JP2018202307A - 湿式処理装置、シランカップリング剤処理方法および表面処理試料の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
[1] 以下の工程を少なくとも有する事を特徴とする湿式処理装置。
(1)シャワーコート、ブラシコート、ディップコートから選択される少なくとも1種の手段により処理液を試料に塗布する第1の工程
(2)シャワーコート、ブラシコート、ディップコートから選択される少なくとも1種の手段により洗浄液により試料を洗浄する第2の工程
(3)エアナイフにより試料から洗浄液を除去する第3の工程
[2] 前記[1]に記載の湿式処理装置を用い、第1の工程にて試料にシランカップリング剤を少なくとも含有するコート液を塗布し、第2の工程にてシランカップリング剤を含まない洗浄液を塗布することを特徴とするシランカップリング剤処理方法。
[3] 試料を大気圧プラズマ処理装置によりドライ洗浄した後に、前記[2]に記載の処理を行う事を特徴とするシランカップリング剤処理方法。
[4] 試料をUVオゾン照射装置によりドライ洗浄した後に前記[2]に記載の処理を行う事を特徴とするシランカップリング剤処理方法。
[5] 試料に前記[2]から[4]のいずれかに記載のシランカップリング剤処理を実施した後に、試料の少なくとも一部に大気圧プラズマ処理またはUVオゾン照射処理を行う事を特徴とするシランカップリング剤処理方法。
[6] 前記試料が高分子フィルムである事を特徴とする[2]から[5]のいずれかに記載のシランカップリング剤処理方法。
[7] 請求項2〜請求項6のいずれかに記載の処理方法でシランカップリング剤処理方法を行う事を特徴とする表面処理試料の製造方法。
[8] 前記[6]に記載の処理方法でシランカップリング剤処理方法を行う事を特徴とする表面処理高分子フィルムの製造方法。
[9] 前記高分子フィルムが、0.1平方メートル以上の面積を有するシート状であることを特徴とする前記[2]から[6]のいずれかに記載のシランカップリング剤処理方法、および前記[8]に記載の表面処理高分子フィルムの製造方法。
[10] 前記高分子フィルムが幅240mm以上、長さが10m以上の長尺フィルムである事を特徴とする前記[2]から[7]のいずれかに記載のシランカップリング剤処理方法、および前記[8]に記載の表面処理高分子フィルムの製造方法。
[11] 以下の工程を少なくとも有する事を特徴とする湿式処理装置。
(1)シャワーコート、ブラシコート、ディップコートから選択される少なくとも1種の手段により処理液を試料に塗布する第1の工程
(4)エアナイフにより余剰の処理液を除去する第4の工程
(2)シャワーコート、ブラシコート、ディップコートから選択される少なくとも1種の手段により洗浄液により試料を洗浄する第2の工程
(3)エアナイフにより試料から洗浄液を除去する第3の工程
本発明では、試料と処理液ないし洗浄液とを接触させる手段としてシャワーコート、ブラシコート、ディップコートから選択される少なくとも1種の手段を用いる事ができる。これらの処理は比較的簡単であり、既存の装置などの流用も十分可能である。
本発明では試料への処理液中のシランカップリング剤吸着を阻害しないためにも試料表面は清浄であることが好ましい。かかる清浄性は大気圧プラズマ洗浄、あるいはUVオゾン洗浄にて実現する事ができる。
本発明はシート状高分子フィルム、あるいは長尺のロール状高分子フィルムのいずれにも適用可能である。試料として高分子フィルムを用いた場合には未処理の無機基板、あるいは同様の処理を行った無機基板との貼り合わせが可能となり、ブリスターなどの欠点が極めて少ない高分子フィルム積層体を得ることができる。
従って、本発明の高分子フィルム積層体を用いれば、誘電体素子、半導体素子、MEMS素子、ディスプレイ素子、発光素子、光電変換素子、圧電変換素子、熱電変換素子等の電子デバイスが高分子フィルム上に形成したフレキシブル電子デバイスの製造に有用である。
