡのＹ電極Ｙ２と重ならないが第二ダミー電極Ｄ２２とは重なるスリットＳ２の２種類からなる。

図１３の投射像において、第二層３ＡのＹ電極Ｙ２に形成されるスリットＳは、第一層２ＡのＸ電極Ｘ２と重なるが第一ダミー電極Ｄ１２とは重ならないスリットＳ３と、第一層２ＡのＸ電極Ｘ２と重ならないが第一ダミー電極Ｄ１２とは重なるスリットＳ４の２種類からなる。

そして、スリットＳ１及びスリットＳ２は、それぞれ、等しいピッチでＸ方向に配置されており、Ｘ方向に隣り合うスリット間の距離が等しい。このピッチは、第一層２Ａの第一ダミー電極Ｄ１２に形成されたＹ方向に延びるスリットＳのピッチの２倍である。

スリットＳ３及びスリットＳ４は、それぞれ、等しいピッチでＹ方向に配置されており、Ｙ方向に隣り合うスリット間の距離が等しい。このピッチは、第二層３Ａの第二ダミー電極Ｄ２２に形成されたＸ方向に延びるスリットＳのピッチの２倍である。

＜第三の実施の形態＞
図１４は本実施形態のタッチパネル１Ｂの第一層２Ｂの構成例を示す。第一層２Ｂは、透明導電膜からなる。第一層２Ｂには、Ｙ方向に延在してＹ方向と直交するＸ方向に配列された複数のＸ電極Ｘ３と、隣り合うＸ電極Ｘ３の間に配置された第一ダミー電極Ｄ１３とが形成されている。第一ダミー電極Ｄ１３は、電気的に接続されていない浮遊電極である。Ｘ電極Ｘ３には、Ｘ電極Ｘ３の延在方向、すなわちＹ方向に延在するスリットＳが形成されている。第一ダミー電極Ｄ１３には、Ｘ方向に延在するスリットＳ及びＹ方向に延在するスリットＳが形成されている。これらのスリットＳは、絶縁性を有する。更に、Ｘ電極Ｘ３の中には、部分的なダミー電極ＰＤ５が形成されている。部分的なダミー電極ＰＤ５とは、Ｘ電極Ｘ３の一部の領域を占めるダミー電極である。

図１５は本実施形態のタッチパネル１Ｂの第二層３Ｂの構成例を示す。第二層３Ｂは、透明導電膜からなる。第二層３Ｂには、Ｘ方向に延在してＹ方向に配列された複数のＹ電極Ｙ３と、隣り合うＹ電極Ｙ３の間に配置された第二ダミー電極Ｄ２３と、が形成されている。第二ダミー電極Ｄ２３は、電気的に接続されていない浮遊電極である。Ｙ電極Ｙ３には、Ｙ電極Ｙ３の延在方向、すなわちＸ方向に延在するスリットＳが形成されている。第二ダミー電極Ｄ２３には、Ｘ方向に延在するスリットＳ及びＹ方向に延在するスリットＳが形成されている。これらのスリットＳは、絶縁性を有する。更に、Ｙ電極Ｙ３の中には、部分的なダミー電極ＰＤ６が形成されている。部分的なダミー電極ＰＤ６とは、Ｙ電極Ｙ３の一部の領域を占めるダミー電極である。

図１６は、本実施形態のタッチパネル１Ｂの第一層２Ｂと第二層３Ｂとを絶縁層を介して積層した場合の投射像を示す。なお、図１６では、第一層２Ｂを実線で示し、第二層３Ｂを破線で示している。投射像は、第一層２Ｂと第二層３Ｂとを第一層２Ｂと第二層３Ｂとの積層方向に投射した像である。投射像には、スリットＳによる格子形状がタッチパネルの全面に渡って均一に形成されている。以下、第一層２Ｂと第二層３Ｂとを重ね合わせて投射方向で見た際に、スリットＳで形成される最小単位の格子を単位格子という。単位格子は、Ｘ方向に延在する二つのスリットＳと、Ｙ方向に延在する二つのスリットＳと、の合計四つのスリットＳにより形成される格子である。

