JP2018152478A - テンプレートおよびその製造方法 - Google Patents
テンプレートおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018152478A JP2018152478A JP2017048124A JP2017048124A JP2018152478A JP 2018152478 A JP2018152478 A JP 2018152478A JP 2017048124 A JP2017048124 A JP 2017048124A JP 2017048124 A JP2017048124 A JP 2017048124A JP 2018152478 A JP2018152478 A JP 2018152478A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- template
- pattern
- concave pattern
- film
- concave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
- G03F1/56—Organic absorbers, e.g. of photo-resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7042—Alignment for lithographic apparatus using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping or imprinting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0272—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers for lift-off processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
【解決手段】実施形態によれば、テンプレート基板11と、テンプレート基板11の同一面に設けられるデバイス形成パターン22およびアライメントマークと、を備えるテンプレートが提供される。アライメントマークは、テンプレート基板11に設けられた第1凹パターンの底部に設けられる屈折層54と、屈折層54が設けられた第1凹パターンを埋め込む絶縁層56と、を有する。
【選択図】図4
Description
図1は、テンプレートの構造の一例を示す上面図であり、図2は、テンプレートの構造の一例を示す断面図であり、図1のA−A断面図を示している。図3は、第1の実施形態によるテンプレートのアライメントマークを含む領域の一例を示す一部上面図である。図4は、第1の実施形態によるテンプレートのデバイスパターンとアライメントマークの一例を示す断面図であり、(a)は図3のB−B断面図であり、(b)は図3のC−C断面図であり、(c)は図3のD−D断面図であり、(d)は図3のE−E断面図である。
10nm≦D<20nmの場合、160nm≦H≦620nm ・・・(1)
20nm≦D<30nmの場合、150nm≦H≦620nm ・・・(2)
30nm≦D<40nmの場合、140nm≦H≦620nm ・・・(3)
40nm≦D<50nmの場合、120nm≦H≦620nm ・・・(4)
50nm≦D≦200nmの場合、100nm≦H≦600nm ・・・(5)
10nm≦D<20nmの場合、160nm≦H≦620nm ・・・(1)
20nm≦D<30nmの場合、150nm≦H≦620nm ・・・(2)
30nm≦D<40nmの場合、140nm≦H≦620nm ・・・(3)
40nm≦D<50nmの場合、120nm≦H≦620nm ・・・(4)
50nm≦D≦200nmの場合、100nm≦H≦600nm ・・・(5)
のいずれかとすることによって、アライメントマーク21にCr膜を使用したときと同等の1次回折光強度が得られるという効果を有する。また、アライメントマーク21の凹パターン31とデバイス形成パターン22の凹パターン33とを別々に形成するので、所望の1次回折光強度が得られるように、凹パターン31の深さを任意の深さにすることができる。
第1の実施形態では、アライメントマークの回折格子パターンの下部に屈折層を配置し、上部に絶縁層を配置する構成とした。第2の実施形態では、屈折層を有機膜で構成する場合を説明する。
第1および第2の実施形態では、アライメントマークの凹パターンの深さが、デバイスパターンの深さと異なる場合を示した。第3の実施形態では、アライメントマークの凹パターンの深さとデバイスパターンの深さとを同じにすることができる場合を説明する。
[付記1]
テンプレート基板と、
前記テンプレート基板の同一面に設けられるデバイス形成パターンおよびアライメントマークと、
を備え、
前記アライメントマークは、
前記テンプレート基板に設けられた第1凹パターンの底部に設けられる屈折層と、
前記屈折層が設けられた前記第1凹パターンを埋め込む絶縁層と、
を有することを特徴とするテンプレート。
[付記2]
前記屈折層は、前記テンプレート基板の屈折率とは異なる屈折率を有することを特徴とする付記1に記載のテンプレート。
[付記3]
前記アライメントマークは、複数の延在する前記第1凹パターンが延在方向に交差する方向に配置されていることを特徴とする付記2に記載のテンプレート。
[付記4]
前記屈折層は、空気または有機膜であることを特徴とする付記3に記載のテンプレート。
[付記5]
前記アライメントマークは、前記複数の第1凹パターンの一方の端部間を接続する第2凹パターンをさらに有し、
前記第1凹パターンと前記第2凹パターンとの境界面が前記絶縁層によって覆われていることを特徴とする付記4に記載のテンプレート。
[付記6]
前記屈折層の厚さをHとし、前記絶縁層の前記第1凹パターン内での厚さをDとしたときに、前記Dおよび前記Hは、
10nm≦D<20nmの場合、160nm≦H≦620nm、
20nm≦D<30nmの場合、150nm≦H≦620nm、
30nm≦D<40nmの場合、140nm≦H≦620nm、
40nm≦D<50nmの場合、120nm≦H≦620nm、または
50nm≦D≦200nmの場合、100nm≦H≦600nm
の関係を満たすことを特徴とする付記5に記載のテンプレート。
[付記7]
テンプレート基板の第1領域に、互いに並行に配置された複数の延在する第1凹パターンを形成する第1凹パターン形成工程と、
前記第1凹パターン内の所定の深さまで有機膜を埋め込む有機膜埋込工程と、
前記第1凹パターンに第1絶縁膜を埋め込む第1絶縁膜埋込工程と、
前記テンプレート基板の前記第1領域以外の第2領域に、第2凹パターンを形成する第2凹パターン形成工程と、
を含むことを特徴とするテンプレートの製造方法。
[付記8]
