JP7182910B2

JP7182910B2 - holding device

Info

Publication number: JP7182910B2
Application number: JP2018117495A
Authority: JP
Inventors: 要三輪; 光慶川鍋; 友希岡田
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date: 2018-06-21
Filing date: 2018-06-21
Publication date: 2022-12-05
Anticipated expiration: 2038-06-21
Also published as: JP2019220595A

Description

本明細書に開示される技術は、対象物を保持する保持装置に関する。 The technology disclosed in this specification relates to a holding device that holds an object.

例えば半導体を製造する際にウェハを保持する保持装置として、静電チャックが用いられる。静電チャックは、所定の方向（以下、「第１の方向」という）に略直交する略平面状の表面（以下、「吸着面」という）を有する板状部材と、例えば金属により構成されたベース部材と、板状部材とベース部材とを接着する接着部と、板状部材の内部に配置されたチャック電極とを備えている。板状部材は、例えば、セラミックスにより形成されている。静電チャックは、チャック電極に電圧が印加されることにより発生する静電引力を利用して、板状部材の吸着面にウェハを吸着して保持する。 For example, an electrostatic chuck is used as a holding device for holding a wafer when manufacturing semiconductors. An electrostatic chuck is composed of a plate-like member having a substantially planar surface (hereinafter referred to as "adsorption surface") substantially perpendicular to a predetermined direction (hereinafter referred to as "first direction") and, for example, metal. It comprises a base member, a bonding portion for bonding the plate-like member and the base member, and a chuck electrode arranged inside the plate-like member. The plate member is made of ceramics, for example. An electrostatic chuck utilizes electrostatic attraction generated by applying a voltage to a chuck electrode to attract and hold a wafer on an attraction surface of a plate member.

静電チャックの吸着面に保持されたウェハの温度が所望の温度にならないと、ウェハに対する各処理（成膜、エッチング等）の精度が低下するおそれがあるため、静電チャックにはウェハの温度分布を制御する性能が求められる。そのため、静電チャックの使用時には、板状部材に配置された複数のヒータ電極による加熱や、ベース部材に形成された冷媒流路に冷媒を供給することによる冷却によって、板状部材の吸着面の温度分布の制御（ひいては、吸着面に保持されたウェハの温度分布の制御）が行われる。 If the temperature of the wafer held on the attraction surface of the electrostatic chuck does not reach the desired temperature, the precision of each process (film formation, etching, etc.) on the wafer may decrease. The ability to control the distribution is required. Therefore, when the electrostatic chuck is used, heating by a plurality of heater electrodes arranged on the plate-shaped member and cooling by supplying a coolant to the coolant flow path formed in the base member cause the adsorption surface of the plate-shaped member to move. Control of the temperature distribution (and thus control of the temperature distribution of the wafer held on the attraction surface) is performed.

従来、板状部材の吸着面の温度分布の制御性を向上させるため、板状部材における吸着面とは反対側の表面（以下、「下面」という）の内、上記第１の方向視で各ヒータ電極に対応する部分に凹部を形成し、各凹部内にサーミスタ等の温度検知素子を配置する構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。このような構成では、各温度検知素子による温度検知結果に基づき各温度検知素子に対応するヒータ電極への印加電圧を調整することにより、板状部材の吸着面の温度分布の制御性を向上させることができる。温度検知素子による測定温度を、実際の板状部材の温度により近くするため、温度検知素子が配置される各凹部内には、例えばエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の充填剤が充填される。 Conventionally, in order to improve the controllability of the temperature distribution on the attracting surface of the plate-like member, each of the surfaces of the plate-like member opposite to the attracting surface (hereinafter referred to as the “lower surface”), when viewed in the first direction, is A configuration is known in which recesses are formed in portions corresponding to heater electrodes, and a temperature sensing element such as a thermistor is arranged in each recess (see, for example, Patent Document 1). In such a configuration, by adjusting the voltage applied to the heater electrode corresponding to each temperature detection element based on the temperature detection result by each temperature detection element, the controllability of the temperature distribution on the attracting surface of the plate member is improved. be able to. In order to bring the temperature measured by the temperature detection element closer to the actual temperature of the plate-like member, each recess in which the temperature detection element is arranged is filled with a filler such as epoxy resin or silicone resin.

特開２０１７－１５７６１７号公報JP 2017-157617 A

従来、温度検知素子が配置される各凹部内に充填剤を充填する場合には、充填剤の量が、充填剤が各凹部内の空間にぴったり収まるような量（充填剤の先端が板状部材の下面に略一致するような量）に設定される。しかしながら、実際の充填時における充填剤の量のばらつきにより、ある凹部では、充填剤が凹部内にぴったり充填されて凹部内に空間が残らない一方、他の凹部では、充填剤の量が足りずに凹部内に空間が残る、という事態が発生し得る。なお、ここで言う「空間」とは、凹部内の空間であって、充填剤と接着部との間の空間を意味する。板状部材の下面に形成された凹部内に空間が残ると、該凹部の位置において、板状部材からベース部材への伝熱性（熱引き性）が大きく低下する。そのため、従来の構成では、板状部材の各位置間での（各凹部が形成された位置間での）板状部材からベース部材への伝熱性（熱引き性）のばらつきが発生し、板状部材の吸着面の温度分布の制御性（ひいては、吸着面に保持された対象物の温度分布の制御性）が低下するおそれがある。 Conventionally, when a filler is filled in each concave portion in which a temperature sensing element is arranged, the amount of filler is such that the filler fits perfectly in the space inside each concave portion (the tip of the filler is plate-shaped). It is set to an amount that approximately matches the lower surface of the member). However, due to variations in the amount of filler during actual filling, some recesses are completely filled with filler and no space is left in the recesses, while the amount of filler is insufficient in other recesses. A situation may occur in which a space remains in the concave portion. The "space" referred to here means the space within the recess, which is the space between the filler and the adhesive portion. If a space remains in the concave portion formed in the lower surface of the plate-like member, heat transfer (heat transfer property) from the plate-like member to the base member is greatly reduced at the position of the concave portion. Therefore, in the conventional configuration, variations in heat transfer (heat transfer) from the plate-like member to the base member occur between the positions of the plate-like member (between the positions where the recesses are formed). There is a risk that the controllability of the temperature distribution of the attracting surface of the shape member (and the controllability of the temperature distribution of the object held on the attracting surface) may deteriorate.

なお、このような課題は、静電引力を利用してウェハを保持する静電チャックに限らず、板状部材と、ベース部材と、板状部材とベース部材とを接着する接着部とを備え、板状部材の表面上に対象物を保持する保持装置一般に共通の課題である。 Note that such a problem is not limited to the electrostatic chuck that holds the wafer using electrostatic attraction. , is a problem common to all holding devices that hold an object on the surface of a plate member.

本明細書では、上述した課題を解決することが可能な技術を開示する。 This specification discloses a technology capable of solving the above-described problems.

本明細書に開示される技術は、例えば、以下の形態として実現することが可能である。 The technology disclosed in this specification can be implemented, for example, in the following forms.

（１）本明細書に開示される保持装置は、第１の方向に略直交する略平面状の第１の表面と、前記第１の表面とは反対側の第２の表面と、有する板状部材と、第３の表面を有し、前記第３の表面が前記板状部材の前記第２の表面に対向するように配置され、内部に冷媒流路が形成されたベース部材と、前記板状部材の少なくとも一部を前記第１の方向に直交する方向に並ぶ複数のセグメントに仮想的に分割したときの各前記セグメント内に配置され、抵抗発熱体により構成されたヒータ電極と、前記第１の方向視で各前記ヒータ電極に対応する前記板状部材の前記第２の表面に形成された凹部内に配置された温度検知素子と、各前記凹部内に充填された充填剤と、前記板状部材の前記第２の表面と前記ベース部材の前記第３の表面との間に配置されて前記板状部材と前記ベース部材とを接着する接着部と、を備え、前記板状部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置において、各前記充填剤は、前記凹部から突出している。本保持装置では、各充填剤が、凹部から突出している。そのため、充填剤の充填時における充填剤の量のばらつきがあっても、凹部内に空間（凹部内の空間であって、充填剤と接着部との間の空間）が残ることを回避することができる。その結果、凹部内の該空間の存在に起因して、該凹部の位置での板状部材からベース部材への伝熱性（熱引き性）が大きく低下することを回避することができる。そのため、本保持装置によれば、板状部材の各位置での板状部材からベース部材への伝熱性（熱引き性）のばらつきが発生することを抑制することができ、板状部材の第１の表面の温度分布の制御性（ひいては、第１の表面に保持された対象物の温度分布の制御性）の低下を抑制することができる。 (1) The holding device disclosed herein is a plate having a substantially planar first surface substantially orthogonal to a first direction and a second surface opposite to the first surface. a base member having a third surface, the third surface being arranged so as to face the second surface of the plate-like member, and a coolant flow path being formed therein; a heater electrode, which is arranged in each of a plurality of segments when at least a part of the plate-like member is virtually divided into a plurality of segments arranged in a direction perpendicular to the first direction, and which is composed of a resistance heating element; a temperature sensing element arranged in a recess formed in the second surface of the plate-like member corresponding to each of the heater electrodes when viewed from the first direction; a filler filled in each of the recesses; a bonding portion disposed between the second surface of the plate-like member and the third surface of the base member to bond the plate-like member and the base member; each said filler projecting from said recess. In this holding device, each filler protrudes from the recess. Therefore, even if there is variation in the amount of filler when the filler is filled, it is possible to avoid leaving a space in the recess (the space in the recess and between the filler and the adhesive portion). can be done. As a result, it is possible to avoid a significant decrease in heat transfer (heat transfer) from the plate-like member to the base member at the position of the recess due to the presence of the space in the recess. Therefore, according to this holding device, it is possible to suppress the occurrence of variations in heat transfer (heat transfer) from the plate-like member to the base member at each position of the plate-like member. It is possible to suppress deterioration in the controllability of the temperature distribution on the surface of the first surface (and thus the controllability of the temperature distribution of the object held on the first surface).

