JP2018125413A - 電子部品および電子部品の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】電子部品において、熱膨張係数が異なる基板を備える電子部品であっても、製造が容易であり、信頼性が良好になるようにする。
【解決手段】電子部品１は、基板面２ａを有する第１の基板２と、第１の基板２に配置された第２の基板３と、第１の基板２と第２の基板３の周縁部とを接続する接続部材４と、を備え、接続部材４により第２の基板３が第１の基板２に固定されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、電子部品および電子部品の製造方法に関する。
電子部品の製造方法において、回路が形成された配線基板に、例えば、はんだ付けなどによって予め素子部品が実装された部品基板を、電気的に接続することが知られている。この場合、部品基板は、素子部品の実装時に熱負荷を受けている。
このような電子部品および電子部品の製造方法に関連して、例えば、特許文献１〜３に、配線基板に部品基板が接続された種々の電子部品が開示されている。
特開平６−３５００２０号公報 特開平８−１２４９６７号公報 特開平１１−２５１４８３号公報
部品基板と素子部品とは、それぞれの材質の相違により熱膨張係数が異なっている。このため、熱負荷を受けた状態で互いに接合されると、接合工程終了後の収縮率の相違によるバイメタル効果などによって、部品基板に反りが発生する。
反りが発生した部品基板は、反りの大きさによっては、配線基板と接合できないおそれがあるという問題がある。
反りが発生した部品基板は、その接合用電極と、配線基板における接合用電極との対向距離にバラツキが生じる。このため、反りが発生した部品基板と配線基板とは、互いに接合できる場合でも、対向距離が大きな部位では接合部における接合強度が低くなるおそれがある。さらに、反りが発生した部品基板は、使用時の発熱または熱環境によって、反り状態が変化しやすい。この結果、部品基板と配線基板との接合部が繰り返し熱応力を受けるため、電気接続の信頼性が低下するおそれがあるという問題がある。
特許文献１〜３に記載の電子部品においては、部品基板が配線基板と直接的に接続されているため、これらの問題を解決しうる構成は開示されていない。
そこでこの発明は、上述した課題を解決する電子部品および電子部品の製造方法を提供することを目的としている。
本発明の第１の態様によれば、電子部品は、第１の基板面を有する第１の基板と、前記第１の基板に配置された第２の基板と、前記第１の基板と、前記第２の基板の周縁部と、を接続する接続部材と、を備え、前記接続部材により前記第２の基板が前記第１の基板に固定されている。
本発明の第２の態様によれば、電子部品の製造方法は、第２の基板を、第１の基板に配置することと、前記第１の基板と、前記第２の基板の周縁部とにまたがって、接続部材を配置することと、前記接続部材により前記第１の基板と、前記第２の基板の前記周縁部とを固定することと、
を含む。
本発明の電子部品および電子部品の製造方法によれば、熱膨張係数が異なる基板を備える電子部品であっても、製造が容易であり、信頼性が良好になる。
本発明の第１の実施形態の電子部品の一例を示す模式的な平面図である。 図１におけるＡ−Ａ断面図である。 本発明の第１の実施形態の電子部品の作用を説明する模式図である。 比較例の電子部品の作用を説明する模式図である。 本発明の第２の実施形態の電子部品の模式的な平面図である。 図５におけるＢ−Ｂ断面図である。 本発明の第２の実施形態の電子部品における接続部材の近傍の構成を示す模式的な分解斜視図である。 本発明の第２の実施形態の電子部品の製造方法の一例を示すフローチャートである。 本発明の第２の実施形態の電子部品の製造方法の一例における工程説明図である。 本発明の第２の実施形態の電子部品の作用を説明する模式図である。 本発明の第３の実施形態の電子部品の一例を示す模式的な断面図である。 本発明の第４の実施形態の電子部品の一例を示す模式的な平面図およびそのＣ部詳細図である。 本発明の第５の実施形態の電子部品の一例を示す模式的な平面図である。 図１３におけるＤ−Ｄ断面図である。 本発明の第６の実施形態の電子部品の一例を示す模式的な断面図である。 本発明の第６の実施形態の変形例（第１変形例）の電子部品の一例を示す模式的な断面図である。 本発明の第６の実施形態の変形例（第２変形例）の電子部品の一例を示す模式的な断面図である。
以下では、本発明の実施形態について添付図面を参照して説明する。すべての図面において、実施形態が異なる場合であっても、同一または相当する部材には同一の符号を付し、共通する説明は省略する。
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態の電子部品について説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態の電子部品の一例を示す模式的な平面図である。図２は、図１におけるＡ−Ａ断面図である。
なお、各図面は、模式図のため形状や寸法は誇張されている（以下の図面も同じ）。
図１に示すように、本実施形態の電子部品１は、第１の基板２、第２の基板３、および接続部材４を備える。
第１の基板２は、電子部品１における主基板である。第１の基板２の基板面２ａ、２ｂには、種々の電子デバイス（図示略）が実装されていてもよい。
第１の基板２は、例えば、プリント配線基板（ＰＷＢ）などの電子回路基板で構成されてもよい。第１の基板２の形状は特に限定されない。図１に例示された電子部品１では、第１の基板２は平面視矩形状である。
第２の基板３は、電子部品１におけるモジュール基板である。第２の基板３は、例えば、複数のＬＳＩ（図示略）が実装された構成でもよい。
第２の基板３は、第１の基板２と同様、ＰＷＢなどの電子回路基板で構成されてもよい。ただし、第２の基板３は、第１の基板２の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有する材料で構成されてもよい。例えば、第２の基板３に複数のＬＳＩが密集して実装されると、ＬＳＩの発熱によって高温になりやすい。ＬＳＩの熱膨張係数は一般的にＰＷＢなどの回路基板より小さいため、第２の基板３は、第１の基板２よりも熱膨張係数が小さい材料で構成されてもよい。
さらに、第２の基板３にＬＳＩなどが実装される場合、例えば、ＬＳＩが実装されたインターポーザー基板が第２の基板３にＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）実装されてもよい。この場合、ＬＳＩは、インターポーザー基板にＢＧＡ接合されていてもよい。例えば、インターポーザー基板としては、シリコンインターポーザー基板、有機系インターポーザー基板が挙げられる。有機系インターポーザー基板が用いられる場合、熱膨張係数が第２の基板３の熱膨張係数よりも小さい低熱膨張有機系インターポーザー基板が用いられることがより好ましい。
第２の基板３の平面視形状は特に限定されない。図１に示す電子部品１では、第２の基板３は、一例として、平面視矩形状である。
接続部材４は、第１の基板２と、第２の基板３の周縁部の少なくとも一部とを接続する。ここで、第２の基板３の「周縁部」とは、第２の基板３の基板面３ａ、３ｂにおいて、平面視の外形からの距離が、第２の基板３の外形幅の２５％以下の帯状の領域である。例えば、図１に例示されたように、第２の基板３の外形が幅Ｗｘ×Ｗｙの矩形の場合、幅Ｗｘの辺に沿う周縁部の幅ｗｙは、０．２５×Ｗｙ以下である。同様に、幅Ｗｙの辺に沿う周縁部の幅ｗｘは、０．２５×Ｗｘ以下である。周縁部はより狭い幅であることがより好ましい。例えば、周縁部の幅ｗｘ（ｗｙ）を、α×Ｗｘ（α×Ｗｙ）と表すと、αは、０．２以下，０．１５以下、０．１以下、０．０１以下などであってもよい。
基板面３ａ、３ｂにおいて、上述の周縁部よりも内側の領域は、「中心部」と称する。
接続部材４は、周縁部のみに設けられ、中心部には設けられないことがより好ましい。
周縁部における接続部材４の配置位置は限定されない。図１に示す例では、接続部材４は、図示左右方向における第２の基板３の周縁部にそれぞれ配置されている。図１に示す例では、図示上下方向における第２の基板３の周縁部には、接続部材４は設けられていない。
ただし、接続部材４は、第２の基板３の外形に沿って、周縁部内を周回する閉曲線状に設けられていてもよい。
図１において、各接続部材４は、図示上下方向に延びる１列の線状に設けられている。しかし、各接続部材４は、それぞれ複数からなっていてもよい。この場合、それぞれの複数の接続部材４は、周縁部の範囲で、短手方向および長手方向の少なくとも一方において隣り合う複数個から構成されていてもよい。
接続部材４が複数からなる場合、複数の接続部材４は、平面視において、互いに離間した複数のドット状に形成されていてもよい。
接続部材４は、第１の基板２と第２の基板３とを接続することにより、第２の基板３を第１の基板２に固定できる適宜の部材が用いられる。接続部材４の材質は、例えば、第１の基板２と第２の基板３との熱膨張係数の差に起因して発生する熱応力に応じて変形可能であることがより好ましい。
接続部材４は、第１の基板２と第２の基板３とを機械的に接続する。接続部材４はさらに第１の基板２と第２の基板３とを電気的に接続してもよい。
接続部材４の材質としては、例えば、はんだ、導電性接着剤などが用いられてもよい。接続部材４が第１の基板２と第２の基板３とを電気的に接続しない場合には、接続部材４として非導電性の接着剤が用いられてもよい。
図２に示すように、本実施形態の電子部品１において、第２の基板３は、第１の基板２の基板面２ａの上方において、第１の基板２と略平行（平行の場合を含む）に配置されている。このため、第２の基板３の基板面３ｂは、基板面２ａと対向している。