図１７に、図１６の投射像において分類分けできる４つの領域を示す。図１６の投射像には、Ａ領域、Ｂ領域、Ｃ領域、及びＤ領域の４つの異なるセンサー電極パターンの領域がある。Ａ領域は、第一層２ＢのＸ電極Ｘ３と第二層３ＢのＹ電極Ｙ３とが重なる領域である。Ｂ領域は、第一層２ＢのＸ電極Ｘ３と第二層３Ｂの第二ダミー電極Ｄ２３とが重なる領域である。Ｃ領域は、第一層２Ｂの第一ダミー電極Ｄ１３と第二層３ＢのＹ電極Ｙ３とが重なる領域である。Ｄ領域は、第一層２Ｂの第一ダミー電極Ｄ１３と第二層３Ｂの第二ダミー電極Ｄ２３とが重なる領域である。

本実施形態では、Ｂ領域及びＣ領域は、Ｄ領域より大きい。

そして、投射像のＡ領域の面積は、ダミー電極ＰＤ５及びダミー電極ＰＤ６がない場合の１１．１％と小さくなっている。なお、図１６では、Ａ領域となるＸ電極Ｘ３とＹ電極Ｙ３とが重なる領域をグレーでハッチングしている。図１６の投射像において、Ｘ電極Ｘ３中のダミー電極ＰＤ５とＹ電極Ｙ３中のダミー電極ＰＤ６とは、一部、重なりがある。

具体的に記述すると、図１６の投射像において、第一層２ＢのＸ電極Ｘ３に形成されるスリットＳは、第二層３ＢのＹ電極Ｙ３と重なるが第二ダミー電極Ｄ２３とは重ならないスリットＳ１と、第二層３ＢのＹ電極Ｙ３と重ならないが第二ダミー電極Ｄ２３とは重なるスリットＳ２の２種類からなる。

図１６の投射像において、第二層３ＢのＹ電極Ｙ３に形成されるスリットＳは、第一層２ＢのＸ電極Ｘ３と重なるが第一ダミー電極Ｄ１３とは重ならないスリットＳ３と、第一層２ＢのＸ電極Ｘ３と重ならないが第一ダミー電極Ｄ１３とは重なるスリットＳ４の２種類からなる。

そして、スリットＳ１及びスリットＳ２は、それぞれ、等しいピッチでＸ方向に配置されており、Ｘ方向に隣り合うスリット間の距離が等しい。このピッチは、第一層２Ｂの第一ダミー電極Ｄ１３に形成されたＹ方向に延びるスリットＳのピッチと等しい。

スリットＳ３及びスリットＳ４は、それぞれ、等しいピッチでＹ方向に配置されており、Ｙ方向に隣り合うスリット間の距離が等しい。このピッチは、第二層３Ｂの第二ダミー電極Ｄ２３に形成されたＸ方向に延びるスリットＳのピッチと等しい。

＜第四の実施の形態＞
図１８は本実施形態のタッチパネル１Ｃの第一層２Ｃの構成例を示す。第一層２Ｃは、透明導電膜からなる。第一層２Ｃには、Ｙ方向に延在してＹ方向と直交するＸ方向に配列された複数のＸ電極Ｘ４と、隣り合うＸ電極Ｘ４の間に配置された第一ダミー電極Ｄ１４とが形成されている。第一ダミー電極Ｄ１４は、電気的に接続されていない浮遊電極である。Ｘ電極Ｘ４には、Ｘ電極Ｘ４の延在方向、すなわちＹ方向に延在するスリットＳが形成されている。第一ダミー電極Ｄ１４には、Ｘ方向に延在するスリットＳ及びＹ方向に延在するスリットＳが形成されている。これらのスリットＳは、絶縁性を有する。更に、Ｘ電極Ｘ４の中には、部分的なダミー電極ＰＤ７が形成されている。部分的なダミー電極ＰＤ７とは、Ｘ電極Ｘ４の一部の領域を占めるダミー電極である。

