JP6639940B2 - Holding device and method of manufacturing holding device - Google Patents

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本明細書に開示される技術は、対象物を保持する保持装置に関する。   The technology disclosed in this specification relates to a holding device that holds an object.

例えば半導体製造装置において、ウェハを保持する保持装置として、静電チャックが用いられる。静電チャックは、セラミックス板とベース板とが接着層により接合された構成を有する。静電チャックは、内部電極を有しており、内部電極に電圧が印加されることにより発生する静電引力を利用して、セラミックス板の表面(以下、「吸着面」という)にウェハを吸着して保持する。   For example, in a semiconductor manufacturing apparatus, an electrostatic chuck is used as a holding device for holding a wafer. The electrostatic chuck has a configuration in which a ceramic plate and a base plate are joined by an adhesive layer. The electrostatic chuck has an internal electrode, and uses an electrostatic attraction generated when a voltage is applied to the internal electrode to suction a wafer onto a surface of a ceramic plate (hereinafter, referred to as a “suction surface”). And hold.

静電チャックに保持されたウェハの温度分布が不均一になると、ウェハに対する各処理(成膜、エッチング、露光等)の精度が低下するため、静電チャックにはウェハの温度分布を均一にする性能が求められる。そのため、静電チャックの使用時には、セラミックス板の内部またはセラミックス板のベース板側に配置されたヒータによる加熱や、ベース板に形成された冷媒流路に冷媒を供給することによる冷却によって、セラミックス板の吸着面の温度制御が行われる(例えば、特許文献1参照)。   If the temperature distribution of the wafer held by the electrostatic chuck becomes non-uniform, the accuracy of each processing (film formation, etching, exposure, etc.) on the wafer decreases, so that the temperature distribution of the wafer is made uniform in the electrostatic chuck. Performance is required. Therefore, when the electrostatic chuck is used, the ceramic plate is heated by a heater disposed inside the ceramic plate or on the base plate side of the ceramic plate, or cooled by supplying a coolant to a coolant passage formed in the base plate. (See, for example, Patent Document 1).

特開2015−103550号公報JP-A-2015-103550

しかし、製品設計上、ヒータや冷媒流路を、セラミックス板の吸着面に平行な方向(以下、「面方向」という)において均一に配置できない場合がある。また、製造工程上、セラミックス板やベース板には、製品ばらつきが発生し得る。これらのことから、ヒータによる加熱や冷媒による冷却を行っても、セラミックス板の吸着面における温度分布の均一性が十分に高くならず、ひいては、ウェハの温度分布の均一性が十分に高くならないことがある。特に、静電チャックの面方向における外周側では、中心側と比較して、ヒータを例えばスクリーン印刷等で形成する際にヒータの厚さのばらつきが大きくなりやすく、また、ヒータの線長が比較的長くなるためヒータの欠陥が発生する確率が高くなり、また、接着層の欠陥(例えば接着層内部の気泡)も発生しやすいため、ヒータによる加熱作用や冷媒による冷却作用のばらつきが大きくなって、セラミックス板の吸着面における温度分布の均一性が十分に高くなりにくい。   However, due to product design, there are cases where heaters and coolant channels cannot be arranged uniformly in a direction parallel to the adsorption surface of the ceramic plate (hereinafter, referred to as “surface direction”). Also, due to the manufacturing process, product variations may occur on the ceramic plate and the base plate. For these reasons, even when heating by a heater or cooling by a coolant is performed, the uniformity of the temperature distribution on the adsorption surface of the ceramic plate does not become sufficiently high, and thus the uniformity of the temperature distribution of the wafer does not become sufficiently high. There is. In particular, on the outer peripheral side in the surface direction of the electrostatic chuck, when the heater is formed by, for example, screen printing, the variation in the thickness of the heater is more likely to be larger than that on the center side, and the line length of the heater is compared. Therefore, the probability of occurrence of a defect in the heater increases due to the length of the heater, and the defect of the adhesive layer (for example, bubbles in the adhesive layer) is also likely to occur. In addition, it is difficult for the uniformity of the temperature distribution on the adsorption surface of the ceramic plate to be sufficiently high.

なお、このような課題は、静電引力を利用してウェハを保持する静電チャックに限らず、セラミックス板とベース板とを備え、セラミックス板の表面上に対象物を保持する保持装置に共通の課題である。   Such a problem is not limited to an electrostatic chuck that holds a wafer using electrostatic attraction, but is common to a holding device that includes a ceramic plate and a base plate and holds an object on the surface of the ceramic plate. It is an issue of.

本明細書では、上述した課題を解決することが可能な技術を開示する。    This specification discloses a technique capable of solving the above-described problem.

本明細書に開示される技術は、例えば、以下の形態として実現することが可能である。   The technology disclosed in this specification can be realized, for example, as the following modes.

(1)本明細書に開示される保持装置は、第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有する板状のセラミックス板と、第3の表面を有する板状であり、前記第3の表面が前記セラミックス板の前記第2の表面に対向するように配置され、冷媒流路が形成されたベース板と、前記セラミックス板の内部、または、前記セラミックス板の前記ベース板側に配置されたヒータと、前記セラミックス板と前記ベース板との間に配置され、前記セラミックス板と前記ヒータとの少なくとも一方と前記ベース板とを接着する接着層と、を備え、前記セラミックス板の前記第1の表面上に対象物を保持する保持装置において、さらに、前記セラミックス板と前記ベース板との間における前記接着層の外周側の位置に配置され、前記接着層とは熱伝導率の異なる第1の部材と、前記セラミックス板と前記ベース板との間における前記接着層の外周側の位置に配置され、前記接着層および前記第1の部材とは熱伝導率の異なる第2の部材と、を備える。本保持装置によれば、セラミックス板とベース板との間に、接着層、第1の部材、第2の部材という、熱伝導率の互いに異なる少なくとも3つの部材が配置される。そのため、本保持装置によれば、セラミックス板とベース板との間における接着層の外周側の適切な位置に第1の部材および第2の部材を配置することにより、セラミックス板の第1の表面における温度分布の均一性を向上させることができる。 (1) A holding device disclosed in the present specification includes a plate-shaped ceramic plate having a first surface, a second surface opposite to the first surface, and a third surface. A base plate having a coolant flow path formed therein, wherein the third surface is arranged so that the third surface faces the second surface of the ceramic plate, and A heater disposed on the base plate side of a plate, and an adhesive layer disposed between the ceramics plate and the base plate and bonding at least one of the ceramics plate and the heater to the base plate. A holding device for holding an object on the first surface of the ceramics plate, further comprising an adhesive layer disposed between the ceramics plate and the base plate on an outer peripheral side of the adhesive layer; Is disposed at a position on the outer peripheral side of the adhesive layer between the first member having a different thermal conductivity and the ceramic plate and the base plate, and the adhesive layer and the first member have different thermal conductivity. A different second member. According to the present holding device, at least three members having different thermal conductivities, such as an adhesive layer, a first member, and a second member, are arranged between the ceramic plate and the base plate. Therefore, according to the present holding device, by disposing the first member and the second member at appropriate positions on the outer peripheral side of the adhesive layer between the ceramic plate and the base plate, the first surface of the ceramic plate is Can improve the uniformity of the temperature distribution.

(2)上記保持装置において、前記第1の部材の熱伝導率は、前記接着層の熱伝導率より高く、前記第1の部材は、前記接着層の厚さ方向視で、前記ヒータと重なる位置に配置されている構成としてもよい。セラミックス板の第1の表面において、接着層の厚さ方向視でヒータと重なる位置は、他の位置より温度が高くなる傾向にある。本保持装置によれば、接着層の熱伝導率より高い熱伝導率を有する第1の部材が、接着層の厚さ方向視でヒータと重なる位置に配置されるため、当該位置において冷媒によるセラミックス板の冷却効果が高められ、セラミックス板の第1の表面における温度分布の均一性を向上させることができる。 (2) In the holding device, a thermal conductivity of the first member is higher than a thermal conductivity of the adhesive layer, and the first member overlaps with the heater when viewed in a thickness direction of the adhesive layer. It may be configured to be arranged at a position. In the first surface of the ceramic plate, the position where the heater overlaps with the heater in the thickness direction of the adhesive layer tends to have a higher temperature than other positions. According to the present holding device, the first member having a thermal conductivity higher than the thermal conductivity of the adhesive layer is disposed at a position overlapping the heater when viewed in the thickness direction of the adhesive layer. The cooling effect of the plate is enhanced, and the uniformity of the temperature distribution on the first surface of the ceramic plate can be improved.

(3)上記保持装置において、前記第2の部材の熱伝導率は、前記接着層の熱伝導率より低く、前記第2の部材は、前記接着層の厚さ方向視で、前記冷媒流路と重なる位置に配置されている構成としてもよい。セラミックス板の第1の表面において、接着層の厚さ方向視で冷媒流路と重なる位置は、他の位置より温度が低くなる傾向にある。本保持装置によれば、接着層の熱伝導率より低い熱伝導率を有する第2の部材が、接着層の厚さ方向視で冷媒流路と重なる位置に配置されるため、当該位置において冷媒によるセラミックス板の冷却効果が抑制され、セラミックス板の第1の表面における温度分布の均一性を向上させることができる。 (3) In the holding device, a thermal conductivity of the second member is lower than a thermal conductivity of the adhesive layer, and the second member is configured such that the coolant flow path is viewed in the thickness direction of the adhesive layer. May be arranged at a position overlapping with. In the first surface of the ceramic plate, the temperature at a position overlapping the coolant flow path when viewed in the thickness direction of the adhesive layer tends to be lower than at other positions. According to the present holding device, the second member having a thermal conductivity lower than the thermal conductivity of the adhesive layer is disposed at a position overlapping the refrigerant flow path when viewed in the thickness direction of the adhesive layer. Thus, the cooling effect of the ceramic plate due to the above is suppressed, and the uniformity of the temperature distribution on the first surface of the ceramic plate can be improved.

