JP2018074027A - 回路基板及び表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】小型化を可能とする。
【解決手段】端子部を有する表示パネルと、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の第１表面に位置し、差動信号を伝送する第１配線と、前記第１絶縁層の前記第１表面に対向する第２表面に位置し、前記第１配線と容量結合を形成し、前記第１配線とともに前記差動信号を伝送する第２配線と、前記第１配線と容量結合を形成し、前記第１配線から離間して前記第１表面に位置する第１グランド配線と、前記第１配線と容量結合を形成し、前記第１グランド配線と反対側で前記第１配線から離間して前記第１表面に位置する第２グランド配線と、前記第２配線と容量結合を形成し、前記第２配線から離間して前記第２表面に位置する第３グランド配線と、前記第２配線と容量結合を形成し、前記第３グランド配線と反対側で前記第２配線から離間して前記第２表面に位置する第４グランド配線と、前記端子部に接続されている接続部と、を有する回路基板と、を備えた表示装置。
【選択図】 図１

Description

本発明の実施形態は、回路基板及び表示装置に関する。

近年、表示装置を省スペース化するための技術が種々検討されている。一例では、表示装置に備えられているフレキシブル配線基板を小さくすることで、コスト削減や設計の自由度を向上するための技術が開示されている。

特許第５４４５０１１号公報

本実施形態の目的は、小型化が可能な回路基板と表示装置を提供することにある。

一実施形態によれば、
回路基板と、この回路基板が接続された端子部を有する表示パネルと、を備えている。回路基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の第１表面に位置し、差動信号を伝送する第１配線と、前記第１絶縁層の前記第１表面に対向する第２表面に位置し、前記第１配線と容量結合を形成し、前記第１配線とともに前記差動信号を伝送する第２配線と、前記第１配線と容量結合を形成し、前記第１配線から離間して前記第１表面に位置する第１グランド配線と、前記第１配線と容量結合を形成し、前記第１グランド配線と反対側で前記第１配線から離間して前記第１表面に位置する第２グランド配線と、前記第２配線と容量結合を形成し、前記第２配線から離間して前記第２表面に位置する第３グランド配線と、前記第２配線と容量結合を形成し、前記第３グランド配線と反対側で前記第２配線から離間して前記第２表面に位置する第４グランド配線と、前記端子部に接続されている接続部と、を有する回路基板と、を備える表示装置が提供される。

一実施形態によれば、
第１絶縁層と、前記第１絶縁層の第１表面に位置し、差動信号を伝送する第１配線と、前記第１絶縁層の前記第１表面に対向する第２表面に位置し、前記第１配線と容量結合を形成し、前記第１配線とともに前記差動信号を伝送する第２配線と、前記第１配線と容量結合を形成し、前記第１配線から離間して前記第１表面に位置する第１グランド配線と、前記第１配線と容量結合を形成し、前記第１グランド配線と反対側で前記第１配線から離間して前記第１表面に位置する第２グランド配線と、前記第２配線と容量結合を形成し、前記第２配線から離間して前記第２表面に位置する第３グランド配線と、前記第２配線と容量結合を形成し、前記第３グランド配線と反対側で前記第２配線から離間して前記第２表面に位置する第４グランド配線と、を備える回路基板が提供される。

図１は、第１実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す斜視図である。 図２は、第１実施形態に係る表示装置に備えられる表示パネルの概略図である。 図３は、表示装置の断面構造を模式的に示す断面図である。 図４は、パネルドライバの内部の回路構成の一例を模式的に示す図である。 図５は、差動方式を用いた信号の伝送路のモデルの一例を示す模式図である。 図６は、第１実施形態に係るフレキシブル配線基板の構成の一例を示す平面図である。 図７は、図６に示したＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿って切断したフレキシブル配線基板の一部の構造を示す断面図である。 図８は、図６に示したＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿って切断したフレキシブル配線基板と第１基板との一部の構成を示す断面図である。 図９は、変形例に係るフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の構成の一例を示す平面図である。 図１０は、第２実施形態に係るフレキシブル配線基板の構成の一例を示す平面図である。 図１１は、図１０に示したＸＩ−ＸＩ線に沿って切断したフレキシブル配線基板の一部の構造の一例を示す断面図である。 図１２は、第３実施形態に係るフレキシブル配線基板の構成の一例を示す平面図である。 図１３Ａは、図１２に示したＸＩＩＩＡ−ＸＩＩＩＡ線に沿って切断したフレキシブル配線基板の一部の構造を示す断面図である。 図１３Ｂは、図１２に示したＸＩＩＩＢ−ＸＩＩＩＢ線に沿って切断したフレキシブル配線基板の一部の構造を示す断面図である。 図１３Ｃは、図１２に示したＸＩＩＩＣ−ＸＩＩＩＣ線に沿って切断したフレキシブル配線基板の一部の構造を示す断面図である。 図１４は、第４実施形態に係るフレキシブル配線基板の構成の一例を示す平面図である。 図１５Ａは、図１４に示したＸＶＡ−ＸＶＡ線に沿って切断したフレキシブル配線基板の一部の構造を示す断面図である。 図１５Ｂは、図１４に示したＸＶＢ−ＸＶＢ線に沿って切断したフレキシブル配線基板の一部の構造を示す断面図である。 図１６は、第５実施形態に係るフレキシブル配線基板１の構成の一例を示す平面図である。 図１７Ａは、図１６に示したＸＶＩＩＡ−ＸＶＩＩＡ線に沿って切断したフレキシブル配線基板の一部の構造を示す断面図である。 図１７Ｂは、図１６に示したＸＶＩＩＢ−ＸＶＩＩＢ線に沿って切断したフレキシブル配線基板の一部の構造を示す断面図である。 図１８は、第６実施形態に係るフレキシブル配線基板の構成の一例を示す平面図である。 図１９Ａは、図１８に示したＸＩＸＡ−ＸＩＸＡ線に沿って切断したフレキシブル配線基板の一部の構造を示す断面図である。 図１９Ｂは、図１８に示したＸＩＸＢ−ＸＩＸＢ線に沿って切断したフレキシブル配線基板の一部の構造を示す断面図である。 図１９Ｃは、図１８に示したＸＩＸＣ−ＸＩＸＣ線に沿って切断したフレキシブル配線基板の一部の構造を示す断面図である。 図２０は、比較例のフレキシブル配線基板の構成の一例を示す平面図である。 図２１は、図２０に示したＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿って切断したフレキシブル配線基板の一部の構成を示す断面図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

本実施形態にて開示する主要な構成は、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などに適用可能である。

図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成の一例を示す斜視図である。本実施形態において、表示装置ＤＳＰは、タッチ検出機能を有する表示装置（以下、タッチ検出機能付き表示装置と表記）であるものとして説明する。タッチ検出機能付き表示装置としては、表示装置の表示面上にタッチパネルを形成したいわゆるオンセル型と称されるタッチ検出機構を備えるものの他に、表示装置にもともと備えられている画像表示用の共通電極を、一対のタッチ検出用の電極のうちの一方として兼用し、他方の電極（タッチ検出電極）をこの共通電極と交差するように配置した、いわゆるインセル型と称されるタッチ検出機構を備えるものがある。以下、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰはインセル型と称されるタッチ検出機構を備えるものとして説明する。第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していても良い。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第１方向Ｘは、表示装置ＤＳＰの幅方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。ここでは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定されるＸ−Ｙ平面における表示装置ＤＳＰの平面図を示している。以下の説明において、第３方向ＺからＸ−Ｙ平面を見ることを平面視という。

図１に示すように、表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬを備える。表示パネルＰＮＬは、タッチ検出機構一体型の表示パネルである。表示パネルＰＮＬとしては、表示機能層として液晶層を用いた表示パネル及び有機発光層を用いた有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）パネル等が用いられるが、ここでは液晶層を用いた表示パネルについて説明する。

表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１（アレイ基板）と、第１基板ＳＵＢ１に対向配置された第２基板ＳＵＢ２（対向基板）と、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に形成された液晶層（図示せず）とを備える。以下の説明で、Ｘ−Ｙ平面に対して垂直な方向、例えば、第３方向Ｚにおいて、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方（あるいは、単に上）と称し、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下方（あるいは、単に下）と称する。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２が対向する領域において、表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域（アクティブエリア）ＤＡと、表示領域ＤＡと表示パネルＰＮＬの周囲の端部との間の周辺領域ＦＡとを有している。表示パネルＰＮＬにおいて、第１基板ＳＵＢ１は、第２基板ＳＵＢ２と対向しない非対向領域ＮＡを有している。図示した例では、第１基板ＳＵＢ１上の非対向領域ＮＡには、表示パネルＰＮＬを駆動するパネルドライバ（液晶ドライバ）ＩＣ１と、パネルドライバＩＣ１に電気的に接続されている実装端子５とが搭載されている。実装端子５には、画像データを表示パネルＰＮＬに供給するフレキシブル配線基板ＦＰＣ１が接続されている。

