JP2018133513A

JP2018133513A - 熱処理装置

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Publication number: JP2018133513A
Application number: JP2017027711A
Authority: JP
Inventors: 勇羅; Yong Luo
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd
Priority date: 2017-02-17
Filing date: 2017-02-17
Publication date: 2018-08-23

Abstract

【課題】加熱後の基板を短時間で冷却することができる熱処理装置を提供する。【解決手段】ホットプレート１０にて加熱された基板Ｗを受け取ったローカル搬送機構３０の搬送アーム３１がアーム駆動機構３５によってホットプレート１０からクールプレート２０に移動する。加熱後の基板Ｗを保持した搬送アーム３１がクールプレート２０の直上位置に到達すると、クールプレート２０のリフトピンが上昇して搬送アーム３１から基板Ｗを受け取る。続いて、アーム分離機構３９がアームセグメント３１ａとアームセグメント３１ｂとを離間させて搬送アーム３１が開く。そして、リフトピンが下降することによって、基板Ｗがアームセグメント３１ａとアームセグメント３１ｂとの間を通過してクールプレート２０のプレート表面に直接載置されて冷却される。基板Ｗをクールプレート２０に直接接触させて冷却しているため、基板Ｗを短時間で冷却することができる。【選択図】図２

Description

本発明は、半導体ウェハーや液晶表示装置用ガラス基板等の薄板状精密電子基板（以下、単に「基板」と称する）に対して熱処理を行う熱処理装置に関する。

周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。これらの諸処理のうち熱処理は、典型的には、所定温度に温調されている平板形状のホットプレート上に基板を載置して加熱する熱処理装置によって行われる。

ホットプレートを搭載した熱処理装置においては、その熱処理装置に基板を搬入出する基板搬送ロボットとホットプレートとの間で基板を直接受け渡しすると、加熱された基板の熱が基板搬送ロボットの搬送ハンドに熱伝導し、搬送ハンドが蓄熱して昇温することがある。搬送ハンドが昇温すると、他の基板を搬送したときにその基板を加熱して不具合を生じさせることがある。

このため、例えば特許文献１には、熱処理装置に、ホットプレートに加えてクールプレートおよび当該クールプレートとホットプレートとの間で基板を搬送する専用のローカル搬送機構を設け、ホットプレートで加熱された基板をローカル搬送機構でクールプレートに移載して冷却してから基板搬送ロボットに基板を渡すことが提案されている。このようにすれば、基板搬送ロボットは熱処理後の基板から熱影響を受けなくなるため、搬送ハンドの昇温に起因した不具合を防止することができる。

特開２０１０−３４２０９号公報

しかしながら、特許文献１に開示される熱処理装置では、加熱された基板をホットプレートからクールプレートに移載するローカル搬送機構の搬送アームが板状部材とされており、その板状部材の搬送アームに加熱後の基板を載置したまま、搬送アームの裏面をクールプレートに接触させることによって搬送アームを介して基板を冷却している。すなわち、加熱後の基板が搬送アームを介して間接冷却されることとなるため、冷却時間が長くなるという問題が生じていた。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、加熱後の基板を短時間で冷却することができる熱処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に対して熱処理を行う熱処理装置において、基板を加熱するホットプレートと、基板を冷却するクールプレートと、前記ホットプレートと前記クールプレートとの間で基板を搬送する搬送機構と、を備え、前記搬送機構は、基板を保持する搬送アームと、前記搬送アームを前記ホットプレートと前記クールプレートとの間で移動させるアーム駆動機構と、前記搬送アームを第１アームセグメントと第２アームセグメントとに分離して離間させるアーム分離機構と、を備え、前記ホットプレートにて加熱された基板を受け取って保持した前記搬送アームが前記アーム駆動機構によって前記ホットプレートから前記クールプレートに移動され、前記アーム分離機構が前記第１アームセグメントと第２アームセグメントとを離間させることによって前記基板を前記クールプレートに直接載置して冷却することを特徴とする。

また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る熱処理装置において、前記搬送アームは前記基板の周縁部を支持することを特徴とする。

また、請求項３の発明は、請求項２の発明に係る熱処理装置において、前記クールプレートには基板を支持して昇降するリフトピンが設けられ、前記基板を保持した前記搬送アームが前記クールプレートの上方に到達したときに、前記リフトピンが上昇して前記搬送アームから前記基板を受け取り、前記アーム分離機構が前記第１アームセグメントと第２アームセグメントとを離間させた後に前記リフトピンが下降して前記基板を前記クールプレートに載置することを特徴とする。