(4)上記保持装置において、前記接着層は、前記接着層の厚さ方向視で、外周部に複数の凹部が形成された形状であり、前記第1の部材および前記第2の部材は、互いに異なる前記凹部内に配置されている構成としてもよい。本保持装置によれば、接着層による接着面積をある程度確保しつつ、第1の部材および第2の部材を配置することによってセラミックス板の第1の表面における温度分布の均一性を向上させることができる。 (4) In the holding device, the adhesive layer has a shape in which a plurality of concave portions are formed in an outer peripheral portion when viewed in a thickness direction of the adhesive layer, and the first member and the second member include: It may be configured to be arranged in the concave portions different from each other. According to the present holding device, it is possible to improve the uniformity of the temperature distribution on the first surface of the ceramic plate by arranging the first member and the second member while securing the bonding area by the bonding layer to some extent. it can.

(5)上記保持装置において、前記複数の凹部は、少なくとも1つの第1の凹部と、前記接着層の厚さ方向における位置が前記第1の凹部とは異なる少なくとも1つの第2の凹部と、を含む構成としてもよい。本保持装置によれば、凹部の配置の自由度を増やすことができるために、第1の部材および第2の部材を配置することによる冷却効果の調整をきめ細かく行うことができ、セラミックス板の第1の表面における温度分布の均一性を効果的に向上させることができる。 (5) In the holding device, the plurality of recesses include at least one first recess, and at least one second recess in which a position in a thickness direction of the adhesive layer is different from the first recess. May be included. According to the present holding device, since the degree of freedom in the arrangement of the concave portions can be increased, the cooling effect can be finely adjusted by arranging the first member and the second member. 1 can effectively improve the uniformity of the temperature distribution on the surface.

(6)上記保持装置において、さらに、前記接着層と前記第1の部材と前記第2の部材とをまとめて囲む環状の保護部材を備える構成としてもよい。本保持装置によれば、第1の部材および第2の部材を配置することによってセラミックス板の第1の表面における温度分布の均一性を向上させつつ、第1の部材および第2の部材の脱落を防止することができる。 (6) The holding device may further include an annular protective member that surrounds the adhesive layer, the first member, and the second member collectively. According to the present holding device, the first member and the second member are dropped while the uniformity of the temperature distribution on the first surface of the ceramic plate is improved by disposing the first member and the second member. Can be prevented.

(7)上記保持装置において、前記ヒータによる加熱と前記冷媒流路への冷媒の供給との実行中に、前記セラミックス板の前記第1の表面の各位置における温度差が3℃以内である構成としてもよい。本保持装置によれば、セラミックス板の第1の表面の各位置における温度差を3℃以内とすることにより、セラミックス板の第1の表面における温度分布の均一性を十分に向上させることができる。 (7) In the holding device, a temperature difference at each position on the first surface of the ceramic plate is within 3 ° C. during execution of heating by the heater and supply of the coolant to the coolant channel. It may be. According to the present holding device, by setting the temperature difference at each position on the first surface of the ceramic plate within 3 ° C., it is possible to sufficiently improve the uniformity of the temperature distribution on the first surface of the ceramic plate. .

(8)本明細書に開示される保持装置の製造方法は、第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有する板状のセラミックス板と、第3の表面を有する板状であり、前記第3の表面が前記セラミックス板の前記第2の表面に対向するように配置され、冷媒流路が形成されたベース板と、前記セラミックス板の内部、または、前記セラミックス板の前記ベース板側に配置されたヒータと、前記セラミックス板と前記ベース板との間に配置され、前記セラミックス板と前記ヒータとの少なくとも一方と前記ベース板とを接着する接着層と、を備え、前記セラミックス板の前記第1の表面上に対象物を保持する保持装置の製造方法において、前記セラミックス板と前記ベース板とを準備する工程と、前記セラミックス板と前記ベース板との間に接着剤を配置し、前記接着剤を硬化させることにより前記接着層を形成する工程と、前記接着層の形成後に、前記セラミックス板の前記第1の表面の各位置における温度を特定する工程と、前記セラミックス板と前記ベース板との間における前記接着層の外周側の位置に、前記特定された温度に基づき選択され、前記接着層とは熱伝導率の異なる第1の部材を配置する工程と、前記セラミックス板と前記ベース板との間における前記接着層の外周側の位置に、前記特定された温度に基づき選択され、前記接着層および前記第1の部材とは熱伝導率の異なる第2の部材を配置する工程と、を備えることを特徴とする。本保持装置の製造方法によれば、セラミックス板とベース板とが接着層により接合された接合体という、完成品の保持装置にごく近い状態の接合体を対象として、セラミックス板の第1の表面の各位置における温度特定を行うことができるため、セラミックス板とベース板との間における接着層の外周側の位置に、適切な熱伝導率を有する第1の部材および第2の部材を選択して配置することができる。従って、本保持装置の製造方法によれば、セラミックス板の第1の表面における温度分布の均一性を向上させた保持装置を製造することができる。 (8) The method for manufacturing a holding device disclosed in this specification includes a plate-shaped ceramic plate having a first surface and a second surface opposite to the first surface; A base plate having a coolant flow path formed therein, wherein the third surface is arranged so that the third surface faces the second surface of the ceramic plate, or the inside of the ceramic plate, or A heater disposed on the base plate side of the ceramic plate; and an adhesive layer disposed between the ceramic plate and the base plate and bonding at least one of the ceramic plate and the heater to the base plate. A method of manufacturing a holding device for holding an object on the first surface of the ceramic plate, the step of preparing the ceramic plate and the base plate; A step of forming an adhesive layer by arranging an adhesive between the ceramic plate and the adhesive, and after forming the adhesive layer, the temperature at each position on the first surface of the ceramic plate is reduced. A first member that is selected based on the specified temperature at a position on the outer peripheral side of the adhesive layer between the ceramics plate and the base plate, and has a different thermal conductivity from the adhesive layer. And a step of arranging, based on the specified temperature, a position on the outer peripheral side of the adhesive layer between the ceramics plate and the base plate, wherein the adhesive layer and the first member are thermally conductive. And arranging second members having different rates. According to the manufacturing method of the present holding device, the first surface of the ceramic plate is intended for a joined product in which the ceramic plate and the base plate are joined by an adhesive layer, which is very close to the finished product holding device. The first member and the second member having appropriate thermal conductivity are selected at positions on the outer peripheral side of the adhesive layer between the ceramics plate and the base plate because the temperature can be specified at each position of Can be arranged. Therefore, according to the method of manufacturing the holding device, it is possible to manufacture the holding device in which the uniformity of the temperature distribution on the first surface of the ceramic plate is improved.

なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、保持装置、静電チャック、それらの製造方法等の形態で実現することが可能である。   The technology disclosed in the present specification can be realized in various forms, such as a holding device, an electrostatic chuck, and a method for manufacturing the same.

実施形態における静電チャック100の外観構成を概略的に示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view schematically illustrating an external configuration of an electrostatic chuck 100 according to an embodiment. 実施形態における静電チャック100のXZ断面構成を概略的に示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram schematically showing an XZ cross-sectional configuration of the electrostatic chuck 100 according to the embodiment. 実施形態における静電チャック100のXY断面構成を概略的に示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram schematically illustrating an XY cross-sectional configuration of the electrostatic chuck 100 according to the embodiment. 実施形態における静電チャック100の製造方法を示すフローチャートである。4 is a flowchart illustrating a method for manufacturing the electrostatic chuck 100 according to the embodiment. 実施形態における静電チャック100の製造方法を概略的に示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram schematically illustrating a method for manufacturing the electrostatic chuck 100 according to the embodiment.

A.実施形態:
A−1.静電チャック100の構成:
図1は、本実施形態における静電チャック100の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図2は、本実施形態における静電チャック100のXZ断面構成を概略的に示す説明図であり、図3は、本実施形態における静電チャック100のXY断面構成を概略的に示す説明図である。図2には、図3のII−IIの位置における静電チャック100のXZ断面構成が示されており、図3には、図2のIII−IIIの位置における静電チャック100のXY断面構成が示されている。各図には、方向を特定するための互いに直交するXYZ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Z軸正方向を上方向といい、Z軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック100は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。
A. Embodiment:
A-1. Configuration of electrostatic chuck 100:
FIG. 1 is a perspective view schematically illustrating an external configuration of the electrostatic chuck 100 according to the present embodiment, and FIG. 2 is an explanatory diagram schematically illustrating an XZ cross-sectional configuration of the electrostatic chuck 100 according to the present embodiment. FIG. 3 is an explanatory view schematically showing an XY cross-sectional configuration of the electrostatic chuck 100 according to the present embodiment. FIG. 2 shows an XZ cross-sectional configuration of the electrostatic chuck 100 at a position II-II in FIG. 3, and FIG. 3 shows an XY cross-sectional configuration of the electrostatic chuck 100 at a position III-III in FIG. It is shown. Each drawing shows XYZ axes orthogonal to each other for specifying the direction. In this specification, for the sake of convenience, the positive direction of the Z axis is referred to as an upward direction, and the negative direction of the Z axis is referred to as a downward direction. However, the electrostatic chuck 100 is actually installed in a direction different from such a direction. May be done.

静電チャック100は、対象物(例えばウェハW)を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内でウェハWを固定するために使用される。静電チャック100は、所定の配列方向(本実施形態では上下方向(Z軸方向))に並べて配置されたセラミックス板10およびベース板20を備える。セラミックス板10とベース板20とは、セラミックス板10の下面(以下、「セラミックス側接着面S2」という)とベース板20の上面(以下、「ベース側接着面S3」という)とが上記配列方向に対向するように配置されている。静電チャック100は、さらに、セラミックス板10のセラミックス側接着面S2とベース板20のベース側接着面S3との間に配置された接着層30を備える。セラミックス板10のセラミックス側接着面S2は、特許請求の範囲における第2の表面に相当し、ベース板20のベース側接着面S3は、特許請求の範囲における第3の表面に相当する。   The electrostatic chuck 100 is a device that attracts and holds an object (for example, a wafer W) by electrostatic attraction, and is used, for example, for fixing the wafer W in a vacuum chamber of a semiconductor manufacturing apparatus. The electrostatic chuck 100 includes a ceramic plate 10 and a base plate 20 which are arranged side by side in a predetermined arrangement direction (in this embodiment, a vertical direction (Z-axis direction)). The ceramic plate 10 and the base plate 20 are arranged such that the lower surface of the ceramic plate 10 (hereinafter, referred to as “ceramic-side bonding surface S2”) and the upper surface of the base plate 20 (hereinafter, referred to as “base-side bonding surface S3”) are arranged in the above-described arrangement direction. It is arranged so that it may face. The electrostatic chuck 100 further includes an adhesive layer 30 disposed between the ceramic-side bonding surface S2 of the ceramic plate 10 and the base-side bonding surface S3 of the base plate 20. The ceramic-side bonding surface S2 of the ceramic plate 10 corresponds to a second surface in the claims, and the base-side bonding surface S3 of the base plate 20 corresponds to a third surface in the claims.

