JP2018514943A - ３ｄコンフォーマル処理用原子層処理チャンバ - Google Patents

３ｄコンフォーマル処理用原子層処理チャンバ Download PDF

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Abstract

本明細書に記載の実施態様は、半導体基板上で材料層を形成又は処置する方法に関する。一実施態様では、原子層プロセスを実施する方法が、第１の温度で種を基板の表面に送達すること、その後、基板の表面を第２の温度までスパイクアニールして、種と基板の表面の分子との間の反応を生じさせること、を含む。第２の温度は第１の温度よりも高い。送達及びスパイクアニール処理を繰り返すことにより、基板の表面でコンフォーマル層が形成されるか、或いは基板表面でコンフォーマルエッチング処理が実施される。【選択図】図１

Description

本明細書に記載の実施態様は半導体製造プロセスに関する。より詳細には、半導体基板上で材料層を形成或いは処置する方法が開示される。
数十年前に登場して以来、半導体デバイスの形状はそのサイズにおいて劇的に縮小している。現代の半導体製造設備は、日常的に４５ｎｍ、３２ｎｍ、及び２８ｎｍの特徴サイズでデバイスを生産しており、１２ｎｍ未満の寸法を有するデバイスを作製すべく新しい設備が開発、実装されている。更に、性能が向上し電力消費が低減したデバイスを求めて、チップの構造が２次元（２Ｄ）から３次元（３Ｄ）構造へと転換期を迎えている。その結果、そのようなデバイスを形成すべく材料をコンフォーマル（共形）に堆積することがますます重要となっている。
材料をコンフォーマルに堆積して３Ｄ構造を形成することは高温で行われることがある。しかしながら、熱収支が抑制され寸法形状に対する要件が厳格化するなか、高温での熱処理は高度なデバイスノードには不適切である。熱収支を減らす場合、プラズマ又は光を用いて反応物の結合を予め切断することが実施され得る。しかしながら、一般に、プラズマ又は光で発生させたイオン又はラジカルによる処理は、プラズマシースが存在することと、プラズマを維持するには圧力が低い（典型的には約５Ｔｏｒｒ未満）ことから、３Ｄコンフォーマルではない。
従って、材料層を形成或いは処置する改善された方法が、当技術分野で求められている。
本明細書に記載の実施態様は、半導体基板上で材料層を形成又は処置する方法に関する。一実施態様で、方法は、基板の表面に種を送達することを含む。基板は第１の温度にあり、種は基板の表面に吸着する。方法は、基板の表面を第２の温度に加熱することを更に含み、第２の温度で種が基板の表面と反応する。方法は、送達及び加熱プロセスを繰り返すことを更に含む。
別の実施態様で、方法は、種を基板の表面に送達することを含む。基板は第１の温度にあり、種は基板の表面に吸着する。方法は、基板の表面を第２の温度に加熱することを更に含み、第２の温度で種が基板の表面に拡散する。方法は、送達及び加熱プロセスを繰り返すことを更に含む。
別の実施態様で、方法は、基板を処理チャンバ内に配置すること、及び、第１の種を基板の表面に送達することを含む。基板は第１の温度にあり、第１の種は基板の表面に吸着する。方法は、基板の表面に吸着していない余分な第１の種を除去すること、及び、基板の表面を第２の温度に加熱することを更に含む。第２の温度で、第１の種が基板の表面と反応する。方法は、送達及び加熱プロセスを繰り返すことを更に含む。
本開示の上述の特徴が詳細に理解されるよう、上記で概説した本開示のより具体的な説明が実施形態を参照することにより得られる。それら実施形態の幾つかは添付図面で示されている。しかしながら、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容し得るため、添付の図面は本開示の典型的な実施形態のみを示しており、従って本開示の範囲を限定するとみなすべきではないことに留意されたい。
様々な実施態様による処理シーケンスを示す。 一実施態様による処理シーケンスを示す。 一実施態様による処理シーケンスを示す。 一実施態様による処理シーケンスを示す。 別の実施態様による処理シーケンスを示す。 別の実施態様による処理シーケンスを示す。 別の実施態様による処理シーケンスを示す。 別の実施態様による処理シーケンスを示す。 別の実施態様による処理シーケンスを示す。 別の実施態様による処理シーケンスを示す。 一実施形態による処理チャンバの概略断面図を示す。 別の実施形態による処理チャンバの概略断面図を示す。 別の実施形態による処理チャンバの概略断面上面図である。
理解を容易にするために、可能な場合には、複数の図に共通する同一の要素を示すのに同一の参照番号を使用した。一実施形態で開示する要素は、具体的な記述がなくとも、他の実施形態で有益に利用できることが企図されている。
本明細書に記載の実施態様は、半導体基板上で材料層を形成又は処置する方法に関する。一実施態様では、原子層プロセスを実施する方法が、第１の温度で種を基板の表面に送達すること、その後、基板の表面を第２の温度までスパイクアニールして、種と基板の表面の分子との間の反応を生じさせること、を含む。第２の温度は第１の温度よりも高い。送達及びスパイクアニール処理を繰り返すことにより、基板の表面でコンフォーマル層が形成されるか、或いは基板表面でコンフォーマルエッチング処理が実施される。
図１は、様々な実施態様による処理シーケンス１００を示す。処理シーケンス１００は、基板の表面に対して実施される原子層プロセスであり得る。処理シーケンス１００はブロック１０２で開始される。ブロック１０２で、種が基板の表面に送達される。基板は、シリコン基板などの任意の適切な基板であり得、基板表面がケイ素分子を含み得る。ある実施態様では、酸化物層などの誘電体層が基板上に形成され得、基板表面が酸化物分子を含み得る。基板の表面は複数の特徴を含み得る。基板は処理チャンバ内に配置され得る。一実施態様で、処理チャンバが１つの処理ステーションを含む。別の実施態様では処理チャンバが２つの処理ステーションを含む。他の実施態様では、処理チャンバが処理ステーションを２つよりも多く含む。基板の表面に種を送達することは、２つ以上の処理ステーションを有する処理チャンバ内の１つの処理ステーションで実施され得る。
種は、一又は複数のガスもしくはラジカルなどの任意の適切な種であり得る。ラジカルは遠隔で形成されて基板表面に送達されてもよい。或いは、ラジカルが、処理チャンバに導入されたガスを励起することにより形成されてもよい。処理チャンバ内のガスを励起するのに用いられるプラズマ源は、容量結合プラズマ源、誘導結合プラズマ源、又はマイクロ波プラズマ源などの任意の適切なプラズマ源であり得る。基板が第１の温度まで加熱又は冷却されている間、種は、基板の表面に導入され得る。第１の温度で、種は基板表面上の分子と反応しない。代わりに、種は、表面が種で飽和するまで基板表面に吸着する。基板の第１の温度は、種を基板表面に吸着させるのに十分高く、種と基板表面上の分子との間の反応を避けるのに十分低い。第１の温度に起因する種と基板の表面上の分子との間の反応がないので、基板の表面における種の飽和は、自己制御プロセスである。
ブロック１０４で、基板上でスパイクアニール処理が実施される。スパイクアニール処理は、基板表面の温度を、基板の他の部分の温度を有意に上昇させることなく、第２の温度に急速に上昇させることができる。スパイクアニール処理は、同じ処理チャンバ内で基板に対し実施される。一実施態様で、処理チャンバは、２つの処理ステーションを含む。基板表面への種の送達は一方の処理ステーションで実施され、基板は、スパイクアニール処理が実施される他方の処理ステーションへ移送される。基板の表面に吸着していない余分な種を除去するために、基板表面への種の送達の後、スパイクアニール処理の前に、パージ処理が実施され得る。
滞留時間（ｄｗｅｌｌｉｎｇ ｔｉｍｅ）、すなわちレーザ又はフラッシュランプなどフラッシュ熱源で基板を加熱する時間は、約１マイクロ秒などの短時間であり得る。滞留時間が短くバルク基板の温度が有意に上昇しないので、冷却期間中にバルク基板を通じた熱の素早い放散が確保される。基板の表面において第２の温度から開始温度へ戻る冷却期間も、例えば約１０から１００マイクロ秒と短い。
基板の表面がセ氏１０００度超などの第２の温度に急速に加熱されると、飽和した基板表面に吸着した種が基板表面の分子との反応性を有するようになる。第２の温度は、セ氏約１０００度からセ氏約１３００度の範囲であり得る。一実施態様で、種が基板表面内に拡散される。別の実施態様では、種が基板表面の一部分を、基板表面の当該部分との生成物を形成することによって、コンフォーマルに破断する。更に別の実施態様では、第２の種が処理チャンバに導入され、第２の温度で、第２の種が基板表面上の種と反応して基板表面上にコンフォーマル層を形成する。