表示パネルＰＮＬは、例えば容量変化検出型のタッチ検出機構ＳＥと一体化して構成されている。図１において、表示パネルＰＮＬの表示領域ＤＡの面上には、タッチ検出機構ＳＥを形成する検出電極Ｒｘが設けられている。検出電極Ｒｘは、例えば透明電極であり、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）等で構成される。なお、検出電極Ｒｘは、表示パネルＰＮＬの外部に設けられていてもよいし、内部に設けられていてもよい。タッチ検出機構ＳＥは、タッチドライバＩＣ２により制御される。

また、表示装置ＤＳＰの外部にはホスト装置ＨＯＳが設けられ、当該ホスト装置ＨＯＳは、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１及びパネルドライバＩＣ１を介して、表示パネルＰＮＬに接続されている。また、ホスト装置ＨＯＳは、フレキシブル配線基板ＦＰＣ２及びタッチドライバＩＣ２を介して、タッチ検出機構ＳＥに接続されている。

なお、パネルドライバＩＣ１及びタッチドライバＩＣ２は、同一チップとして構成されていても構わない。タッチドライバＩＣ２をパネルドライバＩＣ１と同一チップとする場合には、当該チップを例えば第２基板ＳＵＢ２、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１またはフレキシブル配線基板ＦＰＣ２上に配置することにより、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１及びフレキシブル配線基板ＦＰＣ２の一方を省略してもよい。

第１基板ＳＵＢ１の下側（つまり、表示パネルＰＮＬの背面側）には、表示パネルＰＮＬを照明する照明具としてバックライトユニットＢＬが配置されている。フレキシブル配線基板ＦＰＣ３は、バックライトユニットＢＬとホスト装置ＨＯＳとを接続する。バックライトユニットＢＬとしては、種々の形態のバックライトユニットが利用可能であり、光源としては、発光ダイオード（ＬＥＤ）を利用したもの及び冷陰極管（ＣＣＦＬ）を利用したもの等がある。ここでは、表示パネルＰＮＬの背面側に配置されるバックライトユニットＢＬを使用する場合について説明したが、当該表示パネルＰＮＬの表示面側に配置されるフロントライトが使用されても構わない。また、導光板とそのサイドに配置されるＬＥＤまたは冷陰極管を用いた照明具が使用されてもよいし、発光素子を平面的に配列した点状光源を用いた照明具が使用されてもよい。なお、表示装置ＤＳＰが反射型の表示装置である場合、または表示パネルＰＮＬが有機ＥＬを用いている場合には、照明具を備えない構成であってもよい。
図１においては省略されているが、表示装置ＤＳＰは、２次電池及び電源回路等を備える。

なお、本実施形態の表示パネルＰＮＬは、透過型、反射型、半透過型のいずれであってもよい。透過型の表示パネルＰＮＬが適用された表示装置ＤＳＰには、上記の通り、第１基板ＳＵＢ１の背面側にバックライトユニットＢＬを備え、バックライトユニットＢＬからの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を有している。反射型の表示パネルＰＮＬが適用される表示装置ＤＳＰは、第２基板ＳＵＢ２の前面側（あるいは表示面側）からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を有している。なお、反射型の表示パネルＰＮＬの前面側には、補助光源が備えられてもよい。半透過型の表示パネルＰＮＬが適用される表示装置ＤＳＰは、上記の透過表示機能及び反射表示機能を有している。

図２は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰに備えられる表示パネルＰＮＬの概略図である。図２は、主として表示装置ＤＳＰに備えられる表示パネルＰＮＬの概略構成を示す。図２に示すように、表示パネルＰＮＬには、マトリクス状に配置された複数の表示画素ＰＸ（表示素子）が設けられている。更に、表示パネルＰＮＬには、複数の表示画素ＰＸが配列する行に沿って延びる走査線Ｇ（Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍ）と、複数の表示画素ＰＸが配列する列に沿って延びる信号線Ｓ（Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎ）と、走査線Ｇと信号線Ｓとが交差する位置近傍に配置された画素スイッチＳＷとが備えられている。

画素スイッチＳＷは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を含む。画素スイッチＳＷのゲート電極は、対応する走査線Ｇと電気的に接続されている。画素スイッチＳＷのソース電極は、対応する信号線Ｓと電気的に接続されている。また、画素スイッチＳＷのドレイン電極は、対応する画素電極ＰＥと電気的に接続されている。

また、表示パネルＰＮＬには、複数の表示画素ＰＸを駆動するためにゲートドライバＧＤ及びソースドライバＳＤが設けられている。複数の走査線Ｇは、ゲートドライバＧＤの出力端子と電気的に接続されている。複数の信号線Ｓは、ソースドライバＳＤの出力端子と電気的に接続されている。

ゲートドライバＧＤは、複数の走査線Ｇにオン電圧を順次印加して、選択された走査線Ｇに電気的に接続された画素スイッチＳＷのゲート電極にオン電圧を供給する。ゲート電極にオン電圧が供給された場合、画素スイッチＳＷのソース電極−ドレイン電極間が導通する。

ソースドライバＳＤは、複数の信号線Ｓのそれぞれに対応する出力信号を供給する。信号線Ｓに供給された信号は、ソース電極−ドレイン電極間が導通した画素スイッチＳＷを介して、対応する画素電極ＰＥに印加される。
更に、表示パネルＰＮＬは、共通電極ドライバＣＤを備える。共通電極ドライバＣＤは、表示装置ＤＳＰの共通電極ＣＯＭＥに駆動信号を供給する（駆動電圧を印加する）回路である。共通電極ＣＯＭＥについては後述するが、上記した画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＯＭＥは、絶縁膜を介して対向配置されている。画素電極ＰＥ、共通電極ＣＯＭＥ及び絶縁膜は、保持容量ＣＳを形成する。

なお、ゲートドライバＧＤ、ソースドライバＳＤ及び共通電極ドライバＣＤは、表示パネルＰＮＬの周囲の領域（額縁）に配置され、上記したパネルドライバＩＣ１によって制御される。更に、パネルドライバＩＣ１は、バックライトユニットＢＬの動作を制御する。

図２においては、１つのゲートドライバＧＤのみが示されているが、表示パネルＰＮＬは、複数（例えば、２つ）のゲートドライバＧＤを備える構成であってもよい。２つのゲートドライバを備える構成の場合、例えば複数の走査線Ｇのうち、一方のゲートドライバが走査線Ｇ１、Ｇ３、…、Ｇｍ−１と接続され、他の方のゲートドライバが走査線Ｇ２、Ｇ４、…、Ｇｍと接続されるように構成される。なお、２つのゲートドライバは、例えば複数の表示画素ＰＸを挟んで対向するように配置される。

図３は、表示装置ＤＳＰの断面構造を模式的に示す断面図である。ここでは、表示装置ＤＳＰを第１方向Ｘに沿って切断した断面図を示す。
表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、バックライトユニットＢＬ、第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２を備える。

なお、図３において、表示パネルＰＮＬは、表示モードとしてＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードに対応した構成を有しているが、他の表示モードに対応した構成を有していてもよい。
表示パネルＰＮＬは、上述したように第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２及び液晶層ＬＱを備える。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは、所定のセルギャップを形成した状態で貼り合わされている。液晶層ＬＱは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間のセルギャップに保持されている。

第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０と、信号線Ｓと、共通電極ＣＯＭＥと、金属層ＭＬと、画素電極ＰＥと、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３及び第１配向膜ＡＬ１などを備えている。ここで、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＯＭＥは上記した液晶層ＬＱの画素領域とともに表示画素ＰＸを構成し、当該表示画素ＰＸは、図２において説明したように表示パネルＰＮＬにマトリクス状に配置される。

第１絶縁基板１０は、ガラス基板や樹脂基板等の光透過性を有する第１絶縁基板１０を用いて形成されている。第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０の上に位置している。信号線Ｓは、第１絶縁膜１１の上に位置している。図示されていないが、第１絶縁基板１０と第１絶縁膜１１との間には、走査線Ｇ、スイッチング素子（画素スイッチＳＷ）のゲート電極及び半導体層等が位置している。スイッチング素子のソース電極及びドレイン電極等は、第１絶縁膜１１の上に位置している。

