JP2018159123A - 基板処理装置、および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】複数の基板間における膜厚のばらつきを抑制することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板処理装置は、真空槽と、筒状部材と、ガス供給部材と、支持部材と、複数の板状部材と、を備える。筒状部材は、真空槽内に設けられ、ガス流出口を有する。ガス供給部材は、筒状部材内に配置される。支持部材は、筒状部材内で、積層状態の複数の処理基板を支持する。複数の板状部材は、複数の処理基板を挟む位置で支持部材に支持され、表面にパターンが設けられている。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、基板処理装置、および半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の成膜工程では、例えば、真空槽内に収容された複数の基板に対して処理ガスを同時に供給し、各基板に膜を形成する。このような成膜工程で用いられる基板処理装置は、複数の基板間におけるガスの流れを一様にするために、例えば、複数のガス供給口を有するガス供給部材や、複数の基板を収容する筒状部材などを備えている。
しかし、上記膜のパターンが複雑になって基板の表面積が大きくなると、ガス濃度が筒状部材内で不均一になる場合が想定される。この場合、複数の基板間で膜厚がばらつきやすくなる。
本発明の実施形態は、複数の基板間における膜厚のばらつきを抑制することが可能な基板処理装置、および半導体装置の製造方法を提供する。
本実施形態に係る基板処理装置は、真空槽と、筒状部材と、ガス供給部材と、支持部材と、複数の板状部材と、を備える。筒状部材は、真空槽内に設けられ、ガス流出口を有する。ガス供給部材は、筒状部材内に配置される。支持部材は、筒状部材内で、積層状態の複数の処理基板を支持する。複数の板状部材は、複数の処理基板を挟む位置で支持部材に支持され、表面にパターンが設けられている。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る基板処理装置の断面図である。本実施形態に係る基板処理装置1は、ALD(Atomic Layer Deposition)型の成膜装置である。具体的には、基板処理装置1は、真空槽10と、ガス供給部材20と、筒状部材30と、支持部材40と、板状部材50と、を備える。
図1は、第1実施形態に係る基板処理装置の断面図である。本実施形態に係る基板処理装置1は、ALD(Atomic Layer Deposition)型の成膜装置である。具体的には、基板処理装置1は、真空槽10と、ガス供給部材20と、筒状部材30と、支持部材40と、板状部材50と、を備える。
真空槽10は、ガス供給部材20と、筒状部材30とを収容する。また、真空槽10は、排気口11を有する。
ガス供給部材20は、筒状部材30内で処理ガス200を吐出する。処理ガス200は、複数の処理基板100に形成される膜の材料を含んでいる。
図2は、筒状部材30の平面図である。筒状部材30は、ガス供給部材20に対向するガス流出口32を有する。ガス流出口32は、例えば鉛直方向に延びるスリット状に形成されている。ガス供給部材20から吐出された処理ガス200は、ガス流出口32から流出する。この筒状部材30によって、複数の処理基板100間で処理ガス200の流れが、ある程度一様に保たれる。
図1に戻って、支持部材40は、複数の処理基板100と、複数のダミー基板110と、複数の板状部材50と、を支持する。複数の処理基板100および複数のダミー基板110は、積層された状態で支持部材40に支持される。ダミー基板110は、最上層の処理基板100の上と、最下層の処理基板100の下で支持部材40に支持されている。ダミー基板110によって、筒状部材30内の温度が、ある程度均一に維持される。
板状部材50は、図1に示すように、最上層の処理基板100とダミー基板110との間に配置されるとともに、最下層の処理基板100とダミー基板110との間に配置される。換言すると、板状部材50は、複数の処理基板100を挟む位置で支持部材40に支持されている。
図3は、板状部材50の平面図である。図3に示すように、支持部材40は、三角形状に配置された3本の支柱を含む。板状部材50は、各支柱に設けられた溝(不図示)で支持部材40に支持される。また、処理基板100およびダミー基板110も同様の形態で支持部材40に支持される。
