JP2018125848A5 - - Google Patents

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本開示の一態様に係る撮像装置は、画素電極、前記画素電極に電気的に接続された電荷蓄積領域、及び前記電荷蓄積領域に電気的に接続された信号検出回路を含む単位画素セルと、前記画素電極に対向する対向電極と、前記画素電極及び前記対向電極の間に配置された光電変換層と、演算回路と、を備える。前記光電変換層は、前記画素電極及び前記対向電極の間に第１電圧が印加されると、第１波長域の第１の光を第１電気信号に変換し、前記画素電極及び前記対向電極の間に前記第１電圧と異なる第２電圧が印加されると、前記第１波長域とは異なる第２波長域の第２の光を第２電気信号に変換する。前記演算回路は、前記画素電極及び前記対向電極の間に前記第１電圧が印加されることにより、前記第１電気信号に基づき、前記第１の光を用いて撮像された画像に相当する第１信号を取得し、前記画素電極及び前記対向電極の間に前記第２電圧が印加されることにより、前記第２電気信号に基づき、前記第２の光を用いて撮像された画像に相当する第２信号を取得し、前記第１信号と前記第２信号とを用いて所定の演算を行うことにより、前記１波長域および前記第２波長域の何れとも異なる第３波長域の第３の光を用いて撮像された画像に相当する第３信号を生成する。

Claims (13)

  1. 画素電極、前記画素電極に電気的に接続された電荷蓄積領域、及び前記電荷蓄積領域に電気的に接続された信号検出回路を含む単位画素セルと、
    前記画素電極に対向する対向電極と、
    前記画素電極及び前記対向電極の間に配置され、
    前記画素電極及び前記対向電極の間に第１電圧が印加されると、第１波長域の第１の光を第１電気信号に変換し、
    前記画素電極及び前記対向電極の間に前記第１電圧と異なる第２電圧が印加されると、前記第１波長域とは異なる第２波長域の第２の光を第２電気信号に変換する光電変換層と、
    前記画素電極及び前記対向電極の間に前記第１電圧が印加されることにより、前記第１電気信号に基づき、前記第１の光を用いて撮像された画像に相当する第１信号を取得し、
    前記画素電極及び前記対向電極の間に前記第２電圧が印加されることにより、前記第２電気信号に基づき、前記第２の光を用いて撮像された画像に相当する第２信号を取得し、
    前記第１信号と前記第２信号とを用いて所定の演算を行うことにより、前記１波長域および前記第２波長域の何れとも異なる第３波長域の第３の光を用いて撮像された画像に相当する第３信号を生成する演算回路と、を備える
    撮像装置。
  2. 前記画素電極及び前記対向電極の間に、前記第１電圧または前記第２電圧を選択的に供給可能な電圧供給回路をさらに備える、
    請求項１に記載の撮像装置。
  3. 前記演算回路は、前記第１信号から、前記第２信号にゲインを乗算することにより得られた信号を減算することにより、前記第３信号を生成する、
    請求項１に記載の撮像装置。
  4. 前記ゲインは、
    前記画素電極及び前記対向電極の間に前記第２電圧が印加された場合の前記光電変換層の量子効率に対する、前記画素電極及び前記対向電極の間に前記第１電圧が印加された場合の前記光電変換層の量子効率の比に相当する、
    請求項３に記載の撮像装置。
  5. 前記ゲインは、
    前記画素電極及び前記対向電極の間に前記第２電圧が印加された場合の前記光電変換層の量子効率に対する、前記画素電極及び前記対向電極の間に前記第１電圧が印加された場合の前記光電変換層の量子効率の比と、
    前記画素電極及び前記対向電極の間に前記第２電圧が印加されている時間である第２露光時間に対する、前記画素電極及び前記対向電極の間に前記第１電圧が印加されている時間である第１露光時間の比と、の積に相当する、
    請求項３に記載の撮像装置。
  6. 前記第１露光時間は、前記第２露光時間より短い、
    請求項５に記載の撮像装置
  7. 前記演算回路は、前記第１信号に第１ゲインを乗算することにより得られた第４信号から、前記第２信号に前記第１ゲインと異なる第２ゲインを乗算することにより得られた第５信号を減算することにより、前記第３信号を生成する、
    請求項１に記載の撮像装置。
  8. 前記第２ゲインに対する前記第１ゲインの比は、
    前記画素電極及び前記対向電極の間に前記第１電圧が印加された場合の前記光電変換層の量子効率に対する、前記画素電極及び前記対向電極の間に前記第２電圧が印加された場合の前記光電変換層の量子効率の比に相当する、
    請求項７に記載の撮像装置。
  9. 前記第２ゲインに対する前記第１ゲインの比は、
    前記画素電極及び前記対向電極の間に前記第１電圧が印加された場合の前記光電変換層の量子効率に対する、前記画素電極及び前記対向電極の間に前記第２電圧が印加された場合の前記光電変換層の量子効率の比と、
    前記画素電極及び前記対向電極の間に前記第１電圧が印加されている時間である第１露光時間に対する、前記画素電極及び前記対向電極の間に前記第２電圧が印加されている時間である第２露光時間の比と、の積に相当する、
    請求項７に記載の撮像装置。
  10. 前記第１露光時間は、前記第２露光時間より短い、
    請求項９に記載の撮像装置。
  11. 前記光電変換層は、複数の光電変換膜を含む、
    請求項１に記載の撮像装置。
  12. 前記複数の光電変換膜のうち少なくとも１つは、有機材料を含む、
    請求項１１に記載の撮像装置。
  13. 前記第１波長域は可視波長域および赤外波長域であり、
    前記第２波長域は可視波長域であり、
    前記第３波長域は赤外波長域である、
    請求項１に記載の撮像装置。
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