（２）上記保持装置において、前記充填剤の熱伝導率は、前記板状部材の熱伝導率より低く、かつ、前記接着部の熱伝導率より高い構成としてもよい。本保持装置では、充填剤の熱伝導率を、接着部の熱伝導率と比較して、板状部材の熱伝導率に近くすることができる。従って、本保持装置によれば、凹部内に充填された充填剤の存在により、板状部材に凹部が形成されていることに起因する温度特異点の発生を抑制することができ、板状部材の第１の表面の温度分布の制御性の低下を抑制することができる。 (2) In the above holding device, the thermal conductivity of the filler may be lower than the thermal conductivity of the plate member and higher than the thermal conductivity of the bonding portion. In this holding device, the thermal conductivity of the filler can be made closer to the thermal conductivity of the plate member than the thermal conductivity of the bonding portion. Therefore, according to the present holding device, the existence of the filler filled in the concave portion can suppress the occurrence of the temperature singularity due to the formation of the concave portion in the plate-like member. It is possible to suppress deterioration in the controllability of the temperature distribution on the first surface of the.

（３）上記保持装置において、前記凹部における底面側の角部は、Ｒ形状である構成としてもよい。本保持装置では、凹部における底面側の角部に充填剤が充填されずに空間が残ることを抑制することができる。従って、本保持装置によれば、凹部内の空間の存在に起因して板状部材からベース部材への伝熱性（熱引き性）が大きく低下することを効果的に回避することができ、板状部材の第１の表面の温度分布の制御性の低下を効果的に抑制することができる。 (3) In the above-described holding device, corners on the bottom side of the recess may be rounded. In this holding device, it is possible to prevent a space from being left unfilled with the filler in the corner portion on the bottom side of the concave portion. Therefore, according to the present holding device, it is possible to effectively avoid a significant decrease in heat transfer (heat transfer) from the plate-like member to the base member due to the existence of the space in the concave portion. It is possible to effectively suppress deterioration in the controllability of the temperature distribution on the first surface of the shaped member.

（４）上記保持装置において、各前記充填剤間での前記凹部からの突出高さの差は、５μｍ以下である、ことを特徴とする構成としてもよい。本保持装置では、各充填剤間での凹部からの突出高さの差が比較的小さい。そのため、本保持装置によれば、各充填剤間での凹部からの突出高さの差に起因して、板状部材の各位置での板状部材からベース部材への伝熱性（熱引き性）のばらつきが発生することを抑制することができ、板状部材の第１の表面の温度分布の制御性の低下を効果的に抑制することができる。 (4) In the above-described holding device, a difference in height of protrusion from the recess between the fillers may be 5 μm or less. In this holding device, the difference in the height of protrusion from the recess between the fillers is relatively small. Therefore, according to this holding device, due to the difference in the height of protrusion from the recess between the fillers, the heat transfer from the plate-like member to the base member at each position of the plate-like member (heat transfer property) ) can be suppressed, and a decrease in the controllability of the temperature distribution on the first surface of the plate member can be effectively suppressed.

なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、保持装置、静電チャック、真空チャック、それらの製造方法等の形態で実現することが可能である。 It should be noted that the technology disclosed in this specification can be implemented in various forms, for example, in the form of a holding device, an electrostatic chuck, a vacuum chuck, manufacturing methods thereof, and the like. be.

本実施形態における静電チャック１００の外観構成を概略的に示す斜視図である。1 is a perspective view schematically showing an external configuration of an electrostatic chuck 100 according to this embodiment; FIG. 本実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。It is an explanatory view showing roughly the XZ section composition of electrostatic chuck 100 in this embodiment. 本実施形態における静電チャック１００のＸＹ平面（上面）構成を概略的に示す説明図である。It is an explanatory view showing roughly the XY plane (upper surface) composition of electrostatic chuck 100 in this embodiment. ヒータ電極層５０およびヒータ電極層５０への給電のための構成を模式的に示す説明図である。4 is an explanatory diagram schematically showing a heater electrode layer 50 and a configuration for power supply to the heater electrode layer 50. FIG. 各セグメントＳＥに配置されたヒータ電極５００のＸＹ断面構成を模式的に示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram schematically showing an XY cross-sectional configuration of a heater electrode 500 arranged in each segment SE; サーミスタ６００およびサーミスタ６００への給電のための構成を模式的に示す説明図である。6 is an explanatory diagram schematically showing a thermistor 600 and a configuration for supplying power to the thermistor 600; FIG. 図６のＸ１部を拡大して示す説明図である。It is explanatory drawing which expands and shows the X1 part of FIG.

Ａ．本実施形態：
Ａ－１．静電チャック１００の構成：
図１は、本実施形態における静電チャック１００の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図２は、本実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図であり、図３は、本実施形態における静電チャック１００のＸＹ平面（上面）構成を概略的に示す説明図である。各図には、方向を特定するための互いに直交するＸＹＺ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Ｚ軸正方向を上方向といい、Ｚ軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック１００は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。 A. This embodiment:
A-1. Configuration of electrostatic chuck 100:
FIG. 1 is a perspective view schematically showing the external configuration of an electrostatic chuck 100 according to the present embodiment, and FIG. 2 is an explanatory view schematically showing the XZ cross-sectional configuration of the electrostatic chuck 100 according to the present embodiment. 3 is an explanatory view schematically showing the XY plane (upper surface) configuration of the electrostatic chuck 100 in this embodiment. Each figure shows mutually orthogonal XYZ axes for specifying directions. In this specification, for the sake of convenience, the positive direction of the Z-axis is referred to as the upward direction, and the negative direction of the Z-axis is referred to as the downward direction. may be

静電チャック１００は、対象物（例えばウェハＷ）を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内でウェハＷを固定するために使用される。静電チャック１００は、所定の配列方向（本実施形態では上下方向（Ｚ軸方向））に並べて配置されたセラミックス部材１０およびベース部材２０を備える。セラミックス部材１０とベース部材２０とは、セラミックス部材１０の下面Ｓ２（図２参照）とベース部材２０の上面Ｓ３とが上記配列方向に対向するように配置される。 The electrostatic chuck 100 is a device that attracts and holds an object (for example, a wafer W) by electrostatic attraction, and is used, for example, to fix the wafer W within a vacuum chamber of a semiconductor manufacturing apparatus. The electrostatic chuck 100 includes a ceramic member 10 and a base member 20 arranged side by side in a predetermined arrangement direction (vertical direction (Z-axis direction) in this embodiment). The ceramic member 10 and the base member 20 are arranged such that the lower surface S2 (see FIG. 2) of the ceramic member 10 and the upper surface S3 of the base member 20 face each other in the arrangement direction.

セラミックス部材１０は、上述した配列方向（Ｚ軸方向）に略直交する略円形平面状の上面（以下、「吸着面」という）Ｓ１を有する板状部材であり、セラミックス（例えば、アルミナや窒化アルミニウム等）により形成されている。セラミックス部材１０の直径は例えば５０ｍｍ～５００ｍｍ程度（通常は２００ｍｍ～３５０ｍｍ程度）であり、セラミックス部材１０の厚さは例えば１ｍｍ～１０ｍｍ程度である。セラミックス部材１０は、特許請求の範囲における板状部材に相当し、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１は、特許請求の範囲における第１の表面に相当し、セラミックス部材１０の下面Ｓ２は、特許請求の範囲における第２の表面に相当し、Ｚ軸方向は、特許請求の範囲における第１の方向に相当する。また、本明細書では、Ｚ軸方向に直交する方向を「面方向」といい、図３に示すように、面方向の内、吸着面Ｓ１の中心点ＣＰを中心とする円周方向を「円周方向ＣＤ」といい、面方向の内、円周方向ＣＤに直交する方向を「径方向ＲＤ」という。 The ceramic member 10 is a plate-shaped member having a substantially circular planar upper surface (hereinafter referred to as “adsorption surface”) S1 substantially orthogonal to the arrangement direction (Z-axis direction) described above, and is made of ceramics (for example, alumina or aluminum nitride). etc.). The diameter of the ceramic member 10 is, for example, about 50 mm to 500 mm (usually about 200 mm to 350 mm), and the thickness of the ceramic member 10 is, for example, about 1 mm to 10 mm. The ceramic member 10 corresponds to a plate member in the claims, the adsorption surface S1 of the ceramic member 10 corresponds to the first surface in the claims, and the lower surface S2 of the ceramic member 10 corresponds to the first surface in the claims. It corresponds to the second surface in the range, and the Z-axis direction corresponds to the first direction in the claims. Further, in this specification, the direction perpendicular to the Z-axis direction is referred to as the "plane direction", and as shown in FIG. The direction perpendicular to the circumferential direction CD is called the "radial direction RD".

図２に示すように、セラミックス部材１０の内部には、導電性材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）により形成されたチャック電極４０が配置されている。Ｚ軸方向視でのチャック電極４０の形状は、例えば略円形である。チャック電極４０にチャック用電源（図示しない）から電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によってウェハＷがセラミックス部材１０の吸着面Ｓ１に吸着固定される。 As shown in FIG. 2, a chuck electrode 40 made of a conductive material (eg, tungsten, molybdenum, platinum, etc.) is arranged inside the ceramic member 10 . The shape of the chuck electrode 40 as viewed in the Z-axis direction is, for example, a substantially circular shape. When a voltage is applied to the chuck electrode 40 from a chucking power supply (not shown), an electrostatic attraction is generated, and the wafer W is attracted and fixed to the attraction surface S1 of the ceramic member 10 by this electrostatic attraction.

