JP2018525815A - 不定形有機シリコン樹脂光変換体でledを貼り合せてパッケージするプロセス方法 - Google Patents

不定形有機シリコン樹脂光変換体でledを貼り合せてパッケージするプロセス方法 Download PDF

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Abstract

本発明は、精製光変換フィルムのローリングによる成形工程と、光変換フィルムアレーのローリングによる形決め工程と、光変換フィルムアレーの溶融工程と、LEDフリップチップアレーフィルムの準備工程と、LEDパッケージ素子のローリングによる貼り合せ成形工程と、LEDパッケージ素子の硬化成形工程と、LEDパッケージ素子の切断工程から構成される一連の流れのプロセスを含む、不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法である。本発明は、連続ローリングによるプロセスを利用してLEDを貼り合せてパッケージするという顕著なメリットを有し、不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージする条件要求を満たすことができ、LEDパッケージの工業上でのバッチ式の生産効率及び歩き留まりを高めることに寄与する。
【選択図】図1

Description

本発明は、光変換体でLEDをパッケージする技術分野に属し、特に、ローリングによって不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法に関する。
LEDは、輝度が高くて熱量が低く、寿命が長く、環境に優しくてリサイクル可能などのメリットを有し、21世紀において最も有望と視される新世代の省エネ照明光源と称される。今のところ、LEDは論理上、その寿命が100000時間以上に達するが、実際に使用する場合、チップの無効化、パッケージの無効化、熱的オーバーストレスの無効化、電気的オーバーストレスの無効化又は/及び取付きの無効化などの多くの要因に制限され、その中でも特にパッケージの無効化のため、LEDは早めに光の減衰又は光の無効化という現象が生じた。これで、LEDが進んで新規な省エネ照明光源になることは妨げられる。数多くの業者はこのような問題を解決するために、関わる研究を展開し、LEDの光効率と実際使用寿命を向上できる幾つかの改良措置が開示された。例えは、近年発展してきたフリップチップ型LEDは、従来型のLEDに比べると、光効率が高く、信頼性が高くて集積しやすいメリットを有するとともに、パッケージ材料が大幅に簡略化し、例えば、従来型のLEDパッケージにおけるワイヤ、ダイボンドペースト、ホルダーなどの材料はいずれも必要でなく、パッケージプロセスも大幅に簡略化し、例えば、従来型のLEDパッケージプロセスにおけるダイボンド、ワイヤボンド、ひいては分光などはいずれも必要でなく、これによって、フリップチップ型LEDはますます広く適用されてきた。ところが、今までのフリップチップ型LEDのパッケージ技術は、有機シリコン樹脂系光変換体とフリップチップ型LEDのチップを貼り合わせる流延プロセス、スクリーンプリントプロセス、上型プレートと下型プレートによるプロセス、シングルローラのローリングプロセスなどを採用する場合が多く、このようはプロセス及びこれらと一緒にセットとなるパッケージ設備は、いずれも有機シリコン樹脂系光変換体が有するエアホール、厚さむらなどの不足を良好に解決できないため、光変換体でLEDをパッケージする歩き留まりが低く、また生産効率が低いため、製品のコストを低減できない。
特許文献1には、「フリップチップ型LEDチップのパッケージ方法」が開示され、以下のステップを含む。(a)スクリーンプリントによって光変換体をLEDチップの表面に塗布し、光変換体をベークして硬化させる。(b)LEDチップをチップ基板上に固定し、LEDチップの電極とチップ基板の電極を結合する。(c)LEDチップとチップ基板をホルダーの反射カップの底に固定する。(d)ワイヤを利用し、固定されたチップ基板の正電極と負電極のそれぞれを、ホルダーの正電極と負電極に接続する。(e)封止型又はレンズのハウジングをLEDチップとチップ基板が固定されたホルダーに覆わせ、シリコンゲルで充満する。(f)構成全体をベークして硬化させる。この方法は、スクリーンプリントプロセスによって光変換体の塗布厚さの均一性を向上させ、蛍光粉末ペレットの分布の均一性を向上させ、これで歩き留まりを高めるという目的を実現したが、やはり以下の明らかなデメリットを有する。一つ目は、スクリーンプリントによって有機シリコン樹脂系光変換体をLEDチップの表面に塗布した後、ベーク硬化の過程において、熱的オーバーストレスの影響で、やはり光変換体塗層とLEDチップの塗布面層に、一部的に気泡が生じて凸凹不平の不足を形成してしまうこと。二つ目は、封止型またはレンズのハウジングにシリコンゲルを充満して光変換体が塗布されたLEDチップとパッケージした後、構成全体をベークして硬化させる過程において、熱的オーバーストレスの影響で、やはり封止型又はレンズのハウジング内のシリコンゲル面層に、一部的に気泡が生じて凸凹不平の不足を形成してしまうこと。LEDチップをパッケージする過程における熱的オーバーストレスの影響を解決できない限り、LEDの光効率低下を避けることはできないこと。三つ目は、LEDチップをパッケージするプロセス全体において、インテリジェント制御システムを配置して制御することはないため、直接に歩き留まりの向上を影響すること。
特許文献2には、「光変換体層が被覆されたLED、その製造方法及びLED装置」が開示され、この手段は、支持シートの厚さ方向での一方の面にLEDを配置するLED配置工程と、LEDを被覆するように、支持シートの厚さ方向での一方の面に、活性エネルギー線の照射によって硬化する活性エネルギー線硬化性樹脂及び光変換体を含む蛍光樹脂組成物から形成される光変換体層を配置する層配置工程と、光変換体層に活性エネルギー線を照射して光変換体層を硬化させる硬化工程と、LEDに対応して光変換体層を切断し、LED及びLEDを被覆した光変換体層を備える光変換体層が被覆されたLEDを得る切断工程と、切断工程の後、光変換体層が被覆されたLEDを支持シートから剥離するLED剥離工程とを含む。この方法の目的は、LEDの周囲に光変換体が均一に配置されて損傷を防ぎ、光変換体層が被覆されたLED、及びこの光変換体層が被覆されたLEDを備えるLED装置を提供することにあるが、やはり以下の明らかなデメリットを有する。一つ目は、光変換体の蛍光樹脂組成物が硬化する過程において、熱的オーバーストレスの影響で、やはり光変換体面層に一部的に気泡が生じて凸凹不平の不足を形成してしまうこと。二つ目は、光変換体層が被覆されたLEDは、やはり熱的オーバーストレスの影響で、LEDの使用中に光効率の低下が生じること。三つ目は、パッケージプロセス全体における工程が煩雑であり、LEDパッケージの生産効率が高くないこと。四つ目は、上型プレートと下型プレートによるプロセスのため、フリップチップの位置ずれが生じ、歩き留まりの低下を避けることはできないこと。