また、請求項４の発明は、請求項１から請求項３のいずれかの発明に係る熱処理装置において、前記ホットプレートにて前記基板が加熱されているときに、前記搬送アームを前記クールプレートに接触させて冷却することを特徴とする。

請求項１から請求項４の発明によれば、搬送アームの第１アームセグメントと第２アームセグメントとを離間させることによって加熱後の基板をクールプレートに直接載置して冷却するため、加熱後の基板を短時間で冷却することができる。

特に、請求項４の発明によれば、ホットプレートにて基板が加熱されているときに、搬送アームをクールプレートに接触させて冷却するため、搬送アームへの蓄熱を防止することができる。

本発明に係る熱処理装置の正面図である。熱処理装置の平面図である。搬送アームが２つのアームセグメントに分離する動作を示す図である。熱処理装置における熱処理動作の内容を示す図である。熱処理装置における熱処理動作の内容を示す図である。熱処理装置における熱処理動作の内容を示す図である。熱処理装置における熱処理動作の内容を示す図である。熱処理装置における熱処理動作の内容を示す図である。熱処理装置における熱処理動作の内容を示す図である。熱処理装置における熱処理動作の内容を示す図である。熱処理装置における熱処理動作の内容を示す図である。熱処理装置における熱処理動作の内容を示す図である。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

図１は、本発明に係る熱処理装置１の正面図である。図２は、熱処理装置１の平面図である。熱処理装置１は、円形の基板Ｗに対して加熱処理を行う。熱処理装置１にて処理対象となる基板Ｗはシリコンの円板形状の半導体ウェハーであり、そのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ３００ｍｍやφ４５０ｍｍである。熱処理装置１は、例えば、基板Ｗにフォトレジストを塗布するレジスト塗布処理ユニット、露光後の基板Ｗに現像液を供給して現像処理を行う現像処理ユニット、各ユニットに対して基板Ｗを搬送する主搬送ロボットＴＲ等とともに、フォトリソグラフィー処理を行う基板処理装置（いわゆるコータ・デベロッパ）に組み込まれている。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。

熱処理装置１は、筐体８０の内部に主としてホットプレート１０、クールプレート２０およびローカル搬送機構３０を備える。筐体８０には、装置外部の主搬送ロボットＴＲ（基板処理装置の搬送ロボット）が熱処理装置１に基板Ｗを搬入出するための開口部８１が形成されている。主搬送ロボットＴＲは、開口部８１から搬送ハンド９１を筐体８０内に挿入して基板Ｗの搬入および搬出を行う。主搬送ロボットＴＲが搬送ハンド９１を挿入していないときは、開口部８１は図示省略のシャッターによって閉塞されている。

ホットプレート１０は、高い熱伝導率を有する金属材料（例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等）にて形成された円形の平板形状のプレートである。ホットプレート１０は、図示省略の加熱機構（例えばマイカヒータやヒートパイプ構造）を内蔵する。円形のホットプレート１０の径は基板Ｗの径よりも大きい。

ホットプレート１０には、プレート表面に出没する複数本（本実施の形態では３本）のリフトピン１１が設けられている。３本のリフトピン１１は、基板Ｗの直径の８０％以下の径を有する円形エリア内に配置される。例えば、基板Ｗがφ３００ｍｍの半導体ウェハーであれば、直径２４０ｍｍの円形エリア内に配置される。

３本のリフトピン１１は昇降機構１５によって一括して昇降される。昇降機構１５としては、例えばエアシリンダを用いることができる。各リフトピン１１は、ホットプレート１０に上下に貫通して設けられた挿通孔１２の内側に沿って昇降する。昇降機構１５が３本のリフトピン１１を上昇させると、各リフトピン１１の先端がホットプレート１０のプレート表面から突出する。また、昇降機構１５が３本のリフトピン１１を下降させると、各リフトピン１１の先端がホットプレート１０の挿通孔１２の内部に埋入する。従って、基板Ｗを支持したリフトピン１１が下降すると、ホットプレート１０のプレート表面に基板Ｗが載置されて基板Ｗの加熱処理が進行する。また、ホットプレート１０のプレート表面に基板Ｗが載置されている状態にてリフトピン１１が上昇すると、リフトピン１１によって基板Ｗが突き上げられてプレート表面から離間して基板Ｗの加熱処理が停止される。

