JP2018523370A - フィードバックラッチ回路 - Google Patents
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Abstract
【選択図】 図5
Description
以下に本願発明の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[C1]
金属酸化膜半導体(MOS)デバイスであって、
1つのラッチフィードバックFで構成され、ラッチ入力IおよびラッチクロックCを受け取るように構成された第1のラッチを備え、前記第1のラッチは、Qを出力するように構成され、ここで、前記出力Qは、CF、IF、および
MOSデバイス。
[C2]
前記ラッチフィードバックFは、機能的に
[C3]
前記出力Qは、機能的に
[C4]
前記第1のラッチは、直列に積層されたトランジスタの第1のセットを備え、前記トランジスタの第1のセットは、少なくとも5つのトランジスタを備える、C1に記載のMOSデバイス。
[C5]
前記トランジスタの第1のセットは、少なくとも3つのp型MOS(pMOS)トランジスタと、少なくとも2つのn型MOS(nMOS)トランジスタとを備える、C4に記載のMOSデバイス。
[C6]
前記トランジスタの第1のセットの各トランジスタは、前記ラッチ入力I、前記ラッチクロックC、または反転ラッチクロック
[C7]
前記第1のラッチは、直列に積層されたトランジスタの第2のセットをさらに備え、前記トランジスタの第2のセットは、少なくとも3つのトランジスタを備える、C4に記載のMOSデバイス。
[C8]
前記トランジスタの第2のセットは、少なくとも2つのp型MOS(pMOS)トランジスタと、少なくとも1つのn型MOS(nMOS)トランジスタとを備える、C7に記載のMOSデバイス。
[C9]
前記トランジスタの第2のセットの各トランジスタは、前記ラッチフィードバックFまたは反転ラッチクロック
[C10]
前記第1のラッチは、並列のトランジスタの第3のセットをさらに備え、前記トランジスタの第3のセットは、前記トランジスタの第2のセットと直列に積層されている、C7に記載のMOSデバイス。
[C11]
前記トランジスタの第3のセットの各トランジスタは、前記ラッチ入力Iまたは前記ラッチクロックCのうちの一方に結合される、C10に記載のMOSデバイス。
[C12]
前記第1のラッチは、
第1のp型MOS(pMOS)トランジスタソースと、第1のpMOSトランジスタゲートと、第1のpMOSトランジスタドレインとを有する第1のpMOSトランジスタと、前記第1のpMOSトランジスタゲートは、前記ラッチ入力Iに結合される、
第2のpMOSトランジスタソースと、第2のpMOSトランジスタゲートと、第2のpMOSトランジスタドレインとを有する第2のpMOSトランジスタと、前記第2のpMOSトランジスタゲートは、反転ラッチクロック
第1のn型MOS(nMOS)トランジスタソースと、第1のnMOSトランジスタゲートと、第1のnMOSトランジスタドレインとを有する第1のnMOSトランジスタと、前記第1のnMOSトランジスタドレインは、前記第1のpMOSトランジスタドレインおよび前記第2のpMOSトランジスタドレインに結合される、
第2のnMOSトランジスタソースと、第2のnMOSトランジスタゲートと、第2のnMOSトランジスタドレインとを有する第2のnMOSトランジスタと、前記第2のnMOSトランジスタドレインは、前記第1のnMOSトランジスタソースに結合され、前記第2のnMOSトランジスタソースは、第1の電圧源に結合される、
を備え、
前記第1のnMOSトランジスタゲートは、前記ラッチ入力Iまたは前記反転ラッチクロック
C1に記載のMOSデバイス。
[C13]
前記第1のラッチは、
第3のpMOSトランジスタソースと、第3のpMOSトランジスタゲートと、第3のpMOSトランジスタドレインとを有する第3のpMOSトランジスタと、前記第3のpMOSトランジスタソースは、第2の電圧源に結合される、
第4のpMOSトランジスタソースと、第4のpMOSトランジスタゲートと、第4のpMOSトランジスタドレインとを有する第4のpMOSトランジスタと、前記第4のpMOSトランジスタソースは、前記第3のpMOSトランジスタドレインに結合され、前記第4のpMOSトランジスタドレインは、前記第1のpMOSトランジスタソースおよび前記第2のpMOSトランジスタソースに結合される、
をさらに備え、
前記第3のpMOSトランジスタゲートは、前記ラッチ入力Iまたは前記ラッチクロックCのうちの一方に結合され、前記第4のpMOSトランジスタゲートは、前記ラッチ入力Iまたは前記ラッチクロックCのうちの他方に結合される
C12に記載のMOSデバイス。
[C14]
前記第1のラッチは、
第3のnMOSトランジスタソースと、第3のnMOSトランジスタゲートと、第3のnMOSトランジスタドレインとを有する第3のnMOSトランジスタと、前記第3のnMOSトランジスタソースは、前記第1の電圧源に結合され、前記第3のnMOSトランジスタゲートは、前記ラッチ入力Iに結合される、
第4のnMOSトランジスタソースと、第4のnMOSトランジスタゲートと、第4のnMOSトランジスタドレインとを有する第4のnMOSトランジスタと、前記第4のnMOSトランジスタソースは、前記第1の電圧源に結合され、前記第4のnMOSトランジスタドレインは、前記第3のnMOSトランジスタドレインに結合され、前記第4のnMOSトランジスタゲートは、前記ラッチクロックCに結合される、
をさらに備える、C13に記載のMOSデバイス。
[C15]
前記第1のラッチは、
第5のpMOSトランジスタソースと、第5のpMOSトランジスタゲートと、第5のpMOSトランジスタドレインとを有する第5のpMOSトランジスタと、前記第5のpMOSトランジスタソースは、前記第2の電圧源に結合され、前記第5のpMOSトランジスタドレインは、前記第1のpMOSトランジスタソースおよび前記第2のpMOSトランジスタソースに結合され、前記第5のpMOSトランジスタゲートは、前記ラッチフィードバックFに結合される、
第5のnMOSトランジスタソースと、第5のnMOSトランジスタゲートと、第5のnMOSトランジスタドレインとを有する第5のnMOSトランジスタと、前記第5のnMOSトランジスタソースは、前記第3のnMOSトランジスタドレインおよび前記第4のnMOSトランジスタドレインに結合され、前記第5のnMOSトランジスタドレインは、前記第1のpMOSトランジスタドレインおよび前記第2のpMOSトランジスタドレインに結合され、前記第5のnMOSトランジスタゲートは、前記ラッチフィードバックFに結合される、
をさらに備える、C14に記載のMOSデバイス。
[C16]
前記第1のラッチは、第1のNANDゲート入力と、第2のNANDゲート入力と、NANDゲート出力とを有するNANDゲートをさらに備え、
前記第1のNANDゲート入力は、前記第1のpMOSトランジスタドレイン、前記第2のpMOSトランジスタドレイン、前記第1のnMOSトランジスタドレイン、および前記第5のnMOSトランジスタドレインに結合され、
前記第2のNANDゲート入力は、シフト入力に結合され、
前記NANDゲート出力は、前記ラッチフィードバックFである、
C15に記載のMOSデバイス。
[C17]
前記第1のラッチは、インバータ入力およびインバータ出力を有するインバータをさらに備え、
前記インバータ入力は、前記第1のpMOSトランジスタドレイン、前記第2のpMOSトランジスタドレイン、前記第1のnMOSトランジスタドレイン、および前記第5のnMOSトランジスタドレインに結合され、
前記インバータ出力は、前記ラッチフィードバックFである、
C15に記載のMOSデバイス。
[C18]
前記第1のラッチに結合された第2のラッチをさらに備え、前記第2のラッチは、スキャンモードではラッチとして、機能性モードではパルスラッチとして構成される、C1に記載のMOSデバイス。
[C19]
前記第2のラッチは、前記スキャンモードではスキャンクロックで、前記機能性モードではパルスクロックでクロックされるように構成され、前記パルスクロックは、前記スキャンクロックとは異なる、C18に記載のMOSデバイス。
[C20]
前記スキャンモード中、前記第1のラッチは、マスタラッチとして動作し、前記第2のラッチは、スレーブラッチとして動作する、C18に記載のMOSデバイス。
[C21]
前記第1のラッチは、前記デバイス内に広がる少なくとも8つのゲート相互接続を含む少なくとも8グリッドの幅を有する、C1に記載のMOSデバイス。
[C22]
前記少なくとも8つのゲート相互接続のうちの少なくとも5つのゲート相互接続の各々は、1つのp型MOS(pMOS)トランジスタと1つのn型MOS(nMOS)トランジスタとの間で共有される、C21に記載のMOSデバイス。
[C23]
金属酸化膜半導体(MOS)デバイスの方法であって、
第1のラッチにおいて、ラッチ入力IおよびラッチクロックCを受け取ることと、
前記第1のラッチにおいて、出力Qと、前記出力Qに基づく前記第1のラッチへの1つのラッチフィードバックFとを出力することと、前記ラッチフィードバックFは、前記出力Qの関数であり、前記出力Qは、CF、IF、および
を備える方法。
[C24]
前記ラッチフィードバックFは、機能的に
[C25]
前記出力Qは、機能的に
[C26]
前記第1のラッチは、直列に積層されたトランジスタの第1のセットを備え、前記トランジスタの第1のセットは、少なくとも5つのトランジスタを備える、C23に記載の方法。
[C27]
金属酸化膜半導体(MOS)デバイスであって、
第1のラッチにおいてラッチ入力IおよびラッチクロックCを受け取るための手段と、
前記第1のラッチにおいて、出力Qと、前記出力Qに基づく前記第1のラッチへの1つのラッチフィードバックFとを出力するための手段と、前記ラッチフィードバックFは、前記出力Qの関数であり、前記出力Qは、CF、IF、および
を備えるMOSデバイス。
[C28]
前記ラッチフィードバックFは、機能的に
[C29]
前記出力Qは、機能的に
[C30]
前記第1のラッチは、直列に積層されたトランジスタの第1のセットを備え、前記トランジスタの第1のセットは、少なくとも5つのトランジスタを備える、C27に記載のMOSデバイス。
Claims (30)
- 前記第1のラッチは、直列に積層されたトランジスタの第1のセットを備え、前記トランジスタの第1のセットは、少なくとも5つのトランジスタを備える、請求項1に記載のMOSデバイス。
- 前記トランジスタの第1のセットは、少なくとも3つのp型MOS(pMOS)トランジスタと、少なくとも2つのn型MOS(nMOS)トランジスタとを備える、請求項4に記載のMOSデバイス。
- 前記第1のラッチは、直列に積層されたトランジスタの第2のセットをさらに備え、前記トランジスタの第2のセットは、少なくとも3つのトランジスタを備える、請求項4に記載のMOSデバイス。
- 前記トランジスタの第2のセットは、少なくとも2つのp型MOS(pMOS)トランジスタと、少なくとも1つのn型MOS(nMOS)トランジスタとを備える、請求項7に記載のMOSデバイス。
- 前記第1のラッチは、並列のトランジスタの第3のセットをさらに備え、前記トランジスタの第3のセットは、前記トランジスタの第2のセットと直列に積層されている、請求項7に記載のMOSデバイス。
- 前記トランジスタの第3のセットの各トランジスタは、前記ラッチ入力Iまたは前記ラッチクロックCのうちの一方に結合される、請求項10に記載のMOSデバイス。
- 前記第1のラッチは、
第1のp型MOS(pMOS)トランジスタソースと、第1のpMOSトランジスタゲートと、第1のpMOSトランジスタドレインとを有する第1のpMOSトランジスタと、前記第1のpMOSトランジスタゲートは、前記ラッチ入力Iに結合される、
第2のpMOSトランジスタソースと、第2のpMOSトランジスタゲートと、第2のpMOSトランジスタドレインとを有する第2のpMOSトランジスタと、前記第2のpMOSトランジスタゲートは、反転ラッチクロック
第1のn型MOS(nMOS)トランジスタソースと、第1のnMOSトランジスタゲートと、第1のnMOSトランジスタドレインとを有する第1のnMOSトランジスタと、前記第1のnMOSトランジスタドレインは、前記第1のpMOSトランジスタドレインおよび前記第2のpMOSトランジスタドレインに結合される、
第2のnMOSトランジスタソースと、第2のnMOSトランジスタゲートと、第2のnMOSトランジスタドレインとを有する第2のnMOSトランジスタと、前記第2のnMOSトランジスタドレインは、前記第1のnMOSトランジスタソースに結合され、前記第2のnMOSトランジスタソースは、第1の電圧源に結合される、
を備え、
前記第1のnMOSトランジスタゲートは、前記ラッチ入力Iまたは前記反転ラッチクロック
請求項1に記載のMOSデバイス。 - 前記第1のラッチは、
第3のpMOSトランジスタソースと、第3のpMOSトランジスタゲートと、第3のpMOSトランジスタドレインとを有する第3のpMOSトランジスタと、前記第3のpMOSトランジスタソースは、第2の電圧源に結合される、
第4のpMOSトランジスタソースと、第4のpMOSトランジスタゲートと、第4のpMOSトランジスタドレインとを有する第4のpMOSトランジスタと、前記第4のpMOSトランジスタソースは、前記第3のpMOSトランジスタドレインに結合され、前記第4のpMOSトランジスタドレインは、前記第1のpMOSトランジスタソースおよび前記第2のpMOSトランジスタソースに結合される、
をさらに備え、
前記第3のpMOSトランジスタゲートは、前記ラッチ入力Iまたは前記ラッチクロックCのうちの一方に結合され、前記第4のpMOSトランジスタゲートは、前記ラッチ入力Iまたは前記ラッチクロックCのうちの他方に結合される
請求項12に記載のMOSデバイス。 - 前記第1のラッチは、
第3のnMOSトランジスタソースと、第3のnMOSトランジスタゲートと、第3のnMOSトランジスタドレインとを有する第3のnMOSトランジスタと、前記第3のnMOSトランジスタソースは、前記第1の電圧源に結合され、前記第3のnMOSトランジスタゲートは、前記ラッチ入力Iに結合される、
第4のnMOSトランジスタソースと、第4のnMOSトランジスタゲートと、第4のnMOSトランジスタドレインとを有する第4のnMOSトランジスタと、前記第4のnMOSトランジスタソースは、前記第1の電圧源に結合され、前記第4のnMOSトランジスタドレインは、前記第3のnMOSトランジスタドレインに結合され、前記第4のnMOSトランジスタゲートは、前記ラッチクロックCに結合される、
をさらに備える、請求項13に記載のMOSデバイス。 - 前記第1のラッチは、
第5のpMOSトランジスタソースと、第5のpMOSトランジスタゲートと、第5のpMOSトランジスタドレインとを有する第5のpMOSトランジスタと、前記第5のpMOSトランジスタソースは、前記第2の電圧源に結合され、前記第5のpMOSトランジスタドレインは、前記第1のpMOSトランジスタソースおよび前記第2のpMOSトランジスタソースに結合され、前記第5のpMOSトランジスタゲートは、前記ラッチフィードバックFに結合される、
第5のnMOSトランジスタソースと、第5のnMOSトランジスタゲートと、第5のnMOSトランジスタドレインとを有する第5のnMOSトランジスタと、前記第5のnMOSトランジスタソースは、前記第3のnMOSトランジスタドレインおよび前記第4のnMOSトランジスタドレインに結合され、前記第5のnMOSトランジスタドレインは、前記第1のpMOSトランジスタドレインおよび前記第2のpMOSトランジスタドレインに結合され、前記第5のnMOSトランジスタゲートは、前記ラッチフィードバックFに結合される、
をさらに備える、請求項14に記載のMOSデバイス。 - 前記第1のラッチは、第1のNANDゲート入力と、第2のNANDゲート入力と、NANDゲート出力とを有するNANDゲートをさらに備え、
前記第1のNANDゲート入力は、前記第1のpMOSトランジスタドレイン、前記第2のpMOSトランジスタドレイン、前記第1のnMOSトランジスタドレイン、および前記第5のnMOSトランジスタドレインに結合され、
前記第2のNANDゲート入力は、シフト入力に結合され、
前記NANDゲート出力は、前記ラッチフィードバックFである、
請求項15に記載のMOSデバイス。 - 前記第1のラッチは、インバータ入力およびインバータ出力を有するインバータをさらに備え、
前記インバータ入力は、前記第1のpMOSトランジスタドレイン、前記第2のpMOSトランジスタドレイン、前記第1のnMOSトランジスタドレイン、および前記第5のnMOSトランジスタドレインに結合され、
前記インバータ出力は、前記ラッチフィードバックFである、
請求項15に記載のMOSデバイス。 - 前記第1のラッチに結合された第2のラッチをさらに備え、前記第2のラッチは、スキャンモードではラッチとして、機能性モードではパルスラッチとして構成される、請求項1に記載のMOSデバイス。
- 前記第2のラッチは、前記スキャンモードではスキャンクロックで、前記機能性モードではパルスクロックでクロックされるように構成され、前記パルスクロックは、前記スキャンクロックとは異なる、請求項18に記載のMOSデバイス。
- 前記スキャンモード中、前記第1のラッチは、マスタラッチとして動作し、前記第2のラッチは、スレーブラッチとして動作する、請求項18に記載のMOSデバイス。
- 前記第1のラッチは、前記デバイス内に広がる少なくとも8つのゲート相互接続を含む少なくとも8グリッドの幅を有する、請求項1に記載のMOSデバイス。
- 前記少なくとも8つのゲート相互接続のうちの少なくとも5つのゲート相互接続の各々は、1つのp型MOS(pMOS)トランジスタと1つのn型MOS(nMOS)トランジスタとの間で共有される、請求項21に記載のMOSデバイス。
- 前記第1のラッチは、直列に積層されたトランジスタの第1のセットを備え、前記トランジスタの第1のセットは、少なくとも5つのトランジスタを備える、請求項23に記載の方法。
- 前記第1のラッチは、直列に積層されたトランジスタの第1のセットを備え、前記トランジスタの第1のセットは、少なくとも5つのトランジスタを備える、請求項27に記載のMOSデバイス。
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