特許文献3には、「樹脂シート積層体、及びこれを使用する半導体発光素子の製造方法」が開示され、この手段に記載された樹脂シート積層体は、長手方向と幅方向を有する基材に、長手方向に繰り返して列になるように配置される複数のブロックを有する蛍光体含有樹脂層が設置される。本手段の発明の目的は、前記樹脂シート積層体によって、蛍光体含有樹脂層が貼り付けられた半導体発光素子の色と輝度の均一性、製造しやすさ、設計の自由度などを高めることにあるが、やはり以下の明らかなデメリットを有する。一つ目は、採用された蛍光体樹脂シートは硬化された蛍光体樹脂シートであり、その中に残され得るエアホール、凸凹不平、又は他の加工欠点などを有効的に除去できないこと。二つ目は、接着工程において、加圧道具で半導体発光素子の側方向から加圧し、半導体発光素子を損傷すること。三つ目は、蛍光体樹脂層に接着剤を含む接着プロセスを採用し、接着された半導体発光素子における残留物は相対的に除去し切れ難く、接着過程にエアホールが生じやすく、歩き留まりの低下を引き起こすとともに、接着層の存在によって、LED素子の出光効率が低減されること。四つ目は、半導体発光素子の発光面に接着された蛍光体樹脂シートの基材は剥離しなく、直接に半導体発光素子の光効率を影響すること。五つ目は、蛍光体樹脂層は、複数のブロックが長手方向に繰り返して列になるように配置されるように現れるが、当該蛍光体樹脂層の複数のブロックの配置を実現する実際の操作プログラムは煩雑であり、素子のパッケージ効率全体を影響し、複数のブロックの位置上での配置ミスは、直接的にその後の発光素子との間の貼り合せ精度を影響し、また、複数のブロックの間に大きさ及び厚さの面で一致性の要求を満足できなけれは、深刻な製品の一致性の問題が生じ得ること。
総じて言えば、今のところ、従来技術が有するデメリットをどのように克服することは、既に光変換体でLEDをパッケージする技術分野において極めて解決しようとする重大な課題の一つである。
中国特許出願201010204860.9 中国特許出願201310270747.4 中国特許出願201380027218.X
本発明の目的は、従来技術のデメリットを克服するために、不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法を提供することにあり、本発明は、連続ローリングによるプロセスを利用してLEDを貼り合せてパッケージするという顕著なメリットを有し、不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージする条件要求を満足でき、LEDパッケージの工業上でのバッチ式の生産効率及び歩き留まりを高めることに寄与する。
本発明が開示した不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法によると、精製光変換フィルムのローリングによる成形工程と、光変換フィルムアレーのローリングによる形決め工程と、光変換フィルムアレーの溶融工程と、LEDフリップチップアレーフィルムの準備工程と、LEDパッケージ素子のローリングによる貼り合せ成形工程と、LEDパッケージ素子の硬化成形工程と、LEDパッケージ素子の切断工程から構成される一連の流れのプロセスを含み、基本的には、
ステップ1として、真空加熱下で、外層保護フィルムA、半硬化光変換材及び外層保護フィルムBを1対又は複数対の平滑面のローリングによるラミネート装置に通してローリングし、外層保護フィルムA、半硬化光変換フィルム及び外層保護フィルムBからなる精製光変換フィルムを得るステップであって、前記半硬化光変換材は、半硬化光変換膜又は半硬化光変換スラリーであり、前記外層保護フィルムBの材料は、少なくとも光変換材を含む可融性有機シリコン感光樹脂である、精製光変換フィルムのローリングによる成形ステップと、
ステップ2として、真空下で、前記外層保護フィルム付き精製光変換フィルムを対向して合わせたバンプアレー付き第1のローリング装置と溝アレー付き第2のローリング装置との間に通し、加熱してローリングによって形決めを行い、溝付き光変換フィルム単体からなる光変換フィルムアレーを得るステップであって、前記溝は外層保護フィルムBに近い側にある、光変換フィルムアレーのローリングによる形決めステップと、
ステップ3として、真空下で、光照射によってステップ2の前記光変換フィルムアレーの外層保護フィルムBを溶融させ、溶融された光変換フィルムアレーを得る、光変換フィルムアレーの溶融ステップと、
ステップ4として、LEDフリップチップがアレーになるようにキャリアフィルムに配列されるLEDフリップチップアレーフィルムを得るステップであって、前記LEDフリップチップは単一のLEDフリップチップ、又は単一のLEDフリップチップを2つ以上組み合わせてなるLEDフリップチップ部品を意味する、LEDフリップチップアレーフィルムの準備ステップと、
ステップ5として、真空加熱下で、ステップ3の前記溶融された光変換フィルムアレーとステップ4の前記LEDフリップチップアレーフィルムを平滑面の第3のローリング装置と溝アレー付き第4のローリング装置との間に通し、対向して合わせてローリングによって貼り合せ、LEDフリップチップアレーフィルムにおけるLEDフリップチップを前記溶融された光変換フィルムアレーにおける光変換フィルム単体の溝に貼り合せて嵌め込み、LEDパッケージ素子を得るステップであって、前記第4のローリング装置における溝アレーの溝の形状及びサイズは、第2のローリング装置における溝アレーの溝の形状及びサイズと同じである、LEDパッケージ素子のローリングによる貼り合せ成形ステップと、
ステップ6として、加熱硬化又は/及び光硬化手法によって、ステップ5の前記LEDパッケージ素子を硬化装置に通して硬化させ、硬化LEDパッケージ素子を得る、LEDパッケージ素子の硬化成形ステップと、
ステップ7として、ステップ6の前記硬化LEDパッケージ素子の外層保護フィルムAを剥離して硬化LEDパッケージ素子を切断し、LEDパッケージ素子個体に分割するスリットを有するLEDパッケージ素子製品を得る、LEDパッケージ素子の切断ステップと、
を含むことを特徴とする。
本発明は、以下のメカニズムによって実現される。従来のLEDフリップチップのパッケージプロセスに存在する鍵になる問題をより良く解決するように、本発明は、ローリングによって不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージする新しいプロセスを見事に設計した。本発明のローリングによって貼り合せてパッケージすることは、以下のメカニズムによる。一つ目は、ローラのローリングによって半硬化光変換フィルムにおける凸凹不平の処に流れが生じ、半硬化光変換フィルムに残され得るエアホール、凸凹不平、又は他の加工不足などを除去し、エアホールがなくてフラットで厚さが均一な精製光変換フィルムを得ること。二つ目は、ローリングされた半硬化光変換フィルムは加工において変形でき、所望の最も好ましい光変換体発光面の形状、例えば弧状、半円球状及び矩形状などを形成すること。三つ目は、外層保護フィルムBの材料として光変換材を含む可融性有機シリコン感光樹脂を採用ことにより、光照射手段によって効果的に外層保護フィルムBを溶融させて半硬化光変換フィルムと一体になることができ、LEDフリップチップと密接に貼り合せることに寄与すること。四つ目は、本発明は一連の流れのプロセスであり、LEDパッケージ素子のバッチ式の生産加工条件を満たすこと、及び規格・サイズの完全一致を確保することに寄与し、LEDパッケージ素子の生産効率を高めるだけでなく、それとともにLEDパッケージ素子製品の光色の一致性を高め、歩き留まりを大幅に向上させた。
本発明は従来技術に比較して、以下のような顕著なメリットを有する。
一つ目は、本発明は流れとしての連続ローリングによってLEDを貼り合せてパッケージする新しい製造プロセスフローを開示し、従来の流延プロセス、スクリーンプリントプロセス、上型プレートと下型プレートによるプロセス、及びシングルロールのローリングプロセスなどの元の製造プロセスに存在する、貼り合せてパッケージされたLEDの出光効率、生産効率及び歩き留まりが明らかに不足である問題を克服した。本発明は、半硬化有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージする条件要求を満たし、LEDパッケージの工業上でのバッチ式の生産効率及び歩き留まりを高めることができること。
二つ目は、本発明は不定形光変換フィルムで成形する新しいプロセスを開示し、弧状、半円球状及び矩形状などのような各種の不定形状の発光面を製造でき、光変換フィルムに残され得るエアホール、凸凹不平及び他の加工不足などを効果的に除去し、LEDパッケージ素子製品の光色の一致性を顕著に高めることができ、また、不定形化された発光面によって、LEDパッケージ素子製品の出光効率及び出光均一性を効果的に高めることができること。
