JP2018148195A - 装置 - Google Patents
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Abstract
Description
矩形波の出力信号を出力する第1回路と、
入力信号が入力される第2回路と、
前記第1回路と前記第2回路とを接続し、前記出力信号を前記入力信号として伝達する導線を有する伝送線路と、
前記伝送線路の周りの少なくとも一部に設けられたノイズ抑制部材と
を備える装置であって、
前記ノイズ抑制部材は、磁性粉末がバインダ内に分散された構造を有しており、
前記ノイズ抑制部材は、500MHzから3GHzまでの複素透磁率の虚数成分μ”が5以上30以下であり、
前記ノイズ抑制部材の厚みtは、20μm以上であり、
前記ノイズ抑制部材は、前記伝送線路の前記導線から0.05mm以上5mm以下の距離だけ離れて配置されている
装置を提供する。
前記ノイズ抑制部材の厚みtは、10000μm以下である
装置を提供する。
前記ノイズ抑制部材の厚みtは、1000μm以下である
装置を提供する。
前記第1回路は、第1基板に形成されており、
前記第2回路は、第2基板に形成されており、
前記第1基板と前記第2基板とは物理的に分かれている
装置を提供する。
前記ノイズ抑制部材は、複合磁性シートである
装置を提供する。
前記ノイズ抑制部材は、前記伝送線路の前記導線から0.15mm以上0.2mm以下の距離だけ離れて配置されている
装置を提供する。
前記ノイズ抑制部材の複素誘電率の実数成分ε’が1000以下であり、且つ前記複素誘電率の前記実数成分ε’に対する虚数成分ε”の比ε”/ε’が0.5以下である
装置を提供する。
前記ノイズ抑制部材の前記複素誘電率の前記実数成分ε’が300以下であり、且つ前記複素誘電率の前記実数成分ε’に対する前記虚数成分ε”の比ε”/ε’が0.1以下である
装置を提供する。
前記伝送線路の延びる方向において、前記第1回路から前記ノイズ抑制部材の端部までの距離は、抑制の対象である電磁ノイズの波長に等しい距離よりも短い
装置を提供する。
前記伝送線路の延びる方向において、前記ノイズ抑制部材の長さは20mm以上である
装置を提供する。
前記装置は、スイッチング素子を更に備えるスイッチング電源装置であり、
前記第1回路は、前記出力信号を生成して出力するパルス信号生成回路であり、
前記第2回路は、前記入力信号に基づいて前記スイッチング素子を駆動するドライバ回路である
装置を提供する。
前記スイッチング電源装置は、インバータ装置であり、
前記パルス信号生成回路は、PWM信号生成回路である
装置を提供する。
前記装置は、更に第3回路、第4回路及び第5回路と、付加的伝送線路と、付加的ノイズ抑制部材とを備えており、
前記第3回路は、スイッチングデバイスであり、
前記第4回路と前記第5回路は、前記付加的伝送線路によって互いに接続されており、
前記付加的ノイズ抑制部材は、前記付加的伝送線路の周りの少なくとも一部に設けられており、
前記付加的ノイズ抑制部材は、磁性粉末がバインダ内に分散された構造を有しており、
前記付加的ノイズ抑制部材は、500MHzから3GHzまでの複素透磁率の虚数成分μ”が5以上30以下であり、
前記付加的ノイズ抑制部材の厚みtは、20μm以上であり、
前記付加的ノイズ抑制部材は、前記付加的伝送線路の前記導線から0.05mm以上5mm以下の距離だけ離れて配置されている
装置を提供する。
前記付加的ノイズ抑制部材の少なくとも一部は、前記第3回路からの距離が前記第3回路の動作に由来するノイズ波長の1/(2π)以下の距離に位置している
装置を提供する。
前記付加的ノイズ抑制部材の厚みtは、10000μm以下である
装置を提供する。
前記付加的ノイズ抑制部材は、複合磁性シートである
装置を提供する。
前記付加的ノイズ抑制部材は、前記付加的伝送線路の前記導線から0.15mm以上0.2mm以下の距離だけ離れて配置されている
装置を提供する。
前記付加的ノイズ抑制部材の複素誘電率の実数成分ε’が1000以下であり、且つ前記複素誘電率の前記実数成分ε’に対する虚数成分ε”の比ε”/ε’が0.5以下である
装置を提供する。
前記付加的ノイズ抑制部材の前記複素誘電率の前記実数成分ε’が300以下であり、且つ前記複素誘電率の前記実数成分ε’に対する前記虚数成分ε”の比ε”/ε’が0.1以下である
装置を提供する。
前記付加的伝送線路の延びる方向において、前記ノイズ抑制部材の長さは20mm以上である
装置を提供する。
前記スイッチングデバイスは、電源回路である
装置を提供する。
前記スイッチングデバイスは、インバータ主回路である
装置を提供する。
図1を参照すると、本発明の第1の実施の形態による装置10は、整流回路110、電源回路120、インバータ制御回路130、ゲート駆動回路140及びインバータ主回路150を備えるインバータ装置(スイッチング電源装置)である。図1に示されるように、インバータ制御回路130は、矩形波であるPWM(Pulse Width Modulation)信号を生成するPWM信号生成回路(MCU:Micro Controller Unit)132を備えている。また、インバータ主回路150は、図示しない複数のスイッチング素子を備えている。
図21を参照すると、本発明の第2の実施の形態による装置10Bは、第1の実施の形態による装置10と同一の構成に加え、ノイズ抑制部材(付加的ノイズ抑制部材)170Bを備えている。
20 交流電源
30 負荷
110 整流回路
120 電源回路
130 インバータ制御回路
132 PWM信号生成回路(MCU:Micro Controller Unit)
140 ゲート駆動回路
150 インバータ主回路
160,161、162,163,164、165、166、167 伝送線路
170,170A,170C,170D ノイズ抑制部材
170B ノイズ抑制部材(付加的ノイズ抑制部材)
172 磁性粉末
174 バインダ
260,260A フラットケーブル
262,262A 信号線
264,264A グランド線
266 絶縁被膜
268 抵抗素子
360 ケーブル
362 信号線
364 グランド線
366 絶縁被膜
380 ハーネス
520 信号発生器
530 終端抵抗
60 インバータ装置
610 制御ユニット
620 メインユニット
630 フラットケーブル
70 パーソナルコンピュータ(PC)
80 直流電源(DC)
90 抵抗負荷
Claims (22)
- 矩形波の出力信号を出力する第1回路と、
入力信号が入力される第2回路と、
前記第1回路と前記第2回路とを接続し、前記出力信号を前記入力信号として伝達する導線を有する伝送線路と、
前記伝送線路の周りの少なくとも一部に設けられたノイズ抑制部材と
を備える装置であって、
前記ノイズ抑制部材は、磁性粉末がバインダ内に分散された構造を有しており、
前記ノイズ抑制部材は、500MHzから3GHzまでの複素透磁率の虚数成分μ”が5以上30以下であり、
前記ノイズ抑制部材の厚みtは、20μm以上であり、
前記ノイズ抑制部材は、前記伝送線路の前記導線から0.05mm以上5mm以下の距離だけ離れて配置されている
装置。 - 請求項1に記載の装置であって、
前記ノイズ抑制部材の厚みtは、10000μm以下である
装置。 - 請求項2に記載の装置であって、
前記ノイズ抑制部材の厚みtは、1000μm以下である
装置。 - 請求項1から請求項3までのいずれか一つに記載の装置であって、
前記第1回路は、第1基板に形成されており、
前記第2回路は、第2基板に形成されており、
前記第1基板と前記第2基板とは物理的に分かれている
装置。 - 請求項1から請求項4までのいずれか一つに記載の装置であって、
前記ノイズ抑制部材は、複合磁性シートである
装置。 - 請求項1から請求項5までのいずれか一つに記載の装置であって、
前記ノイズ抑制部材は、前記伝送線路の前記導線から0.15mm以上0.2mm以下の距離だけ離れて配置されている
装置。 - 請求項1から請求項6までのいずれか一つに記載の装置であって、
前記ノイズ抑制部材の複素誘電率の実数成分ε’が1000以下であり、且つ前記複素誘電率の前記実数成分ε’に対する虚数成分ε”の比ε”/ε’が0.5以下である
装置。 - 請求項7に記載の装置であって、
前記ノイズ抑制部材の前記複素誘電率の前記実数成分ε’が300以下であり、且つ前記複素誘電率の前記実数成分ε’に対する前記虚数成分ε”の比ε”/ε’が0.1以下である
装置。 - 請求項1から請求項8までのいずれか一つに記載の装置であって、
前記伝送線路の延びる方向において、前記第1回路から前記ノイズ抑制部材の端部までの距離は、抑制の対象である電磁ノイズの波長に等しい距離よりも短い
装置。 - 請求項1から請求項9までのいずれか一つに記載の装置であって、
前記伝送線路の延びる方向において、前記ノイズ抑制部材の長さは20mm以上である
装置。 - 請求項1から請求項10までのいずれか一つに記載の装置であって、
前記装置は、スイッチング素子を更に備えるスイッチング電源装置であり、
前記第1回路は、前記出力信号を生成して出力するパルス信号生成回路であり、
前記第2回路は、前記入力信号に基づいて前記スイッチング素子を駆動するドライバ回路である
装置。 - 請求項11に記載の装置であって、
前記スイッチング電源装置は、インバータ装置であり、
前記パルス信号生成回路は、PWM信号生成回路である
装置。 - 請求項1から請求項10までのいずれか一つに記載の装置であって、
前記装置は、更に第3回路、第4回路及び第5回路と、付加的伝送線路と、付加的ノイズ抑制部材とを備えており、
前記第3回路は、スイッチングデバイスであり、
前記第4回路と前記第5回路は、前記付加的伝送線路によって互いに接続されており、
前記付加的ノイズ抑制部材は、前記付加的伝送線路の周りの少なくとも一部に設けられており、
前記付加的ノイズ抑制部材は、磁性粉末がバインダ内に分散された構造を有しており、
前記付加的ノイズ抑制部材は、500MHzから3GHzまでの複素透磁率の虚数成分μ”が5以上30以下であり、
前記付加的ノイズ抑制部材の厚みtは、20μm以上であり、
前記付加的ノイズ抑制部材は、前記付加的伝送線路の前記導線から0.05mm以上5mm以下の距離だけ離れて配置されている
装置。 - 請求項13に記載の装置であって、
前記付加的ノイズ抑制部材の少なくとも一部は、前記第3回路からの距離が前記第3回路の動作に由来するノイズ波長の1/(2π)以下の距離となる範囲内に位置している
装置。 - 請求項13又は請求項14に記載の装置であって、
前記付加的ノイズ抑制部材の厚みtは、10000μm以下である
装置。 - 請求項13から請求項15までのいずれか一つに記載の装置であって、
前記付加的ノイズ抑制部材は、複合磁性シートである
装置。 - 請求項13から請求項16までのいずれか一つに記載の装置であって、
前記付加的ノイズ抑制部材は、前記付加的伝送線路の前記導線から0.15mm以上0.2mm以下の距離だけ離れて配置されている
装置。 - 請求項13から請求項17までのいずれか一つに記載の装置であって、
前記付加的ノイズ抑制部材の複素誘電率の実数成分ε’が1000以下であり、且つ前記複素誘電率の前記実数成分ε’に対する虚数成分ε”の比ε”/ε’が0.5以下である
装置。 - 請求項18に記載の装置であって、
前記付加的ノイズ抑制部材の前記複素誘電率の前記実数成分ε’が300以下であり、且つ前記複素誘電率の前記実数成分ε’に対する前記虚数成分ε”の比ε”/ε’が0.1以下である
装置。 - 請求項13から請求項19までのいずれか一つに記載の装置であって、
前記付加的伝送線路の延びる方向において、前記ノイズ抑制部材の長さは20mm以上である
装置。 - 請求項13から請求項20までのいずれか一つに記載の装置であって、
前記スイッチングデバイスは、電源回路である
装置。 - 請求項13から請求項20までのいずれか一つに記載の装置であって、
前記スイッチングデバイスは、インバータ主回路である
装置。
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