JP2018205252A - 炭化珪素半導体装置の選別方法 - Google Patents
炭化珪素半導体装置の選別方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018205252A JP2018205252A JP2017113817A JP2017113817A JP2018205252A JP 2018205252 A JP2018205252 A JP 2018205252A JP 2017113817 A JP2017113817 A JP 2017113817A JP 2017113817 A JP2017113817 A JP 2017113817A JP 2018205252 A JP2018205252 A JP 2018205252A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- electrode
- semiconductor device
- leakage current
- carbide semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
図1は、実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置の選別方法を示すフローチャートである。以下では、炭化珪素半導体装置として、縦型MOSFET(以下、単にMOSFETと称する)を例に説明する。炭化珪素半導体装置の選別方法において、まず、MOSFETの温度を設定する(ステップS1)。
2 n型炭化珪素エピタキシャル層
3 p+型ベース領域
3a 第2p+型領域
4 p型ベース層
5 n+型ソース領域
6 p+型コンタクト領域
7 n型ウェル領域
8 ゲート絶縁膜
9 ゲート電極
10 ソース電極
11 ドレイン電極
18 トレンチ
100 炭化珪素半導体素子
110 炭化珪素半導体ウェハ
200 個体化切断面
201 無効領域
210 エッジ終端領域
211 活性領域
212 ゲートパッド領域
220 表面側の歪
221 裏面側の歪
222 切断面側の歪
240 熱応力により拡大化した切断面の歪
Claims (7)
- 炭化珪素基板のおもて面側に第1電極と、前記炭化珪素基板の裏面側に第2電極とを備える炭化珪素半導体装置の選別方法であって、
前記炭化珪素半導体装置の温度を20℃以上230℃以下に設定する第1工程と、
前記第2電極に電圧を印加する第2工程と、
所定時間経過後、前記電圧の印加を停止する第3工程と、
前記第2電極の漏れ電流を測定する第4工程と、
前記測定した第2電極の漏れ電流から前記第2電極の漏れ電流の変化率を算出する第5工程と、
前記算出した漏れ電流の変化率が1%より低い前記炭化珪素半導体装置を選別する第6工程と、
を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の選別方法。 - 炭化珪素基板のおもて面側に第1電極と、前記炭化珪素基板の裏面側に第2電極と、ゲート電極とを備える炭化珪素半導体装置の選別方法であって、
前記炭化珪素半導体装置の温度を20℃以上230℃以下に設定する第1工程と、
前記第2電極に電圧を印加する第2工程と、
前記ゲート電極に閾値以上の電圧を印加する第3工程と、
所定時間経過後、前記閾値以上の電圧の印加を停止する第4工程と、
前記第2電極の漏れ電流および前記ゲート電極の漏れ電流を測定する第5工程と、
前記測定した第2電極の漏れ電流および前記測定したゲート電極の漏れ電流から、前記第2電極の漏れ電流の変化率および前記ゲート電極の漏れ電流の変化率を算出する第6工程と、
前記算出した第2電極の漏れ電流の変化率および前記算出したゲート電極の漏れ電流の変化率の両方が1%より低い前記炭化珪素半導体装置を選別する第7工程と、
を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の選別方法。 - 前記第2工程では、前記第2電極に電流密度が20A/cm2以上で400V以上の電圧を印加することを特徴とする請求項2に記載の炭化珪素半導体装置の選別方法。
- 前記第3工程と前記第4工程は、複数回行われることを特徴とする請求項2または3に記載の炭化珪素半導体装置の選別方法。
- 前記ゲート電極に周波数が1kHz以上100kHz以下のパルス信号を印加することで、前記第3工程の電圧の印加と、前記第4工程の電圧の印加の停止とを制御することを特徴とする請求項2〜4のいずれか一つに記載の炭化珪素半導体装置の選別方法。
- 前記炭化珪素半導体装置は、
炭化珪素基板のおもて面に設けられた第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層の、前記炭化珪素基板側に対して反対側に設けられた第2導電型の第2半導体層と、
前記第2半導体層の内部に選択的に設けられた、前記炭化珪素基板よりも不純物濃度の高い第1導電型の第1半導体領域と、
前記第2半導体層に接触するゲート絶縁膜と、
をさらに備え、
前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜の前記第2半導体層と接触する面と反対側の表面に設けられ、
前記第1電極は、前記第1半導体領域と前記第2半導体層の表面に設けられ、
前記第2電極は、前記炭化珪素基板の裏面に設けられることを特徴とする請求項2〜5のいずれか一つに記載の炭化珪素半導体装置の選別方法。 - 前記炭化珪素半導体装置は、
前記第2半導体層を貫通して、前記第1半導体層に達するトレンチをさらに備え、
前記ゲート電極は、前記トレンチの内部に前記ゲート絶縁膜を介して設けられていることを特徴とする請求項6に記載の炭化珪素半導体装置の選別方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017113817A JP7013685B2 (ja) | 2017-06-08 | 2017-06-08 | 炭化珪素半導体装置の選別方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017113817A JP7013685B2 (ja) | 2017-06-08 | 2017-06-08 | 炭化珪素半導体装置の選別方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018205252A true JP2018205252A (ja) | 2018-12-27 |
JP7013685B2 JP7013685B2 (ja) | 2022-02-01 |
Family
ID=64956984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017113817A Active JP7013685B2 (ja) | 2017-06-08 | 2017-06-08 | 炭化珪素半導体装置の選別方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7013685B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111766490A (zh) * | 2019-03-14 | 2020-10-13 | 富士电机株式会社 | 碳化硅半导体装置的筛选方法 |
WO2022202076A1 (ja) * | 2021-03-24 | 2022-09-29 | 株式会社日立パワーデバイス | 通電検査装置、半導体装置の製造方法および通電方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08502822A (ja) * | 1992-10-13 | 1996-03-26 | クリー・リサーチ・インコーポレーテッド | 半導体デバイスの加速的劣化テストのための装置及び方法 |
JPH11102946A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Canon Inc | 半導体素子のクラック検査方法及び装置 |
JP2011071174A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置、及び半導体装置の特性劣化検出方法 |
JP2014033000A (ja) * | 2012-08-01 | 2014-02-20 | Denso Corp | 半導体装置および半導体装置の試験方法 |
WO2014148294A1 (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-25 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法および通電検査装置 |
JP2015065288A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
-
2017
- 2017-06-08 JP JP2017113817A patent/JP7013685B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08502822A (ja) * | 1992-10-13 | 1996-03-26 | クリー・リサーチ・インコーポレーテッド | 半導体デバイスの加速的劣化テストのための装置及び方法 |
JPH11102946A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Canon Inc | 半導体素子のクラック検査方法及び装置 |
JP2011071174A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置、及び半導体装置の特性劣化検出方法 |
JP2014033000A (ja) * | 2012-08-01 | 2014-02-20 | Denso Corp | 半導体装置および半導体装置の試験方法 |
WO2014148294A1 (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-25 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法および通電検査装置 |
JP2015065288A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111766490A (zh) * | 2019-03-14 | 2020-10-13 | 富士电机株式会社 | 碳化硅半导体装置的筛选方法 |
WO2022202076A1 (ja) * | 2021-03-24 | 2022-09-29 | 株式会社日立パワーデバイス | 通電検査装置、半導体装置の製造方法および通電方法 |
GB2619415A (en) * | 2021-03-24 | 2023-12-06 | Hitachi Power Semiconductor Device Ltd | Electric connection inspection device, and manufacturing method and electric connection method for semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7013685B2 (ja) | 2022-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6766889B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US10475920B2 (en) | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method | |
JP5694119B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
JP5613995B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
US10403554B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
JP7293749B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の選別方法 | |
JP6324914B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
JPWO2012001837A1 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP2011061064A (ja) | 電力用半導体装置 | |
JPWO2018037701A1 (ja) | 半導体装置 | |
JPWO2015177910A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2023078434A (ja) | パワー・シリコン・カーバイドmosfetデバイス及び関連する方法 | |
JP7013685B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の選別方法 | |
US20210296448A1 (en) | SiC SEMICONDUCTOR DEVICE | |
JP5682102B2 (ja) | 逆耐圧を有する縦型窒化ガリウム半導体装置 | |
JP7013684B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の選別方法 | |
JP6550869B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014033223A (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
JP2023530711A (ja) | ハイブリッド・ゲート構造を有するパワー・デバイス | |
JP7013683B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の選別方法 | |
US20220254916A1 (en) | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device | |
US11621320B2 (en) | Semiconductor device | |
JP7192338B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の選別方法 | |
JP2020047673A (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP7192683B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の選別方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200514 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210302 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210427 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210907 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211028 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20211028 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20211108 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20211109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211221 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220103 |