基板面３ｂにおける周縁部と、これに対向する基板面２ａとの間には、接続部材４が配置されている。接続部材４は、基板面２ａ、３ｂにそれぞれ固定されている。
このような構成により、基板面２ａ、３ｂは、隙間δ（ただし、δ＞０）をあけて互いに対向している。
このような構成を有する電子部品１の作用について説明する。
図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の第１の実施形態の電子部品の作用を説明する模式図である。
第２の基板３に、例えば、ＬＳＩなどの電子デバイスが実装される場合、電子デバイスの実装にははんだ接合が用いられることが多い。この場合、第２の基板３は、実装工程においてはんだの融点以上の高温に曝される。この結果、電子デバイスが実装されてから常温に戻ると、電子デバイスと第２の基板３との間の熱膨張係数の違いによって、第２の基板３に反りが発生するおそれがある。
例えば、電子デバイスの熱膨張係数よりも第２の基板３の熱膨張係数が大きい場合、常温では、図３（ａ）に示す第２の基板３Ａのように、部品実装面である基板面３ａが凸の反りが生じる。
例えば、第２の基板３に、ＬＳＩとして、多数の接続端子を有するＣＰＵ、メモリなどが実装される場合、これらのＬＳＩは、シリコンインターポーザー基板にＢＧＡ接合されて、このシリコンインターポーザー基板と第２の基板３とがＢＧＡ接合されることが多い。シリコンインターポーザー基板の熱膨張係数は、約３×１０−６（１／Ｔ）である。これに対して、第２の基板３に用いることができる有機基板からなるＰＷＢの場合、熱膨張係数は、約１６×１０−６（１／Ｔ）である。このため、シリコンインターポーザー基板が有機基板にＢＧＡ接合される場合、有機基板が熱膨張した状態で接合構造が形成される。この結果、ＢＧＡ接合後、常温雰囲気になると、有機基板が相対的により多く収縮することによって、例えば、第２の基板３Ａのように、シリコンインターポーザー基板側の基板面３ａが凸になる反りが発生する。
ＬＳＩが有機系インターポーザー基板にＢＧＡ接合されて第２の基板３に接合される場合にも、有機系インターポーザー基板の熱膨張係数がＰＷＢより小さい場合には同様の現象が生じる。
このように、基板面３ａが凸になる反りが発生すると基板面３ｂは凹面になる。このため、第２の基板３Ａを第１の基板２に固定する際、基板面２ａと基板面３ｂとの間の隙間は、周縁部に比べて中心部の方が大きくなる。しかし、本実施形態では、接続部材４が第２の基板３Ａの周縁部のみに接続される。このため、第２の基板３Ａのように反りがあっても、第２の基板３Ａは、接続不良が発生することなく接続部材４を介して第１の基板２に固定される。
さらにこのような固定状態では、基板面３ｂの中心部において、基板面２ａとの間にδ’（ただし、δ’＞δ）の隙間が形成される。第２の基板３Ａは、周縁部のみが接続部材４によって拘束されている。この結果、第２の基板３Ａの固定後に電子デバイスの発熱によって第２の基板３Ａが熱膨張する場合に、中心部が拘束されている場合よりも第２の基板３Ａの変形が容易である（図３（ａ）における実線矢印参照）。その際、第２の基板３Ａの反りの変化は、基板面３ｂの中心部における隙間δ’が増大するように変化する。このため、第２の基板３Ａと第１の基板２とが中心部で接触して変形が阻止されることはない。
このように、本実施形態では、第２の基板３Ａの熱膨張は、第２の基板３Ａ自体が変形することで、ある程度吸収されるため、接続部材４および第１の基板２に対する応力負荷が低減される。この結果、電子部品１全体としての反りが生じにくい。さらに、接続部材４に発生するストレスが低減できるため、接続部材４の破損などが防止される。
電子部品１の使用環境温度が上昇する場合には、第２の基板３Ａの熱膨張係数と第１の基板２の熱膨張係数との違いにより、第１の基板２の伸びが大きくなる場合が多い。この場合、第２の基板３Ａは、中心部が拘束されておらず、第１の基板２との間には、反りが低減する方向に変形する余裕がある。このため、第１の基板２の熱膨張とともに、第２の基板３も変形することによって、第１の基板２の熱膨張が阻害されることが少ない（図３（ａ）における破線矢印参照）。この結果、電子部品１全体としての反りが生じにくい。さらに、接続部材４に発生するストレスが低減できるため、接続部材４の破損などが防止される。
さらに、接続部材４が、第２の基板３Ａあるいは第１の基板２の熱膨張によって発生する熱応力によって変形可能な材料で構成される場合、上述した第２の基板３Ａの変形に加えて、接続部材４自体の変形によっても熱応力が吸収される。
このため、接続部材４と、第２の基板３Ａおよび第１の基板２との接続部とにおける応力負荷が低減されるため、接続部材４における接続の信頼性が向上する。
第２の基板３の平面度の部品バラツキなどによっては、例えば、図３（ｂ）に示す第２の基板３Ｂのように、基板面３ａが凹となる反りが生じることも考えられる。この場合、接続部材４の高さδを、予想される反り量よりも大きくしておくことによって、基板面３ｂの中心部において、基板面２ａとの間に隙間δ’’（ただし、０＜δ’’＜δ）を確保することができる。
この場合、第２の基板３Ｂは、第２の基板３Ａと同様に基板面３ｂの中心部において拘束されないため、第２の基板３Ｂあるいは第１の基板２に熱変形が生じても、隙間δ’’の範囲内の変形であれば、電子部品１全体としての反りが生じにくい。さらに、接続部材４に発生するストレスが低減できるため、接続部材４の破損などが防止される。
本実施形態では、接続部材４が第２の基板３の周縁部に配置されるため、第２の基板３の中心を通る断面における接続部材４の断面積は、第２の基板３の断面積に比べて小さい。
このため、図３（ｃ）に示すように、第２の基板３の熱膨張によって、接続部材４がせん断変形し易くなっている。接続部材４がせん断変形すると、接続部材４が第２の基板３の熱膨張に起因する熱応力を吸収できる。このため第１の基板２の変形が抑制される。
以上説明した本実施形態の電子部品１の作用について、比較例と対比して説明する。
図４（ａ）、（ｂ）は、それぞれ比較例の電子部品の作用を説明する模式図である。
図４（ａ）に第１比較例の電子部品１０１Ａを示す。本比較例は、上記第１の実施形態の電子部品１に代えて、接続部材１０４を備える。
接続部材１０４は、接続部材４と同様の構成を備える。ただし、接続部材１０４は、基板面３ｂの周縁部および中心部にわたって、より細かいピッチで多数配置されている。
このような構成により、電子部品１０１Ａにおける第２の基板３は、接続部材１０４を介して、基板面３ｂの略全面が第１の基板２と接続されている。すなわち、第２の基板３と第１の基板２とは、接続部材１０４を介して、基板面３ｂに沿う方向と、基板面３ｂに直交する方向との変形が互いに拘束されている。
この結果、第２の基板３および第１の基板２の少なくとも一方が熱膨張すると、それぞれの温度あるいは熱膨張係数の差に応じてバイメタル効果が生じる。このため、電子部品１０４Ａ全体としての反りが発生しやすい。
図４（ｂ）に第２比較例の電子部品１０１Ｂを示す。本比較例は、上記第１比較例における第２の基板３に代えて、常温で反りが発生している第２の基板３Ａを備える。
このような場合、製造工程において第２の基板３Ａを第１の基板２と接続する際に、基板面３ｂの周縁部と対向する接続部材１０４Ａと、基板面３ｂの中心部で対向する接続部材１０４Ｂとでは、基板面３ｂまでの距離が異なる。特に基板面３ｂまでの距離が反りの分だけ離れた接続部材１０４Ｂは、反り量によっては、基板面３ａとの接続が困難になる。接続部材１０４Ｂが基板面３ｂに接続できた場合でも、接続部材１０４Ａに比べると、接続強度が低下するおそれがある。
このような問題を回避するためには、例えば、第２の基板３Ａの反り量および接続部材１０４の配置位置によって、接続部材１０４の高さを変えなくてはならない。このため、第２比較例の電子部品１０１Ｂは、製造に手間がかかるという問題がある。
さらに、第２の基板３Ａは、使用時に熱膨張を繰り返すと、中心部において、第１の基板２から離間する方向に変形しやすい。このため、中心部における接続部材１０４Ｂには、温度変化による膨張収縮の繰り返しに起因する繰り返し応力が作用する。
このように、接続部材１０４Ｂは、製造時に固定できたとしても、繰り返し応力の作用によって、経時的な信頼性が低下しやすいという問題がある。
これに対して、本実施形態では、第２の基板３の中心部が、接続部材４によって拘束されないため、上述の各比較例における問題は生じない。
以上説明したように、本実施形態の電子部品１によれば、熱膨張係数が異なる基板を備えていても、製造が容易であり、信頼性が良好になる。
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態の電子部品について説明する。
図５は、本発明の第２の実施形態の電子部品の模式的な平面図である。図６は、図５におけるＢ−Ｂ断面図である。図７は、本発明の第２の実施形態の電子部品における接続部材の近傍の構成を示す模式的な分解斜視図である。
図５、図６に示すように、本実施形態の電子部品１１は、上記第１の実施形態の電子部品１の第１の基板２、第２の基板３、および接続部材４に代えて、それぞれ第１の基板１２、第２の基板１３、および接続部材１４を備える。
以下、上記第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。
第１の基板１２は、電子部品１１における主基板である。第１の基板１２の基板面１２ａ、基板面１２ｂには、種々の電子デバイス（図示略）が実装されていてもよい。基板面１２ａは第１の基板面と呼ばれることもある。
第１の基板１２は、例えば、プリント配線基板（ＰＷＢ）などで構成されてもよい。第１の基板１２の平面視の外形状は特に限定されない。図５に例示された電子部品１１では、第１の基板１２の平面視外形は矩形状である。例えば、第１の基板１２の板厚は、ＰＷＢの標準的な板厚から必要に応じて適宜選択されてもよい。
