JP2018525260A - セラミックハニカム体、ハニカム押出ダイ、およびセラミックハニカム体を製造する方法 - Google Patents

セラミックハニカム体、ハニカム押出ダイ、およびセラミックハニカム体を製造する方法 Download PDF

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Abstract

ハニカム構造の積層一体外皮を形成する方法が提供される。この方法は、ダイの入口側に供給孔を、出口面にスロットを有するダイにセラミック前駆体バッチを通して押し出して、ハニカム構造を形成する工程を有してなる。セルマトリクスを形成するように構成されたダイの外周領域において、ダイの出口面のマトリクスの周りにある一連の同心スロットが、マトリクスに外皮を供給するように構成されている。同心スロットの間のリング部分は中心から離れるように角度付けられ、前記外周の上部にマスクが配置されて、押し出された外皮が押し出されたマトリクスと接触し結合するための通路を生じる。必要に応じて、外皮形成リング部分のスロットは、積層外皮層の間の接合を向上させる。そのダイおよび均一な一体外皮を有するハニカム体も提供される。

Description

関連出願の説明
本出願は、その内容が依拠され、ここに全て引用される、2015年8月31日に出願された米国仮特許出願第62/211981号の優先権の恩恵を主張するものである。
本開示の例示の実施の形態は、セラミックハニカム体に関する。
ディーゼル、ガソリン、または他の燃焼機関の排気流などの液体流から粒状汚染物質を除去するために、セラミック製壁流フィルタを使用することができる。多孔質セラミックから形成されたチャンネル型ハニカム構造からそのようなフィルタを製造するための異なる手法が数多くある。例えば、ある手法は、そのような構造の交互の通路の端部に封止材の硬化栓を配置することであり、これにより、通路を直接通る流体流を遮断し、フィルタを出る前に、その流体流をハニカムの多孔質通路壁に押し通すことできる。
この背景技術の項目に開示された先の情報は、請求項に記載された発明の背景の理解を高めるためだけであり、したがって、従来技術のいずれの部分も形成しない情報を含むことがあり、従来技術が当業者に示唆しないことも含むことがある。
本開示の例示の実施の形態は、積層外皮を備えるハニカム体を提供する。
本開示の例示の実施の形態は、積層外皮を備えるハニカム体を製造する方法も提供する。
本開示の例示の実施の形態は、セラミック前駆体材料のバッチを、積層外皮を備える未焼成ハニカム体に押し出すように構成された押出ダイも提供する。
請求項に記載された本発明の追加の特徴は、以下の説明に述べられており、一部は、その説明から明白となるか、または請求項に記載された発明の実施により分かるであろう。
例示の実施の形態は、第一の端面から第二の端面まで軸方向に延在する通路を形成する交差する壁のマトリクス、および外周でそのマトリクス上に配置された、第一の端面から第二の端面まで延在する積層外皮を備える未焼成ハニカム体を開示する。その積層外皮の断面積の大半は、交差する壁と実質的に同じ、軸方向に揃えられた粒子から作られている。
例示の実施の形態は、第一の端面から第二の端面まで軸方向に延在する通路を形成する交差する壁のマトリクス、および外周でそのマトリクス上に配置された、第一の端面から第二の端面まで延在する積層外皮を備える多孔質セラミックハニカム体も開示する。その積層外皮の結晶構造の断面積の大半は、交差する壁と実質的に同じ、軸方向に揃えられたテクスチャを含む。
例示の実施の形態は、第一の端面から第二の端面まで軸方向に延在する通路を形成する交差する壁を含む多孔質セラミックハニカム体を製造する方法も開示する。この方法は、バッチ材料を、押出ダイの中央スロットに通して押し出してハニカムマトリクスを形成し、複数の環状スロットに通して押し出してそのハニカムマトリクス上に外周外皮を形成する工程を有してなり、その中央スロットは、その複数の環状スロットの第一の環状スロットで終わる。バッチ材料中の細長粒子は、中央スロットと環状スロットを通る押出中に、軸方向に揃えられる。
例示の実施の形態は、複数の中央スロットおよびその中央スロットの外周に配置された外皮形成領域を含むダイ面を有するダイ本体を備えたハニカム押出ダイであって、外皮形成領域は複数の環状スロットを含み、その中央スロットはその複数の環状スロットの第一の環状スロットで終わっている、ハニカム押出ダイも開示する。
先の一般的な説明および以下の詳細な説明は両方とも、例示と説明であり、請求項に記載された発明のさらなる説明を与える目的であることが理解されよう。
本開示のさらなる説明を提供するために含まれ、本明細書に包含され、その一部を構成する添付図面は、本開示の例示の実施の形態を示しており、説明と共に、本開示の原理を説明する働きをする。
本開示の例示の実施の形態による、ハニカムコアの外周に外皮を備えるハニカム体の斜視図 本開示のこれらの例示の実施の形態による、図1Aのハニカム体の断面図 本開示のこれらの例示の実施の形態による、図1Aのハニカム体の上面図 外皮形成面を超えて外周スロットまで延在する交差する中央スロットを示す押出ダイの切り欠き等角図 図2のダイから押し出されたような共押出外皮を有する押し出された未焼成ハニカム体の板状粒子配列および焼成されたセラミックハニカム体の結果としての配向粒子微細構造の断面等角図 隣接区域にとどまらない粒子配列の乱れた区域におけるより高い熱膨張係数(CTE)により生じる、押し出された外皮における引張応力の説明図 本開示のいくつかの例示の実施の形態による、外周ピンおよびスロットを示すダイ周囲での外皮形成領域を有する押出ダイの切り欠き等角図 本開示のいくつかの例示の実施の形態による、外皮形成外周ピンおよびスロットを示す図4のダイの詳細図 本開示のいくつかの例示の実施の形態による、テーパー状であり得る外皮形成外周ピンの基部の説明図 本開示のいくつかの例示の実施の形態による、外周ピンとスロット、マスク、および接合領域で互いに接合され、積層外皮として押し出される、スロット内の可塑化バッチを示す、ダイ外周に外皮形成領域を有する押出ダイの断面等角図 未揃い区画およびその未揃い区画に応力集中を生じることがある隣接外皮区域または近接外皮領域より高いCTEを有する非積層外皮をそこから押し出すことができる、ダイ周囲で外皮形成スロットと交差するマトリクススロットのダイ出口面での上面図 本開示のいくつかの例示の実施の形態による、ダイ周囲にて第一の外皮形成スロットで終わるマトリクススロットのダイ出口面での上面図、および内側薄層に限定された減少した未揃い区画を有する、そこから押し出された積層外皮の図 本開示のいくつかの例示の実施の形態による外周ピンおよびスロットを示す、放射状セル形状マトリクスおよびダイ周囲での外皮形成領域を有する押出ダイの出口面の上面図 図8Aの押出ダイの切り欠き等角図 外皮形成領域にマスクを有する、図8Aの押出ダイの切り欠き等角図 本開示のいくつかの例示の実施の形態による、外周ピンおよびスロットを示す、ダイ周囲に外皮形成領域を有する押出ダイの切り欠き等角図 本開示のいくつかの例示の実施の形態による、外周ピンおよびスロットを示す、ダイ周囲に外皮形成領域を有する押出ダイの切り欠き等角図 これらの例示の実施の形態のいくつかによる、ダイ周囲の外皮形成領域にマスクを有する、図10の押出ダイの切り欠き等角図 本開示のいくつかの例示の実施の形態による、外周スロットを示す、ダイ周囲に改造外皮形成体を有する押出ダイの切り欠き等角図 本開示のこれらの例示の実施の形態のいくつかによる、ダイ周囲に改造外皮形成体を持たない図12の押出ダイの出口面での上面図 本開示のこれらの例示の実施の形態のいくつかによる、図12の改造外皮形成体の出口面での上面図 本開示のこれらの例示の実施の形態のいくつかによる、図12の改造外皮形成体の入口面での底面図 本開示のいくつかの例示の実施の形態による、未焼成押出製品における粒子配列を定量化するために使用される秩序パラメータとしてのS値を示す説明図 S=0.7163である右側の試料「A2」よりも大きい粒子配列を有する左側のS=0.8958である試料「A1」の顕微鏡写真 S値分析のために選択された3つの区域を示す、マトリクス上に共押出しされた非積層外皮を有するハニカム体未焼成製品の断面の後方散乱走査型電子顕微鏡写真(SEM)画像。