JP2018120905A - 真空搬送モジュール及び基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】メンテナンス性に優れた真空搬送モジュール及び基板処理装置を提供する。【解決手段】真空搬送モジュール１及び基板処理装置１００において、平面視形状が凸ｍ角形（ｍは４以上の整数）である搬送室１１と、基板を搬送する搬送機構１２とを備える。搬送室のｍ個の側面のうち、少なくともこの順に隣接する第１側面Ｌ１、第２側面Ｌ２及び第３側面Ｌ３は、基板が処理される第１処理室Ｐ１、第２処理室Ｐ２及び第３処理室Ｐ３にそれぞれ接続可能である。搬送室の平面視中心と接続された第１処理室の平面視中心とを結ぶ直線、搬送室の平面視中心と接続された第２処理室の平面視中心とを結ぶ直線及び搬送室の平面視中心と接続された第３処理室の平面視中心とを結ぶ直線に対して、それぞれ略直交し、第１側面と第２側面とが成す角度α１２と、第２側面と第３側面α２３とが成す角度とは異なっている。【選択図】図１

Description

本発明は、メンテナンス性に優れた真空搬送モジュール及び基板処理装置に関する。

従来、基板（ウェハ）に対して行われる物理蒸着（ＰＶＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、エッチングなどの所定の処理は、真空に保持された処理室（プロセスチャンバ）の内部で行われることが一般的である。このような基板処理を行う装置として、処理の効率化の観点、及び、酸化やコンタミネーションなどを抑制する観点から、真空に保持されている搬送室を中心にその周りに複数の処理室を配置し、当該搬送室に設けられている搬送機構（搬送ロボット）により各処理室に基板を搬入及び搬出可能としたマルチチャンバ方式の装置（クラスターツール）が知られている。

例えば、特許文献１に開示される基板処理装置（真空処理システム１）は、図４の平面図に示すように、真空下で基板処理を行う複数の処理室（ＣＶＤ処理チャンバ１２，１３，１４，１５）と、搬送室（搬送室１１）とを備えている。前記搬送室１１は平面視形状が正六角形であり、６つの側面は互いに等しい角度（搬送室１１の平面視形状が正六角形であるため６０°）をなして隣接している。当該搬送室１１の６つの側面のうち、４つの側面に４つの処理室１２，１３，１４，１５がゲートバルブＧを介して接続されている。処理室１２，１３，１４，１５が接続されている搬送室１１の１つの側面当たり１つの処理室が接続されている。当該処理室接続面同士がなす角度は等しいので、隣り合う処理室間の間隔も等しい。

ところで、このような基板処理装置のメンテナンス作業として、例えば、搬送室、搬送機構及び処理室の部品並びに計測機器、ゲートバルブの弁体やＯリングなどを定期的に交換・補修する作業などが挙げられる。これらのメンテナンス作業は、搬送室や処理室の近くで行われるため、隣り合う処理室間の間隔が狭いと、作業者が交換・補修作業を行い難い。その結果、メンテナンス作業の効率が悪くなり、メンテナンス性に劣るものとなる。一般的に、基板処理装置は高いスループットが求められることから、処理室の設置台数を多くすることが求められる。しかしながら、従来の基板処理装置は、処理室間の間隔が等しいため、処理室の設置台数を増やすにつれ、必然的に隣り合う処理室間の間隔が狭くなり、メンテナンス性に劣るものとならざるを得ないという問題点がある。

特許文献２には、搬送室のある１つの側面に処理室を接続しないことにより空いた領域をメンテナンス領域とすることが開示されている。このようにすれば、広いメンテナンス領域を確保することはできるものの、処理室を接続せずにメンテナンス領域を設けることは、処理室の設置台数を減らさざるを得ず、高いスループットを犠牲にすることになるという問題点がある。

特許第５２０８９４８号公報 特開２０１１−２３３７８８号公報

本発明は、かかる問題点を解決するためになされたものであり、高いスループットを維持したまま、メンテナンス作業を効率良く行うことが可能であり、メンテナンス性に優れた真空搬送モジュール及び基板処理装置を提供することを課題とする。

前記課題を解決するため、本発明は、平面視形状が凸ｍ角形（ｍは４以上の整数）である搬送室と、前記搬送室に配置され、基板を搬送する搬送機構とを備え、前記搬送室のｍ個の側面のうち、少なくともこの順に隣接する第１側面、第２側面及び第３側面は、前記搬送機構によって搬送される基板が処理される第１処理室、第２処理室及び第３処理室にそれぞれ接続可能であって、前記搬送室の平面視中心と接続された前記第１処理室の平面視中心とを結ぶ直線、前記搬送室の平面視中心と接続された前記第２処理室の平面視中心とを結ぶ直線、及び、前記搬送室の平面視中心と接続された前記第３処理室の平面視中心とを結ぶ直線に対して、それぞれ略直交し、前記第１側面と前記第２側面とが成す角度と、前記第２側面と前記第３側面とが成す角度とは異なっていることを特徴とする真空搬送モジュールを提供する。

本発明の真空搬送モジュールにおいて、搬送室のｍ個の側面のうち、第１処理室、第２処理室及び第３処理室にそれぞれ接続可能であって、この順に隣接する３つの側面が複数組存在する場合は、当該複数組のうち少なくとも１組の３つの側面が第１側面、第２側面及び第３側面であり、前記第１側面、前記第２側面及び前記第３側面が、前記搬送室の平面視中心と接続された前記第１処理室の平面視中心とを結ぶ直線、前記搬送室の平面視中心と接続された前記第２処理室の平面視中心とを結ぶ直線、及び、前記搬送室の平面視中心と接続された前記第３処理室の平面視中心とを結ぶ直線に対して、それぞれ略直交し、前記第１側面と前記第２側面とが成す角度と、前記第２側面と前記第３側面とが成す角度とが異なっているという関係を満たす。
例えば、前記搬送室のｍ個の側面のうち、側面Ａ、側面Ｂ、側面Ｃ及び側面Ｄの４個の側面がこの順に隣接し、４個の側面Ａ、側面Ｂ、側面Ｃ及び側面Ｄが処理室に接続可能である場合、
（１）側面Ａ、側面Ｂ及び側面Ｃ、
（２）側面Ｂ、側面Ｃ及び側面Ｄ
の２組のうち少なくとも１組の３つの側面を第１側面、第２側面、第３側面と称し、当該第１側面、第２側面、第３側面が前記関係を満たしていればよい。前記搬送室のｍ個の側面のうち、５個以上の側面が隣接し、当該５個以上の側面が処理室に接続可能である場合も、同様であり、少なくとも１組の第１側面、第２側面、第３側面について、前記関係を満たしていればよい。

ここで、「搬送室の平面視中心」とは、基板を搬送する搬送機構の旋回中心のことをいう。以下、「搬送室の平面視中心」のことを単に「搬送室の中心」ともいうことがある。
また、「処理室の平面視中心」とは、処理室の内部に設けられ、処理対象の基板を載置する、平面視円形状の載置台の平面視中心のことをいう。以下、「処理室の平面視中心」を単に「処理室の中心」ともいうことがある。

前記第１側面と前記第２側面とが成す角度α_１２と、前記第２側面と前記第３側面とが成す角度α_２３とが異なっているということは、α_２３がα_１２よりも大きい、又は、α_２３がα_１２よりも小さい。
例えば、図１に示すように、α_２３がα_１２よりも小さい場合、前記搬送室１１の中心Ｏと接続された前記第１処理室Ｐ１の中心Ｒ_１とを結ぶ直線ＯＲ_１と、前記搬送室の中心Ｏと接続された前記第２処理室Ｐ２の中心Ｒ_２とを結ぶ直線ＯＲ_２とが成す角度β_１２は、前記直線ＯＲ_２と、前記搬送室１１の中心Ｏと接続された前記第３処理室Ｐ３の中心Ｒ_３とを結ぶ直線ＯＲ_３とが成す角度β_２３よりも小さい。この場合、第２処理室Ｐ２と第３処理室Ｐ３との間隔は、第１処理室Ｐ１と第２処理室Ｐ２との間隔よりも大きくなる。
このように、第２側面と第３側面とが成す角度を第１側面と第２側面とが成す角度よりも小さくすることにより、第２処理室と第３処理室との間隔を大きくし、第１処理室と第２処理室との間隔を小さくすることができる。

逆に、α_２３がα_１２よりも大きい場合、即ち、第２側面と第３側面とが成す角度が、第１側面と第２側面とが成す角度よりも大きい場合、第１処理室Ｐ１と第２処理室Ｐ２との間隔は、第２処理室Ｐ２と第３処理室Ｐ３との間隔よりも大きくなる。
このように、第２側面と第３側面とが成す角度を第１側面と第２側面とが成す角度よりも大きくすることにより、第１処理室と第２処理室との間隔を大きくし、第２処理室と第３処理室との間隔を小さくすることができる。

したがって、本発明によれば、隣り合う処理室間の間隔を大きくした広い領域をメンテナンス領域とし、当該メンテナンス領域でメンテナンス作業を行うことにより、従来のように隣り合う処理室間の間隔が等しい場合に比べて、より広いメンテナンス領域でメンテナンス作業を行うことができる。その結果、メンテナンス作業を効率的に行うことが可能であり、メンテナンス性に優れた真空搬送モジュールを提供することが可能である。
ここで、メンテナンス領域とは、基板処理装置のメンテナンス作業を行うための領域のことを意味し、装置の部品及び計測機器の交換、補修などが行われる領域である。メンテナンス作業としては、例えば、搬送室、搬送機構及び処理室の部品並びに計測機器、ゲートバルブＧの弁体やＯリングなどを定期的に交換・補修する作業などが挙げられる。

なお、図１では、搬送室１１の第１側面Ｌ１、第２側面Ｌ２、第３側面Ｌ３を平面視時計回りの順に称しているが、平面視反時計回りの順に第１側面Ｌ１、第２側面Ｌ２、第３側面Ｌ３と称しても同様である。

本発明においては、隣接する２つの側面である前記第１側面と前記第２側面が成す角度α_１２と、同様に隣接する２つの側面である前記第２側面と前記第３側面とが成す角度α_２３とは異なっているため、α_１２及びα_２３のうち、何れか一方の成す角度が正ｍ角形の場合の角度よりも大きく、何れか他方の成す角度が正ｍ角形の場合の角度よりも小さい。したがって、α_１２及びα_２３としては、何れか一方が１８０°×（ｍ−２）／ｍよりも大きく、何れか他方が１８０°×（ｍ−２）／ｍよりも小さい場合を例示できる。

また、前記課題を解決するため、本発明は、前記真空搬送モジュールと、前記真空搬送モジュールに接続されている処理モジュールとを備え、前記処理モジュールは、前記第１側面に接続されている前記第１処理室、前記第２側面に接続されている前記第２処理室、及び、前記第３側面に接続されている前記第３処理室と、前記第１処理室、前記第２処理室及び前記第３処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、前記第１処理室、前記第２処理室及び前記第３処理室の内部を排気する排気機構とを具備することを特徴とする基板処理装置としても提供される。

本発明の基板処理装置によれば、前述したように、隣り合う処理室間の間隔を広くした領域をメンテナンス領域とし、当該メンテナンス領域でメンテナンス作業を行うことにより、従来のように隣り合う処理室間の間隔が等しい場合に比べて、より広い領域でメンテナンス作業を行うことができる。その結果、本発明の基板処理装置は、メンテナンス作業を効率的に行うことが可能であり、メンテナンス性に優れる。

本発明の基板処理装置は、好ましくは、前記第１処理室、前記第２処理室及び前記第３処理室が、それぞれ独立した処理室である。ここで、前記独立した処理室とは、当該処理室において基板処理を行う際に他の処理室と連通しておらず、他の処理室の処理条件（例えば、温度、圧力、処理ガスの種類など）の影響を受けないことを意味する。かかる好ましい構成により、処理室毎に独立して温度、圧力、処理ガスの種類などの設定及び制御を行うことが可能であるため、複数の処理室のそれぞれが他の処理室の処理条件の影響を受けずに、品質が安定した基板の処理が可能である。また、複数の処理室毎に異なる処理を行うことが可能であるため、基板処理の自由度が高まるという利点がある。

好ましくは、前記処理モジュールが、更に、前記搬送室に対して移動可能である処理室架台を具備し、前記第１側面と前記第２側面とが成す角度が、前記第２側面と前記第３側面とが成す角度よりも大きいときは、前記処理室架台が前記第１処理室と前記第２処理室とを搭載しており、前記第２側面と前記第３側面とが成す角度が、前記第１側面と前記第２側面とが成す角度よりも大きいときは、前記処理室架台が前記第２処理室と前記第３処理室とを搭載している。
前記好ましい構成によれば、隣り合う処理室間の間隔が小さい２つの処理室が１つの処理室架台に搭載されていることにより、基板処理装置全体の処理室架台の数を減らすことができるため、基板処理装置の製造コストを下げることが可能である。そして、隣り合う処理室間の間隔を大きくした広い領域をメンテナンス領域とし、当該広いメンテナンス領域でメンテナンス作業を行うことにより、メンテナンス作業を効率的に行うことが可能となり、メンテナンス性に優れる。

好ましくは、前記排気機構が真空ポンプを有し、前記処理室架台に搭載されている前記第１処理室及び前記第２処理室の内部、又は、前記処理室架台に搭載されている前記第２処理室及び前記第３処理室の内部が、１つの前記真空ポンプで排気される。
かかる好ましい構成によれば、真空ポンプの設置台数を削減することができるため、必要なユーティリティー（例えば、電気、冷却水など）の接続の手間が省け、接続箇所の数を削減することができる。