次に、ブロック１０６で、ブロック１０２及び１０４に記載のプロセスが繰り返される。ブロック１０２及び１０４に記載のプロセスの繰り返しの結果、コンフォーマル層が基板表面上に形成されるか、或いは基板表面に拡散される。或いは、ブロック１０２及び１０４に記載のプロセスを繰り返すことにより、表面の一部分をコンフォーマルに除去する。
図２Ａ〜２Ｃは、一実施態様による処理シーケンス１００を示す。図２Ａに示すように、基板（図示せず）の表面２０４は特徴２０２を含み得る。図２Ａに示すように、特徴２０２は二酸化ケイ素で作製されている。しかしながら、特徴２０２の材料は二酸化ケイ素に限定されなくてよい。ある実施態様では、特徴２０２がケイ素で作製されている。表面２０４を有する基板が、処理チャンバ内の基板支持体上に配置される。ある実施態様では、表面２０４を有する基板が、処理チャンバの第１の処理ステーションにおける基板支持体上に配置される。表面２０４は、表面２０４から任意の汚染物を除去するために洗浄処理で洗浄されていてもよい。洗浄処理は、ハロゲン系洗浄ガス又はラジカルなど、塩素又はフッ素系ガス又はラジカルなどを利用した洗浄処理など、任意の適切な洗浄処理であり得る。基板は、基板支持体に形成された温度制御デバイスにより、第１の温度に到達し得る。第１の温度は、種及び表面２０４の材料のタイプに基づき変化し得る。第１の温度は十分に低いので、種と表面２０４との間の反応はない。
図２Ｂに示すように、種２０６が、処理チャンバ又は処理チャンバの処理ステーションに導入される。種２０６は、表面２０４が種２０６で飽和するまで、表面２０４に吸着する。種は、一又は複数のガス又はラジカルなどの任意の適切な種であり得る。一実施態様で、種２０６はＮＨ＊ラジカルなどの窒素含有ラジカルである。別の実施態様で、種２０６は、ホウ素含有ガス又はホウ素含有ラジカルなどのホウ素含有種である。ホウ素含有ラジカルは、Ｂ＊、ＢＨｘ ＊、又は任意の適切なホウ素含有ラジカルであり得る。
一実施態様で、種２０６は、表面２０４を有する基板が配置された処理チャンバの処理領域に、ホウ素含有ガスを導入することによって形成される。ホウ素含有ガスは、Ｂ２Ｈ６などの任意の適切なホウ素含有ガスであり得る。ホウ素含有ガスは、容量結合プラズマ源、誘導結合プラズマ源、又はマイクロ波プラズマ源などのプラズマ源により活性化されて、種２０６を含有するプラズマを形成し得る。種２０６は、Ｂ＊又はＢＨｘ ＊などのホウ素含有ラジカルであり得、式中、ｘは１、２、又は３であり得る。別の実施態様で、種２０６は、表面２０４を有する基板が配置された処理チャンバに連結された遠隔プラズマ源にホウ素含有ガスを流入させることにより、形成される。ホウ素含有ガスは、Ｂ２Ｈ６などの任意の適切なホウ素含有ガスであり得る。ホウ素含有ガスは遠隔プラズマ源によって活性化され、種２０６を含有するプラズマを形成し得る。種２０６は、Ｂ＊又はＢＨｘ ＊などのホウ素含有ラジカルであり得、式中、ｘは１、２、又は３であり得る。種２０６を処理チャンバの処理領域に流入させる。
次に、図２Ｃに示すように、表面２０４の温度が急速に第２の温度まで上昇させられ、種２０６が表面２０４の分子との反応性を有するようになる。一実施態様で、種２０６が特徴２０２に拡散される。基板表面２０４の温度は、スパイクアニール処理によって急速に上昇し得る。スパイクアニール処理は同じ処理チャンバで実施され得る。ある実施態様では、基板が処理チャンバ内の第２の処理ステーションに移送され、スパイクアニール処理が第２の処理ステーションで実施されてもよい。図２Ｂ及び２Ｃに記載の処理を繰り返した結果、特徴２０２の部分２０８に窒化などの改質がなされる。
図３Ａ〜３Ｃは、別の実施態様による処理シーケンス１００を示す。図３Ａに示すように、基板（図示せず）の表面３０４は特徴３０２を含み得る。図３Ａに示すように、特徴３０２はケイ素で作製されている。しかしながら、特徴３０２の材料はケイ素に限定されなくてよい。表面３０４を有する基板が、処理チャンバ内の基板支持体上に配置される。ある実施態様では、表面３０４を有する基板が、処理チャンバの第１の処理ステーションにおける基板支持体上に配置される。基板は、基板支持体に形成された温度制御デバイスにより、第１の温度に到達し得る。第１の温度は、種及び表面３０４の材料のタイプに基づき変化し得る。第１の温度は十分に低いので、種と表面３０４との間の反応はない。
図３Ｂに示すように、種３０６が、処理チャンバ又は処理チャンバの処理ステーションに導入される。種３０６は、表面３０４が種３０６で飽和するまで、表面３０４に吸着する。種は、一又は複数のガス又はラジカルなどの任意の適切な反応性の種であり得る。一実施態様で、種３０６はＢｒ＊又は他のハロゲンラジカルである。
