JP2018510836A - 新規ガラス - Google Patents

新規ガラス Download PDF

Info

Publication number
JP2018510836A
JP2018510836A JP2017550137A JP2017550137A JP2018510836A JP 2018510836 A JP2018510836 A JP 2018510836A JP 2017550137 A JP2017550137 A JP 2017550137A JP 2017550137 A JP2017550137 A JP 2017550137A JP 2018510836 A JP2018510836 A JP 2018510836A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass
less
zro
composition
strain point
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017550137A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6655629B2 (ja
JP2018510836A5 (ja
Inventor
ジェイムズ ホースリー マーティン
ジェイムズ ホースリー マーティン
テイラー ショナ
テイラー ショナ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pilkington Group Ltd
Original Assignee
Pilkington Group Ltd
Pilkington PLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pilkington Group Ltd, Pilkington PLC filed Critical Pilkington Group Ltd
Publication of JP2018510836A publication Critical patent/JP2018510836A/ja
Publication of JP2018510836A5 publication Critical patent/JP2018510836A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6655629B2 publication Critical patent/JP6655629B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00Glass compositions
    • C03C3/04Glass compositions containing silica
    • C03C3/076Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/083Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
    • C03C3/085Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
    • C03C3/087Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal containing calcium oxide, e.g. common sheet or container glass
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C4/00Compositions for glass with special properties
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03923Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including AIBIIICVI compound materials, e.g. CIS, CIGS
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03925Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including AIIBVI compound materials, e.g. CdTe, CdS
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048Encapsulation of modules
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048Encapsulation of modules
    • H01L31/0481Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048Encapsulation of modules
    • H01L31/0488Double glass encapsulation, e.g. photovoltaic cells arranged between front and rear glass sheets
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264Inorganic materials
    • H01L31/0296Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264Inorganic materials
    • H01L31/032Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0322Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541CuInSe2 material PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

以下の酸化物(重量パーセント):SiO2を61〜70%、Al2O3を0〜9%、Na2Oを10〜13%、K2Oを0〜1%、MgOを2〜6%、CaOを6〜16%、SrOを0〜1%、ZrO2を2〜15%、TiO2を0〜1%を含む、組成を有するガラスが開示される。ガラスは、570℃超の歪み点及び高温での良好な寸法安定性を有し得、それらを高温で加工される防火用グレージング及び基板、例えば、ディスプレイパネル用基板、情報記憶ディスク、ならびに光起電力電池を含む半導体デバイスに対して好適なものにする。ガラスの物理的特性、例えば熱膨脹率、密度、及び屈折率が、溶融温度及び液相線温度と同様に開示される。ガラスは、フロートプロセスによる製造に好適であり、シートの形態で板ガラスを産生する。