クールプレート２０は、ホットプレート１０と同様に、高い熱伝導率を有する金属材料にて形成された円形の平板形状のプレートである。クールプレート２０は、図示省略の冷却機構（例えばペルチェ素子や冷却水の循環）を内蔵する。円形のクールプレート２０の径は基板Ｗの径よりも大きい。

クールプレート２０には、プレート表面に出没する複数本（本実施の形態では３本）のリフトピン２１が設けられている。リフトピン１１と同様に、３本のリフトピン２１は、基板Ｗの直径の８０％以下の径を有する円形エリア内に配置される。

３本のリフトピン２１は昇降機構２５によって一括して昇降される。昇降機構２５としては、例えばエアシリンダを用いることができる。各リフトピン２１は、クールプレート２０に上下に貫通して設けられた挿通孔２２の内側に沿って昇降する。昇降機構２５が３本のリフトピン２１を上昇させると、各リフトピン２１の先端がクールプレート２０のプレート表面から突出する。また、昇降機構２５が３本のリフトピン２１を下降させると、各リフトピン２１の先端がクールプレート２０の挿通孔２２の内部に埋入する。従って、基板Ｗを支持したリフトピン２１が下降すると、クールプレート２０のプレート表面に基板Ｗが載置されて基板Ｗの冷却処理が進行する。また、クールプレート２０のプレート表面に基板Ｗが載置されている状態にてリフトピン２１が上昇すると、リフトピン２１によって基板Ｗが突き上げられてプレート表面から離間して基板Ｗの冷却処理が停止される。

ローカル搬送機構３０は、搬送アーム３１と、搬送アーム３１を水平方向に沿って移動させるアーム駆動機構３５と、搬送アーム３１を分離するアーム分離機構３９と、を備える。本実施形態の搬送アーム３１は、２つのアームセグメント３１ａ，３１ｂに分離可能とされている。図３は、搬送アーム３１が２つのアームセグメント３１ａ，３１ｂに分離する動作を示す図である。

第１のアームセグメント３１ａの先端は概ね半円の円弧形状を有する。その円弧形状の径は基板Ｗの径よりも少し大きい。アームセグメント３１ａの円弧形状部分の内側には２つの鍔部３３が設けられている。

第２のアームセグメント３１ｂの先端は概ね四分円の円弧形状を有する。その円弧形状の径は、アームセグメント３１ａの円弧形状の径と同じであり、基板Ｗの径よりも少し大きい。アームセグメント３１ｂの円弧形状部分の内側には１つの鍔部３３が設けられている。

アーム分離機構３９は、アームセグメント３１ａとアームセグメント３１ｂとの間隔が拡がるように双方を水平方向に沿って移動させることによって、両アームセグメント３１ａ，３１ｂを分離して離間させる。また、アーム分離機構３９は、アームセグメント３１ａとアームセグメント３１ｂとの間隔が縮まるように双方を水平方向に沿って移動させることによって、両アームセグメント３１ａ，３１ｂを当接または近接させる。以降、アームセグメント３１ａとアームセグメント３１ｂとが分離して離間することを搬送アーム３１が開くと称し、逆にアームセグメント３１ａとアームセグメント３１ｂとが当接または近接することを搬送アーム３１が閉じると称する。なお、アーム分離機構３９としては、アームセグメント３１ａとアームセグメント３１ｂとを近接および離間させることができる機構であれば適宜のものを用いることができ、例えばエアシリンダとガイドレールとの組み合わせ等を採用することができる。

アームセグメント３１ａとアームセグメント３１ｂとが当接または近接して搬送アーム３１が閉じた状態（図３の実線の状態）では、両アームセグメント３１ａ，３１ｂの先端の円弧形状部分によって基板Ｗの外周の概ね４分の３を取り囲む円弧が形成される。搬送アーム３１が閉じた状態においては、３つの鍔部３３によって基板Ｗの周縁部が当接支持されて基板Ｗが搬送アーム３１に保持される。３つの鍔部３３によって周縁部が当接支持される基板Ｗの水平方向の位置ずれはアームセグメント３１ａ，３１ｂの円弧形状部分によって防がれる。搬送アーム３１が閉じた状態であっても、ホットプレート１０の３本のリフトピン１１およびクールプレート２０の３本のリフトピン２１は両アームセグメント３１ａ，３１ｂの先端の円弧形状部分の内側を上下方向に通過可能である。

一方、アームセグメント３１ａとアームセグメント３１ｂとが離間して搬送アーム３１が開いた状態（図３の二点鎖線の状態）では、両アームセグメント３１ａ，３１ｂの間を上下方向に基板Ｗが通り抜けることができる。搬送アーム３１が開いた状態では基板Ｗを保持することは当然に不可能である。

図１，２に戻り、アーム駆動機構３５は、水平駆動機構３６および鉛直駆動機構３７を備えて構成される。水平駆動機構３６は、例えばガイドレールとタイミングベルトを有しており、搬送アーム３１を水平方向に沿って移動させる。なお、搬送アーム３１のうちアームセグメント３１ａのみが水平駆動機構３６に連結され、アームセグメント３１ｂは水平駆動機構３６に直接には連結されていない。このため、アーム分離機構３９は、自由にアームセグメント３１ａとアームセグメント３１ｂとを近接または離間させることができる。

また、鉛直駆動機構３７は、例えばエアシリンダを有しており、搬送アーム３１を水平駆動機構３６とともに鉛直方向に沿って移動させる。これにより、アーム駆動機構３５は、搬送アーム３１をホットプレート１０とクールプレート２０との間で移動させることができる。また、アーム駆動機構３５は、搬送アーム３１をホットプレート１０またはクールプレート２０の上方にて昇降させることができる。なお、水平駆動機構３６および鉛直駆動機構３７は上記のものに限定されず、水平駆動機構３６は搬送アーム３１を水平方向にスライド移動できる構成であれば良く、鉛直駆動機構３７は搬送アーム３１を鉛直方向に昇降移動できる構成であれば良い。

また、熱処理装置１は、制御部６０を備える。制御部６０は、ホットプレート１０およびクールプレート２０に設けられた加熱機構および冷却機構の出力を制御するとともに、ローカル搬送機構３０の動作を制御する。制御部６０のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部６０は、各種演算処理を行う回路であるＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えている。制御部６０のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって熱処理装置１における基板Ｗの熱処理が進行する。なお、制御部６０は、熱処理装置１が組み込まれた基板処理装置全体の制御部であっても良い。

次に、図４から図１２を参照しつつ、上記構成を有する熱処理装置１における基板Ｗの熱処理動作について説明する。図４から図１２は、熱処理装置１における基板Ｗの熱処理動作の内容を順次に模式的に示すものである。熱処理装置１では、例えば、露光処理後の基板Ｗの露光後ベーク処理(PEB:Post Exposure Bake)が行われる。以下に説明する熱処理装置１の動作は、制御部６０が熱処理装置１の各部を制御することによって進行する。また、ホットプレート１０は予め所定の加熱温度に昇温されて維持され、クールプレート２０は予め所定の冷却温度に維持されている。

まず、図４に示すように、装置外部の主搬送ロボットＴＲが処理対象の基板Ｗを保持する搬送ハンド９１を筐体８０の開口部８１から進入させ、クールプレート２０の３本のリフトピン２１上に基板Ｗを置く。搬送ハンド９１の進入に先立ってクールプレート２０のリフトピン２１は上昇するとともに、ホットプレート１０のリフトピン１１は下降している。よって、３本のリフトピン２１の先端はクールプレート２０のプレート表面から突出しており、主搬送ロボットＴＲはそれら３本のリフトピン２１の上端に基板Ｗを渡す。このときの搬送アーム３１は、リフトピン２１に載置された基板Ｗとクールプレート２０との間で閉じた状態にて待機しているのが好ましい。

次に、図５に示すように、リフトピン２１が下降すると同時に、閉じた状態の搬送アーム３１が上昇し、基板Ｗはリフトピン２１から搬送アーム３１に渡される。基板Ｗは、その周縁部が鍔部３３によって支持されて搬送アーム３１に保持される。なお、単にリフトピン２１が下降することによって基板Ｗを搬送アーム３１に渡すようにしても良い。また、主搬送ロボットＴＲの搬送ハンド９１は筐体８０から退出し、開口部８１はシャッターによって閉塞される。

続いて、図６に示すように、基板Ｗを保持した搬送アーム３１がクールプレート２０の直上位置からホットプレート１０の直上位置に向けて水平移動する。そして、図７に示すように、ホットプレート１０の３本のリフトピン１１が上昇し、搬送ハンド３１の内側を通過して搬送ハンド３１に保持された基板Ｗを突き上げて支持する。

次に、図８に示すように、アーム分離機構３９がアームセグメント３１ａとアームセグメント３１ｂとを離間させて搬送アーム３１が開く。これにより、アームセグメント３１ａとアームセグメント３１ｂとの間を上下方向に基板Ｗが通り抜けることが可能となる。そして、図９に示すように、リフトピン１１が下降することによって、基板Ｗがアームセグメント３１ａとアームセグメント３１ｂとの間を通過してホットプレート１０のプレート表面に載置され、基板Ｗの加熱処理が進行する。

また、リフトピン１１が下降して基板Ｗがアームセグメント３１ａとアームセグメント３１ｂとの間を通過した後、アーム分離機構３９がアームセグメント３１ａとアームセグメント３１ｂとを当接または近接させて搬送アーム３１が閉じる。閉じた搬送アーム３１は、再度クールプレート２０の直上位置に向けて水平移動する。そして、搬送アーム３１が下降してクールプレート２０のプレート表面に接触する。すなわち、ホットプレート１０にて基板Ｗの加熱処理が行われているときに、搬送アーム３１をクールプレート２０に接触させて冷却しているのである。これにより、搬送アーム３１への蓄熱を防止することができる。

所定時間の加熱処理が終了する直前に、搬送アーム３１がクールプレート２０のプレート表面から上昇して再びクールプレート２０からホットプレート１０の直上位置に向けて水平移動する。そして、ホットプレート１０の直上位置にてアーム分離機構３９がアームセグメント３１ａとアームセグメント３１ｂとを離間させて搬送アーム３１が開く。

ホットプレート１０による基板Ｗの加熱処理が終了した時点にて、３本のリフトピン１１が上昇して基板Ｗをホットプレート１０のプレート表面から持ち上げて離間させ、さらにアームセグメント３１ａとアームセグメント３１ｂとの間を通過させて搬送アーム３１よりも上方にまで上昇させる（図８参照）。続いて、アーム分離機構３９がアームセグメント３１ａとアームセグメント３１ｂとを当接または近接させて搬送アーム３１が閉じ（図７参照）、加熱後の基板Ｗを支持するリフトピン１１が下降することによって当該基板Ｗがリフトピン１１から搬送アーム３１に渡される（図６参照）。

次に、ホットプレート１０にて加熱された基板Ｗを受け取って保持した搬送アーム３１がホットプレート１０の直上位置からクールプレート２０の直上位置に向けて水平移動する（図５参照）。そして、図１０に示すように、クールプレート２０の３本のリフトピン２１が上昇し、搬送ハンド３１の内側を通過して搬送ハンド３１に保持された基板Ｗを突き上げて支持する。

リフトピン２１によって基板Ｗが支持された後、図１１に示すように、アーム分離機構３９がアームセグメント３１ａとアームセグメント３１ｂとを離間させて搬送アーム３１が開く。これにより、アームセグメント３１ａとアームセグメント３１ｂとの間を上下方向に基板Ｗが通り抜けることが可能となる。そして、図１２に示すように、リフトピン２１が下降することによって、基板Ｗがアームセグメント３１ａとアームセグメント３１ｂとの間を通過してクールプレート２０のプレート表面に直接載置される。クールプレート２０に直接載置された基板Ｗは、クールプレート２０によって冷却される。

加熱処理後の基板Ｗをクールプレート２０に直接載置することによって、基板Ｗはクールプレート２０によって直接冷却されることとなり、当該基板Ｗを短時間で冷却することができる。また、リフトピン２１が下降して基板Ｗがアームセグメント３１ａとアームセグメント３１ｂとの間を通過した後、アーム分離機構３９がアームセグメント３１ａとアームセグメント３１ｂとを当接または近接させて搬送アーム３１が閉じる。

所定時間の冷却処理が終了して基板Ｗの温度が約５０℃以下にまで降温した後、３本のリフトピン２１が上昇して基板Ｗをクールプレート２０のプレート表面から持ち上げて離間させる。続いて、筐体８０の開口部８１が開放され、主搬送ロボットＴＲが搬送ハンド９１を開口部８１から進入させてリフトピン２１に支持された基板Ｗの下方にまで進出させる。そして、リフトピン２１が下降することによって、基板Ｗはリフトピン２１から搬送ハンド９１に渡される。その後、主搬送ロボットＴＲが基板Ｗを保持した搬送ハンド９１を筐体８０から退出させることによって、処理後の基板Ｗは熱処理装置１から搬出される。主搬送ロボットＴＲの搬送ハンド９１は、冷却後の基板Ｗを受け取ることとなるため、高温の基板Ｗからの熱伝導に起因した搬送ハンド９１の蓄熱は防止される。

本実施形態においては、ホットプレート１０にて加熱された基板Ｗを受け取ったローカル搬送機構３０の搬送アーム３１がアーム駆動機構３５によってホットプレート１０からクールプレート２０に移動する。加熱後の基板Ｗを保持した搬送アーム３１がクールプレート２０の直上位置に到達すると、クールプレート２０のリフトピン２１が上昇して搬送アーム３１から基板Ｗを受け取る。続いて、アーム分離機構３９がアームセグメント３１ａとアームセグメント３１ｂとを離間させて搬送アーム３１が開く。そして、リフトピン２１が下降することによって、基板Ｗがアームセグメント３１ａとアームセグメント３１ｂとの間を通過してクールプレート２０のプレート表面に直接載置されて冷却される。

加熱後の基板Ｗをクールプレート２０に接触した搬送アームを介して間接冷却するのではなく、クールプレート２０に直接接触させて冷却しているため、基板Ｗを短時間で冷却することができる。特に、熱処理装置１による加熱処理が露光後ベーク処理（ＰＥＢ）である場合には、加熱後の基板Ｗの冷却に長時間を要すると所望のパターン線幅寸法が得られないおそれがあるが、基板Ｗをクールプレート２０に直接載置して短時間で冷却することができれば線幅寸法の精度を高めることができる。

以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、搬送アーム３１のアームセグメント３１ａ，３１ｂが基板Ｗの周縁部を支持する円弧形状を有していたが、これに限定されるものではなく、搬送アーム３１は２つに分離可能な他の形状であっても良い。例えば、円板状の搬送アームが２つの半円板状部材に分離可能とされていても良い。ホットプレート１０にて加熱された基板Ｗを円板状の搬送アームによって保持すれば、加熱後の基板Ｗを直ちに冷却することができる。但し、２つの半円板状部材は、それらの間を基板Ｗが通過可能な程度にまで離間する必要があり、上記実施形態に比較して２つの半円板状部材を離間させる距離が長くなる。そうすると、搬送アームを開くために大きなスペースを確保する必要が生じる。

また、熱処理装置１によって処理対象となる基板Ｗは半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などのフラットパネルディスプレイに用いるガラス基板や太陽電池用の基板であっても良い。

１熱処理装置
１０ホットプレート
１１，２１リフトピン
１５，２５昇降機構
２０クールプレート
３０ローカル搬送機構
３１搬送アーム
３１ａ，３１ｂアームセグメント
３３鍔部
３５アーム駆動機構
３９アーム分離機構
Ｗ基板

Claims

基板に対して熱処理を行う熱処理装置であって、
基板を加熱するホットプレートと、
基板を冷却するクールプレートと、
前記ホットプレートと前記クールプレートとの間で基板を搬送する搬送機構と、
を備え、
前記搬送機構は、
基板を保持する搬送アームと、
前記搬送アームを前記ホットプレートと前記クールプレートとの間で移動させるアーム駆動機構と、
前記搬送アームを第１アームセグメントと第２アームセグメントとに分離して離間させるアーム分離機構と、
を備え、
前記ホットプレートにて加熱された基板を受け取って保持した前記搬送アームが前記アーム駆動機構によって前記ホットプレートから前記クールプレートに移動され、前記アーム分離機構が前記第１アームセグメントと第２アームセグメントとを離間させることによって前記基板を前記クールプレートに直接載置して冷却することを特徴とする熱処理装置。
請求項１記載の熱処理装置において、
前記搬送アームは前記基板の周縁部を支持することを特徴とする熱処理装置。
請求項２記載の熱処理装置において、
前記クールプレートには基板を支持して昇降するリフトピンが設けられ、
前記基板を保持した前記搬送アームが前記クールプレートの上方に到達したときに、前記リフトピンが上昇して前記搬送アームから前記基板を受け取り、前記アーム分離機構が前記第１アームセグメントと第２アームセグメントとを離間させた後に前記リフトピンが下降して前記基板を前記クールプレートに載置することを特徴とする熱処理装置。
請求項１から請求項３のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記ホットプレートにて前記基板が加熱されているときに、前記搬送アームを前記クールプレートに接触させて冷却することを特徴とする熱処理装置。