図１９は本実施形態のタッチパネル１Ｃの第二層３Ｃの構成例を示す。第二層３Ｃは、透明導電膜からなる。第二層３Ｃには、Ｘ方向に延在してＹ方向に配列された複数のＹ電極Ｙ４と、隣り合うＹ電極Ｙ４の間に配置された第二ダミー電極Ｄ２４と、が形成されている。第二ダミー電極Ｄ２４は、電気的に接続されていない浮遊電極である。Ｙ電極Ｙ４には、Ｙ電極Ｙ４の延在方向、すなわちＸ方向に延在するスリットＳが形成されている。第二ダミー電極Ｄ２４には、Ｘ方向に延在するスリットＳ及びＹ方向に延在するスリットＳが形成されている。これらのスリットＳは、絶縁性を有する。更に、Ｙ電極Ｙ４の中には、部分的なダミー電極ＰＤ８が形成されている。部分的なダミー電極ＰＤ８とは、Ｙ電極Ｙ４の一部の領域を占めるダミー電極である。

図２０は、本実施形態のタッチパネル１Ｃの第一層２Ｃと第二層３Ｃとを絶縁層を介して積層した場合の投射像を示す。なお、図２０では、第一層２Ｃを実線で示し、第二層３Ｃを破線で示している。投射像は、第一層２Ｃと第二層３Ｃとを第一層２Ｃと第二層３Ｃとの積層方向に投射した像である。投射像には、スリットＳによる格子形状がタッチパネルの全面に渡って均一に形成されている。以下、第一層２Ｃと第二層３Ｃとを重ね合わせて投射方向で見た際に、スリットＳで形成される最小単位の格子を単位格子という。単位格子は、Ｘ方向に延在する二つのスリットＳと、Ｙ方向に延在する二つのスリットＳと、の合計四つのスリットＳにより形成される格子である。

本実施形態では、第三の実施形態と比べて、第一層のＸ電極の一部のスリットを第二層の第二ダミー電極内に移し、第二層のＹ電極の一部のスリットを第一層の第一ダミー電極内に移している。その他は、第三の実施形態と基本的に同じ構成である。

図２０の投射像には、Ａ領域、Ｂ領域、Ｃ領域、及びＤ領域の４つの異なるセンサー電極パターンの領域がある。Ａ領域は、第一層２ＣのＸ電極Ｘ４と第二層３ＣのＹ電極Ｙ４とが重なる領域である。Ｂ領域は、第一層２ＣのＸ電極Ｘ４と第二層３Ｃの第二ダミー電極Ｄ２４とが重なる領域である。Ｃ領域は、第一層２Ｃの第一ダミー電極Ｄ１４と第二層３ＣのＹ電極Ｙ４とが重なる領域である。Ｄ領域は、第一層２Ｃの第一ダミー電極Ｄ１４と第二層３Ｃの第二ダミー電極Ｄ２４とが重なる領域である。

そして、投射像のＡ領域の面積は、ダミー電極ＰＤ７とダミー電極ＰＤ８とが重ならない場合の１１．１％と小さくなっている。なお、図２０では、Ａ領域においてＸ電極Ｘ４とＹ電極Ｙ４とが重なる領域をグレーでハッチングしている。図２０の投射像において、Ｘ電極Ｘ４中のダミー電極ＰＤ７とＹ電極Ｙ４中のダミー電極ＰＤ８とは、一部、重なりがある。

具体的に記述すると、図２０の投射像において、第一層２ＣのＸ電極Ｘ４に形成されるスリットＳは、第二層３ＣのＹ電極Ｙ４と重なるが第二ダミー電極Ｄ２４とは重ならないスリットＳ１と、第二層３ＣのＹ電極Ｙ４と重ならないが第二ダミー電極Ｄ２４とは重なるスリットＳ２の２種類からなる。

図２０の投射像において、第二層３ＣのＹ電極Ｙ４に形成されるスリットＳは、第一層２ＣのＸ電極Ｘ４と重なるが第一ダミー電極Ｄ１４とは重ならないスリットＳ３と、第一層２ＣのＸ電極Ｘ４と重ならないが第一ダミー電極Ｄ１４とは重なるスリットＳ４の２種類からなる。

そして、スリットＳ１及びスリットＳ２は、それぞれ、等しいピッチでＸ方向に配置されており、Ｘ方向に隣り合うスリット間の距離が等しい。このピッチは、第一層２Ｃの第一ダミー電極Ｄ１４に形成されたＹ方向に延びるスリットＳのピッチの２倍である。

スリットＳ３及びスリットＳ４は、それぞれ、等しいピッチでＹ方向に配置されており、Ｙ方向に隣り合うスリット間の距離が等しい。このピッチは、第二層３Ｃの第二ダミー電極Ｄ２４に形成されたＸ方向に延びるスリットＳのピッチの２倍である。

＜第五の実施の形態＞
図２１は、本実施形態のタッチパネル１Ｄの第一層２Ｄと第二層３Ｄとを絶縁層を介して積層した場合の投射像を示す。図２２は、図２１におけるスリットの基準位置を示す基準線を示している。本実施形態では、第四の実施形態と比べて、第一層のＸ電極および第二層のＹ電極のスリットを２種類の凹凸の曲線で形成している。その他は、第四の実施形態と基本的に同じ構成である。

曲線スリットの組み合わせは任意で、よりランダムな組み合わせの方が規則性を緩和でき、特定角度から見た際の視認性を向上できる。更に、これら単位格子が隣接した４つの格子の形状に注目すると、図２１に示す様にスリット曲線を滑らかに接続することによって、電極パターンを視認し難くできることを見出した。このためには、Ｘ方向、Ｙ方向に沿って、隣接するスリット曲線の一階微分が連続、すなわちＣ１連続、となるような配列で構成されることが好ましい。

但し、前述のように静電容量を規定する第一層２ＤのＸ電極と第二層３ＤのＹ電極とが重なる面積は、タッチパネル１Ｄの全面で一定になるようにスリット形状を設計する方が好ましい。この制約を一番簡単に実現するには、第一層２ＤのＸ電極と第二層３ＤのＹ電極が重なる部分では、スリットの形状、配列をタッチパネル１Ｄの全面において同じとなるように構成することが好ましい。

＜第六の実施の形態＞
図２３は本実施形態のタッチパネル１Ｅの第一層２Ｅの構成例を示す。第一層２Ｅは、透明導電膜からなる。第一層２Ｅには、Ｙ方向に延在してＹ方向と直交するＸ方向に配列された複数のＸ電極Ｘ６と、隣り合うＸ電極Ｘ６の間に配置された第一ダミー電極Ｄ１６とが形成されている。第一ダミー電極Ｄ１６は、電気的に接続されていない浮遊電極である。Ｘ電極Ｘ６には、Ｘ電極Ｘ６の延在方向、すなわちＹ方向に延在するスリットＳが形成されている。第一ダミー電極Ｄ１６には、Ｘ方向に延在するスリットＳ及びＹ方向に延在するスリットＳが形成されている。これらのスリットＳは、絶縁性を有する。更に、Ｘ電極Ｘ６の中には、部分的なダミー電極ＰＤ９が形成されている。部分的なダミー電極ＰＤ９とは、Ｘ電極Ｘ６の一部の領域を占めるダミー電極である。

図２４は本実施形態のタッチパネル１Ｅの第二層３Ｅの構成例を示す。第二層３Ｅは、透明導電膜からなる。第二層３Ｅには、Ｘ方向に延在してＹ方向に配列された複数のＹ電極Ｙ６と、隣り合うＹ電極Ｙ６の間に配置された第二ダミー電極Ｄ２６と、が形成されている。第二ダミー電極Ｄ２６は、電気的に接続されていない浮遊電極である。Ｙ電極Ｙ６には、Ｙ電極Ｙ６の延在方向、すなわちＸ方向に延在するスリットＳが形成されている。第二ダミー電極Ｄ２６には、Ｘ方向に延在するスリットＳ及びＹ方向に延在するスリットＳが形成されている。これらのスリットＳは、絶縁性を有する。更に、Ｙ電極Ｙ６の中には、部分的なダミー電極ＰＤ１０が形成されている。部分的なダミー電極ＰＤ１０とは、Ｙ電極Ｙ１０の一部の領域を占めるダミー電極である。

図２５は、本実施形態のタッチパネル１Ｅの第一層２Ｅと第二層３Ｅとを絶縁層を介して積層した場合の投射像を示す。なお、図２５では、第一層２Ｅを実線で示し、第二層３Ｅを破線で示している。投射像は、第一層２Ｅと第二層３Ｅとを第一層２Ｅと第二層３Ｅとの積層方向に投射した像である。投射像には、スリットＳによる格子形状がタッチパネルの全面に渡って均一に形成されている。以下、第一層２Ｅと第二層３Ｅとを重ね合わせて投射方向で見た際に、スリットＳで形成される最小単位の格子を単位格子という。単位格子は、Ｘ方向に延在する二つのスリットＳと、Ｙ方向に延在する二つのスリットＳと、の合計四つのスリットＳにより形成される格子である。