セラミックス板10は、例えば円形平面の板状部材であり、セラミックス(例えば、アルミナや窒化アルミニウム等)により形成されている。セラミックス板10の直径は例えば200mm〜500mm程度(通常は200mm〜350mm程度)であり、セラミックス板10の厚さは例えば1mm〜10mm程度である。   The ceramic plate 10 is, for example, a plate member having a circular flat surface, and is formed of ceramics (for example, alumina, aluminum nitride, or the like). The diameter of the ceramic plate 10 is, for example, about 200 mm to 500 mm (generally, about 200 mm to 350 mm), and the thickness of the ceramic plate 10 is, for example, about 1 mm to 10 mm.

セラミックス板10の内部には、導電性材料(例えば、タングステンやモリブデン等)により形成された一対の内部電極40が設けられている。一対の内部電極40に電源(図示せず)から電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によってウェハWがセラミックス板10の上面(以下、「吸着面S1」という)に吸着固定される。セラミックス板10の吸着面S1は、特許請求の範囲における第1の表面に相当する。   A pair of internal electrodes 40 formed of a conductive material (for example, tungsten or molybdenum) is provided inside the ceramic plate 10. When a voltage is applied to the pair of internal electrodes 40 from a power supply (not shown), an electrostatic attraction is generated, and the wafer W is placed on the upper surface of the ceramic plate 10 by the electrostatic attraction (hereinafter, referred to as “suction surface S1”). Is fixed by suction. The suction surface S1 of the ceramic plate 10 corresponds to a first surface in the claims.

また、セラミックス板10の内部には、導電性材料(例えば、タングステンやモリブデン等)により形成された抵抗発熱体で構成されたヒータ50が設けられている。ヒータ50に電源(図示せず)から電圧が印加されると、ヒータ50が発熱することによってセラミックス板10が温められ、セラミックス板10の吸着面S1に保持されたウェハWが温められる。これにより、ウェハWの温度制御が実現される。なお、図3に示すように、ヒータ50は、セラミックス板10の吸着面S1をできるだけ満遍なく温めるため、Z軸方向視で略同心円状に配置されている。   Further, inside the ceramic plate 10, a heater 50 formed of a resistance heating element formed of a conductive material (for example, tungsten or molybdenum) is provided. When a voltage is applied to the heater 50 from a power supply (not shown), the heater 50 generates heat, thereby heating the ceramic plate 10 and the wafer W held on the suction surface S1 of the ceramic plate 10. Thereby, the temperature control of the wafer W is realized. As shown in FIG. 3, the heaters 50 are arranged substantially concentrically when viewed in the Z-axis direction in order to warm the suction surface S1 of the ceramic plate 10 as evenly as possible.

ベース板20は、例えばセラミックス板10と同径の、または、セラミックス板10より径が大きい円形平面の板状部材であり、金属(例えば、アルミニウムやアルミニウム合金等)により形成されている。ベース板20の直径は例えば220mm〜550mm程度(通常、220mm〜350mm)であり、ベース板20の厚さは例えば20mm〜40mm程度である。   The base plate 20 is, for example, a circular plate-shaped member having the same diameter as the ceramic plate 10 or a diameter larger than the ceramic plate 10, and is formed of a metal (for example, aluminum or an aluminum alloy). The diameter of the base plate 20 is, for example, about 220 mm to 550 mm (usually, 220 mm to 350 mm), and the thickness of the base plate 20 is, for example, about 20 mm to 40 mm.

ベース板20の内部には冷媒流路21が形成されている。冷媒流路21に冷媒(例えば、フッ素系不活性液体や水等)が流されると、ベース板20が冷却され、接着層30を介したベース板20からセラミックス板10への伝熱によりセラミックス板10が冷却され、セラミックス板10の吸着面S1に保持されたウェハWが冷却される。これにより、ウェハWの温度制御が実現される。   A coolant channel 21 is formed inside the base plate 20. When a coolant (for example, a fluorine-based inert liquid or water, etc.) flows through the coolant channel 21, the base plate 20 is cooled, and the heat is transferred from the base plate 20 to the ceramic plate 10 via the adhesive layer 30 to the ceramic plate 10. 10 is cooled, and the wafer W held on the suction surface S1 of the ceramic plate 10 is cooled. Thereby, the temperature control of the wafer W is realized.

接着層30は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着剤を含んでおり、セラミックス板10とベース板20とを接着している。接着層30の厚さは例えば0.1mm〜1mm程度である。   The adhesive layer 30 includes, for example, an adhesive such as a silicone resin, an acrylic resin, or an epoxy resin, and bonds the ceramic plate 10 and the base plate 20 together. The thickness of the adhesive layer 30 is, for example, about 0.1 mm to 1 mm.

図2に示すように、セラミックス板10とベース板20との間における接着層30の外周側の位置には、高熱伝導率部材61と低熱伝導率部材62とが配置されている。また、図2には示されていないが、セラミックス板10とベース板20との間における接着層30の外周側の位置には、同等熱伝導率部材60も配置されている。図3には、Z軸方向視での高熱伝導率部材61、低熱伝導率部材62、および、同等熱伝導率部材60の配置を破線で示している。図2および図3に示すように、接着層30におけるベース板20に近い側の部分(後述する第1のシート状接着剤As1により形成された部分)は、接着層30の厚さ方向視で、外周部に複数の凹部(切り欠き)Pcが形成された形状となっている。高熱伝導率部材61、低熱伝導率部材62、および、同等熱伝導率部材60は、互いに異なる凹部Pc内に配置されている。なお、各凹部Pcの上下方向に直交する断面の形状は、任意の形状であってよく、例えば略半円形や略半楕円形、略矩形や多角形等であってよい。   As shown in FIG. 2, a high thermal conductivity member 61 and a low thermal conductivity member 62 are arranged at positions on the outer peripheral side of the adhesive layer 30 between the ceramic plate 10 and the base plate 20. Although not shown in FIG. 2, an equivalent thermal conductivity member 60 is also disposed at a position on the outer peripheral side of the adhesive layer 30 between the ceramic plate 10 and the base plate 20. In FIG. 3, the arrangement of the high thermal conductivity member 61, the low thermal conductivity member 62, and the equivalent thermal conductivity member 60 when viewed in the Z-axis direction are indicated by broken lines. As shown in FIGS. 2 and 3, the portion of the adhesive layer 30 on the side closer to the base plate 20 (the portion formed by a first sheet-like adhesive As1 described later) is viewed in the thickness direction of the adhesive layer 30. And a plurality of recesses (notches) Pc formed in the outer peripheral portion. The high thermal conductivity member 61, the low thermal conductivity member 62, and the equivalent thermal conductivity member 60 are arranged in different recesses Pc. The shape of the cross section perpendicular to the vertical direction of each recess Pc may be any shape, for example, a substantially semicircular shape, a substantially semielliptical shape, a substantially rectangular shape, a polygonal shape, or the like.

高熱伝導率部材61は、比較的高い熱伝導率を有する材料(例えば、アルミニウムやチタン等)を含むように形成されており、その結果、高熱伝導率部材61の熱伝導率は接着層30の熱伝導率より高い。また、高熱伝導率部材61は、接着層30の厚さ方向視で、ヒータ50と重なり、かつ、冷媒流路21と重ならない位置に配置されている。高熱伝導率部材61が配置された箇所では、接着層30が配置された箇所と比較して、ベース板20とセラミックス板10との間の伝熱性が高くなり、ベース板20の内部に形成された冷媒流路21に供給される冷媒によるセラミックス板10の冷却効果が高められる。高熱伝導率部材61は、特許請求の範囲における第1の部材に相当する。   The high thermal conductivity member 61 is formed so as to include a material having a relatively high thermal conductivity (for example, aluminum or titanium), and as a result, the thermal conductivity of the high thermal conductivity member 61 is higher than that of the adhesive layer 30. Higher than thermal conductivity. The high thermal conductivity member 61 is disposed at a position overlapping the heater 50 and not overlapping the coolant channel 21 when viewed in the thickness direction of the adhesive layer 30. The heat transfer between the base plate 20 and the ceramic plate 10 is higher at the position where the high thermal conductivity member 61 is disposed than at the position where the adhesive layer 30 is disposed, and the heat transfer member is formed inside the base plate 20. The cooling effect of the ceramic plate 10 by the coolant supplied to the coolant channel 21 is enhanced. The high thermal conductivity member 61 corresponds to a first member in the claims.

低熱伝導率部材62は、比較的低い熱伝導率を有する材料(例えば、PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)のような樹脂材料等)を含むように形成されており、その結果、低熱伝導率部材62の熱伝導率は接着層30の熱伝導率より低い。また、低熱伝導率部材62は、接着層30の厚さ方向視で、冷媒流路21と重なり、かつ、ヒータ50と重ならない位置に配置されている。低熱伝導率部材62が配置された箇所では、接着層30が配置された箇所と比較して、ベース板20とセラミックス板10との間の伝熱性が低くなり、ベース板20の内部に形成された冷媒流路21に供給される冷媒によるセラミックス板10の冷却効果が抑制される。低熱伝導率部材62は、特許請求の範囲における第2の部材に相当する。   The low thermal conductivity member 62 is formed to include a material having a relatively low thermal conductivity (for example, a resin material such as PEEK (polyetheretherketone)), and as a result, the low thermal conductivity member 62 is formed. Is lower than the thermal conductivity of the adhesive layer 30. Further, the low thermal conductivity member 62 is arranged at a position overlapping with the coolant channel 21 but not overlapping with the heater 50 when viewed in the thickness direction of the adhesive layer 30. At the place where the low thermal conductivity member 62 is disposed, the heat conductivity between the base plate 20 and the ceramic plate 10 is lower than that at the place where the adhesive layer 30 is disposed, and the heat conductive member is formed inside the base plate 20. The effect of cooling the ceramic plate 10 by the coolant supplied to the coolant channel 21 is suppressed. The low thermal conductivity member 62 corresponds to a second member in the claims.