セラミックス部材１０の内部には、また、それぞれ導電性材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）により形成された、ヒータ電極層５０と、ヒータ電極層５０への給電のためのヒータ用ドライバ５１および各種ビア５３，５４とが配置されている。本実施形態では、ヒータ電極層５０はチャック電極４０より下側に配置され、ヒータ用ドライバ５１はヒータ電極層５０より下側に配置されている。これらの構成については、後に詳述する。 Also inside the ceramic member 10 are a heater electrode layer 50, a heater driver 51 for supplying power to the heater electrode layer 50, and a Various vias 53 and 54 are arranged. In this embodiment, the heater electrode layer 50 is arranged below the chuck electrode 40 , and the heater driver 51 is arranged below the heater electrode layer 50 . These configurations will be described in detail later.

ベース部材２０は、例えばセラミックス部材１０と同径の、または、セラミックス部材１０より径が大きい円形平面のセラミックス部材であり、例えば金属（アルミニウムやアルミニウム合金等）により形成されている。ベース部材２０の直径は例えば２２０ｍｍ～５５０ｍｍ程度（通常は２２０ｍｍ～３５０ｍｍ）であり、ベース部材２０の厚さは例えば２０ｍｍ～４０ｍｍ程度である。ベース部材２０の上面Ｓ３は、特許請求の範囲における第３の表面に相当する。 The base member 20 is, for example, a circular planar ceramic member having the same diameter as the ceramic member 10 or a larger diameter than the ceramic member 10, and is made of metal (aluminum, aluminum alloy, etc.), for example. The diameter of the base member 20 is, for example, approximately 220 mm to 550 mm (usually 220 mm to 350 mm), and the thickness of the base member 20 is, for example, approximately 20 mm to 40 mm. The top surface S3 of the base member 20 corresponds to the third surface in the claims.

ベース部材２０は、セラミックス部材１０の下面Ｓ２とベース部材２０の上面Ｓ３との間に配置された接着部３０によって、セラミックス部材１０に接合されている。接着部３０は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着材により構成されている。接着部３０の厚さは、例えば０．１ｍｍ～１ｍｍ程度である。 The base member 20 is joined to the ceramic member 10 by a bonding portion 30 arranged between the lower surface S2 of the ceramic member 10 and the upper surface S3 of the base member 20. As shown in FIG. The adhesive portion 30 is made of an adhesive such as silicone resin, acrylic resin, or epoxy resin. The thickness of the bonding portion 30 is, for example, about 0.1 mm to 1 mm.

ベース部材２０の内部には冷媒流路２１が形成されている。冷媒流路２１に冷媒（例えば、フッ素系不活性液体や水等）が流されると、ベース部材２０が冷却され、接着部３０を介したベース部材２０とセラミックス部材１０との間の伝熱（熱引き）によりセラミックス部材１０が冷却され、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷが冷却される。これにより、ウェハＷの温度分布の制御が実現される。 A coolant channel 21 is formed inside the base member 20 . When a coolant (for example, a fluorine-based inert liquid, water, or the like) is caused to flow through the coolant channel 21 , the base member 20 is cooled, and heat transfer ( The ceramic member 10 is cooled by the thermal drawing, and the wafer W held on the adsorption surface S1 of the ceramic member 10 is cooled. Thereby, control of the temperature distribution of the wafer W is realized.

Ａ－２．ヒータ電極層５０およびヒータ電極層５０への給電のための構成：
次に、ヒータ電極層５０の構成およびヒータ電極層５０への給電のための構成について詳述する。上述したように、セラミックス部材１０には、ヒータ電極層５０と、ヒータ電極層５０への給電のためのヒータ用ドライバ５１および各種ビア５３，５４とが配置されている。また、静電チャック１００には、ヒータ電極層５０への給電のための他の構成（後述するヒータ端子用孔Ｈｔ１に収容されたヒータ用給電端子７２等）が設けられている。図４は、ヒータ電極層５０およびヒータ電極層５０への給電のための構成を模式的に示す説明図である。図４の上段には、セラミックス部材１０に配置されたヒータ電極層５０の一部のＹＺ断面構成が模式的に示されており、図４の中段には、セラミックス部材１０に配置されたヒータ用ドライバ５１の一部のＸＹ平面構成が模式的に示されており、図４の下段には、ヒータ電極層５０への給電のための他の構成のＹＺ断面構成が模式的に示されている。 A-2. Heater electrode layer 50 and configuration for power supply to heater electrode layer 50:
Next, the configuration of the heater electrode layer 50 and the configuration for power supply to the heater electrode layer 50 will be described in detail. As described above, the ceramic member 10 is provided with the heater electrode layer 50 , the heater driver 51 for supplying power to the heater electrode layer 50 , and various vias 53 and 54 . Further, the electrostatic chuck 100 is provided with other components (such as a heater power supply terminal 72 accommodated in a heater terminal hole Ht1 described later) for supplying power to the heater electrode layer 50 . FIG. 4 is an explanatory view schematically showing the heater electrode layer 50 and the configuration for power supply to the heater electrode layer 50. As shown in FIG. The upper part of FIG. 4 schematically shows the YZ cross-sectional structure of a part of the heater electrode layer 50 arranged on the ceramic member 10, and the middle part of FIG. The XY plane configuration of part of the driver 51 is schematically shown, and the YZ cross-sectional configuration of another configuration for power supply to the heater electrode layer 50 is schematically shown in the lower part of FIG. .

ここで、図３に示すように、本実施形態の静電チャック１００では、セラミックス部材１０に、面方向（Ｚ軸方向に直交する方向）に並ぶ複数の仮想的な領域であるセグメントＳＥ（図３において一点鎖線で示す）が設定されている。より詳細には、Ｚ軸方向視で、セラミックス部材１０が、吸着面Ｓ１の中心点ＣＰを中心とする同心円状の複数の第１の境界線ＢＬ１によって複数の仮想的な環状領域（ただし、中心点ＣＰを含む領域のみは円状領域）に分割され、さらに各環状領域が、径方向ＲＤに延びる複数の第２の境界線ＢＬ２によって円周方向ＣＤに並ぶ複数の仮想的な領域であるセグメントＳＥに分割されている。図４の上段には、一例として、セラミックス部材１０に設定された３つのセグメントＳＥが示されている。 Here, as shown in FIG. 3, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, segments SE (Fig. 3) is set. More specifically, as viewed in the Z-axis direction, the ceramic member 10 is divided into a plurality of virtual annular regions (however, the center Only the region containing the point CP is divided into circular regions), and each circular region is a plurality of virtual regions aligned in the circumferential direction CD by a plurality of second boundary lines BL2 extending in the radial direction RD. It is divided into SEs. The upper part of FIG. 4 shows three segments SE set in the ceramic member 10 as an example.

図４の上段に示すように、ヒータ電極層５０は、複数のヒータ電極５００を含んでいる。ヒータ電極層５０に含まれる複数のヒータ電極５００のそれぞれは、セラミックス部材１０に設定された複数のセグメントＳＥの１つに配置されている。すなわち、本実施形態の静電チャック１００では、複数のセグメントＳＥのそれぞれに、１つのヒータ電極５００が配置されている。換言すれば、セラミックス部材１０において、１つのヒータ電極５００が配置された部分（主として該ヒータ電極５００により加熱される部分）が、１つのセグメントＳＥとなる。 As shown in the upper part of FIG. 4 , the heater electrode layer 50 includes multiple heater electrodes 500 . Each of the multiple heater electrodes 500 included in the heater electrode layer 50 is arranged in one of the multiple segments SE set in the ceramic member 10 . That is, in the electrostatic chuck 100 of this embodiment, one heater electrode 500 is arranged for each of the plurality of segments SE. In other words, in the ceramic member 10, the portion where one heater electrode 500 is arranged (the portion mainly heated by the heater electrode 500) becomes one segment SE.

図５は、各セグメントＳＥに配置されたヒータ電極５００のＸＹ断面構成を模式的に示す説明図である。図５に示すように、ヒータ電極５００は、Ｚ軸方向視で線状の抵抗発熱体であるヒータライン部５０２と、ヒータライン部５０２の両端部に接続されたヒータパッド部５０４とを有する。本実施形態では、ヒータライン部５０２は、Ｚ軸方向視で、セグメントＳＥ内の各位置をできるだけ偏り無く通るような形状とされている。他のセグメントＳＥに配置されたヒータ電極５００の構成も同様である。 FIG. 5 is an explanatory diagram schematically showing the XY cross-sectional configuration of the heater electrode 500 arranged in each segment SE. As shown in FIG. 5, the heater electrode 500 has a heater line portion 502 which is a linear resistance heating element as viewed in the Z-axis direction, and heater pad portions 504 connected to both ends of the heater line portion 502 . In this embodiment, the heater line portion 502 is shaped so as to pass through each position in the segment SE as evenly as possible when viewed in the Z-axis direction. The configuration of heater electrodes 500 arranged in other segments SE is the same.

なお、上述したように、本実施形態の静電チャック１００では、複数のセグメントＳＥのそれぞれに１つのヒータ電極５００が配置されているが、ここで言う１つのヒータ電極５００とは、独立して制御可能なヒータ電極５００の単位を意味しており、必ずしも単一のヒータ電極５００に限定されるものではない。例えば、１つのセグメントＳＥに、互いに共通に制御される複数のヒータ電極５００が配置されているとしてもよい。また、１つのセグメントＳＥに配置されたヒータ電極５００のヒータライン部５０２の構成が、Ｚ軸方向における位置が互いに異なる複数層のヒータライン部５０２の部分が互いに直列に接続された構成であるとしてもよい。 As described above, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, one heater electrode 500 is arranged for each of the plurality of segments SE. It refers to a unit of controllable heater electrodes 500 and is not necessarily limited to a single heater electrode 500 . For example, a plurality of heater electrodes 500 that are commonly controlled may be arranged in one segment SE. Further, it is assumed that the heater line portion 502 of the heater electrode 500 arranged in one segment SE is configured such that portions of a plurality of layers of the heater line portion 502 having different positions in the Z-axis direction are connected in series. good too.