図２５の投射像には、Ａ領域、Ｂ領域、Ｃ領域、及びＤ領域の４つの異なるセンサー電極パターンの領域がある。Ａ領域は、第一層２ＥのＸ電極Ｘ６と第二層３ＥのＹ電極Ｙ６とが重なる領域である。Ｂ領域は、第一層２ＥのＸ電極Ｘ６と第二層３Ｅの第二ダミー電極Ｄ２６とが重なる領域である。Ｃ領域は、第一層２Ｅの第一ダミー電極Ｄ１６と第二層３ＥのＹ電極Ｙ６とが重なる領域である。Ｄ領域は、第一層２Ｅの第一ダミー電極Ｄ１６と第二層３Ｅの第二ダミー電極Ｄ２６とが重なる領域である。

そして、投射像のＡ領域の面積は、ダミー電極ＰＤ９及びダミー電極ＰＤ１０がない場合の４％と著しく小さくなっている。なお、図２５では、Ａ領域においてＸ電極Ｘ６とＹ電極Ｙ６とが重なる領域をグレーでハッチングしている。図２５の投射像において、Ｘ電極Ｘ６中のダミー電極ＰＤ９とＹ電極Ｙ６中のダミー電極ＰＤ１０とは、一部、重なりがある。

具体的に記述すると、図２５の投射像において、第一層２ＥのＸ電極Ｘ６に形成されるスリットＳは、第二層３ＥのＹ電極Ｙ６と重ならないが第二ダミー電極Ｄ２６とは重なるスリットＳ２の１種類からなる。

図２５の投射像において、第二層３ＥのＹ電極Ｙ６に形成されるスリットＳは、第一層２ＥのＸ電極Ｘ６と重ならないが第一ダミー電極Ｄ１６とは重なるスリットＳ４の１種類からなる。

そして、スリットＳ２は、等しいピッチでＸ方向に配置されており、Ｘ方向に隣り合うスリット間の距離が等しい。このピッチは、第一層２Ｅの第一ダミー電極Ｄ１６に形成されたＹ方向に延びるスリットＳのピッチと等しい。

スリットＳ４は、等しいピッチでＹ方向に配置されており、Ｙ方向に隣り合うスリット間の距離が等しい。このピッチは、第二層３Ｅの第二ダミー電極Ｄ２６に形成されたＸ方向に延びるスリットＳのピッチと等しい。

＜比較例１の形態＞
図１は、比較例１のタッチパネルの第一層１０２の構成例を示す。第一層１０２は、透明導電膜からなる。第一層１０２には、Ｙ方向に延在してＸ方向に配列される複数のＸ電極Ｘ１０１と、隣り合うＸ電極Ｘ１０１の間に配置された第一ダミー電極Ｄ１１１と、が形成されている。第一ダミー電極Ｄ１１１は、電気的に接続されていない浮遊電極である。第一ダミー電極Ｄ１１１には、Ｘ方向に延在するスリットＳ及びＹ方向に延在するスリットＳが形成されている。これらのスリットＳは、絶縁性を有する。図１では、Ｘ電極Ｘ１０１は４本のラインの例で、Ｘ電極Ｘ１０１の幅Ｗ１と第一ダミー電極Ｄ１１１の幅Ｗ２との比はＷ１：Ｗ２＝１：４の例を示している。

図２は、比較例１のタッチパネルの第二層１０３の構成例を示す。第二層１０３は、透明電極からなる。第二層１０３には、Ｘ方向に延在してＹ方向に配列された複数のＹ電極Ｙ１０１が形成されている。Ｙ電極Ｙ１０１には、Ｙ電極Ｙ１０１の延在方向、すなわちＸ方向に延在するスリットＳが形成されている。これらのスリットＳは、絶縁性を有する。図２では、Ｙ電極Ｙ１０１は５本のラインで構成されている例を示している。