三つ目は、本発明が開示した溶融という新しいプロセス手段は、従来の保護膜層に対する剥離というプロセス手段の不足を克服でき、ローリングによって有機シリコン樹脂光変換フィルムでLEDを貼り合せる一連の流れのプロセスを実現するだけでなく、セットとなる一連のプロセスの設備システム及びインテリジェント制御の実施に好適であり、LEDパッケージの工業上でのバッチ式の生産要求をより良く満たし、LEDパッケージの工業上でのバッチ式の生産効率を顕著に高めること。
四つ目は、本発明が開示したプロセス方法は、有機シリコン樹脂光変換体と各種のパワーのLEDを貼り合せてパッケージするプロセスに広く適用され、工業上でバッチ式でLEDをパッケージする過程において製品生産プロセス過程に精細化加工を実施する要求を完全に満たすこと。
図1は本発明が開示した不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法のフローチャートのブロック模式図である。
図2は本発明が開示した不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法のフローレイアウト構成模式図である。
図3Aは本発明が開示した不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法において、精製光変換フィルムを製造する第1の実施例の工程模式図である。
図3Bは本発明が開示した不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法において、精製光変換フィルムを製造する第2の実施例の工程模式図である。
図3Cは本発明が開示した不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法において、精製光変換フィルムを製造する第3の実施例の工程模式図である。
図4Aは本発明が開示した不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法において、光変換フィルムアレーのローリングによる形決めの第1の実施例の工程模式図である。
図4Bは本発明が開示した不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法において、光変換フィルムアレーのローリングによる形決めの第2の実施例の工程模式図である。
図5は本発明が開示した不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法において、光変換フィルムアレーの溶融の工程模式図。
図6は本発明が開示した不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法において、LEDパッケージ素子のローリングによる貼り合せ成形の一つの実施例の工程模式図である。
図7Aは本発明によって製造されたLEDパッケージ素子製品の平面構成模式図である。
図7Bは本発明によって引っ張って製造されたLEDパッケージ素子個体製品の平面構成模式図である。
図8Aは本発明によって製造された弧状のLEDパッケージ素子であり、図8A−1は左面図であり、図8A−2は右面図であり、図8A−3は上面図であり、図8A−4は側面図である。
図8Bは本発明によって製造された半円状のLEDパッケージ素子であり、図8B−1は左面図であり、図8B−2は右面図であり、図8B−3は上面図であり、図8B−4は側面図である。
図8Cは本発明によって製造された矩形状のLEDパッケージ素子であり、図8C−1は左面図であり、図8C−2は右面図であり、図8C−3は上面図であり、図8C−4は側面図である。
以下、随付図面及び実施例に基いて、本発明の具体的な実施形態を更に詳細的に説明する。
[実施例1]
図1及び図2を参照し、本発明が開示した不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法は、精製光変換フィルムのローリングによる成形工程と、光変換フィルムアレーのローリングによる形決め工程と、光変換フィルムアレーの溶融工程と、LEDフリップチップアレーフィルムの準備工程と、LEDパッケージ素子のローリングによる貼り合せ成形工程と、LEDパッケージ素子の硬化成形工程と、LEDパッケージ素子の切断工程から構成される一連の流れのプロセスを含み、具体的には、
ステップ1として、真空加熱下で、外層保護フィルムA、半硬化光変換材及び外層保護フィルムBを1対又は複数対の平滑面のローリングによるラミネート装置に通してローリングし、外層保護フィルムA、半硬化光変換フィルム及び外層保護フィルムBからなる精製光変換フィルムを得るステップであって、前記半硬化光変換材は、半硬化光変換膜又は半硬化光変換スラリーであり、前記外層保護フィルムBの材料は、少なくとも光変換材を含む可融性有機シリコン感光樹脂である、精製光変換フィルムのローリングによる成形ステップと、
ステップ2として、真空下で、前記外層保護フィルム付き精製光変換フィルムを対向して合わせたバンプアレー付き第1のローリング装置と溝アレー付き第2のローリング装置との間に通し、加熱してローリングによって形決めを行い、溝付き光変換フィルム単体からなる光変換フィルムアレーを得るステップであって、前記溝は外層保護フィルムBに近い側にある、光変換フィルムアレーのローリングによる形決めステップと、
ステップ3として、真空下で、光照射によってステップ2の前記光変換フィルムアレーの外層保護フィルムBを溶融させ、溶融された光変換フィルムアレーを得る、光変換フィルムアレーの溶融ステップと、
ステップ4として、LEDフリップチップがアレーになるようにキャリアフィルムに配列されるLEDフリップチップアレーフィルムを得るステップであって、前記LEDフリップチップは単一のLEDフリップチップ、又は単一のLEDフリップチップを2つ以上組み合わせてなるLEDフリップチップ部品を意味する、LEDフリップチップアレーフィルムの準備ステップと、
ステップ5として、ステップ3の前記溶融された光変換フィルムアレーとステップ4の前記LEDフリップチップアレーフィルムを平滑面の第3のローリング装置と溝アレー付き第4のローリング装置との間に通し、対向して合わせてローリングによって貼り合せ、LEDフリップチップアレーフィルムにおけるLEDフリップチップを前記溶融された光変換フィルムアレーにおける光変換フィルム単体の溝に貼り合せて嵌め込み、LEDパッケージ素子を得るステップであって、前記第4のローリング装置における溝アレーの溝の形状及びサイズは、第2のローリング装置における溝アレーの溝の形状及びサイズと同じである、LEDパッケージ素子のローリングによる貼り合せ成形ステップと、
ステップ6として、加熱硬化又は/及び光硬化手法によって、ステップ5の前記LEDパッケージ素子を硬化装置に通して硬化させ、硬化LEDパッケージ素子を得る、LEDパッケージ素子の硬化成形ステップと、
ステップ7として、ステップ6の前記硬化LEDパッケージ素子の外層保護フィルムAを剥離して硬化LEDパッケージ素子を切断し、LEDパッケージ素子個体に分割するスリットを有するLEDパッケージ素子製品を得る、LEDパッケージ素子の切断ステップと、を含む。
特に説明する。
本発明は、LEDフリップチップ構造のようなフォトニックデバイス又はエレクトロニックデバイスの生産加工に好適に使用される。
光透過率が高くて耐熱性が良い従来の有機シリコン樹脂は、いずれも選択的に本発明に係るプロセス方法に使用される。本発明は、一般的なLEDパッケージ素子の使用時のハンダリフロー温度及び長期間にわたて使用する場合の熱、光などによる老化を防止する条件を満たすために、メチルビニル有機シリコン樹脂を採用することが好ましい。従来の量子ドット蛍光体、蛍光粉末は、いずれも選択的に本発明のプロセス方法に適用される。
