JP2018155689A - 圧力監視システムおよび方法 - Google Patents

Abstract

【課題】放射線による半導体素子の劣化に応じて半導体素子を切り替えることができるようにした圧力監視システムを提供すること。
【解決手段】圧力監視システム１は、所定の半導体素子１１１が切替可能に複数設けられている圧力伝送装置１１と、圧力伝送装置の周囲の放射線を計測する放射線計測装置１２と、所定の半導体素子に対する放射線の影響を記憶する影響管理テーブル１５と、放射線計測装置から取得する情報と影響管理テーブルとに基づいて、所定の半導体素子の劣化を診断し、その診断結果に応じて複数の所定の半導体素子のうち主回路１１０へ接続する切替先の所定の半導体素子を選択する素子劣化診断装置１４と、切替先の所定の半導体素子を主回路へ接続する切替装置１３と、を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、圧力監視システムおよび方法に関する。

圧力を計測して伝送する圧力伝送装置は、監視対象の流体の圧力をダイアフラムで受けて、導圧路に内封した封入液により圧力センサまで伝達し、圧力センサにより圧力を電気信号に変換して外部へ伝送する。圧力伝送装置には、絶対圧力を測定する装置と、差圧を測定する装置とがある。

圧力伝送装置の中でも、原子力プラントや放射線利用施設などで使用される圧力伝送装置は、プラントの安全や発電効率を確保する観点から、例えば±１％といった高い精度が要求される。しかしながら、放射線環境下で使用する圧力伝送装置は、外部から照射される放射線の影響を受けるため、要求された精度を長期間保持するのが難しい。

すなわち、圧力伝送装置を構成する部品に放射線が照射されると、例えば基板上の半導体素子が劣化してしまい、圧力の計測値が許容誤差である±１％以上にドリフトしてしまうことがある。

そのため、放射線が照射される計測器には、鉛等で遮蔽したり、線源からの距離を長く取る等の対策がされている。その他に、圧力伝送装置ではないが、放射線の照射される半導体を切り替えながら交互に使用する方法も提案されている（特許文献１）。

特開昭６０−１９８７６８号公報

特許文献１の技術では、並列設置した半導体素子を交互に使用し、使用していない半導体素子の劣化（電荷の蓄積）をアニーリングで修復するが、最適な交換タイミングを判断する機構がない。そのため、使用中の半導体素子が交換前に故障した場合、計測値がドリフトする可能性がある。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、その目的は、放射線による半導体素子の劣化を診断し、診断結果に応じて半導体素子を切り替えることで、検出精度および信頼性を維持できるようにした圧力監視システムおよび方法を提供することにある。

上記課題を解決すべく、本発明に従う、放射線環境下で圧力を監視する圧力監視システムは、圧力を計測して伝送する圧力伝送装置であって、所定の半導体素子が切替可能に複数設けられている圧力伝送装置と、圧力伝送装置の周囲の放射線を計測する放射線計測装置と、所定の半導体素子に対する放射線の影響を記憶する影響管理テーブルと、放射線計測装置から取得する情報と影響管理テーブルとに基づいて、所定の半導体素子の劣化を診断し、その診断結果に応じて複数の所定の半導体素子のうち主回路へ接続する切替先の所定の半導体素子を選択する素子劣化診断装置と、切替先の所定の半導体素子を主回路へ接続する切替装置と、を備える。

本発明によれば、放射線計測装置から取得する情報と影響管理テーブルとに基づいて所定の半導体素子の劣化を診断し、その診断結果に応じて複数の所定の半導体素子のうち主回路へ接続する切替先の所定の半導体素子を選択し、切替先の所定の半導体素子を主回路へ接続することができる。

圧力監視システムの全体構成図である。 オペアンプを切り替えて使用する様子を示す説明図である。 ドリフト量データベースの構成例である。 半導体素子を切り替える処理を示すフローチャートである。 第２実施例に係り、絶対圧を測定する圧力監視システムの構成図である。 第３実施例に係り、差圧を測定する圧力監視システムの構成図である。 第４実施例に係り、表示装置の表示例を示す説明図である。 第５実施例に係り、表示装置の他の表示例を示す説明図である。

以下、図面に基づいて、本発明の実施の形態を説明する。本実施形態に係る圧力監視システムは、以下に詳述する通り、受圧ダイアフラムで受けた圧力をセンサに伝送する圧力伝送装置１１において各半導体素子１１１を２個以上並列に設置し、圧力伝送装置１１に照射される放射線量を計測する放射線計測装置１２と、圧力伝送装置内部の半導体素子１１１のドリフト量を診断する素子劣化診断装置１４と、並列に設置した各半導体素子を切り替える切替装置１３を有する。

本実施形態によれば、外部から照射される放射線に対して、圧力伝送装置１１内の半導体素子１１１が故障する前に、健全な素子への切り替えることができる。すなわち、圧力伝送装置１１に期待される許容誤差精度を長期間保持することができ、圧力計測精度と寿命および信頼性を向上させることができる。

図１〜図４を用いて第１実施例を説明する。以下に述べる実施例は、一つの例であって、本発明は実施例の構成に限定されない。

図１は、圧力監視システム１の全体構成を示す。圧力監視システム１は、例えば、圧力伝送装置１１と、放射線計測装置１２と、切替装置１３と、素子劣化診断装置１４と、ドリフト量データベース１５と、表示装置１６とを備える。

圧力伝送装置１１は、監視対象の流体の圧力を計測して電気信号に変換し、図外の制御装置へ伝送するものである。圧力伝送装置１１は、計測した圧力に対応する電気信号を増幅して送信するための主回路１１０を有する。主回路１１０の詳細な回路構成は、図示を省略する。

主回路１１０は、例えば、オペアンプ、トランジスタ、ダイオード、コンデンサ、抵抗などの種々の素子を含む。圧力伝送装置１１を構成する素子のうち、本実施例では、例えば、オペアンプ１１１（１）、トランジスタ１１１（２）、ツェナーダイオード１１１（３）を、「所定の半導体素子」の一例として説明する。素子の種類を特に区別しない場合は、素子１１１と呼ぶことがある。

素子１１１（１）〜１１１（３）はそれぞれ複数ずつ設けられており、切替装置１３によって、いずれか一つのみが主回路１１０に接続されるようになっている。すなわち、主回路１１０に予め搭載された複数のオペアンプ１１１（１）のうち、一つのオペアンプ１１１（１）のみが選択されて主回路１１０に電気的に接続され、使用される。それ以外のオペアンプ１１１（１）は、主回路１１０から電気的に切り離される。同様に、主回路１１０に予め搭載された複数のトランジスタ１１１（２）のうち、一つのトランジスタ１１１（２）のみが選択されて主回路１１０に電気的に接続され、使用される。それ以外のトランジスタ１１１（２）は、主回路１１０から電気的に切り離される。ツェナーダイオード１１１（３）についても同様である。

放射線計測装置１２は、圧力伝送装置１１に照射される放射線を計測し、計測した値を電気信号として素子劣化診断装置１４へ送信するものである。放射線計測装置１２は、圧力伝送装置１１の周囲の放射線を計測すべく、圧力伝送装置１１の近傍に配置されるのが好ましい。

切替装置１３は、素子劣化診断装置１４からの指示にしたがって、複数の素子１１１（１）〜（３）の主回路１１０への接続を制御する。上述のように、切替装置１３は、複数のオペアンプ１１１（１）のうち、指示されたオペアンプ１１１（１）のみを主回路１１０に接続する。他の素子１１１（２），１１１（３）についても同様である。

素子劣化診断装置１４は、放射線計測装置１２で得られた放射線量と圧力伝送装置１１を構成する各素子１１１（１）〜（３）の放射線照射量に対するドリフト量のデータベース１５とを照合し、各半導体素子１１１のドリフト量を診断するものである。

ドリフト量データベース１５の例は図３で後述する。「影響管理テーブル」としてのドリフト量データベース１５は、放射線照射試験により実験的に得られた、各素子１１１（１）〜（３）の放射線照射量に対するドリフトデータを記憶する。

素子劣化診断装置１４は、各半導体素子１１１のドリフト量を基に、各半導体素子１１１がドリフトの許容値を超える前に、切替先の半導体素子１１１（劣化していない健全な半導体素子）への切り替えを切替装置１３へ指示する。

表示装置１６は、素子劣化診断装置１４に接続されている。表示装置１６は、例えば、圧力伝送装置１１の計測した圧力値や、各半導体素子１１１のドリフト量をモニタリングするための装置である。

上述のように、圧力伝送装置１１と放射線計測装置１２は、同じ放射線環境になるように、近接して設置されることが望ましい。これに対し、素子劣化診断装置１４、切替装置１３、表示装置１６は、放射線量の低い環境に設置されることが望ましい。