比較例１のタッチパネルは、このように構成される第一層１０２と第二層１０３とが絶縁層（不図示）を介して積層された静電容量型タッチパネルセンサである。

図３は、比較例１のタッチパネル１０１の第一層１０２と第二層１０３とを絶縁層を介して積層した場合の投射像を示す。なお、図３では、第一層１０２を実線で示し、第二層１０３を破線で示している。投射像は、第一層１０２と第二層１０３とを第一層１０２と第二層１０３との積層方向に投射した像である。投射像には、スリットＳによる格子形状が全面に渡って均一に形成されている。図３の投射像において、第二層１０３のＹ電極Ｙ１０１に形成されるスリットＳは、第一層１０２のＸ電極Ｘ１０１と重なるが第一ダミー電極Ｄ１１１とは重ならない。なお、図３では、第一層１０２のＸ電極Ｘ１０１と第二層１０３のＹ電極Ｙ１０１とが重なるＡ領域において、Ｘ電極Ｘ１０１とＹ電極Ｙ１０１とが重なる領域をグレーでハッチングしている。

しかしながら、比較例１では第一層１０２にはＸ電極Ｘ１０１と第一ダミー電極Ｄ１１１を、第二層１０３にはＹ電極Ｙ１０１を配置することによって、タッチパネルの全面で単位格子を構成している。したがって、比較例１では、Ｘ電極Ｘ１０１の幅と、隣り合うＸ電極Ｘ１０１の間に配置された第一ダミー電極Ｄ１１１の幅と、Ｙ電極Ｙ１０１の幅と、の関係に制約があり、設計の柔軟性に欠ける。

また、比較例１では、Ｘ電極とＹ電極とが重なっている面積が大きい。このため、電極間の距離が離れている構造では問題が少ないが、電極間の距離が近い構造では静電容量が大きくなり、タッチ感度が劣る問題がある。

＜比較例２の形態＞
図２６は、比較例２のタッチパネルの第一層２０２の構成例を示す。第一層２０２は、透明導電膜からなる。第一層２０２には、Ｙ方向に延在してＹ方向と直交するＸ方向に配列された複数のＸ電極Ｘ２０１と、隣り合うＸ電極Ｘ２０１の間に配置された第一ダミー電極Ｄ２１１とが形成されている。第一ダミー電極Ｄ２１１は、電気的に接続されていない浮遊電極である。Ｘ電極Ｘ２０１には、Ｘ電極Ｘ２０１の延在方向、すなわちＹ方向に延在するスリットＳが形成されている。第一ダミー電極Ｄ２１１には、Ｘ方向に延在するスリットＳ及びＹ方向に延在するスリットＳが形成されている。これらのスリットＳは、絶縁性を有する。

図２７は、比較例２のタッチパネルの第二層２０３の構成例を示す。第二層２０３は、透明導電膜からなる。第二層２０３には、Ｘ方向に延在してＹ方向に配列された複数のＹ電極Ｙ２０１と、隣り合うＹ電極Ｙ２０１の間に配置された第二ダミー電極Ｄ２２１、が形成されている。第二ダミー電極Ｄ２２１は、電気的に接続されていない浮遊電極である。Ｙ電極Ｙ２０１には、Ｙ電極Ｙ２０１の延在方向、すなわちＸ方向に延在するスリットＳが形成されている。第二ダミー電極Ｄ２２１には、Ｘ方向に延在するスリットＳ及びＹ方向に延在するスリットＳが形成されている。これらのスリットＳは、絶縁性を有する。

比較例２のタッチパネルは、このように構成される第一層２０２と第二層２０３とが絶縁層（不図示）を介して積層された静電容量型タッチパネルセンサである。

図２８は、比較例２のタッチパネル２０１の第一層２０２と第二層２０３とを絶縁層を介して積層した場合の投射像を示す。なお、図２８では、第一層２０２のＸ電極Ｘ２０１と第二層２０３のＹ電極Ｙ２０１とが重なるＡ領域において、Ｘ電極Ｘ２０１とＹ電極Ｙ２０１とが重なる領域をグレーでハッチングしている。

比較例２では、第一層２０２のＸ電極Ｘ２０１と第二層２０３のＹ電極Ｙ２０１とが重なるＡ領域で電極が重なっている面積が大きい。このため、電極間の距離が離れている構造では問題が少ないが、電極間の距離が近い構造では静電容量が大きくなり、タッチ感度が劣る問題がある。

以上、本発明によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更、置き換え可能である。

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１０１，２０１…タッチパネル、２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ，２Ｅ，１０２，２０２…第一層、３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ，３Ｅ，１０３，２０３…第二層、４…透明基板、５…絶縁層、Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４，Ｘ６，Ｘ１０１，Ｘ２０１…Ｘ電極、Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，Ｙ４，Ｙ６，Ｙ１０１…Ｙ電極、Ｄ１１，Ｄ１３，Ｄ１４，Ｄ１６，Ｄ１１１，Ｄ２１１…第一ダミー電極、Ｄ２１，Ｄ２３，Ｄ２４，Ｄ２６，Ｄ２２１…第二ダミー電極、ＰＤ１，ＰＤ２，ＰＤ３，ＰＤ４，ＰＤ５，ＰＤ６，ＰＤ７，ＰＤ８，ＰＤ９，ＰＤ１０…ダミー電極、Ｓ…スリット。

Claims (18)

1. Ｙ方向に延在して前記Ｙ方向と直交するＸ方向に配列された複数のＸ電極と、隣り合う前記Ｘ電極の間に配置された第一ダミー電極と、が形成された透明導電膜の第一層と、
   前記Ｘ方向に延在して前記Ｙ方向に配列された複数のＹ電極と、隣り合う前記Ｙ電極の間に配置された第二ダミー電極と、が形成された透明導電膜の第二層と、を備え、
   前記第一層と前記第二層とは、絶縁層を介して積層され、
   前記Ｘ電極には、当該Ｘ電極の延在方向に延びるスリットが形成され、
   前記Ｙ電極には、当該Ｙ電極の延在方向に延びるスリットが形成され、
   前記ダミー電極には、前記Ｘ方向に延びるスリット及び前記Ｙ方向に延びるスリットが形成され、
   前記第一層と前記第二層とを前記第一層と前記第二層との積層方向に投射した投射像において、
   前記スリットによる格子形状が全面に形成されるとともに、
   前記第一層の前記Ｘ電極と前記第二層の前記Ｙ電極とが重なるＡ領域の中において、前記Ｘ電極と前記Ｙ電極の中に、それぞれ部分的なダミー電極が形成される、
   静電容量型タッチパネル。
2. 前記投射像の前記Ａ領域の中において、前記Ｘ電極中のダミー電極と前記Ｙ電極中のダミー電極とが重ならない、
   請求項１に記載の静電容量型タッチパネル。
3. 前記投射像において、
   前記スリットによる格子形状がパネル全面に形成されるとともに、
   前記第一層の前記Ｘ電極と前記第二層の前記Ｙ電極とが重なるＡ領域と、
   前記第一層の前記Ｘ電極と前記第二層の前記第二ダミー電極とが重なるＢ領域と、
   前記第一層の前記第一ダミー電極と前記第二層の前記Ｙ電極とが重なるＣ領域と、
   前記第一層の前記第一ダミー電極と前記第二層の前記第二ダミー電極とが重なるＤ領域と、において、
   前記Ｂ領域及び前記Ｃ領域は、前記Ｄ領域より大きい、
   請求項１又は２に記載の静電容量型タッチパネル。
4. 前記第一層の前記Ｘ電極に形成された前記スリットは、前記投射像において前記第二層の前記Ｙ電極と重なるが前記第二ダミー電極とは重ならないスリットと、前記投射像において前記第二層の前記Ｙ電極と重ならないが前記第二ダミー電極とは重なるスリットの２種類からなり、
   前記第二層の前記Ｙ電極に形成された前記スリットは、前記投射像において前記第一層の前記Ｘ電極と重なるが前記第一ダミー電極とは重ならないスリットと、前記投射像において前記第一層の前記Ｘ電極と重ならないが前記第一ダミー電極とは重なるスリットの２種類からなる、
   請求項１〜３の何れか一項に記載の静電容量型タッチパネル。
5. 前記第一層の前記Ｘ電極に形成された前記スリットは、前記投射像において前記第二層の前記Ｙ電極と重なるが前記第二ダミー電極とは重ならず等しいピッチで前記Ｘ方向に配置されたスリットと、前記投射像において前記第二層の前記Ｙ電極と重ならないが前記第二ダミー電極とは重なる等しいピッチで前記Ｘ方向に配置されたスリットの２種類からなり、
   前記第二層の前記Ｙ電極に形成された前記スリットは、前記投射像において前記第一層の前記Ｘ電極と重なるが前記第一ダミー電極とは重ならず等しいピッチで前記Ｙ方向に配置されたスリットと、前記投射像において前記第一層の前記Ｘ電極と重ならないが前記第一ダミー電極とは重なる等しいピッチで前記Ｙ方向に配置されたスリットの２種類からなる、
   請求項１〜３の何れか一項に記載の静電容量型タッチパネル。
6. 前記第一層の前記Ｘ電極に形成された前記スリットのピッチは、前記第一層の第一ダミー電極に形成された前記Ｙ方向に延びる前記スリットのピッチと等しい、または２倍であり、
   前記第二層の前記Ｙ電極に形成された前記スリットのピッチは、前記第二層の第二ダミー電極に形成された前記Ｘ方向に延びる前記スリットのピッチと等しい、または２倍である、
   請求項１〜５の何れか一項に記載の静電容量型タッチパネル。
7. 前記投射像において、前記スリットによる格子形状が前記タッチパネルの全面に形成され、
   前記格子形状の最小単位である単位格子における４つの格子点間の縦二辺及び横二辺の計四辺のスリット形状が、それぞれ任意な曲線からなる、
   請求項１〜６の何れか一項に記載の静電容量型タッチパネル。
8. 前記投射像において、前記スリットによる格子形状が前記タッチパネルの全面に形成され、
   前記格子形状の最小単位である単位格子における４つの格子点間の縦二辺及び横二辺の計四辺のスリット形状が、それぞれ２種類の凹凸の曲線のうちの何れかからなる、
   請求項１〜６の何れか一項に記載の静電容量型タッチパネル。
9. 前記格子形状の最小単位である単位格子を形成するスリットは、前記Ｘ方向及び前記Ｙ方向に沿って一階微分連続となるような配列で構成されている、
   請求項１〜８の何れか一項に記載の静電容量型タッチパネル。
10. 前記投射像において、前記第一層の前記Ｘ電極と前記第二層の前記Ｙ電極が重なる部分の面積が前記タッチパネルの全面において同じとなるように、前記スリットの形状及び配列が構成されている、
    請求項１〜９の何れか一項記載の静電容量型タッチパネル。
11. 前記格子形状の最小単位である単位格子の前記Ｘ方向と前記Ｙ方向との比が０．７〜１．３である、
    請求項１〜１０の何れか一項に記載の静電容量型タッチパネル。
12. 前記格子形状の最小単位である単位格子の前記Ｘ方向と前記Ｙ方向との比が１である、
    請求項１〜１０の何れか一項に記載の静電容量型タッチパネル。
13. 前記第一層及び前記第二層は、それぞれ透明基板の両側に形成されている、
    請求項１〜１２の何れか一項に記載の静電容量型タッチパネル。
14. 前記第一層及び前記第二層は、透明基板の片側に、前記透明基板、前記第一層、絶縁層及び前記第二層の順、又は前記透明基板、前記第二層、絶縁層及び前記第一層の順に形成されている、
    請求項１〜１２の何れか一項に記載の静電容量型タッチパネル。
15. 前記第一層の前記Ｘ電極及び前記第一ダミー電極、並びに前記第二層の前記Ｙ電極及び前記第二ダミー電極は、同一の透明導電膜からなる、
    請求項１〜１４の何れか一項に記載の静電容量型タッチパネル。
16. 前記スリットの幅が４０μｍ以下である、
    請求項１〜１５の何れか一項に記載の静電容量型タッチパネル。
17. 前記透明導電膜は、金属ナノワイヤを含有する組成物で形成される、
    請求項１〜１６の何れか一項に記載の静電容量型タッチパネル。
18. 請求項１７に記載の静電容量型タッチパネルにおいて、前記金属ナノワイヤからなる透明導電材を感光性プロセスでパターニングすることで、前記透明導電膜を形成する、
    静電容量型タッチパネルの製造方法。