JP2018095848A - 共重合体及びそれを用いた位相差フィルム - Google Patents

Abstract

【課題】薄膜においても高い位相差を有する等の位相差特性に優れた位相差フィルムとすることが期待される新規な共重合体およびそれを用いた位相差フィルムを提供する。【解決手段】一般式（１）で表される残基単位を含むことを特徴とする共重合体およびそれを用いた位相差フィルム。【選択図】なし

Description

本発明は、新規な共重合体及びそれを用いた位相差フィルムに関するものであり、さらに詳細には、薄膜においても高い位相差を有する位相差フィルム、特に液晶表示素子用の光学補償フィルムまたは有機ＥＬ用円偏光板の位相差フィルムに適した新規な共重合体に関するものである。

液晶ディスプレイは、マルチメディア社会における最も重要な表示デバイスとして、スマートフォン、コンピュータ用モニター、ノートパソコン、テレビまで幅広く使用されている。

液晶ディスプレイには表示特性向上のため多くの光学フィルムが用いられており、特に位相差フィルムは正面や斜めから見た場合のコントラストの向上、色調の補償等大きな役割を果たしている。従来の位相差フィルムとしては、ポリカーボネートや環状ポリオレフィンが使用されており、これらの高分子はいずれも正の複屈折を有する高分子である。ここで、複屈折の正負は以下に示すように定義される。

延伸等で分子配向した高分子フィルムの光学異方性は、フィルムを延伸した場合のフィルム面内の進相軸方向の屈折率をｎｘ、それと直交するフィルム面内方向の屈折率をｎｙ、フィルムの厚み方向の屈折率をｎｚとした屈折率楕円体で表すことができる。

つまり、負の複屈折を有する高分子の一軸延伸では延伸軸方向の屈折率が小さく（進相軸：延伸方向）、正の複屈折を有する高分子の一軸延伸では延伸軸と直交する軸方向の屈折率が小さい（進相軸：延伸方向と垂直方向）。

多くの高分子は正の複屈折を有する。負の複屈折を有する高分子としてはアクリル樹脂やポリスチレンがあるが、アクリル樹脂は位相差が小さく、位相差フィルムとしての特性は十分でない。ポリスチレンは、低温領域での光弾性係数が大きいためにわずかな応力で位相差が変化するなど位相差の安定性の課題、さらに耐熱性が低いという実用上の課題があり、現状用いられていない。

負の複屈折を示す高分子の延伸フィルムではフィルムの厚み方向の屈折率が高く、従来にない位相差フィルムとなるため、例えばスーパーツイストネマチック型液晶ディスプレイ（ＳＴＮ−ＬＣＤ）や垂直配向型液晶ディスプレイ（ＶＡ−ＬＣＤ）、面内配向型液晶ディスプレイ（ＩＰＳ−ＬＣＤ）、反射型液晶ディスプレイ（反射型ＬＣＤ）等のディスプレイの視角特性の補償用位相差フィルムや偏向板の視野角補償フィルムとして有用であり、負の複屈折を有する位相差フィルムに対して市場の要求は強い。

正の複屈折を有する高分子を用いてフィルムの厚み方向の屈折率を高めたフィルムの製造方法が提案されている。ひとつは高分子フィルムの片面または両面に熱収縮性フィルムを接着し、その積層体を加熱延伸処理して、高分子フィルムのフィルム厚み方向に収縮力をかける処理方法（例えば、特許文献１〜３参照）である。また、高分子フィルムに電場を印加しながら面内に一軸延伸する方法が提案されている（例えば、特許文献４参照）。

それ以外にも負の光学異方性を有する微粒子と透明性高分子からなる位相差フィルムが提案されている（例えば、特許文献５参照）。

しかし、特許文献１〜４において提案された方法は、製造工程が非常に複雑になるために生産性が劣る課題がある。また位相差の均一性等の制御も従来の延伸による制御と比べると著しく難しくなる。

特許文献５で得られる位相差フィルムは、負の光学異方性を有する微粒子を添加することによって負の複屈折を示す位相差フィルムであり、製造方法の簡便化や経済性の観点から、微粒子を添加する必要のない位相差フィルムが求められている。

また、フマル酸ジエステル系共重合体及びそれよりなるフィルムが提案されている（例えば、特許文献６〜１２参照）。

特許文献６〜１２で提案されたフマル酸ジエステル系共重合体及びそれよりなるフィルムは高い位相差を有しているものの、現状においては、より薄膜においても高い位相差を有するフィルムが求められている。

特許２８１８９８３号公報 特開平５−２９７２２３号公報 特開平５−３２３１２０号公報 特開平６−８８９０９号公報 特開２００５−１５６８６２号公報 特開２００８−１１２１４１号公報 特開２０１２−０３２７８４号公報 ＷＯ２０１２／００５１２０号公報 特開２００８−１２９４６５号公報 特開２００６-１９３６１６号公報 ＷＯ２０１４／０１３９８２号公報 ＷＯ２０１４／０８４１７８号公報

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、薄膜においても高い位相差を有する光学特性に優れた位相差フィルムに適した新規な共重合体を提供することにある。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、特定の共重合体が上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は、一般式（１）で表される残基単位Ａおよび一般式（２）で表される残基単位Ｂを含むことを特徴とする共重合体およびそれを用いた位相差フィルムに関するものである。

（ここで、Ｒ_１、Ｒ_２はそれぞれ独立して水素（ただし、Ｒ_１、Ｒ_２が共に水素である場合を除く。）、シアノ基、エステル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ_１)、アミド基（−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｘ_２）（Ｘ_３））、またはアシル基（−Ｃ（＝Ｏ）Ｘ_４)（ここで、Ｘ_１〜Ｘ_３はそれぞれ独立して炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、または炭素数３〜６の環状アルキル基を示し、Ｘ_４は炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、または炭素数３〜１４の環状基を示す。）を示す。Ｒ_３〜Ｒ_７はそれぞれ独立して水素、炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、炭素数３〜１４の環状基、ハロゲン、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ニトロ基、シアノ基、アルコキシ基（−ＯＸ_５）、エステル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ_６）、アミド基（−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｘ_７）（Ｘ_８））、アシル基（−Ｃ（＝Ｏ）Ｘ_９）、アミノ基（−Ｎ（Ｘ_１０）（Ｘ_１１））、またはスルホン酸基（−ＳＯＯＸ_１２）（ここで、Ｘ_５〜Ｘ_８は、それぞれ独立して炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、または炭素数３〜６の環状アルキル基を示し、Ｘ_９〜Ｘ_１２はそれぞれ独立して水素、炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、または炭素数３〜６の環状アルキル基を示す。）を示す。また、Ｒ_３〜Ｒ_７は隣接する置換基同士で縮合環構造を形成してもよい。）

（ここで、Ｒ_８はヘテロ原子を１つ以上含むｍ員環複素環残基またはヘテロ原子を含まない５員環残基を示し、ｍは５〜１０の整数を示す。前記ｍ員環複素環残基および前記５員環残基は他の環状構造と縮合環構造を形成してもよい。）
以下、本発明の位相差フィルムに適した共重合体について詳細に説明する。

本発明の共重合体は、一般式（１）で表される残基単位Ａおよび一般式（２）で表される残基単位Ｂを含むことを特徴とする共重合体である。そして、該共重合体は、該残基単位Ａ及び該残基単位Ｂを含んでなることにより、より薄膜においても高い位相差を発現することを特徴とする。

本発明の一般式（１）におけるＲ_１、Ｒ_２はそれぞれ独立して水素（ただし、Ｒ_１、Ｒ_２が共に水素である場合を除く。）、シアノ基、エステル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ_１）、アミド基（−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｘ_２）（Ｘ_３））、またはアシル基（−Ｃ（＝Ｏ）Ｘ_４)（ここで、Ｘ_１〜Ｘ_３はそれぞれ独立して、炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、または炭素数３〜６の環状アルキル基を示し、Ｘ_４は炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、または炭素数３〜１４の環状基を示す。）を示す。

Ｘ_１〜Ｘ_４における炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等が挙げられ、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基としては、例えば、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソブチル基等が挙げられ、Ｘ_１〜Ｘ_３における炭素数３〜６の環状アルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等が挙げられ、Ｘ_４における炭素数３〜１４の環状基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。

本発明の一般式（１）におけるＲ_１としては、より高い位相差を発現することから、シアノ基;メチルエステル基、エチルエステル基、ｎ−プロピルエステル基、イソプロピルエステル基、イソブチルエステル基等のエステル基;ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、ジｎ−プロピルアミド基、ジイソプロピルアミド基等のアミド基;アセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基等のアシル基であることが好ましく、シアノ基、メチルエステル基、エチルエステル基、ｎ−プロピルエステル基、イソプロピルエステル基、イソブチルエステル基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、ジｎ−プロピルアミド基、ジイソプロピルアミド基、ベンゾイル基であることがさらに好ましく、シアノ基、メチルエステル基、エチルエステル基、ｎ−プロピルエステル基、イソプロピルエステル基、イソブチルエステル基であることが特に好ましい。

本発明の一般式（１）におけるＲ_２としては、より高い位相差を発現することから、水素;シアノ基;メチルエステル基、エチルエステル基、ｎ−プロピルエステル基、イソプロピルエステル基、イソブチルエステル基等のエステル基であることが好ましく、水素、シアノ基、メチルエステル基、エチルエステル基、ｎ−プロピルエステル基、イソプロピルエステル基、イソブチルエステル基であることがさらに好ましく、シアノ基、イソブチルエステル基であることが特に好ましい。

本発明の一般式（１）におけるＲ_３〜Ｒ_７はそれぞれ独立して水素、炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、炭素数３〜６の環状アルキル基、ハロゲン、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ニトロ基、シアノ基、アルコキシ基（−ＯＸ_５）、エステル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ_６）、アミド基（−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｘ_７）（Ｘ_８））、アシル基（−Ｃ（＝Ｏ）Ｘ_９）、アミノ基（−Ｎ（Ｘ_１０）（Ｘ_１１））、またはスルホニル基（−ＳＯＯＸ_１２）（ここで、Ｘ_５〜Ｘ_８は、それぞれ独立して炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、または炭素数３〜６の環状アルキル基を示し、Ｘ_９〜Ｘ_１２はそれぞれ独立して、水素、炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、または炭素数３〜６の環状アルキル基を示す。）を示す。また、Ｒ_３〜Ｒ_７は隣接する置換基同士で縮合環構造を形成してもよい。

Ｒ_３〜Ｒ_７における炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等が挙げられ、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基としては、例えば、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられ、炭素数３〜６の環状アルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。

Ｒ_３〜Ｒ_７におけるハロゲンとしては、例えば、フッ素、塩素、臭素等が挙げられる。

Ｘ_５〜Ｘ_１２における炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等が挙げられ、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基としては、例えば、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられ、炭素数３〜６の環状アルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。

本発明の一般式（１）におけるＲ_３〜Ｒ_７としては、より高い位相差を発現することから、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソブチル基、シクロヘキシル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ホルミル基、シアノ基、ニトロ基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、メチルエステル基、エチルエステル基、ｎ―プロピルエステル基、イソプロピルエステル基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、ジｎ−プロピルアミド基、ジイソプロピルアミド基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジｎ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、スルホン酸基、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ｎ−プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基が好ましい。

