JP2018121364A - 差動電荷低減 - Google Patents

差動電荷低減 Download PDF

Info

Publication number
JP2018121364A
JP2018121364A JP2018072426A JP2018072426A JP2018121364A JP 2018121364 A JP2018121364 A JP 2018121364A JP 2018072426 A JP2018072426 A JP 2018072426A JP 2018072426 A JP2018072426 A JP 2018072426A JP 2018121364 A JP2018121364 A JP 2018121364A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
switch
input
node
amplifier
differential
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2018072426A
Other languages
English (en)
Inventor
ジー. バーズリー スコット
G Bardsley Scott
ジー. バーズリー スコット
デルニアン ピーター
Derounian Peter
デルニアン ピーター
エム. マーデン フランクリン
M Murden Franklin
エム. マーデン フランクリン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Analog Devices Inc
Original Assignee
Analog Devices Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Analog Devices Inc filed Critical Analog Devices Inc
Publication of JP2018121364A publication Critical patent/JP2018121364A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3211Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in differential amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/002Switching arrangements with several input- or output terminals
    • H03K17/005Switching arrangements with several input- or output terminals with several inputs only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M1/00Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
    • H03M1/06Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters
    • H03M1/08Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters of noise
    • H03M1/0863Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters of noise of switching transients, e.g. glitches
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M1/00Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
    • H03M1/12Analogue/digital converters
    • H03M1/1205Multiplexed conversion systems
    • H03M1/122Shared using a single converter or a part thereof for multiple channels, e.g. a residue amplifier for multiple stages
    • H03M1/1225Shared using a single converter or a part thereof for multiple channels, e.g. a residue amplifier for multiple stages using time-division multiplexing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Analogue/Digital Conversion (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

【課題】差動ノードに注入される電荷を補償するように構成される回路を提供する。
【解決手段】第1の差動入力を受信しスイッチがオンにされるとき前記第1の差動入力を第1のノードに提供するように構成される第1のスイッチ50と、第2の差動入力を受信しスイッチがオンにされるとき第2の差動入力を第2のノードに提供するように構成される第2のスイッチ52であって、第1のノードおよび第2のノードが差動対のノードである第2のスイッチと、前記第1のスイッチがオフにされるとき電荷を前記第2のノードに注入して前記第1のスイッチによって前記第1のノードに注入される電荷をキャンセルするように構成される第1のダミー回路素子54と、前記第2のスイッチがオフにされるとき電荷を前記第1のノード上に注入して前記第2のスイッチによって前記第2のノードに注入される電荷をキャンセルするように構成される第2のダミー回路素子56とを備える。
【選択図】図3