次に、図３Ｃに示すように、表面３０４の温度が急速に第２の温度まで上昇させられ、種３０６が表面３０４の分子との反応性を有するようになる。一実施態様で、種３０６、及び表面３０４のケイ素分子がＳｉＢｒｘなどの生成物３０８を形成し、生成物３０８は表面３０４から除去される。基板表面３０４の温度は、スパイクアニール処理によって急速に上昇し得る。スパイクアニール処理は同じ処理チャンバで実施され得る。ある実施態様では、基板が処理チャンバ内の第２の処理ステーションに移送され、スパイクアニール処理が第２の処理ステーションで実施されてもよい。図３Ｂ及び３Ｃに記載の処理を繰り返した結果、コンフォーマルエッチング処理が表面３０４上で実施され、特徴３０２の、実質的に均一な厚さを有する部分が除去され得る。
図４Ａ〜４Ｃは、別の実施態様による処理シーケンス１００を示す。図４Ａに示すように、基板（図示せず）の表面３０４は特徴３０２を含み得る。図４Ａに示すように、特徴３０２はケイ素で作製されている。しかしながら、特徴３０２の材料はケイ素に限定されなくてよい。表面３０４を有する基板が、処理チャンバ内の基板支持体上に配置される。ある実施態様では、表面３０４を有する基板が、処理チャンバの第１の処理ステーションにおける基板支持体上に配置される。基板は、基板支持体に形成された温度制御デバイスにより、第１の温度に到達し得る。第１の温度は、種及び表面３０４の材料のタイプに基づき変化し得る。第１の温度は十分に低いので、種と表面３０４との間の反応はない。
図４Ｂに示すように、種４０６が、処理チャンバ又は処理チャンバの処理ステーションに導入される。種４０６は、表面３０４が種４０６で飽和するまで、表面３０４に吸着する。種は、一又は複数のガス又はラジカルなどの任意の適切な種であり得る。一実施態様で、種４０６は、ＮＨ＊ラジカルもしくはアンモニアガスなどの窒素含有ラジカル又はガスである。
次に、図３Ｃに示すように、表面３０４の温度が急速に第２の温度まで上昇させられ、第２の種４０８が処理チャンバ又は処理チャンバの第２の処理ステーションに導入される。第２の種４０８はトリメチルシランであり得る。第２の温度で、種４０６が第２の種４０８に対し反応性を有するようになる。一実施態様で、種４０６及び第２の種４０８がＳｉＣＮなどの生成物を表面３０４上に形成する。基板表面３０４の温度は、スパイクアニール処理によって急速に上昇し得るので、表面３０４は第２の温度に達する。スパイクアニール処理は同じ処理チャンバで実施され得る。ある実施態様では、基板が処理チャンバ内の第２の処理ステーションに移送され、スパイクアニール処理が第２の処理ステーションで実施されてもよい。図４Ｂ及び４Ｃに記載の処理を繰り返した結果、コンフォーマル層が表面３０４上に形成され得る。コンフォーマル層はＳｉＣＮであり得る。
図５は、一実施形態による処理チャンバ５００の概略断面図を示す。処理シーケンス１００は処理チャンバ５００内で実施され得る。処理チャンバ５００は、処理領域５０７を画定する、底部５０２、側壁５０４、及び上部５０６を含む。処理領域５０７内に基板支持体５０８が配置され、基板５１２は基板支持体５０８上に配置され得る。加熱要素又は冷却チャネルなどの温度制御要素５１０が基板支持体５０８に形成され、基板５１２の温度を制御し得る。基板支持体５０８上方に、スパイクアニール処理を実施するためのフラッシュ熱源５１４が配置され得る。フラッシュ熱源５１４は、複数のレーザ又はフラッシュランプを含み得る。種注入ポート５１６が側壁５０４に形成され、種源５１８が種注入ポート５１６に接続され得る。先に述べた、種の基板表面への送達及びスパイクアニールのシーケンスが、処理チャンバ５００内で実施され得る。処理チャンバ５００は、処理領域５０７をパージするためにパージガス源（図示せず）に接続されたパージガス注入ポート（図示せず）を含み得る。
図６は、一実施形態による処理チャンバ６００の概略断面図を示す。処理シーケンス１００は処理チャンバ６００．内で実施され得る。処理チャンバ６００は、底部６０２、側壁６０４、及び上部６０６を含む。処理チャンバ６００内に仕切り６０８が配置され、２つの処理ステーション６１０，６１１を形成し得る。仕切り６０８は、物理的な仕切り 又はエアカーテンであり得る。第１の処理ステーション６１０は、基板支持体６１２、及び基板支持体６１２に埋め込まれた温度制御要素６１４を含み得る。温度制御要素６１４は、図５で示した温度制御要素５１０と同じであり得る。第１の処理ステーション６１０における側壁に種注入ポート６２２が形成され、種注入ポート６２２に種源６２４が連結され得る。第１の処理ステーション６１０は、処理ステーション６１０をパージするためにパージガス源（図示せず）に接続されたパージガス注入ポート（図示せず）を更に含み得る。
