JP2018519672A - 回路基板、並びに回路基板を製造するための方法 - Google Patents
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Abstract
Description
絶縁層と、該絶縁層と結合された導電層を提供するステップ、
導電層と絶縁層を貫通する少なくとも1つのチャンネルを作るステップ、
熱伝導材料を用いてチャンネルを被覆(内張り)するステップ、
導電層を、実装すべき電子部品用のコンタクト面に構造化するステップ、
コンタクト面と少なくとも最小の重なり合いではんだ堆積物(はんだ材料)を提供するステップ、
電子部品(ないし電気部品)を載置するステップ、
はんだを溶融し、冷却するステップ。
2 絶縁層
2’ 絶縁層
3 導電層
4 コンタクト面
5 はんだレジスト
6 コンタクト領域
7 凹部
8 チャンネル(Kanal)
9 はんだ堆積物(はんだデポジット)
10 溶融されたはんだの流れ
11 電子部品
12 コンタクトパッド
13 接着ポイント
即ち本発明の第1の視点により、絶縁層と、前記絶縁層上に配設され且つ回路基板上へ実装すべき電子部品用のコンタクト面に構造化された導電層とを含む、回路基板であって、前記回路基板は、前記コンタクト面の領域内において、前記コンタクト面と前記絶縁層を貫通する少なくとも1つのチャンネルを有し、前記チャンネルは、熱伝導材料で充填されていることを特徴とする回路基板が提供される。
更に本発明の第2の視点により、前記回路基板を製造するための方法であって、
少なくとも、以下のステップ、即ち、
絶縁層と、前記絶縁層と結合された導電層を提供するステップ、
前記導電層と前記絶縁層を貫通する少なくとも1つのチャンネルを作るステップ、
熱伝導材料を用いて少なくとも1つの前記チャンネルを被覆するステップ、
前記導電層を、実装すべき電子部品用の少なくとも1つのコンタクト面に構造化するステップ、
前記導電層上へはんだ堆積物を提供するステップ、但し、前記はんだ堆積物は、少なくとも1つの前記コンタクト面と少なくとも最小の重なり合いを有すること、
少なくとも1つの前記コンタクト面上へ前記電子部品を載置するステップ、
少なくとも1つの前記コンタクト面と前記電子部品を電気的に且つ機械的に接続するために前記はんだ堆積物を溶融し、引き続き冷却するステップ、
を含むことを特徴とする方法が提供される。
尚、本願の特許請求の範囲に付記されている図面参照符号は、専ら本発明の理解の容易化のためのものであり、図示の形態への限定を意図するものではないことを付言する。
(形態1)絶縁層と、前記絶縁層上に配設され且つ回路基板上へ実装すべき電子部品用のコンタクト面に構造化された導電層とを含む、回路基板であって、前記回路基板は、前記コンタクト面の領域内において、前記コンタクト面と前記絶縁層を貫通する少なくとも1つのチャンネルを有し、前記チャンネルは、熱伝導材料で充填されていること。
(形態2)前記回路基板において、前記回路基板は、前記コンタクト面の領域内において、前記コンタクト面と前記絶縁層を貫通し且つ互いに離間した複数のチャンネルを有し、前記チャンネルは、熱伝導材料で充填されていることが好ましい。
(形態3)前記回路基板において、前記コンタクト面は、前記チャンネルに沿って前記絶縁層の一方の面から他方の面へ案内されていることが好ましい。
(形態4)前記回路基板において、前記導電層は、前記回路基板上へ実装すべき電子部品用の複数のコンタクト面に構造化されており、これらの複数のコンタクト面の少なくとも1つにおいて、少なくとも1つの前記コンタクト面と、前記絶縁層を貫通する少なくとも1つのチャンネルが設けられていることが好ましい。
(形態5)前記回路基板において、前記コンタクト面は、熱拡散面として構成されていることが好ましい。
(形態6)前記回路基板において、少なくとも1つの前記チャンネルは、前記コンタクト面を越えて延在することが好ましい。
(形態7)前記回路基板において、前記熱伝導材料は、はんだ、特にSACはんだ、銀ナノペースト、熱伝導接着剤、サーマルインタフェースマテリアルから成るグループから選択されていることが好ましい。
(形態8)前記回路基板において、前記回路基板は、上下に交互に配設された複数の絶縁層と導電層を含むことが好ましい。
(形態9)前記回路基板において、少なくとも1つの前記チャンネルは、前記回路基板の一方の面において絶縁層を用いて閉鎖されていることが好ましい。
(形態10)前記回路基板において、前記チャンネルは、熱伝導材料で被覆されており、特に前記チャンネルの側面は、金属で、好ましくは銅でコーティングされていることが好ましい。