第１の基板１２の基板面１２ａの中心部には、基板面１２ａと反対側の基板面１２ｂに向かって陥没する平面視矩形状の開口部１２ｃが形成されている。開口部１２ｃは、底面部１２ｄによって塞がれた有底の穴部である。
基板面１２ａから底面部１２ｄまでの距離は、第１の基板１２の板厚の範囲内であれば特に限定されない。図６に例示された電子部品１１では、基板面１２ａから底面部１２ｄまでの距離が、後述する第２の基板１３の板厚と略等しい（等しい場合を含む）。
図５に示すように、開口部１２ｃの平面視形状は、後述する第２の基板１３を挿入可能であって、挿入された状態で、平面視において第２の基板１３の外周部１３ｃと開口部１２ｃとの間に隙間が形成される形状である。平面視において外周部１３ｃと開口部１２ｃとの間に形成される隙間の大きさは、電子部品１１の動作時に第２の基板１３が熱膨張しても、開口部１２ｃと当接しない程度の大きさである。
図５に例示された電子部品１１では、後述する第２の基板１３が平面視矩形状であることに対応して、第１の基板１２の平面視外形は、第２の基板１３の外形よりも大きい矩形状である。
図５に示すように、第１の基板１２の基板面１２ａ側には、導電パターン１８が形成されている。導電パターン１８は、後述する接続部材１４と電気的に接続するための回路を構成する。
本実施形態では、導電パターン１８は、後述する接続部材１４の配置位置に応じて、図示左右方向における開口部１２ｃの近傍から適宜方向に延びている。
図示左右方向における開口部１２ｃの近傍において、開口部１２ｃに沿って図示状手方向に延びる帯状領域１２Ｌ、１２Ｒには、第１の電極１８ａ（図７参照）がそれぞれ複数形成されている。第１の電極１８ａは、導電パターン１８と後述する接続部材１４との電気的な接続をとる。
図７に帯状領域１２Ｌにおける例を示すように、第１の電極１８ａは、パッド状の電極である。第１の電極１８ａは、帯状領域１２Ｌに向かって延びる導電パターン１８の配線１８ｂの先端部に設けられている。第１の電極１８ａの平面視形状は、後述する導電性接合部材１４ｃが配置可能な形状であれば、特に限定されない。第１の電極１８ａの平面視形状としては、例えば、円形、多角形などが用いられてもよい。
第１の電極１８ａの配列は、帯状領域１２Ｌにレイアウト可能な適宜の配列が可能である。図７に示す例では、第１の電極１８ａは、帯状領域１２Ｌの短手方向には、２列をなして配列されている。第１の電極１８ａは、帯状領域１２Ｌの長手方向には適宜間隔で多数配列されている。
図示は省略するが、帯状領域１２Ｒにおける第１の電極１８ａの配列も同様である。
第２の基板１３は、電子部品１１におけるモジュール基板である。
図６に示すように、第２の基板１３の基板面１３ａには、シリコンインターポーザー基板１５上に実装された電子デバイス１７が、シリコンインターポーザー基板１５を介して実装されている。基板面１３ａは第２の基板面と呼ばれることもある。
第２の基板１３は、第１の基板１２と同様、ＰＷＢなどで構成されてもよい。ただし、第２の基板１３は、第１の基板１２の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有する材料で構成されてもよい。第２の基板１３の板厚は、例えば、第１の基板１２と同様、ＰＷＢの標準的な板厚から必要に応じて適宜選択されてもよい。
第２の基板１３は、シリコンインターポーザー基板１５の熱膨張係数と第１の基板１２の熱膨張係数との間の大きさの熱膨張係数を有する材料で形成されてもよい。この場合、第２の基板１３が第１の基板１２と同材質の場合に比べると、第２の基板１３の熱膨張が低減されるため、開口部１２ｃとの間に必要な隙間が低減される。この結果、第１の基板１２の基板面１２ａの有効面積がより増大するとともに、第１の基板１２の強度がより向上する。
電子デバイス１７は、１以上のＬＳＩを含む。電子デバイス１７として用いられるＬＳＩの種類は限定されない。電子デバイス１７として用いられるＬＳＩは、例えば、ＣＰＵ、メモリなどであってもよい。
電子デバイス１７は、シリコンインターポーザー基板１５と導電性接続部材１６ｂを介してＢＧＡ接合されてもよい。
電子デバイス１７が接合されたシリコンインターポーザー基板１５は、第２の基板１３の基板面１３ａに導電性接続部材１６ａを介してＢＧＡ接合されてもよい。
図５に示すように、第２の基板１３の基板面１３ａ側には、導電パターン１９が形成されている。導電パターン１９は、シリコンインターポーザー基板１５における端子電極と電気的に接続するための回路を構成する。
導電パターン１９は、シリコンインターポーザー基板１５の配置位置に重なる基板面１３ａの中心部の領域から図示左右方向における基板面１３ａの周縁部に向かって延びている。本実施形態では、導電パターン１９は、図５における図示左右の周縁部に向かってそれぞれ延びている。ここで、第２の基板１３における「中心部」、「周縁部」は、上記第１の実施形態における第２の基板３の「中心部」、「周縁部」と同様に定義される。
図示左右方向における各周縁部において、それぞれ第２の基板１３の外周部１３ｃに沿う帯状領域１３Ｌ、１３Ｒには、第２の電極１９ａ（図７参照）がそれぞれ複数形成されている。第２の電極１９ａは、導電パターン１９と後述する接続部材１４との電気的な接続をとる。
図７に帯状領域１３Ｌにおける例を示すように、第２の電極１９ａは、パッド状の電極である。第２の電極１９ａは、帯状領域１３Ｌに向かって延びる導電パターン１９の配線１９ｂの先端部に設けられている。第２の電極１９ａの平面視形状は、後述する導電性接合部材１４ｃが配置可能な形状であれば、特に限定されない。第２の電極１９ａの平面視形状としては、例えば、円形、多角形などが用いられてもよい。
第２の電極１９ａの配列は、帯状領域１３Ｌにレイアウト可能な適宜の配列が可能である。図７に示す例では、第２の電極１９ａは、帯状領域１３Ｌの短手方向には、２列をなして配列されている。第２の電極１９ａは、帯状領域１３Ｌの長手方向には、適宜間隔をあけて多数配列されている。
図示は省略するが、帯状領域１３Ｒにおける第２の電極１９ａの配列も同様である。
接続部材１４は、第１の基板１２と、第２の基板１３の周縁部の少なくとも一部とを接続する。電子部品１１においては、第１の基板１２と第２の基板１３とは、接続部材１４以外の部材によっては接続されていない。
接続部材１４は、第２の基板１３の周縁部の全体にわたって、第２の基板１３の周縁部と接続されてもよい。しかし図７に例示された電子部品１１では、接続部材１４は、第２の基板１３の図示左右における周縁部に接続されている。すなわち、接続部材１４は、帯状領域１２Ｌ、１３Ｌにまたがって配置された接続部材１４Ｌと、帯状領域１２Ｒ、１３Ｒにまたがって配置された接続部材１４Ｒと、からなる。
接続部材１４Ｌ、１４Ｒは、略同様の構成を有するため、以下では、接続部材１４Ｌの構成を中心に説明する。
図６に示すように、接続部材１４Ｌは、フレキシブル基板１４ａと、導電性接合部材１４ｃとを備える。導電性接合部材１４ｃは接合部材と呼ばれることもある。
フレキシブル基板１４ａは、第１の基板１２の開口部１２ｃに第２の基板１３が挿入された状態において、帯状領域１２Ｌ、１３Ｌの両方を覆うことができる平面視矩形状の外形を有する。
フレキシブル基板１４ａの基材としては、可撓性を有する樹脂フィルムが用いられる。
フレキシブル基板１４ａの基材の厚さは、第１の基板１２および第２の基板１３に比べて容易に変形できる可撓性を有していれば、特に限定されない。例えば、フレキシブル基板１４ａの厚さは、０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下とされてもよい。
フレキシブル基板１４ａの基材に好適な樹脂材料の例としては、ポリイミド樹脂、液晶ポリマー樹脂などが挙げられる。フレキシブル基板１４ａの材料の弾性係数は、第１の基板１２、第２の基板１３などに用いられる基板材料の弾性係数よりも低いことがより好ましい。この場合、フレキシブル基板１４ａは、第１の基板１２、第２の基板１３などの材料の弾性係数に比べて低い弾性係数を有する点でも、第１の基板１２および第２の基板１３に比べて変形しやすい。
フレキシブル基板１４ａは、導電パターン１４ｂを備える。導電パターン１４ｂは、第１の電極１８ａと第２の電極１９ａとの導通をとる。図７に示すように、導電パターン１４ｂは、第１の電極パッド１４ｄ、第２の電極パッド１４ｆ、および配線１４ｅを備える。
第１の電極パッド１４ｄは、帯状領域１２Ｌにおける各第１の電極１８ａと対向するために、帯状領域１２Ｌにおける第１の電極１８ａと同様の位置関係に配列されている。
第２の電極パッド１４ｆは、帯状領域１３Ｌにおける各第２の電極１９ａと対向するために、帯状領域１３Ｌにおける第２の電極１９ａと同様の位置関係に配列されている。
第１の電極パッド１４ｄ、第２の電極パッド１４ｆは、いずれも、フレキシブル基板１４ａにおける図示下面において露出している。
配線１４ｅは、長さ方向の両端部において、それぞれ、第１の電極パッド１４ｄ、第２の電極パッド１４ｆに接続している。
導電性接合部材１４ｃは、接続部材１４Ｌを第１の電極１８ａおよび第２の電極１９ａに電気的に接続するとともに、接続部材１４Ｌを第１の基板１２および第２の基板１３に固定する部材である。
導電性接合部材１４ｃは、互いに対向する第１の電極パッド１４ｄと第１の電極１８ａの間と、互いに対向する第２の電極パッド１４ｆと第２の電極１９ａとの間とに挟まれた状態でそれぞれを互いに接合している。このため、導電性接合部材１４ｃは、フレキシブル基板１４ａの短手方向においては、４列をなして配列されている。
導電性接合部材１４ｃとしては、例えば、はんだ、導電性接着剤などが用いられてもよい。導電性接着剤の代表例としては、例えば、銀ペーストが挙げられる。
導電性接合部材１４ｃとしてはんだが用いられる場合、導電性接合部材１４ｃの形成にあたってはんだボールを用いたＢＧＡ接合の手法が用いられてもよい。
