JP2018081036A - 複合センサ装置 - Google Patents

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【課題】ケース内に実装された加速度検出素子や角速度検出素子の、ケース変形に起因した出力変動が発生する課題、および振動型角速度検出素子の振動漏れによる角速度検出素子の出力変動を解決するためになされたものである。【解決手段】半導体素子を第一接着部材でケースに固定し、半導体素子の上面に角速度検出素子を第二接着部材で、加速度検出素子を第三接着部材でそれぞれ固定し、第一接着部材、第二接着部材、および第三接着部材の縦弾性係数を100MPa以上とする。【選択図】図1

Description

本発明は、角速度検出素子と加速度検出素子をケースに実装してパッケージングした複合センサ装置に関するものである。
近年、自動車や農業機械、建設機械および携帯電子機器(通信機器、デジタルカメラなど)の安定動作、姿勢制御および信頼性向上のため種々の物理量を検出するセンサ装置が開発されている。
センサ装置に搭載される加速度検出素子や角速度検出素子では、小型化や多機能化・複合化、および量産性向上などを目的に、シリコン(Si)の微細加工技術を用いた検出手段が主流となってきている。微細加工技術によってシリコンの微細なくし歯状構造体(電極)を形成し、このくし歯状構造体の微小変位を、電気信号に変換することで加速度や角速度などの物理量を検出している。
上記加速度検出素子や角速度検出素子のパッケージングでは、成型されたケースに加速度検出素子や角速度検出素子を、制御、計測用の半導体素子基板と共に実装したパッケージ形態が用いられている。ケースは樹脂やセラミックスで成型される場合が多く、ケースに実装される加速度や角速度の検出素子や半導体素子基板はシリコン(Si)系材料で形成されているため、両者の線膨張係数には違いある。
このような線膨張係数が異なる構造体が温度変化に晒されると、線膨張係数差に起因した変形が加速度検出素子や角速度検出素子に生じる場合がある。一般的にはケースの線膨張係数が各検出素子や半導体素子基板の線膨張係数より高いため、ケースの変形によって各検出素子が変形することになる。特に重力加速度度も検出する加速度検出素子では、ケース変形に伴って検出素子が変形する、あるいは傾斜して位置が変化すると、検出素子内部のくし歯構造体も変形し、慣性力による加速度が作用していない状態でも検出信号が出力されるため、検出精度の低下要因となる。また、ケースが樹脂材料で形成されたパッケージでは、高温高湿環境に晒された場合にも温度変化と同様の加速度センサ検出精度の低下が発生しる場合がある。これは、吸湿した樹脂材料が膨張することでケースに変形が生じるためである。したがって、シリコンの微細加工技術を加速度や角速度などの慣性力検出手段に適用したセンサ装置では、極力パッケージした検出素子に変形や傾斜などの位置変化を生じさせないパッケージ構造とすることが必要である。
また、角速度検出素子は、駆動側となるくし歯状電極を振動させ、角速度が入力された時のコリオリ力による駆動側電極の変位を、検出側のくし歯状電極で捉えることで、角速度を検出している。このような振動型の角速度検出素子では、振動している駆動側電極からの振動漏れに起因した検出精度の低下が生じる場合がある。
振動型角速度検出素子の一主面のみを接着部材で固定した構造のセンサでは、接着部材の縦弾性係数が低いなど剛性が低いような場合、角速度検出素子からの振動漏れによって角速度検出素子自体に振動が発生する場合がある。この振動によって、検出側電極が変形し、検出誤差が生じる場合がある。半導体素子上面に角速度検出素子を積層配置した構成では、半導体素子を固定する接着部材の剛性が低い場合にも、同様の現象が発生する可能性がある。
上記した加速度検出素子および角速度検出素子の検出精度低下の課題に対して、例えば、特許文献1には、以下の構成が開示されている。特許文献1に開示されている複合センサでは、角速度検出素子、加速度検出素子、およびICを収納するパッケージを備えており、パッケージに実装したICの上方に角速度検出素子、角速度検出素子上方に加速度検出素子が積層配置されている。角速度検出素子はICと第1接着剤で接着され、加速度検出素子は角速度検出素子に第2接着剤で接着されており、ICはパッケージに第3接着剤により接着されている。上記第1接着剤と第3接着剤はエポキシ系接着剤とし、第2接着剤はシリコーン系接着剤であり、第1接着剤の線膨張係数は第2接着剤の線膨張係数より小さくしている。
特許文献1では、角速度検出素子を線膨張係数の小さい第1接着剤にて接着することで漏れ振動を抑制し、検出精度の低下を抑制することが開示されている。また、加速度検出素子については、加速度検出素子を線膨張係数の大きな第2接着剤で接着することで、膨張率の違いに起因して各素子に負荷が加えられにくくなることが開示されている。
特開2008−76264号公報
しかしながら、上記した特許文献1の構成では、複合センサに過大な衝撃が印加された場合に生じる慣性力検出素子の位置ずれについての考慮がなされていなかった。特許文献1では、加速度検出素子をシリコーン系接着剤で接着することが述べられているが、シリコーン接着剤は一般的に縦弾性係数が数MPa程度と極めて低い材料である。シリコーン接着剤は衝撃力によってせん断変形しやすいため、過大な衝撃力では少数回の衝撃で変形してしまい、接着している加速度検出素子の位置が初期から変動する可能性がある。加速度検出素子は重力加速度も検出するため、位置変動、特に回転方向にずれることで検出値に誤差が生じる要因となる。
また、特許文献1では、加速度検出素子を線膨張係数の大きな接着剤で固定することが開示されているが、この構成では加速度検出素子と接着剤との線膨張係数差に起因した熱変形が検出素子に発生する可能性がある。この熱変形によって加速度検出素子に本来計測すべき加速度出力以外の出力が誤差として重畳するようになり、センサの信頼性を低下させる要因となる。
本発明は上記した課題に加えて、ケース内に実装された加速度検出素子や角速度検出素子の、ケース変形に起因した出力変動が発生する課題、および振動型角速度検出素子の振動漏れによる角速度検出素子の出力変動を解決するためになされたものである。加速度検出素子や角速度検出素子の変形や位置ずれ発生を抑制あし、出力変動を防止した高信頼性の複合センサ装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明では以下に示す構成を採用する。
角速度検出素子と加速度検出素子、および各検出素子からの信号を処理するとともに外部との信号入出力を制御する半導体素子をケースに実装してパッケージを形成し、半導体素子の一方の主面を第一接着部材でケース内面に固定し、半導体素子の他方の主面に角速度検出素子を第二接着部材で、加速度検出素子を第三接着部材でそれぞれ固定し、第一接着部材、第二接着部材、および第三接着部材の縦弾性係数をいずれも100MPa以上にする。
本実施例によれば、加速度検出素子や角速度検出素子の変形や位置ずれ発生を抑制し、慣性力検出時の検出誤差や出力変動を防止した信頼性の高い複合センサ装置を提供することができる。
本発明による複合センサ装置の第1の実施形態を示す断面図である。 図1に示した複合センサ装置のカバーを取り除いた平面図である。 第3実施例を示す断面図である。 第4実施例を示す断面図である。 第5実施例を示す断面図である。 図5に示したインサート部材形状を示す平面図である。 複合センサ装置に衝撃が印加された場合における接着部材の縦弾性係数と素子の位置ずれの関係を示す図である。 第2実施例を説明するための、半導体素子接着部材と加速度検出素子接着部材の平均縦弾性係数と、加速度検出素子に発生する応力の関係を示す図である。 解析結果を示す図である。 平均縦弾性係数と加速度検出値の変動量の関係を示す図である。
以下、本発明に係る実施例を、図面を用いて説明する。
図1は、本発明による複合センサ装置の断面図、図2はカバーを取り除いた状態の平面図である。
図1、図2に示すように、本発明による複合センサ装置20は、開口部を有するケース7の内部に角速度検出素子1、加速度検出素子2、および半導体素子3が配置されている。半導体素子3はケース7の内側底面7a上に設置され、半導体素子3の主面3bが第一接着部材4でケース7に固定されている。角速度検出素子1と加速度検出素子2は、半導体素子3の主面3a上に設置されており、角速度検出素子1の主面1bが第二接着部材5によって、加速度検出素子2の主面2bが第三接着部材6によってそれぞれ半導体素子3の主面3aに固定されている。角速度検出素子1、加速度検出素子2それぞれと半導体素子3の間は、両検出素子の主面1a、2a上の図示されていない電極と半導体素子3の主面3a上の図示されていない電極とを接合するワイヤ11によって電気的に接続されている。同様に半導体素子3の主面3a上の電極とインナーリード9間もワイヤ11によって電気的に接続がなされている。ケース7の上面7bには、ケース7の開口部を覆うカバー8が接着部材12によって接着されており、角速度検出素子1、加速度検出素子2、および半導体素子3がパッケージングされている。ケース側面7cではインナーリード9と繋がったアウターリード10がケース7から突出しており、複合センサ装置20外部の例えばプリント基板や筐体などに接続される。
角速度検出素子1や加速度検出素子2は、シリコン(Si)を微細加工して形成したくし歯状の物理量検出部を内蔵し、それらの周囲をSiやガラスなどで積層封止して形成される。半導体素子3は、Si上に半導体プロセス加工技術で所定の回路や電極が形成されている。この半導体素子3は角速度検出素子1や加速度検出素子2の検出動作を制御するとともに、検出信号の複合センサ装置内外部の入出力制御などを行う。インナーリード9、アウターリード10は、銅合金(Cu)や鉄ニッケル合金(Fe-42Ni)などの金属材料で構成される。ワイヤ11には、例えば直径20〜25μmのAu(金)細線を使用する。ケース7やカバー8には、シリカ粒子を充填した熱硬化性エポキシ樹脂などを用い、例えばトランスファーモールドによって成型される。
角速度検出素子1を固定する第二接着部材5や加速度検出素子2を固定する第三接着部材6にはフィルム状の接着部材を用いる。フィルム状接着部材を用いることで各検出素子の半導体素子3への搭載位置精度を確保することができるようになる。半導体素子3を固定する第一接着部材4には、フィルム状接着部材やペースト状接着部材などを使用する。
ここで、本筆者らは、ケースに半導体素子、その上方に角速度検出素子と加速度検出素子を配置してSOP(Small Outline Package)型パッケージを形成した複合センサ装置について、衝撃印加時における検出素子ずれ量の検出素子固定用接着部材の弾性率依存性を検討した。
複合センサ装置のパッケージ(質量m)に衝撃(a)が印加された際の力(F=ma)が、加速度検出素子の接着部材に作用すると仮定し、接着部材のせん断ずれ量、すなわち検出素子のずれ量を算出した。印加する加速度は40G(392m/s2)とした。
接着部材の縦弾性係数とずれ量を、接着部材の厚さを変えて算出した結果を図7に示す。接着部材の縦弾性係数が低くなるとともにずれ量も減少し、接着部材厚が薄いほどずれ量も小さくなっている。図7の算出例では、接着部材の厚さによらず縦弾性係数100MPaになればずれ量は極僅かとなり、加速度件検出素子による検出値誤差を抑制することが可能である。
さらに、上記SOP型パッケージの複合センサ装置について、有限要素法による固有値解析を実施した。解析結果を図9に示す。その結果、半導体素子をシリコーン系接着剤を想定した縦弾性係数(100MPa以下)の接着部材で固定した場合に、半導体検出素子自体が振動する変形モードが現れることを明らかにしている。接着部材の縦弾性係数100MPa以上では、パッケージ全体が振動する変形モードとなっていた。この解析結果から、角速度検出素子および半導体素子をそれぞれ固定する接着部材の縦弾性係数を100MPa以上にすることで、上記両素子の固定が強固となり、素子自体の振動発生を抑制し、検出誤差を防止することが可能となる。
本実施例では、半導体素子3をケース7に固定する第一接着部材、角速度検出素子1を半導体素子3に固定する第二接着部材、および加速度検出素子2を半導体素子3に固定する第三接着部材6の各縦弾性係数を100MPa以上にしている。
上記の構成を用いることによって、角速度検出素子1、加速度検出素子2、および半導体素子3の固定を強固にできる。そのため、複合センサ装置に過大な衝撃が印加された場合であっても、加速度検出素子、角速度検出素子、および半導体素子を固定する接着部材のせん断変形を低減することが可能となる。これによって、特に加速度検素子の位置ずれ発生を防止し、検出値に誤差が生じるのを抑制することができる。
また、第二接着部材の縦弾性係数は第一接着部材の縦弾性係数以上とし、第一接着部材の縦弾性係数は第三接着部材の縦弾性係数以上とする。
上記構成によって、角速度検出素子1と半導体素子3それぞれが縦弾性係数の高い接着部材4、5で固定できるので、振動型の角速度検出素子1からの振動漏れ挙動による角速度検出素子1自体や半導体素子3自体の振動(共振による振動)を低減、抑制することが可能となる。これによって、角速度検出値の変動を抑制し、検出精度の低下を防ぐことができる。
さらに、半導体素子3や加速度検出素子2の主構成部材であるシリコン(Si)より一般的に線膨張係数が高い樹脂やセラミックスなどで成型されるケース7の熱変形を第一接着部材4と第三接着部材6自体の変形によって十分に吸収できるようになる。加速度検出素子2の下方(主面2b側)にある接着部材4、6がケース7による変形を吸収することで、加速度検出素子2に発生する変形が緩和され、加速度検出値にケース7の変形による検出誤差が重畳することを防止することが可能となる。
これらによれば、角速度や加速度の検出誤差を低減した信頼性の高い複合センサ装置を提供することが可能となる。
実施例2について、図8を用いて説明する。実施例1と同様の構成については説明を省略する。
実施例2では、第一接着部材4の縦弾性係数と第三接着部材6の縦弾性係数の平均を4000MPa以下になるような構成とする。その上で、上記したように第一接着部材の縦弾性係数を第三接着部材の縦弾性係数より高くする。
本筆者らは、上記SOP型パッケージの複合センサ装置について、加速度検出素子用接着部材と半導体素子用接着部材の縦弾性係数平均値と加速度検出素子に発生する応力の関係を有限要素解析により検討した。図8は、複数の解析点から求めた近似曲線を示しており、平均縦弾性係数が低くなるとともに加速度検出素子に発生する応力も減少している。別途実験により求めた図10に示す平均縦弾性係数と加速度検出値の変動量の関係から、検出誤差を複合センサ装置に求められる仕様以下(加速度センサゼロ点変動5mg以下)にするためには、平均縦弾性係数を4000MPa以下にする必要があることが明らかになった。図10は、ケースを樹脂材料で形成したSOP型パッケージの高温高湿試験時の加速度センサゼロ点出力変動と素子接着剤の平均縦弾性係数の関係を示した図です。
このような構成によって、半導体素子や加速度検出素子の主構成部材であるシリコン(Si)と線膨張係数が異なる樹脂、セラミックスで成型されるケースの熱変形を第一接着部材と第三接着部材自体の変形によって吸収することができるようになる。接着部材が変形を吸収することにより、加速度検出素子に発生する変形を低減することが可能となるため、加速度検出値に誤差が生じることを抑制できる。
次に実施例3を、図3を用いて説明する。なお、実施例1と同様の構成については説明を省略する。
実施例2では、実施例1の構成に加えて、角速度検出素子1の主面1a、加速度検出素子2の主面2aおよび半導体素子3の主面3aと、ワイヤ11の周囲を低弾性コーティング部材13で封止していることである。低弾性コーティング部材13で少なくとも各素子の主面1a、2a、3aとワイヤ11を覆うことによって、ワイヤ11が各素子に接触した場合の電気的な不良(短絡など)発生を防止することができる。また、各素子表面の電極(図示されていない)やワイヤ11の防湿効果が得られ、電極やワイヤの腐食を防ぐことが可能となる。各素子の少なくとも主面1a、2a、3aを覆う低弾性コーティング部材13は、複合センサ装置が温度変化の大きな環境に晒されても、各素子を変形させるような外力は作用しないので、角速度や加速度の検出誤差が生じることはない。なお、低弾性コーティング部材13は、シリコーン系のゲル状材料や、ペースト材を使用する。
次に実施例4を、図4を用いて説明する。なお、実施例1から3と同様の構成については説明を省略する。
図4に示すようにカバー8に通気孔14を形成しても良い。これによって、低弾性コーティング部材13に残存している空気(気泡として残存)や水分(各素子の接着部材にも含まれている)をケース7の外部に放出することが可能となる。
次に実施例5について、図5と図6を用いて説明する。なお、実施例1から4と同様の構成については、説明を省略する。
実施例1から4と異なる点は、ケース7の底面部分にインサート部材15を形成したことである。
ケース7はエポキシ系樹脂やセラミックスなどで形成されるが、これらの材料は、ケース7に収納される半導体素子3や角速度検出素子1、加速度検出素子2より線膨張係数が高くなっている。このような部材構成の複合センサ装置が温度変化環境に晒されると、ケース7と各素子との線膨張係数差に起因してケース7が変形し、この変形によって角速度検出素子1や加速度検出素子2の検出出力に誤差が生じる場合がある。
図5の示したようにケース7の底面部分に金属材料からなるインサート部材15を挿入すると、ケース7の剛性が高くなり、環境温度が変化した場合でもケース7の変形量を低減することができる。これによってケース7に半導体素子3を介して搭載されている角速度検出素子1や加速度検出素子2の変形も低減することができ、慣性力検出出力に誤差が生じるのを抑制することが可能となる。
インサート部材14は、インナーリード9やアウターリード10と同じ金属材料(銅合金や鉄系合金材料)で形成する。したがって、厚さはインナーリード9などと同じである。インサート部材15の平面形状は、図6に示すようにコーナー部にRや面取りを施すことが望ましい。これによって、コーナー部分における応力集中を低減し、ケース7を構成する材料との界面にはく離やき裂が発生するのを防止することができる。
1…角速度検出素子、2…加速度検出素子、3…半導体素子、4…第一接着部材、5…第二接着部材、6…第三接着部材、7…ケース、8…カバー、9…インナーリード、10…アウターリード、11…ワイヤ、12…カバー接着剤、13…コーティング部材、14…通気孔、15…インサート部材、20…複合センサ装置

Claims (6)

  1. 角速度検出用の角速度検出素子と、
    加速度検出用の加速度検出素子と、
    前記角速度検出素子と、前記加速度検出素子が搭載される基板と、
    前記角速度検出素子、前記加速度検出素子、および前記基板を実装するケースと、
    前記基板と前記ケースを接着する第一接着部材と、
    前記基板と前記角速度検出素子を接着する第二の接着部材と、
    前記基板と前記加速度検出素子を接着する第三の接着部材と、を備え、
    前記第一接着部材、前記第二接着部材、および前記第三接着部材の縦弾性係数が100MPa以上である複合センサ装置。
  2. 前記第二接着部材の縦弾性係数は、前記第一接着部材の縦弾性係数以上であり、
    前記第三接着部材の縦弾性係数は、前記第一接着部材の縦弾性係数以下である請求項2に記載の複合センサ装置。
  3. 前記第一接着部材の縦弾性係数と前記第三接着部材の縦弾性係数の平均縦弾性係数が4000MPa以下である請求項1または2に記載の複合センサ装置。
  4. 前記基板は、角速度検出素子と加速度検出素子からの信号を処理するとともに外部との信号入出力を制御する半導体素子である請求項1乃至請求項3の何れかに記載の複合センサ装置。
  5. 少なくとも前記角速度検出素子と前記加速度検出素子とが、低弾性コーティング部材で封止される請求項1乃至4の何れかに記載の複合センサ装置。
  6. 前記低弾性コーティング部材の縦弾性係数を100MPa以下にしたことを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れかに記載の複合センサ装置。
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