また、図４の中段に示すように、セラミックス部材１０に配置されたヒータ用ドライバ５１は、複数の導電領域（導電ライン）５１０を有している。複数のヒータ電極５００のそれぞれについて、ヒータ電極５００の一端は、ビア５３を介して、ヒータ用ドライバ５１の１つの導電領域５１０に電気的に接続されており、該ヒータ電極５００の他端は、ビア５３を介して、ヒータ用ドライバ５１の他の１つの導電領域５１０に電気的に接続されている。なお、図４に示す例のように、各ヒータ電極５００の一端については、互いに同一の導電領域５１０に電気的に接続されていてもよい。 Further, as shown in the middle part of FIG. 4 , the heater driver 51 arranged on the ceramic member 10 has a plurality of conductive regions (conductive lines) 510 . For each of the plurality of heater electrodes 500, one end of the heater electrode 500 is electrically connected to one conductive region 510 of the heater driver 51 through the via 53, and the other end of the heater electrode 500 is It is electrically connected to another conductive region 510 of the heater driver 51 through the via 53 . Note that one end of each heater electrode 500 may be electrically connected to the same conductive region 510 as in the example shown in FIG.

また、図２および図４に示すように、静電チャック１００には、複数のヒータ端子用孔Ｈｔ１が形成されている。図４に示すように、各ヒータ端子用孔Ｈｔ１は、ベース部材２０を上面Ｓ３から下面Ｓ４まで貫通する貫通孔２２と、接着部３０を上下方向に貫通する貫通孔３２と、セラミックス部材１０の下面Ｓ２側に形成されたヒータ端子用凹部１２とが、互いに連通することにより構成された一体の孔である。ヒータ端子用孔Ｈｔ１の延伸方向に直交する断面形状は任意に設定できるが、例えば、円形や四角形、扇形等である。また、セラミックス部材１０の下面Ｓ２における各ヒータ端子用孔Ｈｔ１に対応する位置（Ｚ軸方向においてヒータ端子用孔Ｈｔ１と重なる位置）には、導電性材料により構成された複数のヒータ用給電パッド７０が形成されている。各ヒータ用給電パッド７０は、ビア５４を介して、ヒータ用ドライバ５１の導電領域５１０に電気的に接続されている。 2 and 4, the electrostatic chuck 100 is formed with a plurality of heater terminal holes Ht1. As shown in FIG. 4, each heater terminal hole Ht1 includes a through hole 22 penetrating through the base member 20 from the upper surface S3 to the lower surface S4, a through hole 32 penetrating the bonding portion 30 in the vertical direction, and the ceramic member 10. The heater terminal concave portion 12 formed on the lower surface S2 side is an integral hole formed by communicating with each other. The cross-sectional shape orthogonal to the extending direction of the heater terminal hole Ht1 can be arbitrarily set, and may be, for example, a circle, a square, a fan shape, or the like. A plurality of heater power supply pads 70 made of a conductive material are provided at positions corresponding to the heater terminal holes Ht1 in the lower surface S2 of the ceramic member 10 (positions overlapping the heater terminal holes Ht1 in the Z-axis direction). is formed. Each heater power supply pad 70 is electrically connected to the conductive region 510 of the heater driver 51 through the via 54 .

各ヒータ端子用孔Ｈｔ１には、導電性材料により構成された複数のヒータ用給電端子７２が収容されている。各ヒータ用給電端子７２は、例えばろう付けによりヒータ用給電パッド７０に接合されている。また、各ヒータ端子用孔Ｈｔ１内において、各ヒータ用給電端子７２は、ヒータ用コネクタ９０を介して、ヒータ用電源（図示しない）に接続されたヒータ用配線８０に電気的に接続されている。 A plurality of heater power supply terminals 72 made of a conductive material are accommodated in each heater terminal hole Ht1. Each heater power supply terminal 72 is joined to the heater power supply pad 70 by, for example, brazing. In each heater terminal hole Ht1, each heater power supply terminal 72 is electrically connected via a heater connector 90 to a heater wiring 80 connected to a heater power source (not shown). .

このような構成において、各ヒータ電極５００は、ヒータ用電源に対して互いに並列に接続されている。ヒータ用電源からヒータ用配線８０、ヒータ用コネクタ９０、ヒータ用給電端子７２、ヒータ用給電パッド７０、ビア５４、ヒータ用ドライバ５１の導電領域５１０およびビア５３を介して、ヒータ電極５００に電圧が印加されると、ヒータ電極５００が発熱する。これにより、ヒータ電極５００が配置されたセグメントＳＥが加熱され、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御（ひいては、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷの温度分布の制御）が実現される。本実施形態では、各ヒータ電極５００がヒータ用電源に対して互いに並列に接続されているため、各ヒータ電極５００単位で（すなわち、各セグメントＳＥ単位で）ヒータ電極５００の発熱量を制御することができ、セグメントＳＥ単位でのセラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御（すなわち、よりきめ細かい単位での温度分布制御）を実現することができる。 In such a configuration, each heater electrode 500 is connected in parallel with the heater power supply. A voltage is applied to the heater electrode 500 from the heater power source through the heater wiring 80 , the heater connector 90 , the heater power supply terminal 72 , the heater power supply pad 70 , the via 54 , the conductive region 510 of the heater driver 51 and the via 53 . When applied, heater electrode 500 generates heat. As a result, the segment SE in which the heater electrode 500 is arranged is heated to control the temperature distribution of the attraction surface S1 of the ceramic member 10 (and thus control the temperature distribution of the wafer W held on the attraction surface S1 of the ceramic member 10). is realized. In this embodiment, since the heater electrodes 500 are connected in parallel to the heater power source, the amount of heat generated by the heater electrodes 500 can be controlled for each heater electrode 500 (that is, for each segment SE). can be achieved, and control of the temperature distribution of the attracting surface S1 of the ceramic member 10 in units of segments SE (that is, temperature distribution control in finer units) can be realized.

Ａ－３．サーミスタ６００およびサーミスタ６００への給電のための構成：
図２に示すように、本実施形態の静電チャック１００は、温度検知素子としてのサーミスタ６００と、サーミスタ６００への給電のための構成（例えば、サーミスタ用ドライバ６１）とを備える。図６は、サーミスタ６００およびサーミスタ６００への給電のための構成を模式的に示す説明図である。図６の上段には、図４の上段と同様に、セラミックス部材１０に配置されたヒータ電極層５０の一部のＹＺ断面構成が模式的に示されており、図６の中段には、セラミックス部材１０に配置されたサーミスタ用ドライバ６１の一部のＸＹ平面構成が模式的に示されており、図６の下段には、サーミスタ６００の構成およびサーミスタ６００への給電のための他の構成のＹＺ断面構成が模式的に示されている。また、図７は、図６のＸ１部を拡大して示す説明図である。 A-3. Configuration for thermistor 600 and power supply to thermistor 600:
As shown in FIG. 2, the electrostatic chuck 100 of the present embodiment includes a thermistor 600 as a temperature detection element and a configuration for supplying power to the thermistor 600 (for example, a thermistor driver 61). FIG. 6 is an explanatory diagram schematically showing the thermistor 600 and the configuration for supplying power to the thermistor 600. As shown in FIG. 6 schematically shows the YZ cross-sectional configuration of a part of the heater electrode layer 50 arranged on the ceramic member 10, similarly to the upper part of FIG. 4, and the middle part of FIG. The XY plane configuration of a part of the thermistor driver 61 arranged on the member 10 is schematically shown, and the lower part of FIG. A YZ cross-sectional configuration is schematically shown. Moreover, FIG. 7 is explanatory drawing which expands and shows the X1 part of FIG.

図２、図６および図７に示すように、本実施形態の静電チャック１００では、セラミックス部材１０の下面Ｓ２に複数のサーミスタ用凹部１４が形成されており、各サーミスタ用凹部１４内に１つのサーミスタ６００が配置されている。各サーミスタ用凹部１４は、Ｚ軸方向視で各ヒータ電極５００に対応するセラミックス部材１０の下面Ｓ２に形成されている。換言すれば、各サーミスタ用凹部１４は、セラミックス部材１０の各セグメントＳＥにおける下面Ｓ２に形成されている。すなわち、本実施形態では、サーミスタ用凹部１４の個数、すなわち、サーミスタ６００の個数は、ヒータ電極５００の個数（セラミックス部材１０に設定されたセグメントＳＥの個数）と同一である。なお、各サーミスタ用凹部１４は、Ｚ軸方向視で、対応するヒータ電極５００と重なっていてもよいし、重なっていなくてもよい。ただし、各サーミスタ用凹部１４は、Ｚ軸方向視で、複数のヒータ電極５００と重なっていることはない。サーミスタ用凹部１４は、特許請求の範囲における凹部に相当する。 As shown in FIGS. 2, 6 and 7, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, a plurality of thermistor recesses 14 are formed in the lower surface S2 of the ceramic member 10, and each thermistor recess 14 has one One thermistor 600 is arranged. Each thermistor concave portion 14 is formed in the lower surface S2 of the ceramic member 10 corresponding to each heater electrode 500 when viewed in the Z-axis direction. In other words, each thermistor concave portion 14 is formed in the lower surface S2 of each segment SE of the ceramic member 10 . That is, in this embodiment, the number of thermistor recesses 14, that is, the number of thermistors 600, is the same as the number of heater electrodes 500 (the number of segments SE set in the ceramic member 10). Each thermistor concave portion 14 may or may not overlap the corresponding heater electrode 500 when viewed in the Z-axis direction. However, each thermistor concave portion 14 does not overlap the plurality of heater electrodes 500 when viewed in the Z-axis direction. The thermistor concave portion 14 corresponds to the concave portion in the claims.