第２絶縁膜１２は、信号線Ｓ及び第１絶縁膜１１の上に位置している。共通電極ＣＯＭＥは、第２絶縁膜１２の上に形成されている。共通電極ＣＯＭＥは、複数のセグメントによって構成されている。共通電極ＣＯＭＥの各セグメントは、それぞれＸ方向に延出し、所定の間隔でＹ方向に配列されている。共通電極ＣＯＭＥは、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）またはＩＺＯ（インジウム・ジンク・オキサイド）等の透明な導電材料によって形成されている。金属層ＭＬは、信号線Ｓの直上において共通電極ＣＯＭＥに接触している。図示した例では、金属層ＭＬは、共通電極ＣＯＭＥの上に位置しているが、共通電極ＣＯＭＥと第２絶縁膜１２との間に位置していてもよい。また、金属層ＭＬは省略されても構わない。

第３絶縁膜１３は、共通電極ＣＯＭＥ及び金属層ＭＬの上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３の上に形成されている。各画素電極ＰＥは、隣接する信号線Ｓの間にそれぞれ位置し、第３絶縁膜１３を介して共通電極ＣＯＭＥと対向している。また、各画素電極ＰＥは、共通電極ＣＯＭＥと対応する位置にスリットＳＬを有している。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び第３絶縁膜１３を覆っている。

走査線、信号線Ｓ、及び、金属層ＭＬは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料によって形成され、単相構造であっても良いし、多層構造であっても良い。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。第１絶縁膜１１及び第３絶縁膜１３は無機絶縁膜であり、第２絶縁膜１２は有機絶縁膜である。

なお、第１基板ＳＵＢ１の構成は、図示した例に限らず、画素電極ＰＥが第２絶縁膜１２と第３絶縁膜１３との間に位置し、共通電極ＣＥが第３絶縁膜１３と第１配向膜ＡＬ１との間に位置していても良い。このような場合、画素電極ＰＥはスリットを有していない平板状に形成され、共通電極ＣＥは画素電極ＰＥと対向するスリットを有する。また、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が櫛歯状に形成され、互いに噛み合うように配置されていても良い。

一方、第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０、遮光層（ブラックマトリクス）ＢＭ、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢ、オーバーコート層ＯＣ、及び、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。
第２絶縁基板２０は、ガラス基板または樹脂基板等の光透過性を有する第２絶縁基板２０を用いて形成されている。遮光層ＢＭ及びカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢは、第２絶縁基板２０の第１基板ＳＵＢ１と対向する側に位置している。遮光層ＢＭは、各画素を区画し、信号線Ｓの直上に位置している。遮光層ＢＭは、第２絶縁基板２０の内面に形成されている。カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢは、それぞれ、画素電極ＰＥと対向し、それらの一部が遮光層ＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢは、第２絶縁基板２０の内面に形成されている。カラーフィルタＣＦＲは赤色カラーフィルタであり、カラーフィルタＣＦＧは緑色カラーフィルタであり、カラーフィルタＣＦＢは青色カラーフィルタである。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、透明な樹脂材料によって形成されている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。

なお、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢは、第１基板ＳＵＢ１に配置されても良い。表示パネルＰＮＬにおいて、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢの他に、カラーフィルタが備えられていてもよい。４色以上のカラーフィルタが備えられていてもよい。白色を表示する画素には、白色のカラーフィルタが配置されても良いし、無着色の樹脂材料が配置されても良いし、カラーフィルタを配置せずにオーバーコート層ＯＣを配置しても良い。

検出電極Ｒｘは、第２絶縁基板２０の第３方向Ｚの上方の主面に位置している。検出電極Ｒｘは島状に形成されているが、ここでは便宜的にリード線については省略されている。検出電極Ｒｘは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）等の金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金や、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電材料や、導電性の有機材料や、微細な導電性物質の分散体等によって形成されている。また、検出電極Ｒｘは、上記の材料からなる単層体であってもよいし、積層体であってもよい。積層体の一例では、検出電極Ｒｘは、上記の金属材料からなる金属細線と、透明導電材料とを備えた構成が挙げられる。検出電極Ｒｘに金属材料を用いる場合は、メッシュ加工を施してもよいし、黒色材料でメッキ加工する等の不可視化処理をするとよりよい。

バックライトユニットＢＬは、上記したように表示パネルＰＮＬの第３方向Ｘの下方の背面側に位置している。第１光学素子ＯＤ１は、第１絶縁基板１０とバックライトユニットＢＬとの間に配置されている。第２光学素子ＯＤ２は、検出電極Ｒｘの上に位置している。第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、少なくとも偏光板を含む。また、第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、必要に応じて位相差板を含んでいても良い。

図４は、主としてパネルドライバＩＣ１の内部の回路構成の一例を模式的に示す図である。図４に示すように、パネルドライバＩＣ１は、インタフェース（Ｉ／Ｆ）回路１０１、データ処理回路１０２、ビデオメモリ（ラインメモリ）１０３、表示用ラインデータラッチ回路１０４、ソース増幅器１０５、ガンマ回路１０６、内部発振器１０７、タイミングコントローラ１０８、表示駆動回路１０９及びタッチ駆動回路１１０を備える。なお、上記したようにパネルドライバＩＣ１はホスト装置ＨＯＳとフレキシブル配線基板ＦＰＣ１を介して接続されている。

ホスト装置ＨＯＳは、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１を介して、画素信号（画素データ）及び同期信号等をＩ／Ｆ回路１０１に出力する。Ｉ／Ｆ回路１０１は、フレキシブル配線基板ＦＰＣを介してホスト装置ＨＯＳから伝送された画素信号及び同期信号等を受ける。Ｉ／Ｆ回路１０１は、ホスト装置ＨＯＳから受けた画素信号をデータ処理回路１０２に入力する。データ処理回路１０２は、表示パネルＰＮＬによる表示に適合するように、入力された画素信号の補間処理及び合成処理等を実行する。

データ処理回路１０２は、補間処理及び合成処理が実行された画素信号をビデオメモリ１０３に出力する。ビデオメモリ１０３は、データ処理回路１０２から画素信号を受けて、この画素信号を格納する。ビデオメモリ１０３は、例えばＳＲＡＭ及びＤＲＡＭ等である。ビデオメモリ１０３は、ＦＩＦＯ（First-In First-Out）などのバッファメモリで代替することもできる。なお、ビデオメモリ１０３は、例えば１フレームの画像全体（の画素データ）が格納可能である。

表示用ラインデータラッチ回路１０４は、ビデオメモリ１０３に格納された画素信号をラッチしてソース増幅器１０５に出力する。ソース増幅器１０５は、表示用ラインデータラッチ回路によりラッチされた画素信号を受け、ガンマ回路１０６からの各階調の電圧を参照して画素信号を増幅し、この画素信号をアナログ変換した画素信号を表示パネルに供給する。なお、図示していないが、Ｉ／Ｆ回路１０１は、ホスト装置ＨＯＳから受けたコマンドを保存するコマンドレジスタや、ガンマ補正のためのパラメータ等を保存するパラメータレジスタを含んでいる。また、図示していないが、パネルドライバＩＣ１は、ガンマ補正のためのパラメータ等を記憶する不揮発性メモリ等を備えている。なお、パラメータレジスタは、データ処理回路１０２に含まれていてもよい。データ処理回路１０２にパラメータレジスタが含まれている場合、データ処理回路１０２は、ガンマ回路１０６に接続されている。また、コマンドレジスタ及びパラメータレジスタは、Ｉ／Ｆ回路１０１と別体であっても良い。

表示パネルＰＮＬは、信号線Ｓ（例えば、Ｓ１〜Ｓ１０８０）を介してゲートが開いている表示画素（つまり、画素スイッチＳＷのゲート電極にオン電圧が供給されている画素）ＰＸに画素信号を書き込む。これにより、表示パネルＰＮＬにおける画像の表示動作が行われる。

タイミングコントローラ１０８は、例えばホスト装置ＨＯＳから受けたコマンドに基づいて、パネルドライバＩＣ１内部の全ての回路ブロック全体を同期させて動作させる。
タイミングコントローラ１０８は、内部発振器１０７から基本クロックを受ける。タイミングコントローラ１０８は、基本クロックに基づいて、各種のタイミング信号を生成する。また、タイミングコントローラ１０８は、内部発振器１０７の発振周波数の増加または低下等を制御することも可能である。

タイミングコントローラ１０８は、位相制御回路を含み、内部発振器１０７のクロック（内部クロック）位相と外部（ホスト装置ＨＯＳ）の同期信号の位相との関係を所定の関係に制御して維持する。タイミングコントローラ１０８は、内部クロックに基づいて、画素信号を書き込むタイミング信号（垂直同期信号及び水平同期信号）を生成する。この場合、タイミングコントローラ１０８は、内部の垂直同期パルス及び水平同期パルスを生成する。

タイミングコントローラ１０８によって生成されるタイミング信号は、例えば表示駆動回路１０９及びタッチ駆動回路１１０に供給される。なお、タイミングコントローラ１０８は、Ｉ／Ｆ回路１０１、データ処理回路１０２、ビデオメモリ１０３、表示用ラインデータラッチ回路１０４及びソース増幅器１０５の各々に対しても各種タイミング信号を生成して供給する。
これにより、タイミングコントローラ１０８は、上記したようにパネルドライバＩＣ１内部の各ブロックを統一して制御することが可能となる。

表示駆動回路１０９は、タイミングコントローラ１０８からのタイミング信号に基づいて、ソースドライバ（ソース選択回路）ＳＤ及びゲートドライバＧＤを制御し、画素信号を書き込むライン（に対応する表示画素ＰＸ）を指定することができる。
タッチ駆動回路１１０は、タッチ検出動作に関するタイミング信号として垂直同期信号及び水平同期信号をタッチドライバＩＣ２に出力する。また、タッチ駆動回路１１０は、上述した駆動信号Ｔｘｓを、割り当てられた時間（つまり、タッチ検出期間）に、共通電極ＣＯＭＥに供給する。これにより、タッチ検出信号Ｒｘｓが検出電極Ｒｘから出力される。

ここで、タッチドライバＩＣ２は、検出電極Ｒｘから出力されたタッチ検出信号Ｒｘｓに基づきタッチ位置を検出し、タッチ位置の検出結果をホスト装置ＨＯＳに出力する。ホスト装置ＨＯＳは、タッチドライバＩＣ２によって出力されたタッチ位置の検出結果に基づいて、各種処理（プログラミング動作）を実行する。

図５は、差動方式を用いた信号の伝送路のモデルの一例を示す模式図である。ホスト装置ＨＯＳとパネルドライバＩＣ１０１との間では、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１を介して差動方式により信号が伝送されている。以下で、差動方式により伝送される信号を差動信号と称する場合もある。フレキシブル配線基板ＦＰＣ１は、複数の差動配線ＤＷ（ＤＷ１、ＤＷ２、ＤＷ３、ＤＷ４、ＤＷ５…ＤＷｎ…）を備えている。差動配線ＤＷは、ペアとなる２本の配線で構成されている。差動配線ＤＷは、１つの信号を２つに分けられた信号を２本の配線のそれぞれで伝送する。例えば、差動配線ＤＷには、２本の配線に互いに逆相の（電流）信号（プラス側の信号及びマイナス側の信号）がそれぞれ伝送されている。以下で、プラス側の信号を単にプラス信号と称し、マイナス側の信号を単にマイナス信号と称する。図５には、差動配線ＤＷ（ＤＷ１、ＤＷ２、ＤＷ３、ＤＷ４、ＤＷ５…ＤＷｎ…）の夫々の差動インピーダンスＺｄｉｆｆ（Ｚ１ｄｉｆｆ、Ｚ２ｄｉｆｆ、Ｚ３ｄｉｆｆ、Ｚ４ｄｉｆｆ、Ｚ５ｄｉｆｆ…Ｚｎｄｉｆｆ…）を示している。差動インピーダンスＺｄｉｆｆは、差動配線ＤＷにおいて、ペアとなる２本の配線や周辺部材の配置等の設計により調整することが可能である。

図示した例では、ホスト装置ＨＯＳは、差動配線ＤＷ１を介して同期信号ＣＬＫをパネルドライバＩＣ１０１に伝送している。そのため、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１において、差動インピーダンスＺ１ｄｉｆｆで、差動配線ＤＷ１に同期信号ＣＬＫのプラス信号（ＣＬＫ＋）とマイナス信号（ＣＬＫ−）とが伝送されている。ホスト装置ＨＯＳは、差動配線ＤＷ２、ＤＷ３、ＤＷ４、ＤＷ５…の各々を介して、画素信号Ｄ０、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３…Ｄｎ…をパネルドライバＩＣ１０１にそれぞれ伝送している。そのため、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１において、差動インピーダンスＺ２ｄｉｆｆ、Ｚ３ｄｉｆｆ、Ｚ４ｄｉｆｆ、Ｚ５ｄｉｆｆ…Ｚｎｄｉｆｆ…で、差動配線ＤＷ２、ＤＷ３、ＤＷ４、ＤＷ５…ＤＷｎ…の夫々に画素信号Ｄ０、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３…Ｄｎ…のプラス信号（Ｄ０＋、Ｄ１＋、Ｄ２＋、Ｄ３＋…Ｄｎ＋…）とマイナス信号（Ｄ０−、Ｄ１−、Ｄ２−、Ｄ３−…Ｄｎ−…）が伝送されている。

図６は、本実施形態に係るフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の構成の一例を示す平面図である。図６において、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１を第３方向Ｚの上方から平面視している。
フレキシブル配線基板ＦＰＣ１は、大別すると、接続部ＣＮＴ１と、接続部ＣＮＴ２と、配線部ＷＰ１とで構成されている。接続部ＣＮＴ１は、複数の端子部Ｔｓ（…Ｔｓｎ−４、Ｔｓｎ−３、Ｔｓｎ−２、Ｔｓｎ−１、Ｔｓｎ、Ｔｓｎ＋１、Ｔｓｎ＋２、Ｔｓｎ＋３、Ｔｓｎ＋４、Ｔｓｎ＋５…）を備えている。接続部ＣＮＴ１において、複数の端子部Ｔｓは、第１基板ＳＵＢ１側の端部に第１方向Ｘに並んで配列されている。端子部Ｔｓは、第１基板ＳＵＢ１の実装端子５に備えられたパッドＰｓ（…Ｐｓｎ−４、Ｐｓｎ−３、Ｐｓｎ−２、Ｐｓｎ−１、Ｐｓ、Ｐｓｎ＋１、Ｐｓｎ＋２、Ｐｓｎ＋３、Ｐｓｎ＋４、Ｐｓｎ＋５…）に電気的に接続されている。接続部ＣＮＴ２は、複数の端子部Ｔｈ（Ｔｈｎ−４、Ｔｈｎ−３、Ｔｈｎ−２、Ｔｈｎ−１、Ｔｈｎ、Ｔｈｎ＋１、Ｔｈｎ＋２、Ｔｈｎ＋３、Ｔｈｎ＋４、Ｔｈｎ＋５）を備えている。接続部ＣＮＴ２において、複数の端子部Ｔｈは、ホスト装置ＨＯＳ側の端部に第１方向Ｘに並んで配列されている。端子部Ｔｈは、ホスト装置ＨＯＳに電気的に接続されている。配線部ＷＰ１は、接続部ＣＮＴ１と接続部ＣＮＴ２との間に位置し、接続部ＣＮＴ１及びＣＮＴ２の幅よりも幅が狭くなっている。以下で、配線部ＷＰ１を狭窄部ＷＰ１と称する場合もある。端子部Ｔｓと端子部Ｔｈとは、接続部ＣＮＴ１から接続部ＣＮＴ２まで延長している差動配線ＤＷ（…ＤＷｎ−１、ＤＷｎ、ＤＷｎ＋１…）及びグランド配線ＧＷ（…ＧＷｎ−１、ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１、ＧＷｎ＋２…）で接続されている。