接続部材１４Ｒは、接続部材１４Ｌと同様、フレキシブル基板１４ａ、導電パターン１４ｂ、および導電性接合部材１４ｃを備える。
ただし、接続部材１４Ｒにおけるフレキシブル基板１４ａは、第１の基板１２の開口部１２ｃに挿入された第２の基板１３における帯状領域１２Ｒ、１３Ｒの両方を覆うことができる平面視矩形状の外形を有する。
接続部材１４Ｒにおける第１の電極パッド１４ｄ、第２の電極パッド１４ｆの配列パターンおよび個数は、帯状領域１２Ｒ、１３Ｒにおける第１の電極１８ａ、第２の電極１９ａとそれぞれ対向できる配列パターンおよび個数になっている。
このような構成の電子部品１１では、図５に示すように、第２の基板１３は、基板面１３ａが紙面手前に向いた状態で、第１の電極１８ａの開口部１２ｃに挿入されている。平面視において、帯状領域１２Ｌ（１２Ｒ）は、帯状領域１３Ｌ（１３Ｒ）と互いに隣り合っている。
接続部材１４Ｌは、帯状領域１２Ｌ、１３Ｌに重なった状態で、導電性接合部材１４ｃを介して、帯状領域１２Ｌ、１３Ｌにおける第１の電極１８ａ、第２の電極１９ａと接合されている。同様に、接続部材１４Ｒは、帯状領域１２Ｒ、１３Ｒに重なった状態で、導電性接合部材１４ｃを介して、帯状領域１２Ｒ、１３Ｒにおける第１の電極１８ａ、第２の電極１９ａと接合されている。
このため、接続部材１４Ｌ、１４Ｒは、導電パターン１４ｂによって、導電パターン１９、１８を電気的に接続している。さらに、各導電性接合部材１４ｃは、互いに対向する第１の電極パッド１４ｄおよび第１の電極１８ａと、互いに対向する第２の電極パッド１４ｆおよび第２の電極１９ａとを、それぞれ固定している。
電子部品１１では、第２の基板１３は、第１の基板１２と複数の接続部材１４である接続部材１４Ｌ、１４Ｒによって互いに接続されている。
さらに、接続部材１４Ｌ、１４Ｒは、第２の基板１３の中心を通る対称軸線に対して互いに線対称に配置されている。
図６に示すように、第２の基板１３の板厚が、基板面１２ａから底面部１２ｄまでの距離に略等しい実施形態では、基板面１２ａと基板面１３ａとは、略同一平面上に配置されている。
なお、図６は模式図のため、基板面１３ｂと底面部１２ｄとの間には、隙間がないように図示されているが、これは一例である。基板面１３ｂと底面部１２ｄとの間には、反りなどに応じて隙間があってもよい。さらに、第２の基板１３の板厚または重力の作用方向によっては、基板面１３ｂと底面部１２ｄとは、互いに離間していてもよい。
このような構成の電子部品１１は、本実施形態の電子部品の製造方法によって製造することができる。
図８は、本発明の第２の実施形態の電子部品の製造方法の一例を示すフローチャートである。図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の第２の実施形態の電子部品の製造方法の一例における工程説明図である。
本実施形態の電子部品の製造方法によって、電子部品１１を製造するには、例えば、図８に示すステップＳ１からＳ４を、図８に示すフローにしたがって実行する。
ステップＳ１では、第２の基板１３に電子デバイス１７が実装される。
例えば、電子デバイス１７は、導電性接続部材１６ｂを介してシリコンインターポーザー基板１５にＢＧＡ実装される。さらに、電子デバイス１７が実装されたシリコンインターポーザー基板１５が導電性接続部材１６ａを介して、第２の基板１３の基板面１３ａにＢＧＡ実装される。ＢＧＡ実装方法は、周知の適宜方法の使用が可能である。
このようにして、第２の基板１３、シリコンインターポーザー基板１５、および電子デバイス１７が組み立てられた組立体２０（図９（ａ）参照）が作製される。
ステップＳ１の後、ステップＳ２が行われる。ステップＳ２では、組立体２０の第２の基板１３が第１の基板１２上に配置される。
本実施形態では、図９（ａ）に示すように、第１の基板１２の基板面１２ａと、第２の基板１３の基板面１３ａとが同方向（図示上方向）に向いた状態で、第２の基板１３が開口部１２ｃに挿入される。第２の基板１３の挿入位置は、第２の基板１３の外周部１３ｃと、開口部１２ｃとの間に略均等の隙間が生じる位置とされる。
この挿入過程においては、第２の基板１３は、平面視の位置が、開口部１２ｃに対して位置合わせされた状態で挿入される。この位置合わせによって、第２の基板１３は、帯状領域１２Ｌ（１２Ｒ）と帯状領域１３Ｌ（１３Ｒ）とが互いに隣り合う状態で挿入される。さらに、この位置合わせによって、第２の基板１３は、第１の電極１８ａ、第２の電極１９ａが、平面視において、フレキシブル基板１４ａ上の第１の電極パッド１４ｄ、第２の電極パッド１４ｆの配列パターンと、略同様な相対位置関係となる状態で挿入される。
以上で、ステップＳ２が終了する。
ステップＳ２の後、ステップＳ３が行われる。ステップＳ３では、第１の基板１２と、第２の基板１３の周縁部とにまたがって接続部材１４が配置される。
例えば、接続部材１４がＢＧＡ接合される場合には、図９（ｂ）に示すように、まず、帯状領域１２Ｌ（１２Ｒ）、１３Ｌ（１３Ｒ）における図示略の第１の電極１８ａ、第２の電極１９ａ上に、導電性接合部材１４ｃとなるはんだボールＳが配置される。
その後、各はんだボールＳ上に、フレキシブル基板１４ａ（図示二点鎖線参照）が配置される。このとき、フレキシブル基板１４ａは、第１の電極パッド１４ｄ、第２の電極パッド１４ｆが、全体として、第１の電極１８ａ、第２の電極１９ａに対向する位置に配置される。各はんだボールＳは、第１の電極１８ａと第１の電極パッド１４ｄまたは第２の電極１９ａと第２の電極パッド１４ｆとに挟まれる。
このようにして、図９（ｃ）に示すように、第１の基板１２上に、組立体２０、はんだボールＳなどの導電性接合部材１４ｃとなる部材、および接続部材１４が上述の位置関係に配置された組立体２０Ａが形成される。
以上で、ステップＳ３が終了する。
上述のステップＳ３の説明では、接続部材１４の構成材料であるフレキシブル基板１４ａとはんだボールＳとがそれぞれ未接続の状態で配置される場合の例で説明した。ただし、はんだボールＳは、予めフレキシブル基板１４ａの第１の電極パッド１４ｄ、第２の電極パッド１４ｆと接合された状態で、配置されてもよい。例えば、導電性接合部材１４ｃとして導電性接着剤が用いられる場合に、導電性接合部材１４ｃはフレキシブル基板１４ａの第１の電極パッド１４ｄ、第２の電極パッド１４ｆに予め塗布あるいは印刷されていてもよい。
ステップＳ３の後、ステップＳ４が行われる。ステップＳ４では、接続部材１４によって第１の基板１２と、第２の基板１３の周縁部とが固定される。
導電性接合部材１４ｃを形成するためはんだボールＳを用いる場合には、はんだボールＳが加熱溶融される。はんだボールＳを加熱溶融するには、例えば、組立体２０Ａが加熱炉に導入されてもよい。
はんだボールＳの溶融物Ｓ’が形成されると、溶融物Ｓ’によって第１の電極パッド１４ｄ（第２の電極パッド１４ｆ）と第１の電極１８ａ（第２の電極１９ａ）とが互いに接続される。この状態で、加熱が停止される。具体的には、例えば、組立体２０Ａが加熱炉の外部に搬出される。
この後、溶融物Ｓ’は冷却されて固化することによって、第１の電極パッド１４ｄ（第２の電極パッド１４ｆ）と第１の電極１８ａ（第２の電極１９ａ）の間に導電性接合部材１４ｃが形成される。
導電性接合部材１４ｃが導電性接着剤の場合には、導電性接着剤の種類に応じた適宜の硬化手段（例えば、加熱など）を用いて導電性接着剤が硬化されることで、硬化した導電性接合部材１４ｃが形成される。
このようにして、固化または硬化した導電性接合部材１４ｃが形成されることによって、接続部材１４Ｌ、１４Ｒが形成される。この結果、第１の基板１２と第２の基板１３とが固定される。
以上で、ステップＳ４が終了する。
このようにして電子部品１１が製造される。
このような構成を有する電子部品１１の作用について説明する。
図１０は、本発明の第２の実施形態の電子部品の作用を説明する模式図である。
電子部品１１においては、例えば、シリコンインターポーザー基板１５を第２の基板１３に実装する際に、加熱が必要になる。このため、上記第１の実施形態において説明したのと同様な理由によって、第２の基板１３において基板面１３ａが凸となる反りが発生しやすい。
図１０に示すように、常温における上述の反りが生じた第２の基板１３を第２の基板１３Ａと称する。第２の基板１３Ａは、上述した本実施形態の電子部品の製造方法によって、反りのない第２の基板１３と同様にして、第１の基板１２に固定することができる。
まず、第２の基板１３Ａは、上述したステップＳ２において、開口部１２ｃに支障なく挿入できる。ただし、第２の基板１３Ａは、基板面１３ｂの周縁部が底面部１２ｄと接触する状態で、開口部１２ｃに挿入される。このため、基板面１３ａの中心部は、反り量に応じて、基板面１２ａよりも開口部１２ｃの外側に突出する。しかし、基板面１３ａの周縁部は、反り量に応じてわずかに傾斜しているだけで、隣り合う基板面１２ａと略同一平面上に位置する。
例えば、第２の基板１３の幅が５０ｍｍ、反り量が０．５ｍｍであって、短手方向における導電性接合部材１４ｃの配列ピッチが１．０ｍｍであるとする。ＢＧＡ接合に用いられるはんだボールの直径は、０．６ｍｍ程度であるため、このような反り量では、第２の基板１３の中心においてＢＧＡ接合する場合には、接続不良が発生しやすい。
しかし、第２の基板１３の周縁部では、このような反りの影響は格段に少ない。例えば、簡単のため、反り量を比例配分できるとすれば、周縁部における傾斜角は、約１．１°のような微小量である。このような傾斜によって、短手方向に並ぶ導電性接合部材１４ｃ間に生じる高さの差は、約０．０２ｍｍのような微小量である。この程度の傾斜は、ＢＧＡ接合の支障にはならない。
導電性接合部材１４ｃとして導電性接着剤を用いる場合には、未硬化の導電接着剤が流動性を有するため、この程度の傾斜ではなおさら支障にならない。
このため、本実施形態では、第２の基板１３Ａが用いられる場合、上述したステップＳ３において、反りのない第２の基板１３が用いられる場合と同様、フレキシブル基板１４ａが支障なく配置される。
