JP2018117043A - リードフレーム基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】絶縁層を有する半導体装置をより薄く作製することが可能なリードフレーム基板及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム基板１０は、ダイパッド１１と、ダイパッド１１から離間して配置されたリード部１２と、ダイパッド１１とリード部１２とを支持する絶縁層１４とを備えている。ダイパッド１１は、半導体素子を収容するチップ収容凹部１１ａと、チップ収容凹部１１ａの周囲に設けられ、絶縁層１４の表面１４ｃを覆うダイパッド周縁凸部１１ｂとを有する。
【選択図】図３

Description

本発明は、リードフレーム基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法に関する。

従来、薄型の半導体装置を作製するための各種の方法が知られている。例えば、特許文献１には、電解銅箔の表面に配線を形成し、銅箔の配線面にポリイミドフィルムを接着した後、レーザを用いて配線の接続用端子部を露出させ、その後銅箔をエッチングによって除去する技術が開示されている。

特開２００２−１１０８５８号公報

しかしながら、従来のポリイミドフィルム付き半導体パッケージにおいては、ある程度厚みのある金属層上に半導体素子を搭載しているため、半導体パッケージの全体の厚みを十分に薄くすることができないという課題がある。

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、絶縁層を有する半導体装置をより薄く作製することが可能な、リードフレーム基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、リードフレーム基板であって、ダイパッドと、前記ダイパッドから離間して配置されたリード部と、前記ダイパッドと前記リード部とを支持する絶縁層とを備え、前記ダイパッドは、半導体素子を収容するチップ収容凹部と、前記チップ収容凹部の周囲に設けられ、前記絶縁層の表面を覆うダイパッド周縁凸部とを有することを特徴とするリードフレーム基板である。

本発明は、前記リード部は、中央に位置するリード中央凹部と、前記リード中央凹部の周囲に設けられ、前記絶縁層の表面を覆うリード周縁凸部とを有することを特徴とするリードフレーム基板である。

本発明は、前記ダイパッド周縁凸部は、前記ダイパッドの周縁全体にわたって形成されていることを特徴とするリードフレーム基板である。

本発明は、前記絶縁層の裏面に設けられた支持基材を更に備えたことを特徴とするリードフレーム基板である。

本発明は、前記チップ収容凹部の裏面が外方に露出していることを特徴とするリードフレーム基板である。

本発明は、前記絶縁層のうち前記チップ収容凹部に対応する位置に、絶縁層凹部が形成されていることを特徴とするリードフレーム基板である。

本発明は、前記絶縁層凹部に絶縁層貫通孔が形成されていることを特徴とするリードフレーム基板である。

本発明は、前記絶縁層のうち前記ダイパッド及び前記リード部に覆われていない領域に、非貫通の表面側凹部が形成されていることを特徴とするリードフレーム基板である。

本発明は、半導体装置であって、ダイパッドと、前記ダイパッドから離間して配置されたリード部と、前記ダイパッドと前記リード部とを支持する絶縁層と、前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子と前記リード部とを電気的に接続する導電部材と、前記ダイパッドと、前記リード部と、前記半導体素子と、前記導電部材とを封止する封止樹脂とを備え、前記ダイパッドは、前記半導体素子を収容するチップ収容凹部と、前記チップ収容凹部の周囲に設けられ、前記絶縁層の表面を覆うダイパッド周縁凸部とを有することを特徴とする半導体装置である。

本発明は、前記絶縁層のうち前記チップ収容凹部の裏面に対応する位置に、絶縁層凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置である。

本発明は、リードフレーム基板の製造方法において、支持基材を準備する工程と、前記支持基材上に、所定位置に絶縁層開口部が形成された絶縁層を設ける工程と、前記支持基材および前記絶縁層上に、めっき加工用の電極層を形成する工程と、前記電極層の一部をレジストによって覆うとともに、前記電極層のうち前記レジストに覆われていない部分にめっきを施すことにより、ダイパッドおよびリード部を形成する工程と、前記レジスト及び前記支持基材をそれぞれ除去する工程とを備え、前記ダイパッドおよび前記リード部を形成する工程において、前記ダイパッドには、半導体素子を収容するチップ収容凹部と、前記チップ収容凹部の周囲に設けられ、前記絶縁層の表面を覆うダイパッド周縁凸部とがそれぞれ形成されることを特徴とするリードフレーム基板の製造方法である。

本発明は、前記絶縁層を設ける工程において、前記絶縁層のうち前記ダイパッドの前記チップ収容凹部に対応する位置に、絶縁層凹部が形成されることを特徴とするリードフレーム基板の製造方法である。

本発明は、前記リードフレーム基板を準備する工程と、前記リードフレーム基板の前記ダイパッドの前記チップ収容凹部に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子と前記リードフレーム基板の前記リード部とを導電部材により電気的に接続する工程と、前記ダイパッドと、前記リード部と、前記半導体素子と、前記導電部材とを封止樹脂により封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。

本発明によれば、絶縁層を有する半導体装置をより薄く作製することができる。

図１は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレーム基板を示す平面図。 図２は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレーム基板を示す底面図。 図３は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレーム基板を示す断面図（図１のIII−III線断面図）。 図４は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレーム基板の変形例を示す断面図。 図５は、本発明の第１の実施の形態による半導体装置を示す平面図。 図６は、本発明の第１の実施の形態による半導体装置を示す断面図（図５のVI−VI線断面図）。 図７（ａ）−（ｉ）は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレーム基板の製造方法を示す断面図。 図８（ａ）−（ｄ）は、本発明の第１の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図。 図９は、本発明の第２の実施の形態によるリードフレーム基板を示す断面図。 図１０は、本発明の第２の実施の形態によるリードフレーム基板の変形例を示す断面図。 図１１は、本発明の第２の実施の形態による半導体装置を示す断面図。 図１２（ａ）−（ｇ）は、本発明の第２の実施の形態によるリードフレーム基板の製造方法を示す断面図。 図１３（ａ）−（ｄ）は、本発明の第２の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図。 図１４は、本発明の第３の実施の形態によるリードフレーム基板を示す断面図。 図１５は、本発明の第３の実施の形態による半導体装置を示す断面図。

（第１の実施の形態）
以下、本発明の第１の実施の形態について、図１乃至図８を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。なお、本明細書中、「表面」とは半導体素子２１が搭載される側の面（すなわち図３の上方を向く面、Ｚ方向プラス側の面）のことをいい、「裏面」とは、図示しない実装基板に接続される側の面（すなわち図３の下方を向く面、Ｚ方向マイナス側の面）のことをいう。

リードフレーム基板の構成
まず、図１乃至図３により、本実施の形態によるリードフレーム基板の概略について説明する。図１は、本実施の形態によるリードフレーム基板を示す平面図であり、図２は、本実施の形態によるリードフレーム基板を示す底面図であり、図３は、本実施の形態によるリードフレーム基板を示す断面図である。

図１乃至図３に示すように、リードフレーム基板１０は、半導体素子２１（後述）を搭載するダイパッド（第１端子部）１１と、ダイパッド１１周囲に設けられ、半導体素子２１と実装基板（図示せず）とを接続する複数のリード部（第２端子部）１２と、ダイパッド１１とリード部１２とを支持する絶縁層１４とを備えている。

このリードフレーム基板１０は、それぞれ半導体装置２０（後述）に対応する領域である、複数の単位リードフレーム領域１０ａを含んでいる。単位リードフレーム領域１０ａは、図１において仮想線の内側に位置する領域である。これら単位リードフレーム領域１０ａは、切断領域２８を介して互いに離間して配置されており、単位リードフレーム領域１０ａの各辺は、Ｘ方向、およびＸ方向に垂直なＹ方向に沿ってそれぞれ延びている。

ダイパッド１１は、平面略矩形状であり、その４辺はＸ方向又はＹ方向のいずれかに沿って延びている。ダイパッド１１の平面形状は、略矩形状に限らず、例えば円形状、楕円形状、多角形状、Ｌ字形状等としても良い。

また、複数のリード部１２は、ダイパッド１１から水平方向に離間して配置されている。各リード部１２は、半円と長方形とを合わせた平面形状を有している（図１及び図２参照）。この場合、各リード部１２は、切断領域２８を介して、当該リード部１２が位置する単位リードフレーム領域１０ａに隣接する単位リードフレーム領域１０ａのリード部１２に連結されている。

リード部１２は、その表面に内部端子１５を有している。この内部端子１５は、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続される領域となっている。またリード部１２の裏面には、それぞれ外部の実装基板（図示せず）に電気的に接続される外部端子１７が形成されている。

図３は、本実施の形態によるリードフレーム基板１０を示す断面図である。図３に示すように、ダイパッド１１は、半導体素子２１（後述）を収容するチップ収容凹部１１ａと、チップ収容凹部１１ａの周囲に設けられたダイパッド周縁凸部１１ｂとを有している。

このうちチップ収容凹部１１ａは、平面視略矩形形状であり、その表面１１ｃは、半導体素子２１を搭載する平坦な搭載面を構成している。チップ収容凹部１１ａにおけるダイパッド１１の厚みｔ_１は、例えば５μｍ以上２０μｍ以下とすることができる。チップ収容凹部１１ａの厚みｔ_１を５μｍ以上とすることにより、ダイパッド１１の強度を保持し、ダイパッド１１の変形を防止することができる。また、この厚みｔ_１を２０μｍ以下とすることにより、半導体装置２０を薄肉化することができる。

チップ収容凹部１１ａの表面１１ｃは、絶縁層１４の表面１４ｃと同一平面上にあっても良く、絶縁層１４の表面１４ｃよりも表面側（Ｚ方向プラス側）又は裏面側（Ｚ方向マイナス側）に位置していても良い。すなわち、チップ収容凹部１１ａにおけるダイパッド１１の厚みｔ_１は、絶縁層１４の厚みｔ_２よりも厚くても良く、絶縁層１４の厚みｔ_２よりも薄くても良く、同一であっても良い。またチップ収容凹部１１ａの深さｄ_１は、例えば３μｍ以上１０μｍ以下とすることができる。

チップ収容凹部１１ａの裏面１１ｄは、リードフレーム基板１０の裏面から外方に露出している。これにより、チップ収容凹部１１ａの裏面１１ｄを外部の実装基板（図示せず）に電気的に接続することができるとともに、半導体素子２１からの熱をチップ収容凹部１１ａの裏面１１ｄから外方に逃がしやすくすることができる。

ダイパッド周縁凸部１１ｂは、平面視略矩形の環形状であり、ダイパッド１１の周縁全体にわたって形成されている。また、ダイパッド周縁凸部１１ｂの表面１１ｅは、チップ収容凹部１１ａの表面１１ｃよりも表面側（Ｚ方向プラス側）に位置しており、ボンディングワイヤ２２（後述）が接続される端子部となっている。なお、ダイパッド周縁凸部１１ｂの厚みｔ_３は、例えば５μｍ以上２０μｍ以下とすることができ、ダイパッド周縁凸部１１ｂの幅ｗ_１は、例えば２０μｍ以上４００μｍ以下とすることができる。

ダイパッド周縁凸部１１ｂのうち、ダイパッド１１の最外周に位置する部分は、絶縁層１４の表面１４ｃを覆っている。これにより、ダイパッド１１が絶縁層１４から裏面側に脱落する不具合を防止することができる。このダイパッド周縁凸部１１ｂが絶縁層１４の表面１４ｃに重なる重なり幅ｗ_２は、例えば１０μｍ以上３９０μｍ以下としても良い。重なり幅ｗ_２を１０μｍ以上とすることにより、絶縁層１４とダイパッド１１とを確実に接着させ、樹脂封止工程（図８（ｄ）参照）において封止樹脂２３が裏面側に漏れる不具合を確実に防止することができる。また、ボンディングワイヤ２２（後述）が接続される端子部の面積を一定以上確保することができる。一方、重なり幅ｗ_２を３９０μｍ以下とすることにより、ダイパッド１１とリード部１２との間隔を一定以上確保することができる。

リード部１２は、中央に位置するリード中央凹部１２ａと、リード中央凹部１２ａの周囲に設けられたリード周縁凸部１２ｂとを有している。

このうちリード中央凹部１２ａは、平面視で半円と長方形とを合わせた形状であり、その表面１２ｃは平坦面となっている。リード中央凹部１２ａにおけるリード部１２の厚みｔ_４は、例えば５μｍ以上２０μｍ以下とすることができる。リード中央凹部１２ａの厚みｔ_４を５μｍ以上とすることにより、リード部１２の強度を保持し、リード部１２の変形を防止することができる。また、この厚みｔ_４を２０μｍ以下とすることにより、半導体装置２０を薄肉化することができる。なお、リード中央凹部１２ａの厚みｔ_４は、チップ収容凹部１１ａの厚みｔ_１と同一であっても良い。

この場合、リード中央凹部１２ａの表面１２ｃは、絶縁層１４の表面１４ｃと同一平面上にあっても良く、絶縁層１４の表面１４ｃよりも表面側（Ｚ方向プラス側）又は裏面側（Ｚ方向マイナス側）に位置していても良い。またリード中央凹部１２ａの深さｄ_２は、例えば３μｍ以上１０μｍ以下とすることができる。

リード中央凹部１２ａの裏面１２ｄは、リードフレーム基板１０の裏面側に露出しており、外部端子１７を構成している。これにより、リード中央凹部１２ａの裏面１２ｄを外部の実装基板（図示せず）に電気的に接続することができる。

リード周縁凸部１２ｂは、平面視略Ｕ字形状となっている。このリード周縁凸部１２ｂは、単位リードフレーム領域１０ａ内に位置するリード部１２のうち、切断領域２８側を除く周縁全体にわたって形成されている。また、リード周縁凸部１２ｂの表面１２ｅは、ボンディングワイヤ２２（後述）が接続される内部端子１５を構成している。このように、リード周縁凸部１２ｂの表面１２ｅに内部端子１５を設けたことにより、リード部１２に対してワイヤボンディングを行いやすくすることができる。なお、リード周縁凸部１２ｂの厚みｔ_５は、例えば５μｍ以上２０μｍ以下とすることができ、リード周縁凸部１２ｂの幅ｗ_３は、例えば２０μｍ以上４００μｍ以下とすることができる。

リード周縁凸部１２ｂのうち、リード部１２の最外周に位置する部分は、絶縁層１４の表面１４ｃを覆っている。これにより、リード部１２が絶縁層１４から裏面側に脱落する不具合を防止することができる。リード周縁凸部１２ｂが絶縁層１４に重なっている重なり幅ｗ_４は、例えば１０μｍ以上３９０μｍ以下としても良い。重なり幅ｗ_４を１０μｍ以上とすることにより、絶縁層１４とリード部１２とを確実に接着させ、樹脂封止工程（図８（ｄ）参照）において封止樹脂２３が裏面側に漏れる不具合を確実に防止することができる。また、ボンディングワイヤ２２が接続される内部端子１５の面積を一定以上確保することができる。一方、重なり幅ｗ_４を３９０μｍ以下とすることにより、ダイパッド１１とリード部１２との間隔を一定以上確保することができる。

以上説明したダイパッド１１およびリード部１２は、後述するように電解めっき工程により作製される（図７（ｇ）参照）。ダイパッド１１およびリード部１２は、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ等の単層金属から構成されていても良く、これらを積層した積層金属から構成されていても良い。

絶縁層１４は、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面側（とりわけダイパッド周縁凸部１１ｂ及びリード周縁凸部１２ｂの裏面側）において、ダイパッド１１とリード部１２とを互いに連結している。このように、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面に絶縁層１４を設けたことにより、絶縁層１４によってダイパッド１１およびリード部１２を支持することができ、リードフレーム基板１０全体の強度を高めることができる。これにより、ダイパッド１１およびリード部１２を薄くすることができ、この結果、半導体装置２０全体の厚みを薄くすることができる。

この場合、絶縁層１４は、絶縁層１４に覆われないダイパッド１１およびリード部１２の領域を除く、単位リードフレーム領域１０ａの内側領域の全域を覆っている。これにより、後述するように、封止樹脂２３によりダイパッド１１およびリード部１２を封止する際（図８（ｄ）参照）、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面側に別途樹脂封止用のテープを設ける必要が生じない。

絶縁層１４は、例えばポリイミド等のウエットエッチング可能な樹脂からなることが好ましい。また、絶縁層１４の厚みは、５μｍ以上２５μｍ以下とすることが好ましい。絶縁層１４の厚みを５μｍ以上とすることにより、ダイパッド１１およびリード部１２を確実に支持することができる。また、絶縁層１４の厚みを２５μｍ以下とすることにより、リードフレーム基板１０を薄肉に構成することができる。

また、絶縁層１４とダイパッド１１およびリード部１２との間には、めっき加工用の電極層３８が形成されている。この電極層３８は、後述するようにダイパッド１１およびリード部１２を電解めっきにより加工する際のめっきのベースとなる層である。電極層３８は、例えば銅、ニッケル、ニッケルクロム合金等の表面抵抗が１Ω／□以下の材質が好ましく、スパッタリング法等の公知の真空成膜法により厚み１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲で形成することができる。なお、図示例では、電極層３８を太線で示している。

なお、ダイパッド１１およびリード部１２の表面を覆うように図示しない金属層（めっき層）が形成されていても良い。ダイパッド１１およびリード部１２の表面に形成される金属層は、それぞれダイパッド１１およびリード部１２と、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２との密着性を向上させる役割を果たす。このような金属層は、例えばＰｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ等の金属の単一層でも良く、あるいは、これらのうち複数種類の金属を積層した層からなっていても良い。金属層を形成する方法としては、めっき又はスパッタリング等の手法を用いても良い。また、金属層の厚み（最大厚み）は、絶縁層１４の厚みよりも薄くすることが好ましく、具体的には０．３μｍ以上７μｍ以下とすることが好ましい。

図４は、本実施の形態によるリードフレーム基板１０の変形例を示している。図４において、ダイパッド１１、リード部１２及び絶縁層１４の裏面に、導体からなる支持基材１８が設けられている。この支持基材１８は、例えば銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）、ステンレス等の金属からなっている。支持基材１８は、ダイパッド１１、リード部１２及び絶縁層１４を裏面側から支持するとともに、リードフレーム基板１０のハンドリング性を高める役割を果たす。支持基材１８の厚みは、ハンドリング性を考慮した場合、例えば１５μｍ以上５０μｍ以下とすることが好ましい。なお、支持基材１８は、半導体装置２０を作製する工程の途中で除去される。

半導体装置の構成
次に、図５および図６により、本実施の形態による半導体装置について説明する。図５および図６は、本実施の形態による半導体装置を示す図である。

図５および図６に示すように、半導体装置（半導体パッケージ）２０は、ダイパッド１１と、ダイパッド１１から離間して配置された複数のリード部１２と、ダイパッド１１とリード部１２とを支持する絶縁層１４とを備えている。このうちダイパッド１１は、チップ収容凹部１１ａとダイパッド周縁凸部１１ｂとを有し、リード部１２は、リード中央凹部１２ａとリード周縁凸部１２ｂとを有している。

ダイパッド１１のチップ収容凹部１１ａには、半導体素子２１が収容され、半導体素子２１と各リード部１２のリード周縁凸部１２ｂとは、それぞれボンディングワイヤ（導電部材）２２によって電気的に接続されている。また、一部のボンディングワイヤ２２は、ダイパッド１１のダイパッド周縁凸部１１ｂに接続されている。さらに、ダイパッド１１、リード部１２、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２は、封止樹脂２３によって樹脂封止されている。

ダイパッド１１、リード部１２および絶縁層１４は、上述したリードフレーム基板１０から作製されたものである。このダイパッド１１、リード部１２および絶縁層１４の構成は、単位リードフレーム領域１０ａに含まれない領域を除き、上述した図１乃至図３に示すものと略同様であり、ここでは詳細な説明を省略する。

半導体素子２１としては、従来一般に用いられている各種半導体素子を使用することが可能であり、特に限定されないが、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等を用いることができる。この半導体素子２１は、各々ボンディングワイヤ２２が取り付けられる複数の電極２１ａを有している。また、半導体素子２１は、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４により、ダイパッド１１の表面に固定されている。半導体素子２１としては、発光素子（ＬＥＤ素子）を用いても良い。この場合、半導体素子２１の発光層としては、例えばＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、またはＩｎＧａＮ等の化合物半導体単結晶からなる材料が挙げられ、これら材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。

各ボンディングワイヤ２２は、例えば金、銅等の導電性の良い材料からなっている。各ボンディングワイヤ２２は、それぞれその一端が半導体素子２１の電極２１ａに接続されるとともに、その他端が各リード部１２のリード周縁凸部１２ｂ（内部端子１５）又はダイパッド１１のダイパッド周縁凸部１１ｂにそれぞれ接続されている。なお、各リード部１２の表面には、ボンディングワイヤ２２との密着性を向上させる金属層が設けられていても良い。

封止樹脂２３としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。封止樹脂２３全体の厚みは、１００μｍ以上１０００μｍ以下程度とすることができる。なお、図５において、ダイパッド１１およびリード部１２よりも表面側に位置する封止樹脂２３の表示を省略している。

なお、半導体装置２０の一辺は、例えば８ｍｍ以上１６ｍｍ以下としても良い。また半導体装置２０の厚みは、例えば１５０μｍ以上５００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以上３００μｍ以下とすることができる。

リードフレーム基板の製造方法
次に、図１乃至図３に示すリードフレーム基板１０の製造方法について、図７（ａ）−（ｉ）を用いて説明する。なお、図７（ａ）−（ｉ）は、リードフレーム基板１０の製造方法を示す断面図（図３に対応する図）である。

まず図７（ａ）に示すように、支持基材１８と、支持基材１８上に設けられた（未加工の）絶縁層１４とを有する積層体３０を準備する。この積層体３０を作製する場合、まず平板状の支持基材１８を準備し、この支持基材１８に絶縁層１４を貼着又は塗布することによって形成しても良い。あるいは、まず平板状の支持基材１８を準備し、この支持基材１８にポリイミドワニス等の樹脂を塗布し、これを熱処理することにより絶縁層１４を形成しても良い。なお、支持基材１８は、例えば銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）、ステンレス等の金属からなっている。

次に、積層体３０の表面に感光性レジストを塗布し乾燥するとともに、この感光性レジストに対してフォトマスクを介して露光し、現像する。これにより、絶縁層１４の表面に、所望の開口部３２ｂを有するエッチング用レジスト層３２を形成する（図７（ｂ））。このとき開口部３２ｂは、ダイパッド１１及びリード部１２に対応する位置に形成される。なお、感光性レジスト３２ａとしては、従来公知のものを使用することができる。

次に、エッチング用レジスト層３２を耐腐蝕膜として絶縁層１４に腐蝕液でエッチングを施すことにより、絶縁層１４の所定位置に、表面側から絶縁層開口部１４ｂを形成する（図７（ｃ））。具体的には、絶縁層１４のうち、エッチング用レジスト層３２の開口部３２ｂが設けられた箇所に、それぞれ絶縁層開口部１４ｂが形成される。腐蝕液は、絶縁層１４の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、絶縁層１４としてポリイミドを用いる場合、アルカリ−アミン系のポリイミドケミカルエッチング液を使用することができる。

続いて、絶縁層１４上のエッチング用レジスト層３２を除去する（図７（ｄ））。

次に、積層体３０の表面にめっき加工用の電極層３８を形成する（図７（ｅ））。より具体的には、絶縁層１４上及び絶縁層開口部１４ｂから露出する支持基材１８上に、電極層３８を形成する。この電極層３８は、後述するように、電解めっきによりダイパッド１１及びリード部１２を形成する際の給電部として用いられるものである。電極層３８は、例えば銅、ニッケル、ニッケルクロム合金等の表面抵抗が１Ω／□以下の材質が好ましく、スパッタリング法等の公知の真空成膜法により厚み１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲で形成することができる。

次いで、電極層３８の一部をめっき用レジスト層３４によって覆う（図７（ｆ））。具体的には、絶縁層１４の表面のうちダイパッド１１及びリード部１２を形成しない領域をめっき用レジスト層３４によって覆う。

続いて、電極層３８のうちめっき用レジスト層３４によって覆われていない部分にダイパッド１１及びリード部１２を形成する（図７（ｇ））。具体的には、支持基材１８の表面と絶縁層１４の表面のうち、めっき用レジスト層３４に覆われていない領域に電解めっき処理を施すことにより、ダイパッド１１及びリード部１２を形成する。この際、絶縁層１４の絶縁層開口部１４ｂ内に、ダイパッド１１のチップ収容凹部１１ａとリード部１２のリード中央凹部１２ａとが形成され、絶縁層１４上には、ダイパッド１１のダイパッド周縁凸部１１ｂとリード部１２のリード周縁凸部１２ｂとが形成される。この場合、支持基材１８の表面と絶縁層１４の表面に電極層３８が形成されているので、電解めっき用の電流を電極層３８を介して供給することができる。ダイパッド１１及びリード部１２を形成するめっき種の種類は問わないが、例えばＣｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉなどの単層めっきでもよいし、これらを積層した複層めっきでもよい。

次に、絶縁層１４上のめっき用レジスト層３４を剥離除去するとともに、めっき用レジスト層３４に覆われていた部分の電極層３８を剥離除去する（図７（ｈ））。これにより、ダイパッド１１およびリード部１２の周囲に絶縁層１４が露出する。

その後、ダイパッド１１、リード部１２及び絶縁層１４の裏面から支持基材１８を除去する。この場合、支持基材１８に腐蝕液でエッチングを施すことにより、支持基材１８を除去しても良い。支持基材１８の材料としてステンレスを用いる場合、腐蝕液としては、例えば塩化第二鉄を主成分とする塩酸との混合液、または更に硝酸を加えた混合液を使用することができる。あるいは、支持基材１８は、ダイパッド１１、リード部１２及び絶縁層１４の裏面から剥離することにより除去しても良い。

このようにして、図１乃至図３に示すリードフレーム基板１０が得られる（図７（ｉ））。

半導体装置の製造方法
次に、図５および図６に示す半導体装置２０の製造方法について、図８（ａ）−（ｄ）を用いて説明する。図８（ａ）−（ｄ）は、半導体装置２０の製造方法を示す断面図（図６に対応する図）である。

まず、例えば図７（ａ）−（ｉ）に示す方法（上述）により、リードフレーム基板１０を作製する（図８（ａ））。

次に、ダイパッド１１のチップ収容凹部１１ａに、半導体素子２１を収容する。この場合、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４を用いて、半導体素子２１をダイパッド１１のチップ収容凹部１１ａに載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図８（ｂ））。本実施の形態において、ダイパッド１１にチップ収容凹部１１ａが設けられ、このチップ収容凹部１１ａに半導体素子２１を収容している。このように、ダイボンディングペーストをチップ収容凹部１１ａに注入することにより、接着剤２４がチップ収容凹部１１ａから漏れ拡がるおそれがない。これにより、接着剤２４の硬化後に硬化物の周囲に低分子樹脂又は溶剤がしみ出す現象（ブリードアウト）を抑制することができる。

次に、半導体素子２１の各電極２１ａと、各リード部１２のリード周縁凸部１２ｂ（内部端子１５）及びダイパッド１１のダイパッド周縁凸部１１ｂとを、それぞれボンディングワイヤ（導電部材）２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図８（ｃ））。

次に、リードフレーム基板１０に対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する。これにより、ダイパッド１１、複数のリード部１２、半導体素子２１、およびボンディングワイヤ２２を樹脂封止する。また、ダイパッド１１とリード部１２との間において、封止樹脂２３は絶縁層１４に密着する。この際、ダイパッド１１とリード部１２との間の領域が予め絶縁層１４によって覆われているので、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面側に樹脂封止用のテープを別途設ける必要が生じない。

続いて、各半導体素子２１間の切断領域２８（図１参照）に位置する絶縁層１４および封止樹脂２３をダイシングすることにより、リードフレーム基板１０を各単位リードフレーム領域１０ａ毎に分離する。この際、例えばダイヤモンド砥石からなるブレード（図示せず）を回転させながら、各単位リードフレーム領域１０ａ間の絶縁層１４および封止樹脂２３を切断しても良い。

このようにして、図５および図６に示す半導体装置２０が得られる（図８（ｄ））。

このように本実施の形態によれば、ダイパッド１１は、半導体素子２１を収容するチップ収容凹部１１ａと、チップ収容凹部１１ａの周囲に設けられたダイパッド周縁凸部１１ｂとを有している。このようにチップ収容凹部１１ａに半導体素子２１を収容することにより、半導体素子２１を低い位置に配置することができるので、半導体装置２０を薄肉化することができる。具体的には、半導体装置２０の厚みを例えば１５０μｍ以上５００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以上３００μｍ以下まで薄肉化することができる。

また、本実施の形態によれば、リード部１２は、中央に位置するリード中央凹部１２ａと、リード中央凹部１２ａの周囲に設けられ、絶縁層１４の表面１４ｃを覆うリード周縁凸部１２ｂとを有している。この場合、リード周縁凸部１２ｂが絶縁層１４の表面１４ｃを係止するので、リード部１２が絶縁層１４から裏面側に脱落する不具合を防止することができる。

また、本実施の形態によれば、ダイパッド周縁凸部１１ｂは、ダイパッド１１の周縁全体にわたって形成されているので、ダイパッド１１の周縁の任意の位置にボンディングワイヤ２２を接続することができる。また、チップ収容凹部１１ａの周縁全体にわたって接着剤２４が漏出する不具合を防止することができる。

さらに、本実施の形態によれば、チップ収容凹部１１ａの裏面１１ｄが外方に露出しているので、チップ収容凹部１１ａの裏面１１ｄ側を実装基板に接続することができるとともに、チップ収容凹部１１ａの裏面１１ｄから半導体素子２１の熱を放出することができる。

さらにまた、本実施の形態によれば、リードフレーム基板１０を製造する際、積層体３０の表面にめっき加工用の電極層３８を形成し、電極層３８を、ダイパッド１１及びリード部１２を形成する際の給電部として用いている。このため、ダイパッド１１およびリード部１２がどのような形状であっても、電極層３８を介して電解めっき用の電流を供給することができる。これにより、ダイパッド１１およびリード部１２の形状の自由度を高めることができる。

（第２の実施の形態）
次に、図９乃至図１３を参照して本発明の第２の実施の形態について説明する。図９乃至図１３は本発明の第２の実施の形態を示す図である。図９乃至図１３に示す第２の実施の形態は、主として、絶縁層１４に絶縁層凹部１４ｆが形成されている点が第１の実施の形態と異なるものであり、他の構成は図１乃至図８に示す第１の実施の形態と略同一である。図９乃至図１３において、第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

リードフレーム基板の構成
まず、図９により、本実施の形態によるリードフレーム基板の概略について説明する。

図９に示すリードフレーム基板１０Ａは、ダイパッド１１と、ダイパッド１１周囲に設けられ、半導体素子２１と実装基板（図示せず）とを接続する複数のリード部１２と、ダイパッド１１とリード部１２とを支持する絶縁層１４とを備えている。

図９において、絶縁層１４のうちチップ収容凹部１１ａに対応する位置に、絶縁層凹部１４ｆが形成されている。絶縁層凹部１４ｆは、チップ収容凹部１１ａの裏面側に形成されており、絶縁層１４の表面側から薄肉化されることにより、絶縁層１４の他の領域よりも薄くなっている。この絶縁層凹部１４ｆは、後述する絶縁層貫通孔１４ｇを除き、厚み方向に貫通しない非貫通凹部からなっている。絶縁層凹部１４ｆにおける絶縁層１４の厚みｔ_６は、例えば１０μｍ以上２５μｍ以下とすることができ、絶縁層凹部１４ｆの深さｄ_３は、例えば３μｍ以上１０μｍ以下とすることができる。また、絶縁層凹部１４ｆにおけるチップ収容凹部１１ａの厚みｔ_７は、例えば３μｍ以上１０μｍ以下とすることができる。

絶縁層凹部１４ｆには、絶縁層貫通孔１４ｇが形成されている。この場合、絶縁層凹部１４ｆに複数の絶縁層貫通孔１４ｇが形成されているが、絶縁層貫通孔１４ｇの数は１つ以上の任意の数であっても良い。絶縁層貫通孔１４ｇの幅（径）ｗ_５は、例えば５０μｍ以上１０００μｍ以下としても良い。

各絶縁層貫通孔１４ｇには、それぞれ裏面側端子部１１ｇが充填されている。裏面側端子部１１ｇは、ダイパッド１１から連続して形成され、ダイパッド１１と同一種類の金属からなっている。このように、絶縁層凹部１４ｆに絶縁層貫通孔１４ｇを設けたことにより、裏面側端子部１１ｇを介してダイパッド１１と外部の実装基板（図示せず）とを電気的に接続することができる。また、半導体素子２１からの熱を裏面側端子部１１ｇから外方に逃がすことができる。

図１０は、本実施の形態によるリードフレーム基板１０Ａの変形例を示している。図１０において、ダイパッド１１、リード部１２及び絶縁層１４の裏面に、支持基材１８が設けられている。なお、支持基材１８の構成は、上述した図４に示す支持基材１８の構成と同様であり、ここでは詳細な説明を省略する。

半導体装置の構成
次に、図１１により、本実施の形態による半導体装置について説明する。

図１１に示す半導体装置（半導体パッケージ）２０Ａは、図９に示すリードフレーム基板１０Ａを用いて作製されたものである。この半導体装置２０Ａは、ダイパッド１１と、ダイパッド１１から離間して配置された複数のリード部１２と、ダイパッド１１およびリード部１２を支持する絶縁層１４とを備えている。このうちダイパッド１１は、チップ収容凹部１１ａとダイパッド周縁凸部１１ｂとを有し、リード部１２は、リード中央凹部１２ａとリード周縁凸部１２ｂとを有している。

ダイパッド１１のチップ収容凹部１１ａには、半導体素子２１が収容され、半導体素子２１と、ダイパッド１１のダイパッド周縁凸部１１ｂ又は各リード部１２のリード周縁凸部１２ｂとは、それぞれボンディングワイヤ（導電部材）２２によって電気的に接続されている。また、ダイパッド１１、リード部１２、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２は、封止樹脂２３によって樹脂封止されている。

図１１において、絶縁層１４のうちチップ収容凹部１１ａに対応する位置に、絶縁層凹部１４ｆが形成されている。絶縁層凹部１４ｆにはチップ収容凹部１１ａが収容され、さらにチップ収容凹部１１ａには半導体素子２１が収容されている。また、絶縁層凹部１４ｆに絶縁層貫通孔１４ｇが形成され、各絶縁層貫通孔１４ｇには、それぞれ裏面側端子部１１ｇが充填されている。裏面側端子部１１ｇは、半導体装置２０Ａの裏面側に露出している。このほか、半導体装置２０Ａの構成は、上述した半導体装置２０の構成（図５および図６参照）と同様である。

リードフレーム基板の製造方法
次に、図９に示すリードフレーム基板１０Ａの製造方法について、図１２（ａ）−（ｇ）を用いて説明する。図１２（ａ）−（ｇ）は、本実施の形態によるリードフレーム基板１０Ａの製造方法を示す断面図（図９に対応する図）である。

まず図１２（ａ）に示すように、支持基材１８を準備する。

次に、支持基材１８上に例えば感光性ポリアミック酸樹脂等の感光性樹脂を塗布し、これを乾燥する。次いで、この感光性樹脂に対してフォトマスクを介して露光し、現像する。これにより、支持基材１８の表面に、絶縁層凹部１４ｆと絶縁層開口部１４ｂとを有する絶縁層１４を形成する（図１２（ｂ））。この場合、絶縁層開口部１４ｂ及び絶縁層凹部１４ｆは、それぞれリード部１２及びダイパッド１１に対応する所定位置に形成される。さらに絶縁層凹部１４ｆには、絶縁層凹部１４ｆを厚み方向に貫通する絶縁層貫通孔１４ｇが形成される。

このような絶縁層１４の絶縁層凹部１４ｆは、感光性樹脂を階調露光することによって形成することができる。より具体的には、上記露光工程において、例えば、露光に用いられるフォトマスクのうち、絶縁層凹部１４ｆの形成部分に対向する部分の光の透過率を、全透過から全遮光までの間の半透過に調整して階調露光する。一方、フォトマスクのうち、絶縁層開口部１４ｂ及び絶縁層貫通孔１４ｇの形成部分に対向する部分の光の透過率は、全透過（又は全遮光）としておく。次いで、上記現像工程において、絶縁層凹部１４ｆの形成部分の感光性樹脂を厚さ方向途中で残存させる一方、絶縁層開口部１４ｂ及び絶縁層貫通孔１４ｇの形成部分の感光性樹脂を厚さ方向全体にわたって除去する。そして、感光性樹脂を乾燥した後、加熱により硬化させることにより、絶縁層凹部１４ｆ、絶縁層開口部１４ｂ及び絶縁層貫通孔１４ｇが同時に形成される。

次に、絶縁層１４上と、絶縁層開口部１４ｂ及び絶縁層貫通孔１４ｇから露出する支持基材１８上とに、めっき加工用の電極層３８を形成する（図１２（ｃ））。

次いで、電極層３８の一部をめっき用レジスト層３４によって覆う（図１２（ｄ））。具体的には、絶縁層１４の表面のうちダイパッド１１及びリード部１２を形成しない領域をめっき用レジスト層３４によって覆う。

続いて、電極層３８のうちめっき用レジスト層３４によって覆われていない部分にダイパッド１１及びリード部１２を形成する（図１２（ｅ））。具体的には、支持基材１８の表面と絶縁層１４の表面のうち、めっき用レジスト層３４に覆われていない領域に電解めっき処理を施すことにより、ダイパッド１１及びリード部１２を形成する。この際、絶縁層１４の絶縁層凹部１４ｆ内及び絶縁層開口部１４ｂ内に、それぞれダイパッド１１のチップ収容凹部１１ａとリード部１２のリード中央凹部１２ａとが形成される。また、絶縁層１４上には、ダイパッド１１のダイパッド周縁凸部１１ｂとリード部１２のリード周縁凸部１２ｂとが形成される。さらに、絶縁層貫通孔１４ｇ内には、裏面側端子部１１ｇが形成される。

次に、絶縁層１４上のめっき用レジスト層３４を剥離除去するとともに、めっき用レジスト層３４に覆われていた電極層３８を剥離除去する（図１２（ｆ））。これにより、ダイパッド１１およびリード部１２の周囲の表面側に絶縁層１４が露出する。

その後、ダイパッド１１、リード部１２及び絶縁層１４の裏面から支持基材１８を除去する。このようにして、図９に示すリードフレーム基板１０Ａが得られる（図１２（ｇ））。

半導体装置の製造方法
次に、図１１に示す半導体装置２０Ａの製造方法について、図１３（ａ）−（ｄ）を用いて説明する。図１３（ａ）−（ｄ）は、半導体装置２０Ａの製造方法を示す断面図（図１１に対応する図）である。

まず、例えば図１２（ａ）−（ｈ）に示す方法（上述）により、リードフレーム基板１０Ａを作製する（図１３（ａ））。

次に、ダイパッド１１のチップ収容凹部１１ａに、半導体素子２１を収容する。この場合、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４を用いて、半導体素子２１をダイパッド１１のチップ収容凹部１１ａに載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図１３（ｂ））。

次に、半導体素子２１の各電極２１ａと、各リード部１２のリード周縁凸部１２ｂ（内部端子１５）及びダイパッド１１のダイパッド周縁凸部１１ｂとを、それぞれボンディングワイヤ（導電部材）２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図１３（ｃ））。

次に、リードフレーム基板１０Ａに対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する。これにより、ダイパッド１１、複数のリード部１２、半導体素子２１、およびボンディングワイヤ２２を樹脂封止する。

続いて、各半導体素子２１間の絶縁層１４および封止樹脂２３をダイシングすることにより、リードフレーム基板１０Ａを各単位リードフレーム領域１０ａ毎に分離する。このようにして、図１１に示す半導体装置２０Ａが得られる（図１３（ｄ））。

このように本実施の形態によれば、絶縁層１４のうちチップ収容凹部１１ａの裏面に対応する位置に、絶縁層凹部１４ｆが形成されている。これにより、ダイパッド１１に熱が加わり、チップ収容凹部１１ａが熱膨張した場合であっても、絶縁層凹部１４ｆによってチップ収容凹部１１ａが裏面側から保持される。この結果、熱膨張に起因してチップ収容凹部１１ａが裏面側に撓んでしまう不具合を抑制することができる。このほか、第１の実施の形態の場合と略同様の作用効果が得られる。

（第３の実施の形態）
次に、図１４および図１５を参照して本発明の第３の実施の形態について説明する。図１４および図１５は本発明の第３の実施の形態を示す図である。図１４および図１５に示す第３の実施の形態は、主として、絶縁層１４に表面側凹部１４ｈが形成されている点が第１の実施の形態と異なるものであり、他の構成は図１乃至図８に示す第１の実施の形態と略同一である。図１４および図１５において、第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

リードフレーム基板の構成
まず、図１４により、本実施の形態によるリードフレーム基板の概略について説明する。

図１４に示すリードフレーム基板１０Ｂは、ダイパッド１１と、ダイパッド１１周囲に設けられ、半導体素子２１と実装基板（図示せず）とを接続する複数のリード部１２と、ダイパッド１１とリード部１２とを支持する絶縁層１４とを備えている。このうちダイパッド１１は、チップ収容凹部１１ａとダイパッド周縁凸部１１ｂとを有し、リード部１２は、リード中央凹部１２ａとリード周縁凸部１２ｂとを有している。

図１４において、絶縁層１４の表面１４ｃのうちダイパッド１１及びリード部１２に覆われていない領域に、非貫通の表面側凹部１４ｈが形成されている。具体的には、表面側凹部１４ｈは、例えばダイパッド１１とリード部１２との間、互いに隣接するリード部１２同士の間、及び／又は、単位リードフレーム領域１０ａの角部近傍に設けられている。

この表面側凹部１４ｈは、１つの単位リードフレーム領域１０ａに対して複数形成されていることが好ましい。また、複数の表面側凹部１４ｈが、絶縁層１４の表面１４ｃのうちダイパッド１１及びリード部１２に覆われていない領域全体にわたって配置されていても良い。各表面側凹部１４ｈの深さｄ_４は、例えば３μｍ以上１０μｍ以下としても良く、各表面側凹部１４ｈの幅（径）ｗ_６は、例えば１０μｍ以上１００μｍ以下とすることができる。

このような表面側凹部１４ｈは、支持基材１８上にパターン状の絶縁層１４を形成する工程において、上述した第２の実施の形態の場合と同様、感光性樹脂を階調露光することによって形成することができる（図１２（ｂ））。このほかの製造工程は、図７及び図８に示す第１の実施の形態の場合と同様である。

半導体装置の構成
次に、図１５により、本実施の形態による半導体装置について説明する。

図１５に示す半導体装置（半導体パッケージ）２０Ｂは、図１４に示すリードフレーム基板１０Ｂを用いて作製されたものである。この半導体装置２０Ｂは、ダイパッド１１と、ダイパッド１１から離間して配置された複数のリード部１２と、ダイパッド１１およびリード部１２の裏面側に設けられた絶縁層１４とを備えている。

ダイパッド１１のチップ収容凹部１１ａには、半導体素子２１が収容され、半導体素子２１と、ダイパッド１１のダイパッド周縁凸部１１ｂ又は各リード部１２のリード周縁凸部１２ｂとは、それぞれボンディングワイヤ（導電部材）２２によって電気的に接続されている。また、ダイパッド１１、リード部１２、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２は、封止樹脂２３によって樹脂封止されている。

図１５において、絶縁層１４の表面１４ｃのうちダイパッド１１及びリード部１２に覆われていない領域に、非貫通の表面側凹部１４ｈが形成されている。各表面側凹部１４ｈには、封止樹脂２３が充填されている。このほか、半導体装置２０Ｂの構成は、上述した半導体装置２０の構成（図５および図６参照）と同様である。

このように本実施の形態によれば、絶縁層１４の表面１４ｃのうちダイパッド１１及びリード部１２に覆われていない領域に、非貫通の表面側凹部１４ｈが形成されている。これにより、表面側凹部１４ｈに封止樹脂２３が進入するので、表面側凹部１４ｈがアンカーとしての役割を果たし、絶縁層１４と封止樹脂２３とを強固に密着することができる。この結果、絶縁層１４が封止樹脂２３から剥離してしまう不具合を抑制することができる。このほか、第１の実施の形態の場合と略同様の作用効果が得られる。

なお、図１４および図１５において、第１の実施の形態のリードフレーム基板１０及び半導体装置２０の絶縁層１４に対して表面側凹部１４ｈを設けた例を示している。しかしながら、これに限らず、第２の実施の形態のリードフレーム基板１０Ａ及び半導体装置２０Ａの絶縁層１４に対して表面側凹部１４ｈを設けても良い。

上記各実施の形態及び変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記各実施の形態及び変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。

１０ リードフレーム基板
１０ａ 単位リードフレーム領域
１１ ダイパッド
１１ａ チップ収容凹部
１１ｂ ダイパッド周縁凸部
１２ リード部
１２ａ リード中央凹部
１２ｂ リード周縁凸部
１４ 絶縁層
１４ｆ 絶縁層凹部
１４ｇ 絶縁層貫通孔
１５ 内部端子
１７ 外部端子
１８ 支持基材
２０ 半導体装置
２１ 半導体素子
２２ ボンディングワイヤ（導電部材）
２３ 封止樹脂

Claims (13)

1. リードフレーム基板であって、
   ダイパッドと、
   前記ダイパッドから離間して配置されたリード部と、
   前記ダイパッドと前記リード部とを支持する絶縁層とを備え、
   前記ダイパッドは、半導体素子を収容するチップ収容凹部と、前記チップ収容凹部の周囲に設けられ、前記絶縁層の表面を覆うダイパッド周縁凸部とを有することを特徴とするリードフレーム基板。
2. 前記リード部は、中央に位置するリード中央凹部と、前記リード中央凹部の周囲に設けられ、前記絶縁層の表面を覆うリード周縁凸部とを有することを特徴とする請求項１記載のリードフレーム基板。
3. 前記ダイパッド周縁凸部は、前記ダイパッドの周縁全体にわたって形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載のリードフレーム基板。
4. 前記絶縁層の裏面に設けられた支持基材を更に備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載のリードフレーム基板。
5. 前記チップ収容凹部の裏面が外方に露出していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載のリードフレーム基板。
6. 前記絶縁層のうち前記チップ収容凹部に対応する位置に、絶縁層凹部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項記載のリードフレーム基板。
7. 前記絶縁層凹部に絶縁層貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項６記載のリードフレーム基板。
8. 前記絶縁層のうち前記ダイパッド及び前記リード部に覆われていない領域に、非貫通の表面側凹部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項記載のリードフレーム基板。
9. 半導体装置であって、
   ダイパッドと、
   前記ダイパッドから離間して配置されたリード部と、
   前記ダイパッドと前記リード部とを支持する絶縁層と、
   前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
   前記半導体素子と前記リード部とを電気的に接続する導電部材と、
   前記ダイパッドと、前記リード部と、前記半導体素子と、前記導電部材とを封止する封止樹脂とを備え、
   前記ダイパッドは、前記半導体素子を収容するチップ収容凹部と、前記チップ収容凹部の周囲に設けられ、前記絶縁層の表面を覆うダイパッド周縁凸部とを有することを特徴とする半導体装置。
10. 前記絶縁層のうち前記チップ収容凹部の裏面に対応する位置に、絶縁層凹部が形成されていることを特徴とする請求項９記載の半導体装置。
11. リードフレーム基板の製造方法において、
    支持基材を準備する工程と、
    前記支持基材上に、所定位置に絶縁層開口部が形成された絶縁層を設ける工程と、
    前記支持基材および前記絶縁層上に、めっき加工用の電極層を形成する工程と、
    前記電極層の一部をレジストによって覆うとともに、前記電極層のうち前記レジストに覆われていない部分にめっきを施すことにより、ダイパッドおよびリード部を形成する工程と、
    前記レジスト及び前記支持基材をそれぞれ除去する工程とを備え、
    前記ダイパッドおよび前記リード部を形成する工程において、前記ダイパッドには、半導体素子を収容するチップ収容凹部と、前記チップ収容凹部の周囲に設けられ、前記絶縁層の表面を覆うダイパッド周縁凸部とがそれぞれ形成されることを特徴とするリードフレーム基板の製造方法。
12. 前記絶縁層を設ける工程において、前記絶縁層のうち前記ダイパッドの前記チップ収容凹部に対応する位置に、絶縁層凹部が形成されることを特徴とする請求項１１記載のリードフレーム基板の製造方法。
13. 半導体装置の製造方法において、
    請求項１乃至８のいずれか一項記載のリードフレーム基板を準備する工程と、
    前記リードフレーム基板の前記ダイパッドの前記チップ収容凹部に半導体素子を搭載する工程と、
    前記半導体素子と前記リードフレーム基板の前記リード部とを導電部材により電気的に接続する工程と、
    前記ダイパッドと、前記リード部と、前記半導体素子と、前記導電部材とを封止樹脂により封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

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