図示した例では、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１において、配線部ＷＰ１は、接続部ＣＮＴ１及び接続部ＣＮＴ２の間で第２方向Ｙに延長し、且つ第１方向Ｘにおいて接続部ＣＮＴ1及び接続部ＣＮＴ２の中心部に位置している。フレキシブル配線基板ＦＰＣ１において、複数の差動配線ＤＷと複数のグランド配線ＧＷとは、第１方向Ｘで交互に配列されている。差動配線ＤＷは、接続部ＣＮＴ１から配線部ＷＰ１を通って接続部ＣＮＴ２に延長している。差動配線ＤＷは、接続部ＣＮＴ１の端子部Ｔｓの端部から配線部ＷＰ１までの間で、配線部ＷＰ１の中心位置ＣＴ側（以下、単に内側と称する）に傾きながら延長している。また、差動配線ＤＷは、第１方向Ｘにおいて、配線部ＷＰ１から接続部ＣＮＴ２の端子部Ｔｈまでの間で、配線部ＷＰ１の内側と反対方向（以下、単に外側と称する）に向かって延長している。グランド配線ＧＷも、差動配線ＤＷと同様に、接続部ＣＮＴ１から配線部ＷＰ１を通って接続部ＣＮＴ２に延長している。グランド配線ＧＷは、接続部ＣＮＴ１の端子部Ｔｓの端部から配線部ＷＰ１までの間で、内側に傾きながら延長している。グランド配線ＧＷは、配線部ＷＰ１から接続部ＣＮＴ２の端子部Ｔｈまでの間で、配線部ＷＰ１の内側と反対方向（以下、単に外側と称する）に向かって延長している。フレキシブル配線基板ＦＰＣ１は、グランド配線ＧＷが設けられた位置にスルーホールＧＨ（…ＧＨｎ−１、ＧＨｎ、ＧＨｎ＋１、ＧＨｎ＋２…）を備えている。図示していないが、例えば、スルーホールＧＨは、配線部ＷＰ１において、グランド配線ＧＷに設けられた位置に沿って、第２方向Ｙで一定の間隔毎に複数個形成されている。なお、配線部ＷＰ１は、第１方向Ｘにおいて、接続部ＣＮＴ１及び接続部ＣＮＴ２の中心部に位置していなくとも良く、両端部の内のいずれか一方に偏って位置していても良い。

図示した例では、平面視した場合、差動配線ＤＷは、配線部ＷＰ１上でペアとなる２つの配線が重なっている。すなわち、詳細は後述するが、差動配線ＤＷにおいて、ペアとなる２つの配線の内、一方の配線は、他方の上に設けられている。例えば、平面視した場合、差動配線ＤＷにおいて、ペアとなる２つの配線の内の一方の配線は、接続部ＣＮＴ１の配線部ＷＰ１側の端部から配線部ＷＰ１までの間でスルーホールＴＨｓ（…ＴＨｓｎ−１、ＴＨｓｎ、ＴＨｓｎ＋１…）を通り、配線部ＷＰ１でもう一方の配線に重なるように設けられている。一方、平面視した場合、差動配線ＤＷにおいて、ペアとなる２つの配線の内の一方の配線は、配線部ＷＰ１から接続部ＣＮＴ２の端子部Ｔｈまでの間でスルーホールＴＨｈ（…ＴＨｈｎ−１、ＴＨｈｎ、ＴＨｈｎ＋１…）を通り、接続部ＣＮＴ２の端子部Ｔｈの手前でもう一方の配線と第１方向Ｘで平行に並ぶように設けられている。

図７は、図６に示したＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿って切断したフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の一部の構造を示す断面図である。
フレキシブル配線基板ＦＰＣ１は、ベース基材ＰＩ１と、第１接着層ＡＤＨ１と、第２接着層ＡＤＨ２と、第１被覆層ＰＩ２と、第２被覆層ＰＩ３と、差動配線ＤＷ（…ＤＷｎ、ＤＷｎ、ＤＷｎ＋１…）と、グランド配線ＧＷ（…ＧＷｎ−１、ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１、ＧＷｎ＋２、ＧＷｎ＋３…）とを備えている。ベース基材ＰＩ１は、絶縁性の材料で形成されている。ベース基材ＰＩ１は、例えば、樹脂フィルムや、繊維基材等で形成されている。樹脂フィルムは、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイアミドイミド樹脂等のポリイミド系樹脂、又はエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂や液晶ポリマーなどの熱可塑性樹脂等である。説明の便宜上、差動配線ＤＷｎと、差動配線ＤＷｎの第１方向Ｘにおいて両隣に設けられたグランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１とで構成される１つの差動伝送路を用いてフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の一部の構造を説明する。なお、差動配線ＤＷｎ以外の他の差動配線ＤＷｎ＋１、ＤＷｎ＋２…とグランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１以外の他のグランド配線ＧＷｎ＋２、ＧＷｎ＋３…とでそれぞれ構成される他の差動伝送路にも、差動配線ＤＷｎとグランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１とで構成される差動伝送路と同様の構成が適用できる。

差動配線ＤＷｎは、プラス信号を伝送する配線ＤＷｎｐと、マイナス信号を伝送する配線ＤＷｎｎとを備えている。差動配線ＤＷｎにおいて、配線ＤＷｎｐ、ＤＷｎｎは、それぞれ、導電性の金属部材で形成され、例えば、銅を含む金属部材、又は銅を主成分とする合金部材で形成されている。差動配線ＤＷｎにおいて、配線ＤＷｎｐと配線ＤＷｎｎとの内のいずれか一方がベース基材ＰＩ１の上の表面ＰＩＳ１に位置し、もう一方の配線がベース基材ＰＩ１の下の表面ＰＩＳ２に位置している。ベース基材ＰＩ１において、表面ＰＩＳ１は、表面ＰＩＳ２に対向している。なお、表面ＰＩＳ１を第１表面と称し、表面ＰＩＳ２を第２表面と称する場合もある。また、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１において、ベース基材ＰＩ１の第１表面ＰＩＳ１の方向を上と表現し、第２表面ＰＩＳ２の方向を下と表現する場合もある。図示した例では、配線ＤＷｎｐは、ベース基材ＰＩ１の上に位置し、配線ＤＷｎｎは、ベース基材ＰＩ１の下に位置している。配線ＤＷｎｐと配線ＤＷｎｎとは、ベース基材ＰＩ１を介して対向している。図示した例では、配線ＤＷｎｐ及び配線ＤＷｎｎは、同じ幅Ｗｗで形成されている。配線ＤＷｎｐの幅Ｗｗの中心位置Ｃｄｗｐと、配線ＤＷｎｎの幅Ｗｗの中心位置Ｃｄｗｎとは、第１方向Ｘにおいて、同じ位置に配置されている。すなわち、配線ＤＷｎｐと配線ＤＷｎｎは、ほぼ全幅に亘って、ＦＰＣ１の厚さ方向（Ｚ方向）に重なって位置している。これにより、配線ＤＷｎｐと配線ＤＷｎｎとの間隔は、ベース基材ＰＩ１の厚さによって決定される。以下で、第１方向Ｘにおいて、「複数の物体の幅の中心位置が同じ位置に配置されていること」を、単に、「同じ位置に配置されている」と表現する。複数の物体の幅の中心位置が第１方向Ｘにおいて同じ位置に配置されていることを「重なっている」と表現することもある。また、配線ＤＷｎｐと配線ＤＷｎｎとの間には、結合容量ＣＣｎが形成される。

グランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１は、それぞれ、上配線ＧＷｎａ、ＧＷｎ＋１ａと、下配線ＧＷｎｂ、ＧＷｎ＋１ｂと、接続部ＧＷｎｃ、ＧＷｎ＋１ｃと、を備えている。グランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１は、それぞれ、接地（グランド）電位に設定されている。グランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１において、上配線ＧＷｎａ、ＧＷｎ＋１ａと下配線ＧＷｎｂ、ＧＷｎ＋１ｂとは、それぞれ、導電性の金属部材で形成され、例えば、銅を含む金属部材、又は銅を主成分とする合金部材で形成されている。グランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１において、上配線ＧＷｎａ、ＧＷｎ＋１ａは、それぞれ、ベース基材ＰＩ１の上に位置し、下配線ＧＷｎｂ、ＧＷｎ＋１ｂは、それぞれ、ベース基材ＰＩ１の下に位置している。グランド配線ＧＷ、ＧＷｎ＋１において、上配線ＧＷｎａ、ＧＷｎ＋１ａと下配線ＧＷｎｂ、ＧＷｎ＋１ｂとは、それぞれ、ベース基材ＰＩ１を貫通して形成されたスルーホールＧＨｎ、ＧＨｎ＋１に設けられた接続部ＧＷｎｃ、ＧＷｎ＋１ｃを介して電気的に接続されている。なお、接続部ＧＷｎｃ、ＧＷｎ＋１ｃは、なくとも良い。

図示した例では、グランド配線ＧＷｎの上配線ＧＷｎａは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐに対して第１方向Ｘの矢印の方向（以下、左側と称する）に間隔Ｗｌで離れている。同様に、グランド配線ＧＷｎの下配線ＧＷｎｂは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｎに対して第１方向Ｘの左側に間隔Ｗｌで離れている。上配線ＧＷｎａと下配線ＧＷｎｂとは、ベース基材ＰＩ１を介して対向している。グランド配線ＧＷｎにおいて、上配線ＧＷｎａ及び下配線ＧＷｎｂは、同じ幅で形成されている。図示した例では、上配線ＧＷｎａの幅方向の中心位置ＣｇＬｐと、下配線ＧＷｎｂの幅方向の中心位置ＣｇＬｎとは、第１方向Ｘにおいて、同じ位置に配置されている。また、配線ＤＷｎｐと上配線ＧＷｎａとの間には、結合容量ＣＧｎが形成され、配線ＤＷｎｎと下配線ＧＷｎｂとの間には、結合容量ＣＧｎ＋１が形成されている。

