JP2018181992A - Holding apparatus - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve accuracy of temperature measurement of each segment of a ceramic plate.SOLUTION: A holding apparatus comprises: a ceramic plate: a heat generating resistor and a temperature measuring resistor that are disposed within each segment of the ceramic plate; and a power supply part constituting a power supply path to the heat generating resistor and the temperature measuring resistor. The power supply part includes: a driver including a line pair consisting of a first conductive line and a second conductive line; a power supply side via pair including a first power supply side via connecting the first conductive line to one power supply terminal and a second power supply side via connecting the second conductive line to the other power supply terminal; and a resistor side via pair including a first resistor side via connecting one end of the temperature measuring resistor to the first conductive line, and a second resistor side via connecting the other end of the temperature measuring resistor to the second conductive line. A line width of at least one of the first conductive line and the second conductive line is thicker than a line width of the temperature measuring resistor.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本明細書に開示される技術は、対象物を保持する保持装置に関する。   The technology disclosed herein relates to a holding device that holds an object.

例えば半導体を製造する際にウェハを保持する保持装置として、静電チャックが用いられる。静電チャックは、セラミックス板と、セラミックス板の内部に設けられたチャック電極とを備えており、チャック電極に電圧が印加されることにより発生する静電引力を利用して、セラミックス板の表面(以下、「吸着面」という)にウェハを吸着して保持する。   For example, an electrostatic chuck is used as a holding device for holding a wafer when manufacturing a semiconductor. The electrostatic chuck includes a ceramic plate and a chuck electrode provided inside the ceramic plate, and utilizes the electrostatic attractive force generated by applying a voltage to the chuck electrode to Hereinafter, the wafer is adsorbed and held on the “suction surface”).

静電チャックの吸着面に保持されたウェハの温度分布が不均一になると、ウェハに対する各処理(成膜、エッチング等)の精度が低下するおそれがあるため、静電チャックにはウェハの温度分布をできるだけ均一にする性能が求められる。そのため、例えば、セラミックス板の内部に発熱用抵抗体が設けられる。発熱用抵抗体に電圧が印加されると、発熱用抵抗体が発熱することによってセラミックス板が加熱され、セラミックス板の吸着面に保持されたウェハが加熱される。セラミックス板の内部に設けられた温度センサ(例えば、熱電対)により測定された温度に基づき発熱用抵抗体への印加電圧を制御することにより、セラミックス板の吸着面の温度制御(すなわち、ウェハの温度制御)が行われる。   If the temperature distribution of the wafer held on the suction surface of the electrostatic chuck becomes uneven, the accuracy of each process (film formation, etching, etc.) on the wafer may be degraded. Performance is required to make as uniform as possible. Therefore, for example, a heating resistor is provided inside the ceramic plate. When a voltage is applied to the heat generating resistor, the heat generating resistor generates heat to heat the ceramic plate and heat the wafer held by the suction surface of the ceramic plate. By controlling the voltage applied to the heating resistor based on the temperature measured by a temperature sensor (for example, a thermocouple) provided inside the ceramic plate, the temperature control of the adsorption surface of the ceramic plate (ie, the wafer Temperature control is performed.

ウェハの温度分布の均一性をさらに向上させるために、セラミックス板の全部または一部が複数の仮想的な領域(以下、「セグメント」という)に分割され、各セグメントに発熱用抵抗体が配置された構成が採用されることがある。このような構成によれば、セラミックス板の各セグメントに配置された発熱用抵抗体への印加電圧を個別に制御することによって各セグメントの温度を個別に制御することができ、その結果、セラミックス板の吸着面の温度分布の均一性(すなわち、ウェハの温度分布の均一性)をさらに向上させることができる。   In order to further improve the uniformity of the temperature distribution of the wafer, all or part of the ceramic plate is divided into a plurality of virtual regions (hereinafter referred to as "segments"), and a heating resistor is disposed in each segment. Configurations may be adopted. According to such a configuration, the temperature of each segment can be individually controlled by individually controlling the voltage applied to the heating resistor disposed in each segment of the ceramic plate, and as a result, the ceramic plate The uniformity of the temperature distribution of the adsorption surface (i.e., the uniformity of the temperature distribution of the wafer) can be further improved.

このようなセラミックス板が複数のセグメントに仮想的に分割された構成では、各セグメントに専用の温度センサを配置することは困難である。そのため、セラミックス板の各セグメントに、発熱用抵抗体とは別に、測温用抵抗体を配置する技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。測温用抵抗体は、温度が変化すると抵抗値が変化するため、各測温用抵抗体の抵抗値を測定することにより、各測温用抵抗体が配置されたセグメントの温度を測定することができる。   In a configuration in which such a ceramic plate is virtually divided into a plurality of segments, it is difficult to dispose a dedicated temperature sensor in each segment. Therefore, a technology is known in which a temperature measuring resistor is disposed in each segment of the ceramic plate separately from the heating resistor (see, for example, Patent Document 1). Since the resistance value changes when the temperature changes, the temperature measuring resistor should measure the temperature of the segment in which each temperature measuring resistor is disposed by measuring the resistance value of each temperature measuring resistor. Can.

特開2008−243990号公報JP 2008-243990A

しかし、セラミックス板の各セグメントに測温用抵抗体を配置する上記従来の技術では、測温用抵抗体の抵抗値に基づく温度測定の分解能(感度)が不十分である等の理由から、各セグメントの温度測定の精度の点で向上の余地があり、ひいては、セラミックス板の吸着面の温度分布の均一性(ウェハの温度分布の均一性)の点で向上の余地がある。   However, in the above-described conventional technology in which the temperature measuring resistors are disposed in each segment of the ceramic plate, the resolution (sensitivity) of the temperature measurement based on the resistance value of the temperature measuring resistors is insufficient. There is room for improvement in terms of the accuracy of the temperature measurement of the segments, and in turn there is room for improvement in terms of the uniformity of the temperature distribution on the suction surface of the ceramic plate (the uniformity of the temperature distribution of the wafer).

なお、このような課題は、静電引力を利用してウェハを保持する静電チャックに限らず、セラミックス板を備え、セラミックス板の表面上に対象物を保持する保持装置一般に共通の課題である。   Such a problem is not limited to an electrostatic chuck that holds a wafer using electrostatic attraction, and is a common problem in general holding devices provided with a ceramic plate and holding an object on the surface of the ceramic plate. .

本明細書では、上述した課題を解決することが可能な技術を開示する。    The present specification discloses a technology that can solve the above-described problems.

本明細書に開示される技術は、例えば、以下の形態として実現することが可能である。   The technology disclosed in the present specification can be realized, for example, as the following form.

(1)本明細書に開示される保持装置は、第1の方向に略直交する第1の表面を有するセラミックス板と、前記セラミックス板の少なくとも一部を前記第1の方向に直交する方向に並ぶ複数のセグメントに仮想的に分割したときの各前記セグメント内に配置された発熱用抵抗体と、各前記セグメント内に配置され、前記第1の方向における位置が前記発熱用抵抗体とは異なる測温用抵抗体と、前記発熱用抵抗体および前記測温用抵抗体に対する給電経路を構成する給電部と、を備え、前記セラミックス板の前記第1の表面上に対象物を保持する保持装置において、前記給電部は、第1の導電ラインと第2の導電ラインとから構成されたライン対を有するドライバと、一対の給電端子と、前記ライン対を構成する前記第1の導電ラインを、一方の前記給電端子に電気的に接続する第1の給電側ビアと、前記ライン対を構成する前記第2の導電ラインを、他方の前記給電端子に電気的に接続する第2の給電側ビアと、を有する給電側ビア対と、一の前記測温用抵抗体の一端を、前記ライン対を構成する前記第1の導電ラインに電気的に接続する第1の抵抗体側ビアと、前記一の測温用抵抗体の他端を、前記ライン対を構成する前記第2の導電ラインに電気的に接続する第2の抵抗体側ビアと、を有する抵抗体側ビア対と、を備え、少なくとも1つの前記測温用抵抗体である特定測温用抵抗体に電気的に接続された前記ライン対を構成する前記第1の導電ラインと前記第2の導電ラインとの少なくとも一方の線幅は、前記特定測温用抵抗体の線幅より太い。そのため、本保持装置によれば、ライン対の抵抗値を相対的に低くし、特定測温用抵抗体の抵抗値を相対的に高くすることができる。このように、本保持装置によれば、特定測温用抵抗体の抵抗値を相対的に高くすることができるため、特定測温用抵抗体の抵抗値に基づく温度測定の分解能(感度)を向上させることによって特定測温用抵抗体が配置されたセグメントの温度測定の精度を向上させることができ、その結果、セラミックス板の第1の表面の温度分布の均一性(すなわち、第1の表面に保持される対象物の温度分布の均一性)を向上させることができる。また、本保持装置によれば、ドライバに含まれるライン対の抵抗値を相対的に低くすることができるため、特定測温用抵抗体とライン対とを含む電気回路の抵抗値に占める、(他のセグメントの温度の影響を受ける)ライン対の抵抗値の割合を下げることができる。従って、本保持装置によれば、特定測温用抵抗体を用いたセグメントの温度測定の精度を向上させることができ、その結果、セラミックス板の第1の表面の温度分布の均一性(すなわち、第1の表面に保持される対象物の温度分布の均一性)を向上させることができる。 (1) A holding device disclosed in the present specification includes a ceramic plate having a first surface substantially orthogonal to a first direction, and at least a part of the ceramic plate in a direction orthogonal to the first direction. A heating resistor disposed in each of the segments when virtually divided into a plurality of juxtaposed segments, and a position in each of the first directions different from the heating resistor are disposed in each of the segments A holding device for holding an object on the first surface of the ceramic plate, comprising: a temperature measuring resistor; and a power feeding unit forming a power feeding path to the heat generating resistor and the temperature measuring resistor. In the above, the power supply unit includes a driver having a line pair formed of a first conductive line and a second conductive line, a pair of power supply terminals, and the first conductive line forming the line pair, on the other hand A first feed side via electrically connected to the feed terminal; and a second feed side via electrically connecting the second conductive line forming the pair of lines to the other feed terminal; A first resistor-side via electrically connecting one end of one of the temperature measuring resistors with the first conductive line constituting the line pair; A resistor-side via pair having a second resistor-side via electrically connecting the other end of the warming resistor to the second conductive line constituting the line pair; The line width of at least one of the first conductive line and the second conductive line constituting the line pair electrically connected to the specific temperature measuring resistor which is the temperature measuring resistor is the specific width It is thicker than the line width of the temperature measuring resistor. Therefore, according to the holding device, the resistance value of the line pair can be made relatively low, and the resistance value of the specific temperature measuring resistor can be made relatively high. As described above, according to the holding device, the resistance value of the specific temperature measurement resistor can be made relatively high. Therefore, the resolution (sensitivity) of temperature measurement based on the resistance value of the specific temperature measurement resistor can be obtained. By improving the temperature measurement accuracy of the segment in which the specific resistance for temperature measurement is arranged, it is possible to improve the uniformity of the temperature distribution on the first surface of the ceramic plate (that is, the first surface). The uniformity of the temperature distribution of the object held by Further, according to the holding device, since the resistance value of the line pair included in the driver can be relatively lowered, the resistance value of the electric circuit including the specific temperature measuring resistor and the line pair is It is possible to reduce the proportion of the resistance value of the line pair (affected by the temperature of the other segments). Therefore, according to the present holding device, it is possible to improve the temperature measurement accuracy of the segment using the specific temperature measuring resistor, and as a result, the uniformity of the temperature distribution on the first surface of the ceramic plate (ie, The uniformity of the temperature distribution of an object held on the first surface can be improved.