具体的な一般式（１）で表される残基単位Ａとしては、例えば、α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−メチル−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−メチル−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−メチル−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−エチル−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−エチル−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−エチル−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−ｎ−プロピル−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−ｎ−プロピル−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−ｎ−プロピル−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−イソプロピル−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−イソプロピル−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−イソプロピル−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−フルオロ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−フルオロ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−フルオロ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−クロロ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−クロロ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−クロロ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−ブロモ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−ブロモ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−ブロモ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−シアノ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−シアノ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−シアノ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−ニトロ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−ニトロ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−ニトロ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−メトキシ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−メトキシ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−メトキシ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−エトキシ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−エトキシ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−エトキシ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、２−メチル−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、３−メチル−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、４−メチル−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、２−エチル−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、３−エチル−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、４−エチル−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、２−フルオロ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、３−フルオロ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、４−フルオロ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、２−クロロ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、３−クロロ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、４−クロロ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、２−ブロモ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、３−ブロモ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、４−ブロモ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、２−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、３−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、２−シアノ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、３−シアノ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、４−シアノ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、２−ニトロ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、３−ニトロ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、４−ニトロ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、２−メトキシ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、３−メトキシ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、４−メトキシ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、２−エトキシ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、３−エトキシ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、４−エトキシ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、２−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、３−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、４−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、２−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、３−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、４−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、２−メチル−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、３−メチル−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、４−メチル−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、２−エチル−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、３−エチル−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、４−エチル−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、２−フルオロ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、３−フルオロ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、４−フルオロ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、２−クロロ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、３−クロロ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、４−クロロ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、２−ブロモ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、３−ブロモ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、４−ブロモ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、２−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、３−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、２−シアノ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、３−シアノ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、４−シアノ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、２−ニトロ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、３−ニトロ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、４−ニトロ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、２−メトキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、３−メトキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、４−メトキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、２−エトキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、３−エトキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、４−エトキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、２−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、３−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、４−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、２−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、３−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、４−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、２−メチル−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、３−メチル−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、４−メチル−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、２−エチル−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、３−エチル−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、４−エチル−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、２−フルオロ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、３−フルオロ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、４−フルオロ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、２−クロロ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、３−クロロ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、４−クロロ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、２−ブロモ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、３−ブロモ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、４−ブロモ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、２−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、３−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、２−シアノ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、３−シアノ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、４−シアノ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、２−ニトロ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、３−ニトロ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、４−ニトロ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、２−メトキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、３−メトキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、４−メトキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、２−エトキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、３−エトキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、４−エトキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、２−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、３−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、４−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、２−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、３−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、４−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、２−メチル−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、３−メチル−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、４−メチル−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、２−エチル−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、３−エチル−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、４−エチル−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、２−フルオロ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、３−フルオロ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、４−フルオロ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、２−クロロ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、３−クロロ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、４−クロロ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、２−ブロモ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、３−ブロモ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、４−ブロモ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、２−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、３−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、２−シアノ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、３−シアノ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、４−シアノ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、２−ニトロ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、３−ニトロ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、４−ニトロ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、２−メトキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、３−メトキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、４−メトキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、２−エトキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、３−エトキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、４−エトキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、２−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、３−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、４−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、２−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、３−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、４−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、ベンザルマロノニトリル残基単位、２−メチルベンザルマロノニトリル残基単位、３−メチルベンザルマロノニトリル残基単位、４−メチルベンザルマロノニトリル残基単位、２−エチルベンザルマロノニトリル残基単位、３−エチルベンザルマロノニトリル残基単位、４−エチルベンザルマロノニトリル残基単位、２−フルオロベンザルマロノニトリル残基単位、３−フルオロベンザルマロノニトリル残基単位、４−フルオロベンザルマロノニトリル残基単位、２−クロロベンザルマロ
ノニトリル残基単位、３−クロロベンザルマロノニトリル残基単位、４−クロロベンザルマロノニトリル残基単位、２−ブロモベンザルマロノニトリル残基単位、３−ブロモベンザルマロノニトリル残基単位、４−ブロモベンザルマロノニトリル残基単位、２−ヒドロキシベンザルマロノニトリル残基単位、３−ヒドロキシベンザルマロノニトリル残基単位、４−ヒドロキシベンザルマロノニトリル残基単位、２−シアノベンザルマロノニトリル残基単位、３−シアノベンザルマロノニトリル残基単位、４−シアノベンザルマロノニトリル残基単位、２−ニトロベンザルマロノニトリル残基単位、３−ニトロベンザルマロノニトリル残基単位、４−ニトロベンザルマロノニトリル残基単位、２−メトキシベンザルマロノニトリル残基単位、３−メトキシベンザルマロノニトリル残基単位、４−メトキシベンザルマロノニトリル残基単位、２−エトキシベンザルマロノニトリル残基単位、３−エトキシベンザルマロノニトリル残基単位、４−エトキシベンザルマロノニトリル残基単位、２−ジメチルアミノベンザルマロノニトリル残基単位、３−ジメチルアミノベンザルマロノニトリル残基単位、４−ジメチルアミノベンザルマロノニトリル残基単位、２−ジエチルアミノベンザルマロノニトリル残基単位、３−ジエチルアミノベンザルマロノニトリル残基単位、４−ジエチルアミノベンザルマロノニトリル残基単位、シンナモニトリル残基単位、２−メチルシンナモニトリル残基単位、３−メチルシンナモニトリル残基単位、４−メチルシンナモニトリル残基単位、２−エチルシンナモニトリル残基単位、３−エチルシンナモニトリル残基単位、４−エチルシンナモニトリル残基単位、２−フルオロシンナモニトリル残基単位、３−フルオロシンナモニトリル残基単位、４−フルオロシンナモニトリル残基単位、２−クロロシンナモニトリル残基単位、３−クロロシンナモニトリル残基単位、４−クロロシンナモニトリル残基単位、２−ブロモシンナモニトリル残基単位、３−ブロモシンナモニトリル残基単位、４−ブロモシンナモニトリル残基単位、２−メトキシシンナモニトリル残基単位、３−メトキシシンナモニトリル残基単位、４−メトキシシンナモニトリル残基単位、２−エトキシシンナモニトリル残基単位、３−エトキシシンナモニトリル残基単位、４−エトキシシンナモニトリル残基単位、カルコン残基単位、２−メチルカルコン残基単位、３−メチルカルコン残基単位、４−メチルカルコン残基単位、２−エチルカルコン残基単位、３−エチルカルコン残基単位、４−エチルカルコン残基単位、２−メトキシカルコン残基単位、３−メトキシカルコン残基単位、４−メトキシカルコン残基単位、２−エトキシカルコン残基単位、３−エトキシカルコン残基単位、４−エトキシカルコン残基単位、ベンジリデンマロン酸ジメチル残基単位、ベンジリデンマロン酸ジエチル残基単位、ベンジリデンマロン酸ジｎ−プロピル残基単位、ベンジリデンマロン酸ジイソプロピル残基単位、Ｎ，Ｎ−ジメチルシンナムアミド残基単位、Ｎ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド残基単位、Ｎ，Ｎ−ジｎ−プロピルシンナムアミド残基単位、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルシンナムアミド残基単位等が挙げられる。

これらの中でも高い位相差を発現することから、α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位等のα−シアノケイ皮酸エステル残基単位；ベンザルマロノニトリル残基単位；ニトロベンザルマロノニトリル残基単位；シンナモニトリル残基単位；カルコン残基単位；２−メトキシカルコン残基単位、３−メトキシカルコン残基単位、４−メトキシカルコン残基単位、２−エトキシカルコン残基単位、３−エトキシカルコン残基単位、４−エトキシカルコン残基単位等のアルコキシカルコン残基単位；ベンジリデンマロン酸ジメチル残基単位、ベンジリデンマロン酸ジエチル残基単位、ベンジリデンマロン酸ジｎ−プロピル残基単位、ベンジリデンマロン酸ジイソプロピル残基単位等のベンジリデンマロン酸ジエステル残基単位；Ｎ，Ｎ−ジメチルシンナムアミド残基単位、Ｎ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド残基単位、Ｎ，Ｎ−ジｎ−プロピルシンナムアミド残基単位、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルシンナムアミド残基単位が好ましく、α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位等のα−シアノケイ皮酸エステル残基単位；ベンザルマロノニトリル残基単位がさらに好ましい。

本発明の一般式（２）におけるＲ_８はヘテロ原子を１つ以上含むｍ員環複素環残基またはヘテロ原子を含まない５員環残基を示し、ｍは５〜１０の整数を示す。前記ｍ員環複素環残基および前記５員環残基は他の環状構造と縮合環構造を形成してもよい。本発明の一般式（２）におけるＲ_８は、より高い位相差が発現することから、ヘテロ原子を１つ以上含む５員環複素環残基または６員環複素環残基であることが好ましく、窒素原子または酸素原子を１つ以上含む５員環複素環残基または６員環複素環残基であることがさらに好ましい。なお、本発明の一般式（２）におけるＲ_８に係るヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等が挙げられるものである。

具体的な一般式（２）で表される残基単位Ｂとしては、例えば、１−ビニルピロール残基単位、２−ビニルピロール残基単位、１−ビニルインドール残基単位、９−ビニルカルバゾール残基単位、２−ビニルキノリン残基単位、４−ビニルキノリン残基単位、１−ビニルイソキノリン残基単位、２−ビニルピリジン残基単位、３−ビニルピリジン残基単位、４−ビニルピリジン残基単位、１−ビニルイミダゾール残基単位、２−ビニルイミダゾール残基単位、４−ビニルイミダゾール残基単位、５−ビニル−２−ピラゾリン残基単位、２−ビニルピラジン残基単位、ビニル−ｓ−トリアジン残基単位、１０−ビニル−９−ヒドロアクリジン残基単位、１−ビニルテトラゾール残基単位、５−ビニルテトラゾール残基単位、Ｎ−ビニルピロリドン残基単位、Ｎ−ビニル−ε−カプロラクタム残基単位、Ｎ−ビニルスクシンイミド残基単位、Ｎ−ビニルフタルイミド残基単位、Ｎ−ビニルサッカリン残基単位、２−ビニルフラン残基単位、３−ビニルフラン残基単位、２-ビニルベンゾフラン残基単位、２−ビニルチオフェン残基単位、３−ビニルチオフェン残基単位、２−ビニルベンゾチオフェン残基単位、２−ビニルベンゾオキサゾール残基単位、Ｎ−ビニルオキサゾリドン残基単位、２−ビニルチアゾール残基単位、２−ビニルベンゾチアゾール残基単位等およびその置換基付加物等が挙げられる。

これらの中でも、高い位相差を発現することから、１−ビニルピロール残基単位、２−ビニルピロール残基単位、１−ビニルインドール残基単位、９−ビニルカルバゾール残基単位、２−ビニルキノリン残基単位、４−ビニルキノリン残基単位、Ｎ−ビニルフタルイミド残基単位、Ｎ−ビニルスクシンイミド残基単位、２−ビニルフラン残基単位、２-ビニルベンゾフラン残基単位が好ましく、９−ビニルカルバゾール残基単位、Ｎ−ビニルフタルイミド残基単位がさらに好ましい。