(形態11)前記回路基板において、はんだレジストが前記回路基板上へ施されており、少なくとも1つの前記コンタクト面は、前記電子部品のコンタクトのために用いられるコンタクト領域を含み、少なくとも1つの前記チャンネル並びに前記コンタクト領域は、空にされていることが好ましい。
(形態12)前記回路基板において、前記回路基板には、前記電子部品が前記回路基板の少なくとも1つの前記コンタクト面と電気的に接続されることにより、前記電子部品、特にLED、レーザダイオード、及び/又はSMD部品が実装されていることが好ましい。
(形態13)前記回路基板を製造するための方法であって、
少なくとも、以下のステップ、即ち、
絶縁層と、前記絶縁層と結合された導電層を提供するステップ、
前記導電層と前記絶縁層を貫通する少なくとも1つのチャンネルを作るステップ、
例えば電気めっきにより、特に銅コーティングを施すことにより、熱伝導材料を用いて少なくとも1つの前記チャンネルを被覆するステップ、
前記導電層を、実装すべき電子部品用の少なくとも1つのコンタクト面に構造化するステップ、
前記導電層上へはんだ堆積物を提供するステップ、但し、前記はんだ堆積物は、少なくとも1つの前記コンタクト面と少なくとも最小の重なり合いを有すること、
少なくとも1つの前記コンタクト面上へ前記電子部品を載置するステップ、
少なくとも1つの前記コンタクト面と前記電子部品を電気的に且つ機械的に接続するために前記はんだ堆積物を溶融し、引き続き冷却するステップ、
を含むこと。
(形態14)前記方法において、はんだ堆積物を提供するステップの前に、はんだレジストが前記回路基板上へ施され、少なくとも1つの前記コンタクト面は、前記電子部品のコンタクトのために用いられ且つ後に施すべきはんだ堆積物と重なり合うように配設されているコンタクト領域を含み、少なくとも1つの前記チャンネル並びに前記コンタクト領域は、空にされていることが好ましい。
(形態15)前記方法において、はんだ堆積物を提供するステップの前に、少なくとも1つの前記チャンネルは、熱伝導材料、特に、はんだ、特にSACはんだ、銀ナノペースト、熱伝導接着剤、サーマルインタフェースマテリアルから成るグループから選択される熱伝導材料で充填されることが好ましい。
(形態16)前記方法において、前記コンタクト面と前記絶縁層を貫通し且つ互いに離間した複数のチャンネルが作られることが好ましい。
(形態17)前記方法において、前記導電層は、前記回路基板上へ実装すべき電子部品用の複数のコンタクト面に構造化されており、これらの複数のコンタクト面の少なくとも1つにおいて、少なくとも1つの前記コンタクト面と、前記絶縁層を貫通する少なくとも1つのチャンネルが作られることが好ましい。
(形態18)前記方法において、少なくとも1つの前記チャンネルは、前記コンタクト面の領域を越えて延在されることが好ましい。
(形態19)前記方法において、前記はんだ堆積物は、SACはんだから成ることが好ましい。
Claims (19)
- 絶縁層(2)と、前記絶縁層(2)上に配設され且つ回路基板(1)上へ実装すべき電子部品(11)用のコンタクト面(4)に構造化された導電層(3)とを含む、回路基板であって、
前記回路基板(1)は、前記コンタクト面(4)の領域内において、前記コンタクト面(4)と前記絶縁層(2)を貫通する少なくとも1つのチャンネル(8)を有し、前記チャンネル(8)は、熱伝導材料で充填されていること
を特徴とする回路基板。 - 前記回路基板(1)は、前記コンタクト面(4)の領域内において、前記コンタクト面(4)と前記絶縁層(2)を貫通し且つ互いに離間した複数のチャンネル(8)を有し、前記チャンネル(8)は、熱伝導材料で充填されていること
を特徴とする、請求項1に記載の回路基板。 - 前記コンタクト面(4)は、前記チャンネル(8)に沿って前記絶縁層(2)の一方の面から他方の面へ案内されていること
を特徴とする、請求項1又は2に記載の回路基板。 - 前記導電層(3)は、前記回路基板(1)上へ実装すべき電子部品(11)用の複数のコンタクト面(4)に構造化されており、これらの複数のコンタクト面(4)の少なくとも1つにおいて、少なくとも1つの前記コンタクト面(4)と、前記絶縁層(2)を貫通する少なくとも1つのチャンネル(8)が設けられていること
を特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の回路基板。 - 前記コンタクト面(4)は、熱拡散面として構成されていること
を特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の回路基板。 - 少なくとも1つの前記チャンネル(8)は、前記コンタクト面(4)を越えて延在すること
を特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の回路基板。 - 前記熱伝導材料は、はんだ、特にSACはんだ、銀ナノペースト、熱伝導接着剤、サーマルインタフェースマテリアルから成るグループから選択されていること
を特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の回路基板。 - 前記回路基板(1)は、上下に交互に配設された複数の絶縁層(2、2’)と導電層(3)を含むこと
を特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載の回路基板。 - 少なくとも1つの前記チャンネル(8)は、前記回路基板(1)の一方の面において絶縁層(2’)を用いて閉鎖されていること
を特徴とする、請求項1〜8のいずれか一項に記載の回路基板。 - 前記チャンネル(8)は、熱伝導材料で被覆されており、特に前記チャンネル(8)の側面は、金属で、好ましくは銅でコーティングされていること
を特徴とする、請求項1〜9のいずれか一項に記載の回路基板。 - はんだレジストが前記回路基板(1)上へ施されており、少なくとも1つの前記コンタクト面(4)は、前記電子部品(11)のコンタクトのために用いられるコンタクト領域(6)を含み、少なくとも1つの前記チャンネル(8)並びに前記コンタクト領域(6)は、空にされていること
を特徴とする、請求項1〜10のいずれか一項に記載の回路基板。 - 前記回路基板(1)には、前記電子部品(11)が前記回路基板(1)の少なくとも1つの前記コンタクト面(4)と電気的に接続されることにより、前記電子部品(11)、特にLED、レーザダイオード、及び/又はSMD部品が実装されていること
を特徴とする、請求項1〜11のいずれか一項に記載の回路基板。 - 請求項12に記載の回路基板を製造するための方法であって、
少なくとも、以下のステップ、即ち、
絶縁層(2)と、前記絶縁層(2)と結合された導電層(3)を提供するステップ、
前記導電層(3)と前記絶縁層(2)を貫通する少なくとも1つのチャンネル(8)を作るステップ、
例えば電気めっきにより、特に銅コーティングを施すことにより、熱伝導材料を用いて少なくとも1つの前記チャンネル(8)を被覆するステップ、
前記導電層(3)を、実装すべき電子部品(1)用の少なくとも1つのコンタクト面(4)に構造化するステップ、
前記導電層(3)上へはんだ堆積物(9)を提供するステップ、但し、前記はんだ堆積物(9)は、少なくとも1つの前記コンタクト面(4)と少なくとも最小の重なり合いを有すること、
少なくとも1つの前記コンタクト面(4)上へ前記電子部品(11)を載置するステップ、
少なくとも1つの前記コンタクト面(4)と前記電子部品(11)を電気的に且つ機械的に接続するために前記はんだ堆積物(9)を溶融し、引き続き冷却するステップ、
を含むこと
を特徴とする方法。 - はんだ堆積物(9)を提供するステップの前に、はんだレジストが前記回路基板(1)上へ施され、少なくとも1つの前記コンタクト面(4)は、前記電子部品(11)のコンタクトのために用いられ且つ後に施すべきはんだ堆積物(9)と重なり合うように配設されているコンタクト領域(6)を含み、少なくとも1つの前記チャンネル(8)並びに前記コンタクト領域(6)は、空にされていること
を特徴とする、請求項13に記載の方法。 - はんだ堆積物(9)を提供するステップの前に、少なくとも1つの前記チャンネル(8)は、熱伝導材料、特に、はんだ、特にSACはんだ、銀ナノペースト、熱伝導接着剤、サーマルインタフェースマテリアルから成るグループから選択される熱伝導材料で充填されること
を特徴とする、請求項13又は14に記載の方法。 - 前記コンタクト面(4)と前記絶縁層(2)を貫通し且つ互いに離間した複数のチャンネル(8)が作られること
を特徴とする、請求項13〜15のいずれか一項に記載の方法。 - 前記導電層(3)は、前記回路基板(1)上へ実装すべき電子部品(11)用の複数のコンタクト面(4)に構造化されており、これらの複数のコンタクト面(4)の少なくとも1つにおいて、少なくとも1つの前記コンタクト面(4)と、前記絶縁層(2)を貫通する少なくとも1つのチャンネル(8)が作られること
を特徴とする、請求項13〜16のいずれか一項に記載の方法。 - 少なくとも1つの前記チャンネル(8)は、前記コンタクト面(4)の領域を越えて延在されること
を特徴とする、請求項1〜17のいずれか一項に記載の方法。 - 前記はんだ堆積物(9)は、SACはんだから成ること
を特徴とする、請求項13〜18のいずれか一項に記載の方法。
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