第２の処理ステーション６１１は、基板６１６を支持する基板支持体６１８を含み得る。基板支持体６１８は、温度制御要素６１４と同じ温度制御要素（図示せず）を含み得る。基板支持体６１８の上方にフラッシュ熱源６２０が配置され得る。フラッシュ熱源６２０は、図５で示したフラッシュ熱源５１４と同じであり得る。第２の処理ステーション６１１は、種注入ポート６２６を更に含み、種注入ポート６２６に種源６２８が連結され得る。種源６２８及び種注入ポート６２６は、基板６１６の表面に第２の種を送達するのに用いられ得る。基板６１６は、第１の処理ステーション６１０及び第２の処理ステーション６１１に動かされ、処理シーケンス１００が実施され得る。
図７は、幾つかの実施形態に係る装置７００の概略上面断面図である。処理チャンバ７００は、複数の処理ステーション７０２，７０４，７０６，７０８，７１０，７１２ （６つ示しているが６つに限定されない）を含み得る。各処理ステーション７０２，７０４，７０６，７０８，７１０，７１２は、基板（図示せず）を支持するための基板ホルダ７１４を含む。基板ホルダ７１４は、基板支持体７１６に形成され得る。基板支持体７１６は、基板ホルダ７１４上に配置された基板の温度を制御するための温度制御要素（図示せず）を含み得る。複数の処理ステーション７０２，７０４，７０６，７０８，７１０，７１２は、物理的な仕切り又はエアカーテンであり得る仕切り７１８で分離され得る。複数の処理ステーションのうち幾つかは、基板に第１の温度で種を送達することを実施可能であり、その他の処理ステーションは、スパイクアニール処理を実施可能であり得る。一実施態様で、基板の表面への種の送達は、処理ステーション７０２，７０６，７１０で実施される。基板の表面が種で飽和した後、基板支持体７１６が回転し、基板を処理ステーション７０４，７０８，７１２に配置して、ここでスパイクアニール処理が実施され得る。処理シーケンス１００を実施するために、基板支持体７１６が回転され、選択された処理ステーションに基板を配置し得る。
これまでの記述は、幾つかの実施形態を対象としているが、その基本的な範囲から逸脱しなければ他の実施形態及び更なる実施形態が考案されてよく、その範囲は、下記の特許請求の範囲によって定められる。

Claims (15)

  1. 基板の表面に種を送達することであって、前記基板が第１の温度にあり、前記種が前記基板の前記表面に吸着すること、
    前記基板の前記表面を第２の温度に加熱することであって、前記第２の温度で前記種が前記基板の前記表面と反応すること、及び
    前記送達するプロセスと前記加熱するプロセスとを繰り返すこと
    を含む、方法。
  2. 前記第２の温度が前記第１の温度よりも高く、前記第２の温度がセ氏約１０００度からセ氏約１３００度の範囲である、請求項１に記載の方法。
  3. 前記種がラジカルを含む、請求項１に記載の方法。
  4. 前記種が一又は複数のガスを含む、請求項１に記載の方法。
  5. 前記種がハロゲンラジカル、又は、窒素含有ラジカルもしくはガスを含む、請求項１に記載の方法。
  6. 前記種がハロゲンラジカルであり、前記基板の前記表面がケイ素を含み、前記第２の温度で前記ハロゲンラジカルがケイ素と反応して生成物を生成し、前記生成物が前記基板の前記表面から除去される、請求項５に記載の方法。
  7. 前記送達するプロセスと前記加熱するプロセスとを繰り返すことがコンフォーマルエッチング処理である、請求項６に記載の方法。
  8. 基板の表面に種を送達することであって、前記基板が第１の温度にあり、前記種が前記基板の前記表面に吸着すること、
    前記基板の前記表面を第２の温度に加熱することであって、前記第２の温度で前記種が前記基板の前記表面に拡散すること、及び
    前記送達するプロセスと前記加熱するプロセスとを繰り返すこと
    を含む、方法。
  9. 前記第２の温度が前記第１の温度よりも高く、前記第２の温度がセ氏約１０００度からセ氏約１３００度の範囲である、請求項８に記載の方法。
  10. 前記種がラジカルを含む、請求項８に記載の方法。
  11. 前記種が窒素含有ラジカル又はホウ素含有ラジカルを含む、請求項１０に記載の方法。