(2)上記保持装置において、前記ドライバは、延伸方向に沿った長さがL1で線幅がW1である前記導電ラインと、延伸方向に沿った長さがL2(ただし、L2>L1)で線幅がW2(ただし、W2>W1)である前記導電ラインと、を含む構成としてもよい。本保持装置によれば、ドライバに含まれる各導電ラインの抵抗値を互いに近付けることができ、測温用抵抗体と導電ラインとを含む電気回路の抵抗値に占める、導電ラインの抵抗値のバラツキを低減することができる。従って、本保持装置によれば、測温用抵抗体を用いたセグメントの温度測定の精度を効果的に向上させることができ、その結果、セラミックス板の第1の表面の温度分布の均一性(すなわち、第1の表面に保持される対象物の温度分布の均一性)を効果的に向上させることができる。 (2) In the holding device, the driver has the conductive line having a length L1 in the extending direction and a line width W1 and a length L2 in the extending direction (where L2> L1). The conductive line may have a line width of W2 (where W2> W1). According to the holding device, the resistance values of the conductive lines included in the driver can be made close to each other, and the variation in the resistance value of the conductive lines in the resistance value of the electric circuit including the temperature measuring resistor and the conductive line Can be reduced. Therefore, according to this holding device, it is possible to effectively improve the accuracy of the temperature measurement of the segment using the temperature measuring resistor, and as a result, the uniformity of the temperature distribution on the first surface of the ceramic plate ( That is, the uniformity of the temperature distribution of the object held on the first surface can be effectively improved.

なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、保持装置、静電チャック、CVDヒータ等のヒータ装置、真空チャック、それらの製造方法等の形態で実現することが可能である。   Note that the technology disclosed in the present specification can be realized in various forms, for example, forms such as a holding device, an electrostatic chuck, a heater device such as a CVD heater, a vacuum chuck, and a manufacturing method thereof. Can be realized by

第1実施形態における静電チャック100の外観構成を概略的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows roughly the external appearance structure of the electrostatic chuck 100 in 1st Embodiment. 第1実施形態における静電チャック100のXZ断面構成を概略的に示す説明図である。It is an explanatory view showing roughly the XZ section composition of electrostatic zipper 100 in a 1st embodiment. 第1実施形態における静電チャック100のXY平面構成を概略的に示す説明図である。It is an explanatory view showing roughly the XY plane composition of electrostatic zipper 100 in a 1st embodiment. 第1実施形態における静電チャック100の発熱用抵抗体層50、発熱抵抗体用ドライバ51、測温用抵抗体層60、および、測温抵抗体用ドライバ70の構成を模式的に示す説明図である。An explanatory view schematically showing a configuration of a heating resistor layer 50, a heating resistor driver 51, a temperature measuring resistor layer 60, and a temperature measuring resistor driver 70 of the electrostatic chuck 100 in the first embodiment. It is. 1つのセグメントSEに配置された1つの発熱用抵抗体500のXY断面構成を模式的に示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory view schematically showing an XY cross-sectional configuration of one heating resistor 500 disposed in one segment SE. 1つのセグメントSEに配置された1つの測温用抵抗体600を構成する第1の抵抗体要素610のXY断面構成を模式的に示す説明図である。It is an explanatory view showing typically the XY section composition of the 1st resistor element 610 which constitutes one temperature measurement resistor 600 arranged in one segment SE. 第1実施形態の変形例における静電チャック100の発熱用抵抗体層50、発熱抵抗体用ドライバ51、測温用抵抗体層60、および、測温抵抗体用ドライバ70の構成を模式的に示す説明図である。The configurations of the heating resistor layer 50, the heating resistor driver 51, the temperature measuring resistor layer 60, and the temperature measuring resistor driver 70 of the electrostatic chuck 100 in the modification of the first embodiment are schematically shown. FIG.

A.第1実施形態:
A−1.静電チャック100の構成:
図1は、第1実施形態における静電チャック100の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図2は、第1実施形態における静電チャック100のXZ断面構成を概略的に示す説明図であり、図3は、第1実施形態における静電チャック100のXY平面(上面)構成を概略的に示す説明図である。各図には、方向を特定するための互いに直交するXYZ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Z軸正方向を上方向といい、Z軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック100は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。
A. First embodiment:
A-1. Configuration of electrostatic chuck 100:
FIG. 1 is a perspective view schematically showing an appearance configuration of the electrostatic chuck 100 in the first embodiment, and FIG. 2 is an explanatory view schematically showing an XZ sectional configuration of the electrostatic chuck 100 in the first embodiment. FIG. 3 is an explanatory view schematically showing an XY plane (upper surface) configuration of the electrostatic chuck 100 in the first embodiment. In each figure, mutually orthogonal XYZ axes for specifying the direction are shown. In this specification, for convenience, the positive direction of the Z-axis is referred to as the upward direction, and the negative direction of the Z-axis is referred to as the downward direction. However, the electrostatic chuck 100 is actually installed in an orientation different from such an orientation. It may be done.

静電チャック100は、対象物(例えばウェハW)を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内でウェハWを固定するために使用される。静電チャック100は、所定の配列方向(本実施形態では上下方向(Z軸方向))に並べて配置されたセラミックス板10およびベース部材20を備える。セラミックス板10とベース部材20とは、セラミックス板10の下面S2(図2参照)とベース部材20の上面S3とが上記配列方向に対向するように配置される。   The electrostatic chuck 100 is a device for attracting and holding an object (for example, the wafer W) by electrostatic attraction, and is used, for example, to fix the wafer W in a vacuum chamber of a semiconductor manufacturing apparatus. The electrostatic chuck 100 includes a ceramic plate 10 and a base member 20 which are arranged in a predetermined arrangement direction (in the present embodiment, in the vertical direction (Z-axis direction)). The ceramic plate 10 and the base member 20 are arranged such that the lower surface S2 (see FIG. 2) of the ceramic plate 10 and the upper surface S3 of the base member 20 face each other in the arrangement direction.

セラミックス板10は、上述した配列方向(Z軸方向)に略直交する略円形平面状の上面(以下、「吸着面」という)S1を有する板状部材であり、セラミックス(例えば、アルミナや窒化アルミニウム等)により形成されている。セラミックス板10の直径は例えば50mm〜500mm程度(通常は200mm〜350mm程度)であり、セラミックス板10の厚さは例えば1mm〜10mm程度である。セラミックス板10の吸着面S1は、特許請求の範囲における第1の表面に相当し、Z軸方向は、特許請求の範囲における第1の方向に相当する。また、本明細書では、Z軸方向に直交する方向を「面方向」という。   The ceramic plate 10 is a plate-like member having a substantially circular plane upper surface (hereinafter referred to as "adsorption surface") S1 substantially orthogonal to the above-mentioned arrangement direction (Z-axis direction), and is a ceramic (for example, alumina or aluminum nitride) Etc.). The diameter of the ceramic plate 10 is, for example, about 50 mm to 500 mm (usually about 200 mm to 350 mm), and the thickness of the ceramic plate 10 is, for example, about 1 mm to 10 mm. The adsorption surface S1 of the ceramic plate 10 corresponds to the first surface in the claims, and the Z-axis direction corresponds to the first direction in the claims. Further, in the present specification, a direction orthogonal to the Z-axis direction is referred to as a “plane direction”.

図2に示すように、セラミックス板10の内部には、導電性材料(例えば、タングステン、モリブデン、白金等)により形成されたチャック電極40が配置されている。Z軸方向視でのチャック電極40の形状は、例えば略円形である。チャック電極40に電源(図示しない)から電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によってウェハWがセラミックス板10の吸着面S1に吸着固定される。   As shown in FIG. 2, a chuck electrode 40 formed of a conductive material (for example, tungsten, molybdenum, platinum or the like) is disposed inside the ceramic plate 10. The shape of the chuck electrode 40 in the Z-axis direction is, for example, substantially circular. When a voltage is applied to the chuck electrode 40 from a power source (not shown), an electrostatic attractive force is generated, and the wafer W is attracted and fixed to the adsorption surface S1 of the ceramic plate 10 by the electrostatic attractive force.

セラミックス板10の内部には、また、それぞれ導電性材料(例えば、タングステン、モリブデン、白金等)により形成された、発熱用抵抗体層50と、発熱抵抗体用ドライバ51と、測温用抵抗体層60と、測温抵抗体用ドライバ70と、各種ビアとが配置されている。本実施形態では、発熱用抵抗体層50はチャック電極40より下側に配置され、発熱抵抗体用ドライバ51は発熱用抵抗体層50より下側に配置され、測温用抵抗体層60は、発熱抵抗体用ドライバ51より下側に配置され、測温抵抗体用ドライバ70は測温用抵抗体層60より下側に配置されている。これらの構成については、後に詳述する。なお、このような構成のセラミックス板10は、例えば、セラミックスグリーンシートを複数枚作製し、所定のセラミックスグリーンシートにビア孔の形成やメタライズペーストの印刷等の加工を行い、これらのセラミックスグリーンシートを熱圧着し、切断等の加工を行った上で焼成することにより作製することができる。   Inside the ceramic plate 10, a heating resistor layer 50, a heating resistor driver 51, and a temperature measuring resistor, each formed of a conductive material (for example, tungsten, molybdenum, platinum, etc.) A layer 60, a temperature measuring resistor driver 70, and various vias are disposed. In the present embodiment, the heating resistor layer 50 is disposed below the chuck electrode 40, the heating resistor driver 51 is disposed below the heating resistor layer 50, and the temperature measuring resistor layer 60 is disposed. The temperature measuring resistor driver 70 is disposed below the heating resistor driver 51, and is disposed below the temperature measuring resistor layer 60. These configurations will be described in detail later. Note that, for example, a plurality of ceramic green sheets are produced, and processing such as formation of via holes and printing of metallized paste are performed on predetermined ceramic green sheets, and these ceramic green sheets are used as ceramic plates 10 having such a configuration. It can be produced by performing thermocompression bonding, processing such as cutting, and firing.

ベース部材20は、例えばセラミックス板10と同径の、または、セラミックス板10より径が大きい円形平面の板状部材であり、例えば金属(アルミニウムやアルミニウム合金等)により形成されている。ベース部材20の直径は例えば220mm〜550mm程度(通常は220mm〜350mm)であり、ベース部材20の厚さは例えば20mm〜40mm程度である。   The base member 20 is, for example, a circular flat plate member having the same diameter as the ceramic plate 10 or a larger diameter than the ceramic plate 10, and is made of, for example, a metal (aluminum, aluminum alloy or the like). The diameter of the base member 20 is, for example, about 220 mm to 550 mm (usually, 220 mm to 350 mm), and the thickness of the base member 20 is, for example, about 20 mm to 40 mm.

ベース部材20は、セラミックス板10の下面S2とベース部材20の上面S3との間に配置された接着層30によって、セラミックス板10に接合されている。接着層30は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着材により構成されている。接着層30の厚さは、例えば0.1mm〜1mm程度である。   The base member 20 is bonded to the ceramic plate 10 by an adhesive layer 30 disposed between the lower surface S2 of the ceramic plate 10 and the upper surface S3 of the base member 20. The adhesive layer 30 is made of, for example, an adhesive such as silicone resin, acrylic resin, or epoxy resin. The thickness of the adhesive layer 30 is, for example, about 0.1 mm to 1 mm.

ベース部材20の内部には冷媒流路21が形成されている。冷媒流路21に冷媒(例えば、フッ素系不活性液体や水等)が流されると、ベース部材20が冷却され、接着層30を介したベース部材20とセラミックス板10との間の伝熱(熱引き)によりセラミックス板10が冷却され、セラミックス板10の吸着面S1に保持されたウェハWが冷却される。これにより、ウェハWの温度制御が実現される。   A refrigerant channel 21 is formed in the inside of the base member 20. When a refrigerant (for example, a fluorine-based inert liquid, water or the like) is allowed to flow through the refrigerant channel 21, the base member 20 is cooled, and the heat transfer between the base member 20 and the ceramic plate 10 via the adhesive layer 30 ( The ceramic plate 10 is cooled by the heat application, and the wafer W held on the suction surface S1 of the ceramic plate 10 is cooled. Thereby, temperature control of the wafer W is realized.

