JP2018145502A

JP2018145502A - ゲルめっき方法

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Publication number: JP2018145502A
Application number: JP2017043813A
Authority: JP
Inventors: 理子多賀谷; Masako Tagaya; 徳子中島; Noriko Nakajima; 倫成曽根; Michinari Sone; 正洋吉野; Masahiro Yoshino
Original assignee: Yoshino Denka Kogyo Inc
Current assignee: Yoshino Denka Kogyo Inc
Priority date: 2017-03-08
Filing date: 2017-03-08
Publication date: 2018-09-20
Anticipated expiration: 2037-03-08
Also published as: JP6885116B2

Abstract

【解決手段】被めっき物上にゲル状のめっき組成物を塗布し、ゲル状のめっき組成物を電解質溶液中に浸漬し、電解質溶液中にアノードを浸漬し、被めっき物をカソードとして又はゲル状のめっき組成物にカソードを接触させて、ゲル状のめっき組成物中のめっき金属イオンを、電解質溶液を介して電解還元することにより、被めっき物上にめっき皮膜を形成する。【効果】被めっき物上に塗布したゲル状のめっき組成物を一括してめっき皮膜に電解還元できるため、ゲルめっきの高速化が可能である。また、精細化しためっき皮膜に対しても、精度よく、良好な物性でめっき皮膜を形成することができる。【選択図】なし

Description

本発明は、被めっき物の所望の部分にのみめっき皮膜を形成する部分めっきに好適なゲルめっき方法に関する。

部分めっき技術は、今日の情報通信機器、自動車、ロボット産業分野において広く使用されており、高付加価値なものづくりに欠かせない技術となっている。従来、部分めっきは、フォトレジストやシルク印刷を用いたマスキングによる方法や、部分めっき専用の治具や設備を用いて液面制御して、被めっき物を部分的にめっき液に浸漬する部分浸漬法などにより実施されている。しかしながら、これらの方法では、複雑な前処理や特殊な設備が必要となり、また、製品毎に最適化された工程が必要となるため、試作品や少量多品種製品におけるめっきにおいては、コスト及び労力が高くなってしまう。そのため、より簡便な方法で、特性が良好なめっき皮膜を、所望の部分に形成することができる部分めっき方法の開発が望まれている。

特開２００８−２６６７４０号公報

曽根倫成、ゲルめっき−次世代めっき技術としての可能性−、表面技術、６７巻、４号、２０１６年、２０２〜２０５頁

次世代の部分めっき技術として有望視されているゲルめっき法は、めっき液に寒天やゼラチンなどのゲル化剤を添加してゲル化させ、ゲル状のめっき組成物を被めっき物表面に塗布して還元することにより、めっき皮膜を形成する方法である。一般的な液状のめっき組成物、即ち、めっき液を用いて部分めっきをする場合には、被めっき物のめっき皮膜を形成しない部分をマスキングして、被めっき物をめっき液に浸漬するが、ゲルめっきでは、ゲル化しためっき組成物自体を、例えば、ディスペンサーを用いて、又はインクジェットプリンターなどを利用して、所望の部分に、任意の形状に塗布し、これを電解還元すれば、マスキングをすることなく、ゲル状のめっき組成物を塗布した部分のみにめっき皮膜を形成することができる。そのため、ゲルめっき法は、カスタムメイドに対応可能である。また、同じ範囲に部分めっきを施す場合でも、めっき液を用いた一般的な部分めっきと比べて、使用するめっき組成物の量が格段に少なく、更に、常に、新しいめっき組成物でめっきすることになるため、安定した特性でめっき皮膜を形成できる上、めっき液の再生や交換の必要がない。

被めっき物に塗布されたゲル状のめっき組成物中のめっき金属イオンを還元してめっき皮膜を形成する方法としては、例えば、被めっき物上に、ゲル状のめっき組成物を塗布し、被めっき物をカソードとして又はゲル状のめっき組成物にカソードを接触させ、更に、ゲル状のめっき組成物にアノードを接触させ、被めっき物をカソードとして電解還元する方法がある。しかしながら、ゲル状のめっき組成物を塗布した箇所が多くなると、ゲル状のめっき組成物とアノードとを接触させて電解する操作が多くなって時間がかかるため、ゲルめっき法のハイスループット化が求められている。また、形成するめっき皮膜のパターンが精細化すると、アノードとの接触が煩雑になる上、パターン精度を維持する観点からは、アノードとの接触をより厳密に制御する必要が生じるため、電解還元の工程が複雑化する。

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、被めっき物に塗布したゲル状のめっき組成物を一括してめっき皮膜に電解還元でき、精細化した配線などに用いられるめっき皮膜であっても、精度よく、良好な物性でめっき皮膜を形成することができるゲルめっき方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討を重ねた結果、被めっき物上にゲル状のめっき組成物を塗布し、ゲル状のめっき組成物中のめっき金属イオンを電解還元して被めっき物上にめっき皮膜を形成するゲルめっきにおいて、ゲル状のめっき組成物を電解質溶液中に浸漬すると共に、電解質溶液中にアノードを浸漬し、被めっき物をカソードとして又はゲル状のめっき組成物にカソードを接触させて、ゲル状のめっき組成物中のめっき金属イオンを、電解質溶液を介して電解還元すること、特に、電解質溶液として、該電解質溶液中で、ゲル状のめっき組成物の表面部に被膜を形成する作用を有するゲル化剤を含むものを用いることにより、被めっき物に塗布したゲル状のめっき組成物を一括してめっき皮膜に電解還元でき、精細化した配線などに用いられるめっき皮膜であっても、精度よく、良好な物性でめっき皮膜を形成することができることを見出し、本発明をなすに至った。

従って、本発明は、以下のゲルめっき方法を提供する。
［１］被めっき物上にゲル状のめっき組成物を塗布し、該ゲル状のめっき組成物を電解質溶液中に浸漬し、該電解質溶液中にアノードを浸漬し、上記被めっき物をカソードとして又はゲル状のめっき組成物にカソードを接触させて、上記ゲル状のめっき組成物中のめっき金属イオンを、上記電解質溶液を介して電解還元することにより、上記被めっき物上にめっき皮膜を形成することを特徴とするゲルめっき方法。
［２］上記電解質溶液が、上記ゲル状のめっき組成物の表面部に被膜を形成する作用を有するゲル化剤を含むことを特徴とする［１］記載のゲルめっき方法。

本発明によれば、被めっき物上に塗布したゲル状のめっき組成物を一括してめっき皮膜に電解還元できるため、ゲルめっきの高速化が可能である。また、精細化しためっき皮膜に対しても、精度よく、良好な物性でめっき皮膜を形成することができる。

以下、本発明について更に詳しく説明する。
本発明のゲルめっき方法に用いるゲル状のめっき組成物としては、めっき金属イオンを含有するめっき液（水溶液）に、ゲル化剤を添加したものを用いる。めっき金属イオンを含有するめっき液は、公知のめっき液（電解めっき液が好ましいが、無電解めっき液であってもよい。）を用いることができ、市販品を使用し得る。めっき液は、錯化剤、還元剤、平滑剤、光沢剤、ｐＨ調整剤などの各種添加剤の含有は許容される。具体的には、例えば、電解銅めっき液としては、硫酸銅／硫酸／添加剤系溶液、電解ニッケルめっき液としては、硫酸ニッケル／ホウ酸／添加剤系溶液、電解金めっき液としては、シアン化金カリウム／クエン酸塩類／添加剤系溶液、電解スズめっき液としては、硫酸第１スズ／硫酸／添加剤系溶液、電解銀めっき液としては、シアン化銀／シアン化カリウム／添加剤系溶液、無電解金めっき液としては、シアン化金カリウム／次亜リン酸ナトリウム／添加剤系溶液、無電解パラジウムめっき液としては、パラジウム塩／ヒドラジン／添加剤系溶液などを挙げることができる。めっき金属種は特に限定されるものではないが、例えば、銅、ニッケル、金、スズ、銀、パラジウムなどが挙げられる。めっき液中のめっき金属イオンの濃度は、めっき金属種によっても異なるが、通常０．５ｇ／Ｌ以上、特に５ｇ／Ｌ以上で、１００ｇ／Ｌ以下、特に７０ｇ／Ｌ以下が好適である。

ゲル状のめっき組成物に含まれるゲル化剤としては、水溶液をゲル化することができる物質であれば、特に限定されるものではないが、例えば、寒天、キサンタンガム、カラギーナン、ローストビーンガム、グアーガム、ダイユータンガム、ウェランガム、ジェランガム、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ペクチン酸、アルギン酸、ゼラチンなどを挙げることができる。これらのゲル化剤の中では、ゲル化温度、ゲル強度の観点からは、寒天、キサンタンガム、カラギーナン、ローストビーンガム、グアーガム、ダイユータンガム、ジェランガム、ヒドロキシプロピルメチルセルロースが好ましく、寒天、キサンタンガム、カラギーナン、ローストビーンガム、ジェランガムが、特に好ましい。

ゲル状のめっき組成物は、被めっき物に塗布する工程において、例えば１０〜３０℃の温度で実施される、めっき組成物の塗布が可能な硬さで、かつ例えば、１０℃以上、特に２０℃以上で、８０℃以下の温度で実施される、電解質溶液への浸漬から電解還元までの間は、ゲル状の所定の形状を保つことができる程度の硬さとすることが必要であり、この観点から、ゲル化剤の種類及び濃度が選択される。ゲル化剤は、１種単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。ゲル化剤の濃度は、ゲル化剤の種類によっても異なるが、めっき組成物全量に対して、１０〜５０ｇ／Ｌが好適である。

また、ゲル状のめっき組成物には、ゲル強度を高度に維持させる観点から、また、ゲル化剤の含有率を抑えてゲルの網目構造を大きくし、これによりイオンの移動をより容易にする観点から、被めっき物に塗布する工程において、塗布が可能な硬さで、かつ塗布後から電解還元までの間は、ゲル状の所定の形状を保つことができる程度の硬さとなる範囲で、硬さ調整剤を添加してもよい。この硬さ調整剤としては、カリウム塩、カルシウム塩、マグネシウム塩、セシウム塩等の塩類や、糖類など、具体的には、塩化カリウム、炭酸カリウム、硫酸カリウムなどのカリウム塩、塩化カルシウム、乳酸カルシウムなどのカルシウム塩、塩化マグネシウムなどのマグネシウム塩、塩化セシウムなどのセシウム塩、ショ糖などの糖類などが挙げられ、硬さを調整できる範囲の広さの観点から、塩化カリウム、炭酸カリウム、乳酸カルシウムが特に好適である。硬さ調整剤は、１種単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。硬さ調整剤の濃度は、硬さ調整剤の種類によっても異なるが、めっき組成物全量に対して、０．５〜１０ｇ／Ｌが好適である。硬さ調整剤の濃度が０．５ｇ／Ｌ未満であると、硬さの増加効果が確認できない場合がある。一方、硬さ調整剤の濃度が１０ｇ／Ｌを超えると、ゲルが硬くなり過ぎて、被めっき物への塗布がし難くなる場合がある。

めっき組成物のゲル強度は、被めっき物上への塗布、電解質溶液への浸漬、及び電解還元の各工程において、適用される上述した温度範囲において、１００〜９００ｇ／ｃｍ²であることが好ましい。ゲル強度は、例えば、フォースゲージ（ＦＧＣ−２Ｂ、日本電産シンポ社製）を用いてゲル表面１ｃｍ²当たり２０秒間耐える最大荷重（ｇ）をゲル強度とすることができる。ゲル強度が１００ｇ／ｃｍ²未満であると、保形性を維持することが難しくなる場合があり、作業性などが煩雑になるおそれがある。一方、ゲル強度が９００ｇ／ｃｍ²を超えると、ゲルの塗布が困難となるおそれがある。

更に、ゲル状のめっき組成物には、めっき面の平滑性を向上させる、均一なめっき皮膜を形成させる、離水性を制御するなどの観点から、めっき表面調整剤、例えば、非イオン性界面活性剤、塩化ナトリウムなどを添加してもよい。非イオン性界面活性剤として具体的には、ポリエチレングリコール、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテルなどが挙げられる。めっき表面調整剤としては、離水性制御の容易さの観点から、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、塩化ナトリウムの使用が特に好ましい。めっき表面調整剤は、１種単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。めっき表面調整剤の濃度は、めっき表面調整剤の種類によっても異なるが、めっき組成物全量に対して、０．０１〜５ｇ／Ｌが好適である。めっき表面調整剤の濃度が０．０１ｇ／Ｌ未満であると、十分な平滑性が得られない場合がある。一方、めっき表面調整剤の濃度が５ｇ／Ｌを超えると、形成されためっき皮膜の表面が、かえって粗くなる場合がある。

また、本発明のゲル状のめっき組成物のｐＨは、めっき金属の種類やゲル化剤の種類によって適宜調整され、通常、２以上、特に３以上で、１３以下、特に１２以下である。ｐＨの調整は、酸又はアルカリの添加により行うことができる。更に、本発明のゲル状のめっき組成物のゲル粘度（２５℃）は、１，０００〜２００，０００ｍＰａ・ｓであることが好ましい。

ゲル状のめっき組成物は、めっき金属イオンを含有するめっき液に、ゲル化剤を添加し、必要に応じて、硬さ調整剤、めっき表面調整剤、ｐＨ調整剤などの他の成分を添加して混合し、必要に応じて加熱、冷却することにより、離水性が認められないゲル状のめっき組成物として製造することができる。

ゲル状のめっき組成物を塗布する被めっき物、即ち、めっき皮膜を形成する被めっき物は、後述する電解還元において、被めっき物をカソードとする場合は、銅、黄銅等の銅合金、アルミニウム、鉄、ステンレス鋼（ＳＵＳ）などの導電性の材料のものが用いられる。この場合、例えば、プリント配線基板のような、絶縁性の材料の上に導電性の材料が形成されたものであってもよい。一方、被めっき物が導電性の材料で形成されていなくても、電解還元の際に、ゲル状のめっき組成物に、別途準備したカソードを接触させるようにしてもよい。

被めっき物にゲル状のめっき組成物を塗布する方法は、所定の部分にゲル状のめっき組成物を塗布できる方法であれば、特に限定されるものではなく、所定の形状、サイズのゲル状のめっき組成物を、被めっき物上に形成できる方法であればよい。このような方法としては、例えば、手作業による塗布の他、広範囲に連続的に塗布する方法としては、ディスペンサーを用いる方法や、インクジェットプリンターを利用する方法、スクリーン印刷法などが挙げられる。被めっき物に塗布する工程は、通常、常温（例えば１０〜３０℃）の温度で実施される。なお、塗布するゲル状のめっき組成物の厚さは、例えば、０．５μｍ以上であることが好ましく、また、１０ｍｍ以下であることが好ましい。

本発明においては、ゲル状のめっき組成物を電解質溶液中に浸漬し、ゲル状のめっき組成物が電解質溶液に接触した状態で、電解質溶液を介して電解還元することにより、被めっき物上にめっき皮膜を形成する。この際、通常、被めっき物は、ゲル状のめっき組成物と共に電解質溶液中に浸漬される。

電解質溶液は、水系であっても非水系であってもよい。水系の電解質溶液に用いる支持電解質としては、ＭＸ（ＭはＬｉ⁺、Ｎａ⁺、Ｋ⁺、Ｒｂ⁺、Ｃｓ⁺又はＮＨ₄ ⁺、ＸはＣｌ^-、Ｂｒ^-、Ｉ^-又はＯＨ^-、以下同じ。）、ＭＣｌＯ₄、Ｒ₄ＮＸ（Ｒ₄ＮはＲ₄Ｎ⁺、即ち、テトラアルキルアンモニウムイオンであり、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基である。以下同じ。）、Ｍ₂ＳＯ₄などが挙げられる。一方、非水系の電解質溶液に用いる支持電解質としては、ＭＣｌＯ₄、Ｒ₄ＮＸの他、Ｒ₄ＮＣｌＯ₄、Ｒ₄ＮＢＦ₄、Ｒ₄ＮＣＦ₃ＳＯ₄、Ｒ₄ＮＣＦ₃ＳＯ₃、Ｒ₄ＮＰＦ₆などが挙げられる。また、電解質溶液としてイオン液体を用いることも可能である。

電解質溶液中の支持電解質の濃度は、後述する電解還元において、通電が可能な程度、例えば、３０分間で電解還元を完了させることができる程度の通電量が得られる濃度以上であればよい。電解質溶液中の支持電解質の濃度は、水系又は非水系の電解質溶液の場合、例えば、０．１ｇ／Ｌ以上、特に０．５ｇ／Ｌ以上で、４００ｇ／Ｌ以下である。

電解質溶液は、更にゲル化剤を含むことが好ましい。この場合、電解質溶液に含まれるゲル化剤と、ゲル状のめっき組成物に添加されたゲル化剤とは、同じものであっても、異なるものであってもよい。電解質溶液に含まれるゲル化剤として具体的には、上述したゲル状のめっき組成物中に含まれるゲル化剤が挙げられる。

ゲル化剤としては、特に、ゲル状のめっき組成物を電解質溶液中に浸漬したとき、ゲル状のめっき組成物の表面部に被膜を形成する作用を有するもの、例えば、ゲル状のめっき組成物中に含まれるカチオンと反応して、上記被膜を形成するものがより好ましい。この場合、ゲル状のめっき組成物中に、めっき金属イオンの錯化剤が含まれていれば、めっき金属イオンは錯体を形成し、めっき金属イオンと、電解質溶液に含まれるゲル化剤との反応を避けることができる。

このようなゲル化剤を用いることにより、ゲル状のめっき組成物の表面部に形成された被膜により、ゲル状のめっき組成物の電解質溶液への溶解や、ゲル状のめっき組成物に含まれるめっき金属イオンが電解質溶液に溶出することを、効果的に防止することができる。例えば、ゲル状のめっき組成物にカリウムイオンが含まれる場合、電解質溶液にゲル化剤として、ジェランガム、カラギーナンなどを添加すると、ゲル状のめっき組成物を電解質溶液中に浸漬したとき、ゲル状のめっき組成物の表面部に強固なゲル状の被膜を形成することができるため特に好ましい。ゲル化剤は、１種単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。ゲル化剤の濃度は、ゲル化剤の種類によっても異なるが、電解質溶液全量に対して、０．１ｇ／Ｌ以上、特に１ｇ／Ｌ以上で、５０ｇ／Ｌ以下、特に４０ｇ／Ｌ以下であることが好ましい。

また、電解質溶液の粘度は、０．８ｍＰａ・ｓ以上、特に１，０００ｍＰａ・ｓ以上で、５，０００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。更に、電解質溶液のｐＨは、１以上、特に２以上、とりわけ３以上で、１４以下、特に１３以下、とりわけ１２以下であることが好ましい。

ゲル状のめっき組成物を電解還元するに際しては、電解質溶液中にアノードを浸漬する。本発明において、アノードとしては、白金、チタン白金、金、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、カーボン、銀、銅、含リン銅などを用いることができるが、不溶性電極であることが好ましい。

電解還元における温度、即ち、電解質溶液及びゲル状のめっき組成物の温度は、通常、１０℃以上、特に２０℃以上で、８０℃以下の温度で実施される。また、めっき時間は、通常５秒以上、特に１０秒以上で、３０分以下、特に１０分以下である。

本発明のゲルめっき方法では、厚さが０．１μｍ以上、特に０．５μｍ以上、とりわけ１μｍ以上で、１００μｍ以下、特に１０μｍ以下、とりわけ５μｍ以下のめっき皮膜を形成することができる。また、例えば、端子パターンや、配線パターンとして形成されるようなパターンとして、例えば、径又は線幅が１００μｍ以上、特に２００μｍ以上で、２，０００μｍ以下、特に１，０００μｍ以下、とりわけ５００μｍ以下のめっき皮膜を形成することが可能である。更に、表面粗さＲａが２μｍ以下、特に１μｍ以下の表面状態が良好なめっき皮膜を形成することが可能である。

以下、実施例を示して、本発明を具体的に説明するが、本発明は、下記の実施例に限定されるものではない。

［実施例１］
被めっき物として銅板を準備し、めっき前処理として、脱脂（エースクリーン８５０（奥野製薬工業（株）製）、６０℃、６００秒）、化学研磨（ＣＰＢ−３０（菱江化学（株）製、室温（約２５℃）、６０秒）、酸活性（１０体積％硫酸水溶液、室温（約２５℃）、１０秒）を、順に施した。次に、前処理後の銅板の表面上に、ゲル状の銀めっき組成物を、φ５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍのドット状に塗布した。ゲル状の銀めっき組成物は、シアン化銀を１００ｇ／Ｌの濃度で含有し、更に、シアン化カリウムを１２０ｇ／Ｌの濃度で含有する電気銀めっき液に、ゲル化剤としてジェランガムを、めっき組成物全量に対して３０ｇ／Ｌとなるように混合して調製した。このゲル状の銀めっき組成物のｐＨは１２、ゲル粘度（２５℃）は１７０，０００ｍＰａ・ｓであった。

次に、電解質としてＮａＣｌを３６０ｇ／Ｌの濃度で含有する電解質溶液（水溶液）を調製した。この電解質溶液のｐＨは７であった。次に、室温（約２５℃）の電解質溶液に、ゲル状の銀めっき組成物を塗布した銅板を浸漬すると共に、アノードとして白金板を浸漬し、銅板をカソードとして、アノードとカソードとの間に２．５Ｖの電圧を１２分間印加して、ゲル状の銀めっき組成物中の銀イオンを、電解質溶液を介して電解還元することにより、銅板上に銀めっき皮膜を形成した。

形成された銀めっき皮膜の膜厚を、蛍光Ｘ線膜厚計（Ｘ−Ｓｔｒａｔａ９６０（ＯｘｆｏｒｄＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製））で測定したところ、４．９２μｍであった。従って、成膜速度は約２５μｍ／ｈｒである。また、表面粗さＲａを、走査型共焦点レーザー顕微鏡（ＯＬＳ４０００（オリンパス（株）製）で測定したところ０．８１μｍであった。更に、銀めっき皮膜の密着性を、テープ試験で評価したところ、剥がれはなく、良好であった。この場合、ゲル状の銀めっき組成物のスポットサイズであるφ５ｍｍの範囲内の全体に銀めっき皮膜が形成されたが、スポットの範囲外にも、部分的（電解質溶液の液面側）に銀めっき皮膜が形成されていた。

［実施例２］
被めっき物として銅板を準備し、めっき前処理を、実施例１と同様に施した。次に、前処理後の銅板の表面上に、実施例１で用いたゲル状の銀めっき組成物を、φ５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍのドット状に塗布した。

次に、ゲル化剤としてジェランガムを５ｇ／Ｌの濃度で含有し、電解質として作用する水酸化カリウムでｐＨを７に調整した電解質溶液（水溶液）を調製した。次に、室温（約２５℃）の電解質溶液に、ゲル状の銀めっき組成物を塗布した銅板を浸漬すると共に、アノードとして白金板を浸漬し、銅板をカソードとして、アノードとカソードとの間に６Ｖの電圧を３分間印加して、ゲル状の銀めっき組成物中の銀イオンを、電解質溶液を介して電解還元することにより、銅板上に銀めっき皮膜を形成した。

形成された銀めっき皮膜の膜厚を、実施例１と同様の方法で測定したところ、３．０１μｍであった。従って、成膜速度は約６０μｍ／ｈｒである。また、表面粗さＲａを、実施例１と同様の方法で測定したところ０．４５μｍであった。更に、銀めっき皮膜の密着性を、実施例１と同様の方法で評価したところ、剥がれはなく、良好であった。この場合、ゲル状の銀めっき組成物のスポットサイズであるφ５ｍｍの範囲内の全体に銀めっき皮膜が形成され、スポットの範囲外に、銀めっき皮膜が形成されることはなかった。

実施例２の電解質溶液に含まれるゲル化剤であるジェランガムは、カチオンの存在により強固なゲルを形成する作用を有し、このゲル化剤が、ゲル状の銀めっき組成物中に含まれるカリウムイオンに作用して、電解質溶液中で、ゲル状の銀めっき組成物の表面部にゲル被膜を形成することにより、ゲル状の銀めっき組成物中の成分が、電解質溶液へ溶解又は溶出することが抑制されているものと考えられる。また、この場合、銀めっき皮膜の表面粗さは、ゲル化剤を含まない電解質溶液を用いた実施例１と比べて良好であり、密着性も遜色ないことから、ゲル状の銀めっき組成物中の銀イオンは、ゲル状の銀めっき組成物に含まれるシアンにより錯体を形成しており、銀イオンは、ゲル被膜の形成に寄与していないと考えられる。

Claims

被めっき物上にゲル状のめっき組成物を塗布し、該ゲル状のめっき組成物を電解質溶液中に浸漬し、該電解質溶液中にアノードを浸漬し、上記被めっき物をカソードとして又はゲル状のめっき組成物にカソードを接触させて、上記ゲル状のめっき組成物中のめっき金属イオンを、上記電解質溶液を介して電解還元することにより、上記被めっき物上にめっき皮膜を形成することを特徴とするゲルめっき方法。
上記電解質溶液が、上記ゲル状のめっき組成物の表面部に被膜を形成する作用を有するゲル化剤を含むことを特徴とする請求項１記載のゲルめっき方法。