図15のハニカム体未焼成製品を製造するために、外皮形成領域まで延在するマトリクススロットを有する図2に示されるようなダイを使用した。 本開示のいくつかの例示の実施の形態による、マトリクス上に共押出しされた積層外皮を有する別のハニカム体未焼成製品の断面の後方散乱SEM画像。図16において、S値分析のために選択された3つの区域が示されている。図16のハニカム体未焼成製品を製造するために、外皮形成領域にいくつかの放射状に延在するスロット463を有する図9に示されるようなダイを使用した。 本開示のいくつかの例示の実施の形態による、マトリクス上に共押出しされた積層外皮を有する別のハニカム体未焼成製品の断面の後方散乱SEM画像。S値分析のために選択された3つの区域が図17に示されている。図17のハニカム体未焼成製品を製造するために、外皮形成領域に環状だけに延在するスロットを有する図4に示されるようなダイを使用した。
本開示は、本開示の例示の実施の形態が示されている添付図面を参照して、以下により詳しく記載されている。しかしながら、この開示は、多くの異なる形態で具体化されることがあり、ここに述べられた例示の実施の形態に制限されると考えるべきではない。そうではなく、これらの実施の形態は、本開示が完全であるように提供されており、当業者に本開示の範囲を完全に伝えるであろう。図面において、層と領域のサイズおよび相対サイズは、明確にするために誇張されることがある。
要素または層が、別の要素または層「の上に」ある、またはそれ「に接続されて」いると称される場合、それは、他方の要素または層に直接上にあり得るまたは直接接続され得る、もしくは介在する要素または層が存在してもよいことが理解されよう。その一方、要素または層が別の要素または層「の上に直接」ある、またはそれ「に直接接続されて」いると称される場合、介在する要素または層は存在しない。本開示の目的のために、「X、Y、およびZの少なくとも1つ」は、Xのみ、Yのみ、Zのみ、または2つ以上の項目X、Y、およびZの任意の組合せ(例えば、XYZ、XYY、XY、YZ、ZZなど)と考えられることが理解されよう。
上部、底部、側部、上側、下側、垂直、および水平などの用語が使用されているが、本開示は、これらの例示の実施の形態にそのようには限定されない。その代わりに、「上部」、「底部」、「水平」、「垂直」、「側部」、「真下」、「下側」、「上」、「上側」などの空間的に相対的な用語は、図面に示されるような、ある要素または特徴の別の要素または特徴に対する関係を説明する記載を容易にするためにここに使用されることがある。空間的に相対的な用語は、図面に示された方向性に加え、使用または操作においてそのデバイスの異なる方向性を包含することが意図されているのが理解されよう。例えば、図面のデバイスがひっくり返される場合、他方の要素または特徴の「下」または「真下」と記載される要素は、ひいては、他方の要素または特徴の「上」に向けられるであろう。それゆえ、例示の用語「下」は、上と下の方向性の両方を包含し得る。そのデバイスは、他に向けられて(90度または他の方向で回転されて)もよく、ここに使用されている空間的に相対的な記述子は、それにしたがって解釈される。
「含む」、「備える」などの用語は、以下に限られないが、包含すること、すなわち、包括的であるが、排他的ではないことを意味する。
本開示の実施の形態を記載する上で用いられる、例えば、組成物中の成分の量、濃度、体積、処理温度、処理時間、収率、流量、圧力、粘度、寸法、同様の値、およびそれらの範囲を修飾する「約」は、例えば、材料、組成物、複合体、濃度、または使用配合物の調製に使用される典型的な測定および取扱方法により;これらの方法における不慮の誤差により;その方法を実施するために使用される出発材料または成分の製造、供給源、または純度における違いにより;および同様の検討事項により生じ得る数量のばらつきを称する。「約」という用語は、特定の初期濃度または混合物を有する組成物または配合物の経時変化による異なる量、および特定の初期濃度または混合物を有する組成物または配合物の混合または処理により異なる量も包含する。
これらの例示の実施の形態において、開示された物品、およびその物品の1つ以上を製造する開示された方法は、例えば、下記に述べられるようなものを含む、1つ以上の有益な特徴または態様を提供する。請求項のいずれかに述べられた特徴または態様は、概して、本発明の全ての局面に適用できる。いずれか1つの請求項におけるどの述べられた1つまたは複数の特徴または態様も、どの他の請求項におけるどの他の述べられた特徴または態様と組み合わせても、順序を変えても差し支えない。
内燃機関からの排気ガスの後処理では、炭素煤粒子を除去するために高表面積基体上に担持された触媒および/または触媒フィルタが使用されることがある。触媒担体は、耐火性であり、耐熱衝撃性であり、ある範囲のpO2条件下で安定であり、触媒系と非反応性であり、排ガス流に対して低い抵抗を示すであろう。一般に、これらの用途に、多孔質セラミック製流通(flow-through)ハニカム基体および壁流(wall-flow))ハニカムフィルタ(総称的にここではハニカム体と称される)が使用されるであろう。
所望の寸法に機械加工されたまたは「合うように形成された」ハニカム体の外皮を形成するために、セラミックセメントが使用されることがある、または外皮は、ハニカム体と共押出しされることがある。共押出しは、概して、ハニカムモノリスまたはハニカム体セグメントを形成するときに、ダイに通すバッチ流を称する。例えば、バッチがダイを流れて、マトリクスおよび外皮を形成する場合、その外皮は、共押出外皮と称することができる。ここに用いたように、共押出しは、概して、ダイのマトリクス領域と外皮領域を同時に通るバッチ流を称する。一般に、共押出しされた外皮は、マトリクスと一体であると考えられる。ここに用いたように、「ハニカム体」という用語は、単一のハニカムモノリスおよびハニカム体セグメントを含む。セグメント化されたモノリスを形成するためにセラミックセメントを使用することなどによる、互いに固定される多数のハニカム体セグメントにより形成されるハニカム体は、セグメント化ハニカム体と称することができる。
多孔質セラミックハニカム体の製造は、セラミック粉末バッチ混合物を可塑化し、その混合物をハニカム押出ダイに通して押し出してハニカム押出物を形成し、その押出物を切断し、乾燥させ、焼成して、第一の端面から第二の端面まで軸方向に延在する通路を有する、強度および熱耐久性の高いセラミックハニカム体およびセグメント化ハニカム体を製造することによって、行われることがある。