図4(a)は、パターン膜を有する板状部材50の断面図である。図4(b)は、パターン溝を有する板状部材50の断面図である。板状部材50は、例えば石英、シリコンカーバイド(SiC)、またはシリコンを用いて形成される。
図4(a)に示すパターン膜51は、スパッタ等の成膜方法で板状部材50の表面に形成される。一方、図4(b)に示すパターン溝52は、エッチング等の方法で板状部材50の表面に形成される。パターン膜51またはパターン溝52が設けられていると、板状部材50の表面積は増加する。この場合、板状部材50の表面積は、処理ガス200の濃度の不均一を回避するために、処理基板100の表面積と同等であることが望ましい。例えば、メモリセルを積層した三次元メモリが処理基板100の表面に形成される場合、パターン膜51の形状は、処理基板100の表面に形成される膜と同じ形状であることが望ましい。同様に、複数のホールが処理基板100の表面に形成されている場合には、パターン溝52の形状は、ホールの形状と同じ形状であることが望ましい。
図5は、処理基板100の断面図である。本実施形態では、上述した基板処理装置1を用いることによって、シリコン酸化膜(SiO2)101とシリコン窒化膜(SiN)102とが、シリコン基板103上に交互に形成される。以下、これらの成膜工程について簡単に説明する。
図1に示すように、板状部材50、処理基板100、およびダミー基板110を支持した支持部材40が筒状部材30内に搬送されると、シリコン酸化膜101の材料を含んだ処理ガス200が、ガス供給部材20から筒状部材30内に供給される。その結果、シリコン酸化膜101が処理基板100に形成される。その後、この処理ガス200は、筒状部材30から流出し、例えばポンプによって真空槽10の排気口11から外部に排気される。
次に、シリコン窒化膜102の材料を含んだ処理ガス200が、同様にガス供給部材20から筒状部材30内に供給される。この処理ガス200によって、シリコン窒化膜102がシリコン酸化膜101上に形成される。このように、複数種の処理ガス200を交互に供給して、シリコン酸化膜101とシリコン窒化膜102とを交互に積層した積層膜を形成する。
処理ガス200を用いて成膜する場合、ダミー基板110の表面積は、処理基板100の表面積よりも小さいので、処理ガス200の消費量は、処理基板100とダミー基板110との間で異なる。その結果、処理基板100の配置エリアと、ダミー基板110の配置エリアとの境界でガス濃度が不均一になる。仮に基板処理装置1が板状部材50を備えていないと、処理ガス200が処理基板100の配置エリアに回り込む。その結果、複数の処理基板100間で膜厚がばらつきやすくなる。
しかし、本実施形態では、板状部材50は、ダミー基板110の配置エリアと処理基板100の配置エリアとの境界に設けられている。また、板状部材50の表面には、パターン膜51またはパターン溝52が設けられている。そのため、板状部材50の表面積は、処理基板100の表面積と同等になる。その結果、処理基板100は、処理ガス200の濃度差の影響を受けにくくなる。よって、複数の処理基板100間における膜厚のばらつきを抑制することができる。
なお、処理基板100に形成される膜は、シリコン酸化膜101とシリコン窒化膜102とを交互に積層した積層膜に限定されない。例えば、金属膜であってもよい。そのため、本実施形態では、パターン膜51またはパターン溝52の形状が異なる複数の板状部材50を用意しておくことが望ましい。この場合、処理基板100に形成される膜のパターンに応じて最適な板状部材50、すなわち、処理基板100と同等の表面積を有する板状部材50を選択することができる。
(第2実施形態)
図6は、第2実施形態に係る基板処理装置の断面図である。ここでは、第1実施形態と同様の構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
図6は、第2実施形態に係る基板処理装置の断面図である。ここでは、第1実施形態と同様の構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
本実施形態に係る基板処理装置2は、複数の板状部材50の代わりに複数の板状部材60を備える点で、第1実施形態と異なる。複数の板状部材60は、複数のガス供給口21に沿って並べられた状態で支持部材40に支持されている。複数の板状部材60上には、複数の処理基板100および複数のダミー基板110がそれぞれ載置されている。