図２に、圧力伝送装置１１を構成する半導体素子１１１の一例として、オペアンプを切り替えて使用する場合を示す。ここで、本出願の発明者により、圧力伝送装置１１が放射線によりドリフトする主要因は、オペアンプのオフセット電圧の増加であることが実験的に確認されている。したがって、オペアンプを切り替えて使用することは、圧力伝送装置１１のドリフト抑制に有効である。

図２では、プラントの運転時（照射環境）と定期検査時（非照射環境）との２つのサイクルについて、２つのオペアンプＯＰＡ，ＯＰＢを切り替える様子を説明する。初期条件として、オペアンプＯＰＡが主回路（主の電気回路）１１０に接続されており、オペアンプＯＰＢは、主回路１１０から切断されている。

図２の各グラフの縦軸はオペアンプのオフセット電圧を示し、横軸は時間を示す。図２では、オフセット電圧は、初期値ＶＩから上限値ＵＬまでの範囲で変化する。上限値ＵＬとは、オフセット電圧の許容値である。なお、オフセット電圧がドリフト許容値ＵＬを超える場合、圧力伝送装置１１の出力値にもドリフトの影響が出ることを意味する。ドリフト閾値Ｔｈは、ドリフト許容値ＵＬよりも低い値に設定される。オフセット電圧がドリフト閾値Ｔｈに達したオペアンプは主回路１１０から切り離され、ドリフトの生じていないオペアンプ（健全なオペアンプ）が選択されて主回路１１０に接続される。

さて、図２の左側に示すように、プラントの運転が開始すると、放射線が圧力伝送装置１１に照射されるため、圧力伝送装置１１内のオペアンプＯＰＡのオフセット電圧は増加していく。一方、オペアンプＯＰＢは、主回路１１０に接続されていないため、放射線が照射されても電荷が蓄積されず、ドリフトは生じない。

上記構成において、オペアンプのオフセット電圧の増加は、放射線計測装置１２と素子劣化診断装置１４とデータベース１５とを基に推定した値となる。

オペアンプＯＰＡのオフセット電圧がドリフト許容値である上限値ＵＬ付近まで増加してドリフト閾値Ｔｈに達すると、素子劣化診断装置１４は、切替装置１３に切替信号を送信する。

切替装置１３は、素子劣化診断装置１４からの切替信号を受信すると、オフセット電圧の増加したオペアンプＯＰＡを主回路１１０から電気的に切断し、代わりに健全なオペアンプＯＰＢを主回路１１０へ電気的に接続する。

定期検査期間に入ると、放射線レベルは大きく減衰し、非照射環境となる。主回路１１０から切り離されたオペアンプＯＰＡでは、照射環境下で蓄積された電荷が放出されるため、オフセット電圧のドリフトは徐々に低下し、正常状態へ向けて回復していく。

再び運転期間に入ると、主回路１１０に接続されたオペアンプＯＰＢでは、通電下で放射線が照射されることで、電荷が蓄積されていき、オフセット電圧の増加が始まる。オペアンプＯＰＡは、主回路１１０から切断されており、電圧が印加されていないため、オフセット電圧は増加しない。

オペアンプＯＰＢのオフセット電圧がドリフト閾値Ｔｈに達し、かつ、オペアンプＯＰＡのオフセット電圧がドリフト閾値Ｔｈ以下まで回復した場合、素子劣化診断装置１４は、オペアンプＯＰＡを切替先のオペアンプとして選択し、切替装置１３へ切替信号を送信する。

素子劣化診断装置１４からの切替信号を受信した切替装置１３は、オペアンプＯＰＢを主回路１１０から切り離し、再びオペアンプＯＰＡを主回路１１０へ接続する。これによって、放射線がある環境でも、圧力伝送装置１１の出力がドリフトするのを抑制することができ、正確に圧力を計測することができる。

図２では、２個のオペアンプを交互に切り替える例を説明したが、３個以上のオペアンプを並列に設けて切り替えてもよい。放射線レベルが高い場合であっても、３個以上のオペアンプを並列接続して切替使用することで、圧力伝送装置１１の信頼性を維持し、寿命を延ばすことができる。なお、図２では、オペアンプを切り替えて使用する例を説明したが、トランジスタやダイオードなどの他の半導体素子についても同様に、切り替えて使用することで圧力伝送装置１１の信頼性や寿命を向上できる。

