JP2018116924A5 - 表示装置 - Google Patents
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Claims (8)
- 第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極および前記第２の電極の間の発光層と、
前記第２の電極上の保護膜と、を有し、
前記保護膜は、第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜とを有し、
前記第１の絶縁膜は、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、および酸化ジルコニウムの一以上を有し、
前記第２の絶縁膜は、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、および酸化ジルコニウムの一以上を有し、
前記第１の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の組成が異なり、
前記保護膜は、水蒸気透過率が１×１０−２ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）未満であることを特徴とする表示装置。 - 請求項１において、
前記第２の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜より、炭素の含有量が大きいことを特徴とする表示装置。 - 第１の電極と、
前記第１の電極の端部と重なる第３の絶縁膜と、
前記第１の電極および前記第３の絶縁膜上の発光層と、
前記発光層上の第２の電極と、
前記第２の電極上の保護膜と、を有し、
前記保護膜は、第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜とを有し、
前記第１の絶縁膜は、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、および酸化ジルコニウムの一以上を有し、
前記第２の絶縁膜は、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、および酸化ジルコニウムの一以上を有し、
前記第１の絶縁膜は、前記発光層を介して前記第１の電極と重なる第１の領域と、前記発光層を介して前記第３の絶縁膜と重なる第２の領域とを有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域より膜密度が低い領域を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項３において、前記第２の絶縁膜の一部は、前記第１の絶縁膜の一部を充填していることを特徴とする表示装置。
- 請求項３または請求項４において、
前記第１の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の組成が異なり、
前記保護膜は、水蒸気透過率が１×１０−２ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）未満であることを特徴とする表示装置。 - 請求項３乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第２の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜より、炭素の含有量が大きいことを特徴とする表示装置。 - 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記第２の絶縁膜に接する着色膜を有することを特徴とする表示装置。
- 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
第１の表示素子及び第２の表示素子を有し、
前記第１の表示素子は、前記第１の電極と、前記第２の電極と、前記第１の電極および前記第２の電極の間の前記発光層とを有する発光素子であり、
前記第２の表示素子は、液晶素子であることを特徴とする表示装置。
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