Description

本開示の技術は電子システムに関し、より具体的には、差動ノードに注入される電荷を補償するように構成される回路に関する。
電子システムは、差動増幅器への入力等の敏感な差動ノードを含む場合がある。例えば、差動増幅器への入力は、アナログ−デジタル変換器(ADC)の複数のインターリーブされたチャネルのうちの1つによって駆動され得るが、一方でADCの残余のチャネルは、差動増幅器への入力から電気的に分離される。増幅器への入力の敏感な性質を考慮すると、これらの入力がノイズまたは他の不要な電荷注入を受けることを防止することは有利であり得る。加えて、増幅器への差動入力は、互いに整合され、類似の環境を条件とするように設計され得る。
しかしながら、差動増幅器入力は、不要な電荷注入をなお経験する可能性がある。これは、増幅器出力の確度を低下させる可能性がある。これらの不要な電荷注入のいくつかは、他の差動入力ではなく、1つの差動入力に悪影響を及ぼし、または差動入力のうちの1つに、他の差動入力よりも大きな程度で悪影響を及ぼす可能性がある。
米国特許出願公開第2012/0274497号明細書 特開2000−132989号公報
差動ノードに注入される電荷を補償するように構成される回路を提供する。
本開示の一態様は、第1のスイッチと、第2のスイッチと、第1のダミー回路素子と、第2のダミー回路素子とを含む、装置である。第1のスイッチは、第1の差動入力を受信し、かつスイッチがオンにされるとき、第1のノードに第1の差動入力を提供するように構成される。第2のスイッチは、第2の差動入力を受信し、かつスイッチがオンにされるとき、第2のノードに第2の差動入力を提供するように構成される。第1のノードおよび第2のノードは、差動対のノードである。第1のダミー回路素子は、第1のスイッチがオフにされるとき、電荷を第2のノードに注入し、第1のスイッチによって第1のノード上に注入される電荷をキャンセルするように構成される。第2のダミー回路素子は、第2のスイッチがオフにされるとき、電荷を第1のノードに注入し、第2のスイッチによって第2のノードに注入される電荷をキャンセルするように構成される。
本開示の別の態様は、増幅器および複数のチャネルを含む、装置である。増幅器は、非反転入力および反転入力を含む。複数のチャネルのそれぞれは、一対の入力スイッチおよび一対のダミー回路素子を含む。一対の入力スイッチは、第1のスイッチおよび第2のスイッチを含む。第1のスイッチは、スイッチがオンにされるとき、第1のスイッチ入力を受信して増幅器の非反転入力に第1のスイッチ入力を提供し、スイッチがオフにされるとき、増幅器の非反転入力を第1のスイッチ入力から電気的に絶縁するように構成される。第2のスイッチは、スイッチがオンにされるとき、第2のスイッチ入力を受信して増幅器の反転入力に第2のスイッチ入力を提供し、スイッチがオフにされるとき、増幅器の反転入力を第2のスイッチ入力から電気的に絶縁するように構成される。一対のダミー回路素子は、一対の増幅器入力スイッチの入力と増幅器の入力との間に交差連結される。一対のダミー回路素子のそれぞれのダミー回路素子は、第1のスイッチがオフにされるとき、第1のスイッチと実質的に同じ静電容量を有する。複数のチャネルのうちの一方の一対の増幅器入力スイッチは、複数のチャネルのうちの他方の一対の増幅器入力スイッチがオフにされるとき、電荷を増幅器の非反転および反転入力に提供するように構成される。
本開示のなお別の態様は、差動電荷を低減する電子的に実装された方法である。本方法は、第1のスイッチをバイアスし、第1のスイッチの入力から非反転ノードを電気的に絶縁することを含む。本方法は、また、第1のスイッチはバイアスされ、非反転ノードを第1のスイッチの入力から電気的に絶縁する一方、反転ノードで電荷を連結し、第1のスイッチによって非反転ノードに注入される電荷を少なくとも部分的にキャンセルすることを含む。非反転ノードおよび反転ノードは、差動対のノードを備える。
本開示を要約する目的のために、本発明のある態様、利点、および新規の特徴が本明細書に説明されている。全てのそのような利点は、本発明の特定の実施形態に従って必ずしも達成され得るのではないことを理解されたい。したがって、本発明は、本明細書に教示または示唆され得る他の利点を必ずしも達成することなく、本明細書に教示される1つの利点または一群の利点を達成し、または最適化する様式で実装または実行されてもよい。
例えば、本願発明は以下の項目を提供する。
(項目1)
装置であって、
第1の差動入力を受信し、かつスイッチがオンにされるときに、上記第1の差動入力を第1のノードに提供するように構成される、第1のスイッチ(50)と、 第2の差動入力を受信し、かつスイッチがオンにされるときに、第2の差動入力を第2のノードに提供するように構成される、第2のスイッチ(52)であって、第1のノードおよび第2のノードが、差動対のノードである、第2のスイッチ(52)と、
上記第1のスイッチがオフにされるときに、電荷を上記第2のノードに注入して、上記第1のスイッチによって上記第1のノードに注入される電荷をキャンセルするように構成される、第1のダミー回路素子(54)と、
上記第2のスイッチがオフにされるときに、電荷を上記第1のノード上に注入して、上記第2のスイッチによって上記第2のノードに注入される電荷をキャンセルするように構成される、第2のダミー回路素子(56)と、
を備える、装置。
(項目2)
第1のダミー回路素子が、上記第1の差動入力と上記第2のノードとの間に直列に連結され、上記第2のダミー回路素子が、上記第2の差動入力と上記第1のノードとの間に直列に連結される、上記項目に記載の装置。
(項目3)
上記第1のスイッチが、第1の電界効果トランジスタを備え、上記第2のスイッチが、第2の電界効果トランジスタを備え、上記第1のダミー回路素子が、第1のダミー電界効果トランジスタを備え、上記第2のダミー回路素子が、第2のダミー電界効果トランジスタを備える、上記項目のいずれか一項に記載の装置。
(項目4)
上記第1のダミー電界効果トランジスタおよび上記第2のダミー電界効果トランジスタがそれぞれ、電源レール電圧にバイアスされるゲートを有する、上記項目のいずれか一項に記載の装置。
(項目5)
上記第1のダミー電界効果トランジスタが、上記第1の差動入力を受信するように構成される第1のソースと、上記第2のノードに電気的に連結される第1のドレインと、を有し、上記第2のダミー電界効果トランジスタが、上記第2の差動入力を受信するように構成される第2のソースと、上記第1のノードに電気的に連結される第2のドレインと、を有する、上記項目のいずれか一項に記載の装置。
(項目6)
上記第1のダミー電界効果トランジスタおよび上記第2のダミー電界効果トランジスタが、上記第1の電界効果トランジスタおよび上記第2の電界効果トランジスタと同一のトランジスタ構成を有する実質的に同一のインスタンシエイションである、上記項目のいずれか一項に記載の装置。
(項目7)
上記第1のダミー電界効果トランジスタが、両方ともに最低レベルの相互接続金属によって接触されないソースおよびドレインを有する、上記項目のいずれか一項に記載の装置。
(項目8)
上記第1のスイッチが、ソースおよびドレインを有する第1の電界効果トランジスタを備え、上記第1のダミー回路素子が、上記第1の電界効果トランジスタがスイッチをオフにされるときに、上記第1の電界効果トランジスタが有するソースドレイン間静電容量とほぼ等しい静電容量を有する、上記項目のいずれか一項に記載の装置。
(項目9)
第3の差動入力を受信し、オンのときに、上記第1のノードを提供し、かつオフのときに、上記第1のノードを上記第3の差動入力から電気的に絶縁するように構成される、第3のスイッチと、
第4の差動入力を受信し、オンのときに、上記第2のノードを提供し、かつオフのときに、上記第2のノードを上記第4の差動入力から電気的に絶縁するように構成される、第4のスイッチと、 上記第3のスイッチがオフのときに、上記第2のノードに電荷を注入して、上記第3のスイッチによって上記第1のノードに注入される電荷をキャンセルするように構成される、第3のダミー回路素子と、
上記第4のスイッチがオフのときに、上記第1のノードに電荷を注入して、上記第4のスイッチによって上記第2のノードに注入される電荷をキャンセルするように構成される、第4のダミー回路素子と、
を備える、上記項目のいずれか一項に記載の装置。
(項目10)
上記第1のノードに電気的に連結される第1の入力と、上記第2のノードに電気的に連結される第2の入力と、を備える差動増幅器を更に備える、上記項目のいずれか一項に記載の装置。
(項目11)
装置であって、
非反転入力と、反転入力と、を備える増幅器(20)と、
複数のチャネル(15a〜15n)であって、上記複数のチャネルがそれぞれ、
一対の増幅器入力スイッチであって、
第1のスイッチ入力を受信し、スイッチがオンにされるときに、上記第1のスイッチ入力を上記増幅器の上記非反転入力に提供し、かつスイッチがオフにされるときに、上記増幅器の上記非反転入力を上記第1のスイッチ入力から電気的に絶縁するように構成される、第1のスイッチ(50)と、
第2のスイッチ入力を受信し、スイッチがオンにされるときに、上記第2のスイッチ入力を上記増幅器の上記反転入力に提供し、スイッチがオフにされるときに、上記増幅器の上記反転入力を上記第2のスイッチ入力から電気的に絶縁するように構成される、第2のスイッチ(52)と、を備える、一対の増幅器入力スイッチと、
上記一対の増幅器入力スイッチの上記入力と上記増幅器の上記入力との間に交差連結される一対のダミー回路素子(54、56)であって、上記一対のダミー回路素子のそれぞれのダミー回路素子が、上記第1のスイッチがオフにされるときに、上記第1のスイッチと実質的に同一の静電容量を有する、一対のダミー回路素子と、を備える、複数のチャネルと、を備え、