フレキシブル基板１４ａは、可撓性を有しており、加熱によってさらに軟化する。このため、さらに、ステップＳ４において、フレキシブル基板１４ａが加熱を受けると、フレキシブル基板１４ａは、基板面１２ａ、１３ａ上に配置されたはんだボールＳの上部と容易に密着できる。このため、第２の基板１３Ａのように反りがあっても、反りがない場合と同様に、接続部材１４によって、第１の基板１２および第２の基板１３Ａが固定される。
図示は省略するが、第２の基板１３が上記第１の実施形態で説明した第２の基板３Ｂのように基板面１３ａが凹となる反りが発生するおそれがある場合には、底面部１２ｄの位置を低めにしておくとよい。具体的には、底面部１２ｄの位置は、第２の基板１３が反った状態でも、第２の基板１３の全体が開口部１２ｃの内部に収容できる程度にすればよい。この場合、第２の基板１３の反り量および反り方向に応じて、底面部１２ｄ上に配置された第２の基板１３の周縁部の位置は、基板面１２ａ以下になる。
例えば、反り量および反り方向に応じて、底面部１２ｄに対する組立体２０の高さを変えて保持することによって、第２の基板１３の周縁部が基板面１２ａと略同一平面上に位置する状態が形成される。このようにすれば、反り方向が反対であっても、上述と略同様にして、接続部材１４によって、第１の基板１２および第２の基板１３Ａが固定される。
本実施形態によれば、帯状領域１２Ｌ（１２Ｒ）と、帯状領域１３Ｌ（１３Ｒ）とが、平面視で隣り合う位置関係にあるため、平面視において、基板面１３ａの周縁部が基板面１２ａと互いに重なり合うことがない。このため、第１の基板１２および第２の基板１３の位置を固定した状態で、フレキシブル基板１４ａを帯状領域１２Ｌ（１２Ｒ）、１３Ｌ（１３Ｒ）の対向領域で移動することによって、フレキシブル基板１４ａが接続位置に配置される。フレキシブル基板１４ａは、第１の基板１２および第２の基板１３に比べて軽量であるため、移動容易であり、かつ移動精度も向上できる。
本実施形態では、接続部材１４が第２の基板１３の周縁部のみに接続される。このため、第２の基板１３に反りがあっても、第２の基板１３は、接続不良などが起こることなく、接続部材１４を介して第１の基板２に固定される。
特に本実施形態では、接続部材１４がフレキシブル基板１４ａを備える。このため、接続部材１４は、基板面１２ａに対して基板面１３ａの周縁部が傾斜していても傾斜に沿う配置が可能である。この結果、可撓性を有しない接続部材を用いる場合に比べて、より確実な接続および固定が行われる。
このようにして製造された電子部品１１（１１Ａ）は、上記第１の実施形態の電子部品１と同様、第２の基板１３（１３Ａ）の周縁部のみが接続部材１４によって拘束されている。この結果、第２の基板１３（１３Ａ）の固定後に電子デバイスの発熱によって第２の基板１３（１３Ａ）が熱膨張する場合に、中心部が拘束されている場合に比べると、第２の基板１３（１３Ａ）の変形が容易である。第２の基板１３（１３Ａ）自体が変形することで、熱応力がある程度吸収されるため、接続部材１４および第１の基板１２に対する応力負荷が低減される。
さらに、接続部材１４のフレキシブル基板１４ａは可撓性を有する。このため、第２の基板１３の反り量の変化によって、基板面１２ａに対する基板面１３ａの周縁部の傾斜が変化しても、フレキシブル基板１４ａが変形することによって、接続部材１４が傾斜の変化に追従できる。この結果、第２の基板１３の熱変形による導電性接合部材１４ｃおよび第１の基板１２への応力負荷がさらに低減される。
電子部品１１（１１Ａ）の使用環境温度が上昇して、第１の基板１２と第２の基板１３との相対的な熱膨張量に差が生じる場合にも、同様に、第２の基板１３自体が変形しやすいこと、あるいは、接続部材１４のフレキシブル基板１４ａが変形しやすいことによって、接続部材１４に発生するストレスが低減できるため、接続部材１４の破損などが防止される。
第２の基板１３が変形しやすい要因としては、例えば、第２の基板１３の中心部が拘束されていないことと、第２の基板１３が開口部１２ｃの内部で、平面視において開口部１２ｃと隙間をあけて配置されていることとが挙げられる。
接続部材１４に発生するストレスが低減できる他の要因としては、例えば、帯状領域１２Ｌ（１２Ｒ）、１３Ｌ（１３Ｒ）のそれぞれの短手方向において離間した２箇所に導電性接合部材１４ｃが設けられていることも挙げられる。このような接続により短手方向に発生する熱応力が、並列する２つの導電性接合部材１４ｃに分散される。このため、短手方向において１箇所に導電性接合部材１４ｃが配置される場合に比べて導電性接合部材１４ｃの接合部へのストレスが低減される。
さらに、接続部材１４の導電性接合部材１４ｃが、第２の基板１３あるいは第１の基板１２の熱膨張によって発生する熱応力によって変形可能な材料で構成される場合、上述した第２の基板１３およびフレキシブル基板１４ａの変形に加えて、導電性接合部材１４ｃ自体の変形によっても熱応力が吸収される。
このため、導電性接合部材１４ｃと、第２の基板１３および第１の基板１２との接続部とにおける応力負荷が低減されるため、接続部材１４における接続の信頼性が向上する。
以上説明したように、本実施形態の電子部品１１によれば、熱膨張係数が異なる基板を備えていても、製造が容易であり、信頼性が良好になる。
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態の電子部品について説明する。
図１１は、本発明の第３の実施形態の電子部品の一例を示す模式的な断面図である。
図１１に示すように、本実施形態の電子部品２１は、上記第２の実施形態の電子部品１１の接続部材１４に代えて、接続部材２４を備える。以下、上記第２の実施形態と異なる点を中心に説明する。
接続部材２４は、上記第２の実施形態における接続部材１４Ｌ、１４Ｒに代えて、それぞれ、接続部材２４Ｌ、２４Ｒを備える。
接続部材２４Ｌ（２４Ｒ）は、接続部材１４Ｌ（１４Ｒ）のフレキシブル基板１４ａに代えて、接続基板２４ａを備える。
接続基板２４ａは、基材の材料として、フレキシブル基板１４ａの基材よりも高剛性の材料が用いられる。このため、接続基板２４ａは、フレキシブル基板１４ａのような可撓性を有しない。
ただし、接続基板２４ａの基材の材料は、第１の基板１２の第１の熱膨張係数と、第２の基板１３の第２の熱膨張係数との間の大きさの第３の熱膨張係数を有する材料が選ばれる。第３の熱膨張係数は、第１の熱膨張係数および第２の熱膨張係数よりも、第１の熱膨張係数と第２の熱膨張係数との平均値に近い値を有することがより好ましい。
このような構成を有する電子部品２１の作用について、上記第２の実施形態と異なる点を中心に説明する。
本実施形態の電子部品２１は、接続基板２４ａが可撓性を有しない点が、上記第１の実施形態と異なる。このため、本実施形態では、フレキシブル基板１４ａの可撓性に依存した作用を除いては、上記第１の実施形態と同様の作用を備える。
このため、電子部品２１は、上記第２の実施形態におけると同様にして、容易に製造される。
熱膨張に関しては、第２の基板１３および導電性接合部材１４ｃが変形することによって、接続部材２４および第１の基板１２への応力負荷が低減されることは、上記第１の実施形態と同様である。さらに、導電性接合部材１４ｃが、帯状領域１２Ｌ（１２Ｒ）、１３Ｌ（１３Ｒ）のそれぞれの短手方向において２列に配置されていることによるストレス低減効果も上記第２の実施形態と同様である。
これに対して、本実施形態では、接続基板２４ａは、フレキシブル基板１４ａよりも高剛性であるため、たわみ変形よって熱応力を吸収する作用は、第２の実施形態に比べると劣る。
しかし、本実施形態では、接続基板２４ａの第３の熱膨張係数は、第１の基板１２の第２の熱膨張係数と、第２の基板１３の熱膨張係数との間の値を有する。このような接続基板２４ａが、第１の基板１２と第２の基板１３とにまたがって接続されている。このため、熱膨張係数の相違によって発生する熱応力は、第１の基板１２と接続基板２４ａとの接続部と、第２の基板１３と接続基板２４ａとの接続部とにそれぞれ分散される。すなわち、接続基板２４ａが介在することで、第１の基板１２および第２の基板１３との間に疑似的な熱膨張係数の遷移領域が形成されるため、熱膨張係数の相違による熱応力が、接続基板２４ａとの重なり範囲において分散される。
本実施形態では、このような接続基板２４ａの作用によっても、導電性接合部材１４ｃの接合部へのストレスが低減される。
以上説明したように、本実施形態の電子部品２１によれば、熱膨張係数が異なる基板を備えていても、製造が容易であり、信頼性が良好になる。
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態の電子部品について説明する。
図１２（ａ）は、本発明の第４の実施形態の電子部品の一例を示す模式的な平面図である。図１２（ｂ）は、図１２（ａ）におけるＣ部詳細図である。
図１２（ａ）に示すように、本実施形態の電子部品３１は、上記第２の実施形態の電子部品１１の第１の基板１２、第２の基板１３、および接続部材１４に代えて、それぞれ、第１の基板３２、第２の基板３３、および接続部材３４を備える。
上記第２の実施形態においては、接続部材１４が第２の基板１３の周縁部の周方向の一部に設けられている。本実施形態においては、接続部材３４は、第２の基板２３の中心部を囲むように、第２の基板２３の周縁部の全周にわたって設けられている。
以下、上記第２の実施形態と異なる点を中心に説明する。
第１の基板３２は、上記第２の実施形態における第１の基板１２の基板面１２ａ側にさらに導電パターン３８が追加されて構成されている。
導電パターン３８は、後述する接続部材３４Ｕ、３４Ｄと電気的に接続するための回路を構成する。
導電パターン３８は、後述する接続部材３４Ｕ、３４Ｄの配置位置に応じて、図示上下方向における開口部１２ｃの近傍から適宜方向に延びている。