前記第1絶縁膜埋込工程の後で前記第2凹パターン形成工程の前に、前記有機膜を除去する有機膜除去工程をさらに含むことを特徴とする付記7に記載のテンプレートの製造方法。
[付記9]
前記第1凹パターン形成工程では、前記第1領域に、前記複数の第1凹パターンの一方の端部間を接続する第3凹パターンをさらに形成し、
前記有機膜埋込工程は、
前記第1凹パターンが配置される領域上では厚く、前記第1凹パターンが配置される領域以外の領域上では薄くなる有機膜を前記テンプレート基板上に形成する工程と、
前記第2領域上の前記有機膜が除去されるまで、前記有機膜をエッチバックする工程と、
を含み、
前記第1絶縁膜埋込工程は、
前記テンプレート基板上に、前記第1凹パターンを埋め込むように第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第2領域上の前記第1絶縁膜が除去されるまで、前記第1絶縁膜をエッチバックする工程と、
を含み、
前記有機膜除去工程は、
前記第1凹パターン内の前記有機膜が前記第3凹パターン内で露出した露出部から、前記有機膜を除去する工程と、
前記露出部を第2絶縁膜で覆う工程と、
を含むことを特徴とする付記8に記載のテンプレートの製造方法。
[付記10]
前記第1凹パターン内に形成される前記有機膜の厚さをHとし、前記第1凹パターン内に形成される前記第1絶縁膜の厚さをDとしたときに、前記Dおよび前記Hは、
10nm≦D<20nmの場合、160nm≦H≦620nm、
20nm≦D<30nmの場合、150nm≦H≦620nm、
30nm≦D<40nmの場合、140nm≦H≦620nm、
40nm≦D<50nmの場合、120nm≦H≦620nm、または
50nm≦D≦200nmの場合、100nm≦H≦600nm
の関係を満たすことを特徴とする付記9に記載のテンプレートの製造方法。
[付記11]
前記第1凹パターン形成工程では、前記第1領域に、前記複数の第1凹パターンの一方の端部間を接続する第3凹パターンをさらに形成し、
前記有機膜埋込工程は、
前記第1凹パターンが配置される領域上では厚く、前記第1凹パターンが配置される領域以外の領域上では薄くなる有機膜を前記テンプレート基板上に形成する工程と、
前記第2領域上の前記有機膜が除去されるまで、前記有機膜をエッチバックする工程と、
を含み、
前記第1絶縁膜埋込工程は、
前記テンプレート基板上に、前記第1凹パターンを埋め込むように第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第3凹パターンが配置される領域上にマスクを形成する工程と、
前記マスクを用いて、前記第2領域上の前記第1絶縁膜が除去されるまで、前記第1絶縁膜をエッチバックする工程と、
を含むことを特徴とする付記7に記載のテンプレートの製造方法。
[付記12]
テンプレート基板の第1領域に、互いに並行に配置された複数の延在する第1凹パターンを形成し、前記第1領域以外の第2領域に第2凹パターンを形成する凹パターン形成工程と、
前記第1凹パターンの底部に屈折層を形成する屈折層形成工程と、
前記第1凹パターン内に絶縁層を埋め込む絶縁層埋込工程と、
を含むことを特徴とするテンプレートの製造方法。
[付記13]
前記屈折層形成工程は、
前記第1凹パターンおよび前記第2凹パターン内に前記屈折層を形成する工程と、
前記第1凹パターン内に第1マスク層を形成する工程と、
前記第1マスク層をマスクとして、前記第2凹パターン内の前記屈折層を除去する工程と、
を含み、
前記絶縁層埋込工程は、
前記第1凹パターンおよび前記第2凹パターン内に前記絶縁層を形成する工程と、
前記第1領域上に第2マスク層を形成する工程と、
前記第2マスク層をマスクとして、前記第2凹パターン内の前記絶縁層を除去する工程と、
前記第1領域で前記テンプレート基板上に形成された前記第2マスク層および前記絶縁層を除去する工程と、
を含むことを特徴とする付記12に記載のテンプレートの製造方法。
[付記14]
前記屈折層は、Cr,Ta,Ti,Ru,TiN,TaO,TaNおよびSiNの群から選択される少なくとも1つの材料であることを特徴とする付記12に記載のテンプレートの製造方法。
[付記15]
前記凹パターン形成工程では、前記第1凹パターンと前記第2凹パターンとを同時に形成することを特徴とする付記12に記載のテンプレートの製造方法。
Claims (7)
- テンプレート基板と、
前記テンプレート基板の同一面に設けられるデバイス形成パターンおよびアライメントマークと、
を備え、
前記アライメントマークは、
前記テンプレート基板に設けられた第1凹パターンの底部に設けられる屈折層と、
前記屈折層が設けられた前記第1凹パターンを埋め込む絶縁層と、
を有することを特徴とするテンプレート。 - 前記アライメントマークは、複数の延在する前記第1凹パターンが延在方向に交差する方向に配置されていることを特徴とする請求項1に記載のテンプレート。
- 前記屈折層は、空気もしくは有機膜、または、Cr,Ta,Ti,Ru,TiN,TaO,TaNおよびSiNの群から選択される少なくとも1つの材料であることを特徴とする請求項2に記載のテンプレート。
- 前記アライメントマークは、前記複数の第1凹パターンの一方の端部間を接続する第2凹パターンをさらに有し、
前記第1凹パターンと前記第2凹パターンとの境界面が前記絶縁層によって覆われていることを特徴とする請求項3に記載のテンプレート。 - 前記第1凹パターンの深さは、前記デバイス形成パターンを構成する第3凹パターンの深さと同じかあるいは前記第3凹パターンよりも深いことを特徴とする請求項4に記載のテンプレート。
- テンプレート基板の第1領域に、互いに並行に配置された複数の延在する第1凹パターンを形成する第1凹パターン形成工程と、
前記第1凹パターン内の所定の深さまで有機膜を埋め込む有機膜埋込工程と、
前記第1凹パターンに第1絶縁膜を埋め込む第1絶縁膜埋込工程と、
前記テンプレート基板の前記第1領域以外の第2領域に、第2凹パターンを形成する第2凹パターン形成工程と、
を含むことを特徴とするテンプレートの製造方法。 - テンプレート基板の第1領域に、互いに並行に配置された複数の延在する第1凹パターンを形成し、前記第1領域以外の第2領域に第2凹パターンを形成する凹パターン形成工程と、
前記第1凹パターンの底部に屈折層を形成する屈折層形成工程と、
前記第1凹パターン内に絶縁層を埋め込む絶縁層埋込工程と、
を含むことを特徴とするテンプレートの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017048124A JP6692311B2 (ja) | 2017-03-14 | 2017-03-14 | テンプレート |
US15/698,025 US10459335B2 (en) | 2017-03-14 | 2017-09-07 | Template and template manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017048124A JP6692311B2 (ja) | 2017-03-14 | 2017-03-14 | テンプレート |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018152478A true JP2018152478A (ja) | 2018-09-27 |