図３は、ドリフト量データベース１５の例を示す。データベース１５は、例えば、素子種別１５１毎に、線量率１５２と、積算線量１５３と、ドリフト量１５４とを対応付けて記憶している。線量率１５２の単位は［Ｇｙ／ｈ］、積算線量１５３の単位は［Ｇｙ］である。

詳しくは、データベース１５では、線量率１５２のレベル毎の積算線量１５３毎に、ドリフト量１５４を定義している。積算線量１５３の値が同じであっても、線量率１５２によってドリフト量は異なるためである。上述のように、データベース１５の内容は、事前の実験やシミュレーションから得ることができる。

図４は、並列に設けた複数の同一素子１１１を診断結果にしたがって切り替える処理を示すフローチャートである。本処理は、例えば、プラント運転時に実施される。

まず、圧力伝送装置１１の近傍に配置された放射線計測装置１２で、圧力伝送装置１１に照射される放射線量の計測を開始する（Ｓ１１）。

素子劣化診断装置１４は、データベース１５を参照し、ステップＳ１１で計測した放射線量とデータベース１５の内容とを照合することで、各半導体素子１１１のドリフト量を推定する（Ｓ１２）。

素子劣化診断装置１４は、ステップＳ１２で推定したドリフト量が事前に設定されている閾値Ｔｈに達したか判定する（Ｓ１３）。ドリフト量が閾値Ｔｈに達したか否か推定することを、ここでは劣化診断と呼ぶ。

素子劣化診断装置１４は、推定したドリフト量が閾値Ｔｈに達したと判定すると（Ｓ１３：ＹＥＳ）、健全な半導体素子１１１を切替先の半導体素子１１１として選択し、切替装置１３に切替信号を送信することで切り替えさせる（Ｓ１４）。

例えばオペアンプの場合、計測された放射線量が、オペアンプがドリフトを開始する閾値Ｔｈに達すると、切替装置１３により、並列に設置された他のオペアンプへ切り替えさせる。

これに対し、推定したドリフト量が閾値Ｔｈに達していない場合（Ｓ１３：ＮＯ）、ステップＳ１４をスキップして本処理を終了する。

このように構成される本実施例によれば、圧力伝送装置１１が内蔵する半導体素子１１１が放射線照射により劣化する度合を診断し、その診断結果にしたがって、並列に設けた他の半導体素子１１１の中から健全な半導体素子１１１を選択して切り替える。したがって、本実施例によれば、適切な時期に半導体素子１１１を切り替えることができるため、圧力伝送装置１１の信頼性と寿命を向上させることができる。

なお、複数種類の半導体素子１１１（１）〜（３）のうち、いずれか一つの種類の半導体素子で切替が行われる場合、他の種類の半導体素子についても一斉に切り替える構成としてもよい。例えば、第１の半導体素子１１１（１）において、現在使用中の半導体素子１１１（１）が劣化していると判定した場合、素子劣化診断装置１４は、第１の半導体素子１１１（１）の切替先だけでなく、第２の半導体素子１１１（２）および第３の半導体素子１１１（３）においても切替先の素子を選択し、切替装置１３に対して一斉に切り替えるように指示する。

図５を用いて第２実施例を説明する。本実施例を含む以下の各実施例は、第１実施例の変形例に該当するため、第１実施例との相違を中心に説明する。本実施例では、圧力伝送装置１１Ａを絶対圧の測定に適用する圧力監視システム１Ａを説明する。

本実施例の圧力伝送装置１１Ａでは、例えば、ケーシング本体２０１内に導圧路２０２が形成されている。導圧路２０２の一端側は拡径して受圧ダイアフラム２０３に接し、他端側は圧力室となって圧力センサ２０４に接している。導圧路２０２内には、圧力を伝達するための封入液２０５で満たされている。

ケーシング本体２０１の上側には、回路室２０６が形成されている。回路室２０６には、主回路１１０が配置されている。測定対象の流体Ｆの圧力は、薄い金属膜である受圧ダイアフラム２０３から封入液２０５を介してセンサ２０４に伝達される。センサ２０４は、機械的な変位を電気信号に変換して主回路１１０へ出力する。主回路１１０は、センサ２０４の検出信号を増幅等して、図外の制御装置へ送信する。

このように構成される本実施例においても、第１実施例と同様に、主回路１１０内の半導体素子１１１が放射線の照射によりドリフトすると、素子劣化診断装置１４が劣化度合（ドリフト量）を診断して、切替装置１３により健全な半導体素子１１１へ切り替えさせることができる。