各サーミスタ用凹部１４内に配置されたサーミスタ６００は、温度が変化すると抵抗値が変化する導電性材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）により形成されており、抵抗値に基づき温度を測定することができる。サーミスタ６００は、サーミスタ用凹部１４の底面１５に配置された一対のサーミスタ用電極６０４に、例えば半田付けにより接合されている。 The thermistor 600 arranged in each thermistor concave portion 14 is made of a conductive material (e.g., tungsten, molybdenum, platinum, etc.) whose resistance value changes as the temperature changes, and measures the temperature based on the resistance value. be able to. The thermistor 600 is joined by soldering, for example, to a pair of thermistor electrodes 604 arranged on the bottom surface 15 of the thermistor recess 14 .

また、図６の中段に示すように、セラミックス部材１０に配置されたサーミスタ用ドライバ６１は、複数の導電領域（導電ライン）６１０を有している。複数のサーミスタ６００のそれぞれについて、サーミスタ６００に接続された一方のサーミスタ用電極６０４は、ビア６３を介して、サーミスタ用ドライバ６１の１つの導電領域６１０に電気的に接続されており、該サーミスタ６００に接続された他方のサーミスタ用電極６０４は、ビア６３を介して、サーミスタ用ドライバ６１の他の１つの導電領域６１０に電気的に接続されている。なお、各サーミスタ６００に接続された一方のサーミスタ用電極６０４については、互いに同一の導電領域６１０に電気的に接続されていてもよい。 Further, as shown in the middle part of FIG. 6, the thermistor driver 61 arranged on the ceramic member 10 has a plurality of conductive regions (conductive lines) 610 . For each of the plurality of thermistors 600 , one thermistor electrode 604 connected to the thermistor 600 is electrically connected to one conductive region 610 of the thermistor driver 61 via the via 63 , and the thermistor 600 The other thermistor electrode 604 is electrically connected to another conductive region 610 of the thermistor driver 61 via a via 63 . One thermistor electrode 604 connected to each thermistor 600 may be electrically connected to the same conductive region 610 .

また、図２および図６に示すように、静電チャック１００には、複数のサーミスタ端子用孔Ｈｔ２が形成されている。図６に示すように、各サーミスタ端子用孔Ｈｔ２は、ベース部材２０を上面Ｓ３から下面Ｓ４まで貫通する貫通孔２３と、接着部３０を上下方向に貫通する貫通孔３３と、セラミックス部材１０の下面Ｓ２側に形成されたサーミスタ端子用凹部１３とが、互いに連通することにより構成された一体の孔である。サーミスタ端子用孔Ｈｔ２の延伸方向に直交する断面形状は任意に設定できるが、例えば、円形や四角形等である。また、セラミックス部材１０の下面Ｓ２における各サーミスタ端子用孔Ｈｔ２に対応する位置（Ｚ軸方向においてサーミスタ端子用孔Ｈｔ２と重なる位置）には、導電性材料により構成された複数のサーミスタ用給電パッド１７０が形成されている。各サーミスタ用給電パッド１７０は、ビア６４を介して、サーミスタ用ドライバ６１の導電領域６１０に電気的に接続されている。 2 and 6, the electrostatic chuck 100 is formed with a plurality of thermistor terminal holes Ht2. As shown in FIG. 6, each thermistor terminal hole Ht2 includes a through hole 23 penetrating through the base member 20 from the upper surface S3 to the lower surface S4, a through hole 33 penetrating the bonding portion 30 in the vertical direction, and a ceramic member 10. The thermistor terminal concave portion 13 formed on the lower surface S2 side is an integral hole formed by communicating with each other. The cross-sectional shape orthogonal to the extending direction of the thermistor terminal hole Ht2 can be arbitrarily set, and is, for example, circular or rectangular. A plurality of thermistor power supply pads 170 made of a conductive material are provided at positions corresponding to the thermistor terminal holes Ht2 on the lower surface S2 of the ceramic member 10 (positions overlapping the thermistor terminal holes Ht2 in the Z-axis direction). is formed. Each thermistor power supply pad 170 is electrically connected to the conductive region 610 of the thermistor driver 61 via the via 64 .

各サーミスタ端子用孔Ｈｔ２には、導電性材料により構成された複数のサーミスタ用給電端子１７２が収容されている。各サーミスタ用給電端子１７２は、例えばろう付けによりサーミスタ用給電パッド１７０に接合されている。また、各サーミスタ端子用孔Ｈｔ２内において、各サーミスタ用給電端子１７２は、サーミスタ用コネクタ１９０を介して、サーミスタ用電源（図示しない）に接続されたサーミスタ用配線１８０に電気的に接続されている。 Each thermistor terminal hole Ht2 accommodates a plurality of thermistor power supply terminals 172 made of a conductive material. Each thermistor power supply terminal 172 is joined to the thermistor power supply pad 170 by, for example, brazing. Further, in each thermistor terminal hole Ht2, each thermistor power supply terminal 172 is electrically connected via a thermistor connector 190 to a thermistor wiring 180 connected to a thermistor power source (not shown). .

このような構成において、各サーミスタ６００は、サーミスタ用電源に対して互いに並列に接続されている。サーミスタ用電源からサーミスタ用配線１８０、サーミスタ用コネクタ１９０、サーミスタ用給電端子１７２、サーミスタ用給電パッド１７０、ビア６４、サーミスタ用ドライバ６１の導電領域６１０、ビア６３およびサーミスタ用電極６０４を介して、サーミスタ６００に電圧が印加されると、サーミスタ６００に電流が流れる。静電チャック１００は、各サーミスタ６００に印加された電圧と各サーミスタ６００に流れる電流とを測定するための構成（例えば、電圧計や電流計（いずれも図示しない））を有しており、各サーミスタ６００の電圧および電流の測定値に基づき、各サーミスタ６００の抵抗値から、各サーミスタ６００の温度、すなわち、各サーミスタ６００が配置されたセラミックス部材１０の部分（各サーミスタ６００が配置されたセグメントＳＥ）の温度をリアルタイムで個別に測定することができる。従って、本実施形態の静電チャック１００では、該温度測定結果に基づき各ヒータ電極５００への印加電圧を個別に制御することにより、セラミックス部材１０の各部分（各セグメントＳＥ）の温度を精度良く制御することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷの温度分布の制御性）を向上させることができる。なお、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性が高いとは、吸着面Ｓ１全体の温度分布が均一に近いことと、セグメントＳＥ毎に吸着面Ｓ１の温度分布が均一に近いこととの少なくとも一方の意味を含む。 In such a configuration, each thermistor 600 is connected in parallel with the thermistor power supply. From the thermistor power source to the thermistor wiring 180 , thermistor connector 190 , thermistor power supply terminal 172 , thermistor power supply pad 170 , via 64 , conductive region 610 of thermistor driver 61 , via 63 and thermistor electrode 604 . When a voltage is applied to 600 , current flows through thermistor 600 . The electrostatic chuck 100 has a configuration (for example, a voltmeter and an ammeter (both not shown)) for measuring the voltage applied to each thermistor 600 and the current flowing through each thermistor 600. The temperature of each thermistor 600, that is, the portion of the ceramic member 10 where each thermistor 600 is arranged (segment SE where each thermistor 600 is arranged) is obtained from the resistance value of each thermistor 600 based on the measured values of the voltage and current of the thermistor 600. ) can be individually measured in real time. Therefore, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, by individually controlling the voltage applied to each heater electrode 500 based on the temperature measurement result, the temperature of each portion (each segment SE) of the ceramic member 10 can be accurately controlled. Controllability of the temperature distribution of the attraction surface S1 of the ceramic member 10 (and thus controllability of the temperature distribution of the wafer W held on the attraction surface S1 of the ceramic member 10) can be improved. High controllability of the temperature distribution of the attraction surface S1 of the ceramic member 10 means that the temperature distribution of the entire attraction surface S1 is nearly uniform and that the temperature distribution of the attraction surface S1 is nearly uniform for each segment SE. includes at least one meaning of

Ａ－４．充填剤６０２の構成：
図６および図７に示すように、本実施形態の静電チャック１００では、セラミックス部材１０の下面Ｓ２に形成された各サーミスタ用凹部１４の内部に、充填剤６０２が充填されている。充填剤６０２は、樹脂接着剤（例えば、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂）やセラミックス（例えば、アルミナ）等により構成されている。なお、充填剤６０２を樹脂接着剤により構成する場合には、例えば、樹脂接着剤にセラミックス等のフィラーを添加したものがサーミスタ用凹部１４内に充填される。また、充填剤６０２をセラミックスにより構成する場合には、例えば、セラミックス材料にバインダを添加したペーストがサーミスタ用凹部１４内に充填されるとしてもよいし、セラミックス材料をサーミスタ用凹部１４内に溶射したり３Ｄプリンタにより造形したりすることにより充填剤６０２が形成されるとしてもよい。 A-4. Configuration of filler 602:
As shown in FIGS. 6 and 7, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the inside of each thermistor concave portion 14 formed in the lower surface S2 of the ceramic member 10 is filled with a filler 602 . The filler 602 is composed of a resin adhesive (for example, epoxy resin or silicone resin), ceramics (for example, alumina), or the like. When the filler 602 is made of a resin adhesive, for example, the thermistor concave portion 14 is filled with a resin adhesive to which a filler such as ceramics is added. When the filler 602 is made of ceramics, for example, the thermistor concave portion 14 may be filled with a paste obtained by adding a binder to a ceramic material, or the ceramic material may be thermally sprayed into the thermistor concave portion 14 . Filler 602 may be formed by molding or 3D printing.