本発明の共重合体は、一般式（１）で表される残基単位Ａおよび一般式（２）で表される残基単位Ｂを含む限り特に制限はないが、薄膜とした際に位相差に優れるフィルムがより容易に得られることから、α−シアノケイ皮酸メチル−１−ビニルピロール共重合体、α−シアノケイ皮酸メチル−２−ビニルピロール共重合体、α−シアノケイ皮酸メチル−１−ビニルインドール共重合体、α−シアノケイ皮酸メチル−９−ビニルカルバゾール共重合体、α−シアノケイ皮酸メチル−２−ビニルキノリン共重合体、α−シアノケイ皮酸メチル−４−ビニルキノリン共重合体、α−シアノケイ皮酸メチル−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、α−シアノケイ皮酸メチル−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、α−シアノケイ皮酸メチル−２−ビニルフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸メチル−２-ビニルベンゾフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸エチル−１−ビニルピロール共重合体、α−シアノケイ皮酸エチル−２−ビニルピロール共重合体、α−シアノケイ皮酸エチル−１−ビニルインドール共重合体、α−シアノケイ皮酸エチル−９−ビニルカルバゾール共重合体、α−シアノケイ皮酸エチル−２−ビニルキノリン共重合体、α−シアノケイ皮酸エチル−４−ビニルキノリン共重合体、α−シアノケイ皮酸エチル−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、α−シアノケイ皮酸エチル−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、α−シアノケイ皮酸エチル−２−ビニルフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸エチル−２-ビニルベンゾフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル−１−ビニルピロール共重合体、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル−２−ビニルピロール共重合体、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル−１−ビニルインドール共重合体、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル−９−ビニルカルバゾール共重合体、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル−２−ビニルキノリン共重合体、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル−４−ビニルキノリン共重合体、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル−２−ビニルフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル−２-ビニルベンゾフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸イソプロピル−１−ビニルピロール共重合体、α−シアノケイ皮酸イソプロピル−２−ビニルピロール共重合体、α−シアノケイ皮酸イソプロピル−１−ビニルインドール共重合体、α−シアノケイ皮酸イソプロピル−９−ビニルカルバゾール共重合体、α−シアノケイ皮酸イソプロピル−２−ビニルキノリン共重合体、α−シアノケイ皮酸イソプロピル−４−ビニルキノリン共重合体、α−シアノケイ皮酸イソプロピル−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、α−シアノケイ皮酸イソプロピル−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、α−シアノケイ皮酸イソプロピル−２−ビニルフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸イソプロピル−２-ビニルベンゾフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸イソブチル−１−ビニルピロール共重合体、α−シアノケイ皮酸イソブチル−２−ビニルピロール共重合体、α−シアノケイ皮酸イソブチル−１−ビニルインドール共重合体、α−シアノケイ皮酸イソブチル−９−ビニルカルバゾール共重合体、α−シアノケイ皮酸イソブチル−２−ビニルキノリン共重合体、α−シアノケイ皮酸イソブチル−４−ビニルキノリン共重合体、α−シアノケイ皮酸イソブチル−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、α−シアノケイ皮酸イソブチル−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、α−シアノケイ皮酸イソブチル−２−ビニルフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸イソブチル−２-ビニルベンゾフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸メチル−１−ビニルピロール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸メチル−２−ビニルピロール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸メチル−１−ビニルインドール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸メチル−９−ビニルカルバゾール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸メチル−２−ビニルキノリン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸メチル−４−ビニルキノリン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸メチル−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸メチル−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸メチル−２−ビニルフラン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸メチル−２-ビニルベンゾフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸エチル１−ビニルピロール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル２−ビニルピロール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル１−ビニルインドール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル９−ビニルカルバゾール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル２−ビニルキノリン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル４−ビニルキノリン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチルＮ−ビニルフタルイミド共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチルＮ−ビニルスクシンイミド共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル２−ビニルフラン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル２-ビニルベンゾフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル１−ビニルピロール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル２−ビニルピロール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル１−ビニルインドール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル９−ビニルカルバゾール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル２−ビニルキノリン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル４−ビニルキノリン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピルＮ−ビニルフタルイミド共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピルＮ−ビニルスクシンイミド共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル２−ビニルフラン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル２-ビニルベンゾフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸イソプロピル１−ビニルピロール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル２−ビニルピロール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル１−ビニルインドール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル９−ビニルカルバゾール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル２−ビニルキノリン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル４−ビニルキノリン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピルＮ−ビニルフタルイミド共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピルＮ−ビニルスクシンイミド共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル２−ビニルフラン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル２-ビニルベンゾフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸イソブチル−１−ビニルピロール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル−２−ビニルピロール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル−１−ビニルインドール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル−９−ビニルカルバゾール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル−２−ビニルキノリン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル−４−ビニルキノリン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル−２−ビニルフラン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル−２-ビニルベンゾフラン共重合体、ベンザルマロノニトリル−１−ビニルピロール共重合体、ベンザルマロノニトリル−２−ビニルピロール共重合体、ベンザルマロノニトリル−１−ビニルインドール共重合体、ベンザルマロノニトリル−９−ビニルカルバゾール共重合体、ベンザルマロノニトリル−２−ビニルキノリン共重合体、ベンザルマロノニトリル−４−ビニルキノリン共重合体、ベンザルマロノニトリル−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、ベンザルマロノニトリル−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、ベンザルマロノニトリル−２−ビニルフラン共重合体、ベンザルマロノニトリル−２-ビニルベンゾフラン共重合体、４−ニトロベンザルマロノニトリル−１−ビニルピロール共重合体、４−ニトロベンザルマロノニトリル−２−ビニルピロール共重合体、４−ニトロベンザルマロノニトリル−１−ビニルインドール共重合体、４−ニトロベンザルマロノニトリル−９−ビニルカルバゾール共重合体、４−ニトロベンザルマロノニトリル−２−ビニルキノリン共重合体、４−ニトロベンザルマロノニトリル−４−ビニルキノリン共重合体、４−ニトロベンザルマロノニトリル−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、４−ニトロベンザルマロノニトリル−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、４−ニトロベンザルマロノニトリル−２−ビニルフラン共重合体、４−ニトロベンザルマロノニトリル−２-ビニルベンゾフラン共重合体、シンナモニトリル−１−ビニルピロール共重合体、シンナモニトリル−２−ビニルピロール共重合体、シンナモニトリル−１−ビニルインドール共重合体、シンナモニトリル−９−ビニルカルバゾール共重合体、シンナモニトリル−２−ビニルキノリン共重合体、シンナモニトリル−４−ビニルキノリン共重合体、シンナモニトリル−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、シンナモニトリル−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、シンナモニトリル−２−ビニルフラン共重合体、シンナモニトリル−２-ビニルベンゾフラン共重合体、カルコン−１−ビニルピロール共重合体、カルコン−２−ビニルピロール共重合体、カルコン−１−ビニルインドール共重合体、カルコン−９−ビニルカルバゾール共重合体、カルコン−２−ビニルキノリン共重合体、カルコン−４−ビニルキノリン共重合体、カルコン−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、カルコン−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、カルコン−２−ビニルフラン共重合体、カルコン−２-ビニルベンゾフラン共重合体、４−メトキシカルコン−１−ビニルピロール共重合体、４−メトキシカルコン−２−ビニルピロール共重合体、４−メトキシカルコン−１−ビニルインドール共重合体、４−メトキシカルコン−９−ビニルカルバゾール共重合体、４−メトキシカルコン−２−ビニルキノリン共重合体、４−メトキシカルコン−４−ビニルキノリン共重合体、４−メトキシカルコン−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、４−メトキシカルコン−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、４−メトキシカルコン−２−ビニルフラン共重合体、４−メトキシカルコン−２-ビニルベンゾフラン共重合体、４−エトキシカルコン−１−ビニルピロール共重合体、４−エトキシカルコン−２−ビニルピロール共重合体、４−エトキシカルコン−１−ビニルインドール共重合体、４−エトキシカルコン−９−ビニルカルバゾール共重合体、４−エトキシカルコン−２−ビニルキノリン共重合体、４−エトキシカルコン−４−ビニルキノリン共重合体、４−エトキシカルコン−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、４−エトキシカルコン−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、４−エトキシカルコン−２−ビニルフラン共重合体、４−エトキシカルコン−２-ビニルベンゾフラン共重合体、ベンジリデンマロン酸ジメチル−１−ビニルピロール共重合体、ベンジリデンマロン酸ジメチル−２−ビニルピロール共重合体、ベンジリデンマロン酸ジメチル−１−ビニルインドール共重合体、ベンジリデンマロン酸ジメチル−９−ビニルカルバゾール共重合体、ベンジリデンマロン酸ジメチル−２−ビニルキノリン共重合体、ベンジリデンマロン酸ジメチル−４−ビニルキノリン共重合体、ベンジリデンマロン酸ジメチル−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、ベンジリ
デンマロン酸ジメチル−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、ベンジリデンマロン酸ジメチル−２−ビニルフラン共重合体、ベンジリデンマロン酸ジメチル−２-ビニルベンゾフラン共重合体、ベンジリデンマロン酸ジエチル−１−ビニルピロール共重合体、ベンジリデンマロン酸ジエチル−２−ビニルピロール共重合体、ベンジリデンマロン酸ジエチル−１−ビニルインドール共重合体、ベンジリデンマロン酸ジエチル−９−ビニルカルバゾール共重合体、ベンジリデンマロン酸ジエチル−２−ビニルキノリン共重合体、ベンジリデンマロン酸ジエチル−４−ビニルキノリン共重合体、ベンジリデンマロン酸ジエチル−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、ベンジリデンマロン酸ジエチル−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、ベンジリデンマロン酸ジエチル−２−ビニルフラン共重合体、ベンジリデンマロン酸ジエチル−２-ビニルベンゾフラン共重合体、Ｎ，Ｎ−ジメチルシンナムアミド−１−ビニルピロール共重合体、Ｎ，Ｎ−ジメチルシンナムアミド−２−ビニルピロール共重合体、Ｎ，Ｎ−ジメチルシンナムアミド−１−ビニルインドール共重合体、Ｎ，Ｎ−ジメチルシンナムアミド−９−ビニルカルバゾール共重合体、Ｎ，Ｎ−ジメチルシンナムアミド−２−ビニルキノリン共重合体、Ｎ，Ｎ−ジメチルシンナムアミド−４−ビニルキノリン共重合体、Ｎ，Ｎ−ジメチルシンナムアミド−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、Ｎ，Ｎ−ジメチルシンナムアミド−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、Ｎ，Ｎ−ジメチルシンナムアミド−２−ビニルフラン共重合体、Ｎ，Ｎ−ジメチルシンナムアミド−２-ビニルベンゾフラン共重合体、Ｎ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド−１−ビニルピロール共重合体、Ｎ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド−２−ビニルピロール共重合体、Ｎ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド−１−ビニルインドール共重合体、Ｎ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド−９−ビニルカルバゾール共重合体、Ｎ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド−２−ビニルキノリン共重合体、Ｎ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド−４−ビニルキノリン共重合体、Ｎ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、Ｎ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、Ｎ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド−２−ビニルフラン共重合体、Ｎ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド−２-ビニルベンゾフラン共重合体が好ましい。

本発明の共重合体は、本発明の範囲を超えない限り、他の単量体残基単位を含有していてもよく、他の単量体残基単位としては、例えば、スチレン残基単位、α−メチルスチレン残基単位等のスチレン類残基単位；（メタ）アクリル酸残基単位；（メタ）アクリル酸メチル残基単位、（メタ）アクリル酸エチル残基単位、（メタ）アクリル酸ブチル残基単位等の（メタ）アクリル酸エステル残基単位；酢酸ビニル残基単位、プロピオン酸ビニル残基単位等のビニルエステル類残基単位；アクリロニトリル残基単位；メタクリロニトリル残基単位；メチルビニルエーテル残基単位、エチルビニルエーテル残基単位、ブチルビニルエーテル残基単位等のビニルエーテル類残基単位；フマル酸ジエチル残基単位、フマル酸エステル残基単位;Ｎ−メチルマレイミド残基単位、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド残基単位、Ｎ−フェニルマレイミド残基単位等のＮ−置換マレイミド類残基単位；エチレン残基単位、プロピレン残基単位等のオレフィン類残基単位等より選ばれる１種または２種以上を挙げることができる。

本発明の共重合体の組成は、位相差フィルムとしたときの位相差特性が優れたものとなることから、一般式（１）で表される残基単位Ａと一般式（２）で表される残基単位Ｂとのモル比Ａ／Ｂが０．０５〜６であることが好ましく、０．１〜３であることがさらに好ましく、０．１８〜２であることが特に好ましく、０．２５〜１であることが最も好ましい。

本発明の共重合体は、機械特性に優れたものとなることから、ゲル・パーミエイション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定した溶出曲線より得られる標準ポリスチレン換算の数平均分子量が３，０００〜５００，０００であることが好ましく、５，０００〜４００，０００であることがさらに好ましく、１０，０００〜３００，０００であることが特に好ましい。

本発明の共重合体の製造方法としては、一般式（１）で表される残基単位Ａおよび一般式（２）で表される残基単位Ｂを含む共重合体が得られる限りにおいて如何なる方法により製造してもよく、例えば、ラジカル重合を行うことにより製造することができる。

前記ラジカル重合としては公知の重合方法を採用でき、例えば、塊状重合法、溶液重合法、懸濁重合法、沈殿重合法、乳化重合法のいずれも採用可能である。

ラジカル重合を行う際の重合開始剤としては、例えば、ベンゾイルパーオキサイド、ラウリルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン等の有機過酸化物；２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アゾビス（２−ブチロニトリル）、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、ジメチル−２’−アゾビスイソブチレート、１，１’−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）等のアゾ系開始剤等が挙げられる。

そして、溶液重合法、懸濁重合法、沈殿重合法、乳化重合法を採用する場合において使用可能な溶媒として特に制限はなく、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族溶媒；メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール系溶媒；シクロヘキサン；ジオキサン；テトラヒドロフラン；アセトン；メチルエチルケトン；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド；ジメチルスルホキシド；酢酸イソプロピル；水等が挙げられ、これらの混合溶媒も挙げられる。

また、ラジカル重合を行う際の重合温度は、重合開始剤の分解温度に応じて適宜設定することができ、反応の制御が容易であることから、一般的には３０〜１５０℃の範囲で行うことが好ましい。

本発明の共重合体は、該共重合体を含んでなる光学フィルムとして用いることができる。

本発明の共重合体を光学フィルムとして用いる場合、画質の特性が良好なものとなることから、光線透過率が８０％以上であることが好ましく、８５％以上であることがさらに好ましい。

本発明の共重合体を光学フィルムとして用いる場合、画質の特性が良好なものとなることから、フィルムのヘーズ（曇り度）が２％以下であることが好ましく、１％以下であることがさらに好ましい。

本発明の共重合体を光学フィルムとして用いる場合、位相差特性に優れるものとなることから、位相差フィルムとすることが好ましい。

一般に液晶ディスプレイ等の位相差フィルムとして用いるとき、長期間にわたって位相差特性が変化しないことが求められる。本発明の共重合体を用いた位相差フィルムは、長期間にわたって位相差特性が変化しないことを特徴とする。すなわち、位相差安定性に優れており、高画質を維持できることから、液晶ディスプレイ等の位相差フィルムとして好適に用いることができるものである。

本発明の共重合体を用いた位相差フィルムは、未延伸でも位相差を発現することから、フィルム面内の進相軸方向の屈折率をｎｘ、それと直交するフィルム面内方向の屈折率をｎｙ、フィルムの厚み方向の屈折率をｎｚとした場合のそれぞれの関係がｎｘ≦ｎｙ＜ｎｚである位相差フィルムとして好適に用いられる。

本発明の共重合体を用いた位相差フィルムとしては、該共重合体のみを用いることもでき、他の重合体と混合した組成物を用いることもできる。このとき、混合する他の重合体としては、負の複屈折性を有する重合体であっても、正の複屈折性を有する重合体であっても良い。

本発明の共重合体を負の複屈折性を有する位相差フィルムとして用いる場合、薄膜化が可能になることから、膜厚と次の式（ａ）にて示される波長５５０ｎｍで測定した面外位相差（Ｒｔｈ）の絶対値と膜厚の比が、６．５ｎｍ／フィルム膜厚（μｍ）以上が好ましく、８ｎｍ／フィルム膜厚（μｍ）以上がさらに好ましく、１０ｎｍ／フィルム膜厚（μｍ）以上が特に好ましい。

Ｒｔｈ＝（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄ （ａ）
（ここで、ｄはフィルムの厚みを示す。）
本発明の光学フィルムの製造方法としては、特に制限はなく、例えば、溶液キャスト法、溶融キャスト法等の方法が挙げられる。

溶液キャスト法は、共重合体を溶媒に溶解した溶液（以下、ドープと称する。）を支持基板上に流延した後、加熱等により溶媒を除去してフィルムを得る方法である。その際ドープを支持基板上に流延する方法としては、例えば、Ｔダイ法、スピンコーター法、ドクターブレード法、バーコーター法、ロールコーター法、リップコーター法等が用いられる。特に、工業的にはダイからドープをベルト状またはドラム状の支持基板に連続的に押し出す方法が最も一般的である。用いられる支持基板としては、例えば、ガラス基板、ステンレスやフェロタイプ等の金属基板、ポリエチレンテレフタレート等のフィルム等がある。溶液キャスト法において、高い透明性を有し、かつ厚み精度、表面平滑性に優れたフィルムを製膜する際には、ドープの溶液粘度は極めて重要な因子であり、１０〜２０，０００ｃＰｓが好ましく、１００〜１０，０００ｃＰｓであることがさらに好ましい。

この際の共重合体の塗布厚は、フィルムの取り扱いが容易であることから、乾燥後１〜２００μｍが好ましく、さらに好ましくは２〜１００μｍ、特に好ましくは３〜５０μｍである。

また、溶融キャスト法は、共重合体を押出機内で溶融し、Ｔダイのスリットからフィルム状に押出した後、ロールやエアー等で冷却しつつ引き取る成形法である。

本発明の共重合体を用いた位相差フィルムは、基材のガラス基板や他の光学フィルムから剥離して用いることが可能であり、基材のガラス基板や他の光学フィルムとの積層体としても用いることができる。また、本発明の共重合体を用いた位相差フィルムは、フィルム成形後に延伸して用いてもよい。

本発明の共重合体を用いた位相差フィルムは、偏光板と積層して円または楕円偏光板として用いることが可能であり、ポリビニルアルコール／ヨウ素等を含む偏光子と積層して偏光板とすることも可能である。さらに、本発明の共重合体を用いた位相差フィルム同士または他の位相差フィルムと積層することもできる。

本発明の共重合体を用いた位相差フィルムは、フィルム成形時または位相差フィルム自体の熱安定性を高めるために酸化防止剤が配合されていることが好ましい。該酸化防止剤としては、例えば、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、その他酸化防止剤が挙げられ、これら酸化防止剤はそれぞれ単独又は併用して用いても良い。そして、相乗的に酸化防止作用が向上することからヒンダード系酸化防止剤とリン系酸化防止剤を併用して用いることが好ましく、その際には例えば、ヒンダード系酸化防止剤１００重量部に対して、リン系酸化防止剤を１００〜５００重量部で混合して使用することがさらに好ましい。また、酸化防止剤の添加量としては、本発明の共重合体を用いた位相差フィルムを構成する共重合体１００重量部に対して酸化防止作用に優れることから、０．０１〜１０重量部が好ましく、０．５〜１重量部がさらに好ましい。

また、紫外線吸収剤として、例えば、ベンゾトリアゾール、ベンゾフェノン、トリアジン、ベンゾエート等の紫外線吸収剤を必要に応じて配合してもよい。

本発明の共重合体を用いた位相差フィルムは、発明の主旨を超えない範囲で、その他高分子、界面活性剤、高分子電解質、導電性錯体、無機フィラー、顔料、帯電防止剤、アンチブロッキング剤、滑剤等を配合してもよい。

本発明によると、液晶ディスプレイのコントラストや視野角特性の補償フィルム、有機ＥＬディスプレイの円偏光板用の位相差フィルムや反射防止フィルムに有用となるフィルムの厚み方向の屈折率が大きい光学特性に優れた位相差フィルムに適した共重合体を提供することができる。

以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

なお、実施例により示す諸物性は、以下の方法により測定した。

＜共重合体の組成＞
核磁気共鳴測定装置（日本電子製、商品名ＪＮＭ−ＥＣＺ４００Ｓ／Ｌ１）を用い、プロトン核磁気共鳴分光（^１Ｈ−ＮＭＲ）スペクトル分析より求めた。また、^１Ｈ−ＮＭＲスペクトル分析により求めることが困難であるものについては、ＣＨＮ元素分析により求めた。

＜数平均分子量の測定＞
ゲル・パーミエイション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）装置（東ソー製、商品名ＨＬＣ８３２０ＧＰＣ（カラムＧＭＨＨＲ―Ｈを装着））を用い、テトラヒドロフランまたはＮ，Ｎ―ジメチルホルムアミドを溶媒として、４０℃で測定し、標準ポリスチレン換算値として求めた。

＜透明性の評価方法＞
ヘーズメーター（日本電色工業製、商品名ＮＤＨ５０００）を使用して、フィルムの全光線透過率およびヘーズを測定した。

＜屈折率の測定＞
アッベ屈折率計（アタゴ製）を用い、ＪＩＳ Ｋ ７１４２（１９８１年版）に準拠して測定した。

＜フィルムの位相差および三次元屈折率の測定＞
全自動複屈折計（王子計測機器製、商品名ＫＯＢＲＡ−ＷＰＲ）を用いて測定した。

実施例１（シンナモニトリル／１−ビニルインドール共重合体の合成）
容量５０ｍＬのガラスアンプルにシンナモニトリル５．０ｇ（０．０３９モル）、１−ビニルインドール５．６ｇ（０．０３９モル）および重合開始剤である２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン０．２８ｇ（０．０００６５モル）を入れ、窒素置換と抜圧を繰り返したのち減圧状態で熔封した。このアンプルを６２℃の恒温槽に入れ、４８時間保持することによりラジカル重合を行った。重合反応終了後、アンプルから重合物を取り出し、テトラヒドロフラン２５ｇで溶解させた。このポリマー溶液を５００ｍＬのメタノール中に滴下して析出させた後、６０℃で１０時間真空乾燥することにより、シンナモニトリル／１−ビニルインドール共重合体５．１ｇを得た（収率：４８％）。

得られたシンナモニトリル／１−ビニルインドール共重合体の数平均分子量は１４，０００であった。

また、^１Ｈ−ＮＭＲ測定により、共重合体組成はシンナモニトリル残基単位／１−ビニルインドール残基単位＝３４／６６（モル％）（残基単位Ａ／残基単位Ｂ＝０．５２）であることを確認した。

実施例２（シンナモニトリル／９−ビニルカルバゾール共重合体の合成）
容量５０ｍＬのガラスアンプルにシンナモニトリル５．０ｇ（０．０３９モル）、９−ビニルカルバゾール７．５ｇ（０．０３９モル）および重合開始剤である２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン０．２８ｇ（０．０００６５モル）を入れ、窒素置換と抜圧を繰り返したのち減圧状態で熔封した。このアンプルを６２℃の恒温槽に入れ、４８時間保持することによりラジカル重合を行った。重合反応終了後、アンプルから重合物を取り出し、テトラヒドロフラン２５ｇで溶解させた。このポリマー溶液を５００ｍＬのメタノール中に滴下して析出させた後、６０℃で１０時間真空乾燥することにより、シンナモニトリル／９−ビニルカルバゾール共重合体８．０ｇを得た（収率：６４％）。

得られたシンナモニトリル／９−ビニルカルバゾール共重合体の数平均分子量は２５，０００であった。

また、^１Ｈ−ＮＭＲ測定により、共重合体組成はシンナモニトリル残基単位／９−ビニルカルバゾール残基単位＝３８／６２（モル％）（残基単位Ａ／残基単位Ｂ＝０．６１）であることを確認した。

実施例３（α−シアノケイ皮酸メチル／９−ビニルカルバゾール共重合体の合成）
容量５０ｍＬのガラスアンプルにα−シアノケイ皮酸メチル５．０ｇ（０．０２７モル）、９−ビニルカルバゾール５．２ｇ（０．０２７モル）、重合開始剤である２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン０．１９ｇ（０．０００４４モル）およびトルエン１．０ｇを入れ、窒素置換と抜圧を繰り返したのち減圧状態で熔封した。このアンプルを６２℃の恒温槽に入れ、２４時間保持することによりラジカル重合を行った。重合反応終了後、アンプルから重合物を取り出し、テトラヒドロフラン２５ｇで溶解させた。このポリマー溶液を５００ｍＬのメタノール中に滴下して析出させた後、６０℃で１０時間真空乾燥することにより、α−シアノケイ皮酸メチル／９−ビニルカルバゾール共重合体６．９ｇを得た（収率：６８％）。

得られたα−シアノケイ皮酸メチル／９−ビニルカルバゾール共重合体の数平均分子量は３３，０００であった。

また、^１Ｈ−ＮＭＲ測定により、共重合体組成はα−シアノケイ皮酸メチル残基単位／９−ビニルカルバゾール残基単位＝２９／７１（モル％）（残基単位Ａ／残基単位Ｂ＝０．４１）であることを確認した。

実施例４（α−シアノケイ皮酸メチル／Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体の合成）
容量５０ｍＬのガラスアンプルにα−シアノケイ皮酸メチル５．０ｇ（０．０２７モル）、Ｎ−ビニルスクシンイミド３．４ｇ（０．０２７モル）および重合開始剤である２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン０．１９ｇ（０．０００４４モル）を入れ、窒素置換と抜圧を繰り返したのち減圧状態で熔封した。このアンプルを６２℃の恒温槽に入れ、４８時間保持することによりラジカル重合を行った。重合反応終了後、アンプルから重合物を取り出し、Ｎ，Ｎ―ジメチルホルムアミド２５ｇで溶解させた。このポリマー溶液を５００ｍＬのメタノール中に滴下して析出させた後、６０℃で１０時間真空乾燥することにより、α−シアノケイ皮酸メチル／Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体４．５ｇを得た（収率：５４％）。

得られたα−シアノケイ皮酸メチル／Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体の数平均分子量は２１，０００であった。

また、^１Ｈ−ＮＭＲ測定により、共重合体組成はα−シアノケイ皮酸メチル残基単位／Ｎ−ビニルスクシンイミド残基単位＝４２／５８（モル％）（残基単位Ａ／残基単位Ｂ＝０．７２）であることを確認した。

実施例５（α−シアノケイ皮酸エチル／Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体の合成）
容量５０ｍＬのガラスアンプルにα−シアノケイ皮酸エチル５．０ｇ（０．０２５モル）、Ｎ−ビニルフタルイミド４．３ｇ（０．０２５モル）、重合開始剤である２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン０．１８ｇ（０．０００４２モル）およびトルエン１．０ｇを入れ、窒素置換と抜圧を繰り返したのち減圧状態で熔封した。このアンプルを６２℃の恒温槽に入れ、２時間保持することによりラジカル重合を行った。重合反応終了後、アンプルから重合物を取り出し、Ｎ，Ｎ―ジメチルホルムアミド２５ｇで溶解させた。このポリマー溶液を５００ｍＬのメタノール中に滴下して析出させた後、６０℃で１０時間真空乾燥することにより、α−シアノケイ皮酸エチル／Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体６．７ｇを得た（収率：７２％）。

得られたα−シアノケイ皮酸エチル／Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体の数平均分子量は２５，０００であった。

また、^１Ｈ−ＮＭＲ測定により、共重合体組成はα−シアノケイ皮酸エチル残基単位／Ｎ−ビニルフタルイミド残基単位＝４４／５６（モル％）（残基単位Ａ／残基単位Ｂ＝０．７９）であることを確認した。

実施例６（α−シアノケイ皮酸エチル／２−ビニルベンゾフラン共重合体の合成）
容量５０ｍＬのガラスアンプルにα−シアノケイ皮酸エチル５．０ｇ（０．０２５モル）、２−ビニルベンゾフラン３．６ｇ（０．０２５モル）および重合開始剤である２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン０．１８ｇ（０．０００４２モル）を入れ、窒素置換と抜圧を繰り返したのち減圧状態で熔封した。このアンプルを６２℃の恒温槽に入れ、４８時間保持することによりラジカル重合を行った。重合反応終了後、アンプルから重合物を取り出し、テトラヒドロフラン２５ｇで溶解させた。このポリマー溶液を５００ｍＬのメタノール中に滴下して析出させた後、６０℃で１０時間真空乾燥することにより、α−シアノケイ皮酸エチル／２−ビニルベンゾフラン共重合体３．９ｇを得た（収率：４５％）。

得られたα−シアノケイ皮酸エチル／２−ビニルベンゾフラン共重合体の数平均分子量は１７，０００であった。

また、^１Ｈ−ＮＭＲ測定により、共重合体組成はα−シアノケイ皮酸エチル残基単位／２−ビニルベンゾフラン残基単位＝３２／６８（モル％）（残基単位Ａ／残基単位Ｂ＝０．４７）であることを確認した。

実施例７（α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル／２−ビニルキノリン共重合体の合成）
容量５０ｍＬのガラスアンプルにα−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル５．０ｇ（０．０２３モル）、２−ビニルキノリン３．６ｇ（０．０２３モル）および重合開始剤である２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン０．１７ｇ（０．０００３９モル）を入れ、窒素置換と抜圧を繰り返したのち減圧状態で熔封した。このアンプルを６２℃の恒温槽に入れ、４８時間保持することによりラジカル重合を行った。重合反応終了後、アンプルから重合物を取り出し、テトラヒドロフラン２５ｇで溶解させた。このポリマー溶液を５００ｍＬのｎ−ヘキサン中に滴下して析出させた後、６０℃で１０時間真空乾燥することにより、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル／２−ビニルキノリン共重合体４．２ｇを得た（収率：４９％）。

得られたα−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル／２−ビニルキノリン共重合体の数平均分子量は２１，０００であった。

また、^１Ｈ−ＮＭＲ測定により、共重合体組成はα−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位／２−ビニルキノリン残基単位＝３０／７０（モル％）（残基単位Ａ／残基単位Ｂ＝０．４３）であることを確認した。

実施例８（ベンザルマロノニトリル／Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体の合成）
容量５０ｍＬのガラスアンプルにベンザルマロノニトリル５．０ｇ（０．０３２モル）、Ｎ−ビニルフタルイミド５．５ｇ（０．０３２モル）、重合開始剤である２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン０．２３ｇ（０．０００５３モル）およびトルエン１．０ｇを入れ、窒素置換と抜圧を繰り返したのち減圧状態で熔封した。このアンプルを６２℃の恒温槽に入れ、２４時間保持することによりラジカル重合を行った。重合反応終了後、アンプルから重合物を取り出し、Ｎ，Ｎ―ジメチルホルムアミド２５ｇで溶解させた。このポリマー溶液を５００ｍＬのメタノール中に滴下して析出させた後、６０℃で１０時間真空乾燥することにより、ベンザルマロノニトリル／Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体７．６ｇを得た（収率：７２％）。

得られたベンザルマロノニトリル／Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体の数平均分子量は２４，０００であった。

また、^１Ｈ−ＮＭＲ測定により、共重合体組成はベンザルマロノニトリル残基単位／Ｎ−ビニルフタルイミド残基単位＝３２／６８（モル％）（残基単位Ａ／残基単位Ｂ＝０．４７）であることを確認した。

実施例９（ベンザルマロノニトリル／９−ビニルカルバゾール共重合体の合成）
容量５０ｍＬのガラスアンプルにベンザルマロノニトリル５．０ｇ（０．０３２モル）、９−ビニルカルバゾール６．２ｇ（０．０３２モル）、重合開始剤である２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン０．２３ｇ（０．０００５３モル）およびトルエン１．２ｇを入れ、窒素置換と抜圧を繰り返したのち減圧状態で熔封した。このアンプルを６２℃の恒温槽に入れ、６時間保持することによりラジカル重合を行った。重合反応終了後、アンプルから重合物を取り出し、テトラヒドロフラン２５ｇで溶解させた。このポリマー溶液を５００ｍＬのメタノール中に滴下して析出させた後、６０℃で１０時間真空乾燥することにより、ベンザルマロノニトリル／９−ビニルカルバゾール共重合体５．９ｇを得た（収率：５３％）。

得られたベンザルマロノニトリル／９−ビニルカルバゾール共重合体の数平均分子量は９０，０００であった。

また、ＣＨＮ元素分析により、共重合体組成はベンザルマロノニトリル残基単位／９−ビニルカルバゾール残基単位＝４３／５７（モル％）（残基単位Ａ／残基単位Ｂ＝０．７５）であることを確認した。

実施例１０（４−ニトロベンザルマロノニトリル／２−ビニルベンゾフラン共重合体の合成）
容量５０ｍＬのガラスアンプルに４−ニトロベンザルマロノニトリル５．０ｇ（０．０２５モル）、２−ビニルベンゾフラン３．６ｇ（０．０２５モル）、重合開始剤である２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン０．１８ｇ（０．０００４２モル）およびＮ，Ｎ―ジメチルホルムアミド５．０ｇを入れ、窒素置換と抜圧を繰り返したのち減圧状態で熔封した。このアンプルを６２℃の恒温槽に入れ、４８時間保持することによりラジカル重合を行った。重合反応終了後、アンプルから重合物を取り出し、テトラヒドロフラン２５ｇで溶解させた。このポリマー溶液を５００ｍＬのメタノール中に滴下して析出させた後、６０℃で１０時間真空乾燥することにより、４−ニトロベンザルマロノニトリル／２−ビニルベンゾフラン共重合体３．９ｇを得た（収率：４５％）。

得られた４−ニトロベンザルマロノニトリル／２−ビニルベンゾフラン共重合体の数平均分子量は２６，０００であった。

また、^１Ｈ−ＮＭＲ測定により、共重合体組成は４−ニトロベンザルマロノニトリル残基単位／２−ビニルベンゾフラン残基単位＝３３／６７（モル％）（残基単位Ａ／残基単位Ｂ＝０．４９）であることを確認した。

実施例１１（Ｎ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド／２−ビニルフラン共重合体の合成）
容量５０ｍＬのガラスアンプルにＮ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド５．０ｇ（０．０２５モル）、２−ビニルフラン２．４ｇ（０．０２５モル）および重合開始剤である２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン０．１８ｇ（０．０００４２モル）を入れ、窒素置換と抜圧を繰り返したのち減圧状態で熔封した。このアンプルを６２℃の恒温槽に入れ、４８時間保持することによりラジカル重合を行った。重合反応終了後、アンプルから重合物を取り出し、テトラヒドロフラン２５ｇで溶解させた。このポリマー溶液を５００ｍＬのメタノール中に滴下して析出させた後、６０℃で１０時間真空乾燥することにより、Ｎ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド／２−ビニルフラン共重合体３．７ｇを得た（収率：５０％）。

得られたＮ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド／２−ビニルフラン共重合体の数平均分子量は８，０００であった。

また、^１Ｈ−ＮＭＲ測定により、共重合体組成はＮ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド残基単位／２−ビニルフラン残基単位＝３１／６９（モル％）（残基単位Ａ／残基単位Ｂ＝０．４５）であることを確認した。

実施例１２（カルコン／２−ビニルキノリン共重合体の合成）
容量５０ｍＬのガラスアンプルにカルコン５．０ｇ（０．０２４モル）、２−ビニルキノリン３．７ｇ（０．０２４モル）および重合開始剤である２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン０．１７ｇ（０．０００３９モル）を入れ、窒素置換と抜圧を繰り返したのち減圧状態で熔封した。このアンプルを６２℃の恒温槽に入れ、４８時間保持することによりラジカル重合を行った。重合反応終了後、アンプルから重合物を取り出し、テトラヒドロフラン２５ｇで溶解させた。このポリマー溶液を５００ｍＬのｎ−ヘキサン中に滴下して析出させた後、６０℃で１０時間真空乾燥することにより、カルコン／２−ビニルキノリン共重合体４．１ｇを得た（収率：４７％）。

得られたカルコン／２−ビニルキノリン共重合体の数平均分子量は９，０００であった。

また、^１Ｈ−ＮＭＲ測定により、共重合体組成はカルコン残基単位／２−ビニルキノリン残基単位＝２９／７１（モル％）（残基単位Ａ／残基単位Ｂ＝０．４１）であることを確認した。

実施例１３（α−シアノケイ皮酸メチル／９−ビニルカルバゾール共重合体の合成）
容量５０ｍＬのガラスアンプルにα−シアノケイ皮酸メチル５．０ｇ（０．０２７モル）、９−ビニルカルバゾール５．２ｇ（０．０２７モル）、重合開始剤である２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン０．３９ｇ（０．０００９１モル）およびトルエン１．０ｇを入れ、窒素置換と抜圧を繰り返したのち減圧状態で熔封した。このアンプルを６２℃の恒温槽に入れ、２４時間保持することによりラジカル重合を行った。重合反応終了後、アンプルから重合物を取り出し、テトラヒドロフラン２５ｇで溶解させた。このポリマー溶液を５００ｍＬのメタノール中に滴下して析出させた後、６０℃で１０時間真空乾燥することにより、α−シアノケイ皮酸メチル／９−ビニルカルバゾール共重合体７．１ｇを得た（収率：７０％）。

得られたα−シアノケイ皮酸メチル／９−ビニルカルバゾール共重合体の数平均分子量は１５，０００であった。

また、^１Ｈ−ＮＭＲ測定により、共重合体組成はα−シアノケイ皮酸メチル残基単位／９−ビニルカルバゾール残基単位＝３１／６９（モル％）（残基単位Ａ／残基単位Ｂ＝０．４５）であることを確認した。

実施例１４（４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル／９−ビニルカルバゾール共重合体の合成）
容量５０ｍＬのガラスアンプルに４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル５．０ｇ（０．０２０モル）、９−ビニルカルバゾール３．９ｇ（０．０２０モル）、重合開始剤である２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン０．１４ｇ（０．０００３３モル）およびテトラヒドロフラン８．０ｇを入れ、窒素置換と抜圧を繰り返したのち減圧状態で熔封した。このアンプルを６２℃の恒温槽に入れ、４８時間保持することによりラジカル重合を行った。重合反応終了後、アンプルから重合物を取り出し、テトラヒドロフラン２５ｇで溶解させた。このポリマー溶液を５００ｍＬのメタノール／水＝８０／２０（体積％／体積％）混合溶媒中に滴下して析出させた後、６０℃で１０時間真空乾燥することにより、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル／９−ビニルカルバゾール共重合体７．５ｇを得た（収率：８４％）。

得られた４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル／９−ビニルカルバゾール共重合体の数平均分子量は１６，０００であった。

また、^１Ｈ−ＮＭＲ測定により、共重合体組成は４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位／９−ビニルカルバゾール残基単位＝４６／５４（モル％）（残基単位Ａ／残基単位Ｂ＝０．８５）であることを確認した。
合成例１（シンナモニトリル／スチレン共重合体の合成）
容量５０ｍＬのガラスアンプルにシンナモニトリル５．０ｇ（０．０３９モル）、スチレン４．１ｇ（０．０３９モル）および重合開始剤である２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン０．２８ｇ（０．０００６５モル）を入れ、窒素置換と抜圧を繰り返したのち減圧状態で熔封した。このアンプルを６２℃の恒温槽に入れ、４８時間保持することによりラジカル重合を行った。重合反応終了後、アンプルから重合物を取り出し、テトラヒドロフラン２５ｇで溶解させた。このポリマー溶液を５００ｍＬのメタノール中に滴下して析出させた後、６０℃で１０時間真空乾燥することにより、シンナモニトリル／スチレン共重合体５．４ｇを得た（収率：５９％）。

得られたシンナモニトリル／スチレン共重合体の数平均分子量は４６，０００であった。

また、^１Ｈ−ＮＭＲ測定により、共重合体組成はシンナモニトリル残基単位／スチレン残基単位＝２７／７３（モル％）（残基単位Ａ／残基単位Ｂ＝０．３７）であることを確認した。

合成例２（α−シアノケイ皮酸エチル／アクリル酸メチル共重合体の合成）
容量５０ｍＬのガラスアンプルにα−シアノケイ皮酸エチル５．０ｇ（０．０２５モル）、アクリル酸メチル２．２ｇ（０．０２６モル）および重合開始剤である２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン０．１８ｇ（０．０００４２モル）を入れ、窒素置換と抜圧を繰り返したのち減圧状態で熔封した。このアンプルを６２℃の恒温槽に入れ、４８時間保持することによりラジカル重合を行った。重合反応終了後、アンプルから重合物を取り出し、テトラヒドロフラン２５ｇで溶解させた。このポリマー溶液を５００ｍＬのメタノール中に滴下して析出させた後、６０℃で１０時間真空乾燥することにより、α−シアノケイ皮酸エチル／アクリル酸メチル共重合体２．５ｇを得た（収率：３５％）。

得られたα−シアノケイ皮酸エチル／アクリル酸メチル共重合体の数平均分子量は１３，０００であった。

また、^１Ｈ−ＮＭＲ測定により、共重合体組成はα−シアノケイ皮酸エチル残基単位／アクリル酸メチル残基単位＝１１／８９（モル％）（残基単位Ａ／残基単位Ｂ＝０．１２）であることを確認した。

合成例３（ベンザルマロノニトリル／スチレン共重合体の合成）
容量５０ｍＬのガラスアンプルにベンザルマロノニトリル５．０ｇ（０．０３２モル）、スチレン３．３ｇ（０．０３２モル）および重合開始剤である２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン０．２３ｇ（０．０００５３モル）を入れ、窒素置換と抜圧を繰り返したのち減圧状態で熔封した。このアンプルを６２℃の恒温槽に入れ、４８時間保持することによりラジカル重合を行った。重合反応終了後、アンプルから重合物を取り出し、テトラヒドロフラン２５ｇで溶解させた。このポリマー溶液を５００ｍＬのメタノール中に滴下して析出させた後、６０℃で１０時間真空乾燥することにより、ベンザルマロノニトリル／スチレン共重体５．８ｇを得た（収率：７０％）。

得られたベンザルマロノニトリル／スチレン共重合体の数平均分子量は９３，０００であった。

また、^１Ｈ−ＮＭＲ測定により、共重合体組成はベンザルマロノニトリル残基単位／スチレン残基単位＝３６／６４（モル％）（残基単位Ａ／残基単位Ｂ＝０．５６）であることを確認した。

合成例４（アクリロニトリル／１−ビニルインドール重合体の合成）
容量５０ｍＬのガラスアンプルにアクリロニトリル２．５ｇ（０．０４７モル）、１−ビニルインドール６．７ｇ（０．０４７モル）および重合開始剤である２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン０．３４ｇ（０．０００７９モル）を入れ、窒素置換と抜圧を繰り返したのち減圧状態で熔封した。このアンプルを６２℃の恒温槽に入れ、４８時間保持することによりラジカル重合を行った。重合反応終了後、アンプルから重合物を取り出し、テトラヒドロフラン２５ｇで溶解させた。このポリマー溶液を５００ｍＬのメタノール中に滴下して析出させた後、６０℃で１０時間真空乾燥することにより、アクリロニトリル／１−ビニルインドール共重体４．９ｇを得た（収率：５３％）。

得られたアクリロニトリル／１−ビニルインドール共重合体の数平均分子量は１２，０００であった。

また、^１Ｈ−ＮＭＲ測定により、共重合体組成はアクリロニトリル残基単位／１−ビニルインドール残基単位＝３１／６９（モル％）（残基単位Ａ／残基単位Ｂ＝０．４５）であることを確認した。

実施例１５
実施例１で得られたシンナモニトリル／１−ビニルインドール共重合体をシクロペンタノンに溶解して３５重量％の樹脂溶液とし、コーターによりガラス基板上に流延し、６０℃で６０分乾燥することにより、厚み１０．１μｍのシンナモニトリル／１−ビニルインドール共重合体を用いたフィルムを得た。

得られたフィルムは、全光線透過率８７％、ヘーズ０．６％、屈折率１．６４８であった。

三次元屈折率は、ｎｘ＝１．６４２１、ｎｙ＝１．６４２１、ｎｚ＝１．６５８８であり、得られたフィルムはｎｘ＝ｎｙ＜ｎｚとフィルムの厚み方向の屈折率が大きい値を示した。また、面外位相差Ｒｔｈは−１６９ｎｍと負に大きかった。また、面外位相差の絶対値と膜厚の比は１６．７ｎｍ／フィルム膜厚（μｍ）であった。

１か月後に同フィルムの測定をしたところ、面外位相差を維持しており、安定性に優れたフィルムであった。

実施例１６
実施例２で得られたシンナモニトリル／９−ビニルカルバゾール共重合体をシクロペンタノンに溶解して３０重量％の樹脂溶液とし、コーターによりガラス基板上に流延し、６０℃で６０分乾燥することにより、厚み８．８μｍのシンナモニトリル／９−ビニルカルバゾール共重合体を用いたフィルムを得た。

得られたフィルムは、全光線透過率８７％、ヘーズ０．５％、屈折率１．６５５であった。

三次元屈折率は、ｎｘ＝１．６４４５、ｎｙ＝１．６４４５、ｎｚ＝１．６７７４であり、得られたフィルムはｎｘ＝ｎｙ＜ｎｚとフィルムの厚み方向の屈折率が大きい値を示した。また、面外位相差Ｒｔｈは−２９０ｎｍと負に大きかった。また、面外位相差の絶対値と膜厚の比は３２．９ｎｍ／フィルム膜厚（μｍ）であった。

１か月後に同フィルムの測定をしたところ、面外位相差を維持しており、安定性に優れたフィルムであった。

実施例１７
実施例３で得られたα−シアノケイ皮酸メチル／９−ビニルカルバゾール共重合体をシクロペンタノンに溶解して２０重量％の樹脂溶液とし、コーターによりガラス基板上に流延し、１３０℃で１０分乾燥することにより、厚み１２．２μｍのα−シアノケイ皮酸メチル／９−ビニルカルバゾール共重合体を用いたフィルムを得た。

得られたフィルムは、全光線透過率８７％、ヘーズ０．６％、屈折率１．６５３であった。

三次元屈折率は、ｎｘ＝１．６４３２、ｎｙ＝１．６４３２、ｎｚ＝１．６７４０であり、得られたフィルムはｎｘ＝ｎｙ＜ｎｚとフィルムの厚み方向の屈折率が大きい値を示した。また、面外位相差Ｒｔｈは−３７６ｎｍと負に大きかった。また、面外位相差の絶対値と膜厚の比は３０．８ｎｍ／フィルム膜厚（μｍ）であった。

１か月後に同フィルムの測定をしたところ、面外位相差を維持しており、安定性に優れたフィルムであった。

実施例１８
実施例４で得られたα−シアノケイ皮酸メチル／Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体をＮ，Ｎ―ジメチルホルムアミドに溶解して３０重量％の樹脂溶液とし、コーターによりガラス基板上に流延し、６０℃で３時間真空乾燥することにより、厚み１０．５μｍのα−シアノケイ皮酸メチル／Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体を用いたフィルムを得た。

得られたフィルムは、全光線透過率８９％、ヘーズ０．４％、屈折率１．５７５であった。

三次元屈折率は、ｎｘ＝１．５６７９、ｎｙ＝１．５６７９、ｎｚ＝１．５８８１であり、得られたフィルムはｎｘ＝ｎｙ＜ｎｚとフィルムの厚み方向の屈折率が大きい値を示した。また、面外位相差Ｒｔｈは−２１２ｎｍと負に大きかった。また、面外位相差の絶対値と膜厚の比は２０．２ｎｍ／フィルム膜厚（μｍ）であった。

１か月後に同フィルムの測定をしたところ、面外位相差を維持しており、安定性に優れたフィルムであった。

実施例１９
実施例５で得られたα−シアノケイ皮酸エチル／Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体をＮ，Ｎ―ジメチルホルムアミドに溶解して２０重量％の樹脂溶液とし、コーターによりガラス基板上に流延し、６０℃で３時間真空乾燥することにより、厚み９．２μｍのα−シアノケイ皮酸エチル／Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体を用いたフィルムを得た。

得られたフィルムは、全光線透過率８８％、ヘーズ０．６％、屈折率１．６１３であった。

三次元屈折率は、ｎｘ＝１．６０４２、ｎｙ＝１．６０４２、ｎｚ＝１．６３１０であり、得られたフィルムはｎｘ＝ｎｙ＜ｎｚとフィルムの厚み方向の屈折率が大きい値を示した。また、面外位相差Ｒｔｈは−２４７ｎｍと負に大きかった。また、面外位相差の絶対値と膜厚の比は２６．８ｎｍ／フィルム膜厚（μｍ）であった。

１か月後に同フィルムの測定をしたところ、面外位相差を維持しており、安定性に優れたフィルムであった。

実施例２０
実施例６で得られたα−シアノケイ皮酸エチル／２−ビニルベンゾフラン共重合体をトルエンに溶解して３５重量％の樹脂溶液とし、コーターによりガラス基板上に流延し、６０℃で６０分乾燥することにより、厚み８．８μｍのα−シアノケイ皮酸エチル／２−ビニルベンゾフラン共重合体を用いたフィルムを得た。

得られたフィルムは、全光線透過率８７％、ヘーズ０．３％、屈折率１．６３４であった。

三次元屈折率は、ｎｘ＝１．６２９４、ｎｙ＝１．６２９４、ｎｚ＝１．６４３８であり、得られたフィルムはｎｘ＝ｎｙ＜ｎｚとフィルムの厚み方向の屈折率が大きい値を示した。また、面外位相差Ｒｔｈは−１２７ｎｍと負に大きかった。また、面外位相差の絶対値と膜厚の比は１４．４ｎｍ／フィルム膜厚（μｍ）であった。

また、１か月後に同フィルムの測定をしたところ、面外位相差を維持しており、安定性に優れたフィルムであった。

実施例２１
実施例７で得られたα−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル／２−ビニルキノリン共重合体をシクロペンタノンに溶解して３５重量％の樹脂溶液とし、コーターによりガラス基板上に流延し、１００℃で１０分乾燥することにより、厚み１１．０μｍのα−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル／２−ビニルキノリン共重合体を用いたフィルムを得た。

得られたフィルムは、全光線透過率８８％、ヘーズ０．３％、屈折率１．６３５であった。

三次元屈折率は、ｎｘ＝１．６２９１、ｎｙ＝１．６２９１、ｎｚ＝１．６４６４であり、得られたフィルムはｎｘ＝ｎｙ＜ｎｚとフィルムの厚み方向の屈折率が大きい値を示した。また、面外位相差Ｒｔｈは−１９０ｎｍと負に大きかった。また、面外位相差の絶対値と膜厚の比は１７．３ｎｍ／フィルム膜厚（μｍ）であった。

１か月後に同フィルムの測定をしたところ、面外位相差を維持しており、安定性に優れたフィルムであった。

実施例２２
実施例８で得られたベンザルマロノニトリル／Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドに溶解して２０重量％の樹脂溶液とし、コーターによりガラス基板上に流延し、６０℃で３時間真空乾燥することにより、厚み１２．６μｍのベンザルマロノニトリル／Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体を用いたフィルムを得た。

得られたフィルムは、全光線透過率８７％、ヘーズ０．５％、屈折率１．６３８であった。

三次元屈折率は、ｎｘ＝１．６３０１、ｎｙ＝１．６３０１、ｎｚ＝１．６５３５あり、得られたフィルムはｎｘ＝ｎｙ＜ｎｚとフィルムの厚み方向の屈折率が大きい値を示した。また、面外位相差Ｒｔｈは−２９５ｎｍと負に大きかった。また、面外位相差の絶対値と膜厚の比は２３．４ｎｍ／フィルム膜厚（μｍ）であった。

１か月後に同フィルムの測定をしたところ、面外位相差を維持しており、安定性に優れたフィルムであった。

実施例２３
実施例９で得られたベンザルマロノニトリル／９−ビニルカルバゾール共重合体をテトラヒドロフランに溶解して２０重量％の樹脂溶液とし、コーターによりガラス基板上に流延し、１３０℃で１０分乾燥することにより、厚み１１．８μｍのベンザルマロノニトリル／９−ビニルカルバゾール共重合体を用いたフィルムを得た。

得られたフィルムは、全光線透過率８７％、ヘーズ０．４％、屈折率１．６５２であった。

三次元屈折率は、ｎｘ＝１．６４１０、ｎｙ＝１．６４１０、ｎｚ＝１．６７３２であり、得られたフィルムはｎｘ＝ｎｙ＜ｎｚとフィルムの厚み方向の屈折率が大きい値を示した。また、面外位相差Ｒｔｈは−３８０ｎｍと負に大きかった。また、面外位相差の絶対値と膜厚の比は３２．２ｎｍ／フィルム膜厚（μｍ）であった。

１か月後に同フィルムの測定をしたところ、面外位相差を維持しており、安定性に優れたフィルムであった。

実施例２４
実施例１０で得られた４−ニトロベンザルマロノニトリル／２−ビニルベンゾフラン共重合体をメチルエチルケトンに溶解して３５重量％の樹脂溶液とし、コーターによりガラス基板上に流延し、６０℃で６０分乾燥することにより、厚み９．８μｍの４−ニトロベンザルマロノニトリル／２−ビニルベンゾフラン共重合体を用いたフィルムを得た。

得られたフィルムは、全光線透過率８７％、ヘーズ０．５％、屈折率１．６４２であった。

三次元屈折率は、ｎｘ＝１．６３５７、ｎｙ＝１．６３５７、ｎｚ＝１．６５５０であり、得られたフィルムはｎｘ＝ｎｙ＜ｎｚとフィルムの厚み方向の屈折率が大きい値を示した。また、面外位相差Ｒｔｈは−１８９ｎｍと負に大きかった。また、面外位相差の絶対値と膜厚の比は１９．３ｎｍ／フィルム膜厚（μｍ）であった。

１か月後に同フィルムの測定をしたところ、面外位相差を維持しており、安定性に優れたフィルムであった。

実施例２５
実施例１１で得られたＮ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド／２−ビニルフラン共重合体をシクロペンタノンに溶解して３０重量％の樹脂溶液とし、コーターによりガラス基板上に流延し、１００℃で１０分乾燥することにより、厚み１２．２μｍのＮ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド／２−ビニルフラン共重合体を用いたフィルムを得た。

得られたフィルムは、全光線透過率８９％、ヘーズ０．５％、屈折率１．５７７であった。

三次元屈折率は、ｎｘ＝１．５７４１、ｎｙ＝１．５７４１、ｎｚ＝１．５８３７であり、得られたフィルムはｎｘ＝ｎｙ＜ｎｚとフィルムの厚み方向の屈折率が大きい値を示した。また、面外位相差Ｒｔｈは−１１７ｎｍと負に大きかった。また、面外位相差の絶対値と膜厚の比は９．６ｎｍ／フィルム膜厚（μｍ）であった。

１か月後に同フィルムの測定をしたところ、面外位相差を維持しており、安定性に優れたフィルムであった。

実施例２６
実施例１２で得られたカルコン／２−ビニルキノリン共重合体をシクロペンタノンに溶解して３５重量％の樹脂溶液とし、コーターによりガラス基板上に流延し、１００℃で１０分乾燥することにより、厚み７．９μｍのカルコン／２−ビニルキノリン共重合体を用いたフィルムを得た。

得られたフィルムは、全光線透過率８７％、ヘーズ０．６％、屈折率１．６５１であった。

三次元屈折率は、ｎｘ＝１．６４７６、ｎｙ＝１．６４７６、ｎｚ＝１．６５６８であり、得られたフィルムはｎｘ＝ｎｙ＜ｎｚとフィルムの厚み方向の屈折率が大きい値を示した。また、面外位相差Ｒｔｈは−７３ｎｍと負に大きかった。また、面外位相差の絶対値と膜厚の比は９．２ｎｍ／フィルム膜厚（μｍ）であった。

１か月後に同フィルムの測定をしたところ、面外位相差を維持しており、安定性に優れたフィルムであった。

実施例２７
実施例１３で得られたα−シアノケイ皮酸メチル／９−ビニルカルバゾール共重合体をシクロペンタノンに溶解して３０重量％の樹脂溶液とし、コーターによりガラス基板上に流延し、１３０℃で１０分乾燥することにより、厚み１１．９μｍのα−シアノケイ皮酸メチル／９−ビニルカルバゾール共重合体を用いたフィルムを得た。

得られたフィルムは、全光線透過率８７％、ヘーズ０．３％、屈折率１．６５０であった。

三次元屈折率は、ｎｘ＝１．６４３１、ｎｙ＝１．６４３１、ｎｚ＝１．６６５０であり、得られたフィルムはｎｘ＝ｎｙ＜ｎｚとフィルムの厚み方向の屈折率が大きい値を示した。また、面外位相差Ｒｔｈは−２６１ｎｍと負に大きかった。また、面外位相差の絶対値と膜厚の比は２１．９ｎｍ／フィルム膜厚（μｍ）であった。

１か月後に同フィルムの測定をしたところ、面外位相差を維持しており、安定性に優れたフィルムであった。

実施例２８
実施例１４で得られた４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル／９−ビニルカルバゾール共重合体を酢酸エチルに溶解して３０重量％の樹脂溶液とし、コーターによりガラス基板上に流延し、１００℃で１０分乾燥することにより、厚み１２．４μｍの４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル／９−ビニルカルバゾール共重合体を用いたフィルムを得た。

得られたフィルムは、全光線透過率８８％、ヘーズ０．５％、屈折率１．６１３であった。

三次元屈折率は、ｎｘ＝１．６０６０、ｎｙ＝１．６０６０、ｎｚ＝１．６２７０であり、得られたフィルムはｎｘ＝ｎｙ＜ｎｚとフィルムの厚み方向の屈折率が大きい値を示した。また、面外位相差Ｒｔｈは−２６０ｎｍと負に大きかった。また、面外位相差の絶対値と膜厚の比は２１．０ｎｍ／フィルム膜厚（μｍ）であった。

１か月後に同フィルムの測定をしたところ、面外位相差を維持しており、安定性に優れたフィルムであった。

比較例１
合成例１で得られたシンナモニトリル／スチレン共重合体をメチルエチルケトンに溶解して３０重量％の樹脂溶液とし、コーターによりガラス基板上に流延し、６０℃で６０分乾燥することにより、厚み１２．５μｍのフィルムを得た。

得られたフィルムは、全光線透過率８８％、ヘーズ０．５％、屈折率１．６０４であった。

三次元屈折率は、ｎｘ＝１．６０２１、ｎｙ＝１．６０２１、ｎｚ＝１．６０６５であり、得られたフィルムはｎｘ＝ｎｙ＜ｎｚとフィルムの厚み方向の屈折率が大きい値を示すものであったが、面外位相差Ｒｔｈは−５５ｎｍと小さく、面外位相差の絶対値と膜厚の比も４．４ｎｍ／フィルム膜厚（μｍ）と小さかった。

これらの結果より、得られたフィルムは負の複屈折を有し、厚み方向の屈折率が大きいものであったが、面外位相差が小さく、薄膜において位相差特性に劣るものであった。

比較例２
合成例２で得られたα−シアノケイ皮酸エチル／アクリル酸メチル共重合体をシクロペンタノンに溶解して３０重量％の樹脂溶液とし、コーターによりガラス基板上に流延し、１００℃で１０分乾燥することにより、厚み９．５μｍのフィルムを得た。

得られたフィルムは、全光線透過率８８％、ヘーズ０．３％、屈折率１．５９７であった。

三次元屈折率は、ｎｘ＝１．５９５１、ｎｙ＝１．５９５１、ｎｚ＝１．６００１であり、得られたフィルムはｎｘ＝ｎｙ＜ｎｚとフィルムの厚み方向の屈折率が大きい値を示すものであったが、面外位相差Ｒｔｈは−４８ｎｍと小さく、面外位相差の絶対値と膜厚の比も５．０ｎｍ／フィルム膜厚（μｍ）と小さかった。

これらの結果より、得られたフィルムは負の複屈折を有し、厚み方向の屈折率が大きいものであったが、面外位相差が小さく、薄膜において位相差特性に劣るものであった。

比較例３
合成例３で得られたベンザルマロノニトリル／スチレン共重合体をメチルエチルケトンに溶解して２０重量％の樹脂溶液とし、コーターによりガラス基板上に流延し、１００℃で１０分乾燥することにより、厚み９．１μｍのフィルムを得た。

得られたフィルムは、全光線透過率８８％、ヘーズ０．５％、屈折率１．６２３であった。

三次元屈折率は、ｎｘ＝１．６２１３、ｎｙ＝１．６２１３、ｎｚ＝１．６２７０であり、得られたフィルムはｎｘ＝ｎｙ＜ｎｚとフィルムの厚み方向の屈折率が大きい値を示すものであったが、面外位相差Ｒｔｈは−５２ｎｍと小さく、面外位相差の絶対値と膜厚の比も５．７ｎｍ／フィルム膜厚（μｍ）と小さかった。

これらの結果より、得られたフィルムは負の複屈折を有し、厚み方向の屈折率が大きいものであったが、面外位相差が小さく、薄膜において位相差特性に劣るものであった。

比較例４
合成例４で得られたアクリロニトリル／１−ビニルインドール共重合体をシクロペンタノンに溶解して３０重量％の樹脂溶液とし、コーターによりガラス基板上に流延し、１００℃で１０分乾燥することにより、厚み８．３μｍのフィルムを得た。

得られたフィルムは、全光線透過率８７％、ヘーズ０．４％、屈折率１．６３０であった。

三次元屈折率は、ｎｘ＝１．６２９１、ｎｙ＝１．６２９１、ｎｚ＝１．６３３１であり、得られたフィルムはｎｘ＝ｎｙ＜ｎｚとフィルムの厚み方向の屈折率が大きい値を示すものであったが、面外位相差Ｒｔｈは−３３ｎｍと小さく、面外位相差の絶対値と膜厚の比も４．０ｎｍ／フィルム膜厚（μｍ）と小さかった。

これらの結果より、得られたフィルムは負の複屈折を有し、厚み方向の屈折率が大きいものであったが、面外位相差が小さく、薄膜において位相差特性に劣るものであった。

比較例５
ポリ（９−ビニルカルバゾール）（数平均分子量２６４，０００、東京化成製）をシクロペンタノンに溶解して１５重量％の樹脂溶液とし、コーターによりガラス基板上に流延し、１００℃で１０分乾燥することにより、厚み１３．２μｍのポリ（９−ビニルカルバゾール）を用いたフィルムを得た。

得られたフィルムは、全光線透過率８７％、ヘーズ０．６％、屈折率１．６８５であった。

三次元屈折率は、ｎｘ＝１．６７８５、ｎｙ＝１．６７８５、ｎｚ＝１．６９９０であり、得られたフィルムはｎｘ＝ｎｙ＜ｎｚとフィルムの厚み方向の屈折率が大きい値を示した。また、面外位相差Ｒｔｈは−２７１ｎｍと負に大きかった。また、面外位相差の絶対値と膜厚の比は２０．５ｎｍ／フィルム膜厚（μｍ）であった。

これらの結果より、得られたフィルムは負の複屈折を有し、厚み方向の屈折率が大きく、さらに面外位相差が負に大きく、薄膜においても高い面外位相差を有していた。しかし、５日後に再度同フィルムの測定をしたところ、三次元屈折率は、ｎｘ＝１．６８４９、ｎｙ＝１．６８４９、ｎｚ＝１．６８６６であり、ｎｘ＝ｎｙ＜ｎｚとフィルムの厚み方向の屈折率が大きい値を示すものであったが、面外位相差Ｒｔｈは−２２ｎｍ、面外位相差の絶対値と膜厚の比は１．７ｎｍ／フィルム膜厚（μｍ）と大きく低下しており、安定性に難があるため位相差フィルムに適したものではなかった。

Claims (9)

1. 一般式（１）で表される残基単位Ａおよび一般式（２）で表される残基単位Ｂを含むことを特徴とする共重合体。
   

   

   （ここで、Ｒ_１、Ｒ_２はそれぞれ独立して水素（ただし、Ｒ_１、Ｒ_２が共に水素である場合を除く。）、シアノ基、エステル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ_１)、アミド基（−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｘ_２）（Ｘ_３））、またはアシル基（−Ｃ（＝Ｏ）Ｘ_４)（ここで、Ｘ_１〜Ｘ_３はそれぞれ独立して炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、または炭素数３〜６の環状アルキル基を示し、Ｘ_４は炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、または炭素数３〜１４の環状基を示す。）を示す。Ｒ_３〜Ｒ_７はそれぞれ独立して水素、炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、炭素数３〜１４の環状基、ハロゲン、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ニトロ基、シアノ基、アルコキシ基（−ＯＸ_５）、エステル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ_６）、アミド基（−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｘ_７）（Ｘ_８））、アシル基（−Ｃ（＝Ｏ）Ｘ_９）、アミノ基（−Ｎ（Ｘ_１０）（Ｘ_１１））、またはスルホン酸基（−ＳＯＯＸ_１２）（ここで、Ｘ_５〜Ｘ_８は、それぞれ独立して炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、または炭素数３〜６の環状アルキル基を示し、Ｘ_９〜Ｘ_１２はそれぞれ独立して水素、炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、または炭素数３〜６の環状アルキル基を示す。）を示す。また、Ｒ_３〜Ｒ_７は隣接する置換基同士で縮合環構造を形成してもよい。）
   

   

   （ここで、Ｒ_８はヘテロ原子を１つ以上含むｍ員環複素環残基またはヘテロ原子を含まない５員環残基を示し、ｍは５〜１０の整数を示す。前記ｍ員環複素環残基および前記５員環残基は縮合環構造を形成してもよい。）
2. Ｒ_１がシアノ基、エステル基、アミド基、アシル基からなる群より選択されることを特徴とする請求項１に記載の共重合体。
3. Ｒ_２がシアノ基であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の共重合体。
4. 一般式（１）で表される残基単位Ａがα−シアノケイ皮酸エステル残基単位、ベンザルマロノニトリル残基単位、ニトロベンザルマロノニトリル残基単位、シンナモニトリル残基単位、カルコン残基単位、アルコキシカルコン残基単位、ベンジリデンマロン酸ジエステル残基単位、Ｎ，Ｎ−ジアルキルシンナムアミド残基単位からなる群より選択される１種以上であることを特徴とする請求項１に記載の共重合体。
5. Ｒ_８がヘテロ原子として窒素原子または酸素原子を１つ以上含む５員環複素環残基または６員環複素環残基（前記５員環複素環残基および前記６員環複素環残基は他の環状構造と縮合環構造を形成してもよい）であることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の共重合体。
6. 一般式（１）で表される残基単位Ａと一般式（２）で表される残基単位Ｂとのモル比Ａ／Ｂが０．０５〜６の範囲であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の共重合体。
7. 標準ポリスチレン換算の数平均分子量が３，０００〜５００，０００であることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の共重合体。
8. 請求項１〜請求項７のいずれかに記載の共重合体を含んでなることを特徴とする光学フィルム。
9. フィルム面内の進相軸方向の屈折率をｎｘ、それと直交するフィルム面内方向の屈折率をｎｙ、フィルムの厚み方向の屈折率をｎｚとした場合のそれぞれの関係がｎｘ≦ｎｙ＜ｎｚであることを特徴とする請求項８に記載の光学フィルムを用いた位相差フィルム。