JP2018529216A - 半導体デバイスにおけるインダクタ構造 - Google Patents

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Abstract

インダクタ構造は、インダクタの第1の層に対応するトレースの第1のセットと、インダクタの第2の層に対応するトレースの第2のセットと、第1の層と第2の層との間に配置されたインダクタの第3の層に対応するトレースの第3のセットとを含む。トレースの第1のセットは、第1のトレースと、第1のトレースに平行である第2のトレースとを含む。第1のトレースの寸法は、第2のトレースの対応する寸法とは異なる。トレースの第2のセットは、トレースの第1のセットに結合される。トレースの第2のセットは、第1のトレースおよび第2のトレースに結合された第3のトレースを含む。トレースの第3のセットは、トレースの第1のセットに結合される。

Description

優先権主張
本出願は、同一出願人が所有する、2015年6月22日に出願された米国非仮特許出願第14/746,652号の優先権を主張し、その内容全体が参照により本明細書に明示的に組み込まれる。
本開示は、概して、インダクタ構造に関する。
無線周波数(RF)フィルタなどの半導体デバイスは、インダクタを含み得る。多くの例では、インダクタは、キャパシタと組み合わせて使用され得る。Q値(Q)によって示されるようなインダクタの性能は、インダクタの構成(たとえば、構造)に依存する場合がある。比較的高いQ値を有するソレノイド設計を有する従来のインダクタは大面積を占有することがあり、それにより、インダクタの製造コストが増大する場合がある。
本開示は、ソレノイドインダクタなどのインダクタの形成および構造を説明する。インダクタは、半導体デバイスの異なる層とそれぞれが関連付けられているトレースの複数のセットを含み得る。たとえば、インダクタはトレースの3つのセットを含んでよく、トレースの各セットは、半導体デバイスの異なる層と関連付けられてよい。トレースの少なくとも1つのセット(またはそのトレースのサブセット)は、テーパ構成を有し得る。たとえば、トレースの特定のセットのトレースは、長さおよび/または幅を徐々に増大させる場合がある。追加または代替として、トレースの特定のセットの各トレースは、トレースの特定のセットの他のトレースに対して平行であり得る。
いくつかの実装形態では、トレースの複数のセットは、インダクタの第1の層と関連付けられた平行トレースの第1のセットと、インダクタの第2の層と関連付けられた非平行トレースの第2のセットと、インダクタの第3の層と関連付けられた平行トレースの第3のセットとを含み得る。トレースの複数のセットのうちの1つまたは複数は、テーパ構成を有し得る。平行トレースの第1のセットは、平行トレースの第3のセットと(垂直方向において)重複してよい。特定の実装形態では、平行トレースの第1のセットの第1のトレースは、平行トレースの第3のセットの第2のトレースと少なくとも部分的に重複する。いくつかの実装形態では、第1のトレースは第2のトレースと完全に重複する場合がある。
例示的な実装形態では、トレースの複数のセットは、トレースの第1のセットとトレースの第2のセットとを含んでよく、トレースの第1のセットおよびトレースの第2のセットの各トレースは、平行トレースのサブセットと非平行トレースのサブセットとを含んでよい。トレースの第1のセットの平行トレースのサブセットは、トレースの第2のセットの非平行トレースのサブセットに結合されてよい(かつ少なくとも部分的に重複してよい)。トレースの第2のセットの平行トレースのサブセットは、トレースの第1のセットの非平行トレースのサブセットに結合されてよい(かつ少なくとも部分的に重複してよい)。トレースのサブセットのうちの1つまたは複数は、テーパ構成を有する場合がある。
いくつかの実装形態では、テーパ構成は、異なる長さおよび/または幅を有するトレースのセットを含んでよく、それにより、トレースの長さおよび/または幅が変化しない従来のインダクタと比較すると、インダクタのインダクタンスおよび/またはQ値(Q)が改善され得る。たとえば、テーパ構成は、インダクタ構造のキャパシタンスを低減し得、それにより、改善されたQ値(Q)がもたらされ得る。加えて、テーパ構成を有するインダクタは、長方形構成を有する従来のインダクタと比較すると低減された占有面積を有し得、それにより、製造コストが削減され、インダクタがモバイル/埋込み用途により好適になり得る。
特定の態様では、インダクタ構造は、インダクタの第1の層に対応するトレースの第1のセットを含む。トレースの第1のセットは、第1のトレースと第2のトレースとを含み、ここで第1のトレースは第2のトレースに平行である。第1のトレースの寸法(たとえば、長さまたは幅)は、第2のトレースの対応する寸法とは異なる。インダクタ構造は、インダクタの第2の層に対応するトレースの第2のセットをさらに含む。トレースの第2のセットは、トレースの第1のセットに結合される。トレースの第2のセットは、第1のトレースおよび第2のトレースに結合された第3のトレースを含む。また、半導体構造は、インダクタの第3の層に対応するトレースの第3のセットを含む。第3の層は、第1の層と第2の層との間に配置される。トレースの第3のセットは、トレースの第1のセットに結合される。
別の特定の態様では、装置は、インダクタの第1の層に対応する、電流を伝導するための第1の手段を含む。電流を伝導するための第1の手段は、第1のトレースと第2のトレースとを含み、ここで第1のトレースは第2のトレースに平行である。第1のトレースの寸法は、第2のトレースの対応する寸法とは異なる。装置は、インダクタの第2の層に対応する電流を伝導するための第2の手段をさらに含む。電流を伝導するための第2の手段は、電流を伝導するための第1の手段に結合される。電流を伝導するための第2の手段は、第1のトレースおよび第2のトレースに結合された第3のトレースを含む。また、装置は、インダクタの第3の層に対応する電流を伝導するための第3の手段を含む。第3の層は、第1の層と第2の層との間に配置される。電流を伝導するための第3の手段は、トレースの第1のセットに結合される。
別の特定の態様では、インダクタ構造は、インダクタの第1の層に対応するトレースの第1のセットを含む。トレースの第1のセットは、トレースの第1のサブセットとトレースの第2のサブセットとを含み、ここでトレースの第1のサブセットの各トレースは、トレースの第1のサブセットの他のトレースに平行である。トレースの第2のサブセットの少なくとも1つのトレースは、トレースの第1のサブセットの各トレースに非平行である。インダクタ構造は、インダクタの第2の層に対応するトレースの第2のセットをさらに含む。トレースの第2のセットは、トレースの第3のサブセットとトレースの第4のサブセットとを含む。トレースの第3のサブセットの各トレースは、トレースの第3のサブセットの他のトレースに平行である。トレースの第4のサブセットの少なくとも1つのトレースは、トレースの第3のサブセットの各トレースに非平行である。
別の特定の態様では、インダクタ構造を形成する方法は、インダクタの第1の層に対応するトレースの第1のセットを形成するステップを含む。トレースの第1のセットは、第1のトレースと第2のトレースとを含み、ここで第1のトレースは第2のトレースに平行である。第1のトレースの寸法は、第2のトレースの対応する寸法とは異なる。方法は、インダクタの第2の層に対応するトレースの第2のセットを形成するステップをさらに含む。トレースの第2のセットは、トレースの第1のセットに結合される。トレースの第2のセットは、第1のトレースおよび第2のトレースに結合された第3のトレースを含む。また、方法は、インダクタの第3の層に対応するトレースの第3のセットを形成するステップを含む。第3の層は、第1の層と第2の層との間に配置される。トレースの第3のセットは、トレースの第1のセットに結合される。
本開示の他の態様、利点、および特徴は、以下のセクション、すなわち、図面の簡単な説明、発明を実施するための形態、および特許請求の範囲を含む本出願全体の検討後に明らかになるであろう。
インダクタを含むシステムの特定の例示的な態様のブロック図である。 インダクタ構造の第1の例を示す図である。 インダクタ構造の第2の例を示す図である。 インダクタ構造の第3の例を示す図である。 インダクタ構造の第4の例を示す図である。 インダクタ構造の第5の例を示す図である。 インダクタ構造を形成する方法の特定の例示的な態様のフローチャートである。 インダクタ構造を形成する別の方法の特定の例示的な態様のフローチャートである。 図1のインダクタを含む電子デバイスのブロック図である。 図1のインダクタを含む電子デバイスを製造するための製造プロセスの特定の例示的な態様のデータフロー図である。
本開示の特定の態様が、図面を参照して以下で説明される。説明において、共通の特徴は共通の参照番号により指定される。
図1を参照すると、システム100の第1の特定の例示的な態様が示されている。システム100は、無線周波数(RF)信号を処理するように構成されたワイヤレスインターフェース回路110を含み得る。
ワイヤレスインターフェース回路110は、コントローラ120と、RFフィルタなどのフィルタ130とを含み得る。コントローラ120は、ワイヤレスインターフェース回路110によって受信された1つまたは複数の信号の処理を制御するように構成され得る。フィルタ130は、ソレノイドインダクタ(たとえば、平面ソレノイドインダクタ)などのインダクタ140を含み得る。インダクタ140は、代表的なインダクタ構造142などのインダクタ構造と関連付けられ得る。いくつかの実装形態では、ワイヤレスインターフェース回路110は、インダクタ140に結合され得るキャパシタなど、1つまたは複数の追加の構成要素を含み得る。
インダクタ構造142は、インダクタ140を含む半導体デバイスの異なる層など、インダクタ140の異なる層とそれぞれ関連付けられたトレースの複数のセットを含み得る。たとえば、インダクタ構造142は、少なくとも、半導体デバイスの第1の層と関連付けられたトレースの第1のセットと、半導体デバイスの第2の層と関連付けられたトレースの第2のセットと、半導体デバイスの第3の層と関連付けられたトレースの第3のセットとを含み得る。トレースの第3のセット(たとえば、第3の層)は、トレースの第1のセット(たとえば、第1の層)とトレースの第2のセット(たとえば第2の層)との間に配置され得る。いくつかの実装形態では、半導体デバイスは、第1の層を含む第1の半導体デバイスおよび第2の層を含む第2の半導体デバイスなど、複数の半導体デバイスを含み得る。
トレースの各セットは、1つまたは複数のトレースを含み得る。たとえば、トレースの第1のセットは第1のトレース150と第2のトレース152とを含んでよく、トレースの第2のセットは第3のトレース160を含んでよく、トレースの第3のセットは第4のトレース170を含んでよい。トレースの第2のセットおよびトレースの第3のセットの各々は単一のトレースを含むように示されているが、他の実装形態では、トレースの第2のセットおよび/またはトレースの第3のセットは複数のトレースを含んでもよい。
インダクタ140のトレースは、第1のコネクタ180、第2のコネクタ182、および第3のコネクタ184などのコネクタによって異なる層間を結合されてもよい。特定のコネクタは、説明に役立つ非限定的な例として、ビア構造(たとえば、スルーシリコンビア(TSV)またはスルーガラスビア)、バンプ構造(たとえば、はんだバンプ)、またはこれらの組合せを含んでもよい。コネクタの例が、図4を参照して本明細書においてさらに説明される。
インダクタ140は、第1の端子と第2の端子とを含み得る。第1の端子は、第2のトレース152の第1の部分143に結合され得る。第2のトレース152は、第1のコネクタ180によって第3のトレース160に結合され得る。第3のトレース160は、第2のコネクタ182によって第1のトレース150に結合され得る。第1のトレース150は、第3のコネクタ184によって第4のトレース170に結合され得る。第4のトレース170の第2の部分144は、第2の端子に結合され得る。
第1のトレース150は、第1の層上の第2のトレース152に平行であり得る。たとえば、第1のトレース150のエッジ面は、第2のトレース152の対応するエッジ面に平行であり得る。いくつかの実装形態では、平行であることは、1つまたは複数の設計公差、製造公差、またはこれらの組合せの中で平行であることを含み得る。トレースの第2のセットの1つまたは複数のトレースは、トレースの第1のセットの各トレースに非平行であり得る。たとえば、第3のトレース160は、第1のトレース150に、および第2のトレース152に非平行であり得る。トレースの第3のセットが複数のトレースを含む特定の実装形態では、トレースの第3のセットの各トレース(たとえば、第4のトレース170)は、トレースの第2のセットのトレース(たとえば、第3のトレース160)に平行であり得る。加えて、トレースの第3のセットの各トレースは、トレースの第1のセットの各トレースに平行であり得る。いくつかの実装形態では、トレースの第3のセットはテーパ構成を有し得る。
第1のトレース150は、第1の長さ(L1)と第1の幅(W1)とを有し得る。第2のトレース152は、第2の長さ(L2)と第2の幅(W2)とを有し得る。第1の長さ(L1)は第2の長さ(L2)と異なってもよい。追加または代替として、第1の幅(W1)は、第2の幅(W2)と異なってもよい。いくつかの実装形態では、トレースの第1のセットはテーパ構成を有し得る。図示されていないが、第1のトレース150および第2のトレース152の各々は対応する高さ(たとえば、厚さ)を有し得る。第1のトレース150の第1の高さは、第2のトレース152の第2の高さと同じであり得る。いくつかの実装形態では、特定のトレースの長さは、特定のトレースの幅より大きくてもよい。複数のトレース(たとえば、第1のトレース150および第2のトレース152)は、図1のy軸に対応する方向など、第1の方向に配置されてよい。第1の方向は、複数のトレースの各々の幅に対応してよい。第1の方向に直角である第2の方向は、複数のトレースの各々の長さに対応してよい。
いくつかの実装形態では、第1のトレース150は、第3の層と関連付けられた第4のトレース170と(垂直方向に)重複してよい。いくつかの実装形態では、第1のトレース150は、第4のトレース170と少なくとも部分的に重複する。他の実装形態では、第1のトレース150は、第4のトレース170の全体と重複してよい。
インダクタ構造142のトレースの第1のセットは2つのトレースを有するように示されているが、他の実装形態では、トレースの第1のセットは、190において示すように3つ以上のトレースを含んでもよい。たとえば、トレースの第1のセットは、第1のトレース150と、第2のトレース152と、追加のトレース194とを含んでもよい。第2のトレース152は、第1のトレース150と追加のトレース194との間に配置され得る。追加のトレース194は、第1のトレース150および第2のトレース152の各々に平行であり得る。追加のトレース194は、第3の長さ(L3)と第3の幅(W3)とを有し得る。第2の長さ(L2)は、第3の長さ(L3)より短くてもよい。追加または代替として、第2の幅(W2)は、第3の幅(W3)より小さくてもよい。
第1のトレース150は、第1の距離(D1)だけ第2のトレース152から離間し得る。第2のトレース152は、第2の距離(D2)だけ追加のトレース194から離間し得る。いくつかの実装形態では、第1の距離(D1)は、第2の距離(D2)よりも小さくてもよい。
第2のトレース152の第1の部分143は、1つまたは複数のコネクタおよび/または1つまたは複数の他のトレースによって追加のトレース194の第3の部分198に結合され得る。たとえば、第2の層と関連付けられたトレースの第2のセットは、(たとえば、電流が、インダクタ140を通ってインダクタ構造142を含む半導体デバイスの層を上下に流れるように)第2のトレース152を追加のトレース194に結合するように構成された特定のトレース(図示せず)を含み得る。第2のトレース152の第2の部分143が追加のトレース194の第3の部分198に結合される場合、追加のトレース194の第4の部分199が、インダクタ140の第1の入力に結合され得る。
トレースの第1のセット(たとえば、第1のトレース150、第2のトレース152および追加のトレース194)は、テーパ構成を含み得る。たとえば、方向197を参照すると、トレースの第1のセットの各トレースの長さは、前のトレースと比較して長くてよい。例示のために、第2の長さ(L2)は第1の長さ(L1)より長くてよく、第3の長さ(L3)は第2の長さ(L2)より長くてよい。追加または代替として、方向197を参照すると、トレースの第1のセットの各トレースの幅は、前のトレースと比較して広くてよい。例示のために、第2の幅(W2)は第1の幅(W1)より広くてよく、第3の幅(W3)は第2の幅(W2)より広くてよい。追加または代替として、方向197を参照すると、トレースの第1のセットの隣接するトレースのペア間の距離は、前の隣接するトレースのペアと比較して増加してよい。例示のために、第2の距離(D2)は、第1の距離(D1)よりも大きくてよい。
システム100の動作の間、ワイヤレスインターフェース回路110(たとえば、コントローラ120)は、入力信号102を受信し得る。入力信号102は、1つまたは複数の電荷(たとえば、信号源/電源からの交流(AC)電圧または直流(DC)電圧に応答して供給される電荷)と関連付けられ得る。いくつかの実装形態では、入力信号102(たとえば、電荷)は、フィルタ処理されるべき無線周波数(RF)信号に相当する場合がある。コントローラ120は、フィルタ130(たとえば、インダクタ140)など、(ワイヤレスインターフェース回路110の)1つまたは複数の構成要素に入力信号102を転送し得る。入力信号102は、出力信号104を生成するためにワイヤレスインターフェース回路110によって処理(たとえば、フィルタ処理)され得る。コントローラ120は、出力信号104がワイヤレスインターフェース回路110に結合されたデバイスまたは構成要素に送信されることを生じさせ得る。たとえば、コントローラ120は、追加の処理のために、ワイヤレスインターフェース回路110に結合されたプロセッサ(図示せず)に出力信号104を転送し得る。
インダクタ140はフィルタ130内に含まれているように図示されているが、他の実装形態では、インダクタ140は、RF共振器などの別の構成要素内に含まれる場合がある。追加または代替として、インダクタ140は、ワイヤレスインターフェース回路110以外の回路またはシステム内に含まれる場合がある。たとえば、インダクタ140は、デジタル回路のキャパシタを分離するためにデジタル回路内に含まれる場合があり、またはRF回路のキャパシタと整合されるためにRF回路内に含まれる場合がある。
インダクタ構造142は、説明に役立つ非限定的な例として、ウェハレベルパッケージ(WLP)プロセス、パッケージオンパッケージ(PoP)プロセス、ランドグリッドアレイ(LGA)パッケージプロセス、シリコンプロセス、微小電気機械システム(MEMS)プロセス、および/またはナノテクノロジーを使用して形成され得る。いくつかの実装形態では、インダクタ構造142は、単一のパッケージ内に含まれる場合がある。たとえば、インダクタ構造142は、単一の基板を使用して形成される場合がある。他の実装形態では、インダクタは、複数のパッケージ内に含まれる場合がある。たとえば、インダクタ140は、複数の基板を用いて形成される場合がある。例示のために、インダクタ140の1つまたは複数の層(たとえば、第1の層)は第1の基板を使用して形成されてよく、インダクタ140の1つまたは複数の他の層(たとえば、第2の層および第3の層)は第2の基板を使用して形成されてよい。第1の基板と関連付けられたインダクタ140の第1の部分は第1のプロセスを使用して形成されてよく、第2の基板と関連付けられたインダクタ140の第2の部分は第1のプロセスと同じかまたは異なる第2のプロセスを使用して形成されてよい。
インダクタ140はインダクタ構造142を有するように説明されてきたが、他の実装形態では、インダクタ140は、別のインダクタ構造を有してもよい。たとえば、インダクタ140は、図2〜図5のうちの1つまたは複数を参照して説明されるインダクタ構造を含んでもよい。
インダクタ構造142を有するインダクタ140は、異なる長さおよび/または幅を有するトレースの1つまたは複数のセットを含んでよく、それにより、従来のインダクタと比較すると、インダクタのインダクタンスおよび/またはQ値(Q)が改善され得る。たとえば、インダクタ140またはその一部分は、従来のインダクタと比較すると、インダクタ140のキャパシタンス(たとえば、寄生キャパシタンス)を低減し得るテーパ構成を有し得る。追加および/または代替として、テーパ構成を有するインダクタ140は、従来のインダクタと比較すると、改善されたQ値(Q)を有し得、かつ/または低減された面積を占有し得る。インダクタ構造142の追加の説明に役立つ例が、図2〜図6を参照して提供される。インダクタ構造142または図2〜図6のインダクタ構造の各々は、1つまたは複数の設計および/または製造の制約に基づいて半導体デバイス内に組み込まれるように選択され得る。
図2を参照すると、インダクタ構造200の例示的な態様が示される。インダクタ構造200はトレースの複数のセットを含み得る。インダクタ構造200は、図1のインダクタ構造142を含み得る。トレースの各セットは、図1のインダクタ140などのインダクタの異なる層と関連付けられ得る。たとえば、インダクタ(たとえば、インダクタ構造200)は、第1の層210と、第2の層220と、第3の層230と、第4の層240とを含み得る。インダクタ構造200は4つの層を有するように示されているが、他の実装形態では、インダクタ構造200は、5つ以上の層または3つ以下の層を含んでもよい。
第1の層210は、トレースの第1のセット212〜218を含み得る。トレースの第1のセット212〜218の各トレースは、トレースの第1のセット212〜218の他のトレースに平行であり得る。トレース212の一部分201は、インダクタ構造200の第1の端子と関連付けられ得る。いくつかの実装形態では、トレースの第1のセット212〜218はテーパ構成を有し得る。
第2の層220は、トレースの第2のセット222〜228を含み得る。トレースの第2のセット222〜228の各トレースは、トレースの第2のセット222〜228の他のトレースおよび/またはトレースの第1のセット212〜218のトレースに平行であり得る。トレース222の一部分229は、インダクタ構造200の第2の端子と関連付けられ得る。いくつかの実装形態では、トレースの第2のセット222〜228はテーパ構成を有し得る。トレースの第1のセット212〜218は、トレースの第2のセット222〜228と(垂直方向に)少なくとも部分的に重複し得る。たとえば、トレース218はトレース228と重複してよく、トレース216はトレース226と重複してよく、トレース214はトレース224と重複してよく、トレース212はトレース222と重複してよい。
第3の層230は、トレースの第3のセット232〜236を含み得る。トレースの第3のセット232〜236の少なくとも1つのトレースは、トレースの第1のセット212〜218の各トレースおよび/またはトレースの第2のセット222〜228の各トレースに非平行であり得る。第4の層240は、トレースの第4のセット242〜246を含み得る。トレースの第4のセット242〜246の少なくとも1つのトレースは、トレースの第1のセット212〜218の各トレースおよび/またはトレースの第2のセット222〜228の各トレースに非平行であり得る。
インダクタ構造200の等角投影表現が250において示される。トレースの第1のセット212〜218は、コネクタのセット260〜270によってトレースの第4のセット242〜246に結合される。例示のために、トレース212はコネクタ260によってトレース242に結合されてよく、トレース242はコネクタ262によってトレース214に結合されてよく、トレース214はコネクタ264によってトレース244に結合されてよく、トレース244はコネクタ266によってトレース216に結合されてよく、トレース216はコネクタ268によってトレース246に結合されてよく、トレース246はコネクタ270によってトレース218に結合されてよい。トレースの第1のセット212〜218は、コネクタのセット(たとえば、コネクタ272)によってトレースの第2のセット222〜228に結合されてよい。例示のために、トレース218は、コネクタ272によってトレース228に結合されてよい。いくつかの実装形態では、コネクタのセットは、トレース218をトレース228に結合する単一のコネクタ(たとえば、コネクタ272)を含み得る。トレースの第3のセット232〜236は、コネクタのセット274〜284によってトレースの第2のセット222〜228に結合されてよい。例示のために、トレース228はコネクタ274によってトレース236に結合されてよく、トレース236はコネクタ276によってトレース226に結合されてよく、トレース226はコネクタ278によってトレース234に結合されてよく、トレース234はコネクタ280によってトレース224に結合されてよく、トレース224はコネクタ282によってトレース232に結合されてよく、トレース232はコネクタ284によってトレース222に結合されてよい。コネクタ260〜284は、説明に役立つ非限定的な例として、1つまたは複数のビア構造、1つまたは複数のバンプ構造、またはこれらの組合せを含み得る。
トレース212は第1の長さ(L1)と第1の幅(W1)とを有してよく、トレース214は第2の長さ(L2)と第2の幅(W2)とを有してよい。いくつかの実装形態では、第1の長さ(L1)は第2の長さ(L2)と異なってよく、第1の幅(W1)は第2の幅(W2)と異なってよく、またはこれらの組合せであってもよい。たとえば、第1の長さ(L1)は第2の長さ(L2)より大きくてよく、第1の幅(W1)は第2の幅(W2)より大きくてよい。
トレース222は第3の長さ(L3)と第3の幅(W3)とを有してよく、トレース224は第4の長さ(L4)と第4の幅(W4)とを有してよい。いくつかの実装形態では、第3の長さ(L3)は第4の長さ(L4)と異なってよく、第3の幅(W3)は第4の幅(W4)と異なってよく、またはこれらの組合せであってもよい。たとえば、第3の長さ(L3)は第4の長さ(L4)より大きくてよく、第3の幅(W3)は第4の幅(W4)より大きくてよい。
異なる寸法(たとえば、異なる長さおよび/または異なる幅)を有するトレースの1つまたは複数のセットを含むことによって、インダクタ構造200は、従来のインダクタと比較すると、改善されたインダクタンスおよび/または改善されたQ値(Q)を有し得る。たとえば、インダクタ構造200またはその一部分は、従来のインダクタと比較すると、キャパシタンスを低減すること、インダクタ構造200によって占有される面積を低減すること、および/またはインダクタ構造200のQ値(Q)を改善することができるテーパ構成を有し得る。
図3を参照すると、インダクタ構造300の例示的な態様が示される。インダクタ構造300はトレースの複数のセットを含み得る。インダクタ構造300は、図1のインダクタ構造142を含み得る。トレースの各セットは、図1のインダクタ140など、インダクタの異なる層と関連付けられ得る。たとえば、インダクタ(たとえば、インダクタ構造300)は、第1の層310と、第2の層320と、第3の層330と、第4の層340とを含み得る。インダクタ構造300は4つの層を有するように示されているが、他の実装形態では、インダクタ構造300は、5つ以上の層または3つ以下の層を含んでもよい。
第1の層310は、トレースの第1のセット312〜318を含み得る。トレースの第1のセット312〜318の各トレースは、トレースの第1のセット312〜318の他のトレースに平行であり得る。トレース312の一部分301は、インダクタ構造300の第1の端子と関連付けられ得る。いくつかの実装形態では、トレースの第1のセット312〜318はテーパ構成を有し得る。
第2の層320は、トレースの第2のセット322〜326を含み得る。トレースの第2のセット322〜326の少なくとも1つのトレースは、トレースの第1のセット312〜318の各トレースに非平行であり得る。
第3の層330は、トレースの第3のセット332〜336を含み得る。トレースの第3のセット332〜336の各トレースは、トレースの第3のセット332〜336の他のトレースおよび/またはトレースの第1のセット312〜318のトレースに平行であり得る。トレース332の一部分337は、インダクタ構造300の第2の端子と関連付けられ得る。いくつかの実装形態では、トレースの第3のセット332〜336はテーパ構成を有し得る。トレースの第1のセット312〜318は、トレースの第3のセット332〜336と(垂直方向に)重複し得る。たとえば、トレース316はトレース336と少なくとも部分的に重複してよく、トレース314はトレース334と重複してよく、トレース312はトレース332と重複してよい。
第4の層340は、トレースの第4のセット342〜346を含み得る。トレースの第4のセット342〜346の少なくとも1つのトレースは、トレースの第1のセット312〜318の各トレースおよび/またはトレースの第3のセット322〜326の各トレースに非平行であり得る。
インダクタ構造300の等角投影表現が350において示される。トレースの第1のセット312〜318は、コネクタのセット360〜370によってトレースの第4のセット342〜346に結合される。例示のために、トレース312はコネクタ360によってトレース342に結合されてよく、トレース342はコネクタ362によってトレース314に結合されてよく、トレース314はコネクタ364によってトレース344に結合されてよく、トレース344はコネクタ366によってトレース316に結合されてよく、トレース316はコネクタ368によってトレース346に結合されてよく、トレース346はコネクタ370によってトレース318に結合されてよい。トレースの第1のセット312〜318は、コネクタのセット(たとえば、コネクタ372)によってトレースの第2のセット322〜326に結合されてよい。例示のために、トレース318は、コネクタ(たとえば、コネクタ372)によってトレース326に結合されてよい。いくつかの実装形態では、コネクタのセットは、トレース318をトレース326に結合する単一のコネクタ(たとえば、コネクタ372)を含み得る。トレースの第3のセット332〜336は、コネクタのセット374〜382によってトレースの第2のセット322〜326に結合されてよい。例示のために、トレース326はコネクタ374によってトレース336に結合されてよく、トレース336はコネクタ376によってトレース324に結合されてよく、トレース324はコネクタ378によってトレース334に結合されてよく、トレース334はコネクタ380によってトレース322に結合されてよく、トレース322はコネクタ382によってトレース332に結合されてよい。コネクタのセット360〜382は、説明に役立つ非限定的な例として、1つまたは複数のビア構造、1つまたは複数のバンプ構造、またはこれらの組合せを含み得る。
トレース312は、第1の長さ(L1)と第1の幅(W1)とを有し得る。トレース314は、第2の長さ(L2)と第2の幅(W2)とを有し得る。いくつかの実装形態では、第1の長さ(L1)は第2の長さ(L2)と異なってよく、第1の幅(W1)は第2の幅(W2)と異なってよく、またはこれらの組合せであってもよい。たとえば、第1の長さ(L1)は第2の長さ(L2)より大きくてよく、第1の幅(W1)は第2の幅(W2)より大きくてよい。
トレース332は、第3の長さ(L3)と第3の幅(W3)とを有し得る。トレース334は、第4の長さ(L4)と第4の幅(W4)とを有し得る。いくつかの実装形態では、第3の長さ(L3)は第4の長さ(L4)と異なってよく、第3の幅(W3)は第4の幅(W4)と異なってよく、またはこれらの組合せであってもよい。たとえば、第3の長さ(L3)は第4の長さ(L4)より大きくてよく、第3の幅(W3)は第4の幅(W4)より大きくてよい。
