JP2018078195A - セラミック配線基板、プローブ基板およびプローブカード - Google Patents
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Abstract
Description
属柱10を透過して破線で示している。
第2の主面42も研磨して平坦化されていてもよい。セラミック基板4の両主面が研磨面であると、上記のセラミック基板4の厚みは全面でほぼ均一なものとなり、回路基板13およびシリコンウエハ上の半導体素子のような検査対象との電気的接続が良好になる。
することができ、円形状の場合であれば直径8mm〜40mmとすることができる。なお、ここで示した凹部6の平面視の大きさは、底面61または開口の大きさである。図11(b)に示す例のように、凹部6の平面視の大きさは、底面6から第1の主面41(開口)にかけて一定であるものに限られない。また、凹部6の平面視の形状も、底面6から第1の主面41(開口)にかけて一定であるものに限られない。
体5の貫通導体、金属膜9の外縁部の金属柱10および金属膜9の中央部の金属柱10を同じ径にすることで、効率よく形成することができる。
4および突出部材の熱膨張係数に近づけるために、樹脂成分より低熱膨張係数の無機充填材を添加してもよい。ろう材としては、各種銀ろう、Au−Sn共晶合金、各種半田を使用することができるが、銀ろう、Au−Sn共晶合金を使用すると長期の温度サイクル信頼性や耐熱性の劣化が発生しにくい。活性ろう材は、各種銀ろうにチタンやハフニウムおよびジルコニウムのうち少なくとも1種の活性金属材料の粉末をさらに添加したものである。活性ろうを使用した場合には真空中や不活性雰囲気とすることで、直接セラミック基板4にろう材を接合することができるようになる。
れないように、その量や一端面を押し付ける際の力を調整する。また、接合材8がろう材の場合には、例えば金属膜9と突出部材7の間にAu−Sn共晶合金ろうのシートを配置し、Au−Sn共晶合金ろうの溶融条件(例えば、窒素雰囲気中で320℃を10分間保持)のの熱履歴を与えることで溶融接合することができる。
プローブピン12は配置されるものであるので、この例に限られるものではない。
2・・・プローブ基板
3・・・セラミック配線基板
4・・・セラミック基板
41・・第1の主面
42・・第2の主面
5・・・配線導体
6・・・凹部
61・・底面
62・・内壁面
7・・・突出部材
8・・・接合材
81・・ろう材
9・・・金属膜
10・・金属柱
11・・第2の金属膜
12・・プローブピン
13・・回路基板
14・・固定部材
15・・支持部材
16・・電極
17・・接続部材
Claims (9)
- 互いに対向する第1の主面および第2の主面を有し、少なくとも前記第1の主面が研磨面であるセラミック基板と、
該セラミック基板の前記第1の主面、前記第2の主面および内部に設けられた配線導体と、
前記セラミック基板の第1の主面に設けられた、底面と内壁面とを有する凹部と、
一端が前記凹部の前記底面のみに接合材を介して接合されており、他端が前記第1の主面から突出している突出部材と
を備えるセラミック配線基板。 - 前記凹部内において前記底面のみに金属膜が設けられており、前記突出部材の前記一端が前記金属膜にろう材を介して接合されている請求項1に記載のセラミック配線基板。
- 前記金属膜に接続され、前記凹部の前記底面から前記セラミック基板の内部に延びる金属柱を有している請求項2に記載のセラミック配線基板。
- 前記金属膜は、前記凹部の前記底面において前記凹部の前記内壁面から離れている請求項2または請求項3に記載のセラミック配線基板。
- 前記凹部の前記底面と前記内壁面との間の角部から前記セラミック基板の内部まで延びて設けられている第2の金属膜を有している請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のセラミック配線基板。
- 前記金属膜は、前記凹部の前記底面から前記凹部の前記底面と前記内壁面との間の角部を越えて、前記セラミック基板の内部まで延びて設けられている請求項2または請求項3に記載のセラミック配線基板。
- 前記凹部の前記内壁面は、前記底面から前記第1の主面の間において屈曲している部分および湾曲している部分の少なくとも一方を有している請求項1乃至請求項6のいずれかに記載のセラミック配線基板。
- 請求項1乃至請求項7のいずれかに記載のセラミック配線基板と、該セラミック配線基板の前記配線導体に電気的に接続されたプローブピンとを備えるプローブ基板。
- 請求項8に記載のプローブ基板と、該プローブ基板の前記セラミック配線基板の前記第1の主面に対向して配置され、前記突出部材を介して前記プローブ基板が固定されている回路基板とを備えるプローブカード。
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