JP6692311B2 JP6692311B2 (ja) | 2020-05-13 |
Family
ID=63519301
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017048124A Active JP6692311B2 (ja) | 2017-03-14 | 2017-03-14 | テンプレート |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10459335B2 (ja) |
JP (1) | JP6692311B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10768522B2 (en) | 2018-08-30 | 2020-09-08 | Toshiba Memory Corporation | Original plate |
US11931923B2 (en) | 2020-03-19 | 2024-03-19 | Kioxia Corporation | Method of manufacturing template and method of forming pattern |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200076054A (ko) * | 2018-12-19 | 2020-06-29 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007506281A (ja) * | 2003-09-18 | 2007-03-15 | ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | 位置合わせマークを有するインプリント・リソグラフィ・テンプレート |
JP2007140460A (ja) * | 2005-06-08 | 2007-06-07 | Canon Inc | モールド、パターン形成方法、及びパターン形成装置 |
JP2008137387A (ja) * | 2006-12-01 | 2008-06-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 整列マークが形成された軟体テンプレート |
JP2013519236A (ja) * | 2010-02-05 | 2013-05-23 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 高コントラスト位置合わせマークを有するテンプレート |
JP2013168604A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-08-29 | Fujifilm Corp | ナノインプリント用モールドの製造方法 |
JP2013543456A (ja) * | 2010-09-24 | 2013-12-05 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 多段インプリントによるハイコントラストな整列マーク |
JP2014011254A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 位置合わせマーク、該マークを備えたテンプレート、および、該テンプレートの製造方法 |
JP2016012635A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-01-21 | 大日本印刷株式会社 | テンプレートの製造方法およびテンプレート |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS547423B2 (ja) | 1973-07-05 | 1979-04-06 | ||
US7331283B2 (en) | 2004-12-16 | 2008-02-19 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for imprint pattern replication |
WO2006066016A2 (en) | 2004-12-16 | 2006-06-22 | Asml Holding Nv | Systems and methods for forming nanodisks used in imprint lithography and nanodisk and memory disk formed thereby |
CN101268012B (zh) | 2005-10-07 | 2012-12-26 | 株式会社尼康 | 微小构造体及其制造方法 |
US20100092599A1 (en) * | 2008-10-10 | 2010-04-15 | Molecular Imprints, Inc. | Complementary Alignment Marks for Imprint Lithography |
NL2005434A (en) * | 2009-12-18 | 2011-06-21 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography. |
JP2014049658A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Toshiba Corp | パターン形成方法及びテンプレート |
JP2016021544A (ja) | 2014-07-11 | 2016-02-04 | 株式会社東芝 | インプリント装置およびインプリント方法 |
-
2017
- 2017-03-14 JP JP2017048124A patent/JP6692311B2/ja active Active
- 2017-09-07 US US15/698,025 patent/US10459335B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007506281A (ja) * | 2003-09-18 | 2007-03-15 | ボード・オブ・リージエンツ,ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | 位置合わせマークを有するインプリント・リソグラフィ・テンプレート |
JP2007140460A (ja) * | 2005-06-08 | 2007-06-07 | Canon Inc | モールド、パターン形成方法、及びパターン形成装置 |