図4を参照すると、インダクタ構造400の例示的な態様が示される。インダクタ構造400は、第1のテーパ構成を有する(点線404の右側の)第1の部分406と、第2のテーパ構成を有する(点線404の左側の)第2の部分407とを含み得る。インダクタ構造400は、説明に役立つ非限定的な例として、ウェハレベルパッケージ(WLP)プロセス、パッケージオンパッケージ(PoP)プロセス、ランドグリッドアレイ(LGA)パッケージプロセス、シリコンプロセス、微小電気機械システム(MEMS)プロセス、および/またはナノテクノロジーを使用して形成され得る。いくつかの実装形態では、インダクタ構造400は、単一のパッケージ内に含まれる場合がある。たとえば、インダクタ構造400は、単一の基板を用いて形成され得る。他の実装形態では、インダクタは、複数のパッケージ内に含まれ得る。
インダクタ構造400はトレースの複数のセットを含み得る。トレースの各セットは、図1のインダクタ140など、インダクタの異なる層と関連付けられ得る。たとえば、インダクタ(たとえば、インダクタ構造400)は、基板402の第1の層と関連付けられたトレースの第1のセット410〜430と、基板(たとえば、基板402または別の基板)の第2の層と関連付けられたトレースの第2のセット440〜458とを含み得る。インダクタ構造400はトレースの2つのセット(たとえば、2つの層)を有するように説明されているが、他の実装形態では、インダクタ構造400は、トレースの3つ以上セット(たとえば、3つ以上の層)を含んでもよい。
トレースの第1のセット410〜430は、互に平行であるトレースの第1のサブセット410〜418と、トレースの第1のサブセット410〜418のトレースに非平行であるトレースの第2のサブセット422〜430とを含み得る。トレース410の第1の部分408は、インダクタ構造400の第1の端子と関連付けられてよく、トレース430の第2の部分409はインダクタ構造400の第2の端子と関連付けられてよい。
トレースの第2のセット440〜458は、トレースの第3のサブセット452〜458とトレースの第4のサブセット440〜448とを含む。トレースの第3のサブセット452〜458は、互いにおよび/またはトレースの第1のサブセットに平行であってよく、トレースの第4のサブセット440〜448は、トレースの第1のサブセット410〜418および/またはトレースの第3のサブセット452〜458に非平行である。
トレースの第1のセット410〜430は、コネクタのセット460〜481によってトレースの第2のセット440〜458に結合され得る。コネクタのセット460〜481は、コネクタの第1のセット460〜468と、コネクタの第2のセット469と、コネクタの第3のセット470〜481とを含み得る。コネクタの第1のセット460〜468は、トレースの第1のサブセット410〜418をトレースの第4のサブセット440〜448に結合するように構成され得る。例示のために、トレース410はコネクタ460によってトレース440に結合されてよく、トレース440はコネクタ461によってトレース412に結合されてよく、トレース412はコネクタ462によってトレース442に結合されてよく、トレース442はコネクタ463によってトレース414に結合されてよく、トレース414はコネクタ464によってトレース444に結合されてよく、トレース444はコネクタ465によってトレース416に結合されてよく、トレース416はコネクタ466によってトレース446に結合されてよく、トレース446はコネクタ467によってトレース418に結合されてよく、トレース418はコネクタ468によってトレース448に結合されてよい。
コネクタの第2のセット469は、トレースの第2のサブセット422〜430をトレースの第4のサブセット440〜448に結合するように構成されてよい。たとえば、コネクタの第2のセット469は、トレース448をトレース422に結合する単一のコネクタを含み得る。例示のために、トレース448は、コネクタ469によってトレース422に結合されてよい。コネクタの第3のセット470〜481は、トレースの第2のサブセット422〜430をトレースの第3のサブセット452〜458に結合するように構成されてよい。例示のために、トレース422はコネクタ470によってトレース452に結合されてよく、トレース452はコネクタ472によってトレース424に結合されてよく、トレース424はコネクタ474によってトレース454に結合されてよく、トレース454はコネクタ476によってトレース426に結合されてよく、トレース426はコネクタ478によってトレース456に結合されてよく、トレース456はコネクタ479によってトレース428に結合されてよく、トレース428はコネクタ480によってトレース458に結合されてよく、トレース458はコネクタ481によってトレース430に結合されてよい。
コネクタ260〜284は、説明に役立つ非限定的な例として、1つまたは複数のビア構造、1つまたは複数のバンプ構造、またはこれらの組合せを含み得る。例示のために、バンプ構造の一例が485において示され、ここで図1のインダクタ140などのインダクタの第1のトレース488は第1の基板486(たとえば、第1のチップまたは第1のパッケージ)と関連付けられ、インダクタの第2のトレース489は第2の基板487(たとえば、第2のチップまたは第2のパッケージ)と関連付けられる。第1のトレース488は、はんだバンプなどのバンプ490によって第2のトレース489に結合される。特定の説明に役立つ一例では、第1のトレース488はトレース440を含んでよく、第2のトレース489はトレース410を含んでよく、バンプ490はコネクタ460を含んでよい。
ビア構造の一例が495において示され、ここで、図1のインダクタ140などのインダクタの第1のトレース497および第2のトレース498は、基板496(たとえば、チップまたはパッケージ)と関連付けられる。たとえば、基板496は、基板402を含み得る。いくつかの実装態様では、基板はシリコン基板を含み得る。他の実装形態では、基板はガラス基板を含み得る。第1のトレース497は、スルーシリコンビア(TSV)またはスルーガラスビアなどのビア構造499によって第2のトレース498に結合され得る。特定の説明に役立つ一例では、第1のトレース497はトレース440を含んでよく、第2のトレース498はトレース410を含んでよく、ビア構造499はコネクタ460を含んでよい。
インダクタ構造400の各層と関連付けられた平行トレースのサブセットを含むことによって、インダクタ構造400は、従来のインダクタと比較すると、コンパクト設計を有することおよび/または低減された面積を有することができる。加えて、インダクタ構造400は、従来のインダクタと比較すると、改善されたインダクタンスおよび/または改善されたQ値(Q)を有することができる。
図5を参照すると、インダクタ構造500の例示的な態様が示される。インダクタ構造500はトレースの複数のセットを含み得る。インダクタ構造500は、図1のインダクタ構造142を含み得る。トレースの各セットは、図1のインダクタ140など、インダクタの異なる層と関連付けられ得る。たとえば、インダクタ(たとえば、インダクタ構造500)は、第1の層501と、第2の層520と、第3の層540と、第4の層560とを含み得る。インダクタ構造500は4つの層を有するように示されているが、他の実装形態では、インダクタ構造500は、5つ以上の層または3つ以下の層を含んでもよい。
第1の層501は、トレースの第1のセット502〜518を含み得る。トレースの第1のセット502〜518は、図1のトレースの第1のセット(たとえば、第1のトレース150、第2のトレース152、および/または追加のトレース194)を含み得る。トレースの第1のセット502〜518は、互に平行であるトレースの第1のサブセット502〜508と、トレースの第1のサブセット502〜508に非平行であるトレースの第2のサブセット510〜518とを含み得る。トレース518の第1の部分519は、インダクタ構造500の第1の端子と関連付けられ得る。
第2の層520は、トレースの第2のセット522〜536を含み得る。トレースの第2のセット522〜536は、図1のトレースの第3のセット(たとえば、第4のトレース170)を含み得る。トレースの第2のセット522〜536は、トレースの第3のサブセット522〜528とトレースの第4のサブセット530〜536とを含み得る。トレースの第3のサブセット522〜528は、互におよび/またはトレースの第1のサブセット502〜508に平行であり得る。トレースの第4のサブセット530〜536は、トレースの第3のサブセット530〜536に非平行であり得る。トレース536の第2の部分521は、インダクタ構造500の第2の端子と関連付けられ得る。
第3の層540は、トレースの第3のセット542〜556を含み得る。トレースの第3のセット542〜556は、トレースの第5のサブセット552〜556とトレースの第6のサブセット542〜550とを含み得る。トレースの第5のサブセット552〜556は、互に、トレースの第3のサブセット522〜528に、および/またはトレースの第1のサブセット502〜508に平行であり得る。トレースの第6のサブセット542〜550は、トレースの第5のサブセット552〜556に非平行であり得る。
第4の層560は、トレースの第4のセット562〜578を含み得る。トレースの第4のセット562〜578は、図1のトレースの第2のセット(たとえば、第3のトレース160)を含み得る。トレースの第4のセット562〜578は、トレースの第7のサブセット572〜578とトレースの第8のサブセット562〜570とを含み得る。トレースの第7のサブセット572〜578は、互に、トレースの第5のサブセット552〜556に、トレースの第3のサブセット522〜528に、および/またはトレースの第1のサブセット502〜508に平行であり得る。トレースの第8のサブセット562〜570の各トレースは、トレースの第7のサブセット572〜578に非平行であり得る。
インダクタ構造500は、コネクタ(明快のために図示せずに省略)を含み得る。たとえば、コネクタは、1つまたは複数のビア構造、1つまたは複数のバンプ、またはこれらの組合せを含み得る。点線590〜598の各々は、インダクタ構造500内に含まれ得るコネクタを表す。コネクタは、異なる層のトレースを結合するように構成され得る。たとえば、コネクタは、トレースの第1のセット502〜518をトレースの第4のセット562〜578に結合するように構成されたコネクタの第1のセットと、トレースの第1のセット502〜518をトレースの第2のセット522〜536に結合するように構成されたコネクタの第2のセットと、トレースの第2のセット522〜536をトレースの第3のセット542〜556に結合するように構成されたコネクタの第3のセットとを含み得る。
コネクタの第1のセットは、コネクタの第1のサブセットと、コネクタの第2のサブセットと、コネクタの第3のサブセットとを含み得る。コネクタの第1のサブセットは、トレースの第1のサブセット502〜508をトレースの第8のサブセット562〜570に結合するように構成され得る。例示のために、トレース502はコネクタの第1のサブセットの第1のコネクタ(点線592によって表される)によってトレース562に結合されてよく、トレース562はコネクタの第1のサブセットの第2のコネクタによってトレース504に結合されてよく、トレース504はコネクタの第1のサブセットの第3のコネクタによってトレース564に結合されてよく、トレース564はコネクタの第1のサブセットの第4のコネクタによってトレース506に結合されてよく、トレース506はコネクタの第1のサブセットの第5のコネクタによってトレース566に結合されてよく、トレース566はコネクタの第1のサブセットの第6のコネクタによってトレース507に結合されてよく、トレース507はコネクタの第1のサブセットの第7のコネクタによってトレース568に結合されてよく、トレース568はコネクタの第1のサブセットの第8のコネクタによってトレース508に結合されてよく、トレース508はコネクタの第1のサブセットの第9のコネクタによってトレース570に結合されてよい。
コネクタの第2のサブセットは、トレースの第2のサブセット510〜518をトレースの第7のサブセット572〜578に結合するように構成され得る。例示のために、トレース510はコネクタの第2のサブセットの第1のコネクタによってトレース572に結合されてよく、トレース572はコネクタの第2のサブセットの第2のコネクタによってトレース512に結合されてよく、トレース512はコネクタの第2のサブセットの第3のコネクタによってトレース574に結合されてよく、トレース574はコネクタの第2のサブセットの第4のコネクタによってトレース514に結合されてよく、トレース514はコネクタの第2のサブセットの第5のコネクタによってトレース576に結合されてよく、トレース576はコネクタの第2のサブセットの第6のコネクタによってトレース516に結合されてよく、トレース516はコネクタの第2のサブセットの第7のコネクタ(点線596によって表される)によってトレース578に結合されてよく、トレース578はコネクタの第2のサブセットの第8のコネクタ(点線690によって表される)によってトレース518に結合されてよい。
コネクタの第3のサブセットは、トレースの第8のサブセット562〜570をトレースの第2のサブセット510〜518に結合するように構成され得る。たとえば、コネクタの第3のサブセットは、トレースの第8のサブセット562〜570をトレースの第2のサブセット510〜518に結合する単一のコネクタを含み得る。例示のために、コネクタの第3のサブセットは、トレース510をトレース570に結合するように構成されたコネクタを含み得る。
コネクタの第2のセットは、トレースの第1のサブセット502〜508をトレースの第3のサブセット522〜528に結合するように構成され得る。いくつかの実装形態では、コネクタの第2のセットは、トレース502をトレース522に結合するように構成された単一のコネクタを含み得る。例示のために、トレース502は、コネクタの第2のセットのコネクタ(たとえば、点線594によって表される)によってトレース522に結合され得る。
コネクタの第3のサブセットは、コネクタの第4のサブセットと、コネクタの第5のサブセットと、コネクタの第6のサブセットとを含み得る。コネクタの第4のサブセットは、トレースの第3のサブセット522〜528をトレースの第6のサブセット542〜550に結合するように構成され得る。例示のために、トレース522はコネクタの第4のサブセットの第1のコネクタによってトレース542に結合されてよく、トレース542はコネクタの第4のサブセットの第2のコネクタによってトレース524に結合されてよく、トレース524はコネクタの第4のサブセットの第3のコネクタによってトレース544に結合されてよく、トレース544はコネクタの第4のサブセットの第4のコネクタによってトレース526に結合されてよく、トレース526はコネクタの第4のサブセットの第5のコネクタによってトレース546に結合されてよく、トレース546はコネクタの第4のサブセットの第6のコネクタによってトレース527に結合されてよく、トレース527はコネクタの第4のサブセットの第7のコネクタによってトレース548に結合されてよく、トレース548はコネクタの第4のサブセットの第8のコネクタによってトレース528に結合されてよく、トレース528はコネクタの第4のサブセットの第9のコネクタによってトレース550に結合されてよい。
コネクタの第5のサブセットは、トレースの第4のサブセット530〜536をトレースの第5のサブセット552〜556に結合するように構成され得る。例示のために、トレース530はコネクタの第5のサブセットの第1のコネクタ(点線598によって表される)によってトレース552に結合されてよく、トレース552はコネクタの第5のサブセットの第2のコネクタによってトレース532に結合されてよく、トレース532はコネクタの第5のサブセットの第3のコネクタによってトレース554に結合されてよく、トレース554はコネクタの第5のサブセットの第4のコネクタによってトレース534に結合されてよく、トレース534はコネクタの第5のサブセットの第5のコネクタによってトレース556に結合されてよく、トレース556はコネクタの第5のサブセットの第6のコネクタによってトレース536に結合されてよい。