第1の工程はシャワーコート、ブラシコート、ディップコートから選択される少なくとも1種の手段により処理液を試料に塗布する工程である。本工程では処理液により少なくとも試料の全体が濡れる状態になるまでの十分な量の処理液が用いられる事が好ましい。
シャワーコートはスプレーコートとも呼ばれ、試料に処理液をシャワー状ないしスプレー状に吹き付ける処理方法である。
ブラシコートは好ましくは回転する円柱ブラシを用いて、処理液を振りかけながらブラシで試料表面に万遍無く処理液が付着するように操作する装置である。なおその際にブラシが直接試料に接触すると試料に傷が生じる場合があるため、ブラシは試料に触れない距離に留めることが好ましい。ブラシと試料の距離は1mm以上50mmが好ましい。
ディップコートは文字通り試料を処理液に浸漬する処理装置である。
第4の工程は、必要に応じて第1の工程と第2の工程の間に置かれる。第4の工程ではエアナイフにより試料表面の余剰の処理液がエアナイフにより除去される。ただし、本工程における余剰処理液の除去は、処理液が完全に乾燥しない程度に留めることが好ましい。
第2の工程では、シャワーコート、ブラシコート、ディップコートから選択される少なくとも1種の手段により洗浄液が試料に適用され、試料の洗浄が行われる。なお、ここに洗浄液にはシランカップリング剤は含まれて居らず、さらに洗浄液は純水ないし処理液に用いられたシランカップリング剤の溶剤を含む有機溶剤、好ましくは処理液からシランカップリング剤を除去した成分である事が好ましい。第2工程において、試料表面に吸着できなかったシランカップリング剤は実質的にほぼ全て除去され、試料表面には第1工程から第2工程にかけての間に試料表面に吸着したシランカップリング剤分子のみが残存する。
第3の工程ではエアナイフにより基板から洗浄液が除去される。第3の工程においては乾燥工程を兼ねても良い。
本発明では好ましくは第5の工程として乾燥処理部を設けることができる。乾燥はクリーンエアによる風乾、あるいは加熱乾燥を併用しても良い。
本発明では0.1平方メートル以上の面積を有するシート状の高分子フィルムを用いる事ができる。また、本発明では幅240mm以上、長さが10m以上の長尺フィルムの形態の高分子フィルムを用いる事ができる。大面積の試料を用いた方が生産性の点で優位である。が一方で大面積であると確率的に欠点が生じやすく、製品の収率が伸びにくい。しかしながら本発明の処理方法では欠点発生頻度が非常に低いために、大面積の試料を有効に利用することができる。
本発明では、特に好ましいシランカップリング剤としては、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−トリエトキシシリル−N−(1,3−ジメチル−ブチリデン)プロピルアミン、2−(3,4−エポキシシクロへキシル)エチルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシラン、アミノフェネチルトリメトキシシラン、アミノフェニルアミノメチルフェネチルトリメトキシシランなどが挙げられる。プロセスで特に高い耐熱性が要求される場合、Siとアミノ基の間を芳香族基でつないだものが望ましい。
なお本発明では必要に応じて、リン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤等を併用しても良い。
積層体の無機基板と高分子フィルム(ポリイミドフィルム)との接着強度(180度剥離強度)は、JIS C6471に記載の180度剥離法に従い、下記条件で測定した。
装置名 : 島津製作所社製「オートグラフ(登録商標)AG−IS」
測定温度 : 室温
剥離速度 : 50mm/分
雰囲気 : 大気
測定サンプル幅 : 10mm
なお、測定は、積層体作製直後と、イナートオーブン中にて500℃10分間の熱処理後について行った。測定数N=5とし、平均値を求めた。