通常の場合、本発明に用いられる混合スラリーは接着剤を含む必要がない。極めて厳しい条件でLEDパッケージ素子製品を使用し、光変換体とLEDとの間の接着力を更に高める必要がある場合、本発明に用いられる混合スラリーは接着剤を含んでもよい。
本発明が開示した不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法の更に好ましい形態は、以下のようにである。
ステップ1において、前記精製光変換フィルムのローリングによる成形は、外層保護フィルムA、半硬化光変換材及び外層保護フィルムBを1対又は複数対の平滑面のローリングによるラミネート装置に通してローリングすることを意味し、1対又は複数対の対向して合わせた平滑面の2本ロールのローリングによるラミネート装置、又は/及び平滑面のシングルローラと平滑面の平面輸送装置とを組み合わせてなるローリング装置に順次に通してローリングし、精製光変換フィルムを得る。図3A、図3B及び図3Cを参照し、図3Aに、ステップ1において、外層保護フィルムA(8−3)、半硬化光変換膜(8−1)及び外層保護フィルムB(8−4)を1対の平滑面のローリングによるラミネート装置に通してローリングし、精製光変換フィルム(8−6)を得ることを示す。図3Bに、ステップ1において、外層保護フィルムA(8−3)、半硬化光変換スラリー(8−2)及び外層保護フィルムB(8−4)を1対の平滑面のローリングによるラミネート装置に通してローリングし、精製光変換フィルム(8−6)を得ることを示す。図3Cに、ステップ1において、外層保護フィルムA(8−3)、半硬化光変換スラリー(8−2)及び外層保護フィルムB(8−4)を2対の平滑面のローリングによるラミネート装置に通してローリングし、精製光変換フィルム(8−6)を得ることを示す。
ステップ1において、前記精製光変換フィルムのローリングによる成形の温度は、50〜120℃であり、80〜100℃であることが最も好ましい。
ステップ1において、前記精製光変換フィルムの厚さは、800μm以下であり、150〜250μmであることが最も好ましい。
ステップ1において、前記半硬化光変換フィルムの材料は、半硬化有機シリコン樹脂蛍光粉末膜又は半硬化有機シリコン樹脂量子ドット蛍光体膜である。
ステップ1において、前記外層保護膜Aの材料は、ポリエステル、ポリオレフィン又はポリエーテルである。
ステップ1の前記外層保護膜Bにおける光変換材とステップ1の前記半硬化光変換フィルムにおける光変換材は、材料及び含有量が同じである。前記外層保護膜Bの材料は、接着剤を更に含む。
ステップ2において、前記バンプアレー付き第1のローリング装置は、バンプアレー付き第1のシングルローラ又はバンプアレー付き第1の平面輸送装置である。前記溝アレー付き第2のローリング装置は、溝アレー付き第2のシングルローラ又は溝アレー付き第2の平面輸送装置である。前記第1のローリング装置と第2のローリング装置の少なくとも一方は、シングルローラである。図4A及び図4Bを参照し、図4Aに、ステップ2において、外層保護フィルムA(8−3)と外層保護フィルムB(8−4)が付けられた精製光変換フィルム(8−6)を、対向して合わせたバンプアレー付き第1のシングルローラ(2−1)と溝アレー付き第2のシングルローラ(2−2)との間に通し、加熱してローリングによって形決めを行い、溝付き光変換フィルム単体(8−7)からなる光変換フィルムアレーを得ることを示す。図4Bに、ステップ2において、外層保護フィルムA(8−3)と外層保護フィルムB(8−4)が付けられた精製光変換フィルム(8−6)を、対向して合わせたバンプアレー付き第1のシングルローラ1(2−1)と溝アレー付き第2の平面輸送装置(2−3)の間に通し、加熱してローリングによって形決めを行い、溝付き光変換フィルム単体(8−7)からなる光変換フィルムアレーを得ることを示す。
ステップ2において、前記溝付き光変換フィルム単体の外形形状は、弧状、半円球状又は矩形状である。
ステップ2の前記溝付き光変換フィルム単体において、溝の長さ、幅、高さのサイズは、LEDフリップチップの長さ、幅、高さのサイズの1.01〜1.05倍であり、LEDフリップチップ長さ、幅、高さのサイズの1.02倍であることが最も好ましい。
ステップ2において、前記光変換フィルムアレーのローリングによる形決めの温度は、50〜120℃であり、80〜100℃であることが最も好ましい。
ステップ3において、前記溶融は、光放射手段を採用して外層保護フィルムBを溶融させてステップ1の前記半硬化光変換フィルムと一体になることを意味する。図5を参照し、図5に、ステップ3において、溶融前の溝付き光変換フィルム単体(8−7)からなる光変換フィルムアレーを溶融装置3に通し、光放射によって光変換フィルムアレーの外層保護フィルムB(8−4)に照射し、半硬化光変換フィルムと一体になり、溶融された溝付き光変換フィルム単体(8−8)からなる光変換フィルムアレーを得ることを示す。
ステップ4において、前記LEDフリップチップアレーフィルムにおけるキャリアフィルムは、引っ張り可能なキャリアフィルムであり、前記引っ張り可能なキャリアフィルムの材料は、耐高温のポリエステル、ポリジメチルシロキサン及びポリ塩化ビニルの中の一種である。
ステップ5において、前記ステップ3の前記溶融された光変換フィルムアレーとステップ4の前記LEDフリップチップアレーフィルムを平滑面の第3のローリング装置と溝アレー付き第4のローリング装置との間に通し、対向して合わせてローリングによって貼り合せることは、前記光変換フィルムアレーを溝アレー付き第4のシングルローラ又は溝アレー付き第4の平面輸送装置にセットするとともに、前記LEDフリップチップアレーフィルムをロール面が平滑面である第3のシングルローラ又は平面が平滑面である第3の平面輸送装置にセットし、ローリングによって貼り合せ、前記LEDフリップチップアレーにおけるLEDフリップチップを前記溶融された光変換フィルムアレーにおける光変換フィルム単体の溝に貼り合せて嵌め込み、LEDパッケージ素子を得ることを意味する。
平滑面の第3のローリング装置は、ロール面が平滑面である第3のシングルローラ又は平面が平滑面である第3の平面輸送装置であり、前記溝アレー付き第4のローリング装置は、溝アレー付き第4のシングルローラ又は溝アレー付き第4の平面輸送装置である。光変換フィルムアレーがセットされる装置とLEDフリップチップアレーフィルムがセットされる装置の少なくとも一方は、シングルローラである。
図6を参照し、図6に、ステップ5において、溶融された光変換フィルム単体(8−8)からなる光変換フィルムアレーとLEDフリップチップアレーフィルムを平滑面の第3のシングルローラ(4−1)と溝アレー付き第4のシングルローラ(4−2)の間に通し、対向して合わせてローリングによって貼り合せ、LEDパッケージ素子(8−9)を得ることを示す。
ステップ5において、前記LEDパッケージ素子のローリングによる貼り合せ成形の温度は、50〜120℃であり、80〜100℃であることが最も好ましい。
ステップ6において、前記光硬化手段は、活性エネルギー線による硬化である。前記加熱硬化手段は、硬化温度が140〜180℃であり、硬化時間が1時間以上である。硬化温度が150〜160℃であり、硬化時間が2時間であることは最も好ましい。
ステップ7において、前記スリットの幅は20μm以下であり、15μmであることが最も好ましい。
ステップ7において、前記硬化LEDパッケージ素子を切断することは、硬化LEDパッケージ素子を刃アレー付き第5のローリング装置と平滑面の第6のローリング装置との間に通し、対向して合わせてローリングによって切断し、LEDパッケージ素子個体に分割するスリットを有するLEDパッケージ素子製品を得ることを意味する。
前記刃アレー付き第5のローリング装置は、刃アレー付き第5のシングルローラ又は刃アレー付き第5の平面輸送装置である。前記平滑面の第6のローリング装置は、平滑面の第6のシングルローラ又は平滑面の第6の平面輸送装置である。前記刃アレー付き第5のローリング装置と前記平滑面の第6のローリング装置の少なくとも一方は、シングルローラである。前記刃アレーは、矩形状の格子アレーを有する刃である。前記矩形状の格子のサイズは、LEDパッケージ素子個体製品のサイズと同じである。