Description

本発明はガラスに関し、より詳細には、新規のガラス、新規のガラス組成物、及び該新規のガラス組成物から構成される基板に関する。新規のガラス組成物は、ソーダライムシリカガラスであるが、既知のソーダライムシリカガラス、特にフロートプロセスによって板ガラスを生成するために常用されるソーダライムシリカガラスと比較して、比較的高い歪み点を有する。したがって、本発明の新規のガラスは、高温で良好な寸法安定性を必要とする用途、例えば、高温で加工するための防火用グレージング及び基板に適している。基板は、他の用途の中でも、コーティングの堆積及びディスプレイパネル、ディスク、例えば、磁気記録ディスク、光起電力電池、特に太陽電池を含む半導体デバイスの製造に適している。
通常のソーダライムシリカガラス(すなわち、建物及び車両用の窓及び他のグレージングに対して常用されるソーダライムシリカガラス組成物)は、上記の用途の多くに対して室温で好適な特性を有するが、この用途は、高温、すなわち、歪み点、またはアニーリング点、またはさらにガラスの軟化点を超える温度でのガラスの加工を必要とし得る。このような高温でガラスを加工することは、ガラス中の永続的な内部応力の生成をもたらし、ガラスの歪みまたは破損を引き起こす。ガラスは、加工中に歪んだりまたは変形したりすることさえあり得る。その結果、高温加工により適している、すなわち、比較的高い歪み点を有することによって、改善された高温安定性を所有するガラスを提供するための試みが行われてきた。
常用されるソーダライムフロートガラスの歪み点(ガラスの粘度が1014.5ポアズである温度として定義され、Tlog14.5ポアズと表される)は、正確な組成に応じて、約510℃〜540℃の領域である。しかしながら、より高い歪み点を有する多くのガラスが知られている。高い歪み点を有するガラスの1つのグループは、いわゆる無アルカリガラスである。都合の悪いことに、これらのガラスは、フラックスとして作用するアルカリが不足しているために、生成するのが困難かつ高価である。これらのガラスの多くは、フロートプロセスによる形成に対しても不適当である。代替的な形成プロセスの使用は、一般に、さらにコストを増し、表面の劣悪な平坦度または平滑度がもたらされる場合がある。無アルカリガラスに関するさらなる問題は、無アルカリガラスが極めて低い熱膨張率を有する傾向があるということであり、このことは、無アルカリガラスをいくつかの用途にとって不適当にする。
比較的高い歪み点を有するガラスの別のグループは、一般的なまたは「通常の」ソーダライムシリカフロートガラスと比較して、増加したカリ及び減少したソーダを含有する。都合の悪いことに、高カリガラスは、フロートプラントにおいて一般に用いられるオープン再生炉において生成するのがそれ自体困難であり、その理由は、高カリガラスは、このような炉中で精製するのが困難になり得るためである。
一般的なフロートガラスよりも高い歪み点を有するソーダライムシリカガラス組成物を提供するための多くの試みが行われてきた。US5,599,754は、平坦なディスプレイパネル、特にプラズマディスプレイパネルに有用な基板用ガラス組成物を開示している。特許請求する組成物組は、6〜9%のSrOを含有し、これは、高価であり、かつこれらの比較的高いレベルで使用されるとき、原材料のコストを著しく増大させる。
US6,905,991は、比較的低いレベルのソーダ(2〜8%のNaO)及び比較的高いレベルのカリ(0〜8%であるが、実施例のすべては、少なくとも3.5%のKOを含有する)を含有するソーダライムシリカガラス組成物の例である。得られたガラスは、耐火性グレージングパネルを生成するために、またはディスプレイパネル用基板のために使用されてもよい。
WO98/49111は、プラズマディスプレイパネル用ガラス組成物を開示しており、該ガラスは、プラズマディスプレイパネル用の以前のガラスよりも低い密度を有する。ガラス中の総アルカリ土類金属酸化物中に含まれるBaO及びSrOの総量は、1〜8%の範囲である。やはり、これらの酸化物は、高価である。
US6,087,284は、ディスプレイ技術での使用に好適なアルミノシリケートガラスに関する。本特許は、高い遷移温度、低密度を有し、ソラリゼーション安定性であるガラスを見出そうとするものである。好ましくは、ガラスは、多くとも微量または全くMgOを含有しない。その結果、それは、通常または一般的なフロートガラスの組成物からかなり外れていることを表す。
US7,273,668は、化学強化にとって好適な高耐熱性を有するガラス組成物に関する。組成物は、磁気記録媒体、例えばハードディスクデバイス用ガラス基板を生成するために使用されてもよい。都合の悪いことに、このガラスは、失透する傾向があり、これは、製造を困難にし、収率を低下させる可能性がある。
KR2009 0111680Aは、ディスプレイパネル用ガラス組成物を開示しており、反応性及び電極パターンの故障率を改善しようとするものである。
JP2010 143790Aは、不用なガラスを効率的に再利用することができる、太陽電池用ガラス基板を生成するための方法を開示している。不用なガラスは、ガラス原材料の一部として使用され、その後、それはガラス溶融炉中で溶融され、ガラス基板に形成される。