JP2008137387A (ja) * | 2006-12-01 | 2008-06-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 整列マークが形成された軟体テンプレート |
JP2013519236A (ja) * | 2010-02-05 | 2013-05-23 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 高コントラスト位置合わせマークを有するテンプレート |
JP2013543456A (ja) * | 2010-09-24 | 2013-12-05 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 多段インプリントによるハイコントラストな整列マーク |
JP2013168604A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-08-29 | Fujifilm Corp | ナノインプリント用モールドの製造方法 |
JP2014011254A (ja) * | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 位置合わせマーク、該マークを備えたテンプレート、および、該テンプレートの製造方法 |
JP2016012635A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-01-21 | 大日本印刷株式会社 | テンプレートの製造方法およびテンプレート |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10768522B2 (en) | 2018-08-30 | 2020-09-08 | Toshiba Memory Corporation | Original plate |
US11931923B2 (en) | 2020-03-19 | 2024-03-19 | Kioxia Corporation | Method of manufacturing template and method of forming pattern |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180267400A1 (en) | 2018-09-20 |
JP6692311B2 (ja) | 2020-05-13 |
US10459335B2 (en) | 2019-10-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9069249B2 (en) | Self aligned patterning with multiple resist layers | |
JP2005150333A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20070082296A1 (en) | Method of forming micro-patterns using multiple photolithography process | |
JP6692311B2 (ja) | テンプレート | |
KR20120059426A (ko) | 측벽 이미지 트랜스퍼로부터 패턴을 제조하기 위한 향상된 방법 | |
CN104078366B (zh) | 双重图形化鳍式晶体管的鳍结构制造方法 | |
JP5673900B2 (ja) | ナノインプリントモールドの製造方法 | |
KR100746619B1 (ko) | 오버레이 버니어 키 및 오버레이 버니어 키의 형성방법 | |
JP2014090132A (ja) | 反射型マスクおよびその製造方法 | |
US20120225560A1 (en) | Manufacturing method of integrated circuits based on formation of lines and trenches | |
CN108735585B (zh) | 掩模图案的制作方法 | |
JP6115245B2 (ja) | ナノインプリント用テンプレートおよびその製造方法 | |
KR20130023806A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
US7939451B2 (en) | Method for fabricating a pattern | |
KR20090132294A (ko) | 스페이스 패터닝 기술을 이용한 반도체 소자의 활성영역형성방법 | |
US20100304568A1 (en) | Pattern forming method | |
JP2014232844A (ja) | 反射型マスクの製造方法 | |
TWI689987B (zh) | 使用光遮罩基板形貌的euv圖案化 | |
KR100843948B1 (ko) | 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 | |
US8916051B2 (en) | Method of forming via hole | |
JP2016092360A (ja) | 欠陥修正方法および微細構造体の製造方法 | |
JP6972581B2 (ja) | インプリントモールド及びインプリントモールドの製造方法 | |
JP6565415B2 (ja) | インプリントモールド製造用の基板およびインプリントモールドの製造方法 | |
JP6019967B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP6019966B2 (ja) | パターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20170605 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20180905 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190308 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200304 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200317 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200414 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6692311 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |