JP2018090842A5

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Publication number: JP2018090842A5
Application number: JP2016233161A
Authority: JP
Filing date: 2016-11-30
Publication date: 2019-09-19
Anticipated expiration: 2036-11-30

Description

脱ドープ処理としては、パターン化されためっき下地層が形成された基材を、還元剤、例えば、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム等の水素化ホウ素化合物、ジメチルアミンボラン、ジエチルアミンボラン、トリメチルアミンボラン、トリエチルアミンボラン等のアルキルアミンボラン、及び、ヒドラジン等を含む溶液で処理して還元する方法、又は、アルカリ性溶液で処理する方法が挙げられる。
操作性及び経済性の観点からアルカリ性溶液で処理するのが好ましい。
特に、導電性高分子微粒子を含むめっき下地層は非常に薄いものであるため、緩和な条件下で短時間のアルカリ処理により脱ドープを達成することが可能である。
例えば、１Ｍ水酸化ナトリウム水溶液中で、２０ないし５０℃、好ましくは３０ないし４０℃の温度で、１ないし３０分間、好ましくは３ないし１０分間処理される。
上記脱ドープ処理により、めっき下地層中に存在する導電性高分子微粒子は、還元性高分子微粒子となる。

無電解めっき法としては、通常知られた方法に従って行うことができる。
即ち、導電性高分子微粒子を用いて形成されためっき下地層については、工程（ｄ）の後に脱ドープ処理を行った後に、また、還元性高分子微粒子を用いて形成されためっき下地層は工程（ｄ）の後に脱ドープ処理を行うことなく、露出しためっき下地層が形成された基材を、塩化パラジウム等の触媒金属を付着させるための触媒液に浸漬した後、水洗等を行い、無電解めっき浴に浸漬することにより金属めっき膜を設けることができる。
触媒液は、無電解めっきに対する触媒活性を有する貴金属（触媒金属）を含む溶液であり、触媒金属としては、パラジウム、金、白金、ロジウム等が挙げられ、これら金属は単体でも化合物でもよく、触媒金属を含む安定性の点からパラジウム化合物が好ましく、その中でも塩化パラジウムが特に好ましい。
好ましい、具体的な触媒液としては、０．０５％塩化パラジウム−０．００５％塩酸水溶液（ｐＨ３）が挙げられる。
処理温度は、２０ないし５０℃、好ましくは３０ないし４０℃であり、処理時間は、０．１ないし２０分、好ましくは、１ないし１０分である。
上記の操作により、めっき下地層中の還元性高分子微粒子上に触媒金属が吸着され、最終的に、導電性の高分子微粒子となる。

上記で処理された基材は、金属を析出させるためのめっき液に浸され、これによりパターン状の金属めっき膜が形成される。
めっき液としては、通常、無電解めっきに使用されるめっき液であれば、特に限定されない。
即ち、無電解めっきに使用できる金属、銅、金、銀、ニッケル等、全て適用することができるが、銅が好ましい。
無電解銅めっき浴の具体例としては、例えば、ＡＴＳアドカッパーＩＷ浴（奥野製薬工業（株）社製）等が挙げられる。
処理温度は、２０ないし５０℃、好ましくは３０ないし４０℃であり、処理時間は、１ないし３０分、好ましくは、５ないし１５分である。
得られためっき品は、使用した基材のＴｇより低い温度範囲において、数時間以上、例えば、２時間以上養生するのが好ましい。
形成されるパターン状の金属めっき膜の厚さは、０．１ないし５μｍの範囲とするのが好ましく、０．２ないし３μｍの範囲とするのがより好ましい。

実施例１
［工程ａ］
ＰＥＴフィルム基材：コスモシャインＡ４１００（東洋紡（株）製）上に、製造例１で調製しためっき下地層用塗料Ａをバーコーターにて塗工し、１２０℃で５分間乾燥して、厚みが５０ｎｍのめっき下地層を形成した。
ここで、工程ａで形成されためっき下地層の厚みについて、走査型電子顕微鏡ＪＳＭ−６７００Ｆ（日本電子（株）製）にてめっき下地層断面を観察し、任意の１０箇所の膜厚を測定し、その膜厚の平均値を「めっき下地層の厚み」とし、結果、厚みが５０ｎｍであった。なお、実施例２〜６、および比較例１〜５の各「めっき下地層の厚み」についても、同様の方法にて測定し、平均値を算出した結果である。

［工程ｂ］
続いて、工程ａで形成されためっき下地層上に、ネガ型感光性レジストＯＭＲ−８３（東京応化工業(株)製）をバーコーターにて塗工し、８５℃で３０分間乾燥して、厚みが２μｍのＰＲ樹脂層を形成した。

［工程ｅ］
続いて、工程ｄでＰＲ樹脂層の一部分が除去された、すなわち、めっき下地層が露出している部位に対して、１Ｍ水酸化ナトリウム溶液に３５℃で５分間浸漬して表面処理（脱ドープ処理）を行った。
続いて、０．０２％塩化パラジウム−０．０１％塩酸水溶液に３５℃で５分間浸漬後、イオン交換水で水洗した。
続いて、無電解めっき浴ＡＴＳアドカッパーＩＷ浴（奥野製薬工業（株）製）に浸漬して、３５℃で１０分間浸漬し、線幅が３μｍで、厚みが３００μｍの銅めっき膜を得た。