共押出しされたまたは後で施された外皮は、セラミックハニカム体の第一の端面から第二の端面まで軸方向に延在する外周表面を形成するであろう。いくつかの実施の形態において、交差する壁(ウェブ)により画成されるハニカム体の通路は、モノリスであろうと、セグメント化されていようと、入口面または出口面で塞がれて、フィルタを製造することができる。いくつかの通路が両端で塞がれていないままの場合、部分フィルタを製造できる。そのハニカム体は、モノリスであろうと、セグメント化されていようと、触媒して、基体を製造することができる。非施栓ハニカム体は、一般に、ここでは基体と称される。触媒基体は、後で施された触媒を有しても、または押出触媒から作られても差し支えない。さらに、フィルタおよび部分フィルタを触媒して、多機能性を提供することができる。このように製造されたセラミックハニカム体は、空気または気体流もしくは液体または水流などのエンジン排気または他の流体流を精製するなどの流体の洗浄のために、触媒担体として、膜担体として、壁流フィルタとして、部分フィルタとして、そしてそれらの組合せとして、広く使用されているであろう。
セラミックハニカム体の組成は、特に制限されず、多量と少量のコージエライト、チタン酸アルミニウム、ムライト、β−スポジュメン、炭化ケイ素、ゼオライトなど、およびそれらの組合せを含み得る。さらに別の例として、そのセラミックハニカム体は、押出ゼオライトまたは他の押出触媒材料もしくは材料の組合せなどの押出触媒を含み得る。同様に、ハニカム体のバッチ組成は、焼成の際に、コージエライト、チタン酸アルミニウム、ムライト、β−スポジュメン、炭化ケイ素、ゼオライトなど、およびそれらの組合せを形成する一種類以上の無機成分を含み得る。
いくつかの実施の形態において、セル密度は、平方インチ(約6.25cm2)当たりのセル数(cpsi)で約100と約900の間であることがある。セル壁の厚さは、約0.025mmから約1.5mm(約1から20ミル)に及び得る。例えば、セル壁の厚さは、約0.025mmから約0.30mm(約1から12ミル)に及び得る。例えば、ハニカム体100の形状は、約8ミル(約0.2mm)の壁厚で400cpsi(400/8)または約6ミル(約0.15mm)の壁厚で400cpsi(400/6)であることがある。他の形状の例としては、100/17、200/12、200/19、270/19、600/4、400/4、400/3、600/3、750/2、600/2、および900/2、並びに他の形状が挙げられる。ここに用いたように、ハニカム体100は、概してハニカム構造を含むことが意図されているが、正方形構造に厳密には限定されない。例えば、六角形、八角形、三角形、矩形または任意の他の適切なセル形状またはセル形状の組合せを使用してよい。また、セル状ハニカム体100の断面は円形であることがあるが、そのようには限定されない、例えば、その断面は、楕円形、正方形、矩形、他の形状、またはそれらの組合せであってよい。
本開示の例示の実施の形態のいくつかは、中央セル構造(マトリクス)上にそのマトリクスと実質的に同じ物理的熱膨張特性、すなわち、例えば、実質的に同じバルク熱膨張係数(CTE)を有する積層一体外皮を有するハニカム体に関する。例えば、外皮CTEはマトリクスCTEの6から8×10-7/K以内にあり得、外皮CTEはマトリクスCTEの3から5×10-7/K以内にあり得、または外皮CTEはマトリクスCTEの1から2×10-7/K以内にあり得る。本開示の例示の実施の形態のいくつかは、マトリクス上にそのマトリクスと実質的に同じ物理的熱膨張特性を有する積層共押出外皮を有するハニカム体を形成する方法に関する。本開示の例示の実施の形態のいくつかは、マトリクス上にそのマトリクスと実質的に同じ物理的熱膨張特性を有する積層一体外皮を有するハニカム体を形成するように構成された押出ダイに関する。
図1Aは、本開示の例示の実施の形態による、反対の端面114、116の間で方向「Ao」の軸方向に延在する互いに隣接した通路112を形成する複数の交差壁110を含むハニカム体100を示している。図1Bは、図1Aのハニカム体100を通る断面図を示している。図1Cは、図1Aのハニカム体の上面図を示している。「セル」は、概して、そのハニカム体の断面における交差壁を称するときにここに使用され、「通路」は、概して、端面114、116の間に延在するセルを称するときに使用される。セルおよび通路は、互いに交換可能に使用してよい。上面114は、図1Aに配置されたハニカム体100の第一の端面を称し、底面116は第二の端面を称し、そうでなければ、それらの端面は、ハニカム体100の方向により限定されない。上面114はハニカム体100の入口面であることがあり、底面116は出口面であることがあり、または上面114はハニカム体100の出口面であることがあり、底面116は入口面であることがある。
ここでは、ハニカム体100の「マトリクス」または「セルマトリクス」と互いに交換可能に称されることもある、中央セル構造118は、間に通路112を画成する交差壁110を含む。マトリクス118の外周124は、共押出外皮126と接合し、上に共押出外皮126を有する。下記により詳しく記載されるように、共押出外皮126は、マトリクスと一体と考えることができる。すなわち、バッチがダイを通して押し出されるときに、共押出外皮がマトリクスと結合する。押出物の乾燥および/または焼成の際に、外皮126とマトリクス118は一体であり得る。例示の実施の形態によれば、一体外皮126は、マトリクス118と実質的に同じ熱膨張特性を有する積層構造を有する。例えば、積層外皮CTEは、マトリクスCTEの約3〜5×10-7/K以内にあり得る。
これらの例示の実施の形態のいくつかにおいて、一体外皮126は、壁110の厚さより大きい厚さを有し得る。例えば、一体外皮126の厚さは、0.004インチ(0.102mm)以上、0.010インチ(0.25mm)以上、または0.020インチ(0.508mm)以上であり得る。これらの例示の実施の形態のいくつかにおいて、一体外皮126の熱膨張係数(CTE)は、その壁のCTE以上であり得る。これらの例示の実施の形態のいくつかにおいて、一体外皮126の熱膨張係数(CTE)は15×10-7/K以下であり得、壁110のCTEは15×10-7/K以下であり得る。例えば、一体外皮126の熱膨張係数(CTE)は10×10-7/K以下であり得、壁110のCTEは10×10-7/K以下であり得る、またさらには、一体外皮126の熱膨張係数(CTE)は5×10-7/K以下であり得、壁110のCTEは5×10-7/K以下であり得る。
これらの例示の実施の形態のいくつかにおいて、ハニカム体100のアイソスタティック強度は、150psi(1.03MPa)超、例えば、200psi(1.38MPa)超、例えば、500psi(3.45MPa)超、1000psi(6.9MPa)超、またさらには2000psi(13.8MPa)超であり得る。ハニカム体マトリクス118上に小さいウェブ影響区画を有する積層一体外皮126は、積層一体外皮を持たないハニカム体よりも大きいアイソスタティック強度のハニカム体100を与える。