US8,828,897は、高い熱安定性及び低い加工温度を有するアルミノシリケートガラスに関する。ガラスは、光起電力用途及び他のソーラー技術用途のための基板ガラス、スーパーストレートガラス、及び/またはカバーガラスとして使用されてもよい。
US8,895,463は、太陽電池、例えばCu−In−Ga−Se(「CIGS)太陽電池用ガラス基板に関する。本発明のガラス組成物は、一般的なソーダライムシリカガラスから著しく逸脱し、ソーダが低くカリが高い。
US2013/0306145A1は、CIGS太陽電池用ガラス基板にも関し、やはり、ガラス組成物は、ソーダが低くカリが高い。
US2013/0313671A1は、太陽電池、例えば、CdTeまたはCIGS電池用ガラス基板に関する。SrO、BaO、B、及び/またはZrOの含有量は、ガラス板のコストを不利益にしないために、ゼロであることが有利であることが述べられている。しかしながら、提供される実施例から判断して、この手法は、一般的なソーダライムシリカガラスと比較して、歪み点の適度な増加をもたらすのみである。
ガラスのコストが実質的に増加することなく、歪み点の実質的な増加を達成する新規のガラスを提供することが望まれている。ガラスのコストは、それらを仕上げられたガラス板に変換するためのコストとともに、原材料のコストを含み、それ自体が、燃料のコスト、労働者、使用されるプラント、その効率レベル、得られた収率等などの要素を含む。したがって、歪み点の実質的な増加を達成し、さらにフロートプロセスによって容易に製造することも可能な新規のガラス組成物を提供することがさらに望まれており、その理由は、このプロセスは、板ガラスを作製する非常に効率的な方法であるためである。したがって、所望の新規のガラス組成物は、それ自体を経済的な製造へ導くものである。
通常のフロートガラス組成物に対するZrOの添加が、ガラスの歪み点の実質的な増加をもたらすことが驚くべきことに見出された。
本発明によれば、以下の酸化物(重量パーセント)を含む組成を有するガラスが提供される:
ZrOの量を増加させることに加えて、ガラス組成物におけるAlの量を増加させることが、ガラスの歪み点をさらに増加させることも見出された。
本発明によるガラスは、通常のフロートガラスよりも高い温度での加工に好適である。本発明のガラスは、高温で変形または歪みの影響を受けにくいため、より高い寸法安定性及び改善された耐熱性を有する。
好ましくは、ガラス組成物は、ある特定の酸化物を以下の範囲(重量パーセント)で含む:
有利には、ガラス組成物は、3〜12%のZrO、好ましくは、3〜11%のZrO、より好ましくは、4〜11%のZrO、なおより好ましくは、5〜10%のZrO、さらにより好ましくは、5〜9%のZrO、最も好ましくは6〜9%のZrOを含む。特に好適なガラス組成物は、7〜9%のZrOを含有してもよい。任意選択で、このようなガラス組成物はまた、2〜6%のAl、好ましくは3〜5%のAlを含有してもよい。ジルコニア(ZrO)がフロートガラスの製造において用いられる他の原材料よりも高価であるため、これにより本発明によるガラスを性能とコストとの間の所望のバランスを達成するように調整することが可能である。
任意選択で、ガラス組成物は、以下の酸化物:As、BaO、B、BeO、CeO、Er、GeO、LiO、P、PbO、Sb、SnO、SrO、TiO、V、ZnOのうちのいかなる1つも、またはいかなる数も含まない。これらの酸化物は、毒性、コスト、または炉構造に対するそれらの悪影響の理由により好ましくない場合がある。しかしながら、微量のこれらの酸化物は、原材料中の不純物の結果として、存在してもよい。特に、ガラス組成物は、0〜1%のBaOまたはBを含有してもよい。想到される多くの用途において、ガラスへの着色は必要ではないか、または望ましくないので、そのような場合、ガラスは、着色剤、例えば、CdO、CeO、CoO、Co、Cr、CuO、Er、MnO、Nd、NiO、Se、Vを含まない。
好ましくは、本発明によるガラスは、570℃、好ましくは、580℃超、より好ましくは、590℃超の歪み点を有する。上述したように、フロートプロセスによって容易に製造されるガラスを提供することが望ましい。したがって、ガラスの歪み点を増加させるとともに、ガラスの他の特性、例えば、溶融温度、液相線温度、及び作業温度範囲を考慮することも重要であり、それらはガラスがどれくらい容易に溶融され、形成され得るかについて決定する。驚くべきことに、本発明者は、これらすべての特性を同時に調整することを可能にし、高い歪み点及び好ましい製造特性を有するガラスを提供することを可能にした。
好ましくは、本発明によるガラスは、1500℃未満、好ましくは、1480℃未満、より好ましくは、1460℃未満の溶融温度(粘度が100ポアズ、すなわち、log2ポアズである温度として定義され、Tlog2ポアズと表される)を有する。これによって、過剰な燃料を使用することなく、ガラスが溶融される炉の構造に過度の疲労をもたらすことなく、原材料が溶融され、ガラスに変えることが可能になる。