上記複数のチャネルの一方の上記一対の増幅器入力スイッチが、上記複数のチャネルの他方の上記一対の増幅器入力スイッチがオフにされるときに、上記増幅器の上記非反転入力および上記反転入力に電荷を提供するように構成される、装置。
(項目12)
上記装置が、上記増幅器および上記複数のチャネルを備えるインターリーブされたアナログ−デジタル変換器段を備える、上記項目のいずれか一項に記載の装置。
(項目13)
上記装置が、上記第1のスイッチ入力および上記第2のスイッチ入力の電荷を調整するように構成される少なくとも1つのデジタル−アナログ変換器を備える、上記項目のいずれか一項に記載の装置。
(項目14)
上記第1のスイッチが、第1の電界効果トランジスタを備え、上記一対のダミー回路素子の第1のダミー回路素子が、電源レール電圧にバイアスされるゲートを有する第1のダミー電界効果トランジスタを備える、上記項目のいずれか一項に記載の装置。
(項目15)
上記第1のダミー電界効果トランジスタが、最低レベルの相互接続金属によって接触されない第1のソースおよび第1のドレインを備える、上記項目のいずれか一項に記載の装置。
(項目16)
上記複数のチャネルのうちの選択されたチャネルの上記一対のダミー回路素子の第1のダミー回路素子が、上記選択されたチャネルが取得モードにあり、上記複数のチャネルのうちの異なるチャネルがゲインモードにあるときに、電荷を上記反転増幅器入力に注入して、上記第1のスイッチ入力で電圧グリッチを補償するように構成される、上記項目のいずれか一項に記載の装置。
(項目17)
差動電荷を低減する電子的に実装された方法であって、
第1のスイッチが非反転ノードを上記第1のスイッチの入力から電気的に絶縁するためにバイアスされる一方で、上記非反転ノードを上記第1のスイッチの上記入力から電気的に絶縁するために上記第1のスイッチをバイアスすることと、
反転ノード上の電荷を連結して、上記第1のスイッチによって上記非反転ノードに注入される電荷を少なくとも部分的にキャンセルすることと、を含み、
上記非反転ノードおよび上記反転ノードが、差動対のノードを備える、方法。
(項目18)
連結が、電源レール電圧にバイアスされるゲートを有するダミースイッチによって行われる、上記項目に記載の方法。
(項目19)
上記ダミースイッチが、上記第1のスイッチの上記入力に電気的に連結される、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目20)
上記非反転ノード上の電荷と上記反転ノード上の電荷との間の差異を感知することを更に含む、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
(項目21)
上記方法が、複数のインターリーブされたチャネルを有するアナログ−デジタル変換器において標本抽出するために行われ、上記方法が、
サンプルを上記非反転ノードに提供するために、複数のインターリーブされたチャネルの第1のチャネルの第1のスイッチを含む、増幅器入力スイッチをオンにすることと、
上記第1のチャネルの上記増幅器入力スイッチがオンにされる一方で、
スイッチがオフにされるために、少なくとも第2のチャネルを備える、上記複数のインターリーブされたチャネルの他方の増幅器入力スイッチをバイアスすることと、
上記第2のチャネルへの入力と共に上記第2のチャネルのコンデンサを荷電するために、上記第2のチャネルのスイッチを起動することと、を更に含む、上記項目のいずれか一項に記載の方法。
(摘要)
一実施形態は、差動ノード対のノードに注入される電荷をキャンセルするように構成された装置に関する。ダミー回路素子は、スイッチが切られるとき、反転ノードに電荷を注入し、スイッチによって非反転ノードに注入される電荷をキャンセルし得る。加えて、別のダミー回路素子は、他方のスイッチが切られるとき、電荷を非反転ノードに注入し、別のスイッチによって反転ノードに注入される電荷をキャンセルし得る。これらのダミー回路素子は、交差連結され得る。
図1Aは、実施形態に従う、複数のチャネルを有するインターリーブされたアナログ−デジタル変換器(ADC)段を例示する概略図である。 図1Bは、図1AのADC段の実装形態のタイミング図である。 図2A〜2Cは、様々な実施形態に従う、ダミー回路素子を有する差動電荷キャンセル回路を例示する概略図である。 図2A〜2Cは、様々な実施形態に従う、ダミー回路素子を有する差動電荷キャンセル回路を例示する概略図である。 図2A〜2Cは、様々な実施形態に従う、ダミー回路素子を有する差動電荷キャンセル回路を例示する概略図である。 図3は、実施形態に従う、差動電荷キャンセルのためのダミー回路素子を有する電子システムのブロック図である。
ある実施形態の以下の詳細な説明は、具体的な実施形態の様々な説明を提示する。しかし、本明細書に記載される革新は、例えば、特許請求の範囲で定義され、包含される多数の異なるやり方で実施され得る。本説明において、図面への参照が行われ、同じ参照番号は同一または機能的に類似する要素を示す。
一対の差動ノードのうちの一方のノードに注入される電荷は、回路機能性において誤差を引き起こす可能性がある。例えば、差動増幅器の非反転入力に注入される不要な電荷は、差動増幅器の非反転入力ノードと反転入力ノードとの間の電荷における異なる差異を感知する増幅器をもたらし得る。そのような不要な電荷は、例えば、作動の遮断領域にバイアスされるスイッチを介して非反転入力に連結される電圧グリッチのために、注入される可能性がある。
一般的に説明すれば、本開示の態様は、差動対のノードのうちの1つのノードに注入される電荷をキャンセルすることに関する。一方で、本明細書で論じられる例は、例示的な目的のために不要な単一端電荷の文脈で記載されてもよいが、本明細書に記載される原理および利点は、不要な差動電荷に適用され得、これは単一端ノードのそれぞれの注入される単一端電荷の組み合わせを参照し得る。本明細書に記載される1つまたは複数の特徴によれば、スイッチがオフにされるときに、スイッチによって一対の敏感な差動ノードのうちの一方のノードに注入される電荷は、一対の敏感な差動ノードのうちの他方のノードにほぼ同じ電荷を注入するダミー回路素子によってキャンセルされ得る。これは、スイッチおよびダミー回路素子を介して一対の差動ノードに注入される正味の差動電荷をおよそゼロにまで導き得る。したがって、これは、一対の敏感な差動ノードのうちの一方のノードのスイッチを介する、電圧グリッチまたは電荷の他の不要な注入を補償し得る。ダミー回路素子は、敏感な差動ノードおよび差動入力にわたり、選択的に、敏感な差動ノードに電気的に連結するように構成されるスイッチに交差連結され得る。ダミー回路素子は、選択的に、差動入力を敏感な差動ノードに電気的に連結するように構成されるスイッチに密接に整合される、スイッチを備え得る。一実施形態において、ダミー回路素子は、作動の遮断領域に対して常にバイアスされる、スイッチを備え得る。
例えば、ADC内に、そのような差動電荷キャンセルが実装され得る。図1Aを参照すると、例示的なADC段10が記載される。ADC段10は、パイプラインADC等のADCの一部として、集積回路内に実装され得る。例えば、ADC段10は、2013年2月5日に発行され、本出願の譲受人に譲渡された米国特許第8,368,576号、表題「PIPELINED ANALOG−TO−DIGITAL CONVERTER」に記載される特徴のいずれの組み合わせも用いて実行され得、その全技術的開示は、その全体が本明細書に参照により組み込まれる。ADC段10は、ある実施形態において、マルチプライングデジタル−アナログ変換器(MDAC)段であり得る。ADC段10は、実質的に同じである、複数の順次カスケード接続された段のうちの1つであり得る。一実施形態によれば、ADC段10は、少なくとも1秒毎に約1ギガサンプル(GSPS)のサンプルレートを有するマルチビット(例えば12ビット)ADC内に含まれ得る。ある実施形態において、ADCのサンプル範囲は、約2.5GSPS等の約1GSPS〜10GSPSの範囲で選択され得る。
ADC段10は、複数のチャネル15a〜15nを含み得る。任意の好適な数のチャネル15a〜15nが実装され得る。例えば、2〜16個のチャネルがADC段10内に含まれ得る。これらの実装形態のいくつかにおいて、3つまたは4つのチャネルがADC段10内に含まれ得る。チャネル15a〜15nは、異なる制御信号を受信し得ることを除き、ある実装形態において互いに実質的に同じであり得る。チャネル15a〜15nは、互いに並列に連結され得る。具体的には、それぞれのチャネルは、差動入力Vin+およびVin−を受信し、図1Aに例示される実施形態において、チャネル内の増幅器入力スイッチを介して、選択的に、増幅器20の差動入力に電気的に連結され得る。増幅器20の差動入力は、増幅器入力スイッチを介してある時点で、選択的に、複数のチャネル15a〜15nのうちの1つの回路素子に電気的に接続され得る。増幅器20は、差動入力信号を受信するように構成される任意の好適な増幅器であり得る。差動入力は、フルスイングおよび/または低スイング信号であり得る。
例示されるチャネル15a〜15nのそれぞれは、入力スイッチ30および32と、正のデジタル−アナログ変換器(DAC)34と、負のDAC36と、ADC構成要素38と、入力コンデンサ40および42と、サンプルスイッチ44および46と、増幅器入力スイッチ50および52と、ダミー回路素子54および56と、フィードバックコンデンサ58および60と、フィードバックキャップリセットスイッチ62および64と、増幅器出力スイッチ66および68とを含む。図1Aに示されるように、例示されるスイッチは、電界効果トランジスタであり得る。他の実施形態において、異なる種類のスイッチは、図1Aに例示されるスイッチの1つまたは複数を実装するために使用され得る。チャネル15a〜15nのいずれも図1Aに例示される回路素子のいずれの組み合わせも含み得ることを理解されたい。更に、チャネル15a〜15nのいずれも、1つまたは複数の他の回路素子も含み得る。