例えば、その全ての内容が、ここに完全に述べられているかのように引用により含まれる、米国特許第7914724号明細書に開示されているように、ハニカム基体上に一体外皮を製造するための外皮形成方法が考え出されてきた。しかしながら、外皮形成方法は、一般に、セル状マトリクスの上に外皮の層を形成するために押し出されたセル状マトリクス材料を潰すまたは押し潰すことに依存してきた。これは、ダイの出口でマトリクスの外周に配置されたシムおよびマスクによって行うことができる。それに加え、ダイの面にあるピンは、マトリクスの外周に衝突しない外皮を作り出すのに役立つように、削られ、マトリクスのエッジから離れるように角度が付けられることがあり、このことは、外周でセルが潰れるのを防ぐのに役立つ。図2は、入口面209に供給孔を、出口面211に押出スロットを有するダイ本体207を有する押出ダイ203の切り欠き等角図である。中央供給孔213は、交差する中央スロット215にバッチ材料を供給するように構成されており、外周供給孔217は、交差する外周スロット219にバッチ材料を供給するように構成されている。中央スロット215は、外皮形成面221を超えて外周スロット219まで延在する。外皮形成面221は、ハニカム体のマトリクスで共押出外皮の厚さだけ、外皮形成面221から間隔が空けられたマスク(図示せず)とキャビティを形成することができる。
中央スロット215は外皮形成面221を超えて外周スロット219まで延在している、図2に示されるようなダイを用いるこれらのタイプの外皮形成方法において、ハニカム体の外皮は、共押出しされたときに、ハニカム体のマトリクスとは異なる過程により形成され、結果として、外皮の物理的性質がマトリクスの物理的性質とは異なる。例えば、熱膨張係数(CTE)は、外皮に亘り変動することが分かっており、乾燥され焼成されたセラミックハニカム体におけるマトリクスに測定されたものより典型的に高いことが分かっている。
理論により束縛する意図はないが、CTEの変動性は、押出ウェブを構成する粒子の配向における乱れから生じる。図2、3A、および3Bを参照すると、板状のタルクと粘土の粒子331が、セラミック、例えば、コージエライトのハニカム体333の製造によく使用される。これらの板状粒子331は、押出過程中にダイ203のスロット215、219を通過するときに配向され、押出未焼成部品において配向されたままとなる。焼成の際に、高度の配向により、壁337の面において低膨張c軸335に優先的に配向(配列)されたコージエライト結晶を有するコージエライト体が生成される。この配向は、「軸アライメントテクスチャ」とここでは称される。これにより、結晶がウェブの面に対して無作為に配向されている場合に予測されるであろうよりも、熱膨張係数が低くなる。これらのタイプの外皮形成方法は、外皮339を製造するために交差する外周スロット219を通る押出ウェブの潰しに依存するので、ウェブを潰す作用で粒子微細構造が生じ、これは、近隣のマトリクス壁337よりも配向が著しく小さいか、またはより無作為に配向されている(揃っていない)341。
マトリクス壁337における配向された粒子微細構造と、外皮339における揃っていない粒子微細構造との間の差異は、外皮339と平行なマトリクス壁337がない外皮の地点で最も顕著であり得る。このことは、90°を除いて、どこでも起こる。その上、外周の90°の地点では、外皮339は、外皮339と平行および垂直の両方のスロット219を通して押し出された材料により製造されてきた。したがって、外皮に対して垂直に一旦配向された、外皮を形成するウェブの部分は、外皮339の一部となるように潰されなければならない。これにより、外皮の領域343においてさえ90°に粒子がずれる。この外皮形成の結果、外皮とマトリクスの界面での熱膨張の不一致のために、使用中の加熱下と冷却下で、その界面に応力345が生じる。揃っていない粒子微細構造の外皮339の領域343は、ここでは、「ウェブ影響区画」と称され、マトリクス壁337より高いCTE、並びに隣接する外皮339より高いCTEを有し得、その結果、引張応力および亀裂区画347が生じる。この状況が、正方形、円形、六角形、矩形などを含むほとんどのセル形状に存在する。
放射状セル型セラミックハニカム設計が、その全ての内容が、ここに完全に述べられているかのように引用により含まれる、米国特許第7575793号明細書に開示されている。放射状セル型セラミックハニカム設計の特徴は、セル構造が、中心位置から広がる放射状壁およびその放射状壁と交差する一連の同心環壁からなることである。その放射状セル型セラミックハニカム構造を製造するために使用されるダイの外皮形成部分は、外皮に対して常に平行であるウェブ壁を含む。これは、上述したマトリクスと外皮の物理的性質の間の不一致を最小にするのに役立ち得る。しかしながら、従来の外皮形成機械設備の使用は、同心環および垂直の放射状ウェブの両方を潰すことにまだ依存するであろう。本出願の発明者等は、ここに開示されるように、意外なことに、外皮形成領域における放射状スロットをなくすことによって、同心環を形成するスロット内で製造される材料から主にまたは完全になり、内部ウェブと実質的に同じ方向に、同じ様式で実質的に配向された、未焼成製品における粒子および焼成セラミック製品における粒子微細構造を有する外皮を製造する方法を見出した。ここに開示された例示の実施の形態によるこの新たな発見により、マトリクスと実質的に同じ物理的性質を有する一体外皮が得られる。
本開示の例示の実施の形態によれば、マトリクスと実質的に同じ物理的熱膨張特性を有する、中央セル構造上の積層一体外皮を有するハニカム体、その積層一体外皮を有するハニカム体を形成する方法、およびその積層一体外皮を有するハニカム体を形成するように構成された押出ダイは、ウェブ影響区画を減少させ、外皮とマトリクスの物理的熱膨張特性の不一致による応力および亀裂形成を克服する。
図4は、本開示のいくつかの例示の実施の形態による、外周ピンおよびスロットを示すダイ周囲に外皮形成領域を有する押出ダイの切り欠き等角図である。押出ダイ403は、入口面409に供給孔を、出口面(ダイ面)411に押出スロットを有するダイ本体407を有する。中央供給孔413は、バッチキャビティから交差する中央スロット415にバッチ材料を方向「Ao」の軸方向に供給するように構成されており、外周供給孔417は、バッチキャビティからマトリクスの外周にある外皮形成領域419内のスロットにバッチ材料を供給するように構成されている。図5Aは、本開示のこれらの例示の実施の形態による、外皮形成外周ピンおよびスロットを示す図4のダイの詳細図である。図5Bは、本開示のいくつかの例示の実施の形態による、テーパー状であり得る外皮形成環状リングの基部を示す。外皮形成領域419は、マスクによりキャビティを形成できる。
図4、5A、および5Bを参照すると、交差する中央スロット415は、中央マトリクスピン421を画成し、外皮形成領域419にある第一の環状リング423を越えて延在しない。マトリクスの外周にあるマトリクスピン421は、第一の環状スロット425だけ第一の環状リング423から間隔が空けられている。第二の環状リング427は、第二の環状スロット429だけ、第一の環状リング423から間隔が空けられ得る。必要に応じて、1つ以上の追加の環状リングが、第一と第二の環状リング423、427の外側に同様に配置されて、1つ以上の追加のスロットを形成してもよい。
外周供給孔417は、図4、5A、および5Bに示されるように、環状リング423、427中に延びて、貯留部434を形成し、環状スロット425、429にバッチ材料を供給することができる。それに代えて、またはそれに加え、環状スロット425、429は、これらの例示の実施の形態のいくつかにより、図5Bに示されるように、テーパー状基部436を備えて、環状スロット425、429にバッチ材料を供給することができる。