コネクタの第6のサブセットは、トレースの第6のサブセット542〜550をトレースの第4のサブセット530〜536に結合するように構成され得る。たとえば、コネクタの第6のサブセットは、トレースの第6のサブセット542〜550をトレースの第4のサブセット530〜536に結合する単一のコネクタを含み得る。例示のために、コネクタの第6のサブセットは、トレース530をトレース550に結合するように構成されたコネクタ(点線597によって表される)を含み得る。
図6を参照すると、インダクタ構造600の例示的な態様が示される。インダクタ構造600はトレースの複数のセットを含み得る。インダクタ構造600は、図1のインダクタ構造142を含み得る。トレースの各セットは、図1のインダクタ140など、インダクタの異なる層と関連付けられ得る。たとえば、インダクタ(たとえば、インダクタ構造600)は、第1の層601と、第2の層620と、第3の層640と、第4の層660とを含み得る。インダクタ構造600は4つの層を有するように示されているが、他の実装形態では、インダクタ構造600は、5つ以上の層または3つ以下の層を含んでもよい。
第1の層601は、トレースの第1のセット602〜616を含み得る。トレースの第1のセット602〜616は、図1のトレースの第1のセット(たとえば、第1のトレース150、第2のトレース152、および/または追加のトレース194)を含み得る。トレースの第1のセット602〜616は、互に平行であるトレースの第1のサブセット602〜606と、トレースの第1のセット602〜616に非平行であるトレースの第2のサブセット608〜616とを含み得る。トレース616の第1の部分619は、インダクタ構造600の第1の端子と関連付けられ得る。
第2の層620は、トレースの第2のセット622〜638を含み得る。トレースの第2のセット622〜638は、図1のトレースの第3のセット(たとえば、第4のトレース170)を含み得る。トレースの第2のセット622〜638は、トレースの第3のサブセット632〜638とトレースの第4のサブセット622〜630とを含み得る。トレースの第3のサブセット632〜638は、互におよび/またはトレースの第1のサブセット602〜606に平行であり得る。トレースの第4のサブセット622〜630は、トレースの第3のサブセット632〜638に非平行であり得る。トレース638の第2の部分621は、インダクタ構造600の第2の端子と関連付けられ得る。
第3の層640は、トレースの第3のセット642〜656を含み得る。トレースの第3のセット642〜656は、トレースの第5のサブセット642〜648とトレースの第6のサブセット650〜656とを含み得る。トレースの第5のサブセット642〜648は、互に、トレースの第3のサブセット632〜638に、および/またはトレースの第1のサブセット602〜606に平行であり得る。トレースの第6のサブセット650〜656は、トレースの第5のサブセット642〜648に非平行であり得る。
第4の層660は、トレースの第4のセット662〜678を含み得る。トレースの第3のセット662〜678は、図1のトレースの第2のセット(たとえば、第3のトレース160)を含み得る。トレースの第4のセット662〜678は、トレースの第7のサブセット672〜678とトレースの第8のサブセット662〜670とを含み得る。トレースの第7のサブセット672〜678は、互に、トレースの第5のサブセット642〜648に、トレースの第3のサブセット632〜638に、および/またはトレースの第1のサブセット602〜606に平行であり得る。トレースの第8のサブセット662〜670は、トレースの第7のサブセット672〜678に非平行であり得る。
インダクタ構造600は、コネクタ(明快のために図示せずに省略)を含み得る。たとえば、コネクタは、1つまたは複数のビア構造、1つまたは複数のバンプ、またはこれらの組合せを含み得る。点線690〜699の各々は、インダクタ構造600内に含まれ得るコネクタを表す。コネクタは、異なる層のトレースを結合するように構成され得る。たとえば、コネクタは、トレースの第1のセット602〜616をトレースの第4のセット662〜678に結合するように構成されたコネクタの第1のセットと、トレースの第1のセット602〜616をトレースの第2のセット622〜638に結合するように構成されたコネクタの第2のセットと、トレースの第2のセット622〜638をトレースの第3のセット642〜656に結合するように構成されたコネクタの第3のセットとを含み得る。
コネクタの第1のセットは、コネクタの第1のサブセットと、コネクタの第2のサブセットと、コネクタの第3のサブセットとを含み得る。コネクタの第1のサブセットは、トレースの第1のサブセット602〜606をトレースの第8のサブセット662〜670に結合するように構成され得る。例示のために、トレース602はコネクタの第1のサブセットの第1のコネクタ(点線690によって表される)によってトレース662に結合されてよく、トレース662はコネクタの第1のサブセットの第2のコネクタによってトレース603に結合されてよく、トレース603はコネクタの第1のサブセットの第3のコネクタによってトレース664に結合されてよく、トレース664はコネクタの第1のサブセットの第4のコネクタによってトレース604に結合されてよく、トレース604はコネクタの第1のサブセットの第5のコネクタによってトレース668に結合されてよく、トレース668はコネクタの第1のサブセットの第6のコネクタによってトレース605に結合されてよく、トレース605はコネクタの第1のサブセットの第7のコネクタによってトレース669に結合されてよく、トレース669はコネクタの第1のサブセットの第8のコネクタによってトレース606に結合されてよく、トレース606はコネクタの第1のサブセットの第9のコネクタによってトレース670に結合されてよい。
コネクタの第2のサブセットは、トレースの第2のサブセット608〜616をトレースの第7のサブセット672〜678に結合するように構成され得る。例示のために、トレース608はコネクタの第2のサブセットの第1のコネクタによってトレース672に結合されてよく、トレース672はコネクタの第2のサブセットの第2のコネクタによってトレース610に結合されてよく、トレース610はコネクタの第2のサブセットの第3のコネクタによってトレース674に結合されてよく、トレース674はコネクタの第2のサブセットの第4のコネクタによってトレース612に結合されてよく、トレース612はコネクタの第2のサブセットの第5のコネクタによってトレース676に結合されてよく、トレース676はコネクタの第2のサブセットの第6のコネクタによってトレース614に結合されてよく、トレース614はコネクタの第2のサブセットの第7のコネクタ(点線696によって表される)によってトレース678に結合されてよく、トレース678はコネクタの第2のサブセットの第8のコネクタ(点線695によって表される)によってトレース616に結合されてよい。
コネクタの第3のサブセットは、トレースの第2のサブセット608〜616をトレースの第8のサブセット662〜670に結合するように構成され得る。たとえば、コネクタの第3のサブセットは、トレースの第2のサブセット608〜616をトレースの第8のサブセット662〜670に結合する単一のコネクタを含み得る。例示のために、コネクタの第3のサブセットは、トレース608をトレース670に結合するように構成されたコネクタを含み得る。
コネクタの第2のセットは、トレースの第1のサブセット602〜606をトレースの第4のサブセット622〜630に結合するように構成され得る。いくつかの実装形態では、コネクタの第2のセットは、トレース602をトレース622に結合するように構成された単一のコネクタを含み得る。例示のために、トレース602は、コネクタの第2のセットのコネクタ(たとえば、点線692によって表される)によってトレース622に結合され得る。
コネクタの第3のサブセットは、コネクタの第4のサブセットと、コネクタの第5のサブセットと、コネクタの第6のサブセットとを含み得る。コネクタの第4のサブセットは、トレースの第3のサブセット632〜638をトレースの第6のサブセット650〜656に結合するように構成され得る。例示のために、トレース650はコネクタの第4のサブセットの第1のコネクタ(点線697によって表される)によってトレース632に結合されてよく、トレース632はコネクタの第4のサブセットの第2のコネクタ(点線699によって表される)によってトレース652に結合されてよく、トレース652はコネクタの第4のサブセットの第3のコネクタによってトレース634に結合されてよく、トレース634はコネクタの第4のサブセットの第4のコネクタによってトレース654に結合されてよく、トレース654はコネクタの第4のサブセットの第5のコネクタによってトレース636に結合されてよく、トレース636はコネクタの第4のサブセットの第6のコネクタによってトレース656に結合されてよく、トレース656はコネクタの第4のサブセットの第7のコネクタによってトレース638に結合されてよい。
コネクタの第5のサブセットは、トレースの第4のサブセット622〜630をトレースの第5のサブセット642〜648に結合するように構成され得る。例示のために、トレース622はコネクタの第4のサブセットの第1のコネクタ(点線694によって表される)によってトレース642に結合されてよく、トレース642はコネクタの第4のサブセットの第2のコネクタによってトレース624に結合されてよく、トレース624はコネクタの第4のサブセットの第3のコネクタによってトレース644に結合されてよく、トレース644はコネクタの第4のサブセットの第4のコネクタによってトレース626に結合されてよく、トレース626はコネクタの第4のサブセットの第5のコネクタによってトレース646に結合されてよく、トレース646はコネクタの第4のサブセットの第6のコネクタによってトレース628に結合されてよく、トレース628はコネクタの第4のサブセットの第7のコネクタによってトレース648に結合されてよく、トレース648はコネクタの第4のサブセットの第8のコネクタによってトレース630に結合されてよい。
コネクタの第6のサブセットは、トレースの第6のサブセット650〜656をトレースの第4のサブセット622〜630に結合するように構成され得る。たとえば、コネクタの第6のサブセットは、トレースの第6のサブセット650〜656をトレースの第4のサブセット622〜630に結合する単一のコネクタを含み得る。例示のために、コネクタの第6のサブセットは、トレース630をトレース650に結合するように構成されたコネクタを含み得る。
図7を参照すると、インダクタ構造を形成する方法700の例示的な態様のフロー図が示されている。インダクタ構造は、図1のインダクタ140などのインダクタ内に含まれ得る。インダクタ構造は、図1のインダクタ構造142、図2のインダクタ構造200、図3のインダクタ構造300、図4のインダクタ構造400、図5のインダクタ構造500、または図6のインダクタ構造600を含み得る。
方法700は、702において、インダクタの第1の層に対応するトレースの第1のセットを形成するステップを含んでよく、ここでトレースの第1のセットは第1のトレースと第2のトレースとを含み、第1のトレースは第2のトレースに平行であり、第1のトレースの寸法は第2のトレースの対応する寸法と異なる。たとえば、第1のトレースは、第2のトレースと異なる長さおよび/または幅を有してよい。トレースの第1のセットは複数のトレースを含み得る。たとえば、トレースの第1のセットは図1の第1のトレース150、第2のトレース152、追加のトレース194、図2のトレース212〜218、図3のトレース312〜318、図4のトレース410〜418、図5のトレース502〜508、または図6のトレース602〜606を含み得る。トレースの第1のセット(たとえば、複数のトレース)の各トレースは、異なる長さおよび/または異なる幅を有し得る。たとえば、第1の長さは、第2の長さよりも小さい場合がある。別の例として、第1のトレースの第1の幅は、第2のトレースの第2の幅と異なる(たとえば、その幅より小さい)場合がある。いくつかの実装形態では、トレースの第1のセットはテーパ構成を有し得る。
方法700は、704において、インダクタの第2の層に対応し、トレースの第1のセットに結合されたトレースの第2のセットを形成するステップをさらに含んでよく、ここでトレースの第2のセットは第3のトレースを含み、第3のトレースは第1のトレースおよび第2のトレースに結合される。トレースの第2のセットは、図1の第3のトレース160、図2のトレース242〜246、図3のトレース342〜346、図4のトレース440〜448、図5のトレース562〜570、または図6のトレース662〜670を含み得る。
方法700は、706において、インダクタの第3の層に対応し、トレースの第1のセットに結合されたトレースの第3のセットを形成するステップをさらに含んでよく、ここで第3の層は第1の層と第2の層との間に配置される。トレースの第3のセットは、図1の第4のトレース170、図2のトレース222〜228、図3のトレーストレース322〜326、図5のトレース522〜528、または図6のトレース622〜630を含み得る。いくつかの実装形態では、トレースの第3のセットは、第4のトレースと、第4のトレースに平行である第5のトレースとを含む。第4のトレースおよび第5のトレースは、異なる長さを有する場合がある。第4のトレースは、第2のトレースに結合されてもよい。特定の実装形態では、第1のトレースは第5のトレースと少なくとも部分的に重複し、第2のトレースは第4のトレースと少なくとも部分的に重複する。他の実装形態では、第1のトレースは、第5のトレースの全体と重複してよく、かつ/または第2のトレースは、第4のトレースの全体と重複してよい。
いくつかの実装形態では、方法700は、トレースの第1のセットをトレースの第2のセットに結合するように構成されたコネクタの第1のセットを形成するステップを含み得る。たとえば、コネクタの第1のセットは、図1のコネクタ180、182、図2のコネクタ260〜270、図3のコネクタ360〜370、または図4のコネクタ460〜468など、複数のコネクタを含み得る。追加または代替として、方法700は、トレースの第1のセットをトレースの第3のセットに結合するように構成されたコネクタの第2のセットを形成するステップを含み得る。たとえば、コネクタの第2のセットは、図1の第3のコネクタ184、図2のコネクタ272、または図3のコネクタ372を含み得る。コネクタの第2のセットのうちの少なくとも1つのコネクタは、ビア構造(たとえば、図4のビア構造499)、バンプ(たとえば、図4のバンプ490)、またはこれらの組合せを含み得る。特定の実装形態では、コネクタの第2のセットは単一のコネクタを含む。
いくつかの実装形態では、方法700は、インダクタの第4の層に対応するトレースの第4のセットを形成するステップを含み得る。たとえば、トレースの第4のセットは、図2のトレース232〜236、図3のトレース332〜336、図5のトレース542〜550、または図6のトレース642〜650を含み得る。第4の層は、第1の層と第2の層との間に配置され得る。第3の層は、第1の層と第4の層との間に配置され得る。トレースの第4のセットは、第6のトレースと、第6のトレースに平行である第7のトレースとを含む。特定の実装形態では、第3のトレースは、第6のトレースと、および第7のトレースとに結合され得る。方法700は、トレースの第3のセットをトレースの第4のセットに結合するように構成されたコネクタの第3のセットを形成するステップを含み得る。たとえば、コネクタの第3のセットは、図2のコネクタ274〜284、または図3のコネクタ374〜382を含み得る。
いくつかの実装形態では、トレースの第1のセットは、第1のトレースと第2のトレースとに平行である第8のトレースをさらに含む。たとえば、第1のトレース、第2のトレースおよび第8のトレースは、それぞれ、図1の第1のトレース150と、第2のトレース152と、追加のトレース194とを含み得る。別の例として、第1のトレース、第2のトレースおよび第8のトレースは、それぞれ、図2のトレース216と、トレース214と、トレース212とを含み得る。第2のトレースは、第1のトレースと第8のトレースとの間に配置され得る。第1のトレースおよび第2のトレースは第1の距離だけ離れていてもよく、第2のトレースおよび第8のトレースは第2の距離だけ離れていてもよい。第1の距離は第2の距離と異なってもよい。たとえば、第1の距離は第2の距離よりも小さくてもよい。