図示上側（下側）における開口部１２ｃの近傍において、開口部１２ｃに沿って延びる帯状領域３２Ｕ（３２Ｄ）には、第１の電極１８ａと同様の第１の電極３８ａ（図１２（ｂ）参照）がそれぞれ複数形成されている。帯状領域３２Ｕ（３２Ｄ）は、後述する帯状領域３３Ｕ（３３Ｄ）と図示上下方向において互いに対向する位置に形成されている。
第１の電極３８ａは、導電パターン３８と後述する接続部材３４Ｕ（３４Ｄ）との電気的な接続をとる。各第１の電極３８ａには、配線３８ｂがそれぞれ接続されている。
第１の電極３８ａの配列は、帯状領域３２Ｕ（３２Ｄ）にレイアウト可能な適宜の配列が可能である。図１２（ｂ）に示す例では、第１の電極３８ａは、帯状領域３２Ｕの短手方向（図示上下方向）に２列をなして配列されている。第１の電極３８ａは、帯状領域３２Ｕの長手方向には、適宜間隔で多数配列されている。図示は省略するが、帯状領域３２Ｄにおける第１の電極３８ａの配列も同様である。
図１２（ａ）に示すように、第２の基板３３は、上記第２の実施形態における第２の基板１３の基板面１３ａ側にさらに導電パターン３９が追加されて構成されている。
導電パターン３９は、シリコンインターポーザー基板１５における端子電極と電気的に接続するための回路を構成する。
図１２（ａ）に示すように、導電パターン３９は、シリコンインターポーザー基板１５の配置位置に重なる基板面１３ａの中心部の領域から図示上下方向における基板面１３ａの周縁部に向かって延びている。
図示上側（下側）における周縁部において、第２の基板３３の外周部１３ｃに沿う帯状領域３３Ｕ（３３Ｄ）には、第２の電極１９ａと同様の第２の電極３９ａ（図１２（ｂ））がそれぞれ複数形成されている。帯状領域３３Ｕ（３３Ｄ）は、上記第２の実施形態と同様の帯状領域１３Ｌ、１３Ｒの間に形成されている。このため、帯状領域３３Ｕ、１３Ｒ、３３Ｄ、１３Ｌは、第２の基板３３の周縁部を全周にわたって覆う領域になっている。
第２の電極３９ａは、導電パターン３９と後述する接続部材３４Ｕ（３４Ｄ）との電気的な接続をとる。各第２の電極３９ａには、配線３９ｂがそれぞれ接続されている。
第２の電極３９ａの配列は、帯状領域３３Ｕ（３３Ｄ）にレイアウト可能な適宜の配列が可能である。図１２（ｂ）に示す例では、第２の電極３９ａは、帯状領域３３Ｕの短手方向に２列をなして、長手方向に適宜間隔で多数配列されている。図示は省略するが、帯状領域３３Ｄにおける第２の電極３９ａの配列も同様である。
接続部材３４は、上記第２の実施形態における接続部材１４Ｌ、１４Ｒに加えて、さらに接続部材３４Ｕ、３４Ｄを備える。
ただし、図１２（ａ）では、簡単のため、接続部材３４における導電パターン１４ｂの図示は省略されている。
接続部材３４Ｕ（３４Ｄ）は、長手方向の長さと配置位置とが異なる以外は、接続部材１４Ｌ（１４Ｒ）と同様の構成を備える。
接続部材３４Ｕ、３４Ｄは、互いに異なる形状を有していてもよいが、図１２（ａ）に示す例では、第２の基板３３の中心を通る対称軸線に対して線対称な形状を有する。
接続部材３４Ｕ（３４Ｄ）は、帯状領域３２Ｕ、３３Ｕ（３２Ｄ、３３Ｄ）にまたがって配置されている。接続部材３４Ｕ（３４Ｄ）は、導電性接合部材１４ｃを介して、第１の基板３２と第２の基板３３とを互いに電気的に接続するとともに固定している。
このような構成の電子部品３１は、接続部材１４に代えて接続部材３４を用いる以外は、上記第２の実施形態の電子部品１１と同様にして製造される。
このような構成を有する電子部品３１の作用について、上記第２の実施形態と異なる点を中心に説明する。
電子部品３１における第１の基板３２と第２の基板３３とは、接続部材１４Ｌ、１４Ｒ、３４Ｕ、３４Ｄによって接続されるため、第２の基板３３の周縁部の領域が全周にわたって接続に用いられている。このため、上記第２の実施形態に比べると、より多くの配線を介した接続が可能である。これにより、電子デバイス１７をより高密度に実装したり、電子デバイス１７における信号数を増大させたりすることが可能である。
このような周縁部の全周領域を用いた接続構造は、例えば、接続部材１４Ｌ、１４Ｒ、３４Ｕ、３４Ｄが一体化された１枚の接続部材を用いることも可能である。
しかし、本実施形態のように接続部材が複数の部品に分割されている場合には、製造時に取り数が増えるため、部品コストがより低減される。
さらに、本実施形態の場合には、反り量に応じて、基板面１２ａに対する基板面１３ａの高さが場所によってばらつていても、個々の接続部材ごとに、高低差を吸収できるため、接合不良を低減しやすくなる。
以上説明したように、本実施形態の電子部品３１によれば、上記第２の実施形態と同様、熱膨張係数が異なる基板を備えていても、製造が容易であり、信頼性が良好になる。
（第５の実施形態）
本発明の第５の実施形態の電子部品について説明する。
図１３は、本発明の第５の実施形態の電子部品の一例を示す模式的な平面図である。図１４は、図１３におけるＤ−Ｄ断面図である。
図１３、図１４に示すように、本実施形態の電子部品４１は、上記第２の実施形態の電子部品１１の第１の基板１２および第２の基板１３に代えて、それぞれ、第１の基板４２および第２の基板４３を備える。
以下、上記第２の実施形態と異なる点を中心に説明する。
第１の基板４２は、上記第２の実施形態における第１の基板１２の底面部１２ｄに、貫通孔４２ｅが形成された点と、導電パターン１８に代えて導電パターン４８が形成された点とが、上記第２の実施形態と異なる。
貫通孔４２ｅは、第２の基板３３の中心部に設けられた後述する給電電極部４４が挿通可能な大きさおよび形状に設けられる。
導電パターン４８は、導電パターン１８と同様の構成を有する。ただし、導電パターン４８は、電子デバイス１７の入出力におけるデータ信号のみが伝送される。
第２の基板４３は、上記第２の実施形態における第２の基板１３の導電パターン１９に代えて、導電パターン４９（図１３参照）、導電パターン５０（図１４参照）を備える。第２の基板４３は、さらに給電電極部４４を備える。
図１３に示すように、導電パターン４９は、導電パターン１９と同様の構成を有する。ただし、導電パターン４９は、電子デバイス１７の入出力におけるデータ信号のみが伝送される。
図１４に示すように、導電パターン５０は、電子デバイス１７における電源線として用いられる配線である。導電パターン５０は、基板面１３ａにおけるシリコンインターポーザー基板１５との接続電極から基板面１３ｂに向かって第２の基板４３の板厚内に延びている。本実施形態では、導電パターン５０は、平面視においてシリコンインターポーザー基板１５の中心部と重なるように設けられている。
給電電極部４４は、導電パターン５０と電気的に接続された第３の電極４４ａを備える。第３の電極４４ａは、電源線と接続するための電極である。
給電電極部４４は、導電パターン５０と同様に、平面視においてシリコンインターポーザー基板１５の中心部に重なる領域に配置されている。
第３の電極４４ａは電源線と接続されるため、第３の電極４４ａの個数は、データ信号に比べると格段に少ない。このため、第３の電極４４ａの配置スペースは、シリコンインターポーザー基板１５の中心部に重なる小さな領域でも足りる。第３の電極４４ａの大きさも、大電流を流すことができる大型の電極の使用が可能になる。
給電電極部４４および第３の電極４４ａの種類は給電可能であれば特に限定されない。例えば、給電電極部４４は、コネクターと着脱可能に設けられていてもよい。例えば、図１４には、電源に接続されたケーブル４６のコネクター４５が接続可能な給電電極部４４が図示されている。図１４は模式図のため、第３の電極４４ａの一例として、３本のピン状電極が描かれている。しかし、第３の電極４４ａの形状、個数は、これには限定されない。第３の電極４４ａは、グランド端子と１以上の電圧端子とを含む２以上の電極で構成されていればよい。給電電極部４４は、貫通孔４２ｅを通して図示下方側に突出している。
例えば、給電電極部４４は、給電用の電源回路が接続された給電基板が接合されていてもよい。この場合、給電電極部４４は、シリコンインターポーザー基板１５の中心部の裏側における基板面１３ｂに設けられているため、給電電極部４４の範囲は、第２の基板４３の中でも特に反りが少ない領域である。このため、給電基板を接合する場合には、ＢＧＡ接合構造を用いることで、接続の信頼性を向上することが可能である。
このような構成の電子部品４１は、第１の基板１２および組立体２０の代わりに、第１の基板４２および組立体２０Ｃが用いられる以外は、上記第２の実施形態と同様にして製造される。組立体２０Ｃは、第２の基板４３に、シリコンインターポーザー基板１５、電子デバイス１７、および給電電極部４４が実装されて構成される。
このような構成を有する電子部品４１の作用について、上記第２の実施形態と異なる点を中心に説明する。
本実施形態の電子部品４１によれば、導電パターン４８、４９には、電子デバイス１７の入出力におけるデータ信号のみが伝送される。同様に、接続部材１４における導電パターン１４ｂもデータ信号を伝送するために用いられる。このため、導電パターン１４ｂは電源線を含む場合に比べて、配線の断面積が低減された構成が可能になる。これにより、接続部材１４の可撓性がより向上する。このため、第２の基板４３の初期的な反りあるいは使用時の熱膨張に起因する変形がさらに吸収しやすくなる。
電子部品４１では、導電パターン４８、４９には、断面積の大きな電源配線を含めなくてよいため、第２の基板４３の基板面積の割に高密度の配線が可能になる。このため、シリコンインターポーザー基板１５上に電子デバイス１７を高密度に実装することが可能になる。
図１４に例示された電子部品４１では、電子デバイス１７の駆動に必要な電力は、ケーブル４６を介して、給電電極部４４に供給される。ケーブル４６に用いる電線の太さは必要に応じて選べる。このため、大きな電力が必要になる場合でもケーブル４６を通して、効率的に電力を供給することが可能である。