有利には、本発明によるガラスは、1200℃未満、好ましくは、1180℃未満、より好ましくは、1160℃未満、さらにより好ましくは、1140℃未満、なおより好ましくは、1120℃未満、最も好ましくは、1100℃未満の液相線温度を有する。より低い液相線温度は、炉のより冷たい領域において溶融ガラスの失透のリスクを低下させる。「失透」という用語は、ガラス中の結晶、例えば、ウォラストナイト(以下の表Iにおいて「Woll.」と略記する)または透輝石の形成を指し、このような結晶は、結局、最終生成物となり、拒絶をもたらすために望ましくない。
望ましくは、本発明によるガラスは、−100℃超、好ましくは、−80℃超、より好ましくは、−60℃超、さらにより好ましくは、−40℃超、なおより好ましくは、−20℃超、最も好ましくは、0℃超の作業温度範囲(形成温度、T−log4ポアズから液相線温度を引いたものとして定義される)を有し、すなわち最も好ましくは、作業温度範囲は正である。いくつかのガラス形成プロセスは、他のものよりも負の作業温度範囲に対して耐性があり、フロートガラスプロセスは、負の作業温度範囲によって作動することが可能である。より負でないまたはより正である作業温度範囲は、失透を生じることなく、溶融ガラスの製品(例えば、板ガラスのリボン)への形成を促進する。
最終製品(例えば、ガラス板、ガラス基板、ディスプレイパネル、ディスクなど)の物理的特性が、ガラスが意図される特定用途に適していることは、有利である。これらの用途のいくつかに対して、通常のソーダライムシリカガラスは、室温で、好適な物理的特性を所有するが、上述したように、悪影響なく十分に高い温度で処理することができない。追加の本発明の態様によれば、歪み点を増加させるのみでなく、それ自体を経済的な製造に導くが、室温で好適な物理的特性も保持するガラスが提供される。
例えば、本発明のこの態様によれば、70〜90×10−7−1(50〜350℃)、好ましくは、72〜88×10−7−1(50〜350℃)、より好ましくは、74〜86×10−7−1(50〜350℃)、最も好ましくは、76〜84×10−7−1(50〜350℃)の熱膨張率を有するガラスが提供される。
さらに、特性、例えば密度及び屈折率は、炉によって生成されるガラスがある組成物から別の組成物に変換されるときにも重要である。特に重要な転換は、通常のフロートガラスから本発明によるガラスへの転換である。このような転換は、「実行中」に行われ、すなわち、炉に供給される原材料の混合物は、炉の排水または溶融を停止することなく、新規の組成物に適切な混合物に変えられる。両方のガラス組成物が同様の密度及び屈折率を有する場合、2つの組成物の混合がより容易に起こるので、転換に要する時間を短縮することができる。
したがって、25℃で2.50〜2.70gcm−3、好ましくは、25℃で2.51〜2.69gcm−3、より好ましくは、25℃で2.52〜2.68gcm−3、さらに好ましくは、25℃で2.53〜2.67gcm−3、さらにより好ましくは、25℃で2.54〜2.66gcm−3、最も好ましくは、25℃で2.55〜2.66gcm−3の密度を有するガラスを提供することも望ましい。
同様に、本発明によるガラスは、1.50〜1.62、好ましくは、1.51〜1.60、より好ましくは、1.52〜1.59、より好ましくは、1.53〜1.58の屈折率を有する場合、望ましい。
本発明は、添付の特許請求の範囲によるガラス組成物を有するガラス物品、特に、本明細書において特許請求されるガラス組成を有するガラスから形成されるガラス板も包含する。さらに、本発明は、本明細書において特許請求されるガラス組成を有するガラスを含むガラス基板、ならびにこれらに限定されないが、ディスプレイパネル、ディスク、半導体デバイス、及び光起電力電池、特に太陽電池を含む、このようなガラス基板を使用して製造される製品のいずれかも含む。本発明によるガラス基板は、数ある中でも、CdTe及びCIGS(Cu−In−Ga−Se)太陽電池のために使用されてもよい。
以降、表1に記載の以下の非限定的な実施例を参照して、本発明をさらに説明する。表中、実施例8〜13は、本発明によるものであり、実施例1〜7及び14〜20は、比較例である。特に、実施例1は、通常のフロートガラスを表し、536℃の歪み点を有する。対照的に、実施例2〜20は、574℃〜595℃の範囲の歪み点を有し、本発明による実施例は、577〜594℃の歪み点のわずかに低減された範囲にまたがる。
実施例13は、594℃、すなわち、比較例7よりも1度低い歪み点を有するが、実施例13のガラス組成物は、正の作業範囲の考慮すべき利点を有し、これは、歪み点における1度の相違よりも重要である。実施例10及び11はまた、好ましい作業範囲を有し、実際、実施例8〜13のいずれも、実現不可能な負の作業範囲を有していると見なされるべきではない。
本発明によるガラスの別の魅力的な特性は、それらの低い液相線温度、特に実施例10〜13である。このため、多様なZrO含有組成物が提供され、異なる用途に適するように様々な物理的特性を提供する。さらに、実施例12は、低い溶融温度の利益を受ける一方、実施例8及び11は、通常のフロートガラスと同様の高い温度の粘度プロファイルを有し、通常の炉の動作への小さい変更のみが、本発明のガラス組成物を溶融するために必要とされるという利点を伴う。
したがって、本発明によるガラス組成物を有する新規のガラスは、好適な製造及び室温特性を保持しながら、大幅に増加した歪み点を与え、高温において増加した寸法安定性を必要とする高温加工及び他の用途に対してそれらを好適にする。