A−2.発熱用抵抗体層50および発熱抵抗体用ドライバ51の構成:
上述したように、セラミックス板10の内部には、発熱用抵抗体層50と発熱抵抗体用ドライバ51とが配置されている(図2参照)。図4は、発熱用抵抗体層50および発熱抵抗体用ドライバ51の構成(および測温用抵抗体層60、測温抵抗体用ドライバ70の構成)を模式的に示す説明図である。図4の上段には、発熱用抵抗体層50の一部のXZ断面構成が模式的に示されており、図4の中段には、発熱抵抗体用ドライバ51の一部のXY平面構成が模式的に示されている。
A-2. Configuration of heating resistor layer 50 and heating resistor driver 51:
As described above, the heating resistor layer 50 and the heating resistor driver 51 are disposed inside the ceramic plate 10 (see FIG. 2). FIG. 4 is an explanatory view schematically showing the configuration of the heating resistor layer 50 and the heating resistor driver 51 (and the configuration of the temperature measuring resistor layer 60 and the temperature measuring resistor driver 70). The XZ cross-sectional configuration of a part of the heating resistor layer 50 is schematically shown in the upper part of FIG. 4, and the XY plane configuration of a part of the heating resistor driver 51 is shown in the middle part of FIG. 4. It is shown schematically.

ここで、図3に示すように、本実施形態の静電チャック100では、セラミックス板10が、面方向(Z軸方向に直交する方向)に並ぶ複数のセグメントSEに仮想的に分割されている。より具体的には、Z軸方向視で、セラミックス板10が、吸着面S1の中心点P1を中心とする同心円状の複数の第1の境界線BL1によって複数の仮想的な環状領域(ただし、中心点P1を含む領域のみは円状領域)に分割され、さらに各環状領域が、吸着面S1の径方向に延びる複数の第2の境界線BL2によって吸着面S1の円周方向に並ぶ複数の仮想的な領域であるセグメントSEに分割されている。   Here, as shown in FIG. 3, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the ceramic plate 10 is virtually divided into a plurality of segments SE aligned in the plane direction (direction orthogonal to the Z-axis direction) . More specifically, as viewed in the Z-axis direction, the ceramic plate 10 has a plurality of virtual annular regions (but with a plurality of concentric first boundary lines BL1 centered on the center point P1 of the suction surface S1). Only the region including the center point P1 is divided into circular regions), and each annular region is further arranged in the circumferential direction of the suction surface S1 by the plurality of second boundary lines BL2 extending in the radial direction of the suction surface S1. It is divided into segments SE which are virtual areas.

図4に示すように、発熱用抵抗体層50は、複数の発熱用抵抗体500を含んでいる。複数の発熱用抵抗体500のそれぞれは、セラミックス板10に設定された複数のセグメントSEの1つに配置されている。すなわち、本実施形態の静電チャック100では、複数のセグメントSEのそれぞれに、1つの発熱用抵抗体500が配置されている。   As shown in FIG. 4, the heating resistor layer 50 includes a plurality of heating resistors 500. Each of the plurality of heating resistors 500 is disposed in one of the plurality of segments SE set in the ceramic plate 10. That is, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, one heating resistor 500 is disposed in each of the plurality of segments SE.

図5は、1つのセグメントSEに配置された1つの発熱用抵抗体500のXY断面構成を模式的に示す説明図である。図5に示すように、発熱用抵抗体500は、発熱用抵抗体500の両端を構成する一対のパッド部504と、一対のパッド部504の間を結ぶ線状の抵抗線部502とを備える。本実施形態では、抵抗線部502は、Z軸方向視で、セグメントSE内の各位置をできるだけ偏り無く通るような形状とされている。他のセグメントSEに配置された発熱用抵抗体500の構成も同様である。   FIG. 5 is an explanatory view schematically showing an XY cross-sectional configuration of one heating resistor 500 disposed in one segment SE. As shown in FIG. 5, the heating resistor 500 includes a pair of pad portions 504 constituting both ends of the heating resistor 500 and a linear resistance wire portion 502 connecting the pair of pad portions 504. . In the present embodiment, the resistance wire portion 502 is shaped so as to pass each position in the segment SE as evenly as possible in the Z-axis direction. The configuration of the heating resistor 500 disposed in the other segment SE is the same.

また、静電チャック100は、各発熱用抵抗体500への給電のための構成を備えている。具体的には、静電チャック100には、一対の端子用孔(図示しない)が形成されており、各端子用孔には給電端子(図示しない)が収容されている。   Further, the electrostatic chuck 100 has a configuration for supplying power to each heating resistor 500. Specifically, the electrostatic chuck 100 is formed with a pair of terminal holes (not shown), and power supply terminals (not shown) are accommodated in the respective terminal holes.

また、上述した発熱抵抗体用ドライバ51も、各発熱用抵抗体500への給電のための構成の一部である。図4に示すように、発熱抵抗体用ドライバ51は、第1の導電ライン511および第2の導電ライン512から構成された複数のライン対510を含んでいる。なお、図4に示す例では、第2の導電ライン512は、複数のライン対510に共有されている。ライン対510毎に個別の第2の導電ライン512が用意されてもよい。第1の導電ライン511および第2の導電ライン512のそれぞれは、ビアや電極パッド(共に図示しない)等を介して互いに異なる給電端子に電気的に接続されている。   Further, the above-described heating resistor driver 51 is also a part of the configuration for supplying power to each heating resistor 500. As shown in FIG. 4, the heating resistor driver 51 includes a plurality of line pairs 510 formed of a first conductive line 511 and a second conductive line 512. In the example shown in FIG. 4, the second conductive line 512 is shared by the plurality of line pairs 510. A separate second conductive line 512 may be provided for each line pair 510. Each of the first conductive line 511 and the second conductive line 512 is electrically connected to mutually different feed terminals through a via, an electrode pad (both not shown), and the like.

また、図4および図5に示すように、1つのライン対510を構成する第1の導電ライン511は、ビア対53を構成する一方のビア531を介して、発熱用抵抗体500の一端(パッド部504)に電気的に接続されており、該ライン対510を構成する第2の導電ライン512は、該ビア対53を構成する他方のビア532を介して、該発熱用抵抗体500の他端(パッド部504)に電気的に接続されている。   Also, as shown in FIGS. 4 and 5, the first conductive line 511 constituting one line pair 510 is one end of the heating resistor 500 (via the one via 531 constituting the via pair 53). The second conductive line 512, which is electrically connected to the pad portion 504) and which constitutes the line pair 510, is connected to the heating resistor 500 via the other via 532 which constitutes the via pair 53. The other end (pad portion 504) is electrically connected.

電源(図示しない)から給電端子、電極パッド、ビア、ライン対510、および、ビア対53を介して発熱用抵抗体500に電圧が印加されると、発熱用抵抗体500が発熱する。これにより、発熱用抵抗体500が配置されたセグメントSEが加熱される。セラミックス板10の各セグメントSEに配置された発熱用抵抗体500への印加電圧を個別に制御することにより、各セグメントSEの温度を個別に制御することができる。   When a voltage is applied from a power supply (not shown) to the heating resistor 500 through the feeding terminal, the electrode pad, the via, the line pair 510, and the pair of vias 53, the heating resistor 500 generates heat. As a result, the segment SE in which the heating resistor 500 is disposed is heated. By individually controlling the voltage applied to the heating resistor 500 disposed in each segment SE of the ceramic plate 10, the temperature of each segment SE can be controlled individually.

A−3.測温用抵抗体層60および測温抵抗体用ドライバ70の構成:
上述したように、セラミックス板10の内部には、測温用抵抗体層60と測温抵抗体用ドライバ70とが配置されている(図2参照)。図4の上段には、測温用抵抗体層60の一部のXZ断面構成が模式的に示されており、図4の下段には、測温抵抗体用ドライバ70の一部のXY平面構成が模式的に示されている。なお、測温抵抗体用ドライバ70は、特許請求の範囲におけるドライバに相当する。
A-3. Configuration of temperature measuring resistor layer 60 and temperature measuring resistor driver 70:
As described above, the temperature measuring resistor layer 60 and the temperature measuring resistor driver 70 are disposed in the ceramic plate 10 (see FIG. 2). The upper part of FIG. 4 schematically shows the XZ cross-sectional configuration of a part of the temperature measuring resistor layer 60, and the lower part of FIG. 4 shows the XY plane of a part of the temperature measuring resistor driver 70. The configuration is shown schematically. The resistance temperature detector driver 70 corresponds to the driver in the claims.

図2および図4に示すように、測温用抵抗体層60は、Z軸方向における位置が互いに異なる3つの層(上側から順に第1の抵抗体層61、第2の抵抗体層62、第3の抵抗体層63)から構成されている。図4に示すように、このような3つの層から構成された測温用抵抗体層60は、複数の測温用抵抗体600を含んでいる。複数の測温用抵抗体600のそれぞれは、セラミックス板10に設定された複数のセグメントSEの1つに配置されている。すなわち、本実施形態の静電チャック100では、複数のセグメントSEのそれぞれに、1つの測温用抵抗体600が配置されている。なお、上述したように、本実施形態の静電チャック100では、測温用抵抗体層60は発熱用抵抗体層50より下側に位置するため、各セグメントSEにおいて、測温用抵抗体600は、発熱用抵抗体500より下側(すなわち、発熱用抵抗体500と比較してベース部材20に近い側)に位置する。   As shown in FIGS. 2 and 4, the temperature measuring resistor layer 60 includes three layers (a first resistor layer 61, a second resistor layer 62, in order from the top, The third resistor layer 63) is formed. As shown in FIG. 4, the temperature-measuring resistor layer 60 composed of such three layers includes a plurality of temperature-measuring resistors 600. Each of the plurality of temperature measuring resistors 600 is disposed in one of the plurality of segments SE set in the ceramic plate 10. That is, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, one temperature measuring resistor 600 is disposed in each of the plurality of segments SE. As described above, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, since the temperature measuring resistor layer 60 is positioned below the heating resistor layer 50, the temperature measuring resistor 600 is used in each segment SE. Is located lower than the heating resistor 500 (ie, closer to the base member 20 as compared to the heating resistor 500).

図4に示すように、各測温用抵抗体600は、第1の抵抗体層61に含まれる第1の抵抗体要素610と、第2の抵抗体層62に含まれる第2の抵抗体要素620と、第3の抵抗体層63に含まれる第3の抵抗体要素630とを含んでいる。図6は、1つのセグメントSEに配置された1つの測温用抵抗体600を構成する第1の抵抗体要素610のXY断面構成を模式的に示す説明図である。図6には、参考のために、同一のセグメントSEに配置された発熱用抵抗体500の面方向の位置を破線で示している。図6に示すように、第1の抵抗体要素610は、第1の抵抗体要素610の両端を構成する一対のパッド部614と、一対のパッド部614の間を結ぶ線状の抵抗線部612とを備える。なお、測温用抵抗体600を構成する他の抵抗体要素(第2の抵抗体要素620および第3の抵抗体要素630)の構成は、図6に示す第1の抵抗体要素610の構成と同様である。すなわち、第2の抵抗体要素620および第3の抵抗体要素630のそれぞれは、一対のパッド部と、一対のパッド部の間を結ぶ線状の抵抗線部とを備えている。なお、第2の抵抗体要素620および第3の抵抗体要素630のパッド部や抵抗線部の位置や形状は、必ずしも第1の抵抗体要素610のパッド部や抵抗線部の位置や形状と同一でなくてもよい。   As shown in FIG. 4, each temperature measuring resistor 600 includes a first resistor element 610 included in the first resistor layer 61 and a second resistor included in the second resistor layer 62. The element 620 and the third resistor element 630 included in the third resistor layer 63 are included. FIG. 6 is an explanatory view schematically showing an XY cross-sectional configuration of the first resistor element 610 configuring one temperature measuring resistor 600 disposed in one segment SE. In FIG. 6, the position in the surface direction of the heating resistor 500 disposed in the same segment SE is indicated by a broken line for reference. As shown in FIG. 6, the first resistor element 610 is a linear resistance wire portion connecting between a pair of pad portions 614 constituting both ends of the first resistor element 610 and the pair of pad portions 614. And 612. The configuration of the other resistor elements (the second resistor element 620 and the third resistor element 630) constituting the temperature measuring resistor 600 is the configuration of the first resistor element 610 shown in FIG. Is the same as That is, each of the second resistor element 620 and the third resistor element 630 includes a pair of pad portions and a linear resistance wire portion connecting between the pair of pad portions. The positions and shapes of the pad portions and resistance wire portions of the second resistor element 620 and the third resistor element 630 are not necessarily the positions and shapes of the pad portions and resistance wire portion of the first resistor element 610. It does not have to be identical.