第一と第二の環状リング423、427は、ダイ本体407の中心から離れて角度が付けられた、それぞれ、出口面431、433を有し得、マスク(図示せず)が、外皮形成領域419においてダイ403の上部に配置されて、押出外皮がマトリクス押出物に接触し結合するための通路を生成することができる。中央スロット415が外皮形成領域419において第一の環状リング423を越えて外周に延在しない、図4、5A、および5Bに示されるようなダイを用いたこれらのタイプの外皮形成方法において、ハニカム体の外皮は、共押出しされたときに、ハニカム体のマトリクスの過程と同様の過程により形成され、その結果、外皮の物理的熱膨張特性がマトリクスの物理的熱膨張特性と実質的に同じになる。
これらの例示の実施の形態のいくつかによれば、中央スロット415の厚さは、0.001インチ(0.0254mm)以上かつ0.014インチ(0.356mm)以下であり得、環状スロット425、429の厚さは、0.001インチ(0.0254mm)以上かつ0.014インチ(0.356mm)以下であり得る。これらの例示の実施の形態のいくつかによれば、第一と第二の環状リング423、427の出口面431、433は、それぞれ、ダイの出口面に対して平行から0度以上かつダイの出口面に対して平行から60度以下の角度だけ、ダイ本体407の中心から離れるように角度が付けられ得る。これらの例示の実施の形態のいくつかによれば、環状スロットの数は、特に限定されず、2から7のスロットを含むことがある。例えば、環状スロットの数は、2つの環状スロットを含むことがある、3つの環状スロットを含むことがある、4つの環状スロットを含むことがある、または5つの環状スロットを含むことがある。ウェブ影響区画は、マトリクススロットに隣接する第一の環状スロットに著しく限定されるので、環状スロットを増やすと、ウェブ影響区画は、外皮厚方向における外皮のより狭い部分に限定される。
図6は、本開示のいくつかの例示の実施の形態による、外周ピンとスロット、マスク、および接合領域で互いに接合され、積層外皮として押し出される、スロット内の可塑化バッチを示す、ダイ外周に外皮形成領域を有する押出ダイの断面等角図である。図6において、間にスロット415を有するマトリクスピン421は、第一の環状スロット425だけ第一の環状リング423から間隔が空けられた最も外側のピン435を含む。環状リング423、427は、ピンであると考えられるが、従来の感覚におけるピンではなく、むしろリングである。ここに用いられるようなリングは、マトリクスを囲む形状を称し、どの特定の形状にも限定される意図はなく、円形、卵形、非対称、直線と湾曲部分の組合せ、およびハニカム体の断面の他の形状を含み得る。図6は、外皮を供給するためのスロットを通るバッチ流動パターンの概略図を示す。点線で示されたマトリクスを供給するためのスロットを通るバッチ流も示されている。そのバッチ材料は、外皮形成領域およびマトリクス内の異なる流路を通って流れるバッチを識別するために、異なる陰影(A、B、C、およびD)で示されている。
図6に示された外皮451は、ここでは積層と称される。何故ならば、先に記載されたように、押出過程中にダイ403のスロット413および425を通過するときに配向される、バッチ中の板状粒子は、ウェブ影響区画内で揃わなくなるからである。しかしながら、押出過程中にダイ403の外側環状スロット429および439を通過するときに配向される、バッチ中の板状粒子は、ほとんどずれず、押出未焼成部品449において配向されたままである。そのウェブ影響区画は、外皮451の外層を形成する外側環状スロット429、439からのバッチまでほとんど延在しない。バッチ粒子を配向させる複数の環状スロット425、429、439が、積層外皮451を提供する。高度の配向は、焼成の際に、ウェブ壁が、壁の面の低膨張軸に配向されたセラミック結晶の低膨張軸を有するので、外皮の面に低膨張軸を有する外皮に優先的に配向(整列)されたセラミック結晶を有するセラミック体を生成する。そのような焼成セラミック外皮は、一般に、もはや積層ではなく、しかしながら、セラミック結晶は優先的に配向(整列)され、減少したウェブ影響区画は、外皮において第一の環状スロットを通って押し出された外皮の厚さに限定されている。そのような焼成セラミック外皮は、ここでは、均一外皮と称される。
図6に示された例示の実施の形態によれば、外皮形成リング423、427は、マトリクスピン421、435の出口面より下に窪んでおり、その面およびダイ403の中心から離れる角度の出口面431、433を有する。マスク441が、外皮形成領域におけるバッチ材料流を調節するために、シム443上の外皮形成領域に示されている。マスク441および外皮形成スロット425、429、439は、図の中央部分に示されるように、バッチが外皮形成間隙457に層状構造を形成できるように配置されている。最も外側のピン435に隣接するマスクのエッジ445、447は、ピン435に向かってテーパー状となり、バッチA、B、Cの各層の圧縮および結合を行って、外皮形成間隙457内で外皮451を形成することができる。出口面に向かうマスクエッジ447の部分は、結合領域437においてマトリクス453に層状外皮構造を結合させるためにわずかな角度を有し得る。
前記マトリクスの押し出された未焼成ハニカム体の壁453は、点線で示されており、最も外側のマトリクスピン435の間のスロット415、および最も外側のマトリクスピン435と第一の環状リング423との間で押出積層外皮と接触する。それゆえ、バッチ粒子におけるどのような配向の乱れも、外皮の厚さの小さい領域に限定することができる。例えば、ウェブ影響区画は、2つの外皮形成スロットが使用される場合、外皮厚の約半分以下の厚さに、3つの外皮形成スロットが使用される場合、外皮厚の約三分の一以下の厚さに限定することができる。例えば、4つの外皮形成スロットが使用される場合、ウェブ影響区画は、外皮厚の約四分の一以下の厚さに限定することができ、5つの外皮形成スロットが使用される場合、ウェブ影響区画は、外皮厚の約五分の一以下の厚さに限定することができ、6つの外皮形成スロットが使用される場合、ウェブ影響区画は、外皮厚の約六分の一以下の厚さに限定することができる。
2つ以上の環状外皮形成スロットが使用される場合、積層一体外皮は、マトリクスウェブよりも厚くなって、ハニカム体に改善された強度を与えることができる。このより厚い積層外皮は、それでも、薄いウェブと実質的に同じ物理的熱膨張特性を有し、それゆえ、焼成などの加工中、および自動車の排気処理におけるような使用中、そうしなければ生じ得るクモ状亀裂およびひびを避けることができる。
図7Aは、未揃い区画343およびその未揃い区画343に応力集中を生じることがある隣接外皮区域または近接外皮区域より高いCTEを有する非積層外皮339をそこから押し出すことができる、ダイ周囲223で外皮形成スロット219と交差するマトリクススロット215のダイ出口面での上面図である。図7Bは、本開示のいくつかの例示の実施の形態による、ダイ周囲459にて第一の外皮形成スロット425で終わるマトリクススロット415のダイ出口面411での上面図、および内側薄層に実質的に限定された減少した未揃い区画を有し、そこから押し出された積層外皮126の図である。
