JP2018195853A - 研磨方法 - Google Patents

研磨方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2018195853A
JP2018195853A JP2018162823A JP2018162823A JP2018195853A JP 2018195853 A JP2018195853 A JP 2018195853A JP 2018162823 A JP2018162823 A JP 2018162823A JP 2018162823 A JP2018162823 A JP 2018162823A JP 2018195853 A JP2018195853 A JP 2018195853A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
wafer
tape
polishing tape
pressing member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2018162823A
Other languages
English (en)
Inventor
正行 中西
Masayuki Nakanishi
正行 中西
健治 小寺
Kenji Kodera
健治 小寺
道義 山下
Michiyoshi Yamashita
道義 山下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Priority to JP2018162823A priority Critical patent/JP2018195853A/ja
Publication of JP2018195853A publication Critical patent/JP2018195853A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Abstract

【課題】研磨テープの損傷を防止しつつ該研磨テープを用いて硬質膜が形成されているウェーハの周縁部を研磨する方法を提供する。【解決手段】本発明の研磨方法は、ポリイミドからなる基材フィルムと、ポリイミドからなるバインダと、バインダにより保持された砥粒とを有する研磨テープ180を用いる。本研磨方法は、接着剤によって2つの基板を貼り合わせた構造を有するSOIウェーハを回転させ、研磨テープ180を、SOIウェーハの周縁部に3N〜10Nの力で押し付けて、SOIウェーハの周縁部から接着剤を除去する。【選択図】図2

Description

本発明は、ウェーハなどの基板の周縁部を研磨テープを用いて研磨する方法に関する。
半導体デバイスの製造においては、ウェーハの周縁部を研磨テープを用いて研磨する研磨装置が広く使用されている。研磨テープは、PET(ポリエチレンテレフタレート)からなる基材フィルムと、この基材フィルム上に塗布されたウレタン、ポリエチレン樹脂などからなるバインダによって保持された砥粒とを備えた構造を有している。
従来の研磨テープは機械的強度が比較的低いために、SiC等からなる硬質膜が表面に形成されたウェーハの周縁部を研磨しているときに、研磨テープが損傷することがある。図29は、シリコン基板の上にSiC膜が形成された構造を有するウェーハの断面図である。図29に示すように、シリコン基板301の周縁部を含む表面の全体にはSiC膜(炭化ケイ素膜)310が形成されている。SiC膜310の上に配線および絶縁膜などからなるデバイス構造体が形成されている場合もある。SiC膜310は硬質の膜であるために、図29に示すウェーハの周縁部を上記研磨テープで研磨しているときに、砥粒が脱落したり、最悪の場合には、研磨テープが切れることがある。
また、SOI(Silicon on Insulator)ウェーハの周縁部を研磨するときにも、研磨テープが損傷することがある。SOIウェーハは、デバイス基板とシリコン基板とを貼り合わせることで製造される。より具体的には、図30(a)および図30(b)に示すように、デバイス基板302とシリコン基板301とを接着剤313により貼り合わせ、デバイス基板302をその裏面からグラインダーで研削することで、図30(c)に示すようなシリコン層315およびデバイス層316が積層されたSOIウェーハを得る。さらに、図30(d)に示すように、研磨テープをSOIウェーハの周縁部に下向きに押し当ててシリコン層315、デバイス層316、およびシリコン基板301の周縁部を接着剤313とともに除去する。
デバイス基板302とシリコン基板301との間に存在する接着剤313は硬質な膜となるため、図30(d)で示すように、SOIウェーハの周縁部を研磨テープで研磨しているときに、砥粒が脱落したり、最悪の場合には、研磨テープが切れることがある。
特開2014−24128号公報 特開2011−171647号公報 特開2006−142388号公報 特許第3534115号公報
ウェーハの研磨中に上述したように研磨テープが損傷すると、研磨テープを交換する必要がある。頻繁な研磨テープの交換は、研磨装置の生産性を低下させてしまう。
そこで、本発明は、研磨テープの損傷を防止しつつ該研磨テープを用いて硬質膜が形成されているウェーハの周縁部を研磨する方法を提供することを目的とする。
上述した目的を達成するために、本発明の一態様は、ポリイミドからなる基材フィルムと、ポリイミドからなるバインダと、前記バインダにより保持された砥粒とを有する研磨テープを用いた研磨方法であって、接着剤によって2つの基板を貼り合わせた構造を有するSOIウェーハを回転させ、前記研磨テープを、前記SOIウェーハの周縁部に3N〜10Nの力で押し付けて、前記SOIウェーハの周縁部から前記接着剤を除去することを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記接着剤を除去した後に、仕上げ研磨テープを前記SOIウェーハの周縁部に押し付けて該SOIウェーハの周縁部の仕上げ研磨を行うことを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記仕上げ研磨テープの基材フィルムとして、ポリイミドテープが使用されることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記仕上げ研磨テープの基材フィルムとして、PETテープが使用されることを特徴とする。
本発明によれば、機械的強度が高い研磨テープが使用され、さらに低い力(例えば、3N〜10Nの範囲内の力)で研磨テープがウェーハの周縁部に押し付けられる。したがって、ウェーハの周縁部に形成されたSiC膜や固化した接着剤などの硬質膜によって研磨テープが損傷を受けることなく、この硬質膜を研磨テープで除去することができる。
図1(a)および図1(b)は、ウェーハの周縁部を示す拡大断面図である。 本発明の一実施形態に係る研磨方法を実行することができる研磨装置の模式図である。 図2に示す研磨テープの詳細な構造を示す断面図である。 上述した研磨テープの製造工程を示す図である。 研磨テープの製造装置の概略構成を示す図である。 研磨テープを巻き取る様子を説明する図である。 ウェーハのエッジ部を研磨することができるエッジ研磨ユニットと、ウェーハのベベル部を研磨することができるベベル研磨ユニットとを備えた研磨装置を示す平面図である。 図7に示す研磨装置の縦断面図である。 図8の矢印Gで示す方向から見た図である。 研磨ヘッドおよび研磨テープ供給回収機構の平面図である。 研磨ヘッドおよび研磨テープ供給回収機構の正面図である。 図11に示すH−H線断面図である。 図11に示す研磨テープ供給回収機構の側面図である。 図11に示す研磨ヘッドを矢印Iで示す方向から見た縦断面図である。 位置センサおよびドグを上から見た図である。 所定の研磨位置にまで移動された研磨ヘッドおよび研磨テープ供給回収機構の平面図である。 研磨位置にある押圧部材、研磨テープ、およびウェーハを横方向から見た模式図である。 押圧部材により研磨テープをウェーハに押し付けている状態を示す図である。 図19(a)は、研磨位置にある研磨テープおよび押圧部材をウェーハの径方向から見た図であり、図19(b)は、押圧部材の下面が研磨テープの上面に接触している状態を示す図であり、図19(c)は、押圧部材が研磨テープをウェーハに対して下方に押し付けている状態を示す図である。 研磨テープにより研磨されているウェーハの周縁部を示す拡大図である。 図21(a),図21(b),21(c)は、研磨テープの縁部を検出するときの動作を説明する図である。 図8に示す研磨ヘッドの拡大図である。 図22に示す押圧部材の正面図である。 図23に示す押圧部材の側面図である。 図23のJ−J線断面図である。 ベベル研磨ユニットがウェーハのベベル部を研磨している様子を示す図である。 ベベル研磨ユニットがウェーハの上側エッジ部を研磨している様子を示す図である。 ベベル研磨ユニットがウェーハの下側エッジ部を研磨している様子を示す図である。 シリコン基板の上にSiC膜が形成された構造を有するウェーハの断面図である。 図30(a),図30(b),図30(c),図30(d)は、SOIウェーハの製造工程を説明するための図である。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
本実施形態に係る研磨装置は、研磨テープの研磨面をウェーハの周縁部に摺接させることでウェーハの周縁部を研磨する。本明細書では、ウェーハの周縁部を、ウェーハの最外周に位置するベベル部と、このベベル部の半径方向内側に位置するエッジ部とを含む領域として定義する。
図1(a)および図1(b)は、ウェーハの周縁部を示す拡大断面図である。より詳しくは、図1(a)はいわゆるストレート型のウェーハの断面図であり、図1(b)はいわゆるラウンド型のウェーハの断面図である。図1(a)のウェーハWにおいて、ベベル部は、上側傾斜部(上側ベベル部)P、下側傾斜部(下側ベベル部)Q、および側部(アペックス)Rから構成されるウェーハWの最外周面(符号Bで示す)である。図1(b)のウェーハWにおいては、ベベル部は、ウェーハWの最外周面を構成する、湾曲した断面を有する部分(符号Bで示す)である。エッジ部E1,E2は、ベベル部Bの内側に位置する領域である。上側エッジ部E1は、ベベル部Bの内側であって、かつデバイスが形成される領域Dよりも外側に位置する平坦部である。下側エッジ部E2は、上側エッジ部E1の反対側に位置する、ウェーハWの裏面の平坦部である。以下の説明では、上側エッジ部E1と下側エッジ部E2を総称して単にエッジ部Eということがある。
図2は、本発明の一実施形態に係る研磨方法を実行することができる研磨装置の模式図である。研磨装置は、ウェーハWを保持してその軸心周りに回転させるウェーハ保持部3と、このウェーハ保持部3に保持されているウェーハWの周縁部に研磨テープ180を押し付けてウェーハWの周縁部を研磨する研磨ヘッド1と、ウェーハ保持部3に保持されているウェーハWの表面(上面)に研磨液を供給する研磨液供給ノズル2とを備えている。使用される研磨液の例としては、純水が挙げられる。
本実施形態の研磨方法によって研磨されるウェーハWは、シリコン基板の上に硬質膜が形成されているウェーハである。この硬質膜は、図29に示す炭化ケイ素膜(SiC膜)310、または図30に示す固化した接着剤313からなる膜である。
ウェーハWは次のようにして研磨される。ウェーハWは、図示しない搬送ロボットによりウェーハ保持部3上に置かれ、ウェーハ保持部3は真空吸引などの公知の手段によりウェーハWの下面を保持する。さらに、ウェーハ保持部3はウェーハWをその軸心を中心として回転させる。研磨液供給ノズル2は、研磨液(例えば、純水)を回転するウェーハWの上面(ウェーハWの周縁部を含む)に供給しつつ、研磨ヘッド1は、研磨テープ180の研磨面をウェーハWの周縁部(すなわち、エッジ部およびベベル部)に押し当てて、ウェーハWの周縁部から硬質の膜(SiC膜または接着剤)を除去する。
ウェーハWの周縁部から硬質の膜(SiC膜または接着剤)を除去した後、研磨テープ180に代えて、仕上げ研磨テープ190を研磨ヘッド1にセットし、この研磨ヘッド1により仕上げ研磨テープ190をウェーハWの周縁部に押し付けて該ウェーハWの周縁部の仕上げ研磨を行ってもよい。仕上げ研磨テープ190は、研磨テープ180よりも細かい砥粒を有している。仕上げ研磨テープ190の基材フィルムとしては、ポリイミドテープまたはPETテープが使用される。このような仕上げ研磨を行うことにより、研磨されたウェーハ表面を滑らかにすることができ、ごみやパーティクルがウェーハWに付着しにくくなる。
研磨テープ180は、バインダとしてのポリイミドに保持された砥粒を有している。したがって、研磨テープ180の研磨面は、砥粒およびポリイミドから構成されている。この研磨テープ180を用いてシリコン基板上のSiC膜を研磨すると、バインダとしてのポリイミドがSiC膜に接触し、ポリイミドは撥水性(疎水性)を有するようになる。したがって、ウェーハWの研磨中、研磨テープ180の研磨面は撥水性を呈した状態でウェーハWの周縁部を研磨する。
ウェーハWの研磨中における研磨テープ180のウェーハWの周縁部に対する力は、3N〜10Nであることが好ましい。このような低荷重でウェーハWを研磨することにより、ウェーハWに対するストレスが低くなり、また研磨テープ180へのダメージも少なくなる。結果として、研磨テープ180の寿命を伸ばすことができ、研磨テープ180の使用量を減らすことができる。
図3は、図2に示す研磨テープの詳細な構造を示す断面図である。研磨テープ180は、基材フィルム181と、第1の層182と、第2の層183とを備えている。第1の層182は、基材フィルム181の一方の面上に形成されている。第2の層183は、第1の層182の上に形成されている。第2の層183は、砥粒184を含んでいる。砥粒184の大部分は、第2の層183の内部に位置している。一部の砥粒184、より具体的には、粒径が相対的に大きい砥粒184の一部分は、第1の層182内にある。砥粒184の表面は、第2の層183に完全に被覆されていてもよいし、一部が第2の層183の表面から露出していてもよい。
基材フィルム181は、研磨テープ180に所要の強度を付与するとともに、研磨テープ180の取り扱い性を向上させる。本実施形態では、基材フィルム181は、ポリイミドからなる。ポリイミドを使用すれば、PETなどを基材フィルムとした従来の研磨テープよりも強度を高めることができる。
本実施形態では、基材フィルム181の厚みは、38μmである。基材フィルム181の厚みは、10μm以上とすることが望ましい。こうすれば、研磨テープ180の製造時において、基材フィルム181にシワや破断が生じにくく、取り扱い性が向上する。また、基材フィルム181の厚みは、50μm以下とすることが望ましい。こうすれば、ウェーハの研磨時において、研磨テープ180はウェーハの周縁部の形状に沿って容易に撓むことができる。
第1の層182および第2の層183は、砥粒184を保持するバインダとしての機能を有する。第1の層182は、第2の層183の下地層としても機能する。本実施形態では、第1の層182および第2の層183は、ポリイミドからなる。第1の層182は、ポリイミドからなり、第2の層183は、ポリイミドおよびフィラーからなってもよい。フィラーは、ポリイミドと砥粒184との親和性を向上させる材料である。フィラーとしては、例えば、シリカ粒子を用いることができる。第1の層182に、基材フィルム181と同一の材質を使用することによって、第1の層182と基材フィルム181との密着性を向上できる。
本実施形態では、第1の層182の厚みは、10μmである。第2の層183の厚みは、約3μmである。第2の層183の厚みは、砥粒184の平均粒子径の1/5以上とすることが望ましい。こうすれば、砥粒184の保持強度を好適なレベルで得ることができる。また、第2の層183の厚みは、砥粒184の平均粒子径の1/2以下とすることが望ましい。こうすれば、砥粒184が第2の層183に過剰に被覆されることがない。その結果、砥粒184の切れ刃としての機能を好適に得ることができる。
砥粒184は、研磨粒子であり、ウェーハの研磨の際に切れ刃として作用する。砥粒184としては、例えば、ダイヤモンド粒子、シリコンカーバイト(SiC)、アルミナ(Al)、シリカ(SiO)、酸化マンガン(MnO)などを使用できる。本実施形態では、砥粒184は、工業用ダイヤモンド(多結晶ダイヤモンド)の粒子である。本実施形態では、砥粒184の平均粒子径は、9μmである。ただし、砥粒184の平均粒子径は、0.1μm〜20μm程度で適宜選択可能である。
上述した研磨テープ180において、第1の層182と第2の層183との区分は、次に説明する研磨テープ180の製造方法に基づいた概念的な区分であり、必ずしも、研磨テープ180の製造後に両者を物理的に識別できるとは限らない。例えば、第1の層182と第2の層183とが、同じ材質からなる場合には、第1の層182と第2の層183との境界は、実際には確認できない。このため、第1の層182および第2の層183を1つの表層185と捉えることもできる。
図3に示すように、研磨テープ180において、砥粒184の全ては、表層185の厚み(約13μm)方向のうちの、基材フィルム181と反対側の半分、つまり、表面側の半分の範囲に位置する。砥粒184は、表層185の表面付近に保持されている。つまり、複数個の砥粒184が基材フィルム181の厚み方向に積み重なった状態ではない。このため、砥粒184の各々は、その表面の全て、または、ほぼ全てが、バインダとしての表層185と接触した状態で保持されている。このように砥粒184がバインダとしての表層185に強固に保持されているので、研磨テープ180は、上述した硬質の膜を研磨可能である。しかも、表層185は、主にポリイミドで形成されるので、ポリエステルなどを用いた場合と比べて、砥粒184の保持強度がいっそう向上する。
また、研磨テープ180は、砥粒184が厚み方向に積み重ならないので、砥粒184の使用量を低減できる。その結果、低コスト化、省資源化に資する。さらに、研磨テープ180は、砥粒184の各々の突出高さに大きなばらつきがない。このため、研磨時には、被研磨物に対して、砥粒184の突起がほぼ均一に接触するので、研磨ムラやスクラッチの発生を抑制できる。また、基材フィルム181と第1の層182との接触面上に砥粒184が存在しないので、基材フィルム181と第1の層182との密着性も高い。これらの研磨テープ180の特徴は、後述する研磨テープ180の製造方法によって実現される。
また、研磨テープ180は、強度の高いポリイミドを基材フィルム181の材質として使用しているので、基材自体の引張り強度や破断強度が高い。このため、研磨テープ180は、汎用的に使用されてきたPET、PEN、PP、PEを基材とする場合と比べて、加工中に研磨テープが伸びる、あるいは、プロセスが安定しない、といった問題が生じることを抑制できる。かかる問題は、研磨テープの幅が小さいとき、例えば、10mm以下の場合に生じやすい。
図4は、上述した研磨テープ180の製造工程を示す。図5は、研磨テープ180の製造装置200の概略構成を示す。図4に示すように、研磨テープ180の製造においては、まず、基材フィルム181を用意し、基材フィルム181の一方の面に第1の塗料191を塗布する(ステップS110)。
基材フィルム181には、本実施形態では、ポリイミドの一種としてのポミランN38(荒川化学製)を使用する。基材フィルム181には、予め完全にイミド化されたフィルムを使用することが望ましい。こうすれば、基材フィルム181の強度が高くなるので、基材フィルム181の取り扱い性が向上する。完全にイミド化されているかどうかは、基材フィルム181を再度、イミド化して、その前後の重量を比較することによって調べることができる。例えば、基材フィルム181から、サンプルとして5cmの領域を切り出し、加熱温度300℃、加熱時間1時間の条件でサンプルをイミド化する。重量変化およびイミド化の過程で生成される副生水の量から算出したイミド化率が70%以上のサンプルは、完全にイミド化しているといえる。
第1の塗料191は、溶剤と、樹脂からなるバインダとを含む。バインダの樹脂固形分は、最終的に第1の層182となる。バインダは、そのままでは高粘度であるが、溶剤をバインダに添加することによって、第1の塗料191は、塗布に適した粘度に調整される。本実施形態では、バインダとして、ポリイミド・シリカハイブリットワニスHBI−58(荒川化学製)を使用する。溶剤には、例えば、アルキルアミド溶媒を使用することができる。アルキルアミド溶媒は、極性が高いので、有機物、無機物を問わず、溶質を好適に分散できる。本実施形態では、アルキルアミド溶媒として、DMAc(ジメチルアセトアミド)を使用する。ただし、DMF(ジメチルホルムアミド)などを用いてもよい。
本実施形態では、第1の塗料191は、バインダ200gに対して、DMAc50gを溶解させ、撹拌し、真空容器内で脱泡および脱気して、作製される。この第1の塗料191に占めるバインダの樹脂固形分の割合は、20wt%である。本実施形態では、バインダは、25000〜30000mPa・s/25℃で提供され、第1の塗料191の粘度は、溶剤の添加によって、10000〜20000mPa・s/25℃に調整される。
作製された第1の塗料191は、基材フィルム181の一方の面に塗布される。具体的には、図5に示すように、まず、ロール状に巻かれた基材フィルム181(ここでは、幅300mm、長さ約20m)を製造装置200にセットし、ノッチロール220とコーティングロール230との間に基材フィルム181を順次送り出す。これにより、コータダム210に貯留された第1の塗料191が、基材フィルム181に塗布される。基材フィルム181の送り出し速度(塗布速度)は、例えば、0.5m/minとすることができる。
第1の塗料191の塗布厚みは、ノッチロール220と基材フィルム181とのギャップ調整によって制御可能である。第1の塗料191の塗布厚みは、後述するステップS120の乾燥後において、砥粒184の平均粒子径と同等以上とすることが望ましい。こうすれば、後述するステップS170において、粒径の大きい砥粒184が基材フィルム側に沈み込むための第1の層182の好適な厚みを得ることができる。また、第1の塗料191の塗布厚みは、後述するステップS120の乾燥後において、砥粒184の平均粒子径の3倍以下とすることが望ましい。こうすれば、第1の層182が不必要に過剰な厚みで形成されることがない。
第1の塗料191を塗布した後、次に、図4に示すように、第1の塗料191を乾燥させて、第1の層182を形成する(ステップS120)。本実施形態では、乾燥温度130℃で2分間第1の塗料191を加熱することによって、第1の塗料191を乾燥させる。具体的には、図5に示すように、第1の塗料191が塗布された基材フィルム181は、ローラ240,250上を搬送され、基材フィルム181の搬送ラインの上方に設けられた温風ドライヤ260によって、順次、乾燥される。温風ドライヤ260の加熱範囲は、例えば、基材フィルム181の送り方向に1.0mの範囲とすることができる。
第1の塗料191を乾燥させると、次に、図4に示すように、第1の層182が形成された基材フィルム181を、ロール状に巻き取る(ステップS130)。図5に示すように、基材フィルム181は、中空円筒状のコア270に巻き取られる。
基材フィルム181の巻き取りを行った後、次に、図4に示すように、巻き取った基材フィルム181を順次送り出し、第1の層182の上に、第2の塗料192を塗布する(ステップS140)。ステップS140における塗布は、製造装置200(図5参照)を用いて、上記のステップS110と同様に行われる。なお、第1の塗料191を塗布するための設備と、第2の塗料192を塗布するための設備とは、個別に設けられているが、図5では、図示を簡略化するために、共通の設備として表示している。
第2の塗料192は、溶剤と、砥粒184と、樹脂からなるバインダとを含む。このバインダの樹脂固形分は、最終的に第2の層183となる。本実施形態では、第2の塗料192に使用するバインダは、第1の塗料191に使用するバインダと同一種類である。本実施形態では、溶剤およびバインダとして、第1の塗料191と同じものを用いる。また、第2の塗料192は、第1の塗料191と同様に、粘度を調整され、また、撹拌し、真空容器内で脱泡および脱気して、作製される。本実施形態では、第2の塗料192の砥粒184の割合は、第2の塗料192の樹脂固形分に対して15wt%である。また、第2の塗料192に占めるバインダの樹脂固形分の割合は、18wt%である。
上述した第1の塗料191および第2の塗料192の粘度は、10000mPa・s/25℃以上、かつ、30000Pa・s/25℃以下とすることが望ましい。かかる範囲の粘度に調整すれば、第1の塗料191および第2の塗料192の各成分の好適な分散性を得ることができる。第1の塗料191に占める樹脂固形分の割合は、5wt%以上、かつ、50wt%以下とすることが望ましい。こうすれば、第1の層182の好適な膜厚と、第1の塗料191におけるバインダの好適な分散性とを得ることができる。第2の塗料192の砥粒の割合は、第2の塗料192の樹脂固形分に対して、5wt%以上、かつ、30wt%以下とすることが望ましい。第2の塗料192に占める樹脂固形分の割合は、10wt%以上、かつ、50wt%以下とすることが望ましい。こうすれば、第2の層183の好適な膜厚と、好適な砥粒184の保持強度と、第2の塗料192におけるバインダおよび砥粒184の好適な分散性とを得ることができる。また、従来の研磨テープと比べて、砥粒184の使用量を大幅に低減できる。
第2の塗料192を塗布した後、次に、第2の塗料192を乾燥させて、第2の層183を形成する(ステップS150)。ステップS150における乾燥は、製造装置200(図5参照)を用いて、上記のステップS120と同様に行われる。
第2の塗料192を乾燥させた後、次に、第1の層182および第2の層183が形成された基材フィルム181を、ロール状に巻き取る(ステップS160)。ステップS160における巻き取りは、製造装置200(図5参照)を用いて、上記のステップS130と同様に行われる。ただし、ステップS160においては、図6に示すように、セパレータシート195を第2の層183の上に配置して、第1の層182および第2の層183が形成された基材フィルム181の巻き取りが行われる。換言すれば、径方向に隣り合う基材フィルム181の間に、セパレータシート195が挟まれるように、巻き取りが行われる。
かかるセパレータシート195には、後述するイミド化の工程(ステップS170)の温度条件において、性状変化しない種々の材料を使用することができる。例えば、セパレータシート195には、完全にイミド化されたポリイミド繊維からなる不織布や、シボ加工されたポリイミドフイルムを使用することができる。セパレータシート195には、不織布のように通気性を有するシートを使用することが望ましい。こうすれば、イミド化によって発生するガスや水分が抜けやすくなる。
第1の層182および第2の層183が形成された基材フィルム181の巻き取りを行うと、最後に、図4に示すように、当該基材フィルム181を真空ベーク炉内にセットし、第1の層182および第2の層183をイミド化する(ステップS170)。本実施形態では、ベーク炉内を密閉し、真空引きした後に、温度を除々に上げ、250〜300℃の温度条件下で1〜2時間第1の層182および第2の層183を加熱する。そして、窒素ガス、または、乾燥空気を真空ベーク炉内に供給し、常圧下で自然冷却する。かかる処理によれば、ポリイミド樹脂のイミド化(硬化反応)を常温、常圧の条件下よりも早く完了することができる。ステップS170の処理条件は、適宜設定すればよいが、200℃以上、350℃以下の範囲で、1時間以上、4時間以下加熱する条件とすれば、効率的な硬化反応が得られるので、望ましい。
ステップS170において、イミド化(熱硬化反応)は、第2の層183および熱伝導率が高い砥粒184の周辺から始まる。そして、先に硬化した第2の層183の膜が、砥粒184を第1の層182側に抑え込んだ状態で、徐々に第1の層182の全体がイミド化(硬化)することで、第2の層183の表面の近くに、砥粒184の突出高さがほぼ揃うように、表層185(第1の層182および第2の層183)が形成される。
ステップS170において、巻き取られた基材フィルム181は、図5に示すように、巻き取り軸が水平方向を向いた状態で、ベーク炉290内にセットされることが望ましい。かかる状態でイミド化を行うことにより、巻き取られた基材フィルム181が熱膨張して、巻き緩みや巻きズレが生じることを抑制できる。このように、イミド化が行われると、研磨テープ180が完成する。
次に、本実施形態に係る研磨方法を実行するための研磨装置の詳細な構成を説明する。図7は、ウェーハの上側エッジ部(図1(a)および図1(b)の符号E1参照)を研磨することができる研磨ユニット25(以下、エッジ研磨ユニットという)と、ウェーハのベベル部(図1(a)および図1(b)の符号B参照)を研磨することができるベベル研磨ユニット110とを備えた研磨装置を示す平面図である。図8は、図7に示す研磨装置の縦断面図である。
研磨装置は、研磨対象物であるウェーハWを水平に保持し、回転させるウェーハ保持部3と、ウェーハ保持部3に保持されたウェーハWの上面全体に研磨液(例えば純水)を供給する研磨液供給ノズル2とを備えている。図8においては、ウェーハ保持部3がウェーハWを保持している状態を示している。ウェーハ保持部3は、ウェーハWの下面を真空吸引により保持する保持ステージ4と、保持ステージ4の中央部に連結された中空シャフト5と、この中空シャフト5を回転させるモータM1とを備えている。ウェーハWは、ウェーハWの中心が中空シャフト5の軸心と一致するように保持ステージ4の上に載置される。保持ステージ4は、隔壁20とベースプレート21によって形成された研磨室22内に配置されている。
図7乃至図9に示すように、隔壁20は、ウェーハWを研磨室22に搬入および搬出するための搬送口20aを備えている。搬送口20aは、水平に延びる切り欠きとして形成されている。この搬送口20aは、シャッター23により閉じることが可能となっている。
中空シャフト5は、ボールスプライン軸受(直動軸受)6によって上下動自在に支持されている。保持ステージ4の上面には溝4aが形成されており、この溝4aは、中空シャフト5を通って延びる連通路7に連通している。連通路7は中空シャフト5の下端に取り付けられたロータリジョイント8を介して真空ライン9に接続されている。連通路7は、処理後のウェーハWを保持ステージ4から離脱させるための窒素ガス供給ライン10にも接続されている。これらの真空ライン9と窒素ガス供給ライン10を切り替えることによって、ウェーハWを保持ステージ4の上面に保持し、離脱させる。
中空シャフト5は、この中空シャフト5に連結されたプーリーp1と、モータM1の回転軸に取り付けられたプーリーp2と、これらプーリーp1,p2に掛けられたベルトb1を介してモータM1によって回転される。ボールスプライン軸受6は、中空シャフト5がその長手方向へ自由に移動することを許容する軸受である。ボールスプライン軸受6は円筒状のケーシング12に固定されている。したがって、中空シャフト5は、ケーシング12に対して上下に直線移動が可能であり、中空シャフト5とケーシング12は一体に回転する。中空シャフト5は、エアシリンダ(昇降機構)15に連結されており、エアシリンダ15によって中空シャフト5および保持ステージ4が上昇および下降できるようになっている。
ケーシング12と、その外側に同心上に配置された円筒状のケーシング14との間にはラジアル軸受18が介装されており、ケーシング12は軸受18によって回転自在に支持されている。このような構成により、ウェーハ保持部3は、ウェーハWをその中心軸まわりに回転させ、かつウェーハWをその中心軸に沿って上昇下降させることができる。
ウェーハ保持部3に保持されたウェーハWの半径方向外側には、ウェーハWの周縁部を研磨する研磨ユニット25が配置されている。この研磨ユニット25は、研磨室22の内部に配置されている。図9に示すように、研磨ユニット25の全体は、設置台27の上に固定されている。この設置台27はアームブロック28を介して研磨ユニット移動機構30に連結されている。
研磨ユニット移動機構30は、アームブロック28をスライド自在に保持するボールねじ機構31と、このボールねじ機構31を駆動するモータ32と、ボールねじ機構31とモータ32とを連結する動力伝達機構33とを備えている。動力伝達機構33は、プーリーおよびベルトなどから構成されている。モータ32を作動させると、ボールねじ機構31がアームブロック28を図9の矢印で示す方向に動かし、研磨ユニット25全体がウェーハWの接線方向に移動する。この研磨ユニット移動機構30は、研磨ユニット25を所定の振幅および所定の速度で揺動させるオシレーション機構としても機能する。
