JP2018511928A - 3d集積回路のための重畳ブロックおよび複製されたピンを用いた知的財産ブロック設計 - Google Patents
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Abstract
Description
112 第1のティア
114 第2のティア
120a〜120e ブロック
130 3Dブロック
132 矢印
600 既存の2D IPブロック
605 線
600_top 頂部ティア
600_bot 底部ティア
640 位置
640_top 位置
640_bot 位置
650 ブロック内TSV
700 2Dロードストアユニット、2D LSU
700_top 頂部ティア
700_bot 底部ティア
710 能動要素
720 能動要素
730 能動要素
742_top 行
744_top 行
746_top 行
748_top 行
742_bot 行
744_bot 行
746_bot 行
748_bot 行
Claims (21)
- 集積回路を設計するための方法であって、
複数のティアを有する3次元(3D)ブロックになるように1つまたは複数の回路構成要素を有する2次元(2D)ブロックを重畳するステップであって、前記重畳された2Dブロック内の前記1つまたは複数の回路構成要素は、前記3Dブロック内の前記複数のティア間に分布する、ステップと、
前記3Dブロック内の前記複数のティアにわたって1つまたは複数のピンを複製するステップと、
前記3Dブロック内部に配置された1つまたは複数のブロック内シリコン貫通ビア(TSV)を使用して前記1つまたは複数の複製されたピンを接続するステップと
を備える、方法。 - 1つまたは複数の他のブロックに関連するティア配置に応じて、前記集積回路内の前記1つまたは複数の他のブロックを、前記複製されたピンのうちの1つに接続するステップ
をさらに備える、請求項1に記載の方法。 - 前記3Dブロックおよび前記1つまたは複数の他のブロックを、前記集積回路に関連するフルチップデザインに詰め込むように3Dフロアプランニングを実行するステップ
をさらに備える、請求項2に記載の方法。 - 前記フルチップデザイン内の総ワイヤ長および専有面積を最小化するために前記3Dブロック内の前記複数のティアにわたって複製するのに前記1つまたは複数のピンを選択するステップ
をさらに備える、請求項3に記載の方法。 - 前記1つまたは複数のブロック内TSVが、前記1つまたは複数の複製されたピンの間の垂直接続を提供する、請求項1に記載の方法。
- 前記2Dブロックおよび前記3Dブロックが、知的財産(IP)ブロックを備える、請求項1に記載の方法。
- 前記3Dブロックになるように前記2Dブロックを重畳するステップが、
前記複数のティアになるように前記2Dブロックを区分化することと、
前記3Dブロック内の前記複数のティア間に前記重畳された2Dブロック内の前記1つまたは複数の回路構成要素を分布させ、かつ前記3Dブロック内の前記複数のティア間に分布する前記1つまたは複数の回路構成要素を相互接続するために、前記2Dブロック内の前記1つまたは複数の回路構成要素に関連する配置およびルーティングを再実装することと
をさらに備える、請求項1に記載の方法。 - 前記再実装された配置および前記再実装されたルーティングに応じて前記3Dブロック内の前記複数のティアにわたって利用可能な共有空間を決定するステップと、
前記3Dブロック内の前記複数のティアにわたって利用可能な前記共有空間に応じて前記1つまたは複数の複製されたピンを配置するステップと
をさらに備える、請求項7に記載の方法。 - 複数のティアと、
前記複数のティアにわたって分布する1つまたは複数の回路構成要素と、
前記複数のティアにわたって複製される1つまたは複数のピンと
を備える、3次元(3D)知的財産ブロック。 - 前記3D知的財産ブロック内部に配置された1つまたは複数のシリコン貫通ビアであって、前記複数のティアにわたって複製される前記1つまたは複数のピンを接続する、1つまたは複数のシリコン貫通ビア
をさらに備える、請求項9に記載の3D知的財産ブロック。 - 前記1つまたは複数のシリコン貫通ビアが、前記1つまたは複数の複製されたピンの間の垂直接続を提供する、請求項10に記載の3D知的財産ブロック。
- 前記複数のティアにわたって複製される前記1つまたは複数のピンが、前記3D知的財産ブロックを含む3D集積回路内の総ワイヤ長および専有面積を最小化するために選択される、請求項9に記載の3D知的財産ブロック。
- 前記3D知的財産ブロックが、前記3D知的財産ブロック内の前記複数のティア間に前記1つまたは複数の回路構成要素を分布させかつ相互接続するために、前記複数のティアに重畳されかつ再実装された2次元(2D)知的財産ブロックを備える、請求項9に記載の3D知的財産ブロック。
- 前記1つまたは複数の複製されたピンが、前記複数のティアにわたって利用可能な共有空間に応じて前記3D知的財産ブロック内に配置される、請求項9に記載の3D知的財産ブロック。
- 複数のティアにわたって分布する1つまたは複数の回路構成要素と、前記複数のティアにわたって複製される1つまたは複数のピンとを有する少なくとも1つの3Dブロックと、
前記複数のティアのうちの1つの上に配置された少なくとも1つの追加のブロックであって、前記少なくとも1つの追加のブロックが配置される前記少なくとも1つのティアに応じて前記少なくとも1つの3Dブロック内の前記複製されたピンのうちの1つに接続される、少なくとも1つの追加のブロックと
を備える、3次元(3D)集積回路。 - 前記少なくとも1つの3Dブロックが、前記少なくとも1つの3Dブロック内の前記複数のティアにわたって複製される前記1つまたは複数のピンを接続する1つまたは複数のブロック内シリコン貫通ビアをさらに備える、請求項15に記載の3D集積回路。
- 前記少なくとも1つの3Dブロック内の前記複数のティアにわたって複製される前記1つまたは複数のピンが、前記3D集積回路に関連する総ワイヤ長および専有面積を最小化するために選択される、請求項15に記載の3D集積回路。
- 前記少なくとも1つの3Dブロックが、前記複数のティア間に前記1つまたは複数の回路構成要素を分布させかつ相互接続するために、前記複数のティアに重畳されかつ再実装された2次元(2D)ブロックを備える、請求項15に記載の3D集積回路。
- 前記1つまたは複数の複製されたピンが、前記複数のティアにわたって利用可能な共有空間に応じて前記少なくとも1つの3Dブロック内に配置される、請求項15に記載の3D集積回路。
- 前記3Dブロックまたは前記少なくとも1つの追加のブロックのうちの少なくとも1つが、知的財産(IP)ブロックを備える、請求項15に記載の3D集積回路。
- 前記少なくとも1つの追加のブロックが、2次元(2D)ブロックまたは第2の3Dブロックのうちの1つまたは複数を備える、請求項15に記載の3D集積回路。
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