いくつかの実装形態では、トレースの第1のセットは、トレースの第1のサブセットとトレースの第2のサブセットとを含み得る。トレースの第1のサブセットの各トレースは、トレースの第1のサブセットの他のトレースに平行であってよく、トレースの第2のサブセットの各トレースは、トレースの第2のサブセットの他のトレースに非平行であってよい。たとえば、図5を参照すると、トレースの第1のセット502〜518は、トレースの平行サブセット502〜508とトレースの非平行サブセット510〜518とを含み得る。別の例として、図6を参照すると、トレースの第1のセット602〜616は、トレースの平行サブセット602〜606とトレースの非平行サブセット608〜616とを含み得る。加えて、トレースの第2のセットは、トレースの第3のサブセットとトレースの第4のサブセットとを含む。トレースの第3のサブセットの各トレースは、トレースの第3のサブセットの他のトレースに平行であり、トレースの第4のサブセットの各トレースは、トレースの第4のサブセットの他のトレースに非平行である。たとえば、図5を参照すると、トレースの第4のセット562〜578は、トレースの平行サブセット572〜578とトレースの非平行サブセット562〜570とを含み得る。別の例として、図6を参照すると、トレースの第4のセット642〜656は、トレースの平行サブセット642〜648と非平行のトレースの非平行サブセット652〜656とを含み得る。
方法700は、平面ソレノイドインダクタなどのインダクタを形成するために使用され得る。インダクタまたはそれの一部分は、テーパ構成を有する構造(たとえば、インダクタ構造)を有し得る。インダクタは高いQ値(Q)を有し得、低い寄生キャパシタンスを有し得る。
図8を参照すると、インダクタ構造を形成する方法800の例示的な態様のフロー図が示されている。インダクタ構造は、図1のインダクタ140などのインダクタ内に含まれ得る。インダクタ構造は、図4のインダクタ構造400、図5のインダクタ構造500、または図6のインダクタ構造600を含み得る。
方法800は、802において、インダクタの第1の層に対応し、トレースの第1のサブセットとトレースの第2のサブセットとを含むトレースの第1のセットを形成するステップを含んでよく、ここでトレースの第1のサブセットの各トレースはトレースの第1のサブセットの他のトレースに平行であり、トレースの第2のサブセットの少なくとも1つのトレースはトレースの第1のサブセットの各トレースに非平行である。トレースの第1のセットは、図3のトレースの第1のセット410〜430、図5のトレースの第1のセット502〜518、または図6のトレースの第1のセット602〜616を含み得る。トレースの第1のサブセットは、図4のトレースの平行サブセット410〜418、図5のトレースの平行サブセット502〜508、または図6のトレースの平行サブセット602〜606を含み得る。
方法800は、804において、インダクタの第2の層に対応し、トレースの第3のサブセットとトレースの第4のサブセットとを含むトレースの第2のセットを形成するステップをさらに含んでよく、ここでトレースの第3のサブセットの各トレースはトレースの第3のサブセットの他のトレースに平行であり、トレースの第4のサブセットの少なくとも1つのトレースはトレースの第3のサブセットの各トレースに非平行である。トレースの第2のセットは、図4のトレースの第2のセット440〜458、図5のトレースの第4のセット562〜578、または図6のトレースの第4のセット642〜656を含み得る。トレースの第3のサブセットは、図4のトレースの平行サブセット452〜458、図5のトレースの平行サブセット572〜578、または図6のトレースの平行サブセット642〜648を含み得る。トレースの第4のサブセットは、図4のトレースの非平行サブセット440〜448、図5のトレースの非平行サブセット562〜570、または図6のトレースの非平行サブセット652〜656を含み得る。
いくつかの実装形態では、方法800はコネクタのセットを形成するステップを含み得る。たとえば、コネクタのセットは、図4のコネクタのセット460〜481を含み得る。コネクタのセットは、コネクタの第1のサブセットとコネクタの第2のサブセットとを含み得る。コネクタの第1のサブセットは、トレースの第1のサブセットをトレースの第4のサブセットに結合するように構成され得る。たとえば、コネクタの第1のサブセットは、図4のコネクタ460〜468を含み得る。コネクタの第2のサブセットは、トレースの第2のサブセットをトレースの第3のサブセットに結合するように構成され得る。たとえば、コネクタの第2のサブセットは、図4のコネクタ470〜482を含み得る。少なくとも1つのコネクタは、トレースの第2のサブセットをコネクタの第4のサブセットに結合するように構成され得る。たとえば、図4を参照すると、コネクタの第2のサブセット469(たとえば、単一のコネクタ)は、トレースの第1のセットの、トレース422などの第1の特定のトレースをトレースの第2のセットの、トレース448などの第2の特定のトレースに結合するように構成され得る。コネクタの第1のセットの特定のコネクタは、ビア構造(たとえば、図4のビア構造499)、バンプ(たとえば、図4のバンプ490)、またはこれらの組合せを含む。いくつかの実装形態では、トレースの第1のセットは第1のデバイスの第1の表面上に形成されてよく、トレースの第2のセットは第2のデバイスの第2の表面上に形成されてよい。
いくつかの実装形態では、方法800は、第3の層に対応するトレースの第3のセットを形成するステップを含み得る。トレースの第3のセットは、図5のトレース522〜536、または図6のトレース622〜638を含み得る。トレースの第3のセットは、トレースの第5のサブセットとトレースの第6のサブセットとを含み得る。たとえば、トレースの第5のサブセットは、図5のトレース522〜528、または図6のトレース632〜638を含み得る。トレースの第6のサブセットは、図5のトレース530〜536、または図6のトレース622〜630を含み得る。トレースの第5のサブセットの各トレースは、トレースの第5のサブセットの他のトレースに平行であってよく、トレースの第6のサブセットの少なくとも1つのトレースは、トレースの第5のサブセットの各トレースに非平行である。
追加または代替として、方法800は、第4の層に対応するトレースの第4のセットを形成するステップを含み得る。トレースの第4のセットは、図5のトレース542〜556、または図6のトレース642〜656を含み得る。トレースの第4のセットは、トレースの第7のサブセットとトレースの第8のサブセットとを含み得る。たとえば、トレースの第7のサブセットは、図5のトレース552〜556、または図6のトレース642〜648を含み得る。トレースの第8のサブセットは、図5のトレース542〜550、または図6のトレース652〜656を含み得る。トレースの第7のサブセットの各トレースは、トレースの第7のサブセットの他のトレースに平行であり、トレースの第8のサブセットの少なくとも1つのトレースは、トレースの第8のサブセットの各トレースに非平行である。
いくつかの実装形態では、コネクタは、トレースの第1のセットをトレースの第3のセットに結合するように構成され得る。たとえば、図5を参照すると、単一のコネクタは、トレース502〜518のうちの、トレース502などの第1の特定のトレースをトレースのセット522〜536のうちの、トレース522などの第2の特定のトレースに結合するように構成され得る。別の例として、図6を参照すると、単一のコネクタは、トレースの第1のセット602〜616のうちの、トレース602などの第1の特定のトレースをトレースのセット622〜638のうちの第2の特定のトレース622に結合するように構成され得る。
方法800は、平面ソレノイドインダクタなどのインダクタを形成するために使用され得る。インダクタまたはそれの一部分は、テーパ構成を有する構造(たとえば、インダクタ構造)を有し得る。インダクタは高いQ値(Q)を有し得、低い寄生キャパシタンスを有し得る。
図7の方法700および/または図8の方法800は、中央処理ユニット(CPU)、コントローラ、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)デバイス、特定用途向け集積回路(ASIC)、別のハードウェアデバイス、ファームウェアデバイス、またはそれらの任意の組合せなどの処理ユニットによって制御され得る。一例として、図7の方法700および/または図8の方法800は、製作機器を制御するための命令を実行する1つまたは複数のプロセッサによって実行され得る。
図9を参照すると、ワイヤレス通信デバイスなど、電子デバイス900の特定の例示的な態様のブロック図が示されている。デバイス900は、メモリ932に結合された、デジタル信号プロセッサ(DSP)などのプロセッサ910を含む。メモリ932は、コンピュータ可読命令またはプロセッサ可読命令などの命令968(たとえば、実行可能命令)を含む。命令968は、プロセッサ910のようなコンピュータによって実行可能である1つまたは複数の命令を含み得る。
図9はまた、プロセッサ910およびディスプレイ928に結合されたディスプレイコントローラ926を示す。コーダ/デコーダ(CODEC)934もプロセッサ910に結合され得る。スピーカ936およびマイクロフォン938がCODEC934に結合され得る。
図9はまた、ワイヤレスインターフェース940がプロセッサ910とアンテナ942とに結合され得ることを示す。ワイヤレスインターフェース940またはその構成要素は、図1のインダクタ構造142、図2のインダクタ構造200、図3のインダクタ構造300、図4のインダクタ構造400、図5のインダクタ構造500、または図6のインダクタ構造600などの半導体デバイス964を含み得る。
いくつかの実施形態では、半導体デバイス964、プロセッサ910、ディスプレイコントローラ926、メモリ932、CODEC934、およびワイヤレスインターフェース940は、システムインパッケージデバイスまたはシステムオンチップデバイス922内に含まれる。いくつかの実施態様において、入力デバイス930および電源944は、システムオンチップデバイス922に結合される。さらに、特定の態様では、図9に示されるように、ディスプレイ928、入力デバイス930、スピーカ936、マイクロフォン938、アンテナ942、および電源944は、システムオンチップデバイス922の外部にある。しかしながら、ディスプレイ928、入力デバイス930、スピーカ936、マイクロフォン938、アンテナ942、および電源944のそれぞれは、インターフェースまたはコントローラなどのシステムオンチップデバイス922の構成要素に結合され得る。半導体デバイス964はワイヤレスインターフェース940(たとえば、ワイヤレスコントローラ)内に含まれるように示されるが、他の実装形態では、半導体デバイス964は、デバイス900の別の構成要素またはデバイス900に結合された構成要素内に含まれてもよい。たとえば、半導体デバイス964は、プロセッサ910、メモリ932、電源944、入力デバイス930、ディスプレイ928、ディスプレイコントローラ926、CODEC934、スピーカ936、またはマイクロフォン938内に含まれてもよい。
図1〜図9の説明された態様のうちの1つまたは複数とともに、電流を伝導するための第1の手段を含み得る装置が開示される。伝導するための第1の手段は、図1の第1のトレース150、第2のトレース152、追加のトレース194、図2のトレース212〜218のうちの1つもしくは複数のトレース、図3のトレース312〜318のうちの1つもしくは複数のトレース、図4のトレース410〜430のうちの1つもしくは複数のトレース、図5のトレース502〜518のうちの1つもしくは複数のトレース、図6のトレース602〜616のうちの1つもしくは複数のトレース、電流を伝導するように構成された1つもしくは複数の他の構造、またはそれらの任意の組合せを含み得る。
装置はまた、電流を伝導するための第2の手段を含み得る。伝導するための第2の手段は、図1の第3のトレース160、図2のトレース242〜246のうちの1つもしくは複数のトレース、図3のトレース342〜346のうちの1つもしくは複数のトレース、図4のトレース440〜458のうちの1つもしくは複数のトレース、図5のトレース562〜578のうちの1つもしくは複数のトレース、図6のトレース662〜678のうちの1つもしくは複数のトレース、電流を伝導するように構成された1つもしくは複数の他の構造、または任意の組合せを含み得る。
装置はまた、電流を伝導するための第3の手段を含み得る。伝導するための第3の手段は、図1の第4のトレース170、図2のトレース222〜228のうちの1つもしくは複数のトレース、図3のトレース322〜326のうちの1つもしくは複数のトレース、図5のトレース522〜536のうちの1つもしくは複数のトレース、図6のトレース632〜638のうちの1つもしくは複数のトレース、電流を伝導するように構成された1つもしくは複数の他の構造、または任意の組合せを含み得る。
開示した態様の1つまたは複数が、通信デバイス、固定位置データユニット、モバイル位置データユニット、モバイルフォン、セルラーフォン、衛星電話、コンピュータ、タブレット、ポータブルコンピュータ、ディスプレイデバイス、メディアプレーヤ、またはデスクトップコンピュータを含み得る、電子デバイス900のようなシステムまたは装置において実装され得る。代替または追加として、電子デバイス900は、セットトップボックス、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、携帯情報端末(PDA)、モニタ、コンピュータモニタ、テレビジョン、チューナ、ラジオ、衛星ラジオ、音楽プレーヤ、デジタル音楽プレーヤ、ポータブル音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、デジタルビデオディスク(DVD)プレーヤ、ポータブルデジタルビデオプレーヤ、衛星、車両、プロセッサを含むかまたはデータもしくはコンピュータ命令を記憶するかもしくは取り出す任意の他のデバイス、あるいはこれらの組合せを含み得る。別の説明に役立つ非限定的な例として、システムまたは装置は、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニットなどの遠隔ユニット、全地球測位システム(GPS)対応デバイスなどのポータブルデータユニット、メータ読取り機器、または、プロセッサを含むかまたはデータもしくはコンピュータ命令を記憶するかもしくは取り出す任意の他のデバイス、あるいはこれらの任意の組合せを含み得る。
上記で開示したデバイスおよび機能は、コンピュータ可読媒体上に記憶されたコンピュータファイル(たとえば、RTL、GDSII、GERBERなど)に設計および構成されてもよい。いくつかまたはすべてのそのようなファイルは、そのようなファイルに基づいてデバイスを製造する製造者に提供されてもよい。結果として得られる製品は、半導体ウェハを含み、次いで、半導体ウェハは半導体ダイに切断され、半導体チップにパッケージングされる。次いで、半導体チップは、上記で説明したようなデバイスに使用される。図10は、電子デバイス製造プロセス1000の、ある特定の例示的な態様を示す。
物理デバイス情報1002が、製造プロセス1000において、たとえば研究用コンピュータ1006において受け取られる。物理デバイス情報1002は、図1のインダクタ構造142、図2のインダクタ構造200、図3のインダクタ構造300、図4のインダクタ構造400、図5のインダクタ構造500、図6のインダクタ構造600、図7の方法700および/もしくは図8の方法800に従って形成された半導体デバイス(たとえば、インダクタ構造)、またはこれらの組合せの少なくとも1つの物理的特性を表す設計情報を含み得る。たとえば、物理デバイス情報1002は、研究用コンピュータ1006に結合されたユーザインターフェース1004を介して入力される、物理的なパラメータ、材料の特性、および構造情報を含み得る。研究用コンピュータ1006は、メモリ1010などのコンピュータ可読媒体(たとえば、非一時的コンピュータ可読媒体)に結合された、1つまたは複数の処理コアなどのプロセッサ1008を含む。メモリ1010は、プロセッサ1008に、ファイルフォーマットに準拠するように物理的デバイス情報1002を変換させ、ライブラリファイル1012を生成させるように実行可能なコンピュータ可読命令を記憶することができる。
いくつかの実装形態では、ライブラリファイル1012は、変換された設計情報を含む少なくとも1つのデータファイルを含む。たとえば、ライブラリファイル1012は、図1のインダクタ構造142、図2のインダクタ構造200、図3のインダクタ構造300、図4のインダクタ構造400、図5のインダクタ構造500、図6のインダクタ構造600、図7の方法700および/もしくは図8の方法800に従って形成された半導体デバイス(たとえば、インダクタ構造)、またはこれらの組合せを含むデバイスを含むデバイスのライブラリを含んでよく、デバイスのライブラリは、電子設計オートメーション(EDA)ツール1020とともに使用するために提供される。
ライブラリファイル1012は、メモリ1018に結合された1つまたは複数の処理コアなどのプロセッサ1016を含む設計用コンピュータ1014において、EDAツール1020とともに使用され得る。EDAツール1020は、図1のインダクタ構造142、図2のインダクタ構造200、図3のインダクタ構造300、図4のインダクタ構造400、図5のインダクタ構造500、図6のインダクタ構造600、図7の方法700および/もしくは図8の方法800に従って形成された半導体デバイス(たとえば、インダクタ構造)、またはこれらの組合せを含む回路を、設計コンピュータ1014のユーザが設計することを可能にするために、メモリ1018においてプロセッサ実行可能命令として記憶され得る。たとえば、設計コンピュータ1014のユーザは、設計コンピュータ1014に結合されたユーザインターフェース1024を介して回路設計情報1022を入力することができる。
回路設計情報1022は、図1のインダクタ構造142、図2のインダクタ構造200、図3のインダクタ構造300、図4のインダクタ構造400、図5のインダクタ構造500、図6のインダクタ構造600、図7の方法700および/もしくは図8の方法800に従って形成された半導体デバイス(たとえば、インダクタ構造)、またはこれらの組合せの構成要素の少なくとも1つの物理的特性を表す設計情報を含み得る。例示のために、回路設計特性は、特定の回路および回路設計における他の要素に対する関係の識別情報、位置決め情報、形状サイズ情報、相互接続情報、あるいは図1のインダクタ構造142、図2のインダクタ構造200、図3のインダクタ構造300、図4のインダクタ構造400、図5のインダクタ構造500、図6のインダクタ構造600、図7の方法700および/もしくは図8の方法800に従って形成された半導体デバイス(たとえば、インダクタ構造)、またはこれらの組合せの構成要素の物理的特性を表す他の情報を含み得る。
設計用コンピュータ1014は、回路設計情報1022を含む設計情報をファイルフォーマットに準拠するように変換するように構成することができる。例示すると、ファイルフォーマットは、平面の幾何学的形状、テキストラベル、およびグラフィックデータシステム(GDSII)ファイルフォーマットなどの階層的なフォーマットでの回路レイアウトについての他の情報を表す、データベースのバイナリファイルフォーマットを含み得る。設計コンピュータ1014は、他の回路または情報に加えて、図1のインダクタ構造142、図2のインダクタ構造200、図3のインダクタ構造300、図4のインダクタ構造400、図5のインダクタ構造500、図6のインダクタ構造600、図7の方法700および/もしくは図8の方法800に従って形成された半導体デバイス(たとえば、インダクタ構造)、またはこれらの組合せを記述する情報を含む、GDSIIファイル1026などの変換された設計情報を含むデータファイルを生成するように構成され得る。例示のために、データファイルは、図1のインダクタ構造142、図2のインダクタ構造200、図3のインダクタ構造300、図4のインダクタ構造400、図5のインダクタ構造500、図6のインダクタ構造600、図7の方法700および/もしくは図8の方法800に従って形成された半導体デバイス(たとえば、インダクタ構造)、またはこれらの組合せを含み、また追加の電子回路および構成要素をシステムオンチップ(SOC)内に含む、SOCに対応する情報を含み得る。
GDSIIファイル1026は、GDSIIファイル1026内の変換された情報に従って、図1のインダクタ構造142、図2のインダクタ構造200、図3のインダクタ構造300、図4のインダクタ構造400、図5のインダクタ構造500、図6のインダクタ構造600、図7の方法700および/もしくは図8の方法800に従って形成された半導体デバイス(たとえば、インダクタ構造)、またはこれらの組合せを製造するために、製作プロセス1028において受信され得る。たとえば、デバイス製造プロセスは、典型的なマスク1032として示すフォトリソグラフィ処理で使用されるマスクなどの1つまたは複数のマスクを作成するために、マスク製造者1030にGDSIIファイル1026を提供するステップを含むことができる。マスク1032は、テストされ、代表的なダイ1036などのダイに分割できる1つまたは複数のウェハ1033を生成するために、組立プロセス中に使用することができる。ダイ1036は、図1のインダクタ構造142、図2のインダクタ構造200、図3のインダクタ構造300、図4のインダクタ構造400、図5のインダクタ構造500、図6のインダクタ構造600、図7の方法700および/もしくは図8の方法800に従って形成された半導体デバイス(たとえば、インダクタ構造)、またはこれらの組合せを含むデバイスを含む回路を含む。
たとえば、製作プロセス1028は、製作プロセス1028を開始および/または制御するための、プロセッサ1034およびメモリ1035を含み得る。メモリ1035は、コンピュータ可読命令またはプロセッサ可読命令などの実行可能命令を含み得る。実行可能命令は、プロセッサ1034などのコンピュータによって実行可能な1つまたは複数の命令を含み得る。
製作プロセス1028は、完全に自動化される、または部分的に自動化される製作システムによって実施され得る。たとえば、製作プロセス1028は、スケジュールに従って自動化され得る。製作システムは、図1のインダクタ構造142、図2のインダクタ構造200、図3のインダクタ構造300、図4のインダクタ構造400、図5のインダクタ構造500、図6のインダクタ構造600、図7の方法700および/もしくは図8の方法800に従って形成された半導体デバイス(たとえば、インダクタ構造)、またはこれらの組合せなどの半導体デバイスを形成するために1つまたは複数の動作を実行するための製作機器(たとえば、処理ツール)を含み得る。たとえば、製作機器は、説明に役立つ非限定的な例として、1つもしくは複数の材料を堆積すること、1つもしくは複数の材料をエッチングすること、1つもしくは複数の誘電体材料をエッチングすること、化学機械平坦化プロセスを実行すること、熱的焼鈍を実行すること、導電材料を堆積すること、化学気相堆積(CVD)プロセスを実行することなど、またはこれらの組合せを行うように構成され得る。
製造システム(たとえば、製造プロセス1028を実行する自動化システム)は、分散型アーキテクチャ(たとえば、階層構造)を有することができる。たとえば、製造システムは、分散型アーキテクチャに従って分散された、プロセッサ1034などの1つもしくは複数のプロセッサ、メモリ1035などの1つもしくは複数のメモリ、および/またはコントローラを含むことができる。分散型アーキテクチャは、1つまたは複数の低レベルシステムの動作を制御または開始する高レベルプロセッサを含むことができる。たとえば、製造プロセス1028の高レベル部分は、プロセッサ1034などの1つまたは複数のプロセッサを含むことができ、低レベルシステムは、各々、1つもしくは複数の対応するコントローラを含むことができ、または、1つもしくは複数の対応するコントローラによって制御され得る。特定の低レベルシステムの特定のコントローラは、特定の高レベルシステムから1つまたは複数の命令(たとえば、コマンド)を受信することができ、サブコマンドを下位のモジュールまたはプロセスツールに出すことができ、特定の高レベルシステムに状態データを通信し戻すことができる。1つまたは複数の低レベルシステムの各々は、製作機器の1つまたは複数の対応する部分(たとえば、処理ツール)と関連付けられ得る。いくつかの実装形態では、製作システムは、製作システム内に分散された複数のプロセッサを含み得る。たとえば、低レベルシステム構成要素のコントローラは、プロセッサ1034のようなプロセッサを含み得る。
代替として、プロセッサ1034は、製作システムの高レベルシステム、サブシステムまたは構成要素の一部であり得る。別の実装形態では、プロセッサ1034は、製作システムの様々なレベルおよび構成要素における分散処理を含む。
したがって、プロセッサ1034は、プロセッサ1034によって実行されたとき、図1のインダクタ140などのインダクタの形成をプロセッサ1034に開始または制御させるプロセッサ実行可能命令を含み得る。たとえば、メモリ1035内に含まれる実行可能命令は、図1のインダクタ構造142、図2のインダクタ構造200、図3のインダクタ構造300、図4のインダクタ構造400、図5のインダクタ構造500、図6のインダクタ構造600、図7の方法700および/もしくは図8の方法800に従って形成された半導体デバイス(たとえば、インダクタ構造)、またはこれらの組合せの形成をプロセッサ1034が開始することを可能にし得る。いくつかの実装形態では、メモリ1035は、図7の方法700および/もしくは図8の方法800の少なくとも一部分に従った半導体デバイス、またはこれらの任意の組合せの形成をプロセッサ1034に開始させるために、プロセッサ1034によって実行可能であるコンピュータ実行可能命令を記憶する非一時的コンピュータ可読媒体である。たとえば、コンピュータ実行可能命令は、図1のインダクタ140の形成をプロセッサ1034に開始または制御させるように実行可能であり得る。
説明に役立つ一例として、プロセッサ1034は、インダクタの第1の層に対応するトレースの第1のセットを形成することを開始または制御し得る。トレースの第1のセットは、平行である第1のトレースと第2のトレースとを含む。第1のトレースの寸法は、第2のトレースの対応する寸法とは異なる場合がある。たとえば、第1のトレースは、第2のトレースと異なる長さおよび/または幅を有する場合がある。いくつかの実装形態では、第1のトレースの第1の長さおよび第1の幅は、それぞれ、第2のトレースの第2の長さおよび第2の幅と異なる場合がある。プロセッサ1034は、さらに、インダクタの第2の層に対応するトレースの第2のセットを形成することを開始または制御し得る。トレースの第2のセットは、トレースの第1のセットに結合される。トレースの第2のセットは、第1のトレースおよび第2のトレースに結合された第3のトレースを含む。プロセッサ1034は、さらに、第1の層と第2の層との間に配置されたインダクタの第3の層に対応するトレースの第3のセットを形成することを開始または制御し得る。トレースの第3のセットは、トレースの第1のセットに結合され得る。
説明に役立つ別の例として、プロセッサ1034は、インダクタの第1の層に対応するトレースの第1のセットを形成することを開始または制御し得る。トレースの第1のセットは、トレースの第1のサブセットとトレースの第2のサブセットとを含み得る。トレースの第1のサブセットの各トレースは、トレースの第1のサブセットの他のトレースに平行である。トレースの第2のサブセットの少なくとも1つのトレースは、トレースの第1のサブセットの各トレースに非平行である。プロセッサ1034は、さらに、インダクタの第2の層に対応し、トレースの第3のサブセットとトレースの第4のサブセットとを含むトレースの第2のセットを形成することを開始または制御してよく、ここでトレースの第3のサブセットの各トレースはトレースの第3のサブセットの他のトレースに平行である。トレースの第4のサブセットの少なくとも1つのトレースは、トレースの第3のサブセットの各トレースに非平行である。
ダイ1036は、パッケージングプロセス1038に提供され得、ダイ1036は、典型的なパッケージ1040内に組み込まれる。たとえば、パッケージ1040は、システムインパッケージ(SiP)配置などの単一のダイ1036または複数のダイを含むことができる。たとえば、パッケージ1040は、図9のシステムインパッケージまたはシステムオンチップデバイス922を含むかまたはそれに対応してもよい。パッケージ1040は、合同電子デバイス委員会(JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council))規格などの1つまたは複数の規格または仕様に準拠するように構成され得る。
パッケージ1040に関する情報は、コンピュータ1046において記憶された構成要素ライブラリを介するなどして様々な製品設計者に配布され得る。コンピュータ1046は、メモリ1050に結合された1つまたは複数の処理コアなどのプロセッサ1048を含むことができる。プリント回路基板(PCB)ツールは、ユーザインターフェース1044を介してコンピュータ1046のユーザから受信したPCB設計情報1042を処理するために、メモリ1050においてプロセッサ実行可能命令として記憶され得る。PCB設計情報1042は、回路基板上のパッケージ化半導体デバイスの物理的位置決め情報を含んでよく、パッケージ化半導体デバイスは、図1のインダクタ構造142、図2のインダクタ構造200、図3のインダクタ構造300、図4のインダクタ構造400、図5のインダクタ構造500、図6のインダクタ構造600、図7の方法700および/もしくは図8の方法800に従って形成された半導体デバイス(たとえば、インダクタ構造)、またはこれらの組合せを含む。
コンピュータ1046は、PCB設計情報1042を変換して、回路基板上のパッケージ化半導体デバイスの物理的位置決め情報とともに、トレース(たとえば、金属線)およびビア(たとえば、ビア構造)などの電気接続のレイアウトを含むデータを有する、GERBERファイル1052などのデータファイルを生成するように構成されてよく、ここでパッケージ化半導体デバイスは、図1のインダクタ構造142、図2のインダクタ構造200、図3のインダクタ構造300、図4のインダクタ構造400、図5のインダクタ構造500、図6のインダクタ構造600、図7の方法700および/もしくは図8の方法800に従って形成された半導体デバイス(たとえば、インダクタ構造)、またはこれらの組合せを含む、パッケージ1040に対応する。他の実装形態では、変換されたPCB設計情報によって生成されたデータファイルは、GERBERフォーマット以外のフォーマットを有し得る。
GERBERファイル1052は、基板組立プロセス1054において受け取られてよく、GERBERファイル1052内に記憶されている設計情報に従って製造される代表的なPCB1056などのPCBを作成するために使用されてよい。たとえば、GERBERファイル1052は、PCB製造プロセスの様々なステップを実行するために1つまたは複数のマシンにアップロードされ得る。PCB1056は、代表的なプリント回路アセンブリ(PCA)1058を形成するために、パッケージ1040を含む電子構成要素を装着され得る。
PCA1058は、製品製造プロセス1060において受け取られ、第1の代表的な電子デバイス1062および第2の代表的な電子デバイス1064などの1つまたは複数の電子デバイスに組み込まれ得る。たとえば、第1の代表的な電子デバイス1062、第2の代表的な電子デバイス1064、または両方が、図9のデバイス900を含んでよい。説明に役立つ非限定的な例として、第1の代表的な電子デバイス1062、第2の代表的な電子デバイス1064、または両方は、通信デバイス、固定位置データユニット、モバイル位置データユニット、モバイルフォン、セルラーフォン、衛星フォン、コンピュータ、タブレット、ポータブルコンピュータ、またはデスクトップコンピュータを含んでよく、それらの中に、図1のインダクタ構造142、図2のインダクタ構造200、図3のインダクタ構造300、図4のインダクタ構造400、図5のインダクタ構造500、図6のインダクタ構造600、図7の方法700および/もしくは図8の方法800に従って形成された半導体デバイス(たとえば、インダクタ構造)、またはこれらの組合せが統合される。
代替または追加として、第1の代表的な電子デバイス1062、第2の代表的な電子デバイス1064、または両方が、セットトップボックス、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、携帯情報端末(PDA)、モニタ、コンピュータモニタ、テレビジョン、チューナ、ラジオ、衛星ラジオ、音楽プレーヤ、デジタル音楽プレーヤ、ポータブル音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、デジタルビデオディスク(DVD)プレーヤ、ポータブルデジタルビデオプレーヤ、プロセッサを含むかまたはデータもしくはコンピュータ命令を記憶もしくは検索する任意の他のデバイス、あるいはこれらの組合せを含んでよく、それらの中に、図1のインダクタ構造142、図2のインダクタ構造200、図3のインダクタ構造300、図4のインダクタ構造400、図5のインダクタ構造500、図6のインダクタ構造600、図7の方法700および/もしくは図8の方法800に従って形成された半導体デバイス(たとえば、インダクタ構造)、またはこれらの組合せが統合される。別の説明に役立つ非限定的な例として、電子デバイス1062および1064の1つまたは複数は、モバイルフォン、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニット、携帯情報端末のようなポータブルデータユニット、全地球測位システム(GPS)対応デバイス、ナビゲーションデバイス、メータ検針機器のような固定位置データユニット、プロセッサを含むかまたはデータもしくはコンピュータ命令を記憶もしくは検索する任意の他のデバイス、あるいはこれらの任意の組合せなどの遠隔ユニットを含み得る。図10は、本開示の教示に従った遠隔ユニットを示すが、本開示は、これらの示されたユニットには限定されない。本開示の態様は、メモリおよびオンチップ回路を含む能動集積回路を含む任意のデバイスにおいて適切に利用され得る。
例示的なプロセッサ1000において説明されるように、図1のインダクタ構造142、図2のインダクタ構造200、図3のインダクタ構造300、図4のインダクタ構造400、図5のインダクタ構造500、図6のインダクタ構造600、図7の方法700および/もしくは図8の方法800に従って形成された半導体デバイス(たとえば、インダクタ構造)、またはこれらの組合せを含むデバイスが、製作され、処理されて電子デバイス内に組み込まれ得る。図1〜図10に関して開示される1つまたは複数の態様は、ライブラリファイル1012、GDSIIファイル1026(たとえば、GDSIIフォーマットを有するファイル)、およびGERBERファイル1052(たとえば、GERBERフォーマットを有するファイル)の中など、様々な処理段階において含まれてよく、ならびに、研究用コンピュータ1006のメモリ1010、設計用コンピュータ1014のメモリ1018、コンピュータ1046のメモリ1050、基板組立プロセス1054におけるような様々な段階において使用される1つまたは複数の他のコンピュータまたはプロセッサ(図示せず)のメモリに記憶されてよく、また、マスク1032、ダイ1036、パッケージ1040、PCA1058、プロトタイプ回路もしくはデバイス(図示せず)などの他の製品、またはこれらの任意の組合せなど、1つまたは複数の他の物理的な態様に組み込まれてもよい。物理的なデバイス設計から最終製品まで、製品の様々な代表的な段階が示されているが、他の実装形態では、より少ない段階が使用されてよく、または、追加の段階が含まれてもよい。同様に、プロセス1000は、プロセス1000の様々な段階を実行する、単一のエンティティまたは1つもしくは複数のエンティティによって実行され得る。
図1〜図10のうちの1つまたは複数は、本開示の教示に従ったシステム、装置、および/または方法を示すことができるが、本開示は、これらの示されたシステム、装置、および/または方法に限定されない。本明細書において示されたまたは説明された図1〜図10のうちのいずれかの1つまたは複数の機能または構成要素は、図1〜図10のうちの別の図の1つまたは複数の他の部分と組み合わされ得る。したがって、本明細書において説明されるいずれの単一の態様または単一の例も、限定するものとして見なされるべきではなく、本開示の態様および/または例は、本開示の教示から逸脱することなく適切に組み合わされ得る。
当業者は、本明細書で開示する態様に関して説明した様々な例示的な論理ブロック、構成、モジュール、回路、およびアルゴリズムステップが、電子ハードウェア、プロセッサによって実行されるコンピュータソフトウェア、または両方の組合せとして実装され得ることをさらに諒解されよう。様々な例示的な構成要素、ブロック、構成、モジュール、回路、およびステップについて、上記ではそれらの機能に関して概略的に説明した。そのような機能がハードウェアとして実装されるか、またはプロセッサ実行可能命令として実装されるかは、特定の適用例および全体的なシステムに課される設計制約に依存する。当業者は、説明した機能を特定の用途ごとに様々な方法で実装し得るが、そのような実装形態の決定は、本開示の範囲からの逸脱を引き起こすものと解釈されるべきではない。
本明細書において開示した態様に関して説明した方法またはアルゴリズムのステップは、ハードウェアにおいて直接具現されても、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュールにおいて具現されても、またはその2つの組合せにおいて具現されてもよい。ソフトウェアモジュールは、ランダムアクセスメモリ(RAM)、フラッシュメモリ、読取り専用メモリ(ROM)、プログラム可能読取り専用メモリ(PROM)、消去可能プログラム可能読取り専用メモリ(EPROM)、電気的消去可能プログラム可能読取り専用メモリ(EEPROM)、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、コンパクトディスク読取り専用メモリ(CD−ROM)、または当技術分野において既知の任意の他の形の非一時的記憶媒体内に存在する場合がある。たとえば、記憶媒体は、プロセッサが記憶媒体から情報を読み取り、かつ記憶媒体に情報を書き込むことができるようにプロセッサに結合され得る。代替として、記憶媒体は、プロセッサと一体であってよい。プロセッサおよび記憶媒体は、特定用途向け集積回路(ASIC)内にあり得る。ASICは、コンピューティングデバイスまたはユーザ端末内にあり得る。代替として、プロセッサおよび記憶媒体は、コンピューティングデバイスまたはユーザ端末中に個別のコンポーネントとして存在し得る。
開示した態様の上記の説明は、開示した態様を当業者が作成または使用できるようにするために提供される。これらの態様への様々な修正は当業者には容易に明らかになり、本明細書で定義された原理は、本開示の範囲から逸脱することなく、他の態様に適用されてもよい。したがって、本開示は、本明細書に示す態様に限定されることを意図するものではなく、以下の特許請求の範囲によって定義される原理および新規な特徴と可能な限り一致する最も広い範囲が与えられるべきである。
100 システム
102 入力信号
104 出力信号
110 ワイヤレスインターフェース回路
120 コントローラ
130 フィルタ
140 インダクタ
142 インダクタ構造
143 第2のトレース152の第1の部分
144 第4のトレース170の第2の部分
150 第1のトレース
152 第2のトレース
160 第3のトレース
170 第4のトレース
180 第1のコネクタ
182 第2のコネクタ
184 第3のコネクタ
194 追加のトレース
197 方向
198 追加のトレース194の第3の部分
199 追加のトレース194の第4の部分
200 インダクタ構造
201 トレース212の一部分
210 第1の層
212 トレース
214 トレース
216 トレース
218 トレース
212〜218 トレースの第1のセット
220 第2の層
222 トレース
224 トレース
226 トレース
228 トレース
222〜228 トレースの第2のセット
229 トレース222の一部分
230 第3の層
232 トレース
234 トレース
236 トレース
232〜236 トレースの第3のセット
240 第4の層
242 トレース
244 トレース
246 トレース
242〜246 トレースの第4のセット
260 コネクタ
262 コネクタ
264 コネクタ
266 コネクタ
268 コネクタ
270 コネクタ
260〜270 コネクタのセット
272 コネクタ、コネクタのセット
274 コネクタ
276 コネクタ
278 コネクタ
280 コネクタ
282 コネクタ
284 コネクタ
274〜284 コネクタのセット
300 インダクタ構造
301 トレース312の一部分
310 第1の層
312 トレース
314 トレース
316 トレース
318 トレース
312〜318 トレースの第1のセット
320 第2の層
322 トレース
324 トレース
326 トレース
322〜326 トレースの第2のセット
330 第3の層
332 トレース
334 トレース
336 トレース
332〜336 トレースの第3のセット
337 トレース332の一部分
340 第4の層
342 トレース
344 トレース
346 トレース
342〜346 トレースの第4のセット
360 コネクタ
362 コネクタ
364 コネクタ
366 コネクタ
368 コネクタ
370 コネクタ
360〜370 コネクタのセット
372 コネクタ、コネクタのセット
374 コネクタ
376 コネクタ
378 コネクタ
380 コネクタ
382 コネクタ
374〜382 コネクタのセット
400 インダクタ構造
402 基板
404 点線
406 第1の部分
407 第2の部分
408 トレース410の第1の部分
409 トレース430の第2の部分
410 トレース
412 トレース
414 トレース
416 トレース
418 トレース
410〜418 トレースの第1のサブセット
422 トレース
424 トレース
426 トレース
428 トレース
430 トレース
422〜430 トレースの第2のサブセット
410〜430 トレースの第1のセット
440 トレース
442 トレース
444 トレース
446 トレース
448 トレース
440〜448 トレースの第4のサブセット
452 トレース
454 トレース
456 トレース
458 トレース
452〜458 トレースの第3のサブセット
440〜458 トレースの第2のセット
460 コネクタ
461 コネクタ
462 コネクタ
463 コネクタ
464 コネクタ
465 コネクタ
466 コネクタ
467 コネクタ
468 コネクタ
460〜468 コネクタの第1のセット
469 コネクタ、コネクタの第2のセット
470 コネクタ
472 コネクタ
474 コネクタ
476 コネクタ
478 コネクタ
479 コネクタ
480 コネクタ
481 コネクタ
470〜481 コネクタの第3のセット
460〜481 コネクタのセット
486 第1の基板
487 第2の基板
488 第1のトレース
489 第2のトレース
490 バンプ
496 基板
497 第1のトレース
498 第2のトレース
499 ビア構造
500 インダクタ構造
501 第1の層
502 トレース
504 トレース
506 トレース
507 トレース
508 トレース
502〜508 トレースの第1のサブセット
510 トレース
512 トレース
514 トレース
516 トレース
518 トレース
510〜518 トレースの第2のサブセット
502〜518 トレースの第1のセット
519 トレース518の第1の部分
520 第2の層
521 トレース536の第2の部分
522 トレース
524 トレース
526 トレース
527 トレース
528 トレース
522〜528 トレースの第3のサブセット
530 トレース
532 トレース
534 トレース
536 トレース
530〜536 トレースの第4のサブセット
522〜536 トレースの第2のセット
540 第3の層
542 トレース
544 トレース
546 トレース
548 トレース
550 トレース
542〜550 トレースの第6のサブセット
552 トレース
554 トレース
556 トレース
552〜556 トレースの第5のサブセット
542〜556 トレースの第3のセット
560 第4の層
562 トレース
564 トレース
566 トレース
568 トレース
570 トレース
562〜570 トレースの第8のサブセット
572 トレース
574 トレース
576 トレース
578 トレース
572〜578 トレースの第7のサブセット
562〜578 トレースの第4のセット
590 点線
592 点線
594 点線
596 点線
597 点線
598 点線
600 インダクタ構造
601 第1の層
602 トレース
603 トレース
604 トレース
605 トレース
606 トレース
602〜606 トレースの第1のサブセット
608 トレース
610 トレース
612 トレース
614 トレース
616 トレース
608〜616 トレースの第2のサブセット
602〜616 トレースの第1のセット
619 トレース616の第1の部分
620 第2の層
621 トレース638の第2の部分
622 トレース
624 トレース
626 トレース
628 トレース
630 トレース
622〜630 トレースの第4のサブセット
632 トレース
634 トレース
636 トレース
638 トレース
632〜638 トレースの第3のサブセット
622〜638 トレースの第2のセット
640 第3の層
642 トレース
644 トレース
646 トレース
648 トレース
642〜648 トレースの第5のサブセット
650 トレース
652 トレース
654 トレース
656 トレース
650〜656 トレースの第6のサブセット
642〜656 トレースの第3のセット
660 第4の層
662 トレース
664 トレース
668 トレース
669 トレース
670 トレース
662〜670 トレースの第8のサブセット
672 トレース
674 トレース
676 トレース
678 トレース
672〜678 トレースの第7のサブセット
662〜678 トレースの第4のセット
690 点線
692 点線
694 点線
695 点線
696 点線
697 点線
699 点線
900 電子デバイス
910 プロセッサ
922 システムオンチップデバイス
926 ディスプレイコントローラ
928 ディスプレイ
930 入力デバイス
932 メモリ
934 コーダ/デコーダ(CODEC)
936 スピーカ
938 マイクロフォン
940 ワイヤレスインターフェース
942 アンテナ
944 電源
964 半導体デバイス
968 命令
1000 電子デバイス製造プロセス
1002 物理デバイス情報
1004 ユーザインターフェース
1006 研究用コンピュータ
1008 プロセッサ
1010 メモリ
1012 ライブラリファイル
1014 設計用コンピュータ
1016 プロセッサ
1018 メモリ
1020 電子設計オートメーション(EDA)ツール
1022 回路設計情報
1024 ユーザインターフェース
1026 GDSIIファイル
1028 製作プロセス
1030 マスク製造者
1032 マスク
1033 ウェハ
1034 プロセッサ
1035 メモリ
1036 ダイ
1038 パッケージングプロセス
1040 パッケージ
1042 PCB設計情報
1044 ユーザインターフェース
1046 コンピュータ
1048 プロセッサ
1050 メモリ
1052 GERBERファイル
1054 基板組立プロセス
1056 PCB
1058 プリント回路アセンブリ(PCA)
1060 製品製造プロセス
1062 第1の代表的な電子デバイス
1064 第2の代表的な電子デバイス

Claims (30)

  1. インダクタの第1の層に対応するトレースの第1のセットであって、第1のトレースと第2のトレースとを含み、前記第1のトレースが前記第2のトレースに平行であり、前記第1のトレースの寸法が前記第2のトレースの対応する寸法と異なる、トレースの第1のセットと、
    前記インダクタの第2の層に対応し、トレースの前記第1のセットに結合されたトレースの第2のセットであって、第3のトレースを含み、前記第3のトレースが前記第1のトレースおよび前記第2のトレースに結合される、トレースの第2のセットと、
    前記インダクタの第3の層に対応し、トレースの前記第1のセットに結合されたトレースの第3のセットであって、前記第3の層が前記第1の層と前記第2の層との間に配置される、トレースの第3のセットとを含む、インダクタ構造。
  2. 前記第1のトレースの前記寸法が長さを含む、請求項1に記載のインダクタ構造。
  3. 前記第1のトレースの前記寸法が幅を含む、請求項1に記載のインダクタ構造。
  4. トレースの前記第3のセットが第4のトレースと第5のトレースとをさらに含み、前記第4のトレースが前記第2のトレースに結合され、前記第4のトレースが前記第5のトレースに平行であり、前記第4のトレースおよび前記第5のトレースが異なる長さを有する、請求項1に記載のインダクタ構造。
  5. 前記第1のトレースが前記第5のトレースと少なくとも部分的に重複し、前記第2のトレースが前記第4のトレースと少なくとも部分的に重複する、請求項4に記載のインダクタ構造。
  6. 前記インダクタの第4の層に対応し、トレースの前記第3のセットに結合されたトレースの第4のセットをさらに備え、前記第4の層が前記第1の層と前記第2の層との間に置かれる、請求項1に記載のインダクタ構造。
  7. トレースの前記第4のセットが第6のトレースと第7のトレースとを含み、前記第6のトレースが前記第7のトレースに平行であり、前記第3のトレースが前記第6のトレースおよび前記第7のトレースに結合される、請求項6に記載のインダクタ構造。
  8. トレースの前記第1のセットが、前記第1のトレースおよび前記第2のトレースに平行である追加のトレースをさらに含み、前記第2のトレースが前記第1のトレースと前記追加のトレースとの間に置かれ、前記第2のトレースの前記対応する寸法が、前記第1のトレースの前記寸法より大きく、前記追加のトレースの第2の対応する寸法より小さい、請求項1に記載のインダクタ構造。
  9. トレースの前記第1のセットが、前記第1のトレースおよび前記第2のトレースに平行である第8のトレースをさらに含み、前記第2のトレースが前記第1のトレースと前記第8のトレースとの間に置かれ、前記第1のトレースおよび前記第2のトレースが第1の距離だけ離れており、前記第2のトレースおよび前記第8のトレースが第2の距離だけ離れており、前記第1の距離が前記第2の距離と異なる、請求項1に記載のインダクタ構造。
  10. トレースの前記第1のセットが複数のトレースを備え、前記複数のトレースの各トレースが異なる長さを有し、トレースの前記第1のセットがテーパ構成を有する、請求項1に記載のインダクタ構造。
  11. 前記寸法が長さを含み、前記第1のトレースの第1の幅が前記第2のトレースの第2の幅と異なる、請求項1に記載のインダクタ構造。
  12. 前記第1のトレースの前記寸法が前記第2のトレースの前記対応する寸法より小さく、前記第1の幅が前記第2の幅より小さい、請求項11に記載のインダクタ構造。
  13. トレースの前記第1のセットが、トレースの第1のサブセットとトレースの第2のサブセットとを含み、トレースの前記第1のサブセットの各トレースがトレースの前記第1のサブセットの他のトレースに平行であり、トレースの前記第2のサブセットの各トレースがトレースの前記第2のサブセットの他のトレースに非平行である、請求項1に記載のインダクタ構造。
  14. トレースの前記第2のセットが、トレースの第3のサブセットとトレースの第4のサブセットとを含み、トレースの前記第3のサブセットの各トレースがトレースの前記第3のサブセットの他のトレースに平行であり、トレースの前記第4のサブセットの各トレースがトレースの前記第4のサブセットの他のトレースに非平行である、請求項13に記載のインダクタ構造。
  15. インダクタの第1の層に対応する電流を伝導するための第1の手段であって、第1のトレースと第2のトレースとを含み、前記第1のトレースが前記第2のトレースに平行であり、前記第1のトレースの寸法が前記第2のトレースの対応する寸法と異なる、電流を伝導するための第1の手段と、
    前記インダクタの第2の層に対応し、電流を伝導するための前記第1の手段に結合された、電流を伝導するための第2の手段であって、第3のトレースを含み、前記第3のトレースが前記第1のトレースおよび前記第2のトレースに結合される、電流を伝導するための第2の手段と、
    前記インダクタの第3の層に対応し、電流を伝導するための前記第1の手段に結合された、電流を伝導するための第3の手段であって、前記第3の層が前記第1の層と前記第2の層との間に置かれる、電流を伝導するための第3の手段とを含む、装置。
  16. 電流を伝導するための前記第1の手段を、電流を伝導するための前記第3の手段に結合するための第1の手段と、
    電流を伝導するための前記第1の手段を、電流を伝導するための前記第2の手段に結合するための第2の手段とをさらに含む、請求項15に記載の装置。
  17. 結合するための前記第2の手段が単一のコネクタを含む、請求項16に記載の装置。
  18. 前記インダクタの第4の層に対応し、電流を伝導するための前記第3の手段に結合された、電流を伝導するための第4の手段であって、前記第4の層が前記第1の層と前記第2の層との間に置かれる、電流を伝導するための第4の手段と、
    電流を伝導するための前記第3の手段を、電流を伝導するための前記第4の手段に結合するための第3の手段とをさらに含む、請求項15に記載の装置。
  19. インダクタの第1の層に対応し、トレースの第1のサブセットとトレースの第2のサブセットとを含むトレースの第1のセットであって、トレースの前記第1のサブセットの各トレースがトレースの前記第1のサブセットの他のトレースに平行であり、トレースの前記第2のサブセットの少なくとも1つのトレースがトレースの前記第1のサブセットの各トレースに非平行である、トレースの第1のセットと、
    前記インダクタの第2の層に対応し、トレースの第3のサブセットとトレースの第4のサブセットとを含むトレースの第2のセットであって、トレースの前記第3のサブセットの各トレースがトレースの前記第3のサブセットの他のトレースに平行であり、トレースの前記第4のサブセットの少なくとも1つのトレースがトレースの前記第3のサブセットの各トレースに非平行である、トレースの第2のセットとを備える、インダクタ構造。
  20. コネクタの第1のセットをさらに備え、コネクタの前記第1のセットがコネクタの第1のサブセットとコネクタの第2のサブセットとを含み、コネクタの前記第1のサブセットが、トレースの前記第1のサブセットをトレースの前記第4のサブセットに結合するように構成され、コネクタの前記第2のサブセットが、トレースの前記第2のサブセットをトレースの前記第3のサブセットに結合するように構成される、請求項19に記載のインダクタ構造。
  21. コネクタの前記第1のセットの特定のコネクタが、スルーガラスビア、バンプ、またはこれらの組合せを含む、請求項20に記載のインダクタ構造。
  22. トレースの前記第1のセットが第1のデバイスの第1の表面上に形成され、トレースの前記第2のセットが第2のデバイスの第2の表面上に形成される、請求項19に記載のインダクタ構造。
  23. 前記インダクタの第3の層に対応し、トレースの第5のサブセットとトレースの第6のサブセットとを含むトレースの第3のセットであって、トレースの前記第5のサブセットの各トレースがトレースの前記第5のサブセットの他のトレースに平行であり、トレースの前記第6のサブセットの少なくとも1つのトレースがトレースの前記第5のサブセットの各トレースに非平行である、トレースの第3のセットと、
    前記インダクタの第4の層に対応し、トレースの第7のサブセットとトレースの第8のサブセットとを含むトレースの第4のセットであって、トレースの前記第7のサブセットの各トレースがトレースの前記第7のサブセットの他のトレースに平行であり、トレースの前記第8のサブセットの少なくとも1つのトレースがトレースの前記第8のサブセットの各トレースに非平行である、トレースの第4のセットとをさらに含む、請求項19に記載のインダクタ構造。
  24. トレースの前記第1のセットおよびトレースの前記第2のセットを結合するように構成されたコネクタの第1のセットと、
    トレースの前記第3のセットおよびトレースの前記第4のセットを結合するように構成されたコネクタの第2のセットと、
    トレースの前記第1のセットの第1の特定のトレースをトレースの前記第3のセットの第2の特定のトレースに結合するように構成されたコネクタとをさらに含む、請求項23に記載のインダクタ構造。
  25. インダクタ構造を形成する方法であって、
    インダクタの第1の層に対応するトレースの第1のセットを形成するステップであって、トレースの前記第1のセットが第1のトレースと第2のトレースとを含み、前記第1のトレースが前記第2のトレースに平行であり、前記第1のトレースの寸法が前記第2のトレースの対応する寸法と異なる、形成するステップと、
    前記インダクタの第2の層に対応し、トレースの前記第1のセットに結合されたトレースの第2のセットを形成するステップであって、トレースの前記第2のセットが第3のトレースを含み、前記第3のトレースが前記第1のトレースおよび前記第2のトレースに結合される、形成するステップと、
    前記インダクタの第3の層に対応し、トレースの前記第1のセットに結合されたトレースの第3のセットを形成するステップであって、前記第3の層が前記第1の層と前記第2の層との間に置かれる、形成するステップとを含む、方法。
  26. トレースの前記第1のセットをトレースの前記第2のセットに結合するように構成されたコネクタの第1のセットを形成するステップと、
    トレースの前記第1のセットをトレースの前記第2のセットに結合するように構成されたコネクタの第2のセットを形成するステップとをさらに含む、請求項25に記載の方法。
  27. コネクタの前記第2のセットの少なくとも1つのコネクタが、スルーガラスビア、バンプ、またはこれらの組合せを含む、請求項26に記載の方法。
  28. トレースの前記第3のセットが第4のトレースと第5のトレースとを含み、前記第4のトレースが前記第5のトレースに平行である、請求項26に記載の方法。
  29. 前記インダクタの第4の層に対応するトレースの第4のセットを形成するステップであって、前記第4の層が前記第1の層と前記第2の層との間に置かれる、形成するステップと、
    トレースの前記第3のセットをトレースの前記第4のセットに結合するように構成されたコネクタの第3のセットを形成するステップとをさらに含む、請求項26に記載の方法。
  30. 前記第3の層が前記第1の層と前記第4の層との間に置かれ、トレースの前記第4のセットが第6のトレースと第7のトレースとを含み、前記第6のトレースが前記第7のトレースに平行である、請求項29に記載の方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111934070B (zh) * 2020-06-24 2021-10-22 西安理工大学 一种应用于6g通信的三维发夹滤波器
CN112103048A (zh) * 2020-08-04 2020-12-18 西安理工大学 一种基于tsv的嵌套式变压器

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6549112B1 (en) 1996-08-29 2003-04-15 Raytheon Company Embedded vertical solenoid inductors for RF high power application
US6291872B1 (en) 1999-11-04 2001-09-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Three-dimensional type inductor for mixed mode radio frequency device
US6535098B1 (en) * 2000-03-06 2003-03-18 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Integrated helix coil inductor on silicon
TWI226647B (en) * 2003-06-11 2005-01-11 Via Tech Inc Inductor formed between two layout layers
KR100688858B1 (ko) 2004-12-30 2007-03-02 삼성전기주식회사 스파이럴 3차원 인덕터를 내장한 인쇄회로기판 및 그 제조방법
US7088215B1 (en) * 2005-02-07 2006-08-08 Northrop Grumman Corporation Embedded duo-planar printed inductor
US7474539B2 (en) * 2005-04-11 2009-01-06 Intel Corporation Inductor
KR100723032B1 (ko) 2005-10-19 2007-05-30 삼성전자주식회사 고효율 인덕터, 인덕터의 제조방법 및 인덕터를 이용한패키징 구조
TWI264021B (en) 2005-10-20 2006-10-11 Via Tech Inc Embedded inductor and the application thereof
US7498918B2 (en) 2006-04-04 2009-03-03 United Microelectronics Corp. Inductor structure
US8368501B2 (en) * 2006-06-29 2013-02-05 Intel Corporation Integrated inductors
TWI347616B (en) * 2007-03-22 2011-08-21 Ind Tech Res Inst Inductor devices
US7884452B2 (en) * 2007-11-23 2011-02-08 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Semiconductor power device package having a lead frame-based integrated inductor
WO2009144211A1 (en) * 2008-05-29 2009-12-03 Nxp B.V. Radio frequency eight-shaped balun
US7948346B2 (en) 2008-06-30 2011-05-24 Alpha & Omega Semiconductor, Ltd Planar grooved power inductor structure and method
TWI442422B (zh) 2012-01-19 2014-06-21 Ind Tech Res Inst 電感結構
US9275791B2 (en) * 2012-08-31 2016-03-01 Qualcomm Incorporated Systems and methods for decoupling multiple wireless charging transmitters
US9196414B2 (en) * 2012-10-17 2015-11-24 Covidien Lp Planar transformers having reduced termination losses
US20150371764A1 (en) * 2014-06-20 2015-12-24 International Business Machines Corporation Nested helical inductor

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