複数のチャネル15a〜15nのうちの1つまたは複数は、時間インターリーブされたADC段の一部を形成するように異なる状態で同時に作動し得る。図1Bは、図1AのADC段10の実装形態のタイミング図であり、これは、複数のチャネル15a〜15nの3つの異なるチャネルの作動状態を例示する。チャネルは、一実施形態において、図1Bのタイミング図に従う作動モードによって周期し得る。図1Bのタイミング図に示されるように、それぞれのチャネルは、ある実施形態に従う1つのクロック周期中、特定の作動モードで作動し得る。一例として、第1のチャネルはVin取得モードで作動し得るが、一方で第2のチャネルはプリゲインモードで作動し、第3のチャネルはゲインモードで作動する。
それぞれのクロック周期の始めに、増幅器入力および出力がリセットされ得る。図1Aに例示されるADC段10の1つまたは複数チャネルにおいて、増幅器入力リセットスイッチ70および72は、図1Bのamp_リセット信号が増幅器20の差動入力をリセットするためにアサートされるとき(例えば、図1Bの上)、オンにされ得る。増幅器出力リセットスイッチ74および76も、図1Bのamp_リセット信号が増幅器20の差動出力をリセットするためにアサートされるとき、オンにされ得る。図1Bに示されるように、amp_リセット信号は、クロック周期の比較的小さい部分の間でアサートされ得る。
1つのチャネルは、入力スイッチ30および32、サンプルスイッチ44および46、ならびにフィードバックキャップリセットスイッチ62および64をオンにすることによってVin取得モードで作動し得る。入力スイッチ30および32がオンのとき、これらによって入力コンデンサ40および42は、非反転入力信号Vin+および反転入力信号Vin−でそれぞれ荷電され得る。図1Aの例示のチャネルに図示される他のスイッチは、作動のVin取得モード中、オフにされ得る。Vin取得モード中、チャネルは、増幅器20の入力から電気的に分離される。
別のチャネルは、正および負のDAC34および36内で1つまたは複数スイッチをそれぞれ起動することによって作動のプリゲインモードで作動し得る。これによって、DACノード+および/またはDACノード−は荷電され得る。一実施形態において、ADC構成要素38は、DAC34および36内の8つの異なるスイッチのうちの1つを駆動するために使用され得る、3ビット出力を有し得る。一実施形態において、入力コンデンサ40および42は、それぞれ、ほぼ等しい静電容量を有する8つのコンデンサに分割されてもよい。本実施形態において、これらの8つのコンデンサのそれぞれからの電荷は、ADC構成要素38の状態に応じてDAC34および36内のスイッチによってDACノード+またはDACノード−に駆動され得る。ADC構成要素38は、例えば、フラッシュADCであり得る。図1Aの例示的なチャネルに図示される他のスイッチは、作動のプリゲインモード中、オフであり得る。プリゲインモード中、チャネルは、増幅器20の入力から電気的に分離される。
なお別のチャネルは、増幅器入力スイッチ50および52をオンにすることによってゲインモードで作動し得る。増幅器入力スイッチ50および52、ならびに増幅器出力スイッチ66および68がオンのとき、増幅器20の差動入力を駆動し得る。ゲインモード中、入力コンデンサ40および42内に格納された電荷は、フィードバックコンデンサ58および60にそれぞれ転送され得る。加えて、正および負のDAC34および36内の1つまたは複数のスイッチは、一実施形態において、ゲインモード中、それぞれオンであり得る。図1Aの例示的なチャネルに図示される他のスイッチは、ゲインモード中、オフであり得る。ゲインモード中、チャネルは増幅器20の入力に電気的に接続される。
同時に、複数のチャネルの他のチャネルは既知の状態で作動し得る。例えば、他のチャネルは、一実施形態において、オフラインおよび/またはアイドル状態で作動し得る。
ADC段10は、増幅器入力スイッチ50および52が、一度に複数のチャネル15a〜15nのうちの1つのチャネルのみのためにオンにされ得るように、構成され得る。したがって、1つのチャネル内の増幅器入力スイッチ50および52は、増幅器20の差動入力を駆動し得るが、一方で他のチャネルの全てのための増幅器入力スイッチ50および52は、オフ状態となり、増幅器20の差動入力を他のチャネルの回路素子から電気的に絶縁するために、バイアスされる。増幅器入力スイッチ50および52は、回路素子が差動入力から増幅器20へと電気的に連結または分離されることを可能にすることによって複数のチャネル15a〜15nが共通の増幅器20を共有することを可能にする。
しかしながら、電荷は、オフ状態にある1つまたは複数の増幅器入力スイッチ50および/または52を介して、増幅器20の差動入力に注入され得る。一例として、第1のチャネルはVin取得モードで作動し得るが、一方で第2のチャネルはプリゲインモードで作動し、第3のチャネルはゲインモードで作動する。一方で第3のチャネル内の増幅器入力スイッチ50および52は増幅器20の入力を駆動するが、入力コンデンサ40および42は高周波大スイング差動入力Vin+およびVin−によって第1のチャネル内でそれぞれ荷電され得る。入力コンデンサ40または42のうちの1つを荷電することから生じるこの電荷のいくらかは、たとえ増幅器スイッチ50および52の両方が増幅器20の差動入力を第1のチャネルの入力コンデンサ40および42から電気的に絶縁するためにバイアスされても、第1のチャネル内の増幅器入力スイッチ50または52を介して、それぞれ供給され得る。その電荷が増幅器20の1つの差動入力に注入されるのと同時には、増幅器20の他の差動入力は、著しい電荷注入を経験しない場合がある。結果として、電荷注入は、増幅器の非反転入力と反転入力との間の電位における差異の誤差を引き起こし得る。一実施形態において、増幅器入力スイッチは、増幅器入力スイッチ50および52のソースの間で、数百ミリボルト程度の電位における差異をもたらすグリッチを経験し得、これは、増幅器20の対応する入力において10マイクロボルト程度(例えば、約10〜50マイクロボルト)の誤差を注入する可能性がある。図1Aに示される等の閉ループ増幅器を有する精密ADCにおいて、この大きさの誤差は、システム性能を著しく低下させるために十分大きい可能性がある。したがって、増幅器20の差動入力のうちの1つでの不要な電荷注入は、増幅器20の出力を不正確および/または間違いの多いものにする可能性がある。そのような差動電荷注入は、本明細書に記載される原理および利点に従って補償および/またはキャンセルされ得る。
電荷は、また、オフ状態にある1つまたは複数のチャネルの増幅器入力スイッチ50および/または52を介して、1つまたは複数のチャネルへと注入し直され得る。例えば、第3のチャネルは、第1および第2のチャネルへと連結し直される、グリッチを生成する可能性がある。この例において、第3のチャネルを増幅器20の入力に電気的に接続するためにオンにする、第3のチャネル内の増幅器入力スイッチ50および52は、第1のチャネルおよび/または第2のチャネルの増幅器入力スイッチ50および/または52を介して連結するグリッチを生成する可能性がある。このグリッチは、第1のチャネルおよび/または第2のチャネルにおいて、信号依存のサンプル電圧誤差を生成する可能性がある。次いで、そのような信号依存のサンプル電圧誤差は、増幅器20の出力を不正確および/または間違いの多いものにする可能性がある。
図1の破線ボックスによって示される差動電荷キャンセル回路80は、差動対のノードのうちの1つのノードの電荷注入を補償し得る。差動電荷キャンセル回路80は、増幅器入力スイッチ50および52、ならびにダミー回路素子54および56を含み得る。複数のチャネル15a〜15nのそれぞれのチャネル内で、ダミー回路素子54は、増幅器入力スイッチ50がオフにされるとき、増幅器入力スイッチ50によって注入される増幅器20の差動入力上の電荷における差異を低減するように構成される。同様に、ダミー回路素子56は、増幅器入力スイッチ52がオフにされるとき、増幅器入力スイッチ52によって注入される増幅器20の差動入力上の電荷における差異を低減するように構成される。図1Aに例示されるように、ダミー回路素子54は、第1の増幅器入力スイッチ50の入力に連結される第1の端部と、増幅器20の反転入力に連結される第2の端部とを有する。また、図1Aに例示されるように、ダミー回路素子56は、第2の増幅器入力スイッチ52の入力に連結される第1の端部および増幅器20の非反転入力に連結される第2の端部を有する。したがって、ダミー回路素子54および56は、交差連結されていると見なされ得る。第1のダミー回路素子54は、第1の増幅器入力スイッチ50がオフのとき、第1の増幅器入力スイッチ50によって電荷を増幅器20の反転入力に注入し、増幅器20の非反転入力に注入される電荷をキャンセルし得る。同様に、第2のダミー回路素子56は、第2の増幅器入力スイッチ52がオフのとき、電荷を増幅器20の非反転入力に注入し、第2の増幅器入力スイッチ52によって増幅器20の反転入力に注入される電荷をキャンセルし得る。例えば、ダミー回路素子は、増幅器入力スイッチがオフのとき、増幅器入力スイッチの静電容量に整合される静電容量を有し得、したがって、ダミー回路素子は、オフにされた増幅器入力スイッチが増幅器20の他の差動入力に注入するのとほぼ同じ量の電荷を増幅器20の入力に注入し得、これは電荷キャンセルをもたらす。ほぼ同じ電荷が増幅器20の反転および非反転入力ノードに注入されるため、この「キャンセル」によって、事実上、増幅器20の入力ノードに注入される正味の差動電荷はゼロに近くなる。一方でチャネル内にダミー回路素子54および56を含むことによって、増幅器20の差動入力に対する共通のモードグリッチが存在し得るが、これは増幅器20の出力に著しく悪影響を与えないはずである。