研磨ユニット25は、研磨テープ180を用いてウェーハWの周縁部を研磨する研磨ヘッド50と、研磨テープ180を研磨ヘッド50に供給し、かつ研磨ヘッド50から回収する研磨テープ供給回収機構70を備えている。研磨ヘッド50は、研磨テープ180の研磨面をウェーハWの周縁部に下向きに押し付けてウェーハWの上側エッジ部(図1(a)および図1(b)の符号E1参照)を研磨するエッジ研磨ヘッドである。
図10は研磨ヘッド50および研磨テープ供給回収機構70の平面図であり、図11は研磨ヘッド50および研磨テープ供給回収機構70の正面図であり、図12は図11に示すH−H線断面図であり、図13は図11に示す研磨テープ供給回収機構70の側面図であり、図14は図11に示す研磨ヘッド50を矢印Iで示す方向から見た縦断面図である。
設置台27の上には、ウェーハWの半径方向と平行に延びる2つの直動ガイド40A,40Bが配置されている。研磨ヘッド50と直動ガイド40Aとは、連結ブロック41Aを介して連結されている。さらに、研磨ヘッド50は、該研磨ヘッド50を直動ガイド40Aに沿って(すなわち、ウェーハWの半径方向に)移動させるモータ42Aおよびボールねじ43Aに連結されている。より具体的には、ボールねじ43Aは連結ブロック41Aに固定されており、モータ42Aは設置台27に支持部材44Aを介して固定されている。モータ42Aは、ボールねじ43Aのねじ軸を回転させるように構成されており、これにより、連結ブロック41Aおよびこれに連結された研磨ヘッド50は直動ガイド40Aに沿って移動される。モータ42A、ボールねじ43A、および直動ガイド40Aは、ウェーハ保持部3に保持されたウェーハWの半径方向に研磨ヘッド50を移動させる第1の移動機構を構成する。
同様に、研磨テープ供給回収機構70と直動ガイド40Bとは、連結ブロック41Bを介して連結されている。さらに、研磨テープ供給回収機構70は、該研磨テープ供給回収機構70を直動ガイド40Bに沿って(すなわち、ウェーハWの半径方向に)移動させるモータ42Bおよびボールねじ43Bに連結されている。より具体的には、ボールねじ43Bは連結ブロック41Bに固定されており、モータ42Bは設置台27に支持部材44Bを介して固定されている。モータ42Bは、ボールねじ43Bのねじ軸を回転させるように構成されており、これにより、連結ブロック41Bおよびこれに連結された研磨テープ供給回収機構70は直動ガイド40Bに沿って移動される。モータ42B、ボールねじ43B、および直動ガイド40Bは、ウェーハ保持部3に保持されたウェーハWの半径方向に研磨テープ供給回収機構70を移動させる第2の移動機構を構成する。
図14に示すように、研磨ヘッド50は、研磨テープ180をウェーハWに対して押し付ける押圧部材51と、押圧部材51を保持する押圧部材ホルダー52と、この押圧部材ホルダー52(および押圧部材51)を押し下げるアクチュエータとしてのエアシリンダ53とを備えている。エアシリンダ53は、保持部材55に保持されている。さらに、保持部材55は、鉛直方向に延びる直動ガイド54を介してリフト機構としてのエアシリンダ56に連結されている。図示しない気体供給源から空気などの気体がエアシリンダ56に供給されると、エアシリンダ56は保持部材55を押し上げる。これにより、保持部材55、エアシリンダ53、押圧部材ホルダー52、および押圧部材51は、直動ガイド54に沿って持ち上げられる。
エアシリンダ56は、連結ブロック41Aに固定された据付部材57に固定されている。据付部材57と押圧部材ホルダー52とは、鉛直方向に延びる直動ガイド58を介して連結されている。エアシリンダ53により押圧部材ホルダー52を押し下げると、押圧部材51は直動ガイド58に沿って下方に移動し、研磨テープ180をウェーハWの周縁部に対して押し付ける。押圧部材51は、PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)のなどの樹脂、ステンレス鋼などの金属、またはSiC(炭化ケイ素)などのセラミックから形成されている。
押圧部材51には、鉛直方向に延びる複数の貫通孔51aを有しており、この貫通孔51aには真空ライン60が接続されている。真空ライン60には、図示しない弁が設けられており、弁を開くことにより押圧部材51の貫通孔51a内に真空が形成されるようになっている。押圧部材51が研磨テープ180の上面に接触した状態で貫通孔51aに真空が形成されると、研磨テープ180の上面は押圧部材51の下面に保持される。なお、押圧部材51の貫通孔51aは1つであってもよい。
押圧部材ホルダー52、エアシリンダ53、保持部材55、エアシリンダ56、および据付部材57は、ボックス62内に収容されている。押圧部材ホルダー52の下部はボックス62の底部から突出しており、押圧部材ホルダー52の下部に押圧部材51が取り付けられている。ボックス62内には、押圧部材51の鉛直方向の位置を検出する位置センサ63が配置されている。この位置センサ63は、据付部材57に取り付けられている。押圧部材ホルダー52には、センサターゲットとしてのドグ64が設けられており、位置センサ63はドグ64の鉛直方向の位置から押圧部材51の鉛直方向の位置を検出するようになっている。
図15は、位置センサ63およびドグ64を上から見た図である。位置センサ63は、投光部63Aと受光部63Bとを有している。ドグ64が押圧部材ホルダー52(および押圧部材51)とともに下降すると、投光部63Aから発せられた光の一部がドグ64によって遮られる。したがって、受光部63Bによって受光される光の量からドグ64の位置、すなわち押圧部材51の鉛直方向の位置を検出することができる。なお、図15に示す位置センサ63はいわゆる透過型の光学式センサであるが、他のタイプの位置センサを用いてもよい。
研磨テープ供給回収機構70は、研磨テープ180を供給する供給リール71と、研磨テープ180を回収する回収リール72とを備えている。供給リール71および回収リール72は、それぞれテンションモータ73,74に連結されている。これらテンションモータ73,74は、所定のトルクを供給リール71および回収リール72に与えることにより、研磨テープ180に所定のテンションをかけることができるようになっている。
供給リール71と回収リール72との間には、研磨テープ送り機構76が設けられている。この研磨テープ送り機構76は、研磨テープ180を送るテープ送りローラ77と、研磨テープ180をテープ送りローラ77に対して押し付けるニップローラ78と、テープ送りローラ77を回転させるテープ送りモータ79とを備えている。研磨テープ180はニップローラ78とテープ送りローラ77との間に挟まれている。テープ送りローラ77を図11の矢印で示す方向に回転させることにより、研磨テープ180は供給リール71から回収リール72に送られる。
テンションモータ73,74およびテープ送りモータ79は、基台81に設置されている。この基台81は連結ブロック41Bに固定されている。基台81は、供給リール71および回収リール72から研磨ヘッド50に向かって延びる2本の支持アーム82,83を有している。支持アーム82,83には、研磨テープ180を支持する複数のガイドローラ84A,84B,84C,84D,84Eが取り付けられている。研磨テープ180はこれらのガイドローラ84A〜84Eにより、研磨ヘッド50を囲むように案内される。
研磨テープ180の延びる方向は、上から見たときに、ウェーハWの半径方向に対して垂直である。研磨ヘッド50の下方に位置する2つのガイドローラ84D,84Eは、研磨テープ180の研磨面がウェーハWの表面(上面)と平行となるように研磨テープ180を支持している。さらに、これら2つのガイドローラ84D,84Eの間にある研磨テープ180は、ウェーハWの接線方向と平行に延びている。研磨テープ180とウェーハWとの間には、鉛直方向において隙間が形成されている。
研磨装置は、研磨テープ180の縁部の位置を検出するテープエッジ検出センサ100をさらに備えている。テープエッジ検出センサ100は、上述した位置センサ63と同様に、透過型の光学式センサである。テープエッジ検出センサ100は、投光部100Aと受光部100Bとを有している。投光部100Aは、図10に示すように、設置台27に固定されており、受光部100Bは、図8に示すように、研磨室22を形成するベースプレート21に固定されている。このテープエッジ検出センサ100は、受光部100Bによって受光される光の量から研磨テープ180の縁部の位置を検出するように構成されている。
ウェーハWを研磨するときは、図16に示すように、研磨ヘッド50および研磨テープ供給回収機構70は、モータ42A,42Bおよびボールねじ43A,43Bによりそれぞれ所定の研磨位置にまで移動される。研磨位置にある研磨テープ180は、ウェーハWの接線方向に延びている。図17は、研磨位置にある押圧部材51、研磨テープ180、およびウェーハWを横方向から見た模式図である。図17に示すように、研磨テープ180は、ウェーハWの周縁部の上方に位置し、さらに研磨テープ180の上方に押圧部材51が位置する。図18は、押圧部材51により研磨テープ180をウェーハWに押し付けている状態を示す図である。図18に示すように、研磨位置にある押圧部材51の縁部と研磨テープ180の縁部は一致している。すなわち、押圧部材51の縁部と研磨テープ180の縁部が一致するように、研磨ヘッド50および研磨テープ供給回収機構70がそれぞれ独立に研磨位置に移動される。
次に、上述のように構成された研磨装置の研磨動作について説明する。以下に説明する研磨装置の動作は、図7に示す動作制御部11によって制御される。ウェーハWは、その表面に形成されている膜(例えば、デバイス層)が上を向くようにウェーハ保持部3に保持され、さらにウェーハWの中心周りに回転される。回転するウェーハWの中心には、図示しない液体供給機構から液体(例えば、純水)が供給される。研磨ヘッド50の押圧部材51および研磨テープ180は、図17に示すように、それぞれ所定の研磨位置にまで移動される。
図19(a)は、研磨位置にある研磨テープ180および押圧部材51をウェーハWの径方向から見た図を示している。図19(a)に示す押圧部材51は、エアシリンダ56(図14参照)により持ち上げられた状態にあり、押圧部材51は研磨テープ180の上方に位置している。次に、エアシリンダ56の動作を停止させてそのピストンロッドを下げ、図19(b)に示すように、押圧部材51は、その下面が研磨テープ180の上面に接触するまで下降される。この状態で真空ライン60を介して押圧部材51の貫通孔51aに真空を形成し、研磨テープ180を押圧部材51の下面に保持させる。研磨テープ180を保持したまま、押圧部材51はエアシリンダ53(図14参照)により下降され、図19(c)に示すように、押圧部材51は、研磨テープ180の研磨面をウェーハWの周縁部に所定の研磨荷重で押し付ける。研磨荷重は、エアシリンダ53に供給する気体の圧力により調整することができる。
回転するウェーハWと、研磨テープ180との摺接により、ウェーハWの周縁部が研磨される。ウェーハWの研磨レートを上げるために、ウェーハWの研磨中に研磨ユニット移動機構30により研磨テープ180をウェーハWの接線方向に沿って揺動させてもよい。研磨中は、回転するウェーハWの中心部に液体(例えば純水)が供給され、ウェーハWは水の存在下で研磨される。ウェーハWに供給された液体は、遠心力によりウェーハWの上面全体に広がり、これによりウェーハWに形成されたデバイスに研磨屑が付着してしまうことが防止される。上述したように、研磨中は、研磨テープ180は、真空吸引により押圧部材51に保持されているので、研磨テープ180と押圧部材51との位置がずれることが防止される。したがって、研磨位置および研磨形状を安定させることができる。さらに、研磨荷重を大きくしても、研磨テープ180と押圧部材51との位置がずれることがないため、研磨時間を短縮することができる。
研磨テープ180は押圧部材51により下方に押されるので、ウェーハWの上側エッジ部(図1(a)および図1(b)の符号E1参照)を研磨することができる。図20は、研磨テープ180により研磨されているウェーハWの周縁部を示す拡大図である。図20に示すように、研磨テープ180の縁部と押圧部材51の縁部とが一致した状態で、研磨テープ180の縁部を含む平坦部が、ウェーハWの周縁部に押し当てられる。図30(d)に示すように、研磨テープ180は、ウェーハWの周縁部に直角の階段形状の窪みを形成することも可能である。
研磨テープ180でウェーハWの周縁部を研磨した後に、研磨テープ180に代えて仕上げ研磨テープを研磨ヘッド50および研磨テープ供給回収機構70にセットし、ウェーハWの周縁部の仕上げ研磨を行ってもよい。仕上げ研磨テープとしては、図2を参照して説明した仕上げ研磨テープ190を使用することができる。
ウェーハWの研磨中の押圧部材51の鉛直方向の位置は、位置センサ63により検出される。したがって、押圧部材51の鉛直方向の位置から研磨終点を検出することができる。例えば、押圧部材51の鉛直方向の位置が所定の目標位置に達したときに、ウェーハWの周縁部の研磨を終了することができる。この所定の目標位置は、目標とする研磨量に従って決定される。
ウェーハWの研磨が終了すると、エアシリンダ53への気体の供給が停止され、これにより押圧部材51が図19(b)に示す位置にまで上昇する。同時に、研磨テープ180の真空吸引が停止される。さらに、押圧部材51はエアシリンダ56により図19(a)に示す位置にまで上昇される。そして、研磨ヘッド50および研磨テープ供給回収機構70は、図10に示す退避位置に移動される。
研磨されたウェーハWは、ウェーハ保持部3によって上昇され、図示しない搬送機構のハンドによって研磨室22の外に搬出される。次のウェーハの研磨が始まる前に、研磨テープ180はテープ送り機構76により所定の距離だけ供給リール71から回収リール72に送られる。これにより、新しい研磨面が次のウェーハの研磨に使用される。研磨テープ180をテープ送り機構76により所定の速度で送りながら、ウェーハWを研磨してもよい。この場合は、研磨テープ180を真空吸引により保持する必要はない。さらに、研磨テープ180を真空吸引により保持したまま、テープ送り機構76で研磨テープ180を送ることも可能である。
研磨テープ180は、細長い帯状の研磨具である。研磨テープ180の幅は基本的にはその全長に亘って一定であるが、研磨テープ180の部分によってはその幅に若干のばらつきがあることがある。このため、研磨位置にある研磨テープ180の縁部の位置がウェーハごとに異なるおそれがある。一方、研磨位置にある押圧部材51の位置は、常に一定である。そこで、研磨テープ180の縁部を押圧部材51の縁部に合わせるために、研磨位置に移動される前に、研磨テープ180の縁部の位置が上述のテープエッジ検出センサ100により検出される。
図21(a)乃至図21(c)は、研磨テープ180の縁部を検出するときの動作を説明する図である。ウェーハWの研磨に先立って、研磨テープ180は、図21(a)に示す退避位置から、図21(b)に示すテープエッジ検出位置に移動される。このテープエッジ検出位置において、テープエッジ検出センサ100により、研磨テープ180のウェーハ側の縁部の位置が検出される。そして、図21(c)に示すように、研磨テープ180の縁部が押圧部材51の縁部と一致するように、研磨テープ180が研磨位置に移動される。研磨テープ180は研磨ヘッド50とは独立に移動可能であるので、研磨テープ180の幅に依存して変わりうる距離だけ研磨テープ180を移動させることが可能である。
研磨位置にある押圧部材51の縁部の位置は予め動作制御部11(図7参照)に記憶されている。したがって、動作制御部11は、検出された研磨テープ180の縁部の位置と、押圧部材51の縁部の位置とから、研磨テープ180の縁部が押圧部材51の縁部に一致するための研磨テープ180の移動距離を算出することができる。このように、検出された研磨テープ180の縁部の位置に基づいて研磨テープ180の移動距離が決定されるので、研磨テープ180の幅のばらつきによらず、常に研磨テープ180の縁部を押圧部材51の縁部に合わせることができる。
図7および図8に示すように、ベベル研磨ユニット110は、ウェーハWのベベル部に研磨テープ180を押し当てて該ベベル部を研磨する研磨ヘッド組立体111と、この研磨ヘッド組立体111に研磨テープ180を供給する研磨テープ供給回収機構112とをさらに備えている。研磨ヘッド組立体111は、研磨室22の内部に配置され、研磨テープ供給回収機構112は、研磨室22の外に配置されている。
ベベル研磨ユニット110にセットされる研磨テープ180と、上述したエッジ研磨ユニット25にセットされる研磨テープ180の幅は互いに異なっているが、いずれの研磨テープ180も図3に示す構造を有している。
研磨テープ供給回収機構112は、研磨テープ180を研磨ヘッド組立体111に供給する供給リール124と、ウェーハWの研磨に使用された研磨テープ180を回収する回収リール125とを備えている。供給リール124および回収リール125にはモータ129,129がそれぞれ連結されている(図7には、供給リール124に連結されたモータ129のみを示す)。それぞれのモータ129,129は、供給リール124および回収リール125に所定のトルクを与え、研磨テープ180に所定のテンションを掛けることができるようになっている。
研磨ヘッド組立体111は、研磨テープ180をウェーハWの周縁部に当接させるための研磨ヘッド131を備えている。研磨テープ180は、研磨テープ180の研磨面がウェーハWを向くように研磨ヘッド131に供給される。研磨テープ180は、隔壁20に設けられた開口部20bを通して供給リール124から研磨ヘッド131へ供給され、使用された研磨テープ180は開口部20bを通って回収リール125に回収される。
研磨ヘッド131はアーム135の一端に固定され、アーム135は、ウェーハWの接線方向に平行な回転軸Ctまわりに回転自在に構成されている。アーム135の他端はプーリーp3,p4およびベルトb2を介してモータ138に連結されている。モータ138が時計回りおよび反時計回りに所定の角度だけ回転することで、アーム135が軸Ctまわりに所定の角度だけ回転する。本実施形態では、モータ138、アーム135、プーリーp3,p4、およびベルトb2によって、ウェーハWの表面に対して研磨ヘッド131を傾斜させるチルト機構が構成されている。
チルト機構は、移動台140に搭載されている。移動台140は、直動ガイド141を介してベースプレート21に移動自在に連結されている。直動ガイド141は、ウェーハ保持部3に保持されたウェーハWの半径方向に沿って直線的に延びており、移動台140はウェーハWの半径方向に直線的に移動可能になっている。移動台140にはベースプレート21を貫通する連結板143が取り付けられ、連結板143にはリニアアクチュエータ145がジョイント146を介して連結されている。リニアアクチュエータ145はベースプレート21に直接または間接的に固定されている。
リニアアクチュエータ145としては、エアシリンダや位置決め用モータとボールねじとの組み合わせなどを採用することができる。このリニアアクチュエータ145および直動ガイド141によって、研磨ヘッド131をウェーハWの半径方向に直線的に移動させる移動機構が構成されている。すなわち、移動機構は直動ガイド141に沿って研磨ヘッド131をウェーハWへ近接および離間させるように動作する。一方、研磨テープ供給回収機構112はベースプレート21に固定されている。
図22は図8に示す研磨ヘッド131の拡大図である。図22に示すように、研磨ヘッド131は、研磨テープ180の研磨面をウェーハWに対して所定の力で押圧する押圧機構150を備えている。また、研磨ヘッド131は、研磨テープ180を供給リール124から回収リール125へ送るテープ送り機構151を備えている。研磨ヘッド131は複数のガイドローラ153A,153B,153C,153D,153E,153F,153Gを有しており、これらのガイドローラはウェーハWの接線方向と直交する方向に研磨テープ180が進行するように研磨テープ180をガイドする。
研磨ヘッド131に設けられたテープ送り機構151は、テープ送りローラ151aと、ニップローラ151bと、テープ送りローラ151aを回転させるモータ151cとを備えている。モータ151cは研磨ヘッド131の側面に設けられ、モータ151cの回転軸にテープ送りローラ151aが取り付けられている。ニップローラ151bはテープ送りローラ151aに隣接して配置されている。ニップローラ151bは、図22の矢印NFで示す方向(テープ送りローラ151aに向かう方向)に力を発生するように図示しない機構で支持されており、テープ送りローラ151aを押圧するように構成されている。
モータ151cが図22に示す矢印方向に回転すると、テープ送りローラ151aが回転して研磨テープ180を供給リール124から研磨ヘッド131を経由して回収リール125へ送る。ニップローラ151bはそれ自身の軸まわりに回転することができるように構成されている。
押圧機構150は、研磨テープ180の裏面側に配置された押圧部材155と、この押圧部材155をウェーハWの周縁部に向かって移動させるエアシリンダ156とを備えている。エアシリンダ156へ供給する気体の圧力を制御することによって、ウェーハWへの研磨荷重が調整される。
図23は、図22に示す押圧部材155の正面図であり、図24は、図23に示す押圧部材155の側面図であり、図25は、図23のJ−J線断面図である。図23乃至図25に示すように、押圧部材155は、その前面に形成された2つの突起部161a,161bを有している。これらの突起部161a,161bは、レールのような形状を有しており、並列に配置されている。突起部161a,161bは、ウェーハWの周方向に沿って湾曲している。より具体的には、突起部161a,161bは、ウェーハWの曲率と実質的に同じ曲率を有する円弧形状を有している。
2つの突起部161a,161bは、回転軸Ctに関して対称に配置されており、図23に示すように、押圧部材155の正面から見たときに突起部161a,161bは回転軸Ctに向かって内側に湾曲している。研磨ヘッド131は、突起部161a,161bの先端間の中心線(すなわち回転軸Ct)がウェーハWの厚さ方向における中心と一致するように設置される。突起部161a,161bは、研磨ヘッド131の前面に配置されたガイドローラ153D,153EよりもウェーハWに近接して配置されており、研磨テープ180は突起部161a,161bによって裏面から支持されている。突起部161a,161bは、PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)などの樹脂から形成されている。
2つの突起部161a,161bの間には、押圧パッド(ベベルパッド)162が配置されている。押圧パッド162は、シリコーンゴムなどの弾力性を有する独立発泡材から構成されている。押圧パッド162の高さは、突起部161a,161bの高さよりもやや低くなっている。研磨ヘッド131を水平に維持した状態で押圧部材155がエアシリンダ156によってウェーハWに向かって移動されると、押圧パッド162は、研磨テープ180をその裏側からウェーハWのベベル部に対して押圧する。
ウェーハWのベベル部を研磨するときは、図26に示すように、上述のチルト機構により研磨ヘッド131の傾斜角度を連続的に変化させながら、押圧パッド162により研磨テープ180をウェーハWのベベル部に押し当てる。研磨中は、研磨テープ180はテープ送り機構151により所定の速度で送られる。さらに、研磨ヘッド131は、ウェーハWの上側エッジ部(図1(a)および図1(b)の符号E1参照)を研磨することができる。すなわち、図27に示すように、研磨ヘッド131を上方に傾けて、突起部161aにより研磨テープ180をウェーハWの上側エッジ部に押圧し、上側エッジ部を研磨する。図28に示すように、研磨ヘッド131を下方に傾けて、突起部161bにより研磨テープ180を下側エッジ部(図1(a)および図1(b)の符号E2参照)に押圧して下側エッジ部を研磨してもよい。
図7および図8に示す研磨装置は、エッジ部およびベベル部を含むウェーハWの周縁部全体を研磨することができる。例えば、ベベル研磨ユニット110でウェーハWのベベル部を研磨し、その後、エッジ研磨ユニット25でウェーハWのエッジ部を研磨することができる。この研磨装置においては、ウェーハWの上側エッジ部は、エッジ研磨ユニット25およびベベル研磨ユニット110のうちのいずれか一方、または両方を用いて研磨することができる。図示しないが、複数のベベル研磨ユニット110を設けてもよい。
上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうることである。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲に解釈されるものである。
1 研磨ヘッド
2 研磨液供給ノズル
3 ウェーハ保持部
4 保持ステージ
25 研磨ユニット
27 設置台
30 研磨ユニット移動機構
40A,40B 直動ガイド
50 研磨ヘッド
51 押圧部材
52 押圧部材ホルダー
53 エアシリンダ
54 直動ガイド
56 エアシリンダ
60 真空ライン
63 位置センサ
64 ドグ
70 研磨テープ供給回収機構
71 供給リール
72 回収リール
73,74 テンションモータ
76 テープ送り機構
82,83 支持アーム
84A,84B,84C,84D,84E ガイドローラ
100 テープエッジ検出センサ
110 ベベル研磨ユニット
180 研磨テープ
181 基材フィルム
182 第1の層
183 第2の層
184 砥粒
W ウェーハ

Claims (4)

  1. ポリイミドからなる基材フィルムと、ポリイミドからなるバインダと、前記バインダにより保持された砥粒とを有する研磨テープを用いた研磨方法であって、
    接着剤によって2つの基板を貼り合わせた構造を有するSOIウェーハを回転させ、
    前記研磨テープを、前記SOIウェーハの周縁部に3N〜10Nの力で押し付けて、前記SOIウェーハの周縁部から前記接着剤を除去することを特徴とする研磨方法。
  2. 前記接着剤を除去した後に、仕上げ研磨テープを前記SOIウェーハの周縁部に押し付けて該SOIウェーハの周縁部の仕上げ研磨を行うことを特徴とする請求項1に記載の研磨方法。
  3. 前記仕上げ研磨テープの基材フィルムとして、ポリイミドテープが使用されることを特徴とする請求項2に記載の研磨方法。
  4. 前記仕上げ研磨テープの基材フィルムとして、PETテープが使用されることを特徴とする請求項2に記載の研磨方法。
JP2018162823A 2018-08-31 2018-08-31 研磨方法 Pending JP2018195853A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018162823A JP2018195853A (ja) 2018-08-31 2018-08-31 研磨方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018162823A JP2018195853A (ja) 2018-08-31 2018-08-31 研磨方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014168363A Division JP2016046341A (ja) 2012-07-25 2014-08-21 研磨方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018195853A true JP2018195853A (ja) 2018-12-06

Family

ID=64570509

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018162823A Pending JP2018195853A (ja) 2018-08-31 2018-08-31 研磨方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2018195853A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020104240A (ja) * 2018-12-28 2020-07-09 株式会社荏原製作所 移載機及びベベル研磨装置
WO2023167001A1 (ja) * 2022-03-01 2023-09-07 株式会社荏原製作所 研磨ヘッドおよび研磨装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006142388A (ja) * 2004-11-16 2006-06-08 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨テープ及び方法
JP2014024128A (ja) * 2012-07-25 2014-02-06 Ebara Corp 研磨フィルムの製造方法、研磨フィルム
JP2014120583A (ja) * 2012-12-14 2014-06-30 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006142388A (ja) * 2004-11-16 2006-06-08 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨テープ及び方法
JP2014024128A (ja) * 2012-07-25 2014-02-06 Ebara Corp 研磨フィルムの製造方法、研磨フィルム
JP2014120583A (ja) * 2012-12-14 2014-06-30 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020104240A (ja) * 2018-12-28 2020-07-09 株式会社荏原製作所 移載機及びベベル研磨装置
JP7117996B2 (ja) 2018-12-28 2022-08-15 株式会社荏原製作所 移載機及びベベル研磨装置
WO2023167001A1 (ja) * 2022-03-01 2023-09-07 株式会社荏原製作所 研磨ヘッドおよび研磨装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2016046341A (ja) 研磨方法
JP5886602B2 (ja) 研磨装置および研磨方法
US8535117B2 (en) Method and apparatus for polishing a substrate having a grinded back surface
US9457448B2 (en) Polishing apparatus and polishing method
KR20110084119A (ko) 연마장치, 연마방법, 연마구를 가압하는 가압부재
JP6178478B2 (ja) 研磨方法
JP6140439B2 (ja) 研磨装置、及び研磨方法
KR102104430B1 (ko) 연마 방법
TW201001515A (en) Method and apparatus for polishing outer circumferential end section of semiconductor wafer
JP2010162624A (ja) 研磨装置および研磨方法
JP2018195853A (ja) 研磨方法
JP2009208214A (ja) 研磨装置
JP2014150131A (ja) 研磨装置および研磨方法
JP2018086690A (ja) 研磨フィルム、研磨方法、及び研磨フィルムの製造方法
KR102048827B1 (ko) 연마 필름의 제조 방법
KR102243698B1 (ko) 연마 장치, 및 연마구를 압박하는 압박 패드
JP2017132034A (ja) 研磨装置
US9492910B2 (en) Polishing method
JP6412217B2 (ja) 研磨装置
JP6171053B2 (ja) 研磨装置
CN109926912A (zh) 一种浮法tft-lcd玻璃面研磨吸附垫滚筒贴片装置
JP2020167436A (ja) 研磨フィルム、研磨方法、及び研磨フィルムの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180927

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190507

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190426

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20191119