JP2018190895A - 液処理方法、液処理装置、及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
パターン倒壊の発生を抑えつつウエハ表面に残ったリンス液を除去する手法として、例えば特許文献1には薬液を用いて洗浄したウエハの表面を親水性に改質した後、当該ウエハの表面に表面処理剤(本願の「撥水化剤」に相当する)を供給し、撥水性保護膜を形成することにより、処理液からパターンに働く表面張力を低減し、処理液を除去する際の倒壊の発生を抑制する技術が記載されている。
シリコンの凸型パターンが形成されると共に、前記凸型パターンの先端部に、前記シリコンとは異なる酸化シリコン、窒化シリコンの少なくとも一方の層を含む基板の表面に薬液を供給する薬液供給工程と、
前記薬液供給工程後、前記基板の表面にリンス液を供給するリンス液供給工程と、
前記リンス液供給工程後、前記基板の表面の水酸基を疎水基に置換する撥水化剤を供給することにより、前記凸型パターンの先端部の表面を撥水化する撥水化剤供給工程と、を含み、
前記リンス液供給工程は、前記凸パターンの前記シリコンの表面に存在する水酸基の増加を抑制する水酸化抑制環境下で行われることを特徴とする。
本例の処理ユニット16において、処理流体供給部40に接続された処理流体供給源70は、酸性の薬液であるDHF(希フッ酸:Diluted Hydrogen Fluoride)の供給を行うDHF供給部71と、IPA(Isopropyl Alcohol)の供給を行うIPA供給部72と、撥水化剤の供給を行う撥水化剤供給部73と、リンス液であるDIW(Deionized Water、純水)の供給を行うDIW供給部74とを備えている。
DHF供給部71は、不図示のDHFタンクや流量調節機構を含み、開閉バルブV1を介して、処理流体供給部40に設けられたノズルに接続されている。DHF供給部71は本例の薬液供給部に相当し、DHF供給部71からDHFが供給されるノズルは本例の薬液供給ノズルに相当する。
IPA供給部72は、不図示のIPAタンクや流量調節機構を含み、開閉バルブV2を介して、処理流体供給部40に設けられたノズルに接続されている。
撥水化剤としては、トリメチルシリルジメチルアミン(TMSDMA)やヘキサメチルジシラザン(HMDS)、トリメチルシリルジエチルアミン(TMSDEA)、ジメチル(ジメチルアミノ)シラン(DMSDMA)、1,1,3,3−テトラメチルジシラン(TMDS)などを採用することができる。また必要に応じて、これらの物質を希釈溶剤によって希釈したものを撥水化剤として採用してもよい。
当該構成の説明を行う前に、酸素が比較的多く存在する環境下でリンス処理を行った後、撥水化剤を供給する場合に発生する問題点について図7〜9を参照しながら説明する。
STI法について簡単に説明しておくと、シリコンウエハWの表面に酸化膜であるSiO2(酸化シリコン)層82を形成した後、当該SiO2層82の表面にレジストパターンを形成し、RIE(Reactive Ion Etching)などによって、例えばシリコンパターン81の線幅が30nm以下、アスペクト比が10以上の凸型パターン8構造を形成する。しかる後、隣り合う凸型パターン8の間の溝にSiO2膜を埋め込み、CMP(Chemical Mechanical Polishing)により不要なSiO2膜を除去して凸型パターン8間の素子分離を行う。
一方、凸型パターン8の先端部に形成されているSiO2層82の表面は、水酸基によって終端(OH終端)された状態であり、DHFによってSiO2層82の表面が除去された場合であっても、新たに露出したSiO2層82の表面は、OH終端された状態が維持される。
また図9(b)にはシリコンパターン81やSiO2層82の表面にシリル基80が導入された状態を模式的に示している。シリル基の一例として、図9(b)にはトリメチルシリル基が導入された状態を示している。
上述の状態の凸型パターン8を含むウエハWの表面に存在する液体を除去すると、液体から凸型パターン8に働く表面張力が小さくなっているので、液体の除去に伴う凸型パターン8の倒壊の発生を抑えることができる。
ところが、パターン倒壊の発生を抑える観点では、凸型パターン8の先端部に形成されたSiO2層82の表面を撥水化できれば十分であることを見出した点に本発明の特徴の一つがある。
以下、当該構成の具体例について図3を参照しながら説明する。
脱気モジュール746は、本例の脱気部に相当し、水酸化抑制環境形成部の一つを構成している。
給気モジュール743の構成は、脱気モジュール746と同様に、本体容器内に水素ガスを透過可能な中空糸膜を多数本収容して構成され、水素ガスを含む気体によって本体容器内を加圧することにより、中空糸膜内を通流するDIWに水素ガスを吸収させる。
給気モジュール743は、本例のガス吸収部に相当し、水酸化抑制環境形成部の一つを構成している。
窒素ガス供給部212は、本例の不活性ガス供給部に相当し、水酸化抑制環境形成部の一つを構成している。
基板搬送装置17により処理ユニット16内に搬入されたウエハWが基板保持機構30に保持されると、処理流体供給部40を処理位置に移動させると共に、ウエハWを所定の回転速度で回転させる。
このとき、図5に示すようにFFU21に対してはエア供給部211から清浄空気が供給され、チャンバ20内は清浄空気のダウンフローが形成された状態となっている。
次いで、開閉バルブV1を閉じ、DHFの供給を停止する一方、開閉バルブV4を開き、DIW供給部74からDIWを供給する(図4の処理P2、リンス液供給工程)。
なお、給気モジュール743と開閉バルブV4との間に分岐ラインを設け、脱気モジュール746や給気モジュール743の稼働を開始した後、DIW中の溶存酸素が目標濃度以下となり、水素ガス濃度が目標濃度以上となるタイミングまで、DIWの端切りを行ってもよい。
なお、図4の処理P3〜P5については、処理液の供給元がIPA供給部72や撥水化剤供給部73に切り替わり、これらの供給元に対応する開閉バルブV2、3が開かれる点を除いて図5に示す例と相違がないのでこれらの処理液やダウンフロー用の清浄空気が供給されている状態の図示を省略する。
ウエハWの表面の凸型パターン8に撥水化剤が供給されると、OH終端されたSiO2層82の表面全体がシリル基によって覆われた状態となる点については従来の撥水化剤供給後の状態と同様である(図11(a)の太い実線、及び図11(b)のシリル基80)。
この結果、ウエハWの表面の撥水化剤がIPAによって置換される。
ウエハWの乾燥処理を終えたら、ウエハWの回転を停止し、当該ウエハWについての液処理を終了する。しかる後、搬入時とは反対の手順で処理ユニット16からウエハWを搬出する。
この結果、後段の処理にてSiO2膜の埋め込みを行った後に、凸型パターン8の表面に残存する残留物量を低減することができる。
SiN層には、成膜の過程で酸素が取り込まれ、当該SiN層の表面にもOH終端された領域が存在する。
そして既述のように、DHFによる処理を行った後のシリコンパターン81の表面は、ある程度の撥水性を有しているので、シリル基が導入されていない状態では、撥水性が小さいSiN層側の表面に優先的にシリル基を導入することによっても、凸型パターン8におけるパターン倒壊の発生を十分に抑制することができる。
SiN層84の表面の残留物は、CMPによってSiN層84と共に除去される。またSiO2層82の表面の残留物の除去も必要な場合には、後述のシリル基除去のための紫外線照射ユニット161や加熱ユニット162を用いて、シリル基の除去を行った後、SiO2膜の埋め込みを行ってもよい。
図13には、図4に記載のDIWによるリンス処理(処理P2)を省略し、DHFの供給(処理P1)の後、直ちにIPA置換を開始することにより、ウエハWの表面のDHFを除去するリンス処理の例が記載されている(処理P3’、リンス液供給工程)。当該リンス処理は、チャンバ20内に窒素ガスのダウンフローが形成された雰囲気下で実施してよい。
リンス液であるIPAの供給を行うIPA供給部72は本例の水酸化抑制環境形成部の一つを構成している。
例えば、薬液供給工程である処理P1にて、酸化膜の除去などを行うDHFに替えて、BHFを供給してもよい。また、ウエハWの乾燥を行う前に処理P5にて供給される乾燥液についても、IPAに替えてアセトンなどの他の有機溶剤を供給してもよい。