ダミー回路素子は、オフ状態等、1つの状態のみにあるようにバイアスされる回路素子を指し得る。例えば、ダミー回路素子は、電源レール電圧または電圧基準にバイアスされるゲートを有する電界効果トランジスタによって実装され得る。バイアスは、短絡回路によって等、直接的であり得、または抵抗器等、追加の回路素子を介して、間接的であり得る。例えば、ダミーNMOS装置は、接地基準電圧にバイアスされるゲートを有し得る。
同様に、ダミーPMOS装置は、Vdd等の電力供給電圧にバイアスされるゲートを有し得る。電界効果トランジスタ(FET)または本明細書に記載される「トランジスタ」は、金属−酸化物−半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)として既知のトランジスタに対応し得る。一方で用語「金属」および「酸化物」が装置の名前で存在するが、これらのトランジスタが、多結晶シリコン等、金属以外の材料から作製されたゲートを有し得、シリコン窒化物または高誘電率誘電体等のシリコン酸化物以外の誘電体から作製される誘電体「酸化物」領域を有し得ることを理解されたい。別の例として、ダミー回路素子は、コンデンサ等の受動的回路素子であり得る。
ダミー回路素子は、対応する機能的回路素子に整合され得る。一例として、ダミー回路素子は、機能性電界効果トランジスタが有するソース−ドレイン静電容量に整合された静電容量を有し得るが、一方で、オフ状態で作動する。一実施形態において、ダミー回路素子は、機能性トランジスタの実質的に同一のインスタンシエイションであり得るが、代わりに、作動の遮断領域でバイアスされる。実質的に同一のインスタンシエイションは、集積回路において実装するには比較的単純である。
図2A〜2Cは、ダミー回路素子を含む電荷キャンセル回路の様々な実施形態例示する。これらの図を参照して、差動電荷キャンセルのためのダミー回路素子の異なる例が説明される。差動電荷キャンセル回路80a〜80cの原理および利点のいずれも図1Aの差動電荷キャンセル回路80内に実装され得る。例えば、図2A〜2Cを参照して記載されるダミー回路素子の特徴のいずれの組み合わせも、図1Aに例示される実施形態に適用され得ることを理解されたい。
図2Aにおいて、差動電荷キャンセル回路80aおよび80bは、増幅器20との組み合わせで例示される。例示されるように、ダミー回路素子54a−1、56a−1、54a−2、および56a−2はそれぞれ、電源レール電圧または基準電圧にバイアスされるゲートを有する電界効果トランジスタによって実装される。より詳細には、例示されるように、ダミー電界効果トランジスタは、それぞれ、接地または接地基準にバイアスされるゲートを有するNMOSトランジスタである。したがって、ダミー電界効果トランジスタのそれぞれは、作動の遮断領域に常にバイアスされる。ダミー電界効果トランジスタ54a−1、56a−1、54a−2、および56a−2は、対応する増幅器入力トランジスタ50−1、52−1、50−2、および52−2と、それぞれ実質的に同一の寸法であり得る。更に、ダミー電界効果トランジスタのレイアウトは、ソース−ドレイン間静電容量が比較的密接に整合されるように、増幅器入力トランジスタのレイアウトに整合され得る。
図2Aに例示されるように、第1の差動電荷キャンセル回路80aは、増幅器入力スイッチ50−1および52−1、ならびにダミー回路素子54a−1および56a−1を含み得る。第1の増幅器入力スイッチ50−1は、第1の入力コンデンサ40−1に連結される入力を有し得、第2の増幅器入力スイッチ52−1は、第2の入力コンデンサ42−1に連結される入力を有し得る。より詳細には、第1の入力コンデンサ40−1は、第1の差動入力信号を受信するように構成される第1の端部と、第1の増幅器入力スイッチ50−1のソースに電気的に接続された第2の端部とを有し得る。第2の入力コンデンサ42−1は、第2の差動入力信号を受信するように構成される第1の端部と、第2の増幅器入力スイッチ52−1のソースに電気的に接続された第2の端部とを有し得る。第1の増幅器入力スイッチ50−1のゲートは、制御信号有効−1を受信し、制御信号有効−1に応答して、選択的に、第1の入力コンデンサ40−1の第2の端部を増幅器20の非反転入力に電気的に連結し得る。第2の増幅器入力スイッチ52−1のゲートは、制御信号有効−1も受信し、制御信号有効−1に応答して、選択的に、第2の入力コンデンサ42−1の第2の端部を増幅器20の反転入力に電気的に連結し得る。ダミー回路素子54a−1および56a−1は、交差連結され得る。図2Aに例示されるように、第1のダミー回路素子54a−1は、電源レール電圧にバイアスされるゲートと、第2の増幅器入力スイッチ52−1のソースに電気的に連結されるソースと、増幅器20の非反転入力に電気的に連結されるドレインとを有する第1のダミー電界効果トランジスタであり得る。同様に、第2のダミー回路素子56−1は、電源レール電圧にバイアスされるゲートと、第1の増幅器入力スイッチ50−1のソースに電気的に連結されるソースと、増幅器20の反転入力電気的に連結されるドレインとを有する第2のダミー電界効果トランジスタであり得る。
第2の差動電荷キャンセル回路80bは、増幅器入力スイッチ50−2および52−2の入力が異なる入力コンデンサ(例えば、第3の入力コンデンサ40−2および第4の入力コンデンサ42−2)に電気的に連結され得、増幅器入力スイッチ50−2および52−2が増幅器入力スイッチ50−1および52−1のものとは異なる制御信号(例えば、例示される実施形態における有効−1および有効−2)に応答して起動し得ることを除き、第1の差動電荷キャンセル回路80aと実質的に同一であり得る。
図2Aを参照して、差動電荷キャンセルの一実施例がここに説明される。第1の差動電荷キャンセル回路80aの増幅器入力スイッチ50−1および52−1がオンのとき、第2の差動電荷キャンセル回路80bの増幅器入力スイッチ50−2および52−2はオフである。第2の増幅器入力スイッチ52−2のソースの電圧グリッチは、たとえ第2の増幅器入力スイッチ52−2がオフであっても、電荷を増幅器20の反転入力に注入し得る。例えば、第4の入力コンデンサ42−2は、比較的早く荷電し得、第2の増幅器入力スイッチ52−2は、その電荷少なくとも一部を介して、増幅器20の反転入力に入り得る。ダミー電界効果トランジスタ54−a2は、増幅器20の非反転入力に実質的に同一の電荷を注入し、それによって電圧グリッチから生じる増幅器20の非反転入力と反転入力との間の電荷差動をキャンセルし得る。結果として、増幅器20は、オンである第1の差動電荷キャンセル回路80aの増幅器入力スイッチ50−1および52−1によって駆動される電荷の間の差動をより正確に感知し得る。
図2Bに例示される実施形態において、ダミー回路素子は、図2Aの実施形態とは異なるように実装される。その他の点で、図2Bに記載される回路は、図2Aに関連して先に記載された回路と実質的に同じ様式で作動し得る。図2Bにおいて、例示される静電容量は、別個の容量回路素子よりもむしろダミー回路素子の寄生静電容量である。
複数のチャネル15a〜15n内のダミー回路素子54および56は、増幅器入力ノードに追加の負荷を加え、図1AのADC段10で増幅器20の作動を減速させ得る。ダミー回路素子54および56の負荷を低減するために、これらの装置の端子は、相互接続金属の最低レベルと集積回路のトランジスタノードとの間の接触金属を除去することによって、トランジスタ拡散に接触しないままであり得る。相互接続金属の最低レベルは、典型的に、トランジスタに最も近い相互接続のレベルであり、相互接続金属の最低レベルの金属接触は、典型的に、トランジスタを上方レベルの金属相互接続に接触させるために使用される。図2Bに例示されるように、第1のダミー回路素子54b−1は第1のダミー電界効果トランジスタであり得、第2のダミー回路素子56b−1は第2のダミー電界効果トランジスタであり得る。図2Bのダミー回路素子は、第1および第2のダミー電界効果トランジスタがそれぞれ、最低レベルの相互接続金属層によって接触されないソースおよびドレインを有するが、一方で電源レール電圧によってバイアスされるゲートを有し得ることを例示するために、提供される。ダミー電界効果トランジスタのソースおよび/またはドレインを最低レベルの相互接続金属に接触されないままにすることによって、ダミー電界効果トランジスタの寄生バルク−ソース間静電容量CBSおよび寄生バルク−ドレイン間静電容量CBDは、実質的に除去され得る。ダミー電界効果トランジスタの非接触拡散は、また、図2Aの実施形態と比較して、増幅器20の非反転および反転入力に注入されるトランジスタ漏洩電流を実質的に除去し得る。ダミー電界効果トランジスタの拡散へのより上のレベルの金属接触がなければ、ソースおよび/またはドレインは浮動するように構成され得る。