本実施形態では、充填剤６０２の熱伝導率は、セラミックス部材１０（本実施形態ではセラミックスの焼結体）の熱伝導率より低く、かつ、接着部３０（本実施形態では樹脂接着剤）の熱伝導率より高い。サーミスタ用凹部１４内に充填剤６０２が配置されていることにより、サーミスタ６００による測定温度を、実際のセラミックス部材１０の温度により近くすることができ、サーミスタ６００によるセラミックス部材１０の温度測定の精度が向上し、ひいては、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性が向上する。 In this embodiment, the thermal conductivity of the filler 602 is lower than the thermal conductivity of the ceramic member 10 (ceramic sintered body in this embodiment), and the thermal conductivity of the bonding portion 30 (resin adhesive in this embodiment) Higher than thermal conductivity. By disposing the filler 602 in the thermistor concave portion 14, the temperature measured by the thermistor 600 can be made closer to the actual temperature of the ceramic member 10, and the accuracy of the temperature measurement of the ceramic member 10 by the thermistor 600 is improved. As a result, the controllability of the temperature distribution of the attracting surface S1 of the ceramic member 10 is improved.

ここで、図７に示すように、本実施形態の静電チャック１００では、各充填剤６０２は、サーミスタ用凹部１４から突出している。すなわち、各充填剤６０２の先端（下端）は、セラミックス部材１０の下面Ｓ２（より詳細には、下面Ｓ２の内のサーミスタ用凹部１４周りの部分）より、ベース部材２０の上面Ｓ３側（すなわち、下側）に位置している。その結果、各充填剤６０２における先端（下端）側の一部分は、接着部３０内に食い込んでいる。 Here, as shown in FIG. 7, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, each filler 602 protrudes from the thermistor concave portion 14 . That is, the tip (lower end) of each filler 602 is located closer to the upper surface S3 of the base member 20 (that is, below). As a result, a portion of the tip (lower end) side of each filler 602 bites into the bonding portion 30 .

本実施形態では、各充填剤６０２におけるサーミスタ用凹部１４からの突出高さＨ１は、互いに略同一である。具体的には、各充填剤６０２間でのサーミスタ用凹部１４からの突出高さＨ１の差は、５μｍ以下である。なお、各充填剤６０２におけるサーミスタ用凹部１４からの突出高さＨ１は、３０μｍ以下であることが好ましい。各充填剤６０２におけるサーミスタ用凹部１４からの突出高さＨ１が接着部３０μｍを超えると、例えば、充填剤６０２の外周付近におけるセラミックス部材１０と接着部３０との界面に空間が形成されて伝熱性に悪影響を及ぼすおそれがあるため、好ましくない。 In this embodiment, the heights H1 of protrusions of the fillers 602 from the thermistor recess 14 are substantially the same. Specifically, the difference in the protrusion height H1 from the thermistor concave portion 14 between the fillers 602 is 5 μm or less. The height H1 of protrusion of each filler 602 from the thermistor concave portion 14 is preferably 30 μm or less. When the protrusion height H1 of each filler 602 from the thermistor concave portion 14 exceeds 30 μm at the bonding portion, for example, a space is formed at the interface between the ceramic member 10 and the bonding portion 30 in the vicinity of the outer periphery of the filler 602, resulting in heat transfer. is not preferred because it may adversely affect

また、図７に示すように、本実施形態では、サーミスタ用凹部１４における底面１５側の角部１６は、Ｒ形状である。そのため、充填剤６０２は、サーミスタ用凹部１４における底面１５側の角部１６においても、隙間無く充填されている。 Further, as shown in FIG. 7, in the present embodiment, the corner portion 16 of the thermistor concave portion 14 on the side of the bottom surface 15 is rounded. Therefore, the filler 602 fills the corners 16 of the thermistor recess 14 on the side of the bottom surface 15 without gaps.

Ａ－５．静電チャック１００の製造方法：
本実施形態の静電チャック１００の製造方法は、例えば以下の通りである。まず、セラミックスグリーンシートを複数枚作製し、所定のセラミックスグリーンシートに所定の加工を行う。所定の加工としては、例えば、ヒータ電極層５０やヒータ用ドライバ５１、ヒータ用給電パッド７０、サーミスタ用ドライバ６１、サーミスタ用給電パッド１７０、サーミスタ用電極６０４等の形成のためのメタライズペーストの印刷、各種ビア５３，５４，６３，６４の形成のための孔空けおよびメタライズペーストの充填等が挙げられる。これらのセラミックスグリーンシートを積層して熱圧着し、切断等の加工を行うことにより、セラミックスグリーンシートの積層体を作製する。なお、この熱圧着の際には、セラミックス部材１０の下面Ｓ２の各種凹部（サーミスタ用凹部１４等）となる位置にスペーサが配置される。このとき、角部の形状がＲ形状であるスペーサを用いることにより、サーミスタ用凹部１４における底面１５側の角部１６をＲ形状とすることができる。作成されたセラミックスグリーンシートの積層体を焼成することにより、セラミックス部材１０を作製する。 A-5. Manufacturing method of electrostatic chuck 100:
A method for manufacturing the electrostatic chuck 100 of the present embodiment is, for example, as follows. First, a plurality of ceramic green sheets are produced, and predetermined ceramic green sheets are processed in a predetermined manner. The predetermined processing includes, for example, printing of metallization paste for forming the heater electrode layer 50, heater driver 51, heater power supply pad 70, thermistor driver 61, thermistor power supply pad 170, thermistor electrode 604, etc. Drilling for forming various vias 53, 54, 63, 64, filling of metallizing paste, and the like are included. These ceramic green sheets are laminated, thermocompressed, and processed such as cutting to produce a ceramic green sheet laminate. During this thermocompression bonding, spacers are placed at the positions of the lower surface S2 of the ceramics member 10 to form various recesses (thermistor recesses 14, etc.). At this time, by using a spacer having rounded corners, the corners 16 of the thermistor recess 14 on the side of the bottom surface 15 can be rounded. The ceramic member 10 is produced by firing the laminate of the produced ceramic green sheets.

次に、セラミックス部材１０に形成されたヒータ用給電パッド７０およびサーミスタ用給電パッド１７０に、それぞれ、ヒータ用給電端子７２およびサーミスタ用給電端子１７２を、例えばろう付けにより接合する。次に、セラミックス部材１０のサーミスタ用凹部１４内に形成されたサーミスタ用電極６０４に、サーミスタ６００を、例えば半田付けにより接合する。次に、セラミックス部材１０のサーミスタ用凹部１４内に充填剤６０２を充填する。このとき、充填剤６０２の充填量を、充填剤６０２がサーミスタ用凹部１４から必ず突出するような量（サーミスタ用凹部１４内の空間容積に対して多めの量）に設定する。次に、各充填剤６０２の先端部（下端部）に対して例えばマシニング加工を施すことにより、各充填剤６０２におけるセラミックス部材１０の下面Ｓ２からの突出高さＨ１が互いに略同一となるようにする。次に、例えばシート状の接着部３０を用いて、セラミックス部材１０とベース部材２０とを接合する。主として以上の工程により、本実施形態の静電チャック１００が製造される。 Next, the heater power supply terminal 72 and the thermistor power supply terminal 172 are respectively joined to the heater power supply pad 70 and the thermistor power supply pad 170 formed on the ceramic member 10 by, for example, brazing. Next, the thermistor 600 is joined to the thermistor electrode 604 formed in the thermistor concave portion 14 of the ceramic member 10 by soldering, for example. Next, the filler 602 is filled into the thermistor concave portion 14 of the ceramic member 10 . At this time, the filling amount of the filler 602 is set so that the filler 602 always protrudes from the thermistor recess 14 (a larger amount than the spatial volume in the thermistor recess 14). Next, for example, the tip (lower end) of each filler 602 is machined so that the protrusion height H1 of each filler 602 from the lower surface S2 of the ceramic member 10 is substantially the same. do. Next, the ceramic member 10 and the base member 20 are joined using, for example, a sheet-like bonding portion 30 . The electrostatic chuck 100 of the present embodiment is manufactured mainly through the above steps.

Ａ－６．本実施形態の効果：
以上説明したように、本実施形態の静電チャック１００は、Ｚ軸方向に略直交する略平面状の吸着面Ｓ１と、吸着面Ｓ１とは反対側の下面Ｓ２とを有する板状のセラミックス部材１０と、上面Ｓ３を有し、上面Ｓ３がセラミックス部材１０の下面Ｓ２に対向するように配置されたベース部材２０と、セラミックス部材１０の下面Ｓ２とベース部材２０の上面Ｓ３との間に配置されてセラミックス部材１０とベース部材２０とを接着する接着部３０とを備え、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１上にウェハＷ等の対象物を保持する保持装置である。ベース部材２０の内部には、冷媒流路２１が形成されている。また、本実施形態の静電チャック１００は、セラミックス部材１０の少なくとも一部をＺ軸方向に直交する方向（面方向）に並ぶ複数のセグメントＳＥに仮想的に分割したときの各セグメントＳＥ内に配置され、抵抗発熱体により構成されたヒータ電極５００と、Ｚ軸方向視で各ヒータ電極５００に対応するセラミックス部材１０の下面Ｓ２に形成されたサーミスタ用凹部１４内に配置されたサーミスタ６００と、各サーミスタ用凹部１４内に充填された充填剤６０２とを備える。また、本実施形態の静電チャック１００では、各充填剤６０２は、サーミスタ用凹部１４から突出している。 A-6. Effect of this embodiment:
As described above, the electrostatic chuck 100 of the present embodiment is a plate-like ceramic member having a substantially planar attracting surface S1 substantially perpendicular to the Z-axis direction and a lower surface S2 opposite to the attracting surface S1. 10, a base member 20 having an upper surface S3 and arranged such that the upper surface S3 faces the lower surface S2 of the ceramics member 10; The holding device includes a bonding portion 30 for bonding the ceramics member 10 and the base member 20 together, and holds an object such as a wafer W on the suction surface S1 of the ceramics member 10 . A coolant channel 21 is formed inside the base member 20 . In addition, the electrostatic chuck 100 of the present embodiment has a plurality of segments SE when at least part of the ceramic member 10 is virtually divided into a plurality of segments SE arranged in a direction (plane direction) perpendicular to the Z-axis direction. A heater electrode 500 arranged and configured by a resistance heating element, a thermistor 600 arranged in a thermistor concave portion 14 formed in the lower surface S2 of the ceramic member 10 corresponding to each heater electrode 500 when viewed in the Z-axis direction, and a filler 602 filled in each thermistor recess 14 . In addition, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, each filler 602 protrudes from the thermistor concave portion 14 .