同等熱伝導率部材60は、接着層30の熱伝導率と同等の熱伝導率を有する材料(例えば、石英ガラス等)を含むように形成されており、その結果、同等熱伝導率部材60の熱伝導率は接着層30の熱伝導率と同等である。また、同等熱伝導率部材60は、接着層30の厚さ方向視で、冷媒流路21と重ならず、かつ、ヒータ50と重ならない位置に配置されている。同等熱伝導率部材60が配置された箇所では、ベース板20とセラミックス板10との間の伝熱性が、接着層30が配置された箇所と同等となる。   The equivalent thermal conductivity member 60 is formed so as to include a material (for example, quartz glass or the like) having a thermal conductivity equal to the thermal conductivity of the adhesive layer 30. As a result, the equivalent thermal conductivity member 60 The thermal conductivity is equal to the thermal conductivity of the adhesive layer 30. Further, the equivalent thermal conductivity member 60 is disposed at a position where it does not overlap with the coolant channel 21 and does not overlap with the heater 50 when viewed in the thickness direction of the adhesive layer 30. At the location where the equivalent thermal conductivity member 60 is disposed, the heat conductivity between the base plate 20 and the ceramic plate 10 is equivalent to the location where the adhesive layer 30 is disposed.

また、静電チャック100は、図2に示すように、接着層30と、上述した高熱伝導率部材61、低熱伝導率部材62、および、同等熱伝導率部材60とをまとめて囲む環状の保護部材64を備える。保護部材64は、例えば、ゴムで形成されたOリングである。保護部材64は、接着層30をプラズマから保護すると共に、高熱伝導率部材61、低熱伝導率部材62、および、同等熱伝導率部材60の脱落を防止する。   Further, as shown in FIG. 2, the electrostatic chuck 100 has an annular protection that collectively surrounds the adhesive layer 30 and the above-described high thermal conductivity member 61, low thermal conductivity member 62, and equivalent thermal conductivity member 60. A member 64 is provided. The protection member 64 is, for example, an O-ring formed of rubber. The protection member 64 protects the adhesive layer 30 from plasma and prevents the high thermal conductivity member 61, the low thermal conductivity member 62, and the equivalent thermal conductivity member 60 from falling off.

A−2.静電チャック100の製造方法:
図4は、本実施形態における静電チャック100の製造方法を示すフローチャートである。また、図5は、本実施形態における静電チャック100の製造方法を概略的に示す説明図である。なお、図5では、説明の便宜上、凹部Pcや高熱伝導率部材61、低熱伝導率部材62等の数や配置等を図2および図3とは異なる形態としている箇所がある。
A-2. Manufacturing method of the electrostatic chuck 100:
FIG. 4 is a flowchart illustrating a method for manufacturing the electrostatic chuck 100 according to the present embodiment. FIG. 5 is an explanatory view schematically showing a method of manufacturing the electrostatic chuck 100 according to the present embodiment. In FIG. 5, for convenience of description, there are places where the number, arrangement, and the like of the concave portions Pc, the high thermal conductivity members 61, the low thermal conductivity members 62, and the like are different from those in FIGS.

はじめに、セラミックス板10とベース板20とを準備する(S110)。なお、セラミックス板10およびベース板20は、公知の製造方法によって製造可能であるため、ここでは製造方法の説明を省略する。   First, the ceramic plate 10 and the base plate 20 are prepared (S110). Since the ceramic plate 10 and the base plate 20 can be manufactured by a known manufacturing method, the description of the manufacturing method is omitted here.

次に、接着層30の形成材料としての略円板状の第1のシート状接着剤As1を用意し、第1のシート状接着剤As1の外周部の複数箇所を切り欠くことによって、複数の凹部Pcを形成する(S120、図5参照)。凹部Pcは、第1のシート状接着剤As1を厚さ方向(上下方向)に貫通する孔である。   Next, a substantially disk-shaped first sheet-like adhesive As1 as a material for forming the adhesive layer 30 is prepared, and a plurality of locations on the outer peripheral portion of the first sheet-like adhesive As1 are cut out to form a plurality of pieces. The recess Pc is formed (S120, see FIG. 5). The concave portion Pc is a hole that penetrates the first sheet-shaped adhesive As1 in the thickness direction (vertical direction).

なお、第1のシート状接着剤As1は、接着成分(例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等)と粉末成分(例えばアルミナやシリカ、炭化ケイ素、窒化ケイ素等)とを混合して作製したペーストを、例えば離型シート上に膜状に塗布した後、硬化処理によって半硬化させてゲル状としたものである。ペーストは、カップリング剤等の添加剤を含んでいてもよい。第1のシート状接着剤As1は、粘度が比較的高いため、ある程度の厚さを確保したり、厚さを均一にしたり、凹部Pcを形成したりすることが容易である。なお、硬化処理の内容は、使用する接着剤の種類に応じて異なり、熱硬化型の接着剤であれば硬化処理として熱を付与する処理が行われ、水分硬化型の接着剤であれば硬化処理として加湿などの方法により水分を付与する処理が行われる。   The first sheet-like adhesive As1 is obtained by mixing an adhesive component (for example, a silicone resin, an acrylic resin, an epoxy resin, etc.) and a powder component (for example, alumina, silica, silicon carbide, silicon nitride, etc.). The prepared paste is applied, for example, in the form of a film on a release sheet, and then semi-cured by a curing treatment to form a gel. The paste may include additives such as a coupling agent. Since the first sheet adhesive As1 has a relatively high viscosity, it is easy to secure a certain thickness, to make the thickness uniform, and to form the concave portion Pc. The content of the curing process differs depending on the type of the adhesive used. In the case of a thermosetting adhesive, a process of applying heat is performed as a curing process. As a process, a process of providing moisture by a method such as humidification is performed.

次に、接着層30の形成材料としての略円板状の第2のシート状接着剤As2を用意し、セラミックス板10のセラミックス側接着面S2とベース板20のベース側接着面S3とを、第2のシート状接着剤As2、および、上述した第1のシート状接着剤As1を介して貼り合わせた状態で、第1のシート状接着剤As1および第2のシート状接着剤As2を硬化させる硬化処理を行うことにより、接着層30を形成する(S130)。なお、第2のシート状接着剤As2は、上述した第1のシート状接着剤As1と同様の構成であるが、凹部の形成は行われていない。また、第2のシート状接着剤As2は、第1のシート状接着剤As1よりセラミックス板10側に配置される。また、硬化処理としては、上述したように、使用する接着剤の種類に応じた処理(熱を付与する処理や水分を付与する処理)が行われる。また、S130の工程の内の少なくともセラミックス板10とベース板20とを貼り合わせる作業は、真空状態の密閉容器内にセラミックス板10およびベース板20を収容した状態で実行されると、接着層30内に気泡が生じにくいという点で好ましい。   Next, a substantially disk-shaped second sheet adhesive As2 as a material for forming the adhesive layer 30 is prepared, and the ceramic-side adhesive surface S2 of the ceramic plate 10 and the base-side adhesive surface S3 of the base plate 20 are separated. The first sheet-like adhesive As1 and the second sheet-like adhesive As2 are cured in a state where the second sheet-like adhesive As2 and the above-described first sheet-like adhesive As1 are pasted together. The adhesive layer 30 is formed by performing a curing process (S130). The second sheet-shaped adhesive As2 has the same configuration as the first sheet-shaped adhesive As1 described above, but no recess is formed. Further, the second sheet adhesive As2 is disposed closer to the ceramic plate 10 than the first sheet adhesive As1. In addition, as the hardening process, as described above, a process (a process of applying heat or a process of applying moisture) according to the type of the adhesive to be used is performed. In addition, at least the operation of bonding the ceramic plate 10 and the base plate 20 in the step of S130 is performed in a state where the ceramic plate 10 and the base plate 20 are housed in a vacuum-sealed container. This is preferable in that air bubbles are hardly generated in the inside.

S130までの処理により、セラミックス板10とベース板20とが接着層30により接合された接合体が形成される。この接合体において、接着層30におけるベース板20に近い側の部分(第1のシート状接着剤As1により形成された部分)は、接着層30の厚さ方向視で、外周部に複数の凹部Pcが形成された形状となっている。上述したように、第2のシート状接着剤As2には凹部が形成されないので、各凹部Pc内の空間は、ベース板20のベース側接着面S3に面するが、セラミックス板10のセラミックス側接着面S2には面しないものとなる。   By the processing up to S130, a joined body in which the ceramic plate 10 and the base plate 20 are joined by the adhesive layer 30 is formed. In this bonded body, a portion of the adhesive layer 30 close to the base plate 20 (a portion formed by the first sheet-like adhesive As1) has a plurality of recesses in the outer peripheral portion when viewed in the thickness direction of the adhesive layer 30. It has a shape in which Pc is formed. As described above, since no concave portion is formed in the second sheet-like adhesive As2, the space in each concave portion Pc faces the base-side adhesive surface S3 of the base plate 20, but the ceramic-side adhesive It does not face the surface S2.

次に、セラミックス板10とベース板20とが接合された接合体において、セラミックス板10の内部に形成されたヒータ50をオン状態にすると共に冷媒流路21に冷媒を供給した状態で、セラミックス板10の吸着面S1の各位置における温度を測定し、温度測定結果に基づき、吸着面S1における低温領域CAと高温領域HAとを特定する(S140、図5参照)。ここで、吸着面S1における低温領域CAは、接着層30の厚さ方向視で凹部Pcと重なる部分(以下、「凹部重複部」という)を含む領域であって、吸着面S1における他の領域より低温となる傾向にある領域である。また、高温領域HAは、凹部重複部を含む領域であって、吸着面S1における他の領域より高温となる傾向にある領域である。   Next, in the joined body in which the ceramics plate 10 and the base plate 20 are joined, the heater 50 formed inside the ceramics plate 10 is turned on, and the coolant is supplied to the coolant flow path 21. The temperature at each position of the ten suction surfaces S1 is measured, and the low-temperature area CA and the high-temperature area HA on the suction surface S1 are specified based on the temperature measurement results (S140, see FIG. 5). Here, the low-temperature region CA on the suction surface S1 is a region including a portion overlapping with the concave portion Pc in the thickness direction of the adhesive layer 30 (hereinafter, referred to as “recess overlap portion”), and another region on the suction surface S1. This is an area where the temperature tends to be lower. The high-temperature area HA is an area including the concave portion overlapping portion, and is an area in which the temperature tends to be higher than other areas on the suction surface S1.

