JP2018528621A5 - - Google Patents
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Description
図３は、本発明の一実施形態による基板を処理するためのプロセスフロー図であり、図４Ａ〜図４Ｅは、本発明の一実施形態による基板の処理方法を断面図によって概略的に示す。
本発明のいくつかの実施形態によれば、プロセス矢印３０８によって示すように、膜４０８が所望の厚さになるまで工程３０２〜工程３０６を繰り返すことができる。一例では、図４Ｅに示すように、凹部フィーチャ４０４が膜４１２で充填されるまで、工程３０２〜工程３０６を繰り返すことができる。
プロセスフロー５は、５１０において、側壁６０１及びフィールド領域６１１からドーパント膜６０９及び膜６０８をエッチングする工程をさらに含む。図６Ｆに示すように、エッチングは、側壁６０１から膜６０８及びドーパント膜６０９を除去するが、マスク層６０６が、マスク層６０６の下にある膜６０８をエッチングから保護する。エッチングガス及びエッチング条件は、マスク層６０６によって保護されていないドーパント膜６０９及び膜６０８の効率的な除去を提供するために選択することができる。工程５１０は、１つ以上のエッチングレシピを使用して１つ以上のエッチング工程において実行することができる。
Claims (16)
- 処理方法であって、
ａ） 底部及び側壁を有する凹部フィーチャを含む基板を提供する工程と、
ｂ） 前記底部上及び前記側壁上に膜を付着させる工程と、
ｃ） 前記底部にある前記膜をマスク層で覆う工程と、
ｄ） 前記膜を前記側壁からエッチングする工程と、
ｅ） 前記マスク層を除去して、前記底部にある前記膜を露出させる工程と、を含み、
前記凹部フィーチャが前記膜で完全に充填されるまで前記工程ｂ）から前記工程ｅ）を繰り返す工程をさらに含む、方法。 - 前記底部及び前記側壁は、同じ材料を含む、請求項１に記載の方法。
- 前記材料は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、誘電体材料、金属、及び金属含有材料からなる群から選択される、請求項２に記載の方法。
- 前記材料が、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ｈｉｇｈ−ｋ材料、ｌｏｗ−ｋ材料、及びｕｌｔｒａ−ｌｏｗ−ｋ材料からなる群から選択される誘電体材料である、請求項２に記載の方法。
- 前記材料が、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔａ、Ｒｕ、ＴａＮ、ＴａＣ、及びＴａＣＮからなる群から選択される金属又は金属含有材料である、請求項２に記載の方法。
- 前記底部及び前記側壁は、異なる材料を含む、請求項１に記載の方法。
- 処理方法であって、
ａ） 底部及び側壁を有する凹部フィーチャを含む基板を提供する工程と、
ｂ） 前記底部上及び前記側壁上に膜を付着させる工程と、
ｃ） 前記膜を気相プラズマで処理して、前記底部上の前記膜よりも速くエッチングするために前記側壁上の前記膜を活性化する工程と、
ｄ） 処理された前記膜を前記側壁からエッチングする工程と、を含み、
前記凹部フィーチャが前記膜で完全に充填されるまで前記工程ｂ）から前記工程ｄ）を繰り返す工程をさらに含む、方法。 - 前記底部及び前記側壁は、同じ材料を含む、請求項７に記載の方法。
- 前記底部及び前記側壁は、異なる材料を含む、請求項７に記載の方法。
- 処理方法であって、
ａ） 底部及び側壁を有する凹部フィーチャを含む基板を提供する工程と、
ｂ）前記底部上及び前記側壁上に膜を付着させる工程と、
ｃ） 前記底部にある前記膜をマスク層で覆う工程と、
ｄ） 前記凹部フィーチャにドーパント膜を付着させる工程と、
ｅ） 前記基板をアニールして、前記ドーパント膜からドーパントを前記側壁上の前記膜に拡散させて、前記底部上の前記膜よりも速くエッチングするために前記側壁上の前記膜を活性化する工程と、
ｆ） 前記ドーパント膜及び前記膜を前記側壁からエッチングする工程と、
ｇ） 前記底部上の前記膜から前記マスク層を除去する工程と、を含む方法。 - 前記膜が前記凹部フィーチャ内で所望の厚さになるまで前記工程ｂ）から前記工程ｇ）を少なくとも１回繰り返す工程をさらに含む、請求項１０に記載の方法。
- 前記凹部フィーチャが前記膜で完全に充填されるまで前記工程ｂ）から前記工程ｇ）を繰り返す工程をさらに含む、請求項１０に記載の方法。
- 前記底部及び前記側壁は、同じ材料を含む、請求項１０に記載の方法。
- 前記底部及び前記側壁は、異なる材料を含む、請求項１０に記載の方法。
- 前記ドーパントは、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）、窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、及びビスマス（Ｂｉ）からなる群から選択される、請求項１０に記載の方法。
- 前記ドーパント膜は、酸化物層、窒化物層、酸窒化物層、又はそれらの組み合わせを含む、請求項１０に記載の方法。
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