図６を用いて第３実施例を説明する。本実施例では、圧力伝送装置１１Ｂを差圧の測定に適用する場合を説明する。

本実施例の圧力伝送装置１１Ｂは、両端側の置換器部２１２Ａ，２１２Ｂと、各置換器部２１２Ａ，２１２Ｂに中間ダイアフラム２２５Ａ，２２５Ｂを介して接続されるキャピラリ部２１１Ａ，２１１Ｂと、各キャピラリ部２１１Ａ，２１１Ｂにシールダイアフラム２２４Ａ，２２４Ｂを介して接続される本体部２１０とに大別される。

一方の置換器部２１２Ａには、第１の測定対象流体Ｆ１の圧力を受けるための受圧ダイアフラム２２３Ａが設けられている。受圧ダイアフラム２２３Ａに作用した圧力は、導圧路２２２Ａ内の封入液２２６Ａを介して本体部２１０のセンサダイアフラム２２７の一方の側に伝達される。

他方の置換器部２１２Ｂには、第２の測定対象流体Ｆ２の圧力を受けるための受圧ダイアフラム２２３Ｂが設けられている。受圧ダイアフラム２２３Ｂに作用した圧力は、導圧路２２２Ｂ内の封入液２２６Ｂを介して本体部２１０のセンサダイアフラム２２７の他方の側に伝達される。

センサダイアフラム２２７は、第１の測定対象流体Ｆ１の圧力と第２の測定対象流体Ｆ２の圧力との差に応じて機械的に変位する。センサ２２４は、センサダイアフラム２２７の変位に応じた電気信号を出力する。この電気信号は、ケーシング本体２２１に形成された回路室２２８内の主回路１１０へ送られる。

このように構成される本実施例は、差圧を測定する際に、第１実施例と同様の作用効果を発揮することができる。

図７を用いて第４実施例を説明する。本実施例では、表示装置１６の表示する画面の例を説明する。

本実施例の表示装置１６は、ドリフト発生状況を表示する画面Ｇ１を表示することができる。画面Ｇ１は、圧力伝送装置１１内の素子毎に、ドリフト発生状況を記号または数値、文字、図形などで表示する。図７の例では、ドリフトの発生していない状態を「◎」、ドリフト量が閾値Ｔｈに達した状態を「×」、ドリフトが少し発生している状態を「〇」、閾値Ｔｈに達していない程度に多くのドリフトが発生している状態を「△」とし、◎→〇→△→×の順にドリフト状況の悪化を表現するものとする。

画面Ｇ１（１）では、現在主回路１１０に接続されている素子ｅ１１は、閾値Ｔｈに達するほどのドリフトが発生している。そこで、素子劣化診断装置１４は、他の素子の中から最もドリフトの少ない素子ｅ１２を切替先の素子として選択する。

画面Ｇ１（２）では、素子ｅ１１から素子ｅ１２へ切り替えられた状況を示す。素子ｅ１１は主回路１１０から切り離されたため、電圧が印加されていない。このため、素子ｅ１１のドリフトは低下していく。

時間の経過した画面Ｇ１（３）では、素子ｅ１２の劣化が始まる一方、他の素子ｅ１１，ｅ１ｎではますます回復している。

さらに時間の経過した画面Ｇ１（４）では、素子ｅ１２の劣化がさらに進行し、他の素子ｅ１１，ｅ１ｎはドリフトの無い状態まで回復している。

このように構成される本実施例によれば、素子毎のドリフト発生状況、つまり診断結果を表示装置１６へ表示することができるため、管理者は、各素子の状況を一目で把握することができ、使い勝手が向上する。

図８を用いて第５実施例を説明する。本実施例では、表示装置１６の表示する他の画面を説明する。

表示装置１６が表示する監視画面Ｇ２は、例えば、圧力値ＧＰ２１、素子ＧＰ２２、ドリフト値ＧＰ２３、使用中フラグＧＰ２４、切替候補フラグＧＰ２５を表示する。すなわち、監視画面Ｇ２は、圧力伝送装置１１の検出している圧力値ＧＰ２１と、各素子のドリフト発生状況ＧＰ２２，ＧＰ２３と、使用状態ＧＰ２４，ＧＰ２５とを対応付けて、管理者へ提供する。

このように構成される本実施例によれば、圧力値やドリフト発生状況、使用状態を管理者へ提供できるため、管理者は、圧力伝送装置１１の測定値や状態等を簡単に把握することができ、使い勝手が向上する。

なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、様々な変形例が含まれる。上記実施形態は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることもできる。また、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることもできる。また、各実施形態の構成の一部について、他の構成を追加・削除・置換することもできる。

上記各構成、機能、処理部、処理手段等は、それらの一部や全部を、例えば集積回路で設計する等によりハードウェアで実現してもよい。また、上記の各構成、機能等は、プロセッサがそれぞれの機能を実現するプログラムを解釈し、実行することによりソフトウェアで実現してもよい。各機能を実現するプログラム、テーブル、ファイル等の情報は、メモリ、ハードディスク、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）等の記録装置、ＩＣカード、ＳＤカード、ＤＶＤ等の記録媒体に格納することができる。

また、上述した実施形態に含まれる技術的特徴は、特許請求の範囲に明示された組み合わせに限らず、適宜組み合わせることができる。

１，１Ａ，１Ｂ：圧力監視システム、１１，１１Ａ，１１Ｂ：圧力伝送装置、１２：放射線計測装置、１３：切替装置、１４：素子劣化診断装置、１５：データベース、１６：表示装置

Claims (8)

1. 放射線環境下で圧力を監視する圧力監視システムであって、
   圧力を計測して伝送する圧力伝送装置であって、所定の半導体素子が切替可能に複数設けられている圧力伝送装置と、
   前記圧力伝送装置の周囲の放射線を計測する放射線計測装置と、
   前記所定の半導体素子に対する放射線の影響を記憶する影響管理テーブルと、
   前記放射線計測装置から取得する情報と前記影響管理テーブルとに基づいて、前記所定の半導体素子の劣化を診断し、その診断結果に応じて前記複数の所定の半導体素子のうち主回路へ接続する切替先の所定の半導体素子を選択する素子劣化診断装置と、
   前記切替先の所定の半導体素子を前記主回路へ接続する切替装置と、
   を備える圧力監視システム。
2. 前記影響管理テーブルは、前記所定の半導体素子の放射線量に対するドリフトの関係を記憶している、
   請求項１に記載の圧力監視システム。
3. 前記切替装置は、前記切替先の所定の半導体素子だけを前記主回路へ接続し、それ以外の他の所定の半導体素子は前記主回路から切断する、
   請求項１に記載の圧力監視システム。
4. 前記影響管理テーブルは、放射線量率および積算線量と前記所定の半導体素子にドリフトが発生するドリフト閾値との関係を記憶しており、
   前記素子劣化診断装置は、前記放射線計測装置の測定結果と前記影響管理テーブルとを照合することで、前記主回路に接続している所定の半導体素子が前記ドリフト閾値に達したか判定し、前記主回路に接続している所定の半導体素子が前記ドリフト閾値に達したと判定した場合は、他の所定の半導体素子の中から前記ドリフト閾値に達していないと判定される所定の半導体素子を前記切替先の所定の半導体素子として選択する、
   請求項１に記載の圧力監視システム。
5. 前記素子劣化診断装置の診断内容を表示する表示装置をさらに備える、
   請求項１に記載の圧力監視システム。
6. 前記素子劣化診断装置は、前記複数の所定の半導体素子のうち前記主回路に接続されている所定の半導体素子について劣化を診断する、
   請求項１に記載の圧力監視システム。
7. 前記所定の半導体素子には、複数種類の所定の半導体素子が含まれており、
   前記素子劣化診断装置は、前記複数種類の所定の半導体素子のうちいずれか一種類について劣化している診断した結果、前記切替先の所定の半導体素子を選択した場合に、他の種類の所定の半導体素子についてもそれぞれ切替先の所定の半導体素子を選択して、前記切替装置により切り替えさせる、
   請求項１に記載の圧力監視システム。
8. 放射線環境下で圧力を監視する圧力監視方法であって、
   圧力を計測して伝送する圧力伝送装置であって、所定の半導体素子が切替可能に複数設けられている圧力伝送装置の周囲の放射線を計測し、
   前記所定の半導体素子に対する放射線の影響を記憶する影響管理テーブルと前記放射線の計測結果とに基づいて、前記所定の半導体素子の劣化を診断し、
   前記診断の結果に応じて、前記複数の所定の半導体素子のうち主回路へ接続する切替先の所定の半導体素子を選択し、
   前記選択した切替先の所定の半導体素子を前記主回路へ接続させる、
   圧力監視方法。

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