ソースおよびドレインが下方レベルの相互接続金属に接続されず、ダミー電界効果トランジスタのそれぞれの寄生ソース−ドレイン間静電容量CSDは、同一の差動電荷キャンセル回路内の他の増幅器入力トランジスタの1つの増幅器入力トランジスタおよびドレインのソース全体の上方レベル金属と寄生的に連結され得る。ダミー電界効果トランジスタの寄生ソース−ドレイン間静電容量CSDは、ソース−ドレイン間静電容量CSDのほとんどが、典型的には、下方レベルの相互接続金属によって提供されるため、増幅器入力スイッチがオフのとき、比較的密接になお整合され、および/または対応する増幅器入力スイッチの寄生ソース−ドレイン間静電容量にほぼ等しくなり得る。したがって、図2Bの実施形態は、図2Aの実施形態と比較して、ダミートランジスタの増幅器入力ノードに対する負荷およびそれらが引き起こす遅延を低減し、一方で上述の差動電荷をなお好適にキャンセルし得る。
図2Cに例示される実施形態において、ダミー回路素子は、図2Aおよび2Bの実施形態とは異なるように実装される。その他の点で、図2Bに例示される回路は、図2Aに例示される回路と実質的に同じ様式で作動し得る。図2Bにおいて、差動電荷キャンセル回路80aおよび80bは、容量回路素子によって実装される、ダミー回路素子54c−1、56c−1、54c−2、および56c−2を含む。図2Cに例示されるダミーコンデンサは、増幅器入力スイッチがオフのときに、増幅器入力スイッチのソース−ドレイン間静電容量に密接に整合される静電容量を有し得る。
図3を参照すると、実施形態に従う差動電荷キャンセル用のダミー回路素子を有する電子システムが記載される。図3は、駆動回路92、差動電荷キャンセル回路80、および敏感な差動ノード98を有する回路を含む、装置90を例示する。駆動回路92は、差動信号を生成するように構成される任意の好適な回路であり得る。一実施例として、駆動回路92は、図1Aの入力コンデンサ40および42を含み得る。
例示される差動電荷キャンセル回路80は、第1のスイッチ50、第2のスイッチ52、第1のダミー回路素子54、第2のダミー回路素子56を含む。図1Aおよび2A〜2Cの増幅器入力スイッチ50および52は増幅器入力を選択的に駆動するように構成されるが、そのようなスイッチは、図3に示される一対の敏感な差動ノードを駆動するように実装され得ることを理解されたい。例えば、第1のスイッチ50は、駆動回路92から第1の差動入力を受信し得る。第1のスイッチ50は、有効信号に応答する敏感な差動ノード98を有する回路の非反転ノードを選択的に駆動し得る。第1のスイッチ50は、オフのとき、敏感な差動ノード98を有する回路の非反転ノードを第1の差動入力から電気的に絶縁し得る。第1のスイッチ50は、図1Aおよび2A〜2Cを参照して説明される増幅器入力スイッチ50を参照して記載される、特徴の任意の組み合わせを実装し得る。
第2のスイッチ52は、第2の差動入力を駆動回路92から受信し得る。第2のスイッチ52は、有効信号に応答する敏感な差動ノード98を有する回路の反転ノードを選択的に起動し得る。反転ノードおよび非反転ノードは、敏感な差動ノード98を有する回路の一対の敏感な差動ノードであり得る。例えば、一実施形態において、敏感な差動ノード98を有する回路は、図1Aおよび2A〜2Cに例示される増幅器20等の差動増幅器であり得る。第2のスイッチ52は、オフのとき、敏感な差動ノード98を有する回路の反転ノードを第2の差動入力から電気的に絶縁し得る。第2のスイッチ52は、図1Aおよび2A〜2Cを参照して説明される増幅器入力スイッチ52を参照して記載される、特徴の任意の組み合わせを実装し得る。
第1のダミー回路素子54は、第1のスイッチ52がオフのとき、第1のスイッチ52によって注入される非反転ノードに電荷をキャンセルするために、反転ノードに電荷を注入し得る。同様に、第2のダミー回路素子56は、第2のスイッチ52がオフのとき、第2のスイッチ52によって反転ノードに注入される電荷をキャンセルするために、非反転ノードに電荷を注入し得る。このようにして、差動電荷はキャンセルされ得る。例えば、第1のスイッチ52は、非反転ノードを第1のスイッチ52の入力から電気的に絶縁するために、バイアスされ得る。一方で第1のスイッチ52は非反転ノードを第1のスイッチ52の入力から電気的に絶縁するためにバイアスされるが、電荷は、ダミー回路素子54を介して、第1のスイッチ52によって非反転ノードに注入される電荷をキャンセルするために、反転ノードに注入され得る。そのような差動電荷キャンセルは、例えば、上記の差動対のノードの影響を与える敏感なノードからのいくらかのグリッチおよび不要な電荷をキャンセルし得る。
図3に例示されるように、第1のダミー回路素子54は、第1の差動入力と反転ノードとの間に直列で連結され、第2のダミー回路素子56は、第2の差動入力と非反転ノードとの間に直列で連結される。一実施形態において、この連結は、例えば、図2Bを参照して説明されるスイッチへの上方レベルの金属接触をせずに、寄生的に行われ得る。第1のダミー回路素子54および第2のダミー回路素子56は、例えば、図3に例示されるように交差連結され得る。第1のダミー回路素子54および第2のダミー回路素子56は、例えば、図1および2A〜2Cを参照して本明細書に記載されるダミー回路素子の原理および利点のいずれも実装し得る。
スイッチの対およびダミー回路素子の対を含む追加の差動電荷キャンセル回路は、例示される差動電荷キャンセル回路80と並列に連結され得ることを理解されたい。
上記の実施形態において、差動電荷キャンセルのための装置、システム、および方法は、特定の実施形態に関して記載される。しかし、本実施形態の原理および利点は、敏感な差動ノードへの電荷注入を補償する必要性のあるその他のシステム、装置、または方法のために使用され得ることを理解されたい。例えば、図1Aに例示される実施形態は、ADC段を参照して記載されるが、本明細書に記載される1つまたは複数の特徴は、ADC以外の多様な他の文脈で実装され得る。
そのような方法、システム、および/または装置は、様々な電子装置に実装され得る。電子装置の例としては、大衆消費電子製品、大衆消費電子製品の部品、電子試験機器等が挙げられ得るが、これらに限定されない。大衆消費電子製品の部品の例としては、アナログ−デジタル変換器、増幅器、整流器、プルグラム可能なフィルタ、減衰器、可変周波数回路等が挙げられ得る。電子装置の例としては、メモリチップ、メモリモジュール、光ネットワークまたは他の通信ネットワークの回路、およびディスクドライバ回路も挙げられ得る。大衆消費電子製品としては、無線装置、携帯電話(例えば、スマートフォン)、セルラ基地局、電話、テレビ、コンピュータモニタ、コンピュータ、携帯式コンピュータ、タブレットコンピュータ、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、電子レンジ、冷蔵庫、ステレオシステム、カセットレコーダもしくはプレーヤー、DVDプレーヤー、CDプレーヤー、デジタルビデオレコーダー(DVR)、VCR、MP3プレーヤー、ラジオ、カムコーダー、カメラ、デジタルカメラ、ポータブルメモリチップ、洗濯機、乾燥機、洗濯機/乾燥機、コピー機、ファクシミリ機、スキャナ、多機能周辺装置、腕時計、時計等が挙げられ得るが、これらに限定されない。更に、電子装置は、完成前製品を含み得る。
文脈が別途、明確に要求しない限り、本明細書および特許請求の範囲を通して、単語「備える」、「備えている」、「含む」、「含んでいる」等は、除外的または精緻な意味とは逆に包含的意味、すなわち、「含むが、これに限定されない」の意味において解釈されるものである。本明細書において一般的に使用される単語「連結される」または「接続される」は、直接接続され、または1つまたは複数の中間要素によって接続され得る、2つまたはそれ以上の要素を指す。加えて、単語「本明細書で」、「上の」、「下の」、および類似の趣旨の単語は、本願において使用されるとき、本願の任意の特定箇所ではなく、全体としての本願を指すものとする。文脈が許せば、単数または複数の数を使用する詳細な説明における単語は、また、それぞれ単数または複数の数を含み得る。2つまたはそれ以上の物品の列挙を指す単語「または」は、列挙の物品のいずれも、列挙の物品の全て、または列挙の物品のいずれかの組み合わせ、の単語の解釈の全てを包含することを意図される。
更に、とりわけ「できる」、「できるであろう」、「してもよいであろう」、「してもよい」、「例えば」、「例えば」、「等」などの本明細書で使用される条件的言語は、別途、具体的に記述され、または使用される文脈内で別途理解されない限り、一般的に、ある実施形態がある特徴、要素、および/または状態を含むが、一方で他の実施形態はそれらを含まないことを伝達することを意図される。したがって、そのような条件的言語は、これらの特徴、要素、および/または状態が、任意の特定の実施形態に含まれ、または行われるものであっても、一般的に、特徴、要素、および/または状態が1つまたは複数の実施形態のためにいずれの仕方でも必要とされ、または1つまたは複数の実施形態が、オーサ入力またはプロンプテイングを用い、またはこれを用いない、決定のためのロジックを必ず含むことを含意することを意図されない。
本明細書において提供される本発明の教示は、必ずしも上記のシステムでない、他のシステムに適用され得る。上記の様々な実施形態の要素および作用は、更なる実施形態を提供するために組み合わせ得る。
一方で本発明のある実施形態が説明されるが、これらの実施形態は、例示のみによって提示されており、本開示の範囲を限定することを意図されないものである。実際には、本明細書に記載される新規の方法およびシステムは、様々な他の形態で実施されてもよい。更に、本明細書に記載される方法およびシステムの形態における様々な省略、代用、および変更は本開示の趣旨を逸脱することなく、行われてもよい。添付の特許請求の範囲およびその同等物は、本開示の範囲および趣旨内に存在するそのような形態および改変形態を包含することを意図される。したがって、本発明の範囲は、添付される特許請求の範囲の参照によってのみ定義される。
54、56……ダミー回路素子
80……差動電荷キャンセル回路
92……駆動回路