好ましくは、前記処理室架台に搭載されている前記第１処理室及び前記第２処理室、又は、前記処理室架台に搭載されている前記第２処理室及び前記第３処理室において、同一種類の処理が行われる。
１つの処理室架台に搭載されている処理室毎に異なる種類の処理が行われる場合、処理室毎に異なる処理ガス供給機構を設ける必要がある。しかし、本発明の前記好ましい構成によれば、同一種類の処理が行われる場合、１つの処理室架台に搭載されている２つの処理室に同一の処理ガス供給機構を設けることができるため、必要なユーティリティーの接続の手間が省け、基板処理装置の製造コストを削減することが可能である。

好ましくは、前記第１側面と前記第２側面とが成す角度が、前記第２側面と前記第３側面とが成す角度よりも大きいときは、前記第３処理室に対向する側の第２処理室側面と、第２処理室に対向する側の第３処理室側面とに、処理室計測機器が設けられており、前記第２側面と前記第３側面とが成す角度が、前記第１側面と前記第２側面とが成す角度よりも大きいときは、前記第２処理室に対向する側の第１処理室側面と、前記第１処理室に対向する側の第２処理室側面とに、処理室計測機器が設けられている。
ここでいう処理室計測機器とは、処理室内部の温度、圧力、発光分析など処理室内部の状態を計測する機器のことをいう。

前述したように、前記第１側面と前記第２側面とが成す角度が、前記第２側面と前記第３側面とが成す角度よりも大きいときは、第２処理室と第３処理室との間隔は、第１処理室と第２処理室との間隔よりも大きくなるため、処理室間の間隔が大きい第２処理室と第３処理室との間の領域がメンテナンス領域となる。このとき、第２処理室と第３処理室の側面のうち、第３処理室に対向する側の第２処理室の側面、及び、第２処理室に対向する側の第３処理室の側面が、当該メンテナンス領域に面することになる。
また、前記第２側面と前記第３側面とが成す角度が、前記第１側面と前記第２側面とが成す角度よりも大きいときは、第１処理室と第２処理室との間隔は、第２処理室と第３処理室との間隔よりも大きくなるため、処理室間の間隔が大きい第１処理室と第２処理室との間の領域がメンテナンス領域となる。このとき、前記第１処理室と前記第２処理室の側面のうち、第２処理室に対向する側の第１処理室の側面、及び、第２処理室に対向する側の第１処理室の側面が、当該メンテナンス領域に面することになる。
前記好ましい構成によれば、当該メンテナンス領域に面する処理室の側面に処理室計測機器が設けられているため、広いメンテナンス領域から処理室計測機器のメンテナンス作業（例えば、定期的な較正、消耗品の交換など）を行うため、メンテナンス作業を効率的に行うことが可能となり、メンテナンス性に優れる。

本発明の真空搬送モジュール及び基板処理装置によれば、隣り合う処理室間の間隔を大きくした領域をメンテナンス領域とし、当該メンテナンス領域でメンテナンス作業を行うことにより、従来のように隣り合う処理室間の間隔が等しい場合に比べて、より広い領域でメンテナンス作業を行うことができる。したがって、本発明によれば、メンテナンス作業を効率よく行うことが可能であり、メンテナンス性に優れた真空搬送モジュール及び基板処理装置を提供することができる。

本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の概略平面図。 本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の概略平面図。 本発明の第３実施形態に係る基板処理装置の概略平面図。 従来の基板処理装置の概略平面図。

以下、本発明の各実施形態について、適宜図面を参照しつつ説明する。
なお、説明の便宜上、各図に示す各部品の寸法や縮尺比は、実際のものとは異なる場合がある。

＜第１実施形態＞
最初に、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１００全体の構成について説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１００の概略平面図である。
図１に示すように、本実施形態に係る基板処理装置１００は、真空搬送モジュール１と、前記真空搬送モジュール１に接続されている処理モジュール２とを備える。
本発明の真空搬送モジュール１は、処理前の基板を処理室３に搬入し、処理が終了した処理済み基板を処理室３から搬出する機能を有するものである。本実施形態の真空搬送モジュール１は、図１に示すように、平面視形状が凸ｍ角形（ｍは４以上の整数）である搬送室１１と、前記搬送室１１に配置され、基板を搬送する搬送機構１２とを備える。
処理モジュール２は、基板に処理を施す機能を有するものである。なお、本発明において、「処理」とは、基板に施す処理であれば、特に限定されず、例えば、ＣＶＤ（化学蒸着）、ＰＶＤ（物理蒸着）、エッチング、アッシング、基板加熱・冷却などの処理の種類が挙げられる。

［真空搬送モジュール］
まず、本実施形態の真空搬送モジュール１について説明する。
真空搬送モジュール１が備える搬送室１１の平面視形状は、凸ｍ角形である。なお、本発明において、凸ｍ角形とは、辺の数がｍであって、内角が全て１８０°未満である多角形のことを意味する。ここで、内角とは、多角形の２つの辺が作る２つの角のうち、多角形の内部にある方の角をいう。また、凸ｍ角形とは、頂点がｍ個あり、対角線が全て多角形の内部を通る多角形ということもできる。もっとも、本発明における「凸ｍ角形」は、ｍ角形の角が若干面取りされているなど、本発明の技術分野において許容される範囲の形状をも含む概念である。
本実施形態にあっては、図１に示すように、搬送室１１の平面視形状は、ｍ＝８である場合の凸ｍ角形、つまり凸八角形である。
本発明において、搬送室１１の平面視形状は凸ｍ角形であるので、搬送室１１の立体的形状は、当該凸ｍ角形を底面とする柱体、いわゆる角柱である。
ｍの下限は、４である。また、ｍの上限は特に限定されないが、ｍが大きくなるほど、搬送室１１の平面視形状が円に近づき、搬送室１１の側面の幅が短くなる結果、処理室に搬送可能な基板サイズを小さくせざるを得ない。また、ｍが大きくなるほど、搬送室１１の側面の幅を所望の基板サイズ以上とするためには、搬送室のサイズを大きくせざるを得ず、その結果、搬送機構１２の基板搬送距離は長くなる。かかる観点から、ｍの上限は、例えば、２０であり、好ましくは、１２であり、より好ましくは、１０である。

本実施形態の真空搬送モジュール１において、搬送室１１の外（例えば、ロードロック室９など）から搬送室１１へと搬送機構１２により基板を搬入し、搬入した基板を搬送機構１２により処理室３へ搬出すると共に、処理室３で処理が終了した処理済み基板を処理室３から搬送室１１へと搬送機構１２により搬入し、搬入した処理済み基板を搬送機構１２により搬送室１１の外（例えば、ロードロック室９など）へと搬出する。
搬送室１１は、基板を処理室３に搬入し、処理室３から搬出するための室である。処理室３は通常真空条件下にあり、搬送室１１と処理室３とを連通して基板を搬出入するため、搬送室１１も通常処理室３の真空度と同程度の真空条件下にある。
搬送機構１２としては、例えば、旋回中心を中心として伸縮・旋回可能なシングルアームの２軸極座標型（ｒ軸、θ軸）真空ロボットが用いられる。なお、搬送機構１２は、ダブルアームの２軸極座標型（ｒ軸、θ軸）真空ロボットでもよい。

搬送室１１は、平面視形状が凸八角形であるから、８個の側面を有する。搬送室１１は、図１に示すように、当該８個の側面のうち、６個の側面Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５及びＬ６において、処理モジュール２が具備する処理室３と、ゲートバルブＧを介して接続可能である。
搬送室１１は、８個の側面のうち、少なくともこの順に隣接する第１側面と、第２側面と、第３側面とを有する。当該第１側面、第２側面及び第３側面は、第１処理室、第２処理室及び第３処理室とそれぞれ接続可能である。

搬送室１１は、図１に示すように、８個の側面のうち、６個の側面Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５及びＬ６が、この順に隣接し、処理室３と接続可能であり、
（ａ）側面Ｌ１が第１側面、側面Ｌ２が第２側面、側面Ｌ３が第３側面である場合と、
（ｂ）側面Ｌ２が第１側面、側面Ｌ３が第２側面、側面Ｌ４が第３側面である場合と、
（ｃ）側面Ｌ３が第１側面、側面Ｌ４が第２側面、側面Ｌ５が第３側面である場合と、
（ｄ）側面Ｌ４が第１側面、側面Ｌ５が第２側面、側面Ｌ６が第３側面である場合と
がある。

搬送室１１においては、図１に示すように、前記（ａ）〜（ｄ）のそれぞれの第１側面、第２側面及び第３側面は、搬送室１１の中心Ｏと接続された第１処理室の中心Ｒとを結ぶ直線、搬送室１１の中心Ｏと接続された第２処理室の中心Ｒとを結ぶ直線、及び、搬送室１１の中心Ｏと接続された第３処理室の中心Ｒとを結ぶ直線に対して、それぞれ略直交している。ここで、第１側面に接続された処理室３を第１処理室、第２側面に接続された処理室３を第２処理室、第３側面に接続された処理室３を第３処理室という。

搬送室１１における第１側面、第２側面、第３側面は、第１処理室、第２処理室及び第３処理室にそれぞれ接続可能であるから、真空搬送モジュール１を備える基板処理装置１００は、第１側面、第２側面及び第３側面に第１処理室、第２処理室及び第３処理室がそれぞれ接続されている形態を含むのはもちろんのこと、少なくとも何れか１つの側面に、処理室３が接続されていない形態をも含む。

ここで、搬送室１１と、処理室３に「接続可能である」とは、搬送室１１と処理室３とを気密状態を保って連通させて、基板を搬送することが可能であることをいう。
また、「側面について、搬送室の平面視中心と接続された処理室の平面視中心とを結ぶ直線と略直交する」ことは、搬送室１１に処理室３が接続された場合、当該搬送室１１の側面（例えば、第１側面）が、搬送室１１の中心Ｏと処理室３（例えば、第１処理室）の中心Ｒ（例えば、Ｒ_１）とを結ぶ直線ＯＲ（例えば、ＯＲ_１）に対して、略直交することを意味する。

本発明において、「略直交」とは、直交する場合を含むのは勿論、本発明の技術分野において許容される誤差εをも含む概念である。例えば、当該搬送室１１の側面Ｌ１と、搬送室１１の中心Ｏと処理室３（Ｐ１）の中心Ｒ_１とを結ぶ直線ＯＲ_１とが成す角度が９０°である場合、それらは直交している。
また、例えば、当該搬送室１１の側面Ｌ１と、搬送室１１の中心Ｏと処理室３（Ｐ１）の中心Ｒ_１とを結ぶ直線ＯＲ_１とが成す角度が９０°±ε（例えば、εは０°を超え５°以下、好ましくは、εは０°を超え２°以下）である場合、それらは略直交している。前記角度は、ゲートバルブＧのシール性や基板搬送可能なゲート幅に応じて、９０°±εの範囲内で決定することもできる。

本実施形態における搬送室１１の平面視中心Ｏは、図１に示すように、搬送機構１２の旋回中心と一致している。

搬送室１１の側面Ｌ１が第１側面、搬送室１１の側面Ｌ２が第２側面、搬送室１１の側面Ｌ３が第３側面である場合（即ち、前記（ａ）の場合）、第１側面Ｌ１に接続された第１処理室をＰ１、第２側面Ｌ２に接続された第２処理室をＰ２、第３側面Ｌ３に接続された第３処理室をＰ３と称し、第１処理室Ｐ１の中心をＲ_１、第２処理室Ｐ２の中心をＲ_２、第３処理室Ｐ３の中心をＲ_３と称することにする。本実施形態において、搬送室１１の中心Ｏと第１処理室Ｐ１の中心Ｒ_１とを結ぶ直線ＯＲ_１は、第１側面Ｌ１に対して略直交している。同様に、搬送室１１の中心Ｏと第２処理室Ｐ２の中心Ｒ_２とを結ぶ直線ＯＲ_２は、第２側面Ｌ２に対して略直交し、搬送室１１の中心Ｏと第３処理室Ｐ３の中心Ｒ_３とを結ぶ直線ＯＲ_３は、第３側面Ｌ３に対して略直交している。

真空搬送モジュール１において、第１側面と第２側面とが成す角度と、第２側面と第３側面とが成す角度とは異なっている。つまり、
（ｉ）第２側面と第３側面とが成す角度は、第１側面と第２側面とが成す角度よりも大きい、或いは、
（ｉｉ）第２側面と第３側面とが成す角度は、第１側面と第２側面とが成す角度よりも小さい、
の何れかである。

図１に示すように、第２側面Ｌ２と第３側面Ｌ３とが成す角度α_２３は、第１側面Ｌ１と第２側面Ｌ２とが成す角度α_１２よりも小さく、前記（ｉｉ）の場合に該当する。このとき、搬送室１１の中心Ｏと接続された第１処理室Ｐ１の中心Ｒ_１とを結ぶ直線ＯＲ_１と、搬送室１１の中心Ｏと接続された第２処理室Ｐ２の中心Ｒ_２とを結ぶ直線ＯＲ_２とが成す角度β_１２は、前記直線ＯＲ_２と、搬送室１１の中心Ｏと接続された前記第３処理室の中心Ｒ_３とを結ぶ直線ＯＲ_３とが成す角度とが成す角度β_２３よりも小さい。

ここで、第１側面Ｌ１と直線ＯＲ_１との交点をＴ_１、第２側面Ｌ２と直線ＯＲ_２との交点をＴ_２、第３側面Ｌ３と直線ＯＲ_３との交点をＴ_３とし、第１側面Ｌ１と第２側面Ｌ２とが接する平面視交点をＳ_１２、第２側面Ｌ２と第３側面Ｌ３とが接する平面視交点をＳ_２３とする。四角形の内角の和は３６０°であるから、四角形ＯＴ_１Ｓ_１２Ｔ_２及び四角形ＯＴ_２Ｓ_２３Ｔ_３の内角の和は３６０°である。第１側面と直線ＯＲ_１、第２側面と直線ＯＲ_２、及び、第３側面と直線ＯＲ_３とは直交するから、∠ＯＴ_１Ｓ_１２、∠ＯＴ_２Ｓ_１２、∠ＯＴ_２Ｓ_２３及び∠ＯＴ_３Ｓ_２３はいずれも９０°であるので、
β_１２＝３６０°−９０°×２−α_１２＝１８０°−α_１２ （１）
β_２３＝３６０°−９０°×２−α_２３＝１８０°−α_２３ （２）
となる。

前述したように、第２側面Ｌ２と第３側面Ｌ３とが成す角度α_２３は、第１側面Ｌ１と第２側面Ｌ２とが成す角度α_１２よりも小さいので、式（１）と式（２）より、直線ＯＲ_１と直線ＯＲ_２とが成す角度β_１２は、直線ＯＲ_２と直線ＯＲ_３とが成す角度β_２３よりも小さいことが導かれる。つまり、第１側面Ｌ１と第２側面Ｌ２とが成す角度α_１２と、第２側面Ｌ２と第３側面Ｌ３とが成す角度α_２３との大小関係と、直線ＯＲ_１と直線ＯＲ_２とが成す角度β_１２は、直線ＯＲ_２と直線ＯＲ_３とが成す角度β_２３との大小関係は、逆になる。

直線ＯＲ_１と直線ＯＲ_２とが成す角度β_１２は、直線ＯＲ_２と直線ＯＲ_３とが成す角度β_２３よりも小さいので、第２処理室Ｐ２と第３処理室Ｐ３との間隔は、第１処理室Ｐ１と第２処理室Ｐ２との間隔よりも大きくなる。つまり、第１側面Ｌ１と第２側面Ｌ２とが成す角度α_１２と、第２側面Ｌ２と第３側面Ｌ３とが成す角度α_２３とが異なっていることにより、第１処理室Ｐ１と第２処理室Ｐ２との間隔と、第２処理室Ｐ２と第３処理室Ｐ３との間隔とは異なり、何れか一方が大きく、何れか他方が小さい。
ここで、ある処理室と別の処理室との「間隔」とは、それぞれの接続された処理室の中心を結ぶ直線の距離のことをいう。例えば、処理室Ｐ１と処理室Ｐ２との間隔は、接続された処理室Ｐ１の中心Ｒ_１と、接続された処理室Ｐ２の中心Ｒ_２とを結ぶ直線の距離であり、処理室Ｐ２と処理室Ｐ３との間隔は、接続された処理室Ｐ２の中心Ｒ_２と、接続された処理室Ｐ３の中心Ｒ_３とを結ぶ直線の距離である。他の処理室についても同様である。

第２処理室Ｐ２と第３処理室Ｐ３との間隔は、第１処理室Ｐ１と第２処理室Ｐ２との間隔よりも大きい。即ち、従来のように搬送室の平面視形状が正多角形の場合、即ち、搬送室の隣り合う側面同士が成す角度が全て等しい場合に比べて、隣り合う処理室間の間隔を大きくすることができる。そのため、第２処理室Ｐ２と第３処理室Ｐ３との間の領域（第２処理室Ｐ２と第３処理室Ｐ３の側面間の領域）は、従来と比べて広くなる。従来と比べて広くなった当該第２処理室Ｐ２と第３処理室Ｐ３との間の領域をメンテナンス領域Ｍとする。図１に、本実施形態のメンテナンス領域Ｍを無数のドットで示す。

ここまで、前記（ａ）の場合、即ち第１側面がＬ１、第２側面がＬ２、第３側面がＬ３の場合について説明したが、他の前記（ｂ）〜（ｄ）の場合も同様である。
前記（ｂ）の場合、即ち、第１側面がＬ２、第２側面がＬ３、第３側面がＬ４である場合、図１に示すように、第２側面Ｌ３と第３側面Ｌ４とが成す角度α_３４は、第１側面Ｌ２と第２側面Ｌ３とが成す角度α_２３よりも大きい。したがって、搬送室１１の中心Ｏと接続された第１処理室Ｐ２の中心Ｒ_２とを結ぶ直線ＯＲ_２と、搬送室１１の中心Ｏと接続された第２処理室Ｐ３の中心Ｒ_３とを結ぶ直線ＯＲ_３とが成す角度β_２３は、前記直線ＯＲ_３と、前記搬送室１１の中心Ｏと接続された前記第３処理室Ｐ４の中心Ｒ_３とを結ぶ直線ＯＲ_４とが成す角度β_３４よりも大きい。したがって、第１処理室Ｐ２と第２処理室Ｐ３との間隔は、第２処理室Ｐ３と第３処理室Ｐ４との間隔よりも大きくなる。図１からも判るように、第２処理室Ｐ２と第３処理室Ｐ３との間隔は従来に比べて大きいため、第２処理室Ｐ２と第３処理室Ｐ３との間の領域も従来より広くなる。従来と比べて広くなった当該第２処理室Ｐ２と第３処理室Ｐ３との間の領域をメンテナンス領域Ｍとする。この場合のメンテナンス領域Ｍは、前記（ａ）の場合と同じになる。

続いて、前記（ｃ）の場合、即ち、第１側面がＬ３、第２側面がＬ４、第３側面がＬ５である場合、第２側面Ｌ４と第３側面Ｌ５とが成す角度α_４５は、第１側面Ｌ３と第２側面Ｌ４とが成す角度α_３４よりも小さい。したがって、前記（ａ）の場合と同様に、第２処理室Ｐ４と第３処理室Ｐ５との間隔は、第１処理室Ｐ３と第２処理室Ｐ４との間隔よりも大きくなる。第２処理室Ｐ４と第３処理室Ｐ５との間隔は従来に比べて大きいため、第２処理室Ｐ４と第３処理室Ｐ５との間の領域は従来より広くなる。従来と比べて広くなった当該第２処理室Ｐ４と第３処理室Ｐ５との間の領域をメンテナンス領域Ｍとする。

前記（ｄ）の場合、即ち、第１側面がＬ４、第２側面がＬ５、第３側面がＬ６である場合も同様である。この場合、第２側面Ｌ５と第３側面Ｌ６とが成す角度α_５６は、第１側面Ｌ４と第２側面Ｌ５とが成す角度α_４５よりも大きい。したがって、前記（ｂ）の場合と同様に、第１処理室Ｐ４と第２処理室Ｐ５との間隔は、第２処理室Ｐ５と第３処理室Ｐ６との間隔よりも大きくなる。第１処理室Ｐ４と第２処理室Ｐ５との間隔は従来に比べて大きいため、第１処理室Ｐ４と第２処理室Ｐ５との間の領域は従来より広くなる。従来と比べて広くなった当該第１処理室Ｐ４と第２処理室Ｐ５との間の領域をメンテナンス領域Ｍとする。この場合のメンテナンス領域Ｍは、前記（ｃ）の場合と同じになる。

このように、搬送室１１の中心Ｏと接続された第１処理室の中心とを結ぶ直線、搬送室１１の中心Ｏと接続された第２処理室の中心とを結ぶ直線、及び、搬送室１１の中心Ｏと接続された第３処理室の中心とを結ぶ直線に対して、それぞれ略直交し、前記第１側面と前記第２側面とが成す角度と、前記第２側面と前記第３側面とが成す角度とが異なっていることにより、本実施形態の真空搬送モジュール１に処理室３を接続した場合、隣り合う処理室３間の間隔を、大きくすることができる。その結果、隣り合う処理室３間の間隔を大きくした広い領域をメンテナンス領域Ｍとし、当該メンテナンス領域Ｍでメンテナンス作業を行うことにより、従来のように隣り合う処理室間の間隔が等しい場合に比べて、より広いメンテナンス領域でメンテナンス作業を行うことができる。その結果、メンテナンス作業を効率的に行うことが可能であり、メンテナンス性に優れた真空搬送モジュール１を提供することが可能である。

搬送室１１の隣接する２つの側面である第１側面と第２側面が成す角度と、同様に隣接する２つの側面である第２側面と第３側面とが成す角度とは異なっているため、何れか一方の成す角度が正ｍ角形の場合の角度よりも大きく、何れか他方の成す角度が正ｍ角形の場合の角度よりも小さい。したがって、第１側面と第２側面が成す角度及び第２側面と第３側面とが成す角度のうち、何れか一方が１８０°×（ｍ−２）／ｍよりも大きく、何れか他方が１８０°×（ｍ−２）／ｍよりも小さい。

本実施形態においては、ｍ＝８であるから、隣接する２つの側面である第１側面と第２側面が成す角度と、同様に隣接する２つの側面である第２側面と第３側面とが成す角度の何れか一方が、１８０°×（８−２）／８＝１３５°よりも大きく、何れか他方が１８０°×（８−２）／８＝１３５°より小さい。本実施形態にあっては、隣接する２つの側面である第１側面と第２側面が成す角度α_１２、α_３４及びα_５６は１４６°であるため、１３５°よりも大きく、隣接する２つの側面である第２側面と第３側面とが成す角度α_２３及びα_４５は１２４°であるため、１３５°よりも小さい。

［処理モジュール］
続いて、処理モジュール２について説明する。
処理モジュール２は、図１に示すように、処理室３（Ｐ１〜Ｐ６）と、処理室３に処理ガスを供給する処理ガス供給機構５と、前記処理室３の内部を排気する排気機構６とを具備する。
処理室３は、基板に処理を施すための室である。処理室３では、大気が遮断され、且つ、処理に応じた真空雰囲気を保持することができる。
処理ガス供給機構５は、処理室３に処理ガスを供給するための機能を有する機構である。即ち、処理ガスは、ガスボンベから、処理ガス供給機構５により、処理室３へと供給される。処理ガス供給機構５は、例えば、配管、バルブ、気化器、流量計、圧力計などを有する。
また、排気機構６は、処理室３の内部のガスを処理室３の外部へと排気するための機能を有する機構であり、例えば、処理室３の内部を排気して真空状態にする真空ポンプ、配管、バルブなどを有する。

処理モジュール２は、第１側面に接続されている第１処理室、第２側面に接続されている第２処理室、及び、第３側面に接続されている第３処理室とを具備する。
具体的には、図１に示すように、
（ａ）側面Ｌ１が第１側面、側面Ｌ２が第２側面、側面Ｌ３が第３側面である場合、側面Ｌ１に接続される処理室Ｐ１が第１処理室であり、側面Ｌ２に接続される処理室Ｐ２が第２処理室であり、側面Ｌ３に接続される処理室Ｐ３が第３処理室である。
（ｂ）側面Ｌ２が第１側面、側面Ｌ３が第２側面、側面Ｌ４が第３側面である場合、側面Ｌ２に接続される処理室Ｐ２が第１処理室であり、側面Ｌ３に接続される処理室Ｐ３が第２処理室であり、側面Ｌ４に接続される処理室Ｐ４が第３処理室である。
（ｃ）側面Ｌ３が第１側面、側面Ｌ４が第２側面、側面Ｌ５が第３側面である場合、側面Ｌ３に接続される処理室Ｐ３が第１処理室であり、側面Ｌ４に接続される処理室Ｐ４が第２処理室であり、側面Ｌ５に接続される処理室Ｐ５が第３処理室である。
（ｄ）側面Ｌ４が第１側面、側面Ｌ５が第２側面、側面Ｌ６が第３側面である場合、側面Ｌ４に接続される処理室Ｐ４が第１処理室であり、側面Ｌ５に接続される処理室Ｐ５が第２処理室であり、側面Ｌ６に接続される処理室Ｐ６が第３処理室である。

処理室３（Ｐ１〜Ｐ６）は、当該処理室が接続可能である搬送室１１の側面Ｌ１〜Ｌ６に、搬送室１１と処理室３とを仕切るゲートバルブＧを介してそれぞれ接続されている。
本実施形態にあっては、図１に示すように、処理室と接続可能な搬送室１１の側面の全てに処理室３が接続されている態様を示しているが、処理室と接続可能な搬送室１１の側面の一部には処理室３が接続されていない態様も、本発明の範囲に含まれる。

搬送室１１の側面のうち、処理室が接続可能な側面以外の側面Ｌ７及びＬ８には、搬送室１１に処理前の基板及び処理済みの基板を収納するためのロードロック室９がゲートバルブＧを介して設けられている。一方のロードロック室９の内部には、処理前の基板を収納したカセットが設けられており、他方のロードロック室９の内部には、処理済みの基板を収納したカセットが設けられている。なお、側面Ｌ７及びＬ８も処理室に接続可能としていてもよい。

第１処理室、第２処理室及び第３処理室（処理室３（Ｐ１〜Ｐ６））は、それぞれ独立した処理室である。つまり、第１処理室、第２処理室及び第３処理室は、それぞれの処理室で基板処理を行う際に他の処理室と連通しておらず、他の処理室の処理条件（例えば、温度、圧力、処理ガスの種類など）の影響を受けない。かかる構成により、処理室３毎に独立して温度、圧力、処理ガスの種類などの設定及び制御を行うことが可能であるため、複数の処理室のそれぞれが他の処理室の処理条件の影響を受けずに、品質が安定した基板の処理が可能である。また、複数の処理室毎に異なる種類の処理を行うことが可能であるため、基板処理の自由度が高まるという利点がある。

処理モジュール２は、搬送室１１に対して移動可能である処理室架台７を具備する。前記第２側面と前記第３側面とが成す角度が、前記第１側面と前記第２側面とが成す角度よりも小さいときは、前記処理室架台７が前記第１処理室と前記第２処理室とを搭載しており、前記第２側面と前記第３側面とが成す角度が、前記第１側面と前記第２側面とが成す角度よりも大きいときは、前記処理室架台７が前記第２処理室と前記第３処理室とを搭載している。本実施形態においては、処理室Ｐ１及びＰ２、処理室Ｐ３及びＰ４、処理室Ｐ５及びＰ６が、それぞれ１つの処理室架台７に搭載されており、各処理室架台７は、搬送室１１に近づく方向に、及び、搬送室１１から離れる方向に移動させることが可能である。

隣り合う処理室３間の間隔が小さい２つの処理室３（第１及び第２処理室、又は、第２及び第３処理室）が１つの処理室架台７に搭載されていることにより、基板処理装置１００全体の前記処理室架台７の数を減らすことができるため、前記基板処理装置１００の製造コストを下げることも可能である。そして、隣り合う処理室間の間隔が大きくした広い領域をメンテナンス領域Ｍとし、当該広いメンテナンス領域Ｍでメンテナンス作業を行うことにより、メンテナンス作業を効率的に行うことが可能となる。

図１に示すように、隣り合う２つの処理室３が搬送室１１に対して移動する方向が異なるため、２つの処理室３の何れか一方が、処理室架台７の上で少なくとも移動可能である。２つの処理室３の両方が処理室架台７に固定されている場合、処理室架台７を搬送室１１に近づく方向に移動させて、処理室３を真空搬送モジュール１（搬送室１１）に接続する際に、２つの処理室３の近づく方向が異なるため、処理室架台７を搬送室１１に近づく方向に移動させるだけでは、２つの処理室３と搬送室１１との接続が困難である。それに対し、２つの処理室３の両方とも処理室架台７の上で移動可能である場合、処理室３を搬送室１１へ接続し易くなるが、接続毎に搬送室１１に対する処理室架台７の位置が定まり難くなる。即ち、搬送室１１に対する処理室架台７の位置関係の再現性が取り難くなる。本実施形態のように、２つの処理室３の何れか一方が処理室架台７の上で移動可能であれば、処理室架台７に固定されている一方の処理室３を搬送室１１に接続することで、自ずと処理室架台７の位置が定まり、搬送室１１に対する処理室架台７の位置関係の再現性が取り易くなる。処理室架台７の位置が定まった後に、処理室架台７の上で移動可能な他方の処理室３を搬送室１１に接続することも容易である。

排気機構６は真空ポンプを有し、処理室Ｐ１及びＰ２の内部、処理室Ｐ３及びＰ４の内部、並びに、処理室Ｐ５及びＰ６の内部のそれぞれが、１つの真空ポンプで排気される。
各処理室毎に真空ポンプで排気する場合、真空ポンプは６台必要になるが、その場合に比べて、同一の処理室架台７に搭載される処理室Ｐ１及びＰ２の内部、処理室Ｐ３及びＰ４の内部、並びに、処理室Ｐ５及びＰ６の内部のそれぞれを１つの真空ポンプで排気するため、必要なユーティリティーの接続の手間が省け、接続箇所の数を削減することができる。

図１では、処理ガス供給機構５及び排気機構６は、処理室架台７に搭載されている。しかしながら、処理ガス供給機構５又は排気機構６が処理室架台７に搭載されておらず、別の場所に設けられていてもよい。

各処理室Ｐ１〜Ｐ６においてそれぞれ異なる種類の処理が行われてもよいし、同一処理室架台７に搭載される処理室Ｐ１及びＰ２、処理室Ｐ３及びＰ４、並びに、処理室Ｐ５及びＰ６のそれぞれにおいて同一種類の処理を行ってもよいし、全ての処理室Ｐ１〜Ｐ６において同一種類の処理を行ってもよい。

１つの処理室架台７に搭載されている処理室３毎に異なる種類の処理が行われる場合、処理室３毎に異なる処理ガス供給機構５を設ける必要がある。換言すれば、処理室Ｐ１〜Ｐ６毎に異なる処理ガス供給機構５を６つ設ける必要がある。
しかしながら、本実施形態によれば、１つの処理室架台７に搭載されている２つの処理室Ｐ１及びＰ２、処理室Ｐ３及びＰ４、並びに、処理室Ｐ５及びＰ６の３組それぞれに同一の処理ガス供給機構５を設けることができるため、処理ガス供給機構５の数を削減して３つにすることができ、その結果、必要なユーティリティーの接続の手間が省け、基板処理装置１００の製造コストを削減することが可能である。

処理室３には、処理室計測機器８が設けられている。第２側面と第３側面とが成す角度が、第１側面と第２側面とが成す角度よりも小さいときは、第３処理室に対向する側の第２処理室側面と、第２処理室に対向する側の第３処理室側面とに、処理室計測機器８が設けられており、第２側面と第３側面とが成す角度が、第１側面と第２側面とが成す角度よりも大きいときは、第２処理室に対向する側の第１処理室側面と、第１処理室に対向する側の第２処理室側面とに、処理室計測機器８が設けられている。

具体的には、図１に示すように、第２処理室Ｐ２に対向する側の第３処理室Ｐ３の側面と、第３処理室Ｐ３に対向する側の第２処理室Ｐ２の側面に処理室計測機器８が設けられており、いずれの処理室計測機器８もメンテナンス領域Ｍに面する処理室の側面に設けられている。また、第１処理室Ｐ４に対向する側の第２処理室Ｐ５の側面と、第２処理室Ｐ５に対向する側の第１処理室Ｐ４の側面にも処理室計測機器８が設けられており、いずれの処理室計測機器８もメンテナンス領域Ｍに面する処理室の側面に設けられている。
したがって、広いメンテナンス領域Ｍから処理室計測機器８のメンテナンス作業（例えば、定期的な較正、消耗品の交換など）を行うため、処理室計測機器８のメンテナンス作業を効率的に行うことが可能となり、メンテナンス性に優れる。

以下、本発明の他の実施形態を説明するが、その説明においては、主として上記実施形態と異なる構成及び効果について説明し、同様の構成などについては、前述した用語及び符号をそのまま援用し、その構成の説明を省略する。

＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態に係る基板処理装置１００の概略平面図を図２に示す。本実施形態における真空搬送モジュール１が備える搬送室１１の平面視形状は、ｍ＝４である場合の凸ｍ角形、つまり凸四角形である。
図２に示す第２実施形態において、搬送室１１の側面Ｌ１が第１側面、側面Ｌ２が第２側面、側面Ｌ３が第３側面である。第１側面Ｌ１と第２側面Ｌ２が成す角度α_１２と、第２側面Ｌ２と第３側面Ｌ３とが成す角度α_２３とは異なっており、α_２３はα_１２よりも大きい。このとき、前述した理由と同じ理由により、第１処理室Ｐ１と第２処理室Ｐ２との間隔は、第２処理室Ｐ２と第３処理室Ｐ３との間隔よりも大きくなる。したがって、第１処理室Ｐ１と第２処理室Ｐ２との間の領域をメンテナンス領域Ｍとする。
なお、搬送室１１の側面Ｌ４には、ロードロック室９を接続することが可能である。

＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態に係る基板処理装置１００の概略平面図を図３に示す。本実施形態における真空搬送モジュール１が備える搬送室１１の平面視形状は、ｍ＝９である場合の凸ｍ角形、つまり凸九角形である。
図３に示す第３実施形態においても、搬送室１１の第１側面と第２側面とが成す角度と、第２側面と第３側面とが成す角度は異なっている。具体的には、
第２側面Ｌ２と第３側面Ｌ３とが成す角度α_２３は、第１側面Ｌ１と第２側面Ｌ２とが成す角度α_１２よりも大きく、
第２側面Ｌ３と第３側面Ｌ４とが成す角度α_３４は、第１側面Ｌ２と第２側面Ｌ３とが成す角度α_２３よりも小さく、
第２側面Ｌ４と第３側面Ｌ５とが成す角度α_４５は、第１側面Ｌ３と第２側面Ｌ４とが成す角度α_３４よりも大きく、
第２側面Ｌ５と第３側面Ｌ６とが成す角度α_５６は、第１側面Ｌ４と第２側面Ｌ５とが成す角度α_４５よりも小さく、
第２側面Ｌ６と第３側面Ｌ７とが成す角度α_６７は、第１側面Ｌ５と第２側面Ｌ６とが成す角度α_５６よりも大きい。
このとき、前述した理由と同じ理由により、処理室Ｐ１と処理室Ｐ２との間隔、処理室Ｐ３と処理室Ｐ４との間隔、及び、処理室Ｐ５と処理室Ｐ６との間隔は、それ以外の隣り合う処理室間の間隔と比べて大きくなる。
したがって、処理室Ｐ１と処理室Ｐ２との間の領域、処理室Ｐ３と処理室Ｐ４との間の領域、及び、処理室Ｐ５と処理室Ｐ６との間の領域をメンテナンス領域Ｍとする。
なお、搬送室１１の側面Ｌ８及びＬ９には、ロードロック室９を接続することが可能である。

１ 真空搬送モジュール
１１ 搬送室
１２ 搬送機構
２ 処理モジュール
３ 処理室
４ 載置台
５ 処理ガス供給機構
６ 排気機構
７ 処理室架台
８ 処理室計測機器
９ ロードロック室
１００ 基板処理装置
Ｍ メンテナンス領域
Ｇ ゲートバルブ

Claims (8)

1. 平面視形状が凸ｍ角形（ｍは４以上の整数）である搬送室と、
   前記搬送室に配置され、基板を搬送する搬送機構とを備え、
   前記搬送室のｍ個の側面のうち、少なくともこの順に隣接する第１側面、第２側面及び第３側面は、前記搬送機構によって搬送される基板が処理される第１処理室、第２処理室及び第３処理室にそれぞれ接続可能であって、前記搬送室の平面視中心と接続された前記第１処理室の平面視中心とを結ぶ直線、前記搬送室の平面視中心と接続された前記第２処理室の平面視中心とを結ぶ直線、及び、前記搬送室の平面視中心と接続された前記第３処理室の平面視中心とを結ぶ直線に対して、それぞれ略直交し、
   前記第１側面と前記第２側面とが成す角度と、前記第２側面と前記第３側面とが成す角度とは異なっている
   ことを特徴とする真空搬送モジュール。
2. 前記第１側面と前記第２側面とが成す角度、及び、前記第２側面と前記第３側面とが成す角度のうち、何れか一方が１８０°×（ｍ−２）／ｍよりも大きく、何れか他方が１８０°×（ｍ−２）／ｍよりも小さい
   ことを特徴とする請求項１に記載の真空搬送モジュール。
3. 請求項１又は２に記載の真空搬送モジュールと、
   前記真空搬送モジュールに接続されている処理モジュールとを備え、
   前記処理モジュールは、
   前記第１側面に接続されている前記第１処理室、前記第２側面に接続されている前記第２処理室、及び、前記第３側面に接続されている前記第３処理室と、
   前記第１処理室、前記第２処理室及び前記第３処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、
   前記第１処理室、前記第２処理室及び前記第３処理室の内部を排気する排気機構と
   を具備することを特徴とする基板処理装置。
4. 前記第１処理室、前記第２処理室及び前記第３処理室が、それぞれ独立した処理室であることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記処理モジュールが、更に、前記搬送室に対して移動可能である処理室架台を具備し、
   前記第１側面と前記第２側面とが成す角度が、前記第２側面と前記第３側面とが成す角度よりも大きいときは、前記処理室架台が前記第１処理室と前記第２処理室とを搭載しており、
   前記第２側面と前記第３側面とが成す角度が、前記第１側面と前記第２側面とが成す角度よりも大きいときは、前記処理室架台が前記第２処理室と前記第３処理室とを搭載している
   ことを特徴とする請求項３又は４に記載の基板処理装置。
6. 前記排気機構が真空ポンプを有し、
   前記処理室架台に搭載されている前記第１処理室及び前記第２処理室の内部、又は、前記処理室架台に搭載されている前記第２処理室及び前記第３処理室の内部が、１つの前記真空ポンプで排気されることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記処理室架台に搭載されている前記第１処理室及び前記第２処理室、又は、前記処理室架台に搭載されている前記第２処理室及び前記第３処理室において、同一種類の処理が行われることを特徴とする請求項５又は６に記載の基板処理装置。
8. 前記第１側面と前記第２側面とが成す角度が、前記第２側面と前記第３側面とが成す角度よりも大きいときは、前記第３処理室に対向する側の第２処理室側面と、第２処理室に対向する側の第３処理室側面とに、処理室計測機器が設けられており、
   前記第２側面と前記第３側面とが成す角度が、前記第１側面と前記第２側面とが成す角度よりも大きいときは、前記第２処理室に対向する側の第１処理室側面と、前記第１処理室に対向する側の第２処理室側面とに、処理室計測機器が設けられている
   ことを特徴とする請求項３から７の何れかに記載の基板処理装置。

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