既述のように、水酸基抑制環境下でリンス処理を行い、シリコンパターン81の酸化の抑制を図った場合であっても、わずかながらシリコンパターン81の表面が酸化され、OH終端された箇所にシリル基が導入されてしまう場合がある。また、図12に示す凸型パターン8aのように、後段の工程にてCMPなどによる除去されないSiO2層82の表面がシリル基で覆われた状態のままとなる場合もある。
しかしながら酸素が存在する雰囲気下でウエハWへのUV照射や加熱を行うと、シリコンパターン81の表面に再度、酸化膜が形成されてしまうおそれがある。一方、低酸素雰囲気下でこれらの処理を行っても、シリル基の分解効果が十分には得られない場合があることが分かった。
これら紫外線照射処理、加熱処理は、ウエハWの表面に存在するシリル基(疎水基)を除去する疎水基除去工程を構成している。
例えばチャンバ911内の酸素濃度は5%以下、好適には1%以下、UV光源913としては水銀ランプやUVLED、エキシマ光UVランプなど、波長が300nm以下程度の各種UV光源913を採用してよい。ウエハWの単位面積あたりのエネルギードーズ量は、ウエハWの表面に残存する単位面積当たりのシリル基の数によっても異なるが、200〜600mJ/cm2程度を例示することができる。
例えばチャンバ921内の酸素濃度は5%以下、好適には1%以下、ウエハWは200〜800℃、好適には300〜400℃の範囲内の温度に加熱され、例えば30秒〜10分程度の加熱が実施される。
また共通のチャンバ911内にUV光源913と加熱部923とを設けて、UV照射と加熱とを連続して実施し、またはUV照射と加熱とを同時に実施してもよい。
追加の実施形態につき、低酸素雰囲気下でのUV照射、加熱の影響を調べた。
A.実験条件
(比較例1)シリル基の除去効果の感度を上げるため、直径300mmのウエハWの表面にDHFを供給した後、さらにオゾン水を供給してからリンス処理を行った点と、水酸化抑制環境ではなく通常のリンス処理を行った点とを除いて、図4に示す手順で液処理を行った。
(比較例2)比較例1の条件で液処理を行った後に、窒素ガス供給雰囲気下(酸素濃度10%vol以下)でウエハWに対してエキシマUV光源913より173nmのUV光をドーズ量が400mJ/cm2となるように照射した。
(実施例)
比較例2の条件でUV光の照射を行った後に窒素ガス供給雰囲気下(酸素濃度10%vol以下)で当該ウエハWを450℃で10分間加熱した。
上記3つの条件で行われた後のウエハWの接触角、及びウエハWの表面に形成された酸化膜の膜厚をそれぞれ測定した。
実施例、比較例1、2の結果を図15に示す。図15の横軸には各実施例、比較例の識別番号を示し、左側の縦軸は接触角[°]、右側の縦軸は酸化膜の膜厚[nm]を示している。図15中、接触角は白抜きのひし形でプロットし、酸化膜厚は白抜きの四角でプロットしてある。
16 処理ユニット
20 チャンバ
212 窒素ガス供給部
30 基板保持機構
40 処理流体供給部
71 DHF供給部
73 撥水化剤供給部
74 DIW供給部
743 給気モジュール
746 脱気モジュール
Claims (16)
- 基板の液処理方法において、
シリコンの凸型パターンが形成されると共に、前記凸型パターンの先端部に、前記シリコンとは異なる酸化シリコン、窒化シリコンの少なくとも一方の層を含む基板の表面に薬液を供給する薬液供給工程と、
前記薬液供給工程後、前記基板の表面にリンス液を供給するリンス液供給工程と、
前記リンス液供給工程後、前記基板の表面の水酸基を疎水基に置換する撥水化剤を供給することにより、前記凸型パターンの先端部の表面を撥水化する撥水化剤供給工程と、を含み、
前記リンス液供給工程は、前記凸パターンの前記シリコンの表面に存在する水酸基の増加を抑制する水酸化抑制環境下で行われることを特徴とする液処理方法。 - 前記リンス液として、溶存酸素が脱気された純水を用いることにより、前記水酸化抑制環境を形成することを特徴とする請求項1に記載の液処理方法。
- 前記リンス液として、水素ガス、窒素ガスの少なくとも一方を吸収させた純水を用いることにより、前記水酸化抑制環境を形成することを特徴とする請求項1または2に記載の液処理方法。
- 前記リンス液として、イソプロピルアルコールを用いることにより、前記水酸化抑制環境を形成することを特徴とする請求項1に記載の液処理方法。
- 不活性ガスが供給された雰囲気下で前記リンス液供給工程を実施することにより、前記水酸化抑制環境を形成することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の液処理方法。
- 前記薬液は、前記シリコンの表面の酸化膜を除去する薬液であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の液処理方法。
- 前記撥水化剤供給工程の後、基板の表面に存在する液体を除去し、次いで、当該基板の表面に存在する前記疎水基を除去する疎水基除去工程を含むことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一つに記載の液処理方法。
- 前記疎水基除去工程は、不活性ガスが供給された雰囲気下で前記基板に紫外線を照射する紫外線照射処理と、前記紫外線が照射された後の基板、または紫外線が照射されている基板を加熱する加熱処理とを含むことを特徴とする請求項7に記載の液処理方法。
- 基板の液処理を行う液処理装置において、
シリコンの凸型パターンが形成されると共に、前記凸型パターンの先端部に、前記シリコンとは異なる酸化シリコン、窒化シリコンの少なくとも一方の層を含む基板を水平に保持する基板保持部と、
前記基板の表面に薬液を供給する薬液供給ノズル、リンス液を供給するリンス液供給ノズル、及び、基板の表面の水酸基を疎水基に置換する撥水化剤を供給する撥水化剤供給ノズルと、
前記薬液供給ノズルから前記基板保持部に保持された基板の表面に薬液を供給するステップと、前記薬液供給の後、前記リンス液供給ノズルから前記基板の表面にリンス液を供給するステップと、その後、前記撥水化剤供給ノズルから前記基板の表面に撥水化剤を供給し、前記凸型パターンの先端部の表面を撥水化するステップと、を実行するための制御信号を出力する制御部と、
前記凸パターンのシリコンの表面に存在する水酸基の増加を抑制する水酸化抑制環境下で前記リンス液を供給するステップを実施するための水酸化抑制環境形成部と、を備えたことを特徴とする液処理装置。 - 前記水酸化抑制環境形成部は、前記リンス液供給ノズルに純水を供給する純水供給部と、前記純水供給部からリンス液供給ノズルに供給される純水に含まれる溶存酸素を脱気する脱気部と、を含むことを特徴とする請求項9に記載の液処理装置。
- 前記水酸化抑制環境形成部は、前記リンス液供給ノズルに純水を供給する純水供給部と、前記純水供給部からリンス液供給ノズルに供給される純水に、水素ガス、窒素ガスの少なくとも一方を吸収させるガス吸収部と、を含むことを特徴とする請求項9または10に記載の液処理装置。
- 前記水酸化抑制環境形成部は、前記リンス液供給ノズルにイソプロピルアルコール(IPA)を供給するIPA供給部を含むことを特徴とする請求項9に記載の液処理装置。
- 前記水酸化抑制環境形成部は、前記基板保持部に保持された基板に対する前記リンス液供給ノズルからのリンス液の供給が行われる空間に、不活性ガスを供給する不活性ガス供給部を含むことを特徴とする請求項9ないし12のいずれか一つに記載の液処理装置。
- 前記薬液供給ノズルに、前記シリコンの表面の酸化膜を除去する薬液を供給する薬液供給部を備えることを特徴とする請求項9ないし13のいずれか一つに記載の液処理装置。
- 前記撥水化剤の供給が行われ、表面の液体が除去された基板の表面に存在する前記疎水基を除去するため、不活性ガスが供給された雰囲気下で前記基板に紫外線の照射する紫外線照射部と、前記紫外線が照射された後の基板、または紫外線が照射されている基板を加熱する加熱部とを備えたことを特徴とする請求項9ないし14のいずれか一つに記載の液処理装置。
- 水平に保持された基板に対して純水を供給した後、基板に液体を供給して液処理を行う液処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶する記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項1ないし8のいずれか一つに記載の液処理方法を実行するように制御を行うことを特徴とする記憶媒体。
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