Claims (21)

  1. 装置であって、
    第1の差動入力を受信し、かつスイッチがオンにされるときに、前記第1の差動入力を第1のノードに提供するように構成される、第1のスイッチ(50)と、
    第2の差動入力を受信し、かつスイッチがオンにされるときに、第2の差動入力を第2のノードに提供するように構成される、第2のスイッチ(52)であって、第1のノードおよび第2のノードが、差動対のノードである、第2のスイッチ(52)と、
    前記第1のスイッチがオフにされるときに、電荷を前記第2のノードに注入して、前記第1のスイッチによって前記第1のノードに注入される電荷をキャンセルするように構成される、第1のダミー回路素子と、
    前記第2のスイッチがオフにされるときに、電荷を前記第1のノード上に注入して、前記第2のスイッチによって前記第2のノードに注入される電荷をキャンセルするように構成される、第2のダミー回路素子と、
    を備える、装置。
  2. 第1のダミー回路素子が、前記第1の差動入力と前記第2のノードとの間に直列に連結され、前記第2のダミー回路素子が、前記第2の差動入力と前記第1のノードとの間に直列に連結される、請求項1に記載の装置。
  3. 前記第1のスイッチが、第1の電界効果トランジスタを備え、前記第2のスイッチが、第2の電界効果トランジスタを備え、前記第1のダミー回路素子が、第1のダミー電界効果トランジスタを備え、前記第2のダミー回路素子が、第2のダミー電界効果トランジスタを備える、請求項1に記載の装置。
  4. 前記第1のダミー電界効果トランジスタおよび前記第2のダミー電界効果トランジスタがそれぞれ、電源レール電圧にバイアスされるゲートを有する、請求項3に記載の装置。
  5. 前記第1のダミー電界効果トランジスタが、前記第1の差動入力を受信するように構成される第1のソースと、前記第2のノードに電気的に連結される第1のドレインと、を有し、前記第2のダミー電界効果トランジスタが、前記第2の差動入力を受信するように構成される第2のソースと、前記第1のノードに電気的に連結される第2のドレインと、を有する、請求項3に記載の装置。
  6. 前記第1のダミー電界効果トランジスタおよび前記第2のダミー電界効果トランジスタが、前記第1の電界効果トランジスタおよび前記第2の電界効果トランジスタと同一のトランジスタ構成を有する実質的に同一のインスタンシエイションである、請求項3に記載の装置。
  7. 前記第1のダミー電界効果トランジスタが、両方ともに最低レベルの相互接続金属によって接触されないソースおよびドレインを有する、請求項3に記載の装置。
  8. 前記第1のスイッチが、ソースおよびドレインを有する第1の電界効果トランジスタを備え、前記第1のダミー回路素子が、前記第1の電界効果トランジスタがスイッチをオフにされるときに、前記第1の電界効果トランジスタが有するソースドレイン間静電容量とほぼ等しい静電容量を有する、請求項1に記載の装置。
  9. 第3の差動入力を受信し、オンのときに、前記第1のノードを提供し、かつオフのときに、前記第1のノードを前記第3の差動入力から電気的に絶縁するように構成される、第3のスイッチと、 第4の差動入力を受信し、オンのときに、前記第2のノードを提供し、かつオフのときに、前記第2のノードを前記第4の差動入力から電気的に絶縁するように構成される、第4のスイッチと、
    前記第3のスイッチがオフのときに、前記第2のノードに電荷を注入して、前記第3のスイッチによって前記第1のノードに注入される電荷をキャンセルするように構成される、第3のダミー回路素子と、
    前記第4のスイッチがオフのときに、前記第1のノードに電荷を注入して、前記第4のスイッチによって前記第2のノードに注入される電荷をキャンセルするように構成される、第4のダミー回路素子と、
    を備える、請求項1に記載の装置。
  10. 前記第1のノードに電気的に連結される第1の入力と、前記第2のノードに電気的に連結される第2の入力と、を備える差動増幅器を更に備える、請求項1に記載の装置。
  11. 装置であって、
    非反転入力と、反転入力と、を備える増幅器(20)と、
    複数のチャネル(15a〜15n)であって、前記複数のチャネルがそれぞれ、
    一対の増幅器入力スイッチであって、
    第1のスイッチ入力を受信し、スイッチがオンにされるときに、前記第1のスイッチ入力を前記増幅器の前記非反転入力に提供し、かつスイッチがオフにされるときに、前記増幅器の前記非反転入力を前記第1のスイッチ入力から電気的に絶縁するように構成される、第1のスイッチ(50)と、
    第2のスイッチ入力を受信し、スイッチがオンにされるときに、前記第2のスイッチ入力を前記増幅器の前記反転入力に提供し、スイッチがオフにされるときに、前記増幅器の前記反転入力を前記第2のスイッチ入力から電気的に絶縁するように構成される、第2のスイッチ(52)と、を備える、一対の増幅器入力スイッチと、
    前記一対の増幅器入力スイッチの前記入力と前記増幅器の前記入力との間に交差連結される一対のダミー回路素子(54、56)であって、前記一対のダミー回路素子のそれぞれのダミー回路素子が、前記第1のスイッチがオフにされるときに、前記第1のスイッチと実質的に同一の静電容量を有する、一対のダミー回路素子と、を備える、複数のチャネルと、を備え、
    前記複数のチャネルの一方の前記一対の増幅器入力スイッチが、前記複数のチャネルの他方の前記一対の増幅器入力スイッチがオフにされるときに、前記増幅器の前記非反転入力および前記反転入力に電荷を提供するように構成される、装置。
  12. 前記装置が、前記増幅器および前記複数のチャネルを備えるインターリーブされたアナログ−デジタル変換器段を備える、請求項11に記載の装置。
  13. 前記装置が、前記第1のスイッチ入力および前記第2のスイッチ入力の電荷を調整するように構成される少なくとも1つのデジタル−アナログ変換器を備える、請求項11に記載の装置。
  14. 前記第1のスイッチが、第1の電界効果トランジスタを備え、前記一対のダミー回路素子の第1のダミー回路素子が、電源レール電圧にバイアスされるゲートを有する第1のダミー電界効果トランジスタを備える、請求項11に記載の装置。
  15. 前記第1のダミー電界効果トランジスタが、最低レベルの相互接続金属によって接触されない第1のソースおよび第1のドレインを備える、請求項14に記載の装置。
  16. 前記複数のチャネルのうちの選択されたチャネルの前記一対のダミー回路素子の第1のダミー回路素子が、前記選択されたチャネルが取得モードにあり、前記複数のチャネルのうちの異なるチャネルがゲインモードにあるときに、電荷を前記反転増幅器入力に注入して、前記第1のスイッチ入力で電圧グリッチを補償するように構成される、請求項11に記載の装置。
  17. 差動電荷を低減する電子的に実装された方法であって、
    第1のスイッチが非反転ノードを前記第1のスイッチの入力から電気的に絶縁するためにバイアスされる一方で、前記非反転ノードを前記第1のスイッチの前記入力から電気的に絶縁するために前記第1のスイッチをバイアスすることと、
    反転ノード上の電荷を連結して、前記第1のスイッチによって前記非反転ノードに注入される電荷を少なくとも部分的にキャンセルすることと、を含み、
    前記非反転ノードおよび前記反転ノードが、差動対のノードを備える、方法。
  18. 連結が、電源レール電圧にバイアスされるゲートを有するダミースイッチによって行われる、請求項17に記載の方法。
  19. 前記ダミースイッチが、前記第1のスイッチの前記入力に電気的に連結される、請求項18に記載の方法。
  20. 前記非反転ノード上の電荷と前記反転ノード上の電荷との間の差異を感知することを更に含む、請求項17に記載の方法。
  21. 前記方法が、複数のインターリーブされたチャネルを有するアナログ−デジタル変換器において標本抽出するために行われ、前記方法が、
    サンプルを前記非反転ノードに提供するために、複数のインターリーブされたチャネルの第1のチャネルの第1のスイッチを含む、増幅器入力スイッチをオンにすることと、
    前記第1のチャネルの前記増幅器入力スイッチがオンにされる一方で、
    スイッチがオフにされるために、少なくとも第2のチャネルを備える、前記複数のインターリーブされたチャネルの他方の増幅器入力スイッチをバイアスすることと、
    前記第2のチャネルへの入力と共に前記第2のチャネルのコンデンサを荷電するために、前記第2のチャネルのスイッチを起動することと、を更に含む、請求項17に記載の方法。
JP2018072426A 2013-02-15 2018-04-04 差動電荷低減 Pending JP2018121364A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/769,096 2013-02-15
US13/769,096 US8941439B2 (en) 2013-02-15 2013-02-15 Differential charge reduction