セラミックス板10とベース板20とが接合された接合体において、凹部Pc内は空間となっているため、吸着面S1における凹部重複部は、吸着面S1における他の部分と比較して、ベース板20からセラミックス板10への伝熱性が低くなり、その分だけ他の部分より温度が高くなるはずである。すなわち、吸着面S1における凹部重複部の温度T1は、他の部分の温度T0よりある温度差(以下、「予測温度差ΔTp」という)だけ高い温度になることが予測される。上記低温領域CAは、実際の温度が上記予測よりも低温となっている凹部重複部を含む領域である。すなわち、低温領域CAは、凹部重複部の温度T1の測定値と他の部分の温度T0の測定値との差(以下、「測定温度差ΔTm」という)が、予測温度差ΔTpより所定値以上小さい凹部重複部を含む領域である。また、上記高温領域HAは、実際の温度が上記予測よりも高温となっている凹部重複部を含む領域である。すなわち、高温領域HAは、測定温度差ΔTmが予測温度差ΔTpより所定値以上大きい凹部重複部を含む領域である。   In the joined body in which the ceramic plate 10 and the base plate 20 are joined, since the inside of the concave portion Pc is a space, the overlapping portion of the concave portion on the suction surface S1 is compared with other portions on the suction surface S1. The heat transfer from the substrate 20 to the ceramic plate 10 will be lower, and the temperature should be higher than that of the other parts. That is, it is predicted that the temperature T1 of the concave portion overlapping portion on the suction surface S1 will be higher by a certain temperature difference (hereinafter referred to as “predicted temperature difference ΔTp”) than the temperature T0 of the other portions. The low-temperature area CA is an area including a concave portion overlapping portion where the actual temperature is lower than the predicted temperature. That is, in the low temperature region CA, the difference between the measured value of the temperature T1 of the overlapping portion of the concave portion and the measured value of the temperature T0 of the other portion (hereinafter referred to as “measured temperature difference ΔTm”) is more than a predetermined value from the predicted temperature difference ΔTp. This is an area including a small concave overlap portion. Further, the high temperature area HA is an area including the concave portion overlapping portion where the actual temperature is higher than the predicted temperature. That is, the high temperature area HA is an area including a concave portion overlapping portion where the measured temperature difference ΔTm is larger than the predicted temperature difference ΔTp by a predetermined value or more.

なお、低温領域CAおよび高温領域HAは、製品設計上、発生し得る。例えば、接着層30の厚さ方向視で、セラミックス板10の内部に形成されたヒータ50と重ならない領域(すなわち、ヒータ50の直上の領域以外の領域)は、低温領域CAとなり得る。また、接着層30の厚さ方向視で、冷媒流路21と重なる領域(すなわち、冷媒流路21の直上の領域)も、低温領域CAとなり得る。また、反対に、例えば、接着層30の厚さ方向視で、セラミックス板10の内部に形成されたヒータ50と重なる領域(すなわち、ヒータ50の直上の領域)は、高温領域HAとなり得る。また、接着層30の厚さ方向視で冷媒流路21と重ならない領域(すなわち、冷媒流路21の直上の領域以外の領域)も、高温領域HAとなり得る。また、低温領域CAおよび高温領域HAは、製造工程上、セラミックス板10やベース板20、接着層30等の製品ばらつき等によっても発生し得る。   Note that the low-temperature region CA and the high-temperature region HA can occur in product design. For example, in the thickness direction of the adhesive layer 30, a region that does not overlap with the heater 50 formed inside the ceramic plate 10 (that is, a region other than a region immediately above the heater 50) can be a low-temperature region CA. Further, when viewed in the thickness direction of the adhesive layer 30, a region overlapping with the coolant flow channel 21 (that is, a region immediately above the coolant flow channel 21) can also be a low-temperature region CA. Conversely, for example, a region overlapping the heater 50 formed inside the ceramic plate 10 (that is, a region immediately above the heater 50) in the thickness direction of the adhesive layer 30 can be the high-temperature region HA. In addition, a region of the adhesive layer 30 that does not overlap with the refrigerant flow channel 21 in the thickness direction (that is, a region other than a region immediately above the refrigerant flow channel 21) can also be the high-temperature region HA. Further, the low-temperature region CA and the high-temperature region HA can also be generated due to product variations of the ceramic plate 10, the base plate 20, the adhesive layer 30, and the like in the manufacturing process.

次に、セラミックス板10とベース板20とが接合された接合体の外周部に形成された複数の凹部Pcの内、接着層30の厚さ方向視で低温領域CAと重なる凹部Pc内に低熱伝導率部材62を挿入し、高温領域HAと重なる凹部Pc内に高熱伝導率部材61を挿入し、それ以外の凹部Pc内に同等熱伝導率部材60を挿入する(S150、図5参照)。   Next, among the plurality of concave portions Pc formed on the outer peripheral portion of the joined body in which the ceramic plate 10 and the base plate 20 are joined, low heat is generated in the concave portion Pc overlapping the low-temperature region CA in the thickness direction of the adhesive layer 30. The conductive member 62 is inserted, the high thermal conductive member 61 is inserted into the concave portion Pc overlapping the high temperature region HA, and the equivalent thermal conductive member 60 is inserted into the other concave portion Pc (S150, see FIG. 5).

最後に、接着層30と、高熱伝導率部材61、低熱伝導率部材62、および、同等熱伝導率部材60とをまとめて囲む環状の保護部材64を設置する(S160)。以上の工程により、上述した構成の静電チャック100の製造が完了する。   Finally, an annular protective member 64 that surrounds the adhesive layer 30, the high thermal conductivity member 61, the low thermal conductivity member 62, and the equivalent thermal conductivity member 60 is installed (S160). Through the above steps, the manufacture of the electrostatic chuck 100 having the above-described configuration is completed.

A−3.実施形態の効果:
以上説明したように、本実施形態の静電チャック100は、セラミックス板10とベース板20との間における接着層30の外周側の位置に、高熱伝導率部材61および低熱伝導率部材62が配置される。高熱伝導率部材61の熱伝導率は接着層30の熱伝導率より高く、低熱伝導率部材62の熱伝導率は接着層30の熱伝導率より低い。すなわち、本実施形態の静電チャック100では、セラミックス板10とベース板20との間に、接着層30、高熱伝導率部材61、低熱伝導率部材62という、熱伝導率の互いに異なる少なくとも3つの部材が配置される。高熱伝導率部材61が配置された箇所では、接着層30が配置された箇所と比較して、ベース板20とセラミックス板10との間の伝熱性が高くなり、ベース板20の内部に形成された冷媒流路21に供給される冷媒によるセラミックス板10の冷却効果が高められる。反対に、低熱伝導率部材62が配置された箇所では、接着層30が配置された箇所と比較して、ベース板20とセラミックス板10との間の伝熱性が低くなり、ベース板20の内部に形成された冷媒流路21に供給される冷媒によるセラミックス板10の冷却効果が抑制される。そのため、セラミックス板10とベース板20との間における接着層30の外周側の適切な位置に高熱伝導率部材61および低熱伝導率部材62を配置することにより、セラミックス板10の吸着面S1における温度分布の均一性を向上させることができる。
A-3. Effects of the embodiment:
As described above, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the high thermal conductivity member 61 and the low thermal conductivity member 62 are arranged at the position on the outer peripheral side of the adhesive layer 30 between the ceramic plate 10 and the base plate 20. Is done. The thermal conductivity of the high thermal conductivity member 61 is higher than the thermal conductivity of the adhesive layer 30, and the thermal conductivity of the low thermal conductivity member 62 is lower than the thermal conductivity of the adhesive layer 30. That is, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, between the ceramic plate 10 and the base plate 20, at least three of the adhesive layers 30, the high thermal conductivity member 61, and the low thermal conductivity member 62 having different thermal conductivity. A member is arranged. The heat transfer between the base plate 20 and the ceramic plate 10 is higher at the position where the high thermal conductivity member 61 is disposed than at the position where the adhesive layer 30 is disposed, and the heat transfer member is formed inside the base plate 20. The cooling effect of the ceramic plate 10 by the coolant supplied to the coolant channel 21 is enhanced. Conversely, the heat transfer between the base plate 20 and the ceramic plate 10 is lower at the position where the low thermal conductivity member 62 is disposed than at the position where the adhesive layer 30 is disposed, and The cooling effect of the ceramic plate 10 due to the refrigerant supplied to the refrigerant flow path 21 formed in the above is suppressed. Therefore, by disposing the high thermal conductivity member 61 and the low thermal conductivity member 62 at appropriate positions on the outer peripheral side of the adhesive layer 30 between the ceramic plate 10 and the base plate 20, the temperature on the adsorption surface S1 of the ceramic plate 10 is reduced. The uniformity of distribution can be improved.

なお、セラミックス板10の吸着面S1において、接着層30の厚さ方向視でヒータ50と重なる位置は、他の位置より温度が高くなる傾向にある。本実施形態の静電チャック100では、高熱伝導率部材61が、接着層30の厚さ方向視でヒータ50と重なる位置に配置されるため、当該位置において冷媒によるセラミックス板10の冷却効果が高められ、セラミックス板10の吸着面S1における温度分布の均一性を向上させることができる。   In addition, in the adsorption surface S1 of the ceramic plate 10, the position where the adhesive layer 30 overlaps the heater 50 when viewed in the thickness direction tends to have a higher temperature than other positions. In the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, since the high thermal conductivity member 61 is disposed at a position overlapping the heater 50 when viewed in the thickness direction of the adhesive layer 30, the cooling effect of the refrigerant on the ceramic plate 10 is enhanced at that position. As a result, the uniformity of the temperature distribution on the adsorption surface S1 of the ceramic plate 10 can be improved.

また、セラミックス板10の吸着面S1において、接着層30の厚さ方向視で冷媒流路21と重なる位置は、他の位置より温度が低くなる傾向にある。本実施形態の静電チャック100では、低熱伝導率部材62が、接着層30の厚さ方向視で冷媒流路21と重なる位置に配置されるため、当該位置において冷媒によるセラミックス板10の冷却効果が抑制され、セラミックス板10の吸着面S1における温度分布の均一性を向上させることができる。   In addition, on the adsorption surface S1 of the ceramic plate 10, the position where the adhesive layer 30 overlaps the coolant flow path 21 when viewed in the thickness direction tends to have a lower temperature than other positions. In the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, since the low thermal conductivity member 62 is disposed at a position overlapping the refrigerant flow path 21 when viewed in the thickness direction of the adhesive layer 30, the cooling effect of the refrigerant on the ceramic plate 10 at that position. Is suppressed, and the uniformity of the temperature distribution on the suction surface S1 of the ceramic plate 10 can be improved.

また、本実施形態の静電チャック100では、接着層30におけるベース板20に近い側の部分(第1のシート状接着剤As1により形成された部分)は、接着層30の厚さ方向視で、外周部に複数の凹部Pcが形成された形状となっており、高熱伝導率部材61および低熱伝導率部材62は、互いに異なる凹部Pc内に配置されている。そのため、本実施形態の静電チャック100によれば、接着層30による接着面積をある程度確保しつつ、高熱伝導率部材61および低熱伝導率部材62を配置することによってセラミックス板10の吸着面S1における温度分布の均一性を向上させることができる。   Further, in the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the portion of the adhesive layer 30 near the base plate 20 (the portion formed by the first sheet-like adhesive As1) is viewed in the thickness direction of the adhesive layer 30. , A plurality of concave portions Pc are formed in the outer peripheral portion, and the high thermal conductivity member 61 and the low thermal conductivity member 62 are arranged in different concave portions Pc. Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, the high thermal conductivity member 61 and the low thermal conductivity member 62 are arranged to secure the bonding area of the bonding layer 30 to some extent, so that the suction surface S1 of the ceramic plate 10 is formed. The uniformity of the temperature distribution can be improved.

また、本実施形態の静電チャック100は、接着層30と高熱伝導率部材61と低熱伝導率部材62とをまとめて囲む環状の保護部材64を備える。そのため、本実施形態の静電チャック100によれば、高熱伝導率部材61および低熱伝導率部材62を配置することによってセラミックス板10の吸着面S1における温度分布の均一性を向上させつつ、高熱伝導率部材61および低熱伝導率部材62の脱落を防止することができる。   Further, the electrostatic chuck 100 of the present embodiment includes an annular protective member 64 that surrounds the adhesive layer 30, the high thermal conductivity member 61, and the low thermal conductivity member 62 collectively. Therefore, according to the electrostatic chuck 100 of the present embodiment, by disposing the high thermal conductivity member 61 and the low thermal conductivity member 62, the uniformity of the temperature distribution on the adsorption surface S1 of the ceramic plate 10 is improved, and the high thermal conductivity is improved. The falling off of the rate member 61 and the low thermal conductivity member 62 can be prevented.

なお、高熱伝導率部材61および低熱伝導率部材62の数、形状、配置、熱伝導率等を適切に設定することにより、ヒータ50による加熱と冷媒流路21への冷媒の供給との実行中に、セラミックス板10の吸着面S1の各位置における温度差を3℃以内とすることができる。セラミックス板10の吸着面S1の各位置における温度差を3℃以内とすることにより、セラミックス板10の吸着面S1における温度分布の均一性を十分に向上させることができるため、好ましい。   By appropriately setting the number, shape, arrangement, heat conductivity, and the like of the high thermal conductivity member 61 and the low thermal conductivity member 62, the heating by the heater 50 and the supply of the refrigerant to the refrigerant flow path 21 are performed. In addition, the temperature difference at each position of the suction surface S1 of the ceramic plate 10 can be kept within 3 ° C. It is preferable that the temperature difference at each position of the suction surface S1 of the ceramic plate 10 be within 3 ° C., since the uniformity of the temperature distribution on the suction surface S1 of the ceramic plate 10 can be sufficiently improved.

また、本実施形態の静電チャック100の製造方法では、セラミックス板10とベース板20との間に配置された接着剤As1,As2を硬化させることによって接着層30が形成された後、セラミックス板10の吸着面S1の各位置における温度が特定され、セラミックス板10とベース板20との間における接着層30の外周側の位置に、特定された温度に基づき選択された各部材(高熱伝導率部材61や低熱伝導率部材62)が配置される。すなわち、この製造方法では、セラミックス板10とベース板20とが接着層30により接合された接合体という、完成品の静電チャック100にごく近い状態の接合体を対象として、セラミックス板10の吸着面S1の各位置における温度特定を行うことができるため、セラミックス板10とベース板20との間における接着層30の外周側の位置に、適切な熱伝導率を有する部材を選択して配置することができる。従って、この製造方法によれば、セラミックス板10の吸着面S1における温度分布の均一性を向上させた静電チャック100を製造することができる。   In the method of manufacturing the electrostatic chuck 100 according to the present embodiment, after the adhesive layers As1 and As2 disposed between the ceramic plate 10 and the base plate 20 are cured, the adhesive layer 30 is formed. The temperature at each position of the suction surface S1 is specified, and at the position on the outer peripheral side of the adhesive layer 30 between the ceramic plate 10 and the base plate 20, each member selected based on the specified temperature (high thermal conductivity) The member 61 and the low thermal conductivity member 62) are arranged. That is, in this manufacturing method, the bonding of the ceramic plate 10 and the base plate 20 by the bonding layer 30, that is, the bonded body in a state very close to the completed electrostatic chuck 100 is targeted. Since the temperature can be specified at each position of the surface S1, a member having an appropriate thermal conductivity is selected and arranged at a position on the outer peripheral side of the adhesive layer 30 between the ceramic plate 10 and the base plate 20. be able to. Therefore, according to this manufacturing method, it is possible to manufacture the electrostatic chuck 100 in which the uniformity of the temperature distribution on the suction surface S1 of the ceramic plate 10 is improved.

B.変形例:
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。
B. Modification:
The technology disclosed in the present specification is not limited to the above-described embodiment, and can be modified into various forms without departing from the gist thereof. For example, the following modifications are also possible.

上記実施形態における静電チャック100の構成は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態において、接着層30に形成される凹部Pcの数や位置、形状等は任意に設定することができる。また、上記実施形態では、凹部Pcは、接着層30におけるベース板20に近い側の部分(第1のシート状接着剤As1により形成される部分)に形成されているが、接着層30におけるセラミックス板10に近い側の部分(第2のシート状接着剤As2により形成される部分)に形成されるとしてもよい。この構成は、例えば静電チャック100の製造工程(図5)において、第1のシート状接着剤As1ではなく第2のシート状接着剤As2に凹部Pcを形成することにより実現可能である。また、凹部Pcが、接着層30の厚さ方向の全体にわたって形成されるとしてもよい。この構成は、例えば静電チャック100の製造工程において、第1のシート状接着剤As1と第2のシート状接着剤As2との両方において、互いに同一の位置(積層時に上下方向に重なる位置)に凹部Pcを形成することにより実現可能である。また、凹部Pcが、凹部Pcが、接着層30の厚さ方向の両端以外の位置に形成されるとしてもよい。この構成は、例えば静電チャック100の製造工程において、第1のシート状接着剤As1の下側(ベース板20側)に、凹部Pcを有さない第3のシート状接着剤をさらに配置することにより実現可能である。   The configuration of the electrostatic chuck 100 in the above embodiment is merely an example, and can be variously modified. For example, in the above embodiment, the number, position, shape, and the like of the concave portions Pc formed in the adhesive layer 30 can be arbitrarily set. Further, in the above embodiment, the concave portion Pc is formed in the portion of the adhesive layer 30 close to the base plate 20 (the portion formed by the first sheet-like adhesive As1). It may be formed on a portion closer to the plate 10 (a portion formed by the second sheet-like adhesive As2). This configuration can be realized, for example, by forming the concave portion Pc in the second sheet adhesive As2 instead of the first sheet adhesive As1 in the manufacturing process of the electrostatic chuck 100 (FIG. 5). Further, the concave portion Pc may be formed over the whole of the adhesive layer 30 in the thickness direction. This configuration is, for example, in the manufacturing process of the electrostatic chuck 100, in both the first sheet-like adhesive As1 and the second sheet-like adhesive As2, at the same position (position vertically overlapped during lamination). This can be realized by forming the concave portion Pc. Further, the concave portion Pc may be formed at a position other than both ends in the thickness direction of the adhesive layer 30. In this configuration, for example, in the manufacturing process of the electrostatic chuck 100, a third sheet-like adhesive having no concave portion Pc is further arranged below the first sheet-like adhesive As1 (on the side of the base plate 20). This can be realized by:

また、静電チャック100に、少なくとも1つの凹部Pc(以下、「第1の凹部Pc1」という)と、接着層30の厚さ方向における位置が第1の凹部Pc1とは異なる少なくとも1つの凹部(以下、「第2の凹部Pc2」という)とが形成されているとしてもよい。この構成は、例えば静電チャック100の製造工程(図5)において、第1のシート状接着剤As1と第2のシート状接着剤As2との両方において、それぞれ互いに異なる位置(積層時に上下方向に重ならない位置)に凹部Pcを形成することにより実現可能である。この構成によれば、凹部Pcの配置の自由度を増やすことができるために、高熱伝導率部材61、低熱伝導率部材62、同等熱伝導率部材60等の部材を配置することによる冷却効果の調整をきめ細かく行うことができ、セラミックス板10の吸着面S1における温度分布の均一性を効果的に向上させることができる。   In the electrostatic chuck 100, at least one concave portion Pc (hereinafter, referred to as “first concave portion Pc1”) and at least one concave portion (the position in the thickness direction of the adhesive layer 30 different from the first concave portion Pc1). Hereinafter, “second concave portion Pc2”) may be formed. For example, in the manufacturing process (FIG. 5) of the electrostatic chuck 100, the first sheet-like adhesive As1 and the second sheet-like adhesive As2 have different positions (in the vertical direction at the time of lamination). This can be realized by forming the concave portion Pc at a position that does not overlap). According to this configuration, since the degree of freedom in the arrangement of the concave portion Pc can be increased, the cooling effect by arranging the members such as the high thermal conductivity member 61, the low thermal conductivity member 62, and the equivalent thermal conductivity member 60 is reduced. The adjustment can be performed finely, and the uniformity of the temperature distribution on the adsorption surface S1 of the ceramic plate 10 can be effectively improved.

また、例えば静電チャック100の製造工程(図5)において、第1のシート状接着剤As1の径を第2のシート状接着剤As2の径より小さくすることにより、セラミックス板10とベース板20とが接着層30により接合された接合体において、接着層30における第1のシート状接着剤As1により形成された部分の全周に空間を確保し、該空間に高熱伝導率部材61、低熱伝導率部材62、同等熱伝導率部材60等の部材を配置するものとしてもよい。   Further, for example, in the manufacturing process of the electrostatic chuck 100 (FIG. 5), the diameter of the first sheet adhesive As1 is made smaller than the diameter of the second sheet adhesive As2, so that the ceramic plate 10 and the base plate 20 are formed. In the joined body joined by the adhesive layer 30, a space is secured around the entire area of the adhesive layer 30 formed by the first sheet-like adhesive As1, and the high thermal conductivity member 61 and the low heat conductive The members such as the rate member 62 and the equivalent thermal conductivity member 60 may be arranged.

また、上記実施形態では、静電チャック100が、1つの高熱伝導率部材61と1つの低熱伝導率部材62とを備えるとしているが、静電チャック100が備える高熱伝導率部材61および低熱伝導率部材62の数は任意の数であってよい。   In the above embodiment, the electrostatic chuck 100 includes one high thermal conductivity member 61 and one low thermal conductivity member 62. However, the high thermal conductivity member 61 and the low thermal conductivity included in the electrostatic chuck 100 are provided. The number of members 62 may be any number.

また、上記実施形態では、高熱伝導率部材61が、接着層30の厚さ方向視で、ヒータ50と重なり、かつ、冷媒流路21と重ならない位置に配置されているが、高熱伝導率部材61の配置はこれに限られない。例えば、高熱伝導率部材61が、ヒータ50と重なり、かつ、冷媒流路21と重ならない位置以外であっても、セラミックス板10の吸着面S1において比較的高温となる傾向にある領域(高温領域HA)と上下方向に重なる位置に配置されれば、セラミックス板10の吸着面S1における温度分布の均一性を向上させることができる。   Further, in the above embodiment, the high thermal conductivity member 61 is arranged at a position overlapping the heater 50 and not overlapping the refrigerant flow path 21 when viewed in the thickness direction of the adhesive layer 30. The arrangement of 61 is not limited to this. For example, even in a position other than the position where the high thermal conductivity member 61 overlaps the heater 50 and does not overlap the refrigerant flow path 21, a region where the temperature of the adsorption surface S1 of the ceramic plate 10 tends to be relatively high (high temperature region) If it is arranged in a position vertically overlapping with (HA), the uniformity of the temperature distribution on the adsorption surface S1 of the ceramic plate 10 can be improved.

また、上記実施形態では、低熱伝導率部材62が、接着層30の厚さ方向視で、ヒータ50と重ならず、かつ、冷媒流路21と重なる位置に配置されているが、低熱伝導率部材62の配置はこれに限られない。例えば、低熱伝導率部材62が、ヒータ50と重ならず、かつ、冷媒流路21と重なる位置以外であっても、セラミックス板10の吸着面S1において比較的低温となる傾向にある領域(低温領域CA)と上下方向に重なる位置に配置されれば、セラミックス板10の吸着面S1における温度分布の均一性を向上させることができる。   In the above-described embodiment, the low thermal conductivity member 62 is disposed at a position that does not overlap with the heater 50 and overlaps with the coolant flow path 21 when viewed in the thickness direction of the adhesive layer 30. The arrangement of the member 62 is not limited to this. For example, even if the low thermal conductivity member 62 does not overlap with the heater 50 but at a position other than the position where the low thermal conductivity member 62 overlaps with the coolant flow path 21, a region where the temperature tends to be relatively low on the adsorption surface S1 of the ceramic plate 10 (low temperature) If it is arranged at a position vertically overlapping the area CA), the uniformity of the temperature distribution on the suction surface S1 of the ceramic plate 10 can be improved.

また、上記実施形態では、静電チャック100が、セラミックス板10とベース板20との間における接着層30の外周側の位置に、接着層30の熱伝導率より高い熱伝導率を有する高熱伝導率部材61と、接着層30の熱伝導率より低い熱伝導率を有する低熱伝導率部材62とを備えるとしているが、高熱伝導率部材61の代わりに、あるいは、高熱伝導率部材61および低熱伝導率部材62と共に、低熱伝導率部材62の熱伝導率よりさらに低い熱伝導率を有する部材を備えるとしてもよいし、低熱伝導率部材62の代わりに、あるいは、高熱伝導率部材61および低熱伝導率部材62と共に、高熱伝導率部材61の熱伝導率よりさらに高い熱伝導率を有する部材を備えるとしてもよい。また、上記実施形態では、静電チャック100が同等熱伝導率部材60を備えるとしているが、静電チャック100が同等熱伝導率部材60を備えないとしてもよい。   Further, in the above-described embodiment, the electrostatic chuck 100 is provided at a position on the outer peripheral side of the adhesive layer 30 between the ceramic plate 10 and the base plate 20 so as to have a high thermal conductivity higher than the thermal conductivity of the adhesive layer 30. Although it is assumed that the thermal conductivity member 61 and the low thermal conductivity member 62 having a thermal conductivity lower than the thermal conductivity of the adhesive layer 30 are provided, instead of the high thermal conductivity member 61 or the high thermal conductivity member 61 and the low thermal conductivity member, In addition to the low thermal conductivity member 62, a member having a lower thermal conductivity than the low thermal conductivity member 62 may be provided together with the low thermal conductivity member 62, or the high thermal conductivity member 61 and the low thermal conductivity Along with the member 62, a member having a higher thermal conductivity than the thermal conductivity of the high thermal conductivity member 61 may be provided. In the above embodiment, the electrostatic chuck 100 includes the equivalent thermal conductivity member 60; however, the electrostatic chuck 100 may not include the equivalent thermal conductivity member 60.

また、上記実施形態における各部材を形成する材料は、あくまで例示であり、各部材が他の材料により形成されてもよい。例えば、高熱伝導率部材61や低熱伝導率部材62、同等熱伝導率部材60の形成材料は、上記実施形態において例示した材料以外の材料であってもよい。なお、これらの部材の形成材料は、耐プラズマ性および耐熱性に選れると共に、コンタミネーションを起こしにくい材料であることが好ましい。また、上記実施形態では、保護部材64は、例えばゴムで形成されたOリングであるとしているが、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を塗り固めて形成したものであってもよい。   Further, the material forming each member in the above embodiment is merely an example, and each member may be formed of another material. For example, the material for forming the high thermal conductivity member 61, the low thermal conductivity member 62, and the equivalent thermal conductivity member 60 may be a material other than the materials exemplified in the above embodiment. The material for forming these members is preferably a material that can be selected for plasma resistance and heat resistance and that does not easily cause contamination. In the above embodiment, the protection member 64 is an O-ring made of, for example, rubber. However, the protection member 64 may be made of an epoxy resin or a silicone resin.

また、上記実施形態では、ヒータ50がセラミックス板10の内部に配置されるとしているが、ヒータ50が、セラミックス板10の内部ではなく、セラミックス板10のベース板20側(セラミックス板10と接着層30との間)に配置されるとしてもよい。この場合には、接着層30は、セラミックス板10とヒータ50との少なくとも一方と、ベース板20とを接着することになる。   Further, in the above embodiment, the heater 50 is disposed inside the ceramic plate 10, but the heater 50 is not provided inside the ceramic plate 10 but on the base plate 20 side of the ceramic plate 10 (the ceramic plate 10 and the adhesive layer). 30). In this case, the bonding layer 30 bonds at least one of the ceramic plate 10 and the heater 50 to the base plate 20.

また、上記実施形態では、冷媒流路21がベース板20の内部に形成されるとしているが、冷媒流路21が、ベース板20の内部ではなく、ベース板20の表面(例えばベース板20と接着層30との間)に形成されるとしてもよい。また、上記実施形態では、セラミックス板10の内部に一対の内部電極40が設けられた双極方式が採用されているが、セラミックス板10の内部に1つの内部電極40が設けられた単極方式が採用されてもよい。   Further, in the above embodiment, the coolant passage 21 is formed inside the base plate 20. However, the coolant passage 21 is not provided inside the base plate 20 but on the surface of the base plate 20 (for example, the base plate 20 and the base plate 20). (Between the adhesive layer 30). Further, in the above embodiment, the bipolar method in which a pair of internal electrodes 40 are provided inside the ceramic plate 10 is adopted, but the monopolar method in which one internal electrode 40 is provided inside the ceramic plate 10 is used. May be employed.

また、上記実施形態における静電チャック100の製造方法はあくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、セラミックス板10の吸着面S1における低温領域CAと高温領域HAとが特定されるとしているが、それらの内の一方のみ(例えば、低温領域CAのみ)が特定されるとしてもよい。   Further, the method of manufacturing the electrostatic chuck 100 in the above embodiment is merely an example, and can be variously modified. For example, in the above embodiment, the low-temperature area CA and the high-temperature area HA on the adsorption surface S1 of the ceramic plate 10 are specified. However, only one of them (for example, only the low-temperature area CA) is specified. Is also good.

また、上記実施形態において、セラミックス板10とベース板20とが接着層30によって接合された接合体の外周部に形成された凹部Pc内が、高熱伝導率部材61等の部材によって完全に充填される必要は無く、凹部Pc内の一部に空間が残るとしてもよい。また、複数の凹部Pcの内、低温領域CAに対応する少なくとも1つの凹部Pcについて、凹部Pc内に何も挿入されずに空間のままとされてもよい。   In the above embodiment, the inside of the concave portion Pc formed on the outer peripheral portion of the joined body in which the ceramic plate 10 and the base plate 20 are joined by the adhesive layer 30 is completely filled with a member such as the high thermal conductivity member 61. It is not necessary to provide a space, and a space may remain in a part of the recess Pc. Further, among the plurality of recesses Pc, at least one recess Pc corresponding to the low-temperature region CA may be left as a space without inserting anything into the recess Pc.

また、上記実施形態では、接着層30は2枚のシート状接着剤Asにより形成されるとしているが、接着層30は、3枚以上のシート状接着剤Asにより形成されるとしてもよいし、ペースト状接着剤Apにより形成されるとしてもよい。なお、ペースト状接着剤Apは、接着成分(例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等)と粉末成分(例えばアルミナやシリカ、炭化ケイ素、窒化ケイ素等)とを混合して作製したペースト状の接着剤である。ペースト状接着剤は、カップリング剤等の添加剤を含んでいてもよい。   In the above embodiment, the adhesive layer 30 is formed of two sheet adhesives As, but the adhesive layer 30 may be formed of three or more sheet adhesives As, It may be formed by the paste adhesive Ap. The paste adhesive Ap is a paste prepared by mixing an adhesive component (eg, a silicone resin, an acrylic resin, an epoxy resin, etc.) and a powder component (eg, alumina, silica, silicon carbide, silicon nitride, etc.). Adhesive. The paste adhesive may include an additive such as a coupling agent.

本発明は、静電引力を利用してウェハWを保持する静電チャック100に限らず、セラミックス板とベース板とを備え、セラミックス板の表面上に対象物を保持する他の保持装置(例えば、真空チャック等)にも適用可能である。   The present invention is not limited to the electrostatic chuck 100 that holds the wafer W using electrostatic attraction, but includes another holding device that includes a ceramic plate and a base plate and holds an object on the surface of the ceramic plate (for example, , Vacuum chuck, etc.).

10:セラミックス板 20:ベース板 21:冷媒流路 30:接着層 40:内部電極 50:ヒータ 60:同等熱伝導率部材 61:高熱伝導率部材 62:低熱伝導率部材 64:保護部材 100:静電チャック 10: Ceramic plate 20: Base plate 21: Refrigerant channel 30: Adhesive layer 40: Internal electrode 50: Heater 60: Equivalent thermal conductivity member 61: High thermal conductivity member 62: Low thermal conductivity member 64: Protective member 100: Static Electric chuck

Claims (6)

第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有する板状のセラミックス板と、
第3の表面を有する板状であり、前記第3の表面が前記セラミックス板の前記第2の表面に対向するように配置され、冷媒流路が形成されたベース板と、
前記セラミックス板の内部、または、前記セラミックス板の前記ベース板側に配置されたヒータと、
前記セラミックス板と前記ベース板との間に配置され、前記セラミックス板と前記ヒータとの少なくとも一方と前記ベース板とを接着する接着層と、
を備え、前記セラミックス板の前記第1の表面上に対象物を保持する保持装置において、さらに、
前記セラミックス板と前記ベース板との間における前記接着層の外周側の位置に配置され、前記接着層とは熱伝導率の異なる第1の部材と、
前記セラミックス板と前記ベース板との間における前記接着層の外周側の位置に配置され、前記接着層および前記第1の部材とは熱伝導率の異なる第2の部材と、
を備え
前記接着層は、前記接着層の厚さ方向視で、外周部に複数の凹部が形成された形状であり、
前記第1の部材および前記第2の部材は、互いに異なる前記凹部内に配置されており、
前記複数の凹部は、少なくとも1つの第1の凹部と、前記接着層の厚さ方向における位置が前記第1の凹部とは異なる少なくとも1つの第2の凹部と、を含むことを特徴とする、保持装置。
A plate-shaped ceramic plate having a first surface and a second surface opposite to the first surface;
A base plate having a plate shape having a third surface, wherein the third surface is disposed so as to face the second surface of the ceramic plate, and a coolant channel is formed;
Inside the ceramic plate, or a heater arranged on the base plate side of the ceramic plate,
An adhesive layer disposed between the ceramic plate and the base plate, and bonding at least one of the ceramic plate and the heater to the base plate,
A holding device for holding an object on the first surface of the ceramic plate, further comprising:
A first member having a thermal conductivity different from that of the adhesive layer, which is disposed at a position on the outer peripheral side of the adhesive layer between the ceramics plate and the base plate;
A second member having a different thermal conductivity from the ceramic plate and the base plate, which is disposed at a position on the outer peripheral side of the adhesive layer, the adhesive layer and the first member;
Equipped with a,
The adhesive layer has a shape in which a plurality of recesses are formed in an outer peripheral portion when viewed in a thickness direction of the adhesive layer,
The first member and the second member are arranged in the concave portions different from each other,
The plurality of recesses include at least one first recess, and at least one second recess in which a position in a thickness direction of the adhesive layer is different from the first recess . Holding device.
請求項1に記載の保持装置において、
前記第1の部材の熱伝導率は、前記接着層の熱伝導率より高く、
前記第1の部材は、前記接着層の厚さ方向視で、前記ヒータと重なる位置に配置されていることを特徴とする、保持装置。
The holding device according to claim 1,
The thermal conductivity of the first member is higher than the thermal conductivity of the adhesive layer,
The holding device, wherein the first member is disposed at a position overlapping the heater when viewed in a thickness direction of the adhesive layer.
請求項1または請求項2に記載の保持装置において、
前記第2の部材の熱伝導率は、前記接着層の熱伝導率より低く、
前記第2の部材は、前記接着層の厚さ方向視で、前記冷媒流路と重なる位置に配置されていることを特徴とする、保持装置。
In the holding device according to claim 1 or 2,
The thermal conductivity of the second member is lower than the thermal conductivity of the adhesive layer,
The holding device, wherein the second member is disposed at a position overlapping with the coolant flow path when viewed in a thickness direction of the adhesive layer.
請求項1から請求項までのいずれか一項に記載の保持装置において、さらに、
前記接着層と前記第1の部材と前記第2の部材とをまとめて囲む環状の保護部材を備えることを特徴とする、保持装置。
The holding device according to any one of claims 1 to 3 , further comprising:
A holding device, comprising: an annular protective member that surrounds the adhesive layer, the first member, and the second member collectively.
請求項1から請求項までのいずれか一項に記載の保持装置において、
前記ヒータによる加熱と前記冷媒流路への冷媒の供給との実行中に、前記セラミックス板の前記第1の表面の各位置における温度差が3℃以内であることを特徴とする、保持装置。
In the holding device according to any one of claims 1 to 4 ,
A holding device, wherein a temperature difference at each position on the first surface of the ceramic plate is within 3 ° C. during execution of heating by the heater and supply of the coolant to the coolant channel.
第1の表面と、前記第1の表面とは反対側の第2の表面と、を有する板状のセラミックス板と、第3の表面を有する板状であり、前記第3の表面が前記セラミックス板の前記第2の表面に対向するように配置され、冷媒流路が形成されたベース板と、前記セラミックス板の内部、または、前記セラミックス板の前記ベース板側に配置されたヒータと、前記セラミックス板と前記ベース板との間に配置され、前記セラミックス板と前記ヒータとの少なくとも一方と前記ベース板とを接着する接着層と、を備え、前記セラミックス板の前記第1の表面上に対象物を保持する保持装置の製造方法において、
前記セラミックス板と前記ベース板とを準備する工程と、
前記セラミックス板と前記ベース板との間に接着剤を配置し、前記接着剤を硬化させることにより前記接着層を形成する工程と、
前記接着層の形成後に、前記セラミックス板の前記第1の表面の各位置における温度を特定する工程と、
前記セラミックス板と前記ベース板との間における前記接着層の外周側の位置に、前記特定された温度に基づき選択され、前記接着層とは熱伝導率の異なる第1の部材を配置する工程と、
前記セラミックス板と前記ベース板との間における前記接着層の外周側の位置に、前記特定された温度に基づき選択され、前記接着層および前記第1の部材とは熱伝導率の異なる第2の部材を配置する工程と、
を備え
前記接着層を形成する工程は、前記接着層の厚さ方向視で、外周部に、複数の凹部であって、少なくとも1つの第1の凹部と、前記接着層の厚さ方向における位置が前記第1の凹部とは異なる少なくとも1つの第2の凹部と、を含む複数の凹部を有する前記接着層を形成する工程であり、
前記第1の部材を配置する工程は、前記複数の凹部の内の少なくとも1つの前記凹部内に前記第1の部材を配置する工程であり、
前記第2の部材を配置する工程は、前記複数の凹部の内の前記第1の部材が配置されていない少なくとも1つの前記凹部内に前記第2の部材を配置する工程であることを特徴とする、保持装置の製造方法。
A plate-shaped ceramic plate having a first surface and a second surface opposite to the first surface; and a plate-shaped plate having a third surface, wherein the third surface is formed of the ceramics. A base plate having a coolant channel formed therein, disposed opposite to the second surface of the plate, and a heater disposed inside the ceramic plate or on the base plate side of the ceramic plate; An adhesive layer disposed between the ceramic plate and the base plate, for bonding at least one of the ceramic plate and the heater to the base plate, and having an object on the first surface of the ceramic plate. In a method of manufacturing a holding device for holding an object,
Preparing the ceramic plate and the base plate,
A step of disposing an adhesive between the ceramic plate and the base plate, and forming the adhesive layer by curing the adhesive,
After the formation of the adhesive layer, a step of specifying a temperature at each position on the first surface of the ceramic plate;
Disposing a first member selected based on the specified temperature and having a different heat conductivity from the adhesive layer at a position on the outer peripheral side of the adhesive layer between the ceramics plate and the base plate; ,
A second position, which is selected based on the specified temperature, at a position on the outer peripheral side of the adhesive layer between the ceramic plate and the base plate, and has a different thermal conductivity from the adhesive layer and the first member. Arranging the member;
Equipped with a,
The step of forming the adhesive layer includes, in a thickness direction of the adhesive layer, a plurality of concave portions on an outer peripheral portion, at least one first concave portion, and a position in the thickness direction of the adhesive layer. Forming at least one second recess different from the first recess, the adhesive layer having a plurality of recesses including:
The step of arranging the first member is a step of arranging the first member in at least one of the plurality of recesses,
The step of arranging the second member is a step of arranging the second member in at least one of the plurality of recesses where the first member is not arranged. To manufacture a holding device.
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