図4に示すように、第1の抵抗体要素610の一方の端部P12(具体的には、上述したパッド部614)は、ビア64を介して、第2の抵抗体要素620の一方の端部P22に電気的に接続されている。また、第2の抵抗体要素620の他方の端部P21は、他のビア65を介して、第3の抵抗体要素630の一方の端部P31に電気的に接続されている。すなわち、測温用抵抗体600を構成する3つの抵抗体要素(第1の抵抗体要素610、第2の抵抗体要素620、第3の抵抗体要素630)は、互いに直列に接続されている。   As shown in FIG. 4, one end P12 of the first resistor element 610 (specifically, the pad portion 614 described above) is connected to one of the second resistor elements 620 through the via 64. It is electrically connected to the end P22. Further, the other end P21 of the second resistor element 620 is electrically connected to one end P31 of the third resistor element 630 through the other via 65. That is, the three resistor elements (the first resistor element 610, the second resistor element 620, and the third resistor element 630) constituting the temperature measuring resistor 600 are connected in series with each other. .

また、静電チャック100は、各測温用抵抗体600への給電のための構成を備えている。具体的には、図2に示すように、静電チャック100には、ベース部材20の下面S4からセラミックス板10の内部に至る一対の端子用孔22が形成されており、各端子用孔22には給電端子12が収容されている。   In addition, the electrostatic chuck 100 has a configuration for supplying power to each temperature measuring resistor 600. Specifically, as shown in FIG. 2, in the electrostatic chuck 100, a pair of terminal holes 22 extending from the lower surface S4 of the base member 20 to the inside of the ceramic plate 10 are formed. The feed terminal 12 is accommodated in the housing.

また、上述した測温抵抗体用ドライバ70も、各測温用抵抗体600への給電のための構成の一部である。図4に示すように、測温抵抗体用ドライバ70は、第1の導電ライン711および第2の導電ライン712から構成された複数のライン対710を含んでいる。図2および図4に示すように、ライン対710を構成する第1の導電ライン711は、給電側ビア対75を構成する一方の給電側ビア751、および、電極パッド対77を構成する一方の電極パッド771を介して、一方の給電端子12に電気的に接続されており、該ライン対710を構成する第2の導電ライン712は、該給電側ビア対75を構成する他方の給電側ビア752、および、該電極パッド対77を構成する他方の電極パッド772を介して、他方の給電端子12に電気的に接続されている。なお、図4には、1つのライン対710についての給電側ビア対75を代表的に図示し、他のライン対710についての給電側ビア対75の図示を省略している。給電側ビア751は、特許請求の範囲における第1の給電側ビアに相当し、給電側ビア752は、特許請求の範囲における第2の給電側ビアに相当する。   Further, the temperature measuring resistor driver 70 described above is also a part of the configuration for supplying power to each temperature measuring resistor 600. As shown in FIG. 4, the resistance temperature detector driver 70 includes a plurality of line pairs 710 formed of a first conductive line 711 and a second conductive line 712. As shown in FIGS. 2 and 4, the first conductive line 711 constituting the line pair 710 is one of the feed via 751 constituting the feed via pair 75 and one constituting the electrode pad pair 77. The second conductive line 712 electrically connected to one of the feed terminals 12 via the electrode pad 771 and constituting the line pair 710 is the other feed via constituting the feed via pair 75. It is electrically connected to the other feed terminal 12 via the other electrode pad 772 constituting the electrode pad pair 77. In FIG. 4, the feed side via pair 75 for one line pair 710 is representatively shown, and the feed side via pair 75 for the other line pair 710 is omitted. The feed via 751 corresponds to a first feed via in the claims, and the feed via 752 corresponds to a second via in the claims.

また、図2、図4および図6に示すように、ライン対710を構成する第1の導電ライン711は、抵抗体側ビア対73を構成する一方の抵抗体側ビア731を介して、測温用抵抗体600の一端(より詳細には、測温用抵抗体600を構成する第1の抵抗体要素610の1つの端部P11であるパッド部614)に電気的に接続されており、該ライン対710を構成する第2の導電ライン712は、該抵抗体側ビア対73を構成する他方の抵抗体側ビア732を介して、該測温用抵抗体600の他端(より詳細には、測温用抵抗体600を構成する第3の抵抗体要素630の1つの端部P32であるパッド部)に電気的に接続されている。抵抗体側ビア731は、特許請求の範囲における第1の抵抗体側ビアに相当し、抵抗体側ビア732は、特許請求の範囲における第2の抵抗体側ビアに相当する。   Further, as shown in FIGS. 2, 4 and 6, the first conductive line 711 constituting the line pair 710 is for temperature measurement via one resistor side via 731 constituting the resistor side via pair 73. The line is electrically connected to one end of the resistor 600 (more specifically, the pad portion 614 which is one end P11 of the first resistor element 610 constituting the temperature measuring resistor 600), and the line The second conductive line 712 constituting the pair 710 is the other end of the temperature measuring resistor 600 (more specifically, the temperature measurement through the other resistor side via 732 constituting the resistor side via pair 73). It is electrically connected to the pad part which is one end P32 of the 3rd resistor element 630 which constitutes the resistor 600. The resistor side via 731 corresponds to a first resistor side via in the claims, and the resistor side via 732 corresponds to a second resistor side via in the claims.

電源(図示しない)から一対の給電端子12、電極パッド対77、給電側ビア対75、ライン対710、および、抵抗体側ビア対73を介して測温用抵抗体600に電圧が印加されると、測温用抵抗体600に電流が流れる。測温用抵抗体600は、温度が変化すると抵抗値が変化する導電性材料(例えば、タングステン、モリブデン、白金等)により形成されている。具体的には、測温用抵抗体600は、温度が高くなるほど抵抗値が高くなる。また、静電チャック100は、測温用抵抗体600に印加された電圧と測温用抵抗体600に流れる電流とを測定するための構成(例えば、電圧計や電流計(いずれも図示しない))を有している。そのため、本実施形態の静電チャック100では、測温用抵抗体600の電圧の測定値と測温用抵抗体600の電流の測定値とに基づき、測温用抵抗体600の温度を測定(特定)することができる。   When a voltage is applied from the power supply (not shown) to the temperature measuring resistor 600 via the pair of feed terminals 12, the electrode pad pair 77, the feed side via pair 75, the line pair 710, and the resistor side via pair 73 The current flows to the temperature measuring resistor 600. The temperature measuring resistor 600 is formed of a conductive material (e.g., tungsten, molybdenum, platinum, etc.) whose resistance value changes as the temperature changes. Specifically, the resistance value of the temperature measuring resistor 600 becomes higher as the temperature becomes higher. Further, the electrostatic chuck 100 is configured to measure a voltage applied to the temperature measuring resistor 600 and a current flowing to the temperature measuring resistor 600 (for example, a voltmeter or an ammeter (neither is shown)) )have. Therefore, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the temperature of the temperature measuring resistor 600 is measured based on the measured value of the voltage of the temperature measuring resistor 600 and the measured value of the current of the temperature measuring resistor 600 ( Identification).

上述した方法によってセラミックス板10に配置された各測温用抵抗体600の温度を個別に測定することにより、セラミックス板10の各セグメントSEの温度をリアルタイムで個別に測定することができる。そのため、本実施形態の静電チャック100では、セラミックス板10の各セグメントSEの温度測定結果に基づき、各セグメントSEに配置された発熱用抵抗体500への印加電圧を個別に制御することにより、各セグメントSEの温度を精度良く制御することができる。従って、本実施形態の静電チャック100によれば、セラミックス板10の吸着面S1の温度分布の均一性(すなわち、ウェハWの温度分布の均一性)を向上させることができる。なお、上述した発熱用抵抗体500および測温用抵抗体600に対する給電経路を形成するための構成を、まとめて給電部80と呼ぶ(図2参照)。   The temperature of each segment SE of the ceramic plate 10 can be separately measured in real time by individually measuring the temperature of each of the temperature measuring resistors 600 disposed on the ceramic plate 10 by the method described above. Therefore, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the voltage applied to the heating resistor 500 disposed in each segment SE is individually controlled based on the temperature measurement result of each segment SE of the ceramic plate 10. The temperature of each segment SE can be controlled with high accuracy. Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the uniformity of the temperature distribution of the suction surface S1 of the ceramic plate 10 (that is, the uniformity of the temperature distribution of the wafer W) can be improved. In addition, the structure for forming the electric power feeding path with respect to the heating resistor 500 and the resistance 600 for temperature measurement mentioned above is collectively called the electric power feeding part 80 (refer FIG. 2).

ここで、図6には、Z軸方向に平行な仮想平面VS(より具体的には、X軸に平行な仮想平面VS)に、測温用抵抗体600を構成する第1の抵抗体要素610と、該測温用抵抗体600と同一のセグメントSEに配置された発熱用抵抗体500とを投影したときの、第1の抵抗体要素610の投影601と、発熱用抵抗体500の投影501とが示されている。図6に示すように、第1の抵抗体要素610の投影601の両端EP11,EP12の位置は、発熱用抵抗体500の投影501の両端EP21,EP22の間の位置となっている。このように、本実施形態の静電チャック100では、Z軸方向に平行な任意の仮想平面VSに、第1の抵抗体要素610と、該測温用抵抗体600と同一のセグメントSEに配置された発熱用抵抗体500とを投影したとき、仮想平面VSに平行で、かつ、Z軸方向に直交する方向(図6の例ではX軸方向)において、第1の抵抗体要素610の投影の両端の位置は、発熱用抵抗体500の投影の両端の間の位置である。   Here, in FIG. 6, a first resistor element constituting the temperature measuring resistor 600 in a virtual plane VS parallel to the Z-axis direction (more specifically, a virtual plane VS parallel to the X-axis). A projection 601 of the first resistor element 610 and a projection of the heating resistor 500 when projecting the heating resistor 600 disposed in the same segment SE as the temperature measuring resistor 600 are projected. 501 is shown. As shown in FIG. 6, the positions of both ends EP11 and EP12 of the projection 601 of the first resistor element 610 are located between the ends EP21 and EP22 of the projection 501 of the heating resistor 500. As described above, in the electrostatic chuck 100 according to the present embodiment, the first resistor element 610 and the segment SE identical to the temperature measuring resistor 600 are disposed in an arbitrary virtual plane VS parallel to the Z-axis direction. And the projection of the first resistor element 610 in a direction parallel to the virtual plane VS and orthogonal to the Z-axis direction (the X-axis direction in the example of FIG. 6). The positions of both ends of are the positions between the ends of the projection of the heating resistor 500.