図6に示すように、各板状部材60は、処理基板100およびダミー基板110の外側に外周部を有する。換言すると、各板状部材60の外径D1は、処理基板100およびダミー基板110の外径D2よりも大きい。板状部材60も、板状部材50と同様に、例えば石英またはシリコンカーバイド(SiC)を用いて形成される。なお、板状部材60の表面には、第1実施形態で説明したパターン膜51およびパターン溝52が設けられていてもよいし、設けられていなくてもよい。
上述した基板処理装置2を用いた成膜工程においても、処理ガス200が複数のガス供給口21から複数の処理基板100に同時に供給される。このとき、ダミー基板110と処理基板100との表面積の差によって、処理ガス200の濃度差が、ダミー基板110の配置エリアと処理基板100の配置エリアとの間で発生し得る。この場合、処理ガス200が処理基板100の配置エリアに回り込んで複数の処理基板100間で膜厚がばらつくことが懸念される。
しかし、本実施形態では、複数の板状部材60が、処理基板100間、およびダミー基板110間に設けられている。すなわち、各基板間の空間が板状部材50によって仕切られている。そのため、処理ガス200が回り込みにくくなるので、処理ガス200は複数の板状部材60に対して均等に供給される。その結果、膜厚のばらつきを抑制することができる。なお、本実施形態では、ガス供給部材20が、筒状部材30外に設置されているが、筒状部材30内に設置されていてもよい。
(第3実施形態)
図7は、第3実施形態に係る基板処理装置の断面図である。また、図8は、第3実施形態に係る筒状部材80をガス流入口31側から見た斜視図である。図8では、筒状部材80内の一部を透視した状態で示している。図7および図8では、第2実施形態と同様の構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
図7は、第3実施形態に係る基板処理装置の断面図である。また、図8は、第3実施形態に係る筒状部材80をガス流入口31側から見た斜視図である。図8では、筒状部材80内の一部を透視した状態で示している。図7および図8では、第2実施形態と同様の構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
本実施形態に係る基板処理装置3は、複数の板状部材50の代わりに複数の環状部材70を備える点で、第1実施形態と異なる。複数の環状部材70は、図7に示すように、複数のガス供給口21に沿って、筒状部材80の内面に設けられている。また、複数の環状部材70は、支持部材40を囲んでいる。環状部材70は、筒状部材80と同じ材料、例えば石英を用いて形成される。なお、環状部材70の表面には、第1実施形態で説明したパターン膜51およびパターン溝52が設けられていてもよいし、設けられていなくてもよい。
上述した基板処理装置3を用いた成膜工程においても、複数のガス供給口21から供給された処理ガス200は、ガス流入口31から筒状部材80内へ流入する。この処理ガス200は、複数の処理基板100間および複数のダミー基板110間を通過し、その後、ガス流出口32から流出する。
筒状部材80内では、ダミー基板110と処理基板100との表面積の差によって、処理ガス200の濃度差が、ダミー基板110の配置エリアと処理基板100の配置エリアとの間で発生し得る。この場合、処理ガス200が支持部材40の外側から処理基板100の配置エリアに回り込むことが懸念される。
しかし、本実施形態では、支持部材40の外側には、複数の環状部材70が設けられている。環状部材70は、支持部材40の外側から処理基板100の配置エリアに回り込む処理ガス200の流路を遮断する。したがって、処理ガス200は複数の環状部材70に対して均等に供給されるので、膜厚のばらつきを抑制することができる。
また、本実施形態では、図8に示すように、筒状部材80は、スリット状のガス流入口31を有する。ガス流入口31の面積は、複数のガス供給口21の面積よりも大きい。そのため、処理ガス200は、複数のガス供給口21からガス流入口31に流入しやすくなる。その結果、処理ガス200の利用効率を高めることができる。