Claims (13)

  1. 以下の酸化物(重量パーセント):
    を含む組成を有するガラス。
  2. 以下の酸化物(重量パーセント):
    を含む、請求項1に記載のガラス。
  3. 3〜12%のZrO、好ましくは、3〜11%のZrO、より好ましくは、4〜10%のZrO、最も好ましくは、6〜10%のZrOを含む、請求項1または請求項2に記載のガラス。
  4. 570℃超、好ましくは、580℃超、より好ましくは、590℃超の歪み点を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載のガラス。
  5. 1500℃未満、好ましくは、1480℃未満、より好ましくは、1460℃未満の溶融温度(粘度=log2ポアズ)を有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載のガラス。
  6. 1200℃未満、好ましくは、1180℃未満、より好ましくは、1160℃未満、さらにより好ましくは、1140℃未満、なおより好ましくは、1120℃未満、最も好ましくは、1100℃未満の液相線温度を有する、請求項1〜5のいずれか一項に記載のガラス。
  7. −100℃超、好ましくは、−80℃超、より好ましくは、−60℃超、さらにより好ましくは、−40℃超、なおより好ましくは、−20℃超、最も好ましくは、0℃超の作業温度範囲(液相線温度からTlog4ポアズを引いたものとして定義される)を有する、請求項1〜6のいずれか一項に記載のガラス。
  8. 70〜90×10−7−1(50〜350℃)、好ましくは、74〜86×10−7−1(50〜350℃)の熱膨張率を有する、請求項1〜7のいずれか一項に記載のガラス。
  9. 25℃で2.50〜2.70gcm−3、好ましくは、25℃で2.52〜2.68gcm−3、より好ましくは、25℃で2.54〜2.66gcm−3の密度を有する、請求項1〜8のいずれか一項に記載のガラス。
  10. 1.50〜1.62、好ましくは、1.52〜1.59、より好ましくは、1.53〜1.58の屈折率を有する、請求項1〜9のいずれか一項に記載のガラス。
  11. 請求項1〜10のいずれか一項に記載のガラスから形成される、ガラス板。
  12. 請求項1〜11のいずれか一項に記載のガラスを含む、ガラス基板。
  13. 請求項12に記載のガラス基板を備える、光起電力電池。
JP2017550137A 2015-03-26 2016-03-23 新規ガラス Active JP6655629B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB1505096.6 2015-03-26
GBGB1505096.6A GB201505096D0 (en) 2015-03-26 2015-03-26 Glass
PCT/GB2016/050815 WO2016151324A1 (en) 2015-03-26 2016-03-23 Novel glasses

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2018510836A true JP2018510836A (ja) 2018-04-19
JP2018510836A5 JP2018510836A5 (ja) 2019-04-25
JP6655629B2 JP6655629B2 (ja) 2020-02-26

Family

ID=53052424

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017550137A Active JP6655629B2 (ja) 2015-03-26 2016-03-23 新規ガラス

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20180099896A1 (ja)
EP (1) EP3274310B1 (ja)
JP (1) JP6655629B2 (ja)
KR (1) KR20170132243A (ja)
CN (1) CN107531549A (ja)
BR (1) BR112017020618A2 (ja)
GB (1) GB201505096D0 (ja)
WO (1) WO2016151324A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB201505097D0 (en) * 2015-03-26 2015-05-06 Pilkington Group Ltd Glass
GB201505101D0 (en) * 2015-03-26 2015-05-06 Pilkington Group Ltd Glass
GB201505091D0 (en) * 2015-03-26 2015-05-06 Pilkington Group Ltd Glass
JP7488260B2 (ja) 2018-11-26 2024-05-21 オウェンス コーニング インテレクチュアル キャピタル リミテッド ライアビリティ カンパニー 改善された弾性率を有する高性能ガラス繊維組成物
KR20210096138A (ko) 2018-11-26 2021-08-04 오웬스 코닝 인텔렉츄얼 캐피탈 엘엘씨 비탄성률이 향상된 고성능 섬유 유리 조성물