また、第2の抵抗体要素620および第3の抵抗体要素630についても、同様に、第2の抵抗体要素620(または第3の抵抗体要素630)の投影の両端の位置は、発熱用抵抗体500の投影の両端の間の位置である。従って、3つの抵抗体要素(第1の抵抗体要素610、第2の抵抗体要素620、第3の抵抗体要素630)から構成された測温用抵抗体600についても、Z軸方向に平行な任意の仮想平面に、測温用抵抗体600と、該測温用抵抗体600と同一のセグメントSE内に配置された発熱用抵抗体500とを投影したとき、仮想平面に平行で、かつ、Z軸方向に直交する方向において、測温用抵抗体600の投影の両端の位置は、発熱用抵抗体500の投影の両端の間の位置となる。なお、このような特徴は、測温用抵抗体600が、Z軸方向視で、該測温用抵抗体600と同一のセグメントSEに配置された発熱用抵抗体500と比較して、セグメントSEにおける、より内側の位置(セグメントSEの境界からより離れた位置)に配置されていることを意味する。   Similarly, with regard to the second resistor element 620 and the third resistor element 630, the positions of both ends of the projection of the second resistor element 620 (or the third resistor element 630) are for heat generation. The position between the ends of the projection of the resistor 500. Therefore, the temperature measuring resistor 600 including the three resistor elements (the first resistor element 610, the second resistor element 620, and the third resistor element 630) is also parallel to the Z-axis direction. When the temperature measuring resistor 600 and the heating resistor 500 disposed in the same segment SE as the temperature measuring resistor 600 are projected onto any arbitrary virtual plane, it is parallel to the virtual plane and In the direction orthogonal to the Z-axis direction, positions of both ends of the projection of the temperature measuring resistor 600 are positions between both ends of the projection of the heating resistor 500. Such a feature is compared with the heating resistor 500 disposed on the same segment SE as the temperature sensing resistor 600 in the Z-axis direction, as compared with the heating resistor 500. It means that it is disposed at an inner position (position farther from the boundary of the segment SE) in

また、図4に示すように、本実施形態の静電チャック100では、測温抵抗体用ドライバ70に含まれる各導電ライン(第1の導電ライン711または第2の導電ライン712)の線幅が互いに同一ではない。より詳細には、導電ライン711,712の長さLが長いほど、導電ライン711,712の線幅Wが太くなっている。例えば、図4に示す測温抵抗体用ドライバ70に含まれる6本の導電ライン711,712の長さを図の上側に示されたものから順にL1,L2,L3,L4,L5,L6とし、それらの線幅を同順にW1,W2,W3,W4,W5,W6とすると、以下の関係(1)および(2)が成立している。そのため、測温抵抗体用ドライバ70に含まれる各導電ライン711,712の抵抗値は、互いに近い値となっている。なお、導電ライン711,712の長さLとは、該導電ライン711,712における一の導電部材(例えば、測温用抵抗体600)との接続ためのビアの中心(ビアが複数存在する場合には、複数のビアの中心点を頂点とする多角形の図心)から、該導電ライン711,712における他の導電部材(例えば、電極パッド771)との接続ためのビアの中心(同)までの、延伸方向に沿った寸法(大きさ)を意味する。また、導電ライン711,712の幅Wとは、該導電ライン711,712の延伸方向に直交する方向に沿った寸法(大きさ)を意味する。
L1<L2<L3<L4<L5<L6・・・(1)
W1<W2<W3<W4<W5<W6・・・(2)
Further, as shown in FIG. 4, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the line widths of the respective conductive lines (the first conductive line 711 or the second conductive line 712) included in the temperature measuring resistor driver 70. Are not identical to one another. More specifically, the line width W of the conductive lines 711 and 712 is thicker as the length L of the conductive lines 711 and 712 is longer. For example, let the lengths of the six conductive lines 711 and 712 included in the temperature measuring resistor driver 70 shown in FIG. 4 be L1, L2, L3, L4, L5 and L6 in the order from those shown on the upper side of the figure. Assuming that their line widths are W1, W2, W3, W4, W5, and W6 in the same order, the following relationships (1) and (2) hold. Therefore, the resistance values of the conductive lines 711 and 712 included in the temperature measuring resistor driver 70 are close to each other. The length L of the conductive lines 711 and 712 means the center of a via (a plurality of vias) for connection with one conductive member (for example, the temperature measuring resistor 600) in the conductive lines 711 and 712. In the center of a plurality of vias, and the center of the via for connection to another conductive member (for example, electrode pad 771) in the conductive lines 711 and 712. It means the dimension (size) along the stretching direction up to. Further, the width W of the conductive lines 711 and 712 means a dimension (size) along a direction orthogonal to the extension direction of the conductive lines 711 and 712.
L1 <L2 <L3 <L4 <L5 <L6 (1)
W1 <W2 <W3 <W4 <W5 <W6 (2)

また、図4に示すように、本実施形態の静電チャック100では、測温抵抗体用ドライバ70に含まれるライン対710を構成する第1の導電ライン711および第2の導電ライン712の線幅は、該ライン対710に電気的に接続された測温用抵抗体600の線幅(具体的には、測温用抵抗体600を構成する第1の抵抗体要素610、第2の抵抗体要素620、第3の抵抗体要素630の抵抗線部の線幅)より太くなっている。例えば、図4に示された3つのセグメントSEの内、最も左側に位置するセグメントSEに配置された測温用抵抗体600に電気的に接続されたライン対710を構成する第1の導電ライン711の線幅W5および第2の導電ライン712の線幅W6は、共に、該測温用抵抗体600の線幅より太くなっている。   Further, as shown in FIG. 4, in the electrostatic chuck 100 according to the present embodiment, the lines of the first conductive line 711 and the second conductive line 712 constituting the line pair 710 included in the temperature measuring resistor driver 70. The width is the line width of the temperature measuring resistor 600 electrically connected to the line pair 710 (specifically, the first resistor element 610 constituting the temperature measuring resistor 600, the second resistance It is thicker than the line width of the resistance wire portion of the body element 620 and the third resistor element 630. For example, a first conductive line constituting a pair of lines 710 electrically connected to resistance temperature detector 600 disposed in the leftmost segment SE among the three segments SE shown in FIG. The line width W5 of 711 and the line width W6 of the second conductive line 712 are both thicker than the line width of the temperature measuring resistor 600.

A−4.本実施形態の効果:
以上説明したように、第1実施形態の静電チャック100は、Z軸方向に略直交する略平面状の吸着面S1を有するセラミックス板10備え、セラミックス板10の吸着面S1上に対象物(例えばウェハW)を保持する保持装置である。静電チャック100は、セラミックス板10を面方向に並ぶ複数のセグメントSEに仮想的に分割したときの各セグメントSE内に配置された発熱用抵抗体500および測温用抵抗体600と、発熱用抵抗体500および測温用抵抗体600に対する給電経路を構成する給電部80とを備える。各セグメントSEにおいて、測温用抵抗体600のZ軸方向における位置は、発熱用抵抗体500の位置とは異なる。また、第1実施形態の静電チャック100では、各測温用抵抗体600は、Z軸方向における位置が互いに異なり、かつ、互いに直列に接続された3層の抵抗体要素(第1の抵抗体要素610、第2の抵抗体要素620、第3の抵抗体要素630)を有する。そのため、第1実施形態の静電チャック100では、測温用抵抗体600が単層構成である形態と比較して、測温用抵抗体600を1つのセグメントSE内に収めつつ、その抵抗値を高くすることができる。測温用抵抗体600の抵抗値が高くなると、測温用抵抗体600の抵抗値に基づく温度測定の分解能(感度)は向上する。従って、第1実施形態の静電チャック100によれば、測温用抵抗体600の抵抗値に基づく温度測定の分解能を向上させることによってセラミックス板10の各セグメントSEの温度測定の精度を向上させることができ、各セグメントSEに配置された発熱用抵抗体500を用いた各セグメントSEの温度制御の精度を向上させることができ、その結果、セラミックス板10の吸着面S1の温度分布の均一性(すなわち、ウェハWの温度分布の均一性)を向上させることができる。
A-4. Effects of the present embodiment:
As described above, the electrostatic chuck 100 according to the first embodiment includes the ceramic plate 10 having the substantially planar adsorption surface S1 substantially orthogonal to the Z-axis direction, and the object (the electrostatic chuck 100) For example, the holding device holds the wafer W). The electrostatic chuck 100 is a heating resistor 500 and a temperature measuring resistor 600 disposed in each segment SE when the ceramic plate 10 is virtually divided into a plurality of segments SE aligned in the surface direction, and a heating resistor A feed unit 80 is provided which constitutes a feed path to the resistor 500 and the temperature measuring resistor 600. In each segment SE, the position of the temperature measuring resistor 600 in the Z-axis direction is different from the position of the heating resistor 500. Further, in the electrostatic chuck 100 according to the first embodiment, the temperature measuring resistors 600 are three layers of resistor elements (first resistances) which are mutually different in position in the Z-axis direction and connected in series with each other. Body element 610, second resistor element 620, third resistor element 630). Therefore, in the electrostatic chuck 100 according to the first embodiment, the resistance value of the temperature measuring resistor 600 is contained in one segment SE, as compared with the mode in which the temperature measuring resistor 600 has a single layer configuration. Can be raised. When the resistance value of the temperature measuring resistor 600 is increased, the resolution (sensitivity) of temperature measurement based on the resistance value of the temperature measuring resistor 600 is improved. Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the first embodiment, the resolution of temperature measurement based on the resistance value of the temperature measuring resistor 600 is improved to improve the accuracy of temperature measurement of each segment SE of the ceramic plate 10 The temperature control accuracy of each segment SE can be improved using the heating resistor 500 disposed in each segment SE. As a result, the uniformity of the temperature distribution on the suction surface S1 of the ceramic plate 10 can be improved. That is, the uniformity of the temperature distribution of the wafer W can be improved.

また、第1実施形態の静電チャック100は、さらに、セラミックス板10における吸着面S1とは反対側の表面S2に対向するように配置されたベース部材20を備える。ベース部材20の内部には、冷媒流路21が形成されている。各測温用抵抗体600は、同一のセグメントSE内に配置された発熱用抵抗体500と比較して、ベース部材20に近い位置に配置されている。上述したように、第1実施形態の静電チャック100では、発熱用抵抗体500による加熱に加えて、ベース部材20の冷媒流路21に供給される冷媒による冷却(熱引き)を利用して、セラミックス板10の温度制御が行われる。第1実施形態の静電チャック100では、Z軸方向において、加熱のための発熱用抵抗体500と冷却のための冷媒流路21との間の位置に、各測温用抵抗体600が配置されることとなるため、測温用抵抗体600を用いた各セグメントSEの温度測定の精度をさらに向上させることができ、その結果、セラミックス板10の吸着面S1の温度分布の均一性(すなわち、ウェハWの温度分布の均一性)をさらに向上させることができる。   In addition, the electrostatic chuck 100 according to the first embodiment further includes the base member 20 disposed to face the surface S2 opposite to the suction surface S1 of the ceramic plate 10. Inside the base member 20, a refrigerant flow path 21 is formed. Each temperature measuring resistor 600 is disposed at a position closer to the base member 20 as compared to the heating resistor 500 disposed in the same segment SE. As described above, in the electrostatic chuck 100 according to the first embodiment, in addition to the heating by the heating resistor 500, the cooling (heating) by the refrigerant supplied to the refrigerant flow path 21 of the base member 20 is used. , Temperature control of the ceramic plate 10 is performed. In the electrostatic chuck 100 according to the first embodiment, each temperature measuring resistor 600 is disposed at a position between the heating resistor 500 for heating and the coolant channel 21 for cooling in the Z-axis direction. Therefore, it is possible to further improve the accuracy of temperature measurement of each segment SE using the temperature measuring resistor 600, and as a result, the uniformity of the temperature distribution of the adsorption surface S1 of the ceramic plate 10 (ie, The uniformity of the temperature distribution of the wafer W can be further improved.