一方、図示した例では、グランド配線ＧＷｎ＋１の上配線ＧＷｎ＋１ａは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐに対して第１方向Ｘの左側と反対の方向（以下、右側と称する）に間隔Ｗｌで離れている。同様に、グランド配線ＧＷｎ＋１の下配線ＧＷｎ＋１ｂは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｎに対して第１方向Ｘの右側に間隔Ｗｌで離れている。上配線ＧＷｎ＋１ａと下配線ＧＷｎ＋１ｂとは、ベース基材ＰＩ１を介して対向している。グランド配線ＧＷｎ＋１において、上配線ＧＷｎ＋１ａ及び下配線ＧＷｎ＋１ｂとは、同じ幅で形成されている。図示した例では、上配線ＧＷｎ＋１ａの幅方向の中心位置ＣｇＲｐと、下配線ＧＷｎ＋１ｂの幅方向の中心位置ＣｇＲｎとは、第１方向Ｘにおいて、同じ位置に配置されている。また、配線ＤＷｎｐと上配線ＧＷｎ＋１ａとの間には、結合容量ＣＧｎ＋２が形成され、配線ＤＷｎｎと下配線ＧＷｎ＋１ｂとの間には、結合容量ＣＧｎ＋３が形成される。

第１接着層ＡＤＨ１は、ベース基材ＰＩ１の上に位置し、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐとグランド配線の上配線ＧＷｎａ、ＧＷｎ＋１ａとを覆っている。第１接着層ＡＤＨ１は、絶縁性の材料で形成されている。第１接着層ＡＤＨ１は、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等で形成されている。第１被覆層ＰＩ２は、第１接着層ＡＤＨ１の上に位置している。第１被覆層ＰＩ２は、絶縁性の材料で形成されている。例えば、第１被覆層ＰＩ２は、ポリエステル系樹脂、ポリイミド、液晶ポリマー等で形成されている。

第２接着層ＡＤＨ２は、ベース基材ＰＩ１の下に位置し、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｎとグランド配線の下配線ＧＷｎｂ、ＧＷｎ＋１ｂとを覆っている。第２接着層ＡＤＨ２は、絶縁性の材料で形成されている。第２接着層ＡＤＨ２は、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等で形成されている。第２被覆層ＰＩ３は、第２接着層ＡＤＨ２の下に位置している。第２被覆層ＰＩ３は、絶縁性の材料で形成されている。例えば、第１被覆層ＰＩ２は、ポリエステル系樹脂、ポリイミド、液晶ポリマー等で形成されている。

図２０は、比較例のフレキシブル配線基板ＦＰＣ２の構成の一例を示す平面図である。図２０には１つの差動配線ＤＷｎと、この差動配線の両隣に設けられた２つのグランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１とのみを示しているが、実際には図６に示したように差動配線とグランド配線とが交互に配列されている。説明の便宜上、差動配線ＤＷｎと、差動配線ＤＷｎの第１方向Ｘにおいて両隣に設けられたグランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１とで構成される１つの差動伝送路を用いてフレキシブル配線基板ＦＰＣ２の一部の構造を説明する。図２１は、図２０に示したＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿って切断したフレキシブル配線基板ＦＰＣ２の一部の構成を示す断面図である。比較例に係るフレキシブル配線基板ＦＰＣ２において、上述した本実施形態のフレキシブル配線基板ＦＰＣ１と同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を簡略化あるいは省略する。

フレキシブル配線基板ＦＰＣ２は、大別すると、接続部ＣＮＴ１、ＣＮＴ２と、配線部ＷＰ２とで構成されている。配線部ＷＰ２は、接続部ＣＮＴ１とＣＮＴ２との間に位置している。配線部ＷＰ２は、グランド層ＧＬを備えている。図示した例では、フレキシブル配線基板ＦＰＣ２において、差動配線ＤＷは、接続部ＣＮＴ１から配線部ＷＰ２を通って接続部ＣＮＴ２に延長している。同様に、フレキシブル配線基板ＦＰＣ２において、グランド配線ＧＷも、接続部ＣＮＴ１から配線部ＷＰ２を通って接続部ＣＮＴ２に延長している。また、平面視した場合、差動配線ＤＷｎとグランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１とは、グランド層ＧＬに重なっている。

比較例に係るフレキシブル配線基板ＦＰＣ２において、各差動配線ＤＷｎを構成するペアの配線ＤＷｎｐ及び配線ＤＷｎｎは、ベース基材ＰＩ１の同一表面上に設けられている。配線ＤＷｎｐ及び配線ＤＷｎｎは、第１方向において、Ｘ間隔Ｗｃで離れている。配線ＤＷｎｐと配線ＤＷｎｎとの間には、結合容量ＣＣｎ０が形成される。グランド層ＧＬは、ベース基材ＰＩ１の下に位置している。例えば、グランド層ＧＬは、ベタ電極としてベース基材ＰＩ１の下に貼着されている。配線ＤＷｎｐとグランド層ＧＬとの間には、結合容量ＣＣｎｐが形成され、配線ＤＷｎｎとグランド層ＧＬとの間には、結合容量ＣＣｎｎが形成される。

フレキシブル配線基板ＦＰＣ２において、グランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１は、それぞれ、上配線ＧＷｎａ、ＧＷｎ＋１ａと、接続部ＧＷｎｃ、ＧＷｎ＋１ｃとを備えている。グランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１において、上配線ＧＷｎａ、ＧＷｎ＋１ａは、それぞれ、スルーホールＧＨｎ、ＧＨｎ＋１に設けられた接続部ＧＷｎｃ、ＧＷｎ＋１ｃを介してグランド層ＧＬに電気的に接続されている。第１接着層ＡＤＨ１は、ベース基材ＰＩ１の上に位置し、差動配線ＤＷｎとグランド配線の上配線ＧＷｎａ、ＧＷｎ＋１ａとを覆っている。第２接着層ＡＤＨ２は、グランド層ＧＬの下に位置している。

図示した例では、グランド配線ＧＷｎの上配線ＧＷｎａは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐに対して第１方向の左側に間隔Ｗｌで離れている。差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｎは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐに対して第１方向の右側に間隔Ｗｃで離れている。グランド配線ＧＷｎ＋１の上配線ＧＷｎ＋１ａは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｎに対して第１方向の右側に間隔Ｗｌで離れている。したがって、比較例において、１つの差動配線ＤＷｎを設置した場合の差動配線ＤＷｎの幅と差動配線ＤＷｎの第１方向Ｘの両隣に位置する２つのグランド配線（ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１）の間隔との合計値（以下、設置幅と称する）は、幅Ｗｔ０（＝Ｗｌ＋Ｗｗ＋Ｗｃ＋Ｗｗ＋Ｗｌ）となる。すなわち、フレキシブル配線基板ＦＰＣ２において、１つの差動配線の設置幅は、幅Ｗｔ０である。

一方、図７に戻って、本実施形態において、配線の設置幅は、幅Ｗｔ１（＝Ｗｌ＋Ｗｗ＋Ｗｌ）である。このように、本実施形態によれば、配線の設置幅Ｗｔ１は、比較例に係る比較例のフレキシブル配線基板ＦＰＣ２の配線の設置幅Ｗｔ０よりも狭くなる。すなわち、本実施形態のフレキシブル配線基板ＦＰＣ１は、比較例のフレキシブル配線基板ＦＰＣ２と比べて、第１方向Ｘにおいて、１つの差動配線毎に、配線ＤＷｎｐ及びＤＷｎｎの間の間隔Ｗｃと配線ＤＷｎｐ及びＤＷｎｎの内のいずれか一方の配線の幅Ｗｗとの間隔分の設置幅を短くすることができる。このため、本実施形態のフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の配線部ＷＰ１は、比較例のフレキシブル配線基板ＦＰＣ２のように、差動配線のペアとなる配線を同一の層上で、且つ平行に並べた配線部ＷＰ２の幅よりも小さくすることができる。

図８は、図６に示したＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿って切断したフレキシブル配線基板ＦＰＣ１と第１基板ＳＵＢ１との一部の構成を示す断面図である。図８では、接続部ＣＮＴ１側のフレキシブル配線基板ＦＰＣ１及び第１基板ＳＵＢ１の断面を示している。
図示した例では、差動配線ＤＷｎは、配線部ＷＰ１においてベース基材ＰＩ１の上に位置している。差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐは、第１部ＤＷｎｐａと、第２部ＤＷｎｐｂと、第３部ＤＷｎｐｃとで構成されている。第１部ＤＷｎｐａは、ベース基材ＰＩ１の下に位置し、一端部が端子部Ｔｓｎに接続され、他の端部が第３部ＤＷｎｐｃに接続されている。第２部ＤＷｎｐｂは、ベース基材ＰＩ１の上に位置し、一端部が第３部ＤＷｎｐｃに接続され、他端部がベース基材ＰＩ１に沿って延長している。第３部ＤＷｎｐｃは、接続部ＣＮＴ１においてベース基材ＰＩ１を貫通して形成されたスルーホールＴＨｓｎに位置している。なお、第３部ＤＷｎｐｃは、スルーホールＴＨｓｎに充填されているが、第１部ＤＷｎｐａ及び第２部ＤＷｎｐｂにそれぞれ接続されていれば、スルーホールＴＨｓｎの内壁のみに設けられていてもよい。なお、配線ＤＷｎｐが第１部ＤＷｎｐａと、第２部ＤＷｎｐｂと、第３部ＤＷｎｐｃとを備えているとしたが、第１部ＤＷｎｐａ、第２部ＤＷｎｐｂ及び第３部ＤＷｎｐｃは、それぞれ、別体で形成されていてもよい。

端子部Ｔｓｎは、導電部材、例えば、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）等を介して第１基板ＳＵＢ１の実装端子５に備えられたパッドＰｓｎに電気的に接続されている。パッドＰｓｎは、導電性部材、例えば、透明電極であり、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）等で構成される。図示した例では、パッドＰｓｎは、第３絶縁膜１３に形成されたコンタクトホールＣＨｎの内側を覆い、金属層ＭＬに接触し、一部が第３絶縁膜１３の上にしている。なお、パッドＰｓｎは、金属層ＭＬに接触しているように記載したが、共通電極ＣＯＭＥ、信号線Ｓや走査線等の他の導電層に電気的に接続されるように構成されていてもよい。なお、ここでは、端子部Ｔｓｎと、端子部Ｔｓｎに接続されている差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐとの断面のみについて、説明したが、他の端子部Ｔｓ（Ｔｓｎ−４、Ｔｓｎ−３、Ｔｓｎ−２、Ｔｓｎ−１、Ｔｓｎ＋１、Ｔｓｎ＋２、Ｔｓｎ＋３、Ｔｓｎ＋４、Ｔｓｎ＋５…）と、これら他の端子部Ｔｓに接続されている他の差動配線（ＤＷｎ＋１、ＤＷｎ＋２…）又はグランド配線ＧＷ（ＧＷｎ−１、ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１…）との断面にも同様の構成が適用できる。また、接続部ＣＮＴ１側のみについて説明したが、接続部ＣＮＴ２側の端子部Ｔｈの断面にも同様の構成を適用してもよいし、他の構成が適用されていてもよい。

上記したフレキシブル配線基板ＦＰＣ１によれば、差動配線ＤＷのプラス信号を伝送する配線とマイナス信号を伝送する配線とがベース基材ＰＩ１を介して対向しているために、プラス信号を伝送する配線とマイナス信号を伝送する配線との間隔は、ベース基材ＰＩ１の厚みで決定される。したがって、比較例のフレキシブル配線基板２と比較して、本実施形態のフレキシブル配線基板１は、差動配線ＤＷのペアとなる２つの配線の対称性を確保できる。そのため、フレキシブル配線基板１は、差動効果、例えば、ノイズを除去する効果が向上する。したがって、フレキシブル配線基板１を備えた表示装置ＤＳＰは、安定してデータを差動伝送することができる。また、差動インピーダンスＺｄｉｆｆは、ペアとなる２本の配線や周辺部材の配置等の設計により、主に、差動配線ＤＷとグランド配線ＧＷとの結合容量を調整することで制御できる。結合容量は、差動配線ＤＷとグランド配線ＧＷとの距離に基づいて決定される。例えば、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１の１つの差動配線ＤＷｎにおいて、差動インピーダンスＺｎｄｉｆｆは、主に、結合容量ＣＣｎ、ＣＧｎ、ＣＧｎ＋１、ＣＧｎ＋２、及び、ＣＧｎ＋３を調整することにより制御できる。

本実施形態によれば、表示装置ＤＳＰにおいて、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１は、差動配線ＤＷのプラス信号を伝送する配線とマイナス信号を伝送する配線とがベース基材ＰＩ１に介して対向して構成されているために、ペアの配線を同一平面上に設けた場合に比較して、配線設置幅および設置面積を小さくすることができる。すなわち、ベース基材ＰＩ１の両面を配線設置領域として活用でき、配線設置幅および設置領域の面積を削減することが可能となる。これにより、フレキシブル配線基板の小型化および製造コストの低減を図ることができるとともに、設計の自由度を上げることができる。以上のことから、小型化が可能なフレキシブル配線基板ＦＰＣ１を備える表示装置ＤＳＰを提供することができる。

次に、変形例および他の実施形態に係るフレキシブル配線基板について説明する。以下に説明する変形例および他の実施形態において、前述した第１実施形態と同一の部分には、同一の参照符号を付しその詳細な説明を省略あるいは簡略化し、第１実施形態と異なる部分を中心に詳細に説明する。

図９は、変形例に係るフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の構成の一例を示す平面図である。図９に示した変形例のフレキシブル配線基板ＦＰＣ１は、図６に示したフレキシブル配線基板ＦＰＣ１と比較して、スルーホールＴＨｓとスルーホールＴＨｈとが、第２方向Ｙにおいて、互いに近づく方向に位置が変更されている。そのため、変形例のフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の配線部ＷＰ１は、第１実施形態のフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の配線部ＷＰ１よりも第２方向Ｙの長さが短くなっている。なお、図示した例では、スルーホールＴＨｓ及びＴＨｈの両方の位置を変更しているが、スルーホールＴＨｓ及びＴＨｈの内のいずれか一方の位置を変更してもよい。また、変形例のフレキシブル配線基板ＦＰＣ１では、接続部ＣＮＴ１及び接続部ＣＮＴ２が階段状に形成されている。図示した例では、接続部ＣＮＴ１及び接続部ＣＮＴ２は、それぞれ、２段の階段状に形成されている。変形例によれば、上記第１実施形態と同様の効果が得られる。加えて、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１において、スルーホールＴＨｓ及びＴＨｈを移動して設けることで、配線部ＷＰ１の位置や長さを変更することができる。そのため、フレキシブル配線基板１の設計の自由度が向上する。

以下で、説明の便宜上、差動配線ＤＷｎと、差動配線ＤＷｎの第１方向Ｘにおいて両隣に設けられたグランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１とで構成される１つの差動伝送路を用いてフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の一部の構造を説明する。なお、差動配線ＤＷｎ以外の他の差動配線ＤＷｎ＋１、ＤＷｎ＋２…とグランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１以外の他のグランド配線ＧＷｎ＋２、ＧＷｎ＋３…とでそれぞれ構成される他の差動伝送路にも、差動配線ＤＷｎとグランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１とで構成される差動伝送路と同様の構成が適用できる。

図１０は、第２実施形態に係るフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の構成の一例を示す平面図である。図１０には１つの差動配線ＤＷｎと、この差動配線の両隣に設けられた２つのグランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１とのみを示しているが、実際には図６に示したように差動配線とグランド配線とが交互に配列されている。説明の便宜上、差動配線ＤＷｎと、差動配線ＤＷｎの第１方向Ｘにおいて両隣に設けられたグランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１とで構成される１つの差動伝送路を用いてフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の一部の構造を説明する。図１１は、図１０に示したＸＩ−ＸＩ線に沿って切断したフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の一部の構造の一例を示す断面図である。
第２実施形態に係るフレキシブル配線基板ＦＰＣ１は、平面視した場合、配線部ＷＰ１で差動配線ＤＷｎとグランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１との配置が第１実施形態と相違している。図１０及び図１１に示す例では、ベース基材ＰＩ１の一面側に設けられた配線ＤＷｎｐ、グランド配線ＧＷｎａ、ＧＷｎ+１ａは、それぞれ、ベース基材ＰＩ１の他面側に設けられた配線ＤＷｎｎ、グランド配線ＧＷｎｂ、ＧＷｎ+１ｂに対して、面方向（第１Ｘ方向）にずれて配置され、全幅が重なることなく、一部がＺ方向に重なって配置されている。

図１１に示した例では、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐ、ＤＷｎｎの設置幅は、それぞれ、Ｗｔ１（＝Ｗｌ＋Ｗｗ＋Ｗｌ）である。差動配線ＤＷｎにおいて、配線ＤＷｎｐの中心位置Ｃｄｗｐと、配線ＤＷｎｎの中心位置Ｃｄｗｎとは、第１方向Ｘにおいて、互い異なる位置に配置されている。配線ＤＷｎｐと配線ＤＷｎｎとは、一部が対向している。このように、複数の配線の幅の中心位置が第１方向Ｘにおいて、互いに異なる配置されていることを「ずれている」又は「一部が重なっている」と表現することもある。グランド配線ＧＷｎの上配線ＧＷｎａは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐに対して第１方向Ｘの左側に間隔Ｗｌで離れている。グランド配線ＧＷｎの下配線ＧＷｎｂは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｎに対して第1方向Ｘの左側にＷｌで離れている。グランド配線ＧＷｎにおいて、上配線ＧＷｎａと、下配線ＧＷｎｂとは、第１方向Ｘにおいて互いにずれている。一方、グランド配線ＧＷｎ＋１の上配線ＧＷｎ＋１ａは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐに対して第１方向Ｘの右側に間隔Ｗｌで離れている。グランド配線ＧＷｎ＋１の下配線ＧＷｎ＋１ｂは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｎに対して第１方向Ｘの右側に間隔Ｗｌで離れている。グランド配線ＧＷｎ＋１において、上配線ＧＷｎ＋１ａと、下配線ＧＷｎ＋１ｂとは、第１方向Ｘにおいて、互いにずれている。

図１１に示したフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の構造において、結合容量ＣＣｎｓは、配線ＤＷｎｐ及び配線ＤＷｎｎの間に形成される。結合容量ＣＣｎｓは、配線ＤＷｎｐと配線ＤＷｎｎの距離に基づいて決定される。さらに、結合容量ＣＣｎｓは、配線ＤＷｎｐと配線ＤＷｎｎとが重なっている面積に基づいて決定される。
このような第２実施形態においても、前述した第１実施形態と同様の作用効果が得られる。加えて、差動配線ＤＷのペアとなる２つの配線を第１方向Ｘにずらして配置することで、これら２つの配線の中心間の距離を変更できる。このような距離の変更に応じて、差動配線ＤＷの２つ配線間に生じる結合容量、例えば、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐ及びＤＷｎｎの間の結合容量ＣＣｎｓを任意に調整することができる。さらに、例えば、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐ及びＤＷｎｎの間の結合容量ＣＣｎｓは、配線ＤＷｎｐと配線ＤＷｎｎとが重なっている面積を変更することで、調整することができる。したがって、本実施形態に係る表示装置では、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１の差動インピーダンスＺｄｉｆｆを適切に設定し、制御性を向上することが可能となる。

図１２は、第３実施形態に係るフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の構成の一例を示す平面図である。図１２には１つの差動配線ＤＷｎと、この差動配線の両隣に設けられた２つのグランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１とのみを示しているが、実際には図６に示したように差動配線とグランド配線とが交互に配列されている。説明の便宜上、差動配線ＤＷｎと、差動配線ＤＷｎの第１方向Ｘにおいて両隣に設けられたグランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１とで構成される１つの差動伝送路を用いてフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の一部の構造を説明する。図１３Ａは、図１２に示したＸＩＩＩＡ−ＸＩＩＩＡ線に沿って切断したフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の一部の構造を示す断面図であり、図１３Ｂは、図１２に示したＸＩＩＩＢ−ＸＩＩＩＢ線に沿って切断したフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の一部の構造を示す断面図である。

第３実施形態に係るフレキシブル配線基板ＦＰＣ１では、平面視した場合、配線部ＷＰ１において、差動配線ＤＷｎのペアとなる２つの配線がそれぞれ波状に設けられ、更に、波状の位相が配線の長手方向（第２方向Ｙ）にずれて位置するように重ねて配置され、所定の間隔毎に交差している。

図１３Ａは、図１２に示した波状に設けられた差動配線ＤＷｎの２つの配線が最も離れた位置の断面を示している。図示した例では、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐ、ＤＷｎｎの設置幅は、それぞれ、Ｗｔ１（＝Ｗｌｗ＋Ｗｗ＋Ｗｌｓ）である。差動配線ＤＷｎにおいて、配線ＤＷｎｐと、配線ＤＷｎｎとは、第１方向Ｘにおいて、互いにずれている。グランド配線ＧＷｎの上配線ＧＷｎａは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐに対して第１方向Ｘの左側に間隔Ｗｌｗで離れている。間隔Ｗｌｗは、間隔Ｗｌよりも大きい。グランド配線ＧＷｎの下配線ＧＷｎｂは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｎに対して第１方向Ｘの左側に間隔Ｗｌｓで離れている。間隔Ｗｌｓは、間隔Ｗｌよりも小さい。グランド配線ＧＷｎにおいて、上配線ＧＷｎａと、下配線ＧＷｎｂとは、第１方向Ｘにおいて同じ位置に配置されている。一方、グランド配線ＧＷｎ＋１の上配線ＧＷｎ＋１ａは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐに対して第１方向Ｘの右側に間隔Ｗｌｓで離れている。グランド配線ＧＷｎ＋１の下配線ＧＷｎ＋１ｂは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｎに対して第１方向Ｘの右側に間隔Ｗｌｗで離れている。グランド配線ＧＷｎ＋１において、上配線ＧＷｎ＋１ａと、下配線ＧＷｎ＋１ｂとは、第１方向Ｘにおいて同じ位置に配置されている。

図１３Ａに示したフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の構造において、結合容量ＣＣｎｓは、配線ＤＷｎｐと配線ＤＷｎｎとの間に形成される。結合容量ＣＧｎｗは、配線ＤＷｎｐと上配線ＧＷｎａとの間に形成される。結合容量ＣＧｎ＋１ｓは、配線ＤＷｎｎと下配線ＧＷｎｂとの間に形成される。結合容量ＣＧｎ＋２ｓは、配線ＤＷｎｐと上配線ＧＷｎ＋１ａとの間に形成される。結合容量ＣＧｎ＋３ｗは、配線ＤＷｎｎと下配線ＧＷｎ＋１ｂとの間に形成される。フレキシブル配線基板ＦＰＣ１において、図１３Ａに示した構造により、結合容量ＣＣｎｓ、ＣＧｎｗ、ＣＧｎ＋１ｓ、ＣＧｎ＋２ｓ及びＣＧｎ＋３ｗを調整することで、差動インピーダンスＺｎｄｉｆｆが制御できる。

図１３Ｂは、波状に設けられた差動配線ＤＷｎの２つの配線が交差する位置の断面を示している。このような２つの配線が交差する位置においては、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐと、配線ＤＷｎｎとは、第３方向Ｚに全幅が重なって、すなわち、中心が一致した状態で重なって配置されている。そのため、交差位置において、配線ＤＷｎｐと配線ＤＷｎｎとの間に形成される結合容量ＣＣｎは最も大きくなる。

図１３Ｃは、図１２に示したＸＩＩＩＣ−ＸＩＩＩＣ線に沿って切断したフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の一部の構造を示す断面図である。図１３Ｃは、図１２に示した波状に設けられた差動配線ＤＷｎの２つの配線が最も離れた位置の断面を示している。
図示した例では、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐ、ＤＷｎｎの設置幅は、それぞれ、Ｗｔ１（＝Ｗｌｗ＋Ｗｗ＋Ｗｌｓ）である。図示の位置において、配線ＤＷｎｐと配線ＤＷｎｎとは、それぞれ、図１３Ａに示した配線ＤＷｎｐと配線ＤＷｎｎと反対方向にずれている。グランド配線ＧＷｎの上配線ＧＷｎａは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐに対して第１方向Ｘの左側に間隔Ｗｌｓで離れている。グランド配線ＧＷｎの下配線ＧＷｎｂは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｎに対して第１方向Ｘの左側に間隔Ｗｌｗで離れている。一方、グランド配線ＧＷｎ＋１の上配線ＧＷｎ＋１ａは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐに対して第１方向Ｘの右側に間隔Ｗｌｗで離れている。グランド配線ＧＷｎ＋１の下配線ＧＷｎ＋１ｂは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｎに対して第１方向Ｘの右側に間隔Ｗｌｓで離れている。

図示の位置において、結合容量ＣＣｎｓは、配線ＤＷｎｐと配線ＤＷｎｎとの間に形成される。この配線ＤＷｎｐと配線