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014006579A Division JP2014158261A (ja) 2013-02-15 2014-01-17 差動電荷低減

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018121364A true JP2018121364A (ja) 2018-08-02

Family

ID=50033340

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014006579A Pending JP2014158261A (ja) 2013-02-15 2014-01-17 差動電荷低減
JP2018072426A Pending JP2018121364A (ja) 2013-02-15 2018-04-04 差動電荷低減

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014006579A Pending JP2014158261A (ja) 2013-02-15 2014-01-17 差動電荷低減

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8941439B2 (ja)
EP (1) EP2768142A1 (ja)
JP (2) JP2014158261A (ja)
CN (1) CN103997345B (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150372844A1 (en) * 2014-06-18 2015-12-24 Texas Instruments Incorporated Wideband Parasitic Capacitance Cancellation for High Speed Switches in Serial Communication
CN104601118B (zh) * 2014-12-30 2017-12-12 中国科学院电子学研究所 斩波稳零运算放大器中注入电荷的抑制方法
US10396766B2 (en) * 2017-12-26 2019-08-27 Texas Instruments Incorporated Parasitic capacitance cancellation using dummy transistors
WO2020173918A1 (en) * 2019-02-25 2020-09-03 Ams International Ag Circuit for reduced charge-injection errors

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5703589A (en) 1996-03-08 1997-12-30 Burr-Brown Corporation Switched capacitor input sampling circuit and method for delta sigma modulator
JP2000132989A (ja) * 1998-10-22 2000-05-12 Haruo Kobayashi トラックホールド回路
US6201835B1 (en) 1999-03-05 2001-03-13 Burr-Brown Corporation Frequency-shaped pseudo-random chopper stabilization circuit and method for delta-sigma modulator
US20030146786A1 (en) 2002-02-04 2003-08-07 Kush Gulati ADC having chopper offset cancellation
US7019679B2 (en) 2002-05-31 2006-03-28 Broadcom Corporation Multiplexer with low parasitic capacitance effects
US7167029B2 (en) 2005-01-19 2007-01-23 Atmel Corporation Sampling and level shifting circuit
JP4900065B2 (ja) * 2006-10-19 2012-03-21 株式会社デンソー マルチチャネルサンプルホールド回路およびマルチチャネルa/d変換器
JP2008219527A (ja) * 2007-03-05 2008-09-18 Fujitsu Ltd アナログスイッチ
US7764215B2 (en) * 2008-12-31 2010-07-27 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. Multi-stage comparator with offset canceling capacitor across secondary differential inputs for high-speed low-gain compare and high-gain auto-zeroing
US8026760B1 (en) * 2010-07-29 2011-09-27 Freescale Semiconductor, Inc. Gain enhanced switched capacitor circuit and method of operation
CN102158229A (zh) * 2011-03-30 2011-08-17 上海北京大学微电子研究院 Adc失调电压和电荷注入消除技术
US8368576B2 (en) 2011-04-27 2013-02-05 Analog Devices, Inc. Pipelined analog-to-digital converter
CN102394650B (zh) * 2011-10-11 2013-11-13 中国电子科技集团公司第五十八研究所 用于电荷耦合流水线adc的反馈增强型电荷传输电路
US8604861B1 (en) * 2012-06-19 2013-12-10 Infineon Technologies Ag System and method for a switched capacitor circuit

Also Published As

Publication number Publication date
CN103997345A (zh) 2014-08-20
JP2014158261A (ja) 2014-08-28
CN103997345B (zh) 2017-09-12
US20140232460A1 (en) 2014-08-21
EP2768142A1 (en) 2014-08-20
US8941439B2 (en) 2015-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11152931B2 (en) Input buffer
JP2018121364A (ja) 差動電荷低減
US7274222B2 (en) Control method for an analogue switch
US8222926B2 (en) Track and hold circuit
JPH10312698A (ja) Mosサンプル・アンド・ホールド回路
US8810282B2 (en) Apparatus and methods for voltage comparison
US7279940B1 (en) Switched-capacitor circuit with time-shifted switching scheme
US9735736B2 (en) Apparatus and methods for reducing input bias current of an electronic circuit
US8791758B1 (en) Apparatus and methods for buffer linearization
US8810283B2 (en) CMOS transistor linearization method
US11863165B2 (en) Input buffer
US8841962B1 (en) Leakage compensation for switched capacitor integrators
US8471630B2 (en) Fast settling reference voltage buffer and method thereof
US8232904B2 (en) Folding analog-to-digital converter
US8354887B1 (en) Charge compensation for operational transconductance amplifier based circuits
US9413377B1 (en) Switched capacitor circuit and compensation method thereof, and analog to digital converter
Pelgrom Sample-and-Hold Circuits
TW202220034A (zh) 輸入緩衝器以及緩衝電壓輸入訊號之方法
Vergine et al. A 32-channel 12-bits 65nm Wilkinson ADC for CMS central tracker
Elsobky Reconfigurable Analog-to-Digital Converter for HySiF: Part II
Ren et al. A 0.5‐V 5.9‐fJ/conversion‐step SAR ADC in 0.18‐μm CMOS
KR20100074499A (ko) 스위치드 캐패시터
KR100757431B1 (ko) 샘플링 스위치의 온-저항을 최소화하는 방법 및 아날로그스위치 회로
Geoghegan et al. Design of a CMOS track-and-hold amplifier for a 6-bit 1-GS/s interpolating flash ADC
Peng et al. A low-voltage sampling switch with improved linearity

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180409

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180409

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190701

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20190930

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20200309