また、第1実施形態の静電チャック100では、発熱用抵抗体500および測温用抵抗体600に対する給電経路を構成する給電部80が、測温抵抗体用ドライバ70と、一対の給電端子12と、給電側ビア対75と、抵抗体側ビア対73とを備える。測温抵抗体用ドライバ70は、第1の導電ライン711と第2の導電ライン712とから構成されたライン対710を有する。給電側ビア対75は、測温抵抗体用ドライバ70に含まれるライン対710を構成する第1の導電ライン711を、一方の給電端子12に電気的に接続するための給電側ビア751と、上記ライン対710を構成する第2の導電ライン712を、他方の給電端子12に電気的に接続するための給電側ビア752とを有する。抵抗体側ビア対73は、測温用抵抗体600の一端を、上記ライン対710を構成する第1の導電ライン711に電気的に接続する抵抗体側ビア731と、該測温用抵抗体600の他端を、上記ライン対710を構成する第2の導電ライン712に電気的に接続する抵抗体側ビア732とを有する。また、第1実施形態の静電チャック100では、測温用抵抗体600に電気的に接続されたライン対710を構成する第1の導電ライン711および第2の導電ライン712の線幅は、上記測温用抵抗体600の線幅より太い。そのため、第1実施形態の静電チャック100によれば、測温抵抗体用ドライバ70に含まれるライン対710を構成する各導電ライン711,712の抵抗値を相対的に低くし、測温用抵抗体600の抵抗値を相対的に高くすることができる。   Further, in the electrostatic chuck 100 according to the first embodiment, the feeding portion 80 constituting a feeding path to the heating resistor 500 and the temperature measuring resistor 600 includes the temperature measuring resistor driver 70 and the pair of feeding terminals 12. , A feed side via pair 75, and a resistor side via pair 73. The resistance temperature detector driver 70 has a line pair 710 composed of a first conductive line 711 and a second conductive line 712. The feed-side via pair 75 includes a feed-side via 751 for electrically connecting the first conductive line 711 constituting the line pair 710 included in the resistance temperature detector driver 70 to one feed terminal 12. A feed side via 752 for electrically connecting the second conductive line 712 constituting the line pair 710 to the other feed terminal 12 is provided. The resistor-side via pair 73 includes a resistor-side via 731 electrically connecting one end of the temperature measuring resistor 600 to the first conductive line 711 constituting the line pair 710, and the temperature measuring resistor 600. And a resistor side via 732 electrically connecting the other end to the second conductive line 712 constituting the line pair 710. In the electrostatic chuck 100 according to the first embodiment, the line widths of the first conductive line 711 and the second conductive line 712 constituting the line pair 710 electrically connected to the temperature measuring resistor 600 are as follows: It is thicker than the line width of the resistor 600 for temperature measurement. Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the first embodiment, the resistance value of each of the conductive lines 711 and 712 constituting the line pair 710 included in the temperature measuring resistor driver 70 is made relatively low, The resistance value of the resistor 600 can be made relatively high.

なお、各導電ライン711,712や測温用抵抗体600の抵抗温度係数は、おおよそ、その形成材料の種類により決まる。各導電ライン711,712や測温用抵抗体600の形成に使用できる材料はある程度限られた材料であり(セラミックスと同時焼成できる材料であり、例えば、タングステン、モリブデン、白金等)、それらの抵抗温度係数にはほとんど差がないため、形成材料の選択によって測温用抵抗体600の抵抗値を相対的に高くすることは困難である。そのため、本実施形態では、各導電ライン711,712や測温用抵抗体600の太さを調整することによって、測温用抵抗体600の抵抗値を相対的に高くすることを実現しているのである。また、比抵抗については絶縁体(例えば、アルミナ)を混ぜることによって高くすることができるため、上述した測温用抵抗体600の抵抗値を相対的に高くする手段に、そのような比抵抗を変える手段を併用してもよい。   The temperature coefficient of resistance of each of the conductive lines 711 and 712 and the temperature measuring resistor 600 is approximately determined by the type of the forming material. The materials that can be used to form the conductive lines 711 and 712 and the temperature measuring resistor 600 are limited to a certain extent (materials that can be co-fired with ceramics, for example, tungsten, molybdenum, platinum, etc.), and their resistances Since there is almost no difference in temperature coefficients, it is difficult to relatively increase the resistance value of the temperature measuring resistor 600 by selecting the forming material. Therefore, in the present embodiment, it is realized to relatively increase the resistance value of the temperature measuring resistor 600 by adjusting the thickness of each of the conductive lines 711 and 712 and the temperature measuring resistor 600. It is Moreover, since the specific resistance can be increased by mixing an insulator (for example, alumina), such a specific resistance is used as a means for relatively increasing the resistance value of the temperature measuring resistor 600 described above. Changing means may be used in combination.

このように、第1実施形態の静電チャック100によれば、測温用抵抗体600の抵抗値を相対的に高くすることができるため、測温用抵抗体600の抵抗値に基づく温度測定の分解能を向上させることによってセラミックス板10の各セグメントSEの温度測定の精度を向上させることができ、その結果、セラミックス板10の吸着面S1の温度分布の均一性(すなわち、ウェハWの温度分布の均一性)を向上させることができる。また、各測温用抵抗体600は、セグメントSE内に収容されるため、測温用抵抗体600の抵抗値が他のセグメントSEの温度の影響を受けるおそれは少ないが、測温抵抗体用ドライバ70に含まれるライン対710を構成する各導電ライン711,712は、該導電ライン711,712に電気的に接続された測温用抵抗体600が収容されるセグメントSE内には収まらず、他のセグメントSE内を通るように配置されるため(図4参照)、各導電ライン711,712の抵抗値は、他のセグメントSEの温度の影響を受ける。上述したように、第1実施形態の静電チャック100によれば、測温抵抗体用ドライバ70に含まれるライン対710を構成する各導電ライン711,712の抵抗値を相対的に低くすることができるため、測温用抵抗体600とライン対710とを含む電気回路の抵抗値に占める、(他のセグメントSEの温度の影響を受ける)ライン対710の抵抗値の割合を下げることができる。従って、第1実施形態の静電チャック100によれば、測温用抵抗体600を用いた各セグメントSEの温度測定の精度を効果的に向上させることができ、セラミックス板10の吸着面S1の温度分布の均一性(すなわち、ウェハWの温度分布の均一性)を効果的に向上させることができる。   Thus, according to the electrostatic chuck 100 of the first embodiment, the resistance value of the temperature measuring resistor 600 can be made relatively high. Therefore, the temperature measurement based on the resistance value of the temperature measuring resistor 600 The accuracy of temperature measurement of each segment SE of the ceramic plate 10 can be improved by improving the resolution of the substrate 10. As a result, the uniformity of the temperature distribution of the suction surface S1 of the ceramic plate 10 (ie, the temperature distribution of the wafer W Uniformity) can be improved. Moreover, since each temperature measuring resistor 600 is accommodated in the segment SE, there is little possibility that the resistance value of the temperature measuring resistor 600 will be affected by the temperature of the other segment SE, but for the temperature measuring resistor The conductive lines 711 and 712 constituting the line pair 710 included in the driver 70 do not fit in the segment SE in which the temperature measuring resistor 600 electrically connected to the conductive lines 711 and 712 is accommodated. The resistance values of the conductive lines 711 and 712 are influenced by the temperature of the other segment SE because they are arranged to pass through the other segment SE (see FIG. 4). As described above, according to the electrostatic chuck 100 of the first embodiment, the resistance values of the respective conductive lines 711 and 712 constituting the line pair 710 included in the resistance temperature detector driver 70 are relatively lowered. Can reduce the ratio of the resistance of the line pair 710 (which is affected by the temperature of the other segment SE) in the resistance value of the electric circuit including the temperature measuring resistor 600 and the line pair 710. . Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the first embodiment, the accuracy of the temperature measurement of each segment SE using the temperature measuring resistor 600 can be effectively improved, and the suction surface S1 of the ceramic plate 10 can be obtained. The uniformity of the temperature distribution (ie, the uniformity of the temperature distribution of the wafer W) can be effectively improved.

また、本実施形態の静電チャック100では、測温抵抗体用ドライバ70に含まれる各導電ライン(第1の導電ライン711および第2の導電ライン712)について、導電ライン711,712の長さLが長いほど、導電ライン711,712の線幅Wが太くなっている。そのため、本実施形態の静電チャック100によれば、測温抵抗体用ドライバ70に含まれる各導電ライン711,712の抵抗値を互いに近付けることができ、測温用抵抗体600と導電ライン711,712とを含む電気回路の抵抗値に占める、導電ライン711,712の抵抗値のバラツキを低減することができる。従って、本実施形態の静電チャック100によれば、測温用抵抗体600を用いた各セグメントSEの温度測定の精度を効果的に向上させることができ、セラミックス板10の吸着面S1の温度分布の均一性(すなわち、ウェハWの温度分布の均一性)を効果的に向上させることができる。   Further, in the electrostatic chuck 100 according to the present embodiment, the lengths of the conductive lines 711 and 712 for the respective conductive lines (the first conductive line 711 and the second conductive line 712) included in the temperature measuring resistor driver 70. As the length L is longer, the line width W of the conductive lines 711 and 712 is thicker. Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the resistance values of the conductive lines 711 and 712 included in the temperature measuring resistor driver 70 can be made close to each other, and the temperature measuring resistor 600 and the conductive line 711 , And 712, the variation in the resistance value of the conductive lines 711 and 712 can be reduced. Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the accuracy of the temperature measurement of each segment SE using the temperature measuring resistor 600 can be effectively improved, and the temperature of the suction surface S1 of the ceramic plate 10 The uniformity of the distribution (ie, the uniformity of the temperature distribution of the wafer W) can be effectively improved.

また、本実施形態の静電チャック100では、Z軸方向に平行な任意の仮想平面VSに、測温用抵抗体600と、上記測温用抵抗体600と同一のセグメントSE内に配置された発熱用抵抗体500とを投影したとき、仮想平面VSに平行で、かつ、Z軸方向に直交する方向において、測温用抵抗体600の投影601の両端EP11,EP12の位置は、発熱用抵抗体500の投影501の両端EP21,EP22の間の位置である。そのため、本実施形態の静電チャック100では、Z軸方向視で、測温用抵抗体600を、該測温用抵抗体600と同一のセグメントSEに配置された発熱用抵抗体500と比較して、セグメントSEにおけるより内側の位置(セグメントSEの境界からより離れた位置)に配置することができる。従って、本実施形態の静電チャック100によれば、あるセグメントSEに配置された測温用抵抗体600の温度(抵抗値)が他のセグメントSEの温度の影響を受けることを抑制することができるため、測温用抵抗体600を用いた各セグメントSEの温度測定の精度を向上させることができ、その結果、セラミックス板10の吸着面S1の温度分布の均一性(すなわち、ウェハWの温度分布の均一性)を向上させることができる。   Further, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the temperature measuring resistor 600 and the segment SE which is the same as the temperature measuring resistor 600 are disposed in an arbitrary virtual plane VS parallel to the Z-axis direction. When the heating resistor 500 is projected, the positions of both ends EP11 and EP12 of the projection 601 of the temperature measuring resistor 600 in the direction parallel to the virtual plane VS and orthogonal to the Z-axis direction are the heating resistors. This is the position between both ends EP21 and EP22 of the projection 501 of the body 500. Therefore, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the temperature measuring resistor 600 is compared with the heating resistor 500 disposed in the same segment SE as the temperature measuring resistor 600 in the Z-axis direction. Thus, it can be arranged at a more inner position in the segment SE (a position farther from the boundary of the segment SE). Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, it is suppressed that the temperature (resistance value) of the temperature measuring resistor 600 disposed in a certain segment SE is affected by the temperature of the other segment SE. Therefore, the accuracy of the temperature measurement of each segment SE using the temperature measuring resistor 600 can be improved, and as a result, the uniformity of the temperature distribution of the adsorption surface S1 of the ceramic plate 10 (ie, the temperature of the wafer W The uniformity of the distribution can be improved.

A−5.第1実施形態の変形例:
図7は、第1実施形態の変形例における静電チャック100の発熱用抵抗体層50、発熱抵抗体用ドライバ51、測温用抵抗体層60、および、測温抵抗体用ドライバ70の構成を模式的に示す説明図である。図7に示す第1実施形態の変形例の静電チャック100の構成は、上述した第1実施形態の静電チャック100の構成と比較して、発熱用抵抗体500に接続される2つの導電ラインの内の一方が、該発熱用抵抗体500と同一のセグメントSEに配置された測温用抵抗体600に接続される2つの導電ラインの内の一方と共通化されている点が異なる。例えば、図7に示された3つのセグメントSEの内、最も右側に位置するセグメントSEに配置された発熱用抵抗体500の一端は、発熱抵抗体用ドライバ51に含まれる第1の導電ライン511に電気的に接続されているが、発熱用抵抗体500の他端は、該セグメントSEに配置された測温用抵抗体600に電気的に接続されたライン対710を構成する第2の導電ライン712に電気的に接続されている(そのため、ビア対53を構成するビア532と抵抗体側ビア対73を構成する抵抗体側ビア732とが共通化されている)。このような構成であっても、発熱用抵抗体500および測温用抵抗体600への印加電圧を個別に制御することができ、測温用抵抗体600を用いた各セグメントSEの温度測定結果に基づく発熱用抵抗体500を用いた各セグメントSEの温度制御を実現することができる。
A-5. Modification of the first embodiment:
FIG. 7 shows the configuration of the heating resistor layer 50, the heating resistor driver 51, the temperature measuring resistor layer 60, and the temperature measuring resistor driver 70 of the electrostatic chuck 100 according to the modification of the first embodiment. It is explanatory drawing which shows typically. The configuration of the electrostatic chuck 100 according to the modification of the first embodiment shown in FIG. 7 is different from the configuration of the electrostatic chuck 100 according to the first embodiment described above in that two conductive elements connected to the heating resistor 500 The difference is that one of the lines is shared with one of the two conductive lines connected to the temperature measuring resistor 600 disposed in the same segment SE as the heating resistor 500. For example, among the three segments SE shown in FIG. 7, one end of the heating resistor 500 disposed in the rightmost segment SE is a first conductive line 511 included in the heating resistor driver 51. , And the other end of the heat generating resistor 500 is a second conductive wire constituting a line pair 710 electrically connected to the temperature measuring resistor 600 disposed in the segment SE. It is electrically connected to the line 712 (so that the via 532 constituting the via pair 53 and the resistor side via 732 constituting the resistor side via pair 73 are made common). Even with such a configuration, the voltages applied to the heating resistor 500 and the temperature measuring resistor 600 can be individually controlled, and the temperature measurement result of each segment SE using the temperature measuring resistor 600 Temperature control of each segment SE using the heating resistor 500 based on the above can be realized.

B.その他の変形例:
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。
B. Other variations:
The technology disclosed in the present specification is not limited to the above-described embodiment, and can be modified into various forms without departing from the scope of the present invention. For example, the following modifications are also possible.

上記実施形態における静電チャック100の構成は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、各測温用抵抗体600が、Z軸方向における位置が互いに異なり、かつ、互いに直列に接続された3つの抵抗体要素(第1の抵抗体要素610、第2の抵抗体要素620、第3の抵抗体要素630)から構成されているが、各測温用抵抗体600が、Z軸方向における位置が互いに異なり、かつ、互いに直列に接続された2つまたは4つ以上の抵抗体要素から構成されているとしてもよい。このような構成でも、測温用抵抗体600の抵抗値を高くすることによって測温用抵抗体600の抵抗値に基づく温度測定の分解能を向上させることができ、測温用抵抗体600によるセラミックス板10のセグメントSEの温度測定の精度を向上させることができる。なお、各測温用抵抗体600は、必ずしも複数層の抵抗体要素から構成されている必要はなく、単層の抵抗体要素から構成されているとしてもよい。   The configuration of the electrostatic chuck 100 in the above embodiment is merely an example, and various modifications are possible. For example, in the above embodiment, each temperature measuring resistor 600 has three resistor elements (a first resistor element 610, a second The resistance element 620, the third resistance element 630), but each of the temperature measuring resistors 600 are different from each other in the Z-axis direction and are connected in series with each other, or 2 or 4 It may be composed of two or more resistor elements. Even in such a configuration, the resolution of temperature measurement based on the resistance value of the temperature measuring resistor 600 can be improved by increasing the resistance value of the temperature measuring resistor 600, and the ceramic by the temperature measuring resistor 600 The accuracy of the temperature measurement of the segment SE of the plate 10 can be improved. Each temperature measuring resistor 600 does not necessarily have to be composed of a plurality of layers of resistor elements, and may be composed of a single layer of resistor elements.

また、上記実施形態では、測温抵抗体用ドライバ70に含まれるライン対710を構成する第1の導電ライン711および第2の導電ライン712の線幅が、該ライン対710に電気的に接続された測温用抵抗体600の線幅より太いとしているが、第1の導電ラインと第2の導電ラインとの一方のみの線幅が、測温用抵抗体600の線幅より太いとしてもよい。このような構成でも、測温用抵抗体600の抵抗値を相対的に高くすることによって測温用抵抗体600の抵抗値に基づく温度測定の分解能を向上させることができ、測温用抵抗体600によるセラミックス板10のセグメントSEの温度測定の精度を向上させることができると共に、導電ライン(第1の導電ライン711または第2の導電ライン712)の抵抗値を相対的に低くすることによって測温用抵抗体600とライン対710とを含む電気回路の抵抗値に占めるライン対710の抵抗値の割合を下げることができ、測温用抵抗体600を用いた各セグメントSEの温度測定の精度を効果的に向上させることができる。なお、必ずしも測温抵抗体用ドライバ70に含まれるライン対710を構成する第1の導電ライン711および/または第2の導電ライン712の線幅が該ライン対710に電気的に接続された測温用抵抗体600の線幅より太い必要はなく、第1の導電ライン711および第2の導電ライン712の線幅が該測温用抵抗体600の線幅以下である箇所があってもよい。   Further, in the above embodiment, the line widths of the first conductive line 711 and the second conductive line 712 constituting the line pair 710 included in the resistance temperature detector driver 70 are electrically connected to the line pair 710. Even if the line width of one of the first conductive line and the second conductive line is thicker than the line width of the temperature measuring resistor 600, Good. Even in such a configuration, the resolution of temperature measurement based on the resistance value of the temperature measuring resistor 600 can be improved by making the resistance value of the temperature measuring resistor 600 relatively high, and the temperature measuring resistor The accuracy of temperature measurement of the segment SE of the ceramic plate 10 by 600 can be improved, and measurement is performed by relatively lowering the resistance value of the conductive line (the first conductive line 711 or the second conductive line 712). The ratio of the resistance value of the line pair 710 to the resistance value of the electric circuit including the heating resistor 600 and the line pair 710 can be lowered, and the accuracy of the temperature measurement of each segment SE using the temperature measuring resistor 600 Can be effectively improved. Note that the line widths of the first conductive line 711 and / or the second conductive line 712 constituting the line pair 710 included in the resistance temperature detector driver 70 are necessarily connected to the line pair 710. It is not necessary to be thicker than the line width of the warming resistor 600, and there may be a point where the line widths of the first conductive line 711 and the second conductive line 712 are equal to or less than the line width of the temperature measuring resistor 600. .

また、上記実施形態では、測温抵抗体用ドライバ70に含まれる各導電ライン711、712の長さLが長いほど導電ライン711,712の線幅Wが太くなっているが、測温抵抗体用ドライバ70に含まれるすべての導電ライン711,712について上記関係が成立している必要はなく、少なくとも2つの導電ライン711,712について上記関係が成立していればよい。すなわち、測温抵抗体用ドライバ70が、延伸方向に沿った長さがL2で線幅がW1である導電ライン711,712と、延伸方向に沿った長さがL2(ただし、L2>L1)で線幅がW2(ただし、W2>W1)である導電ライン711,712とを含んでいればよい。このような構成でも、少なくとも2つの導電ライン711,712の抵抗値を互いに近付けることによって、導電ライン711,712の抵抗値のバラツキを低減することができ、測温用抵抗体600を用いた各セグメントSEの温度測定の精度を効果的に向上させることができる。なお、必ずしも測温抵抗体用ドライバ70が、長さがL2で線幅がW1である導電ラインと、長さがL2(ただし、L2>L1)で線幅がW2(ただし、W2>W1)である導電ラインとを含む必要はない。例えば、測温抵抗体用ドライバ70に含まれる各導電ライン711,712の線幅はすべて略同一であるとしてもよい。   Further, in the above embodiment, the line width W of the conductive lines 711 and 712 is thicker as the length L of each of the conductive lines 711 and 712 included in the temperature measuring resistor driver 70 is longer. It is not necessary for the above-mentioned relationship to be established for all of the conductive lines 711 and 712 included in the driver 70, as long as the above-mentioned relationship is established for at least two of the conductive lines 711 and 712. That is, the temperature measuring resistor driver 70 has conductive lines 711 and 712 having a length L2 in the extending direction and a line width W1 and a length L2 in the extending direction (where L2> L1). And conductive lines 711 and 712 having a line width of W2 (where W2> W1). Even in such a configuration, variations in the resistance values of the conductive lines 711 and 712 can be reduced by bringing the resistance values of at least two conductive lines 711 and 712 close to each other, and each of the temperature measurement resistors 600 is used. The accuracy of the temperature measurement of the segment SE can be effectively improved. The temperature sensing resistor driver 70 does not necessarily have a conductive line with a length of L2 and a line width of W1 and a length of L2 (where L2> L1) and a line width of W2 (where W2> W1). It is not necessary to include the conductive line which is For example, the line widths of the conductive lines 711 and 712 included in the resistance temperature detector driver 70 may be substantially the same.

また、上記実施形態では、Z軸方向に平行な任意の仮想平面VSに、測温用抵抗体600と、上記測温用抵抗体600と同一のセグメントSE内に配置された発熱用抵抗体500とを投影したとき、仮想平面VSに平行で、かつ、Z軸方向に直交する方向において、測温用抵抗体600の投影601の両端EP11,EP12の位置は、発熱用抵抗体500の投影501の両端EP21,EP22の間の位置であるとしているが、必ずしもこのような構成である必要はない。   Further, in the above embodiment, the temperature measuring resistor 600 and the heating resistor 500 disposed in the same segment SE as the temperature measuring resistor 600 are provided on any virtual plane VS parallel to the Z-axis direction. The positions of both ends EP11 and EP12 of the projection 601 of the temperature measuring resistor 600 in the direction parallel to the virtual plane VS and orthogonal to the Z axis direction are the projection 501 of the heating resistor 500. The position between the two ends EP21 and EP22 is not necessarily such a configuration.

また、上記実施形態では、静電チャック100の内部に配置された各導電性部材のZ軸方向における位置に関し、上側(吸着面S1に近い側)から順に、チャック電極40、発熱用抵抗体層50、発熱抵抗体用ドライバ51、測温用抵抗体層60、測温抵抗体用ドライバ70の順に配置されているが、これらの内の少なくとも2つの層の位置関係が逆になってもよい。例えば、上記実施形態では、測温用抵抗体層60が発熱用抵抗体層50より下側に位置する(その結果、各セグメントSEにおいて測温用抵抗体600が発熱用抵抗体500より下側に位置する)が、測温用抵抗体層60が発熱用抵抗体層50より上側に位置する(その結果、各セグメントSEにおいて測温用抵抗体600が発熱用抵抗体500より上側に位置する)としてもよい。   Further, in the above embodiment, with regard to the position in the Z-axis direction of each conductive member disposed inside the electrostatic chuck 100, the chuck electrode 40 and the heating resistor layer are sequentially from the upper side (side closer to the suction surface S1). 50, the heat generating resistor driver 51, the temperature measuring resistor layer 60, and the temperature measuring resistor driver 70 are arranged in this order, but the positional relationship between at least two of these layers may be reversed. . For example, in the above embodiment, the temperature measuring resistor layer 60 is located lower than the heating resistor layer 50 (as a result, the temperature measuring resistor 600 is lower than the heating resistor 500 in each segment SE). , But the temperature measuring resistor layer 60 is positioned above the heating resistor layer 50 (as a result, the temperature measuring resistor 600 is positioned above the heating resistor 500 in each segment SE). ) May be used.

また、上記実施形態では、各測温用抵抗体600が測温抵抗体用ドライバ70を介して一対の給電端子12に電気的に接続されているが、各測温用抵抗体600が測温抵抗体用ドライバ70を介さずに一対の給電端子12に電気的に接続されていてもよい。また、静電チャック100が複数の測温抵抗体用ドライバ70を備え、静電チャック100に設けられた複数の測温用抵抗体600の内の一部が一の測温抵抗体用ドライバ70に導通し、複数の測温用抵抗体600の内の他の一部が他の測温抵抗体用ドライバ70に導通するとしてもよい。   In the above embodiment, each temperature measuring resistor 600 is electrically connected to the pair of feed terminals 12 through the temperature measuring resistor driver 70, but each temperature measuring resistor 600 is a temperature measuring device. The pair of feed terminals 12 may be electrically connected without the resistor driver 70. Further, the electrostatic chuck 100 is provided with a plurality of resistance temperature sensor drivers 70, and a part of the plurality of temperature measurement resistance members 600 provided on the electrostatic chuck 100 is one temperature measurement resistance driver 70. , And another portion of the plurality of temperature measuring resistors 600 may be electrically connected to another temperature measuring resistor driver 70.

また、上記実施形態において、測温用抵抗体600への給電のための構成の一部(例えば、給電端子、ビア、導電ライン等)が、発熱用抵抗体500への給電ためにも利用されるとしてもよく、反対に、発熱用抵抗体500への給電のための構成の一部(例えば、給電端子、ビア、導電ライン等)が、測温用抵抗体600への給電ためにも利用されるとしてもよい。また、上記実施形態において、各ビアは、単数のビアにより構成されてもよいし、複数のビアのグループにより構成されてもよい。   In the above embodiment, a part of the configuration for feeding power to the temperature measuring resistor 600 (for example, a feeding terminal, a via, a conductive line, etc.) is also used for feeding power to the heating resistor 500. Conversely, part of the configuration for feeding power to the heating resistor 500 (for example, feed terminal, via, conductive line, etc.) is also used to feed the temperature measuring resistor 600. It may be done. Further, in the above embodiment, each via may be configured by a single via, or may be configured by a group of a plurality of vias.

また、上記実施形態におけるセグメントSEの設定態様は、任意に変更可能である。例えば、上記実施形態では、各セグメントSEが吸着面S1の円周方向に並ぶように複数のセグメントSEが設定されているが、各セグメントSEが格子状に並ぶように複数のセグメントSEが設定されてもよい。また、例えば、上記実施形態では、静電チャック100の全体が複数のセグメントSEに仮想的に分割されているが、静電チャック100の一部分が複数のセグメントSEに仮想的に分割されていてもよい。  Moreover, the setting mode of the segment SE in the above embodiment can be arbitrarily changed. For example, in the above embodiment, the plurality of segments SE are set such that the segments SE are arranged in the circumferential direction of the suction surface S1, but the plurality of segments SE are set such that the segments SE are arranged in a grid. May be Also, for example, in the above embodiment, the entire electrostatic chuck 100 is virtually divided into a plurality of segments SE, but even if a portion of the electrostatic chuck 100 is virtually divided into a plurality of segments SE Good.

また、上述した測温用抵抗体600の各構成(各特徴)は、静電チャック100が備えるすべての測温用抵抗体600において実現されている必要はなく、少なくとも1つの測温用抵抗体600において実現されていればよい。なお、静電チャック100が備える測温用抵抗体600の内、上述した測温用抵抗体600の各構成(各特徴)を備える測温用抵抗体600は、特許請求の範囲における特定測温用抵抗体に相当する。   Further, each configuration (each feature) of the temperature measuring resistor 600 described above does not have to be realized in all the temperature measuring resistors 600 included in the electrostatic chuck 100, and at least one temperature measuring resistor It may be realized at 600. Among the temperature measuring resistors 600 included in the electrostatic chuck 100, the temperature measuring resistor 600 including each configuration (each feature) of the above-described temperature measuring resistors 600 is a specific temperature measurement in the scope of the claims. It corresponds to a resistor.

また、上記実施形態では、セラミックス板10の内部に1つのチャック電極40が設けられた単極方式が採用されているが、セラミックス板10の内部に一対のチャック電極40が設けられた双極方式が採用されてもよい。また、上記実施形態の静電チャック100における各部材を形成する材料は、あくまで例示であり、各部材が他の材料により形成されてもよい。   Further, in the above embodiment, the single-pole type in which one chuck electrode 40 is provided inside the ceramic plate 10 is adopted, but the bipolar type in which a pair of chuck electrodes 40 is provided inside the ceramic plate 10 is It may be adopted. Moreover, the material which forms each member in the electrostatic chuck 100 of the said embodiment is an illustration to the last, and each member may be formed with another material.

また、本発明は、静電引力を利用してウェハWを保持する静電チャック100に限らず、セラミックス板の表面上に対象物を保持する他の保持装置(例えば、CVDヒータ等のヒータ装置や真空チャック等)にも適用可能である。なお、本発明をヒータ装置に適用した場合において、特定測温用抵抗体600を、同一のセグメントSE内に配置された発熱用抵抗体500より下側(すなわち、給電端子の引き出し面に近い側)に配置すると、給電端子から測温用抵抗体600への配線がZ軸方向において発熱用抵抗体層50(発熱用抵抗体500)を貫通することがなくなり、発熱用抵抗体層50(発熱用抵抗体500)の設計上の制約が増えることを回避することができるため、好ましい。   Furthermore, the present invention is not limited to the electrostatic chuck 100 that holds the wafer W using electrostatic attraction, and another holding device that holds an object on the surface of a ceramic plate (for example, a heater device such as a CVD heater) And vacuum chuck etc.). In the case where the present invention is applied to a heater device, the specific temperature measuring resistor 600 is lower than the heating resistor 500 disposed in the same segment SE (that is, the side closer to the lead surface of the feed terminal). , The wiring from the feed terminal to the temperature measuring resistor 600 does not penetrate the heating resistor layer 50 (heating resistor 500) in the Z-axis direction, and the heating resistor layer 50 (heat generation) Since it can avoid that the design restrictions of the resistor 500) increase, it is preferable.

10:セラミックス板 12:給電端子 20:ベース部材 21:冷媒流路 22:端子用孔 30:接着層 40:チャック電極 50:発熱用抵抗体層 51:発熱抵抗体用ドライバ 53:ビア対 60:測温用抵抗体層 61:第1の抵抗体層 62:第2の抵抗体層 63:第3の抵抗体層 64:ビア 65:ビア 70:測温抵抗体用ドライバ 73:抵抗体側ビア対 75:給電側ビア対 77:電極パッド対 80:給電部 100:静電チャック 500:発熱用抵抗体 501:投影 502:抵抗線部 504:パッド部 510:ライン対 511:第1の導電ライン 512:第2の導電ライン 531:ビア 532:ビア 600:測温用抵抗体 601:投影 610:第1の抵抗体要素 612:抵抗線部 614:パッド部 620:第2の抵抗体要素 630:第3の抵抗体要素 710:ライン対 711:第1の導電ライン 712:第2の導電ライン 731:抵抗体側ビア 732:抵抗体側ビア 751:給電側ビア 752:給電側ビア 771:電極パッド 772:電極パッド 10: Ceramic plate 12: Power supply terminal 20: Base member 21: Refrigerant channel 22: Hole for terminal 30: Adhesive layer 40: Chuck electrode 50: Resistor layer for heat generation 51: Driver for heat generation resistor 53: Via pair 60: Temperature sensing resistor layer 61: first resistor layer 62: second resistor layer 63: third resistor layer 64: via 65: via 70: driver for resistance temperature detector 73: resistor side via pair 75: feed side via pair 77: electrode pad pair 80: feed portion 100: electrostatic chuck 500: resistor for heat generation 501: projection 502: resistance wire portion 504: pad portion 510: line pair 511: first conductive line 512 : Second conductive line 531: via 532: via 600: resistance temperature detector 601: projection 610: first resistor element 612: resistance wire portion 614: pad portion 620: second resistor element 630: third resistor element 710: line pair 711: first conductive line 712: second conductive line 731: resistor side via 732: resistor side via 751: feed side via 752 : Feeding side via 771: Electrode pad 772: Electrode pad

Claims (2)

第1の方向に略直交する第1の表面を有するセラミックス板と、
前記セラミックス板の少なくとも一部を前記第1の方向に直交する方向に並ぶ複数のセグメントに仮想的に分割したときの各前記セグメント内に配置された発熱用抵抗体と、
各前記セグメント内に配置され、前記第1の方向における位置が前記発熱用抵抗体とは異なる測温用抵抗体と、
前記発熱用抵抗体および前記測温用抵抗体に対する給電経路を構成する給電部と、
を備え、前記セラミックス板の前記第1の表面上に対象物を保持する保持装置において、
前記給電部は、
第1の導電ラインと第2の導電ラインとから構成されたライン対を有するドライバと、
一対の給電端子と、
前記ライン対を構成する前記第1の導電ラインを、一方の前記給電端子に電気的に接続する第1の給電側ビアと、前記ライン対を構成する前記第2の導電ラインを、他方の前記給電端子に電気的に接続する第2の給電側ビアと、を有する給電側ビア対と、
一の前記測温用抵抗体の一端を、前記ライン対を構成する前記第1の導電ラインに電気的に接続する第1の抵抗体側ビアと、前記一の測温用抵抗体の他端を、前記ライン対を構成する前記第2の導電ラインに電気的に接続する第2の抵抗体側ビアと、を有する抵抗体側ビア対と、
を備え、
少なくとも1つの前記測温用抵抗体である特定測温用抵抗体に電気的に接続された前記ライン対を構成する前記第1の導電ラインと前記第2の導電ラインとの少なくとも一方の線幅は、前記特定測温用抵抗体の線幅より太いことを特徴とする、保持装置。
A ceramic plate having a first surface substantially orthogonal to the first direction;
A heating resistor disposed in each of the segments when at least a portion of the ceramic plate is virtually divided into a plurality of segments arranged in a direction orthogonal to the first direction;
A temperature measuring resistor which is disposed in each of the segments and whose position in the first direction is different from that of the heating resistor;
A feeding portion that constitutes a feeding path for the heating resistor and the temperature measuring resistor;
A holding device for holding an object on the first surface of the ceramic plate,
The feeding unit is
A driver having a line pair comprised of a first conductive line and a second conductive line;
A pair of feed terminals,
A first feed-side via electrically connecting the first conductive line constituting the line pair to one of the feed terminals; and a second conductive line constituting the line pair; A feed side via pair having a second feed side via electrically connected to the feed terminal;
A first resistor-side via electrically connecting one end of one of the temperature measuring resistors to the first conductive line constituting the line pair, and the other end of the one temperature measuring resistor A resistor side via pair having a second resistor side via electrically connected to the second conductive line constituting the line pair;
Equipped with
Line widths of at least one of the first conductive line and the second conductive line constituting the line pair electrically connected to the specific temperature measuring resistor that is at least one temperature measuring resistor Is thicker than the line width of the resistor for specific temperature measurement.
請求項1に記載の保持装置において、
前記ドライバは、
延伸方向に沿った長さがL1で線幅がW1である前記導電ラインと、
延伸方向に沿った長さがL2(ただし、L2>L1)で線幅がW2(ただし、W2>W1)である前記導電ラインと、
を含むことを特徴とする、保持装置。
In the holding device according to claim 1,
The driver is
The conductive line whose length along the stretching direction is L1 and whose line width is W1;
The conductive line having a length along the stretching direction of L2 (where L2> L1) and a line width of W2 (where W2> W1),
A holding device, characterized in that it comprises:
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