さらに、導電パターン５０は、第２の基板４３の板厚を貫通する程度の長さであるため、導電パターン５０の電気抵抗による電圧降下およびジュール発熱が低減される。このため、導電パターン４８、４９に電源線を含む場合に比べて、第１の基板２２および第２の基板４３におけるジュール発熱を低減することができる。
給電電極部４４の配置領域は、第２の基板４３上の他の領域と比べると反りおよび熱膨張による変形が少ないシリコンインターポーザー基板１５の中心部に対向する領域である。このため、給電電極部４４と導電パターン５０と接続部には、第２の基板４３の熱膨張によるストレスが発生しにくい。この結果、本実施形態で電源線の接続の信頼性が向上する。
以上説明したように、本実施形態の電子部品４１によれば、上記第２の実施形態と同様、熱膨張係数が異なる基板を備えていても、製造が容易であり、信頼性が良好になる。
特に、本実施形態の電子部品４１は、電子デバイス１７の駆動に大きな電力が必要となる場合に、省電力、低発熱の構成が得られる。
（第６の実施形態）
本発明の第６の実施形態の電子部品について説明する。
図１５は、本発明の第６の実施形態の電子部品の一例を示す模式的な断面図である。
図１５に示すように、本実施形態の電子部品５１は、上記第２の実施形態の電子部品１１の第１の基板１２に代えて第１の基板６２を備える。電子部品５１は、さらに支持板５３を備える。
以下、上記第２の実施形態と異なる点を中心に説明する。
第１の基板５２は、上記第２の実施形態における第１の基板１２の開口部１２ｃに代えて、板厚方向に貫通する開口部５２ｃを備える。開口部５２ｃの平面視形状は、開口部１２ｃと同様である。第１の基板５２の板厚は、第２の基板１３の板厚に等しい。
第１の基板５２の材質は、第１の基板１２と同様の材質が用いられてもよい。
支持板５３は、開口部５２ｃを覆うことができる大きさの平板である。支持板５３は、第１の基板５２における開口部５２ｃの近傍の基板面１２ｂに、開口部５２ｃを塞ぐように配置されている。支持板５３は、適宜の固定方法によって、基板面１２ｂに固定されている。支持板５３の固定方法は、例えば、接着、はんだ付け、ネジ止めなどが用いられてもよい。
支持板５３は、第２の基板１３に対向して配置され、第２の基板１３を第１の基板６２の板厚方向において基板面１２ｂの方から支持できるように設けられている。支持板５３は、第２の基板に対向して配置され、第２の基板を第１の基板の板厚方向において第１の基板面と反対側の基板面の方から支持できるように設けられた支持部材と呼ばれることもある。
支持板５３の形状は、第２の基板１３が開口部５２ｃから基板面１２ｂの方に抜け出さないように、第２の基板部１３の移動を規制できる形状であれば特に限定されない。
支持板５３の材質は、特に限定されない。支持板５３の材料の熱膨張係数は、第１の基板５２の熱膨張係数と同一であってもよいし、異なっていてもよい。支持板５３の材料の熱膨張係数が、第１の基板５２の熱膨張係数と異なる場合には、支持板５３の熱膨張が拘束されないように第１の基板５２と固定されることがより好ましい。例えば、支持板５３は、基板面１２ｂに沿って第１の基板５２に対して相対移動自在に固定されていてもよい。
第１の基板５２の基板面１３ｂに、導電パターンが露出していない場合には、支持板５３の材質として、金属材料が用いられてもよい。この場合、支持板５３は、第１の基板５２との接触部および第２の基板１３との接触部からの熱伝導によって、第１の基板５２および第２の基板１３からの放熱を促進することができる。
このような構成の電子部品５１は、第１の基板５２に支持板５３を固定することによって、開口部５２ｃに露出する支持板５３の表面５３ｄが、上記第２の実施形態における底面部１２ｄと同様の機能を備える。すなわち、表面５３ｄは、開口部５２ｃに挿入された第２の基板１３を基板面１３ｂの方から支持することができる。本実施形態では、表面５３ｄは、第２の基板１３の基板面１３ａを、第１の基板５２の基板面１２ａと同一平面上に支持する。第２の基板１３に基板面１３ａが凸となる反りがある場合には、表面５３ｄは、第２の基板１３の周縁部を第１の基板５２の基板面１２ａと略同一平面上に支持する。
このため、第１の基板５２に支持板５３を固定した後、上記第２の実施形態と同様の電子部品の製造方法が行われることによって、電子部品５１が製造される。
ただし、支持板５３は、第２の基板１３と第１の基板５２との接続が終了した後に、第１の基板５２と固定されてもよい。例えば、支持板５３に代えて製造治具によって開口部５２ｃを覆った状態で、接続部材１４によって第１の基板５２および第２の基板１３を互いに固定すれば、支持板５３を固定することなく、第２の基板１３と第１の基板５２とを接続することができる。
本実施形態の電子部品５１は、上記第２の実施形態の第１の基板１２に代えて、第１の基板５２と支持板５３との組立体が用いられている点が異なる。このため、電子部品５１によれば、上記第２の実施形態と同様、熱膨張係数が異なる基板を備えていても、製造が容易であり、信頼性が良好になる。
さらに、本実施形態によれば、第１の基板５２の板厚と第２の基板１３の板厚と同じであって貫通孔の開口部５２ｃしか形成できない場合にも、開口部５２ｃに第２の基板１３を収容することができる。
さらに、開口部５２ｃが貫通孔で形成されるため、上記第２の実施形態のように開口部１２ｃを有底穴で構成する場合に比べて、第１の基板５２の製造が容易となる。
（第１変形例）
本発明の第６の実施形態の変形例（第１変形例）の電子部品について説明する。
図１６は、本発明の第６の実施形態の変形例（第１変形例）の電子部品の一例を示す模式的な断面図である。
図１６に示すように、本変形例の電子部品６１は、上記第６の実施形態の電子部品５１の第１の基板５２、支持板５３に代えて、第１の基板６２、支持板６３を備える。
以下、上記第６の実施形態と異なる点を中心に説明する。
第１の基板６２は、第２の基板１３よりも板厚が厚い点が、上記第６の実施形態における第１の基板５２と異なる。
支持板６３は、平板部６３ａと突出部６３ｂとを有する板状部材である。
平板部６３ａは、上記第６の実施形態の支持板５３と同様、開口部５２ｃを塞ぐことができる大きさを有する。
突出部６３ｂは、開口部５２ｃに挿入可能な平面視形状を有する。突出部６３ｂの平面視の大きさは、開口部５２ｃよりも小さい適宜の大きさが可能である。例えば、突出部６３ｂは、柱状、リブ状、半球状などの複数の突起が適宜間隔で配列された構成であってもよい。例えば、突出部６３ｂは、適宜の平面視形状を有する単一の突起で構成されてもよい。
図１６に示す例では、突出部６３ｂは、開口部５２ｃの内側に嵌合する大きさおよび形状を有する平台状に形成されている。すなわち、突出部６３ｂの突出方向の先端には、平板部６３ａと平行な平面部６３ｄが形成されている。
突出部６３ｂの平板部６３ａからの突出高さは、第１の基板６２の板厚から第２の基板１３の板厚を引いた寸法である。
支持板６３の材質は、支持板５３と同様の材質でもよい。
支持板６３は、第２の基板に対向して配置され、第２の基板を第１の基板の板厚方向において第１の基板面と反対側の基板面の方から支持できるように設けられた支持部材と呼ばれることもある。
支持板６３は、平面部６３ｄが開口部５２ｃの内部に位置する。このため、支持板６３は、開口部５２ｃの内部において、第２の基板１３を支持できるようになっている。
支持板６３は、突出部６３ｂが基板面１２ｂの方から開口部５２ｃに挿入され、平板部６３ａが開口部５２ｃの近傍の基板面１２ｂに当接するように配置されている。支持板６３は、上記第６の実施形態における支持板５３と同様にして、基板面１２ｂに固定されている。このような構成により、開口部５２ｃは、基板面１３ｂ側の開口が支持板６３の平面部６３ｄによって塞がれている。
このような構成の電子部品６１は、上記第６の実施形態の電子部品５１と同様にして製造される。
電子部品６１は、第２の基板１３を収容する空間が、第１の基板６２と支持板６３との組み合わせで形成される点が異なる。ただし、開口部５２ｃに挿入された第２の基板１３の基板面１３ｂは、平面部６３ｄによって図示下方から支持される。これにより、基板面１３ａは、上記第６の実施形態と同様に、少なくとも周縁部において基板面１２ａと略同一平面上（同一平面上を含む）に支持される。
このため、電子部品６１は、上記第６の実施形態の電子部品５１と同様にして製造される。さらに電子部品６１は、上記第６の実施形態の電子部品５１と同様の作用を備える。
本変形例の電子部品６１によれば、上記第６の実施形態と同様、熱膨張係数が異なる基板を備えていても、製造が容易であり、信頼性が良好になる。
さらに、本変形例によれば、第１の基板６２の板厚が第２の基板１３より厚い場合でも、第２の基板１３の周縁部の基板面１３ａを基板面１２ａと略同一平面上に位置させることが容易である。
また、上記第６の実施形態と同様、開口部５２ｃは、貫通孔によって形成されるため、上記第２の実施形態のように開口部１２ｃを有底穴で構成する場合に比べて、第１の基板６２の製造が容易となる。
（第２変形例）
本発明の第６の実施形態の変形例（第２変形例）の電子部品について説明する。
図１７は、本発明の第６の実施形態の変形例（第２変形例）の電子部品の一例を示す模式的な断面図である。
図１７に示すように、本変形例の電子部品７１は、上記第１変形例の電子部品６１の支持板６３に代えて、支持板７３を備える。
以下、上記第１変形例と異なる点を中心に説明する。
支持板７３は、上記第１変形例の支持板６３の突出部６３ｂにおいて、板厚方向に貫通する貫通孔７３ｃが形成されている点が、支持板６３と異なる。
貫通孔７３ｃの形状および大きさは、第２の基板１３を図示下方から支持可能な平面部６３ｄが残されていれば、特に限定されない。図１７に示す例では、貫通孔７３ｃは、平面視においてシリコンインターポーザー基板１５が接続された領域に対向する部位に形成されている。