必要に応じて、本発明の前記LEDパッケージ素子製品は、引っ張り機に通してその引っ張り可能なキャリアフィルムを引っ張ってフィルムを拡大し、LEDパッケージ素子製品を引っ張られた後前記スリットに沿って分割させ、LEDパッケージ素子個体製品を製造してもよい。図7A、図7Bに示す。
本発明によって製造されたLEDパッケージ素子個体製品は、弧状のLEDパッケージ素子、LEDパッケージ素子及び矩形状のLEDパッケージ素子であってもよい。図8A、図8B及び図8Cに示す。
本発明が開示した不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法は、有機シリコン樹脂光変換体と各種のパワーのLEDを貼り合せてパッケージするプロセスに広く適用される。
[実施例2]
本発明が開示した不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法に用いられる設備システムは、精製光変換フィルムのための平滑面のローリングによるラミネート装置と、精製光変換フィルムを加熱してローリングによって形決めを行うローリングによる形決め装置と、ローリングによって形決めが行われた精製光変換フィルムを溶融させる溶融装置と、溶融された精製光変換フィルムとキャリアフィルム付きLEDフリップチップアレーを対向して合わせてローリングによって貼り合せるローリングによる貼り合せ装置とを含み、前記ローリングによるラミネート装置、ローリングによる形決め装置、溶融装置、及びローリングによる貼り合せ装置は順次に設けられ、共同して連動する工程設備を構成する設備システムであって、前記ローリングによるラミネート装置は、1対又は複数対の対向して合わせてローリングする平滑面のローリング部材Aと平滑面のローリング部材Bを含み、前記ローリングによる形決め装置は、対向して合わせてローリングするバンプアレー付き第1のローリング装置と溝アレー付き第2のローリング装置を含み、前記ローリングによる貼り合せ装置は、対向して合わせてローリングする平滑面の第3のローリング装置と溝アレー付き第4のローリング装置を含む。
前記本発明が開示した不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法に用いられる設備システムの具体的な実施形態については、更に以下のように説明する。
前記平滑面のローリングによるラミネート装置における平滑面のローリング部材Aは、平滑面のシングルローラA又は平滑面の平面輸送装置Aであり、前記平滑面のローリング部材Bは、平滑面のシングルローラB又は平滑面の平面輸送装置Bである。前記平滑面のローリング部材Aと平滑面のローリング部材Bの少なくとも一方はシングルローラである。図3A、図3B及び図3Cを参照し、図3Aに、平滑面のローリング装置は対向して合わせてローリングする平滑面のシングルローラA1(1−1)と平滑面のシングルローラB1(1−2)を含むことを示す。図3Bに、ローリングによるラミネート装置は対向して合わせてローリングする平滑面のシングルローラA1(1−1)と平滑面のシングルローラB1(1−2)を含むことを示す。図3Cに、ローリングによるラミネート装置は2対の平滑面のローリング部材Aと平滑面のローリング部材Bを含み、具体的には、対向して合わせてローリングする平滑面のシングルローラA1(1−1)と平滑面のシングルローラB1(1−2)、及び対向して合わせてローリングする平滑面のシングルローラA2(1−3)と平滑面のシングルローラB2(1−4)を含むことを示す。外層保護フィルムA(8−3)、半硬化光変換膜(8−1)又は半硬化光変換スラリー(8−2)及び外層保護フィルムB(8−4)を1対又は複数対の平滑面のローリングによるラミネート装置に通してローリングし、精製光変換フィルム(8−6)を得る。
前記ローリングによる形決め装置におけるバンプアレー付き第1のローリング装置は、バンプアレー付き第1のシングルローラ又はバンプアレー付き第1の平面輸送装置である。前記溝アレー付き第2のローリング装置は、溝アレー付き第2のシングルローラ又は溝アレー付き第2の平面輸送装置である。前記バンプアレー付き第1のローリング装置と溝アレー付き第2のローリング装置の少なくとも一方は、シングルローラである。図4A及び図4Bを参照し、図4Aに、ローリングによる形決め装置は対向して合わせたバンプアレー付き第1のシングルローラ(2−1)と溝アレー付き第2のシングルローラ(2−2)を含むことを示す。図4Bに、ローリングによる形決め装置は対向して合わせたバンプアレー付き第1のシングルローラ(2−1)と溝アレー付き第2の平面輸送装置(2−3)を含むことを示す。外層保護フィルムA(8−3)と外層保護フィルムB(8−4)が付けられた精製光変換フィルム(8−6)をローリングによる形決め装置に通し、加熱してローリングによって形決めを行い、溝付き光変換フィルム単体(8−7)からなる光変換フィルムアレーを得る。
前記溶融装置は、光放射装置である。図5を参照し、図5に、溶融前の溝付き光変換フィルム単体(8−7)からなる光変換フィルムアレーを溶融装置3に通し、光放射によって光変換フィルムアレーの外層保護フィルムB(8−4)を照射し、半硬化光変換フィルムと一体になり、溶融された溝付き光変換フィルム単体(8−8)からなる光変換フィルムアレーを得ることを示す。
前記ローリングによる貼り合せ装置における前記平滑面の第3のローリング装置は、ロール面が平滑面である第3のシングルローラ又は平面が平滑面である第3の平面輸送装置であり、前記溝アレー付き第4のローリング装置は、溝アレー付き第4のシングルローラ又は溝アレー付き第4の平面輸送装置である。光変換フィルムアレーがセットされる装置とLEDフリップチップアレーフィルムがセットされる装置の少なくとも一方は、シングルローラである。図6を参照し、図6に、ローリングによる貼り合せ装置は対向して合わせてローリングする平滑面の第3のシングルローラ(4−1)と溝アレー付き第4のシングルローラ(4−2)を含むことを示す。溶融された光変換フィルム単体(8−8)からなる光変換フィルムアレーとLEDフリップチップアレーフィルムを平滑面の第3のシングルローラ(4−1)と溝アレー付き第4のシングルローラ(4−2)との間に通し、対向して合わせてローリングによって貼り合せ、LEDパッケージ素子(8−9)を得る。
前記ローリングによるラミネート装置に、平滑面のローリング部材Aと平滑面のローリング部材Bのピッチを調節する変位調節装置が設けられる。ローリングによる形決め装置に、第1のローリング装置と第2のローリング装置のピッチを調節する変位調節装置が設けられる。ローリングによる貼り合せ装置に、第3のローリング装置と第4のローリング装置のピッチを調節する変位調節装置が設けられる。
前記ローリングによるラミネート装置における平滑面のローリング部材Aと平滑面のローリング部材Bにおいて、シングルローラであるものは、そのロール径方向の振れ距離が2μm以下である。前記ローリングによる形決め装置におけるバンプアレー付き第1のローリング装置と溝アレー付き第2のローリング装置において、シングルローラであるものは、そのロール径方向の振れ距離が2μm以下である。前記ローリングによる貼り合せ装置における平滑面の第3のローリング装置と溝アレー付き第4のローリング装置において、シングルローラであるものは、そのロール径方向の振れ距離が2μm以下である。
前記ローリングによる形決め装置における溝アレー付き第2のローリング装置とローリングによる貼り合せ装置における溝アレー付き第4のローリング装置は、溝アレーの溝の形状が同じであり、前記溝の形状は弧状、半円球状又は矩形状である。
前記ローリングによる形決め装置におけるバンプアレー付き第1のローリング装置におけるバンプアレーのバンプは、形状が矩形状であり、且つ長さ、幅、高さのサイズがLEDフリップチップの長さ、幅、高さサイズの1.01〜1.05倍である。