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100262116B1 (ko) * 1995-09-28 2000-07-15 기시다 기요사쿠 무알칼리유리기판
US6060168A (en) * 1996-12-17 2000-05-09 Corning Incorporated Glasses for display panels and photovoltaic devices
FR2758550B1 (fr) * 1997-01-17 1999-02-12 Saint Gobain Vitrage Compositions de verre silico-sodo-calcique et leurs applications
AU7219898A (en) * 1997-04-29 1998-11-24 Pilkingon Plc Glass compositions used in plasma displays
DE19906240A1 (de) * 1999-02-15 2000-08-17 Schott Glas Hochzirkoniumoxidhaltiges Glas und dessen Verwendungen
JP2001076336A (ja) * 1999-09-08 2001-03-23 Hoya Corp 情報記録媒体用ガラス基板およびそれを用いた情報記録媒体
JP4389257B2 (ja) * 2000-03-06 2009-12-24 日本電気硝子株式会社 フラットパネルディスプレイ装置用ガラス基板
US7833919B2 (en) * 2006-02-10 2010-11-16 Corning Incorporated Glass compositions having high thermal and chemical stability and methods of making thereof
JP2010100440A (ja) * 2007-02-08 2010-05-06 Nippon Sheet Glass Co Ltd ソーダ石灰系ガラス組成物
GB0810525D0 (en) * 2008-06-09 2008-07-09 Pilkington Group Ltd Solar unit glass plate composition
WO2010050591A1 (ja) * 2008-10-31 2010-05-06 旭硝子株式会社 太陽電池
CN102548919B (zh) * 2009-09-25 2015-04-29 肖特股份有限公司 具有高耐热性和低加工温度的铝硅酸盐玻璃
CN102718404B (zh) * 2012-02-24 2014-12-10 河南安彩高科股份有限公司 一种高应变点硅酸盐玻璃及其应用
GB201505097D0 (en) * 2015-03-26 2015-05-06 Pilkington Group Ltd Glass
GB201505101D0 (en) * 2015-03-26 2015-05-06 Pilkington Group Ltd Glass
GB201505091D0 (en) * 2015-03-26 2015-05-06 Pilkington Group Ltd Glass

Also Published As

Publication number Publication date
BR112017020618A2 (pt) 2018-06-26
WO2016151324A1 (en) 2016-09-29
EP3274310B1 (en) 2019-05-08
EP3274310A1 (en) 2018-01-31
JP6655629B2 (ja) 2020-02-26
GB201505096D0 (en) 2015-05-06
US20180099896A1 (en) 2018-04-12
CN107531549A (zh) 2018-01-02
KR20170132243A (ko) 2017-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11203549B2 (en) Chemically temperable glass sheet
JP5850401B2 (ja) 強化ガラス板
US10294141B2 (en) Chemically temperable glass sheet
US10392293B2 (en) High-transparency glass
US10683231B2 (en) Glasses
JP6655629B2 (ja) 新規ガラス
JP5825703B2 (ja) 化学強化ガラス
JP5614607B2 (ja) 強化ガラスおよびその製造方法
US20180099895A1 (en) Glasses
JP2018510834A (ja) ガラス
CN102718404B (zh) 一种高应变点硅酸盐玻璃及其应用
US9023745B2 (en) Photovoltaic cell having a substrate glass made of aluminosilicate glass
CN102256908A (zh) 玻璃基板及其制造方法
US20140209169A1 (en) GLASS SUBSTRATE FOR CdTe SOLAR CELL, AND SOLAR CELL
US20150325725A1 (en) Glass substrate for solar cell
CN102417295A (zh) 基板用玻璃组合物
JP2013063880A (ja) ガラス板
CN101117267A (zh) 高折射率眼镜片玻璃
CN103011586B (zh) 一种微晶硅太阳能电池基板用高应变点玻璃板材
JP2014084237A (ja) 薄膜太陽電池用ガラス板
WO2019017278A1 (ja) 化学強化用ガラスおよび化学強化ガラス
JPWO2018003802A1 (ja) 化学強化ガラス板

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190314

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190314

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200128

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200131

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200203

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6655629

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250