  12. 前記基板の前記表面が二酸化ケイ素又はケイ素を含む、請求項１１に記載の方法。
  13. 前記送達するプロセスと前記加熱するプロセスとを繰り返すことが窒化処理である、請求項１２に記載の方法。
  14. 基板を処理チャンバ内に配置すること、
    前記基板の表面に種を送達することであって、前記基板が第１の温度にあり、前記基板の前記表面に吸着すること、
    前記基板の前記表面に吸着していない余分な種を除去すること、
    前記基板の前記表面を第２の温度に加熱することであって、前記第２の温度が前記第１の温度よりも高く、前記第２の温度で前記種が前記基板の前記表面と反応すること、及び
    前記送達するプロセスと前記加熱するプロセスとを繰り返すこと
    を含む、方法。
  15. 前記種を前記基板の前記表面に送達することが、前記処理チャンバの第１の処理ステーションで実施され、前記基板の前記表面を加熱することが、前記処理チャンバの第２の処理ステーションで実施される、請求項１４に記載の方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020027926A (ja) * 2018-08-17 2020-02-20 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10573532B2 (en) 2018-06-15 2020-02-25 Mattson Technology, Inc. Method for processing a workpiece using a multi-cycle thermal treatment process
JP7018849B2 (ja) * 2018-08-17 2022-02-14 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5024724A (en) * 1987-03-27 1991-06-18 Sanyo Electric Co., Ltd. Dry-etching method
JPH01103840A (ja) * 1987-10-16 1989-04-20 Sanyo Electric Co Ltd ドライエツチング方法
JPH01289121A (ja) * 1988-05-16 1989-11-21 Nec Corp ３‐５族化合物半導体のデジタルエッチング方法
JP3184988B2 (ja) * 1991-12-10 2001-07-09 科学技術振興事業団 結晶面異方性ドライエッチング方法
US6143082A (en) * 1998-10-08 2000-11-07 Novellus Systems, Inc. Isolation of incompatible processes in a multi-station processing chamber
US6450116B1 (en) * 1999-04-22 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Apparatus for exposing a substrate to plasma radicals
US6303518B1 (en) * 1999-09-30 2001-10-16 Novellus Systems, Inc. Methods to improve chemical vapor deposited fluorosilicate glass (FSG) film adhesion to metal barrier or etch stop/diffusion barrier layers
US6686298B1 (en) * 2000-06-22 2004-02-03 Micron Technology, Inc. Methods of forming structures over semiconductor substrates, and methods of forming transistors associated with semiconductor substrates
KR20020083767A (ko) * 2001-04-30 2002-11-04 주식회사 하이닉스반도체 선택적 에피택셜 성장 공정에서의 기판 세정 방법
US7172792B2 (en) * 2002-12-20 2007-02-06 Applied Materials, Inc. Method for forming a high quality low temperature silicon nitride film
US7056773B2 (en) * 2004-04-28 2006-06-06 International Business Machines Corporation Backgated FinFET having different oxide thicknesses
US7629267B2 (en) * 2005-03-07 2009-12-08 Asm International N.V. High stress nitride film and method for formation thereof
US20070281082A1 (en) * 2006-06-02 2007-12-06 Nima Mokhlesi Flash Heating in Atomic Layer Deposition
US7416989B1 (en) * 2006-06-30 2008-08-26 Novellus Systems, Inc. Adsorption based material removal process
US7837790B2 (en) * 2006-12-01 2010-11-23 Applied Materials, Inc. Formation and treatment of epitaxial layer containing silicon and carbon
JP5564311B2 (ja) * 2009-05-19 2014-07-30 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び基板の製造方法
US8748259B2 (en) * 2010-03-02 2014-06-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for single step selective nitridation
US20130196078A1 (en) * 2012-01-31 2013-08-01 Joseph Yudovsky Multi-Chamber Substrate Processing System
US20130344688A1 (en) * 2012-06-20 2013-12-26 Zhiyuan Ye Atomic Layer Deposition with Rapid Thermal Treatment
SG11201506367TA (en) * 2013-03-15 2015-09-29 Applied Materials Inc Apparatus and methods for pulsed photo-excited deposition and etch
CN107833848B (zh) * 2013-04-30 2021-12-07 应用材料公司 具有空间分布的气体通道的气流控制衬垫
US9929014B2 (en) * 2013-11-27 2018-03-27 Entegris, Inc. Dopant precursors for mono-layer doping
US9401273B2 (en) * 2013-12-11 2016-07-26 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials
US9425041B2 (en) * 2015-01-06 2016-08-23 Lam Research Corporation Isotropic atomic layer etch for silicon oxides using no activation

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020027926A (ja) * 2018-08-17 2020-02-20 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP7065728B2 (ja) 2018-08-17 2022-05-12 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置

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