前記設備システムは、LEDパッケージ素子の硬化成形のための硬化装置を更に含み、当該硬化装置は前記ローリングによる貼り合せ装置の後ろに設けられる工程設備である。
前記硬化装置は、トンネル型温度制御装置又はトンネル型光照射装置である。前記トンネル型温度制御装置は、加熱部材、温度調節・制御部材及びコンベア通路を含む。前記トンネル型光照射装置は、光照射部材、光照射調節・制御部材及びコンベア通路を含む。
前記設備システムは、硬化LEDパッケージ素子を切断する切断装置を更に含み、当該切断装置は前記硬化装置の後ろに設けられる工程設備である。
前記切断装置は、ローリングによる切断装置であり、当該ローリングによる切断装置は対向して合わせて設けられた刃アレー付きローリング部材Cと平滑面のローリング部材Dを含む。
前記ローリングによる切断装置における刃アレー付きローリング部材Cは、刃アレー付きシングルローラC又は刃アレー付き平面輸送装置Cである。前記平滑面のローリング部材Dは、平滑面のシングルローラD又は平滑面の平面輸送装置Dである。前記刃アレー付きローリング部材Cと前記平滑面のローリング部材Dの少なくとも一方は、シングルローラである。前記刃アレーは、矩形状の格子アレーを有する刃である。前記矩形状格子のサイズは、LEDパッケージ素子個体のサイズと同じである。
前記ローリングによる切断装置に、刃アレー付きローリング部材Cと平滑面のローリング部材Dのピッチを調節する変位調節装置が設けられる。前記刃アレー付きローリング部材Cと平滑面のローリング部材Dにおいて、シングルローラであるものは、そのロール径方向の振れ距離が2μm以下である。
前記設備システムは、LEDフリップチップアレーの成形のためのLEDフリップチップアレー成形装置を更に含み、前記LEDフリップチップアレー成形装置は前記ローリングによる貼り合せ装置の前に設けられる工程設備である。LEDフリップチップアレー成形装置は、LEDフリップチップをピックアップして置くロボットアーム、及び変位を正確に決定する機能を有する平面輸送部材を含む。
前記設備システムにおけるローリングによるラミネート装置、ローリングによる形決め装置、溶融装置、チップアレー成形装置、ローリングによる貼り合せ装置、硬化装置及び切断装置は、順次に共同して連動し、一連の流れの工程設備を構成する。
本発明の具体的な実施形態に説明しないことは、いずれも本分野の公知の技術に属し、公知の技術を参照して実施することができる。
本発明は繰り返して検証し、満たされた試行効果を取得した。
以上の具体的な実施形態及び実施例は、本発明が開示した不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法の技術構想の具体的な説明であり、本発明の保護範囲はこれに制限されるものではない。本発明が開示した技術構想に基いて、本技術手段に対して成されたいずれの同等の変更又は等価の修飾は、いずれも本発明の技術手段の保護範囲に属する。
1−1 ローリングによる成形ステップにおける平滑面の2本ロールのローリングによるラミネート装置における平滑面のシングルローラA1
1−2 ローリングによる成形ステップにおける平滑面の2本ロールのローリングによるラミネート装置における平滑面のシングルローラB1
1−3 ローリングによる成形ステップにおける平滑面の2本ロールのローリングによるラミネート装置における平滑面のシングルローラA2
1−4 ローリングによる成形ステップにおける平滑面の2本ロールのローリングによるラミネート装置における平滑面のシングルローラB2
1−5 ローリングによる成形ステップにおける第1の緩衝ローラ
1−6 ローリングによる成形ステップにおける第2の緩衝ローラ
2−1 ローリングによる形決めステップにおけるバンプアレー付き第1のシングルローラ
2−2 ローリングによる形決めステップにおける溝アレー付き第2のシングルローラ
2−3 ローリングによる形決めステップにおける溝アレー付き第2の平面輸送装置
2−4 ローリングによる形決めステップにおけるバンプアレー付き第1のシングルローラでのバンプ
2−5 ローリングによる形決めステップにおける溝アレー付き第2のシングルローラでの溝
2−6 ローリングによる形決めステップにおける溝アレー付き第2の平面輸送装置での溝
3 溶融装置
4−1 ローリングによる貼り合せ成形ステップにおける平滑面の第3のシングルローラ
4−2 ローリングによる貼り合せ成形ステップにおける溝アレー付き第4のシングルローラ
4−3 ローリングによる貼り合せ成形ステップにおける溝アレー付き第4のシングルローラでの溝
4−4 LEDフリップチップアレーフィルムにおけるLEDフリップチップ
4−5LEDフリップチップアレーフィルムにおけるキャリアフィルム
5 硬化装置
6 剥離・切断装置
7 巻き取りロール
8−1 半硬化光変換膜
8−2 半硬化光変換スラリー
8−3 外層保護フィルムA
8−4 外層保護フィルムB
8−5 半硬化光変換フィルム
8−6 精製光変換フィルム
8−7 溶融前の溝付き光変換フィルム単体からなる光変換フィルムアレーにおける光変換フィルム単体
8−8 溶融後の溝付き光変換フィルム単体からなる光変換フィルムアレーにおける光変換フィルム単体
8−9 ローリングによる貼り合せ成形後のLEDパッケージ素子。
9−1 第3の緩衝ローラ
9−2 LEDフリップチップ緩衝ローラ

Claims (20)

  1. 精製光変換フィルムのローリングによる成形工程と、光変換フィルムアレーのローリングによる形決め工程と、光変換フィルムアレーの溶融工程と、LEDフリップチップアレーフィルムの準備工程と、LEDパッケージ素子のローリングによる貼り合せ成形工程と、LEDパッケージ素子の硬化成形工程と、LEDパッケージ素子の切断工程から構成される一連の流れのプロセスを含み、基本的には、
    ステップ1として、真空加熱下で、外層保護フィルムA、半硬化光変換材及び外層保護フィルムBを1対又は複数対の平滑面のローリングによるラミネート装置に通してローリングし、外層保護フィルムA、半硬化光変換フィルム及び外層保護フィルムBからなる精製光変換フィルムを得るステップであって、前記半硬化光変換材は、半硬化光変換膜又は半硬化光変換スラリーであり、前記外層保護フィルムBの材料は、少なくとも光変換材を含む可融性有機シリコン感光樹脂である、精製光変換フィルムのローリングによる成形ステップと、
    ステップ2として、真空下で、前記外層保護フィルム付き精製光変換フィルムを対向して合わせたバンプアレー付き第1のローリング装置と溝アレー付き第2のローリング装置との間に通し、加熱してローリングによって形決めを行い、溝付き光変換フィルム単体からなる光変換フィルムアレーを得るステップであって、前記溝は外層保護フィルムBに近い側にあり、前記溝付き光変換フィルム単体の外形形状は不定形を呈する、光変換フィルムアレーのローリングによる形決めステップと、
    ステップ3として、真空下で、光照射によってステップ2の前記光変換フィルムアレーの外層保護フィルムBを溶融させ、溶融された光変換フィルムアレーを得る、光変換フィルムアレーの溶融ステップと、
    ステップ4として、LEDフリップチップがアレーになるようにキャリアフィルムに配列されるLEDフリップチップアレーフィルムを得るステップであって、前記LEDフリップチップは単一のLEDフリップチップ、又は単一のLEDフリップチップを2つ以上組み合わせてなるLEDフリップチップ部品を意味する、LEDフリップチップアレーフィルムの準備ステップと、
    ステップ5として、真空加熱下で、ステップ3の前記溶融された光変換フィルムアレーとステップ4の前記LEDフリップチップアレーフィルムを、平滑面の第3のローリング装置と溝アレー付き第4のローリング装置との間に通し、対向して合わせてローリングによって貼り合せ、LEDフリップチップアレーフィルムにおけるLEDフリップチップを前記溶融された光変換フィルムアレーにおける光変換フィルム単体の溝に貼り合せて嵌め込み、LEDパッケージ素子を得るステップであって、前記第4のローリング装置における溝アレーの溝の形状及びサイズは、第2のローリング装置における溝アレーの溝の形状及びサイズと同じである、LEDパッケージ素子のローリングによる貼り合せ成形ステップと、
    ステップ6として、加熱硬化又は/及び光硬化手法によって、ステップ5の前記LEDパッケージ素子を硬化装置に通して硬化させ、硬化LEDパッケージ素子を得る、LEDパッケージ素子の硬化成形ステップと、
    ステップ7として、ステップ6の前記硬化LEDパッケージ素子の外層保護フィルムAを剥離して硬化LEDパッケージ素子を切断し、LEDパッケージ素子個体に分割するスリットを有するLEDパッケージ素子製品を得る、LEDパッケージ素子の切断ステップと、
    を含むことを特徴とする、不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法。
  2. ステップ1の前記精製光変換フィルムのローリングによる成形において、外層保護フィルムA、半硬化光変換材及び外層保護フィルムBを1対又は複数対の平滑面のローリングによるラミネート装置に通してローリングすることは、1対又は複数対の対向して合わせた平滑面の2本ロールのローリングによるラミネート装置、又は/及び平滑面のシングルローラと平滑面の平面輸送装置を組み合わせてなるローリングによるラミネート装置に順次に通してローリングし、精製光変換フィルムを得ることを意味することを特徴とする、請求項1に記載の不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法。
  3. ステップ1において、前記精製光変換フィルムのローリングによる成形の温度は、50〜120℃であることを特徴とする、請求項2に記載の不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法。
  4. ステップ1において、前記精製光変換フィルムの厚さは、800μm以下であることを特徴とする、請求項3に記載の不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法。
  5. ステップ1において、前記半硬化光変換フィルムの材料は、半硬化有機シリコン樹脂蛍光粉末膜又は半硬化有機シリコン樹脂量子ドット蛍光体膜であることを特徴とする、請求項1に記載の不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法。
  6. ステップ1において、前記外層保護フィルムAの材料は、ポリエステル、ポリオレフィン又はポリエーテルであることを特徴とする、請求項5に記載の不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法。
  7. ステップ1の前記外層保護フィルムBにおける光変換材とステップ1の前記半硬化光変換フィルムにおける光変換材は、材料及び含有量が同じであることを特徴とする、請求項5に記載の不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法。
  8. 前記外層保護フィルムBの材料は、接着剤を含むことを特徴とする、請求項7に記載の不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法。
  9. ステップ2において、前記バンプアレー付き第1のローリング装置は、バンプアレー付き第1のシングルローラ又はバンプアレー付き第1の平面輸送装置であり、
    前記溝アレー付き第2のローリング装置は、溝アレー付き第2のシングルローラ又は溝アレー付き第2の平面輸送装置であり、
    前記第1のローリング装置と第2のローリング装置の少なくとも一方は、シングルローラであることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一項に記載の不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法。
  10. ステップ2において、前記溝付き光変換フィルム単体の外形形状が不定形を呈することは、溝付き光変換フィルム単体の外形形状が弧状、半円球状又は矩形状であることを意味することを特徴とする、請求項9に記載の不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法。
  11. ステップ2の前記溝付き光変換フィルム単体において、溝の長さ、幅、高さのサイズは、LEDフリップチップの長さ、幅、高さのサイズの1.01〜1.05倍であることを特徴とする、請求項10に記載の不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法。
  12. ステップ2において、前記光変換フィルムアレーのローリングによる形決めの温度は、50〜120℃であることを特徴とする、請求項10に記載の不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法。
  13. ステップ3において、前記溶融は、光放射手段を採用して外層保護フィルムBを溶融させてステップ1の前記半硬化光変換フィルムと一体になることを意味するを特徴とする、請求項1に記載の不定形発光面を有する有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法。
  14. ステップ5において、ステップ3の前記溶融された光変換フィルムアレーとステップ4の前記LEDフリップチップアレーフィルムとを平滑面の第3のローリング装置と溝アレー付き第4のローリング装置との間に通し、対向して合わせてローリングによって貼り合せることは、前記光変換フィルムアレーを溝アレー付き第4のシングルローラ又は溝アレー付き第4の平面輸送装置にセットするとともに、前記LEDフリップチップアレーフィルムをロール面が平滑面である第3のシングルローラ又は平面が平滑面である第3の平面輸送装置にセットし、ローリングによって貼り合せ、前記LEDフリップチップアレーにおけるLEDフリップチップを前記溶融された光変換フィルムアレーにおける光変換フィルム単体の溝に貼り合せて嵌め込み、LEDパッケージ素子を得ることを意味し、
    平滑面の第3のローリング装置は、ロール面が平滑面である第3のシングルローラ又は平面が平滑面である第3の平面輸送装置であり、
    前記溝アレー付き第4のローリング装置は、溝アレー付き第4のシングルローラ又は溝アレー付き第4の平面輸送装置であり、
    光変換フィルムアレーがセットされる装置とLEDフリップチップアレーフィルムがセットされる装置の少なくとも一方は、シングルローラであることを特徴とする、請求項1に記載の不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法。
  15. ステップ5において、前記LEDパッケージ素子のローリングによる貼り合せ成形の温度は、50〜120℃であることを特徴とする、請求項1に記載の不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法。
  16. テップ6において、前記光硬化手段は、活性エネルギー線による硬化であり、
    前記加熱硬化手段は、硬化温度が140〜180℃であり、硬化時間が1時間以上であることを特徴とする、請求項1に記載の不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法。
  17. ステップ7において、前記スリットの幅は、20μm以下であることを特徴とする、請求項1に記載の不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法。
  18. ステップ7において、前記硬化LEDパッケージ素子を切断することは、硬化LEDパッケージ素子を刃アレー付き第5のローリング装置と平滑面の第6のローリング装置との間に通し、対向して合わせてローリングによって切断し、LEDパッケージ素子個体に分割するスリットを有するLEDパッケージ素子製品を得ることを意味し、
    前記刃アレー付き第5のローリング装置は、刃アレー付き第5のシングルローラ又は刃アレー付き第5の平面輸送装置であり、
    前記平滑面の第6のローリング装置は、平滑面の第6のシングルローラ又は平滑面の第6の平面輸送装置であり、
    前記刃アレー付き第5のローリング装置と前記平滑面の第6のローリング装置の少なくとも一方は、シングルローラであり、
    前記刃アレーは、矩形状の格子アレーを有する刃であることを特徴とする、請求項1又は17に記載の不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法。
  19. ステップ4において、前記LEDフリップチップアレーフィルムにおけるキャリアフィルムは、引っ張り可能なキャリアフィルムであり、前記引っ張り可能なキャリアフィルムの材料は、耐高温のポリエステル、ポリジメチルシロキサン及びポリ塩化ビニルの中の一種であることを特徴とする、請求項1に記載の不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法。
  20. ステップ7において、前記LEDパッケージ素子製品は、引っ張り機に通してその引っ張り可能なキャリアフィルムを引っ張ってフィルムを拡大し、LEDパッケージ素子製品を引っ張られ後前記スリットに沿って分割させ、LEDパッケージ素子個体製品を得ることを特徴とする、請求項19に記載の不定形有機シリコン樹脂光変換体でLEDを貼り合せてパッケージするプロセス方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106469778B (zh) 2015-08-18 2017-12-22 江苏诚睿达光电有限公司 一种异形有机硅树脂光转换体贴合封装led的工艺方法
CN106469780B (zh) * 2015-08-18 2018-02-13 江苏诚睿达光电有限公司 一种基于串联滚压的有机硅树脂光转换体贴合封装led的工艺方法
EP4360135A1 (en) 2021-06-25 2024-05-01 Lumileds LLC Fabrication of led arrays and led array light engines

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011077491A (ja) * 2009-03-26 2011-04-14 Toyoda Gosei Co Ltd Ledランプの製造方法
JP2012142364A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Nitto Denko Corp 封止部材、封止方法、および、光半導体装置の製造方法
US20130143339A1 (en) * 2011-12-06 2013-06-06 Cooledge Lighting, Inc. Formation of uniform phosphor regions for broad-area lighting systems

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005167092A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 Nitto Denko Corp 光半導体装置の製造方法
US7591863B2 (en) * 2004-07-16 2009-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laminating system, IC sheet, roll of IC sheet, and method for manufacturing IC chip
CN102224605A (zh) * 2008-11-25 2011-10-19 电气化学工业株式会社 发光元件封装用基板的制造方法及发光元件封装体
JP2010245477A (ja) 2009-04-10 2010-10-28 Dow Corning Toray Co Ltd 光デバイス及びその製造方法
GB2472047B (en) * 2009-07-22 2011-08-10 Novalia Ltd Packaging or mounting a component
DE102010007840A1 (de) * 2010-02-11 2011-08-11 Wieland-Werke AG, 89079 Elektromechanisches Bauelement oder Gleitelement
CN101872828B (zh) 2010-06-21 2012-07-25 深圳雷曼光电科技股份有限公司 一种倒装led芯片的封装方法
CN102881780B (zh) * 2011-07-15 2015-04-01 展晶科技(深圳)有限公司 发光模组及其制造方法
JP6033557B2 (ja) * 2012-03-06 2016-11-30 日東電工株式会社 封止シート、および、それを用いた発光ダイオード装置の製造方法
KR20160150657A (ko) 2012-04-12 2016-12-30 생-고뱅 퍼포먼스 플라스틱스 코포레이션 발광장치 제조방법
US20150171287A1 (en) 2012-06-28 2015-06-18 Toray Industrieis, Inc. Resin sheet laminate and process for producing semiconductor light-emitting element using same
US20140001949A1 (en) * 2012-06-29 2014-01-02 Nitto Denko Corporation Phosphor layer-covered led, producing method thereof, and led device
KR101531389B1 (ko) * 2013-08-19 2015-06-24 (주)피엔티 필름 공급 및 부착 장치, 이를 구비한 반도체 칩 패키지 제조 장치, 및 반도체 칩 패키지 제조 방법
EP3300126B1 (en) * 2015-08-18 2019-05-22 Jiangsu Cherrity Optronics Co., Ltd Process method for refining photoconverter to bond-package led and refinement equipment system
CN106469778B (zh) 2015-08-18 2017-12-22 江苏诚睿达光电有限公司 一种异形有机硅树脂光转换体贴合封装led的工艺方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011077491A (ja) * 2009-03-26 2011-04-14 Toyoda Gosei Co Ltd Ledランプの製造方法
JP2012142364A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Nitto Denko Corp 封止部材、封止方法、および、光半導体装置の製造方法
US20130143339A1 (en) * 2011-12-06 2013-06-06 Cooledge Lighting, Inc. Formation of uniform phosphor regions for broad-area lighting systems

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