図8Aは、本開示のいくつかの例示の実施の形態による外周ピン423、427およびスロット425、429、439を示す、スロット415とピン421の放射状セル形状マトリクスおよびダイ周囲での外皮形成領域を有する押出ダイ800の出口面411の上面図である。図8Bは、図8Aの押出ダイ800の切り欠き等角図である。図8Cは、外皮形成領域にマスク441を有する、図8Aの押出ダイ800の切り欠き等角図である。押出ダイ800の外周ピン423、427には、放射状スロットがない。押出ダイ800は、入口面409に開キャビティ供給部を持つダイ本体407を有する。中央開キャビティ442は、バッチキャビティから交差する中央スロット415に軸方向にバッチ材料を供給するように構成されており、外周開キャビティ444は、バッチキャビティからマトリクスの外周にある外皮形成領域419のスロットにバッチ材料を供給するように構成されている。
図9は、本開示のいくつかの例示の実施の形態による、外周ピン467、469およびスロット425、429を示す、ダイ周囲に外皮形成領域を有する押出ダイ900の切り欠き等角図である。外皮形成ピン467、469は、外皮の薄層間の結合を向上させるために放射状スロット463を有する。積層外皮内の粒子の良好な配向を維持するために、放射状スロット463の頻度は、第一の外皮形成スロット425でのマトリクススロット415の頻度より少ない。ここに用いたように、スロットの頻度は、第一の環状スロット425での単位長さ当たりのスロットの数を称する。例えば、マトリクススロット415が第一の環状スロット425と交差する場合、所定の距離に亘り10のマトリクススロット415があることがあり、同じ距離に亘り4つの放射状スロット463があることがある。そのマトリクスの形状により、マトリクススロット415は、所定の距離に亘り均一に分布していなくてもよい。放射状スロット463は、図9に均一に分布しているものとして示されているが、そのように限定される必要はない。例えば、外皮形成ピン467、469は、正方形ピン421のマトリクスについて、90°の方向よりも45°の方向で少ない放射状スロット463を有することがあり、または六角形ピン421のマトリクスについて、外皮形成ピン467、469は、60°の方向よりも30°の方向で少ない放射状スロット463を有することがある。外皮形成ピン467、469は、ここではリングとも称され、放射状スロット463は、外皮の薄層間の結合を向上させるために、様々な深さ465を有し得る。
図10は、本開示のいくつかの例示の実施の形態による、外周ピン467、469およびスロット425、429を示す、ダイ周囲に外皮形成領域を有する押出ダイ903の切り欠き等角図である。押出ダイ903は押出ダイ900と似ているが、押出ダイ903は六角形マトリクスピン421を有する。図10には示されていないが、最も外側のマトリクスピン435も、図2の外皮形成面221と同様に、ダイ903の中心から離れて角度付けられた、第一の環状リング423に面する側面の一部、および出口面431、433を有して、積層外皮のマトリクスに対する結合を可能にしても差し支えない。
図11は、これらの例示の実施の形態のいくつかによる、ダイ周囲の外皮形成領域にマスク441を有する、図10の押出ダイ903の切り欠き等角図である。マスク441は、外皮形成領域419において下にあるダイ903の構造を示すためだけに、透明に示されている。
図12は、本開示のいくつかの例示の実施の形態による、外周スロット913、915、917、919、921を示す、ダイ周囲に改造外皮形成体911を有する押出ダイ905の切り欠き等角図である。改造外皮形成体911は、図4および5を参照して先に記載された実施の形態と同様に、積層外皮を形成するために環状スロット913、915、917、919、921を画成する環状リング923、925、927、929を有する。それに加え、改造外皮形成体911は、バッチ材料を環状スロット913、915、917、919、921に供給するように構成された供給孔931、933を有する。
改造外皮形成体911は、ダイ本体939の対応する面937と接触する第一面935を有し得る。改造外皮形成体911は、ダイ本体939の対応する面943と接触する第二面941を有し得る。このようにして、改造外皮形成体911は、供給孔417が供給孔931、933と流体連通するようにダイ本体939にぴったりと合うことができる。改造外皮形成体911をダイ本体939に固定してバッチ材料の漏れを防ぐために、締め付け、ボルト締めなど(図示せず)を使用することができる。ダイ本体939は、ダイの供給孔417からバッチ材料を受け取り、バッチ材料を改造外皮形成体の供給孔931、933に供給するために、面937にチャンバ945を有しても差し支えない。
図13Aは、本開示のこれらの例示の実施の形態のいくつかによる、ダイ周囲に改造外皮形成体911を持たない図12の押出ダイ905の出口面411での上面図である。図13Bは、本開示のこれらの例示の実施の形態のいくつかによる、図12の改造外皮形成体911の出口面での上面図である。第二面941により画成された開口947は、ダイ905のマトリクスの周りにぴったりと合うように構成されている。図13Cは、本開示のこれらの例示の実施の形態のいくつかによる、図12の改造外皮形成体911の入口面での底面図である。
図14Aは、本開示のいくつかの例示の実施の形態による、未焼成押出製品における粒子配列を定量化するために使用される秩序パラメータとしてのS値を記載する説明図である。材料(未焼成押出基体の材料)にどれだけ秩序が存在しているかを定量化するために、秩序パラメータ(S)が、ここでは以下のように称される:
S=(1/2)<3cos2θ−1> 式(1)
式中、シータ(θ)は、所定の方向と各分子の長軸との間の角度である。山括弧は、試料中の分子の全てについての平均を表す。等方性液体において、コサインの項の平均はゼロであり、したがって、秩序パラメータはゼロと等しく、分子の完全に無作為な配向を示す。完全な結晶(全ての分子が同じ方向に整列している)について、秩序パラメータは1と評価される。図14Bは、S=0.7163である右側の試料「A2」よりも大きい粒子配列を有する左側のS=0.8958である試料「A1」の顕微鏡写真である。
図15は、S値分析のために選択された3つの区域を示す、マトリクス上に共押出しされた非積層外皮を有するハニカム体未焼成製品の断面の後方散乱走査型電子顕微鏡写真(SEM)画像である。図15のハニカム体未焼成製品を製造するために、外皮形成領域中に延在するマトリクススロットを有する図2に示されるようなダイを使用した。
図16は、本開示のいくつかの例示の実施の形態による、マトリクス上に共押出しされた積層外皮を有する別のハニカム体未焼成製品の断面の後方散乱SEM画像である。図16において、S値分析のために選択された3つの区域が示されている。図16のハニカム体未焼成製品を製造するために、外皮形成領域にいくつかの放射状に延在するスロットを有する図9に示されるようなダイを使用した。
図17は、本開示のいくつかの例示の実施の形態による、マトリクス上に共押出しされた積層外皮を有する別のハニカム体未焼成製品の断面の後方散乱SEM画像である。S値分析のために選択された3つの区域が図17に示されている。図17のハニカム体未焼成製品を製造するために、外皮形成領域に環状だけに延在するスロットを有する図4に示されるようなダイを使用した。
部品をさらに乾燥させるのに役立ち、油分のいくらかを除去して、エポキシ含浸過程に役立つために、4時間に亘り200℃で乾燥させられた部品から、研磨断面を調製した。試料を切断し、研磨して、各試料から別々の試験片を生成した。それらの試験片は、部品の開放面の断面に亘り研磨した。給電を減少させるために試料に導電性カーボンコーティングを蒸着させて、図15に示された比較例の試料(CS)、および図16(ES1)と図17(SE2)に示された実施例の試料(ES)の研磨断面を調製した。次いで、300倍の倍率で、20kVでZeiss(登録商標)1550VPによって、試料を解析した。
外皮中の粒子配列を観察するための広視野を得るために、Oxford InstrumentsのAztec EDS microanalysis(登録商標)ソフトウェアにおける大面積マッピング自動画像収集ソフトウェアパッケージを使用して、研磨試験片を300倍の倍率で撮像した。各試験片の貼り合わされた画像モンタージュが示されている。
S値パラメータを定量化するために、Media Cybernetics Image Pro Premier(登録商標)画像解析ソフトウェアを使用した。モンタージュ画像を分割して、より小さい粘土粒子から、より大きいタルク、シリカ、およびアルミナ粒子を分離する画像マスクを作成した。次に、マスクされた画像を使用して、基準の0°の水平画像軸から25μm2より大きい各粒子の長軸の度で表された角度を定量化した。各粒子の度で表された角度をラジアンに変換し、式(1)に定義されたようなS値パラメータを計算した。Microsoft Excel(登録商標)の記述統計学プログラムを使用して、平均S値パラメータを計算した。
S値の結果が、下記に、比較例の試料(CS)について表1に、実施例の試料1(ES1)について表2に、実施例の試料2(ES2)について表3に示されている。S値が低いほど、粒子配列はより無作為である。
試料間の粒子配列の度数にいくらかの差があることが分かった。積層外皮は、外皮とウェブの界面から離れた領域において改善された配向を与える。部品の長軸、すなわち、押出方向において粒子配列が大きく、部品の断面の配列は小さいことも分かった。顕微鏡写真の大きい暗い亀裂は、試料の製造に使用した低圧の実験用ダイの結果であった。しかしながら、CSの区域1および2について図15におけるこれらの亀裂の形状は、大きいウェブ影響区画を示す。これとは対照的に、ES1およびES2についての図16および17は、それぞれ、ほとんど亀裂を示さず、亀裂は外皮面に対して平行であり、ここに述べられた開示の例示の実施の形態の記載にしたがう、ずっと小さいウェブ影響区画を示す。
これらの例示の実施の形態のいくつかによれば、外皮の壁厚の50%超について秩序パラメータSは、0.4以上、例えば、0.45以上、またさらには0.5以上であり得る。さらに、外皮の壁厚の60%超について秩序パラメータSは、0.4以上、例えば、0.45以上、またさらには0.5以上であり得る。さらにもっと、外皮の壁厚の70%超について秩序パラメータSは、0.4以上、例えば、0.45以上、またさらには0.5以上であり得る。
本開示の例示の実施の形態によれば、外皮を形成するために環状スロットを画成する環状リングを有するダイにより生成される外皮は、セラミックハニカム体の使用中の加熱と冷却の最中のマトリクスと外皮との間の物理的熱膨張特性の不一致により以前に生じていた応力を減少させるまたはなくすことができる。オーブン熱衝撃試験におけるセラミックハニカム体の破損は、一般に、外皮に生じ、それでマトリクスにおけるように配向された粒子を有する、ここに開示されたようなマトリクス上に配置された一体積層外皮は、オーブン熱衝撃試験における破損温度を上昇させることができる。外皮とマトリクスとの間の熱膨張係数の改善された一致は、ハニカム体の耐熱衝撃性の改善をもたらすことができる。さらに、マトリクスにおけるように配向された粒子を有する、マトリクス上に配置された一体積層外皮を提供するためのここに開示された方法は、改善された外皮厚の均一性および改善されたハニカム体のアイソスタティック強度をもたらすことができる。
本開示の精神および範囲から逸脱せずに、開示された例示の実施の形態に、様々な改変および変更を行えることが、当業者に明白であろう。それゆえ、付随の特許請求の範囲は、本開示の改変および変更まで、それらが付随の特許請求の範囲およびその等価物の範囲内に入るという条件で、及ぶことが意図されている。
以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。
実施形態1
未焼成ハニカム体において、
第一の端面から第二の端面まで軸方向に延在する通路を形成する交差する壁のマトリクス、および
外周で前記マトリクス上に配置された、前記第一の端面から前記第二の端面まで延在する積層外皮、
を備え、
前記積層外皮の断面積の大半は、前記交差する壁と実質的に同じ、軸方向に揃えられた粒子から作られている、未焼成ハニカム体。
実施形態2
前記外皮の壁厚の50%超について秩序パラメータSが0.4以上であり、
S=(1/2)<3cos2θ−1>
式中、シータ(θ)は、所定の方向と各粒子の長軸との間の角度である、実施形態1に記載の未焼成ハニカム体。
実施形態3
前記秩序パラメータSが0.45以上である、実施形態1または2に記載の未焼成ハニカム体。
実施形態4
前記秩序パラメータSが0.5以上である、実施形態1から3いずれか1つに記載の未焼成ハニカム体。
実施形態5
多孔質セラミックハニカム体において、
第一の端面から第二の端面まで軸方向に延在する通路を形成する交差する壁のマトリクス、および
外周で前記マトリクス上に配置された、前記第一の端面から前記第二の端面まで延在する均一外皮、
を備え、
前記均一外皮の結晶構造の断面積の大半は、前記交差する壁と実質的に同じ、軸方向に揃えられたテクスチャを含む、多孔質セラミックハニカム体。
実施形態6
前記交差する壁が放射状通路を形成する、実施形態5に記載の多孔質セラミックハニカム体。
実施形態7
前記交差する壁が六角形通路を形成する、実施形態5または6に記載の多孔質セラミックハニカム体。
実施形態8
前記壁が前記外皮と接触するウェブ影響区画をさらに備え、該ウェブ影響区画が、前記外皮の厚さの約半分以下しか延在しない、実施形態5から7いずれか1つに記載の多孔質セラミックハニカム体。
実施形態9
前記ウェブ影響区画が、前記外皮の厚さの約三分の一以下しか延在しない、実施形態5から7いずれか1つに記載の多孔質セラミックハニカム体。
実施形態10
前記外皮の厚さが前記壁の厚さより大きい、実施形態5から9いずれか1つに記載の多孔質セラミックハニカム体。
実施形態11
前記壁の厚さが、0.001インチ(0.025mm)から0.012インチ(0.30mm)の範囲にある、実施形態5から10いずれか1つに記載の多孔質セラミックハニカム体。
実施形態12
前記外皮の厚さが0.004インチ(0.102mm)以上である、実施形態5から11いずれか1つに記載の多孔質セラミックハニカム体。
実施形態13
コージエライト、チタン酸アルミニウム、ムライト、β−スポジュメン、炭化ケイ素、ゼオライトの少なくとも1つをさらに含む、実施形態5から12いずれか1つに記載の多孔質セラミックハニカム体。
実施形態14
部分フィルタおよびフィルタの少なくとも一方を構成するために前記通路の少なくとも一部の中に配置された栓をさらに含む、実施形態5から13いずれか1つに記載の多孔質セラミックハニカム体。
実施形態15
前記外皮の熱膨張係数(CTE)が前記壁のCTE以上である、実施形態5から14いずれか1つに記載の多孔質セラミックハニカム体。
実施形態16
前記外皮の熱膨張係数(CTE)が15×10-7/K以下であり、前記壁のCTEが15×10-7/K以下である、実施形態5から15いずれか1つに記載の多孔質セラミックハニカム体。
実施形態17