シランカップリング剤処理面の顕微鏡観察により、30μm以上の異物の個数を計数し、平方メートル当たりの個数に換算した。
<ブリスター数>
積層体において直径0.2mm以上のブリスターの個数を計数し,平方メートルあたりの個数に換算した。なおブリスターとは高分子フィルムと無機基板の間に空隙が生じるタイプの欠点であり、ウキ、気泡、バブル等と呼ばれることがある。
<高分子フィルムの含水率>
乾燥処理後の高分子フィルムを100mm×100mmに切断し、初期の質量W0を測定し、次いで200℃にて10分間加熱処理した後の質量Whを測定し、
含水率(質量%)=100×(W0−Wh)/W0
にて含水率を求めた。
シランカップリング剤として3−アミノプロピルトリエトキシシラン(信越化学工業社製「KBE−903」)を純水によって1.0質量%に希釈したシランカップリング剤希釈液を処理液として調製した。
試料として周囲をステンレススチール製の枠で固定した、有効サイズ360mm×460mmの長方形であるポリイミドフィルムを用いた。
まず第1の工程としてシャワーコーターを用い処理液を試料に塗布した。次いで第2工程においてエアナイフにて処理液を吹き切り、そのまま120℃にて15分間乾燥し、シランカップリング剤処理フィルムAを得た。シランカップリング剤処理フィルムAの含水率は0.11質量%であった。
シランカップリング剤として3−アミノプロピルトリエトキシシラン(信越化学工業社製「KBE−903」)を純水によって1.0質量%に希釈したシランカップリング剤希釈液を処理液として調製した。
試料として周囲をステンレススチール製の枠で固定した、有効サイズ360mm×460mmの長方形であるポリイミドフィルムを用いた。
湿式処理を行う前に、前処理として横浜油脂工業株式会社製の洗浄剤「セミクリーンRPG-1」を5%に水で希釈した洗浄液て試料をシャワー洗浄し、脱イオン水でリンスの後、乾燥工程を経ることなく本発明の湿式処理を行った。なお「セミクリーンRPG-1」は水酸化カリウムを4〜5質量%を含有するため洗浄液の水酸化カリウム濃度は0.2〜0.25質量%である。
次いで、まず第1の工程としてシャワーコーターを用い処理液を試料に塗布した。次いで第4工程においてエアナイフにて処理液を吹き飛ばし(乾燥はさせない状態で)直後に(3秒以内)第2工程にて洗浄液として純水をシャワーし、その後に第3工程にてエアナイフで純水を吹き切り、80℃の乾燥ゾーンにて約60秒乾燥後、さらにクリーンドライオーブンにて120℃にて15分間乾燥し、シランカップリング剤処理フィルムBを得た。シランカップリング剤処理フィルムBの含水率は0.07質量%であった。
処理例2において第1工程と第2工程を回転ブラシコーターに変更し、第4の工程を省いた以外は同様に操作し、シランカップリング剤処理フィルムCを得た。シランカップリング剤処理フィルムCの含水率は0.06質量%であった。
なお回転ブラシと試料の間のクリアランスは5mmとし、ブラシが直接試料の表面に触れないように留意した。
処理例2において、第1工程と第2工程をディップコーターに変更した以外は同様に操作し、シランカップリング剤処理フィルムDを得た。シランカップリング剤処理フィルムDの含水率は0.07質量%であった。
AA: 初期 0.85N/cm、 熱処理後 1.54N/cm
BB: 初期 0.23N/cm、 熱処理後 0.25N/cm
CC: 初期 0.26N/cm、 熱処理後 0.27N/cm
DD: 初期 0.25N/cm、 熱処理後 0.26N/cm
であった。
<処理例5:実施例4>
試料として、370mm×470mm、厚さ0.7mmのガラス基板を用い、処理例2と同様に前処理および本発明の湿式処理を行い、シランカップリング剤ガラス基板Eを得た。