このように、本実施形態の静電チャック１００では、各充填剤６０２が、サーミスタ用凹部１４から突出している。そのため、充填剤６０２の充填時における充填剤６０２の量のばらつきがあっても、サーミスタ用凹部１４内に空間（サーミスタ用凹部１４内の空間であって、充填剤６０２と接着部３０との間の空間）が残ることを回避することができる。その結果、サーミスタ用凹部１４内の該空間の存在に起因して、該サーミスタ用凹部１４の位置でのセラミックス部材１０からベース部材２０への伝熱性（熱引き性）が大きく低下することを回避することができる。そのため、本実施形態の静電チャック１００によれば、セラミックス部材１０の各位置でのセラミックス部材１０からベース部材２０への伝熱性（熱引き性）のばらつきが発生することを抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷ等の対象物の温度分布の制御性）の低下を抑制することができる。なお、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性の低下を抑制することができるとは、吸着面Ｓ１全体の温度分布にばらつきが発生することを抑制することができることと、セグメントＳＥ毎に吸着面Ｓ１の温度分布にばらつきが発生することを抑制することができることとの少なくとも一方の意味を含む。 Thus, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, each filler 602 protrudes from the thermistor concave portion 14 . Therefore, even if the amount of the filler 602 varies when the filler 602 is filled, the space inside the thermistor recess 14 (the space inside the thermistor recess 14 and between the filler 602 and the bonding portion 30) space) can be avoided. As a result, it is possible to avoid a large decrease in heat transfer (heat transfer) from the ceramic member 10 to the base member 20 at the position of the thermistor recess 14 due to the presence of the space in the thermistor recess 14. can do. Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, it is possible to suppress the occurrence of variations in heat transfer (heat transfer) from the ceramic member 10 to the base member 20 at each position of the ceramic member 10 . , the controllability of the temperature distribution of the attraction surface S1 of the ceramic member 10 (and the controllability of the temperature distribution of the object such as the wafer W held on the attraction surface S1) can be suppressed. In addition, it is possible to suppress the decrease in the controllability of the temperature distribution of the attraction surface S1 of the ceramic member 10, and it is possible to suppress the occurrence of variations in the temperature distribution of the entire attraction surface S1, and at least one of the fact that it is possible to suppress the occurrence of variations in the temperature distribution of the attraction surface S1.

また、本実施形態の静電チャック１００では、充填剤６０２の熱伝導率は、セラミックス部材１０の熱伝導率より低く、かつ、接着部３０の熱伝導率より高い。そのため、本実施形態の静電チャック１００では、充填剤６０２の熱伝導率を、接着部３０の熱伝導率と比較して、セラミックス部材１０の熱伝導率に近くすることができる。従って、本実施形態の静電チャック１００によれば、サーミスタ用凹部１４内に充填された充填剤６０２の存在により、セラミックス部材１０にサーミスタ用凹部１４が形成されていることに起因する温度特異点の発生を抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷ等の対象物の温度分布の制御性）の低下を抑制することができる。 Moreover, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the thermal conductivity of the filler 602 is lower than the thermal conductivity of the ceramic member 10 and higher than the thermal conductivity of the bonding portion 30 . Therefore, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the thermal conductivity of the filler 602 can be made closer to the thermal conductivity of the ceramic member 10 than the thermal conductivity of the bonding portion 30 . Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, due to the presence of the filler 602 filled in the thermistor recess 14 , the temperature singularity caused by the formation of the thermistor recess 14 in the ceramic member 10 can be suppressed, and deterioration of the controllability of the temperature distribution of the attraction surface S1 of the ceramic member 10 (and the controllability of the temperature distribution of the object such as the wafer W held on the attraction surface S1) can be suppressed. be able to.

また、本実施形態の静電チャック１００では、サーミスタ用凹部１４における底面１５側の角部１６は、Ｒ形状である。そのため、本実施形態の静電チャック１００では、サーミスタ用凹部１４における底面１５側の角部１６に充填剤６０２が充填されずに空間が残ることを抑制することができる。従って、本実施形態の静電チャック１００によれば、サーミスタ用凹部１４内の空間の存在に起因してセラミックス部材１０からベース部材２０への伝熱性（熱引き性）が大きく低下することを効果的に回避することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷ等の対象物の温度分布の制御性）の低下を効果的に抑制することができる。 Further, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the corner portion 16 of the thermistor concave portion 14 on the side of the bottom surface 15 is rounded. Therefore, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, it is possible to prevent a space from being left unfilled with the filler 602 in the corner portion 16 of the thermistor concave portion 14 on the bottom surface 15 side. Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the existence of the space in the thermistor concave portion 14 causes a large decrease in heat transfer (heat transfer) from the ceramic member 10 to the base member 20. can be effectively avoided, and the deterioration of the controllability of the temperature distribution of the attraction surface S1 of the ceramic member 10 (and the controllability of the temperature distribution of the object such as the wafer W held on the attraction surface S1) can be effectively reduced. can be suppressed.

また、本実施形態の静電チャック１００では、各充填剤６０２間でのサーミスタ用凹部１４からの突出高さＨ１の差は、５μｍ以下である。すなわち、本実施形態の静電チャック１００では、各充填剤６０２間でのサーミスタ用凹部１４からの突出高さＨ１の差が比較的小さい。そのため、本実施形態の静電チャック１００によれば、各充填剤６０２間でのサーミスタ用凹部１４からの突出高さＨ１の差に起因して、セラミックス部材１０の各位置でのセラミックス部材１０からベース部材２０への伝熱性（熱引き性）のばらつきが発生することを抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷ等の対象物の温度分布の制御性）の低下を効果的に抑制することができる。 Further, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the difference in the protrusion height H1 from the thermistor concave portion 14 between the fillers 602 is 5 μm or less. That is, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the difference in the protrusion height H1 from the thermistor concave portion 14 between the fillers 602 is relatively small. Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, due to the difference in the protrusion height H1 from the thermistor concave portion 14 between the fillers 602, the ceramic member 10 at each position of the ceramic member 10 has It is possible to suppress the occurrence of variations in heat transfer (heat dissipation) to the base member 20, and controllability of the temperature distribution of the attracting surface S1 of the ceramic member 10 (and thus the wafer W held on the attracting surface S1). controllability of the temperature distribution of the object) can be effectively suppressed.

Ｂ．変形例：
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。 B. Variant:
The technology disclosed in this specification is not limited to the above-described embodiments, and can be modified in various forms without departing from the scope of the invention. For example, the following modifications are possible.

上記実施形態における静電チャック１００の構成は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、Ｚ軸方向視で各ヒータ電極５００に対応するセラミックス部材１０の下面Ｓ２にサーミスタ用凹部１４が形成されており（すなわち、セラミックス部材１０の各セグメントＳＥにおける下面Ｓ２にサーミスタ用凹部１４が形成されており）、サーミスタ用凹部１４の個数（すなわち、サーミスタ６００の個数）がヒータ電極５００の個数（すなわち、セラミックス部材１０に設定されたセグメントＳＥの個数）と同一であるとしているが、必ずしもすべてのヒータ電極５００に対応して（すなわち、すべてのセグメントＳＥに対応して）サーミスタ６００が設けられる必要はなく、一部のヒータ電極５００に対応するサーミスタ６００が存在しない（すなわち、一部のセグメントＳＥにはサーミスタ６００が配置されていない）としてもよい。 The configuration of the electrostatic chuck 100 in the above embodiment is merely an example, and various modifications are possible. For example, in the above embodiment, the thermistor concave portion 14 is formed in the lower surface S2 of the ceramic member 10 corresponding to each heater electrode 500 when viewed in the Z-axis direction (that is, the thermistor concave portion 14 is formed in the lower surface S2 of each segment SE of the ceramic member 10). , and the number of thermistor recesses 14 (that is, the number of thermistors 600) is the same as the number of heater electrodes 500 (that is, the number of segments SE set in the ceramic member 10). However, it is not necessary to provide thermistors 600 corresponding to all heater electrodes 500 (that is, corresponding to all segments SE), and some heater electrodes 500 do not have thermistors 600 (that is, corresponding to all segments SE). , the thermistor 600 may not be arranged in some segments SE).

また、上記実施形態では、充填剤６０２の熱伝導率は、セラミックス部材１０の熱伝導率より低く、かつ、接着部３０の熱伝導率より高いとしているが、各部材間の熱伝導率の関係は、これに限られない。また、上記実施形態では、各充填剤６０２間でのサーミスタ用凹部１４からの突出高さＨ１の差は５μｍ以下であるとしているが、必ずしもこのような構成である必要はない。また、上記実施形態では、サーミスタ用凹部１４における底面１５側の角部１６はＲ形状であるが、該角部１６の形状は他の形状であってもよい。 Further, in the above embodiment, the thermal conductivity of the filler 602 is lower than the thermal conductivity of the ceramic member 10 and higher than the thermal conductivity of the bonding portion 30, but the thermal conductivity relationship between the members is not limited to this. In the above embodiment, the difference in the height H1 of protrusion from the thermistor concave portion 14 between the fillers 602 is 5 μm or less, but this configuration is not necessarily required. In the above-described embodiment, the corner 16 of the thermistor recess 14 on the side of the bottom surface 15 is rounded, but the corner 16 may have another shape.