なお、本実施形態では、支持部材40と環状部材70とのクリアランスCが大きいと、環状部材70は、処理ガス200の回り込みを十分に阻止することができない。そのため、このクリアランスCは、支持部材40の昇降動作や回転動作を妨げない範囲内で最小限であることが望ましい。
(変形例)
図9は、第3実施形態の変形例に係る筒状部材80をガス流出口32側から見た斜視図である。図9は、筒状部材80内の一部を透視した状態で示している。
図9は、第3実施形態の変形例に係る筒状部材80をガス流出口32側から見た斜視図である。図9は、筒状部材80内の一部を透視した状態で示している。
図9に示すように、筒状部材80は、スリット状のガス流出口32を有する。筒状部材80は、図7に示すように、真空槽10内に設けられている。真空槽10の側面の下部には、排気口11が設けられている。その結果、ガス流出口32の下部は排気口11に近くに位置する一方で、ガス流出口32の上部は排気口11から離れている。そのため、ガス流出口32の形状が、例えば、ガス流出口32の上部と下部で面積が同じ場合、これらの間で処理ガス200の排気量が不均一になる可能性が高い。
そこで、本変形例では、ガス流出口32の面積は、下部から上部にかけて大きくなっている。すなわち、ガス流出口32の面積は、排気口11から離れるにつれて大きくなっている。これにより、処理ガス200の不均一な排気を回避することができる。なお、本変形例は、第3実施形態だけでなく、第1実施形態および第2実施形態に適用することもできる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
10 真空槽、11 排気口、20 ガス供給部材、21 ガス供給口、30、80 筒状部材、31 ガス流入口、32 ガス流出口、40 支持部材、50、60 板状部材、51 パターン膜、52 パターン溝、70 環状部材、100 処理基板、101 シリコン酸化膜、102 シリコン窒化膜、110 ダミー基板、200 処理ガス
Claims (7)
- 真空槽と、
前記真空槽内に設けられ、ガス流出口を有する筒状部材と、
前記筒状部材内に配置されたガス供給部材と、
前記筒状部材内で、積層状態の複数の処理基板を支持する支持部材と、
前記複数の処理基板を挟む位置で前記支持部材に支持され、表面にパターンが設けられた複数の板状部材と、を備える基板処理装置。 - 真空槽と、
前記真空槽内に配置された複数のガス供給口を有するガス供給部材と、
前記真空槽内に設けられ、ガス流入口およびガス流出口を有する筒状部材と、
複数の処理基板がそれぞれ載置され、前記複数の処理基板の外側に外周部を有する複数の板状部材と、
前記筒状部材内で前記複数のガス供給口に沿って配置される前記複数の板状部材を支持する支持部材と、を備える基板処理装置。 - 真空槽と、
前記真空槽内に配置された複数のガス供給口を有するガス供給部材と、
前記真空槽内に設けられ、ガス流入口およびガス流出口を有する筒状部材と、
前記筒状部材内で前記複数のガス供給口に沿って配置される複数の処理基板を支持する支持部材と、
前記筒状部材の内面に前記複数のガス供給口に沿って設けられ、前記支持部材を囲む環状部材と、を備える基板処理装置。 - 前記真空槽は、排気口を有し、
前記ガス流出口の面積は、前記排気口から離れるにつれて大きくなっており、前記ガス流入口の面積は、前記複数のガス供給口の面積よりも大きい、請求項3に記載の基板処理装置。 - 真空槽と、前記真空槽内に設けられ、ガス流出口を有する筒状部材と、前記筒状部材内に配置されたガス供給部材と、を用いて半導体装置を製造する方法であって、
積層状態の複数の処理基板を支持し、かつ、前記複数の処理基板を挟む位置で、表面にパターンが設けられた板状部材を支持した支持部材を前記筒状部材内に配置し、
前記ガス供給部材から前記複数の処理基板を処理する処理ガスを供給し、その後、前記処理ガスを前記ガス流出口から前記真空槽の外へ排気する、半導体装置の製造方法。 - 前記支持部材が、前記処理基板の表面積よりも小さい表面積を有するダミー基板も支持し、
前記処理基板と前記ダミー基板との間に前記複数の板状部材を配置する、請求項5に記載の半導体装置の製造方法。 - 複数種の前記処理ガスを交互に供給して、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とを交互に前記複数の処理基板に同時に形成する、請求項5または6に記載の半導体装置の製造方法。
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