支持板７３は、第２の基板に対向して配置され、第２の基板を第１の基板の板厚方向において第１の基板面と反対側の基板面の方から支持できるように設けられた支持部材と呼ばれることもある。支持板７３は、板厚方向に貫通する貫通孔を有する支持部材の例になっている。
このような構成の電子部品７１は、上記第１変形例の電子部品６１と同様にして製造される。
電子部品７１は、上記第１変形例の電子部品６１と同様の作用を備える。
特に、支持板７３に貫通孔７３ｃが形成されていることによって、基板面１３ｂへの通気が容易になっている。貫通孔７３ｃを通して、基板面１３ｂに外気が流入することで、第２の基板１３の冷却が促進される。
貫通孔７３ｃは、基板面１３ａから突起物を挿通させる開口として用いられてもよい。
例えば、図１７に模式的に示すように、基板面１３ａにヒートシンク７４（図示二点鎖線参照）が装着される場合、貫通孔７３ｃは、ヒートシンク７４を挿通する開口として用いられてもよい。第２の基板１３にヒートシンク７４が装着されている場合、ヒートシンク７４からの放熱によって、第２の基板１３の冷却を促進することができる。
例えば、基板面１３ａに、上記第５の実施形態と同様の給電電極部４４が設けられる場合、貫通孔７３ｃは、給電電極部４４を挿通する開口として用いられてもよい。第２の基板１３に給電電極部４４が設けられている場合、電子部品７１は、上記第５の実施形態と同様の作用を備える。
本変形例の電子部品７１によれば、上記第１変形例と同様、熱膨張係数が異なる基板を備えていても、製造が容易であり、信頼性が良好になる。
なお、上記第２〜第６の実施形態および各変形例では、接続部材が導電パターンと電気的に接続される場合の例で説明した。しかし、第１の基板および第２の基板の周縁部の少なくとも一方において、接続部材と機械的に接続するための接続部が設けられていてもよい。このような接続部としては、例えば、回路を構成しないがはんだ付け可能な導電部（ダミー電極）が用いられてもよい。例えば、第１の基板および第２の基板の周縁部の少なくとも一方において、接続部材と非導電性接着剤で接着する接着領域が設けられていてもよい。
上記各第２〜第６の実施形態および各変形例では、ＬＳＩがインターポーザー基板の一例であるシリコンインターポーザー基板１５を介して第２の基板に接続された場合の例で説明した。しかし、上記第１の実施形態と同様に、シリコンインターポーザー基板１５に代えて、他のインターポーザー基板が用いられてもよい。他のインターポーザー基板としては、例えば、有機系インターポーザー基板が用いられてもよい。
上記第６実施形態およびその変形例では、支持部材が板状部材からなる場合の例で説明した。しかし、支持部材は、第２の基板が開口部に留まるように第１の基板面と反対側から支持可能に設けられていれば、板状部材には限定されない。例えば、支持部材として、開口部の内部または外部を横切るように配置された棒状、ワイヤー状、ネット状、メッシュ状の部材などが用いられてもよい。
上記第６お実施形態の第２変形例では、支持部材の中心部に貫通孔が設けられている場合の例で説明した。しかし、支持部材の貫通孔の位置は、中心部には限定されない。さらに支持部材における貫通孔は複数設けられていてもよい。
上記各第２〜第６の実施形態および各変形例では、第１の基板および第２の基板の周縁部の上に接続部材を配置して、接続部材による固定が行われる例で説明した。しかし、接続部材の上に第１の基板および第２の基板の周縁部を配置して、接続部材による固定が行われてもよい。
上記各第２〜第６の実施形態および各変形例では、はんだボールＳで導電性接合部材１４ｃが形成される場合に、はんだボールＳがはんだボールＳを除く接続部材（例えば、フレキシブル基板１４ａ等）と未接合の場合と、予めはんだボールＳを除く接続部材に固定されている場合との例で説明した。しかし、はんだボールＳは、予め第１の電極および第２の電極の少なくとも一方に固定されていてもよい。
上記第５の実施形態の説明では、第３の電極が電源線に接続される場合の例で説明したが、第３の電極は電源線には限定されない。
例えば、第３の電極には、同軸ケーブル接続が必要な信号線に接続する電極が含まれてもよい。この場合、給電電極部４４は、同軸コネクターを含んで構成される。
例えば、第３の電極には、光電変換素子に接続される電極が含まれてもよい。この場合、給電電極部４４は、光コネクターを含んで構成される。
なお、本発明は上述の実施形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更がなされてもよい。
１、１１、１１Ａ、２１、３１、４１、５１、６１、７１ 電子部品
２、１２、２２、３２、４２、５２、６２ 第１の基板
２ａ、２ｂ、３ａ、３ｂ、１２ｂ、１３ｂ 基板面
３、３Ａ、３Ｂ、１３、１３Ａ、２３、３３、４３ 第２の基板
４、１４、１４Ｌ、１４、２４、２４Ｌ、２４Ｒ、３４、３４Ｄ、３４Ｕ 接続部材
１２ａ 基板面（第１の基板面）
１２ｃ、５２ｃ 開口部
１２ｄ 底面部
１２Ｌ、１２Ｒ、１３Ｌ、１３Ｒ、３２Ｄ、３２Ｕ、３３Ｄ、３３Ｕ 帯状領域
１３ａ 基板面（第２の基板面）
１４ａ フレキシブル基板
１４ｂ 導電パターン
１４ｃ 導電性接合部材（接合部材）
１４ｄ、１４ｆ 電極パッド
１４ｅ 配線
１５ インターポーザー基板
１７ 電子デバイス
１８、１９、３８、３９、４８、４９ 導電パターン
１８ａ、３８ａ 第１の電極
１９ａ、３９ａ 第２の電極
２０、２０Ａ、２０Ｃ 組立体
２４ａ 接続基板
４２ｅ、７３ｃ 貫通孔
４４ 給電電極部
４４ａ 第３の電極
５３、６３、７３ 支持板（支持部材）
７４ ヒートシンク
本発明の第１の態様によれば、電子部品は、第１の基板面を有する第１の基板と、前記第１の基板に配置され、前記第１の基板と熱膨張係数が異なる第２の基板と、前記第１の基板と、前記第２の基板の周縁部と、を接続する接続部材と、電子デバイスが表面に実装されており、前記第２の基板と熱膨張係数が異なる材料からなる第３の基板と、を備え、前記第３の基板は、前記周縁部を除く前記第２の基板の表面に実装されており、前記第２の基板は、前記接続部材により前記第１の基板に固定されている。
本発明の第２の態様によれば、電子部品の製造方法は、電子デバイスが表面に実装されており、第２の基板と熱膨張係数が異なる材料からなる第３の基板を、前記第２の基板の周縁部を除く表面の領域に実装することと、前記第２の基板を、前記第２の基板と熱膨張係数が異なる第１の基板に配置することと、前記第１の基板と、前記第２の基板の前記周縁部とにまたがって、接続部材を配置することと、前記接続部材によって前記第１の基板と、前記第２の基板の前記周縁部とを固定することと、を含む。

Claims (11)

  1. 第１の基板面を有する第１の基板と、
    前記第１の基板に配置された第２の基板と、
    前記第１の基板と、前記第２の基板の周縁部と、を接続する接続部材と、
    を備え、
    前記接続部材により前記第２の基板が前記第１の基板に固定された
    電子部品。
  2. 前記第１の基板には、
    前記第１の基板面において開口し、前記第２の基板の少なくとも一部が収容される開口部が形成された、
    請求項１に記載の電子部品。
  3. 前記第２の基板に対向して配置され、前記第２の基板を前記第１の基板の板厚方向において前記第１の基板面と反対側の基板面の方から支持できるように設けられた支持部材をさらに備える、
    請求項２に記載の電子部品。
  4. 前記第１の基板面と、前記第２の基板の前記周縁部における基板面は、
    略同一平面上である、
    請求項２または３に記載の電子部品。
  5. 前記接続部材は、
    前記第１の基板および前記第２の基板よりも低剛性であり、前記第１の基板および前記第２の基板の相対移動に伴って変形可能である、
    請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品。
  6. 前記第１の基板は、
    前記第１の基板面において、前記第１の基板の板厚方向に見て前記第２の基板と重ならない部位に配置された第１の電極を有し、
    前記第２の基板は、
    第２の基板面に配置された第２の電極を有し、
    前記接続部材は、
    導電パターンを有し、前記第１の電極と前記第２の電極とにそれぞれ対向した状態であって、かつ前記第１の基板と前記第２の基板とにまたがって配置されており、
    前記導電パターンと、前記第１の電極および前記第２の電極とは、接合部材によって互いに電気的に接合されている、
    請求項１〜５のいずれかに記載の電子部品。
  7. 前記接続部材における前記導電パターン、前記第１の電極、および前記第２の電極によって形成される回路には、データ信号が伝送される、
    請求項６に記載の電子部品。
  8. 前記第２の基板は、
    前記接続部材と接合されていない第３の電極を備え、
    前記第３の電極には、電源線が接続される、
    請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子部品。
  9. 前記第１の基板および前記第２の基板は、
    複数の前記接続部材によって、互いに接続されている、
    請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子部品。
  10. 前記複数の前記接続部材は、
    前記第２の基板を中心として対称に配置されている、
    請求項９に記載の電子部品。
  11. 第２の基板を、第１の基板に配置することと、
    前記第１の基板と、前記第２の基板の周縁部とにまたがって、接続部材を配置することと、
    前記接続部材によって前記第１の基板と、前記第２の基板の前記周縁部とを固定することと、
    を含む、電子部品の製造方法。
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