また、上記実施形態では、サーミスタ用ドライバ６１のＺ軸方向における位置に関し、サーミスタ用ドライバ６１の全体が同一位置にある（すなわち、サーミスタ用ドライバ６１が単層構成である）としているが、サーミスタ用ドライバ６１の一部が異なる位置にある（すなわち、サーミスタ用ドライバ６１が複数層構成である）としてもよい。また、上記実施形態では、各サーミスタ６００はサーミスタ用ドライバ６１を介してサーミスタ用給電端子１７２に電気的に接続されているが、各サーミスタ６００がサーミスタ用ドライバ６１を介さずにサーミスタ用給電端子１７２に電気的に接続されるとしてもよい。これらの点は、ヒータ用ドライバ５１についても同様である。 In the above-described embodiment, the thermistor driver 61 is located at the same position in the Z-axis direction (that is, the thermistor driver 61 has a single-layer structure). Portions of the driver 61 may be in different locations (ie, the thermistor driver 61 may be multi-layered). In the above embodiment, each thermistor 600 is electrically connected to the thermistor power supply terminal 172 via the thermistor driver 61 , but each thermistor 600 is electrically connected to the thermistor power supply terminal 172 without the thermistor driver 61 . may be electrically connected to the These points also apply to the heater driver 51 .

また、上記実施形態におけるサーミスタ用給電端子１７２やサーミスタ用コネクタ１９０、サーミスタ用配線１８０の構成は、あくまで一例であり、種々変形可能である。同様に、上記実施形態におけるヒータ用給電端子７２やヒータ用コネクタ９０、ヒータ用配線８０の構成は、あくまで一例であり、種々変形可能である。 Further, the configurations of the thermistor power supply terminal 172, the thermistor connector 190, and the thermistor wiring 180 in the above-described embodiment are merely examples, and various modifications are possible. Similarly, the configurations of the heater power supply terminal 72, the heater connector 90, and the heater wiring 80 in the above-described embodiment are merely examples, and various modifications are possible.

また、上記実施形態におけるセグメントＳＥの設定態様（セグメントＳＥの個数や、個々のセグメントＳＥの形状等）は、任意に変更可能である。例えば、上記実施形態では、各セグメントＳＥが吸着面Ｓ１の円周方向ＣＤに並ぶように複数のセグメントＳＥが設定されているが、各セグメントＳＥが格子状に並ぶように複数のセグメントＳＥが設定されてもよい。また、例えば、上記実施形態では、静電チャック１００の全体が複数のセグメントＳＥに仮想的に分割されているが、静電チャック１００の一部分が複数のセグメントＳＥに仮想的に分割されていてもよい。 Also, the setting mode of the segments SE (the number of segments SE, the shape of each segment SE, etc.) in the above embodiment can be arbitrarily changed. For example, in the above-described embodiment, a plurality of segments SE are set so that each segment SE is aligned in the circumferential direction CD of the attracting surface S1. may be Further, for example, in the above embodiment, the entire electrostatic chuck 100 is virtually divided into a plurality of segments SE, but even if part of the electrostatic chuck 100 is virtually divided into a plurality of segments SE good.

また、上記実施形態において、各ビアは、単数のビアにより構成されてもよいし、複数のビアのグループにより構成されてもよい。また、上記実施形態において、各ビアは、ビア部分のみからなる単層構成であってもよいし、複数層構成（例えば、ビア部分とパッド部分とビア部分とが積層された構成）であってもよい。 Further, in the above embodiments, each via may be composed of a single via, or may be composed of a group of multiple vias. In the above embodiments, each via may have a single-layer structure consisting only of a via portion, or may have a multi-layer structure (for example, a structure in which a via portion, a pad portion, and a via portion are laminated). good too.

また、上記実施形態では、セラミックス部材１０の内部に１つのチャック電極４０が設けられた単極方式が採用されているが、セラミックス部材１０の内部に一対のチャック電極４０が設けられた双極方式が採用されてもよい。 Further, in the above-described embodiment, a monopolar system in which one chuck electrode 40 is provided inside the ceramic member 10 is adopted, but a bipolar system in which a pair of chuck electrodes 40 are provided inside the ceramic member 10 is adopted. may be adopted.

また、上記実施形態の静電チャック１００の各部材（セラミックス部材１０、ベース部材２０、接着部３０、ヒータ電極５００、サーミスタ６００、充填剤６０２等）の形成材料は、あくまで一例であり、種々変更可能である。例えば、上記実施形態では、静電チャック１００が、セラミックスにより形成されたセラミックス部材１０を備えているが、静電チャック１００が、セラミックス部材１０の代わりに、セラミックス以外の材料（例えば、樹脂材料）により形成された同様の板状部材を備えるとしてもよい。 Further, the material for forming each member (the ceramic member 10, the base member 20, the bonding portion 30, the heater electrode 500, the thermistor 600, the filler 602, etc.) of the electrostatic chuck 100 of the above-described embodiment is merely an example, and can be variously changed. It is possible. For example, in the above embodiment, the electrostatic chuck 100 includes the ceramic member 10 made of ceramics, but instead of the ceramics member 10, the electrostatic chuck 100 is made of a material other than ceramics (for example, a resin material). A similar plate-like member formed by

また、本発明は、セラミックス部材１０とベース部材２０とを備え、静電引力を利用してウェハＷを保持する静電チャック１００に限らず、板状部材と、ベース部材と、板状部材とベース部材とを接着する接着部とを備え、板状部材の表面上に対象物を保持する他の保持装置（例えば、ＣＶＤヒータ等のヒータ装置や真空チャック等）にも適用可能である。 In addition, the present invention is not limited to the electrostatic chuck 100 that includes the ceramic member 10 and the base member 20 and holds the wafer W using electrostatic attraction, but also includes a plate-like member, a base member, and a plate-like member. The present invention can also be applied to other holding devices (for example, heater devices such as CVD heaters, vacuum chucks, etc.) that have an adhesive portion that adheres to a base member and hold an object on the surface of a plate-like member.

１０：セラミックス部材１２：ヒータ端子用凹部１３：サーミスタ端子用凹部１４：サーミスタ用凹部１５：底面１６：角部２０：ベース部材２１：冷媒流路２２：貫通孔２３：貫通孔３０：接着部３２：貫通孔３３：貫通孔４０：チャック電極５０：ヒータ電極層５１：ヒータ用ドライバ５３：ビア５４：ビア６１：サーミスタ用ドライバ６３：ビア６４：ビア７０：ヒータ用給電パッド７２：ヒータ用給電端子８０：ヒータ用配線９０：ヒータ用コネクタ１００：静電チャック１７０：サーミスタ用給電パッド１７２：サーミスタ用給電端子１８０：サーミスタ用配線１９０：サーミスタ用コネクタ５００：ヒータ電極５０２：ヒータライン部５０４：ヒータパッド部５１０：導電領域６００：サーミスタ６０２：充填剤６０４：サーミスタ用電極６１０：導電領域ＢＬ１：第１の境界線ＢＬ２：第２の境界線ＣＤ：円周方向ＣＰ：中心点Ｈ１：突出高さＨｔ１：ヒータ端子用孔Ｈｔ２：サーミスタ端子用孔ＲＤ：径方向Ｓ１：吸着面Ｓ２：下面Ｓ３：上面Ｓ４：下面ＳＥ：セグメントＷ：ウェハ REFERENCE SIGNS LIST 10: Ceramic member 12: Heater terminal recess 13: Thermistor terminal recess 14: Thermistor recess 15: Bottom surface 16: Corner 20: Base member 21: Refrigerant channel 22: Through hole 23: Through hole 30: Bonding portion 32 : through hole 33: through hole 40: chuck electrode 50: heater electrode layer 51: heater driver 53: via 54: via 61: thermistor driver 63: via 64: via 70: heater power supply pad 72: heater power supply terminal 80: Heater Wiring 90: Heater Connector 100: Electrostatic Chuck 170: Thermistor Power Supply Pad 172: Thermistor Power Supply Terminal 180: Thermistor Wiring 190: Thermistor Connector 500: Heater Electrode 502: Heater Line Section 504: Heater Pad Part 510: Conductive region 600: Thermistor 602: Filler 604: Thermistor electrode 610: Conductive region BL1: First boundary line BL2: Second boundary line CD: Circumferential direction CP: Center point H1: Projection height Ht1 : Heater terminal hole Ht2: Thermistor terminal hole RD: Radial direction S1: Attraction surface S2: Bottom surface S3: Top surface S4: Bottom surface SE: Segment W: Wafer

Claims

a plate-shaped member having a substantially planar first surface substantially orthogonal to a first direction and a second surface opposite to the first surface;
a base member having a third surface, the third surface being arranged to face the second surface of the plate-shaped member, and a coolant channel formed therein;
a heater electrode, which is arranged in each of the plurality of segments when at least part of the plate-like member is virtually divided into a plurality of segments arranged in a direction perpendicular to the first direction, and which is composed of a resistance heating element;
a temperature sensing element arranged in a recess formed in the second surface of the plate-shaped member corresponding to each of the heater electrodes when viewed in the first direction;
a filler filled in each recess;
a bonding portion disposed between the second surface of the plate-like member and the third surface of the base member to bond the plate-like member and the base member;
A holding device for holding an object on the first surface of the plate member,
each said filler protrudes from said recess,
A part of the tip side of each filler is biting into the adhesive part,
There is no space between the portion of each filler protruding from the recess and the bonding portion,
The difference in height of protrusion from the recess between the fillers is 5 μm or less.
A holding device characterized by:

A holding device according to claim 1, wherein
A space in the recess, wherein there is no space between the filler and the bonding portion,
A holding device characterized by:

In the holding device according to claim 1 or claim 2,
The plate member is made of ceramics,
The thermal conductivity of the filler is lower than the thermal conductivity of the plate-shaped member and higher than the thermal conductivity of the bonding portion,
A holding device characterized by:

In the holding device according to any one of claims 1 to 3,
A corner portion on the bottom side of the recess is R-shaped,
A holding device characterized by: