JP2018128521A5 - - Google Patents
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Description
一般に、表示装置の一例である液晶表示装置（液晶ディスプレイ）に含まれる液晶パネルは、アレイ基板を含む。アレイ基板は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））、ＴＦＴに接続された画素電極を有する。液晶パネルは、アレイ基板と対向する対向基板（ＣＦ基板）をさらに含む。対向基板には、対向電極、樹脂膜等が形成されている。アレイ基板および対向基板は、シール材により、互いに貼り合わせられる。シール材は、表示領域を囲むように、形成されている。シール材の形状は、閉ループ状（枠状）である。
第２の透明導電膜（酸化物半導体膜）の厚みは、例えば、８０ｎｍである。酸化物半導体膜は、例えば、ＩｎＧａＺｎＯで構成される。当該酸化物半導体膜の比抵抗は、例えば、１×１０２から１×１０５（Ω・ｃｍ）程度である。以下においては、ＩｎＧａＺｎＯを、「ＩＧＺＯ」とも称する。
状態が半導体である酸化物半導体膜は、当該酸化物半導体膜に、ＵＶ（UltraViolet）レーザーが照射されることにより、当該酸化物半導体膜の状態が、半導体から導体に変化する性質を有する。また、状態が導体である酸化物半導体膜は、Ｎ ２ Ｏガスを含むプラズマが照射されることにより、当該酸化物半導体膜の状態が、導体から絶縁体に変化する性質を有する。
また、状態が半導体である酸化物半導体膜は、当該酸化物半導体膜に、Ｎ ２ Ｏガスを含むプラズマが照射されることにより、当該酸化物半導体膜の状態が、半導体から絶縁体に変化する性質を有する。また、状態が絶縁体である酸化物半導体膜は、当該酸化物半導体膜に、ＵＶレーザーが照射されることにより、当該酸化物半導体膜の状態が、絶縁体から導体に変化する性質を有する。
プラズマ処理では、図３（ｂ）および図１２（ｃ）のように、表示領域ＲｇｄがフォトマスクＭＫ１により覆われた状態で、プラズマ装置が、非表示領域Ｒｇｘに対し、Ｎ ２ Ｏガスを含むプラズマを照射する。これにより、状態が導体である酸化物半導体膜は、当該酸化物半導体膜の状態が、導体から絶縁体に変化する。すなわち、導体部ＣＥｅ（酸化物半導体膜）のうち、非表示領域Ｒｇｘに存在する部分が、絶縁体である絶縁部ＣＥｘに変化する（図１２（ｄ）、図５参照）。すなわち、プラズマ処理は、酸化物半導体膜（導体部ＣＥｅ）のうち、非表示領域Ｒｇｘに形成するための部分を絶縁体（絶縁部ＣＥｘ）に変化させるための処理である。なお、絶縁部ＣＥｘの比抵抗は、例えば、約１×１０７（Ω・ｃｍ）である。
製造方法Ｂでは、図１１（ｃ）の構成に対し、絶縁体形成工程が行われる。構成Ｃｔ２の絶縁体形成工程では、プラズマ処理Ｂが行われる。プラズマ処理Ｂでは、図１３（ａ）のように、基板１１１の上方に存在する部材の最上面全体に、プラズマ装置が、Ｎ ２ Ｏガスを含むプラズマを照射する。これにより、状態が半導体である酸化物半導体膜は、当該酸化物半導体膜の状態が、半導体から絶縁体に変化する。すなわち、層間絶縁膜１２（ＳｉＯ膜）と接している透明導電膜ＣＥｎ（酸化物半導体膜）は、絶縁体である絶縁部ＣＥｘに変化する（図１３（ｂ）参照）。つまり、プラズマ処理Ｂは、酸化物半導体膜（透明導電膜ＣＥｎ）のうち、非表示領域Ｒｇｘに形成するための部分を絶縁体に変化させるための処理である。
また、プラズマ処理またはプラズマ処理Ｂで使用されるプラズマは、少なくとも、Ｎ ２ Ｏガスを含むプラズマであればよい。
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