次に、得られたシランカップリング剤処理ガラス基板Eと、クリーンオーブンにて150℃10分間乾燥後にUVオゾン処理を行った360mm×460mmのポリイミドフィルム(含水率0.05質量%)をガラス基板に、周囲から5mm離すように配置してラミネーター(クライムプロダクツ社製SE650nH)を用いて仮ラミネートし、仮ラミネート積層体を得た。ラミネート条件は、処理基板側温度100℃、ラミネート時のロール圧力5kg/cm2、ロール速度5mm/秒とした。仮ラミネート後のポリイミドフィルムはフィルムの自重では剥がれないが、フィルム端部を引っ掻くと簡単に剥がれる程度の接着性であった。その後、得られた仮ラミネート積層体をクリーンオーブンに入れ、200℃にて30分間加熱した後、室温まで放冷して、高分子フィルム(ポリイミドフィルム)とガラス基板の積層体EEを得た。
得られた積層体EEにおいて、ブリスター欠点は平方メートルあたり15個、フィルムとガラス基板の接着強度は
EE: 初期 0.18N/cm、 熱処理後 2.1N/cm
であった。
実施例にて得られた積層体Dを用い、以下の工程により、ポリイミドフィルム上にボトムゲート型構造を有する薄膜トランジスタレイを作製した。
積層体の高分子フィルム面側全面に、まず大気圧プラズマ処理によるクリーニングを行った。次いで反応性スパッタリング法を用いてSiONからなる100nmのガスバリア膜を形成した。次いで、厚さ80nmのアルミニウム層をスパッタリング法にて形成し、フォトリソグラフ法によりゲート配線とゲート電極を形成した。続いて、スリットダイコーターを用いてエポキシ樹脂系のゲート絶縁膜(厚さ80nm)を形成した。さらに、スパッタリング法にて5nmのCr層、40nmの金層を形成し、フォトリソグラフ法にてソース電極とドレイン電極を形成した。加えて、スリットダイコーターを用いて、絶縁層兼ダム層となるエポキシ樹脂を塗布し、UV−YAGレーザーによるアブレーションにて、ソース電極とドレイン電極を含む半導体層用の厚さ250nmのダム層を直径100μmの円形となるように形成し、また上部電極との接続点となるビア形成も同時に行った。そして、インクジェット印刷法により有機半導体であるポリチオフェンをダム内に塗出、ビア部には銀ペーストを埋め込み、さらに上部電極としてアルミ配線を形成し640×480ピクセルを有する薄膜トランジスタレイを形成した。
得られたフレキシブル電気泳動素子は良好な表示性能を示し、すべてのピクセルが駆動することを確認した。また、得られたフレキブル電気泳動素子は、5mmφの丸棒に巻き付けても性能劣化は見られなかった。
Claims (7)
- 以下の工程を少なくとも有する事を特徴とする湿式処理装置。
(1)シャワーコート、ブラシコート、ディップコートから選択される少なくとも1種の手段により処理液を試料に塗布する第1の工程
(2)シャワーコート、ブラシコート、ディップコートから選択される少なくとも1種の手段により洗浄液により試料を洗浄する第2の工程
(3)エアナイフにより試料から洗浄液を除去する第3の工程 - 請求項1に記載の湿式処理装置を用い、第1の工程にて試料にシランカップリング剤を少なくとも含有するコート液を塗布し、第2の工程にてシランカップリング剤を含まない洗浄液を塗布することを特徴とするシランカップリング剤処理方法。
- 試料を大気圧プラズマ処理装置によりドライ洗浄した後に、請求項2に記載の処理を行う事を特徴とするシランカップリング剤処理方法。
- 試料をUVオゾン照射装置によりドライ洗浄した後に請求項2に記載の処理を行う事を特徴とするシランカップリング剤処理方法。
- 試料に請求項2から請求項4のいずれかに記載のシランカップリング剤処理を実施した後に、試料の少なくとも一部に大気圧プラズマ処理またはUVオゾン照射処理を行う事を特徴とするシランカップリング剤処理方法。
- 前記試料が高分子フィルムである事を特徴とする請求項2から請求項5のいずれかに記載のシランカップリング剤処理方法。
- 請求項2〜請求項6のいずれかに記載の処理方法でシランカップリング剤処理方法を行う事を特徴とする表面処理試料の製造方法。
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