前記外皮の熱膨張係数(CTE)が10×10-7/K以下であり、前記壁のCTEが10×10-7/K以下である、実施形態5から16いずれか1つに記載の多孔質セラミックハニカム体。
実施形態18
前記外皮の熱膨張係数(CTE)が15×10-7/K以下であり、前記壁のCTEが5×10-7/K以下である、実施形態5から17いずれか1つに記載の多孔質セラミックハニカム体。
実施形態19
前記ハニカム体のアイソスタティック強度が150psi(1.03MPa)超である、実施形態5から18いずれか1つに記載の多孔質セラミックハニカム体。
実施形態20
前記ハニカム体のアイソスタティック強度が500psi(3.45MPa)超である、実施形態5から19いずれか1つに記載の多孔質セラミックハニカム体。
実施形態21
ハニカム押出ダイにおいて、
複数の中央スロットおよび該中央スロットの外周に配置された外皮形成領域を含むダイ面を有するダイ本体、
を備え、前記外皮形成領域は複数の環状スロットを含み、前記中央スロットは前記複数の環状スロットの第一の環状スロットで終わっている、ハニカム押出ダイ。
実施形態22
前記中央スロットの厚さが、0.001インチ(0.0254mm)以上かつ0.014インチ(0.356mm)以下である、実施形態21に記載のハニカム押出ダイ。
実施形態23
前記環状スロットの各々の厚さが、0.001インチ(0.0254mm)以上かつ0.014インチ(0.356mm)以下である、実施形態21または22に記載のハニカム押出ダイ。
実施形態24
前記複数の環状スロットが少なくとも2つの環状スロットおよび5つ未満の環状スロットを含む、実施形態21から23いずれか1つに記載のハニカム押出ダイ。
実施形態25
前記ダイ本体が、
前記中央スロットと連通した中央供給孔、および
前記環状スロットと連通した外周供給孔、
をさらに有する、実施形態21から24いずれか1つに記載のハニカム押出ダイ。
実施形態26
前記中央スロットが、出口面まで軸方向に延在するマトリクスピンを画成し、前記環状スロットが、前記出口面まで軸方向に延在する環状リングを画成する、実施形態21から25いずれか1つに記載のハニカム押出ダイ。
実施形態27
前記マトリクスピンが、前記環状リングよりも軸方向に遠くに延在し、前記ダイ面と略平行な出口面を有し、該環状リングが、該マトリクスピンから離れて傾斜した出口面を有する、実施形態26に記載のハニカム押出ダイ。
実施形態28
前記環状リングの出口面が、前記ダイの出口面から0度以上かつ該ダイの出口面から60度以下の角度で前記マトリクスピンから離れて傾斜している、実施形態26または27に記載のハニカム押出ダイ。
実施形態29
前記中央スロットが放射状ピンを画成する、実施形態21から28いずれか1つに記載のハニカム押出ダイ。
実施形態30
前記中央スロットが六角形ピンを画成する、実施形態21から29いずれか1つに記載のハニカム押出ダイ。
実施形態31
前記環状リングが放射状スロットを画成し、該放射状スロットの頻度が、前記第一の環状スロットで前記中央スロットの頻度より少ない、実施形態21から30いずれか1つに記載のハニカム押出ダイ。
実施形態32
前記環状リングの前記放射状スロットの深さが、前記環状スロットの深さよりも小さい、実施形態31に記載のハニカム押出ダイ。
実施形態33
第一の端面から第二の端面まで軸方向に延在する通路を形成する交差する壁を含むセラミックハニカム体を製造する方法であって、
バッチ材料を、押出ダイの中央スロットに通して押し出してハニカムマトリクスを形成し、複数の環状スロットに通して押し出して前記ハニカムマトリクス上に外周外皮を形成する工程であって、前記中央スロットは、前記複数の環状スロットの第一の環状スロットで終わるものである工程、
を有してなり、
前記バッチ材料中の細長粒子は、前記中央スロットと前記環状スロットを通す押出中に、軸方向に揃えられる、方法。
実施形態34
前記細長粒子が、板および繊維の少なくとも一方を含む、実施形態33に記載の方法。
実施形態35
未焼成の前記ハニカム体を乾燥させる工程、乾燥した未焼成ハニカム体を焼成する工程をさらに含む、実施形態33または34に記載の方法。
実施形態36
前記バッチ材料が、焼成の際に、コージエライト、チタン酸アルミニウム、ムライト、β−スポジュメン、炭化ケイ素、およびゼオライトの少なくとも1つを形成する一種類以上の無機成分を含む、実施形態33から35いずれか1つに記載の多孔質セラミックハニカム体を製造する方法。
100、333 ハニカム体
112 通路
114、116 端面
118 中央セル構造、マトリクス
126、339、451 外皮
203、403、800、900、903、905 押出ダイ
207、407 ダイ本体
213、413 中央供給孔
215、415 中央スロット
217 外周供給孔
219、913、915、917、919、921 外周スロット
221 外皮形成面
331 板状粒子
337 壁
347 亀裂区画
417 外周供給孔
419 外皮形成領域
421 マトリクスピン
423 第一の環状リング
425 第一の環状スロット
427 第二の環状リング
429 第二の環状スロット
434 貯留部
441 マスク
467、469 外皮形成ピン、リング
911 改造外皮形成体
923、295、927、929 環状リング

Claims (5)

  1. 未焼成ハニカム体において、
    第一の端面から第二の端面まで軸方向に延在する通路を形成する交差する壁のマトリクス、および
    外周で前記マトリクス上に配置された、前記第一の端面から前記第二の端面まで延在する積層外皮、
    を備え、
    前記積層外皮の断面積の大半は、前記交差する壁と実質的に同じ、軸方向に揃えられた粒子から作られている、未焼成ハニカム体。
  2. 前記外皮の壁厚の50%超について秩序パラメータSが0.4以上であり、
    S=(1/2)<3cos2θ−1>
    式中、シータ(θ)は、各粒子の所定の方向と長軸との間の角度である、請求項1記載の未焼成ハニカム体。
  3. 多孔質セラミックハニカム体において、
    第一の端面から第二の端面まで軸方向に延在する通路を形成する交差する壁のマトリクス、および
    外周で前記マトリクス上に配置された、前記第一の端面から前記第二の端面まで延在する積層外皮、
    を備え、
    前記積層外皮の結晶構造の断面積の大半は、前記交差する壁と実質的に同じ、軸方向に揃えられたテクスチャを含む、多孔質セラミックハニカム体。
  4. ハニカム押出ダイにおいて、
    複数の中央スロットおよび該中央スロットの外周に配置された外皮形成領域を含むダイ面を有するダイ本体、
    を備え、前記外皮形成領域は複数の環状スロットを含み、前記中央スロットは前記複数の環状スロットの第一の環状スロットで終わっている、ハニカム押出ダイ。
  5. 第一の端面から第二の端面まで軸方向に延在する通路を形成する交差する壁を含むセラミックハニカム体を製造する方法であって、
    バッチ材料を、押出ダイの中央スロットに通して押し出してハニカムマトリクスを形成し、複数の環状スロットに通して押し出して前記ハニカムマトリクス上に外周外皮を形成する工程であって、前記中央スロットは、前記複数の環状スロットの第一の環状スロットで終わるものである工程、
    を有してなり、
    前記バッチ材料中の細長粒子は、前記中央スロットと前記環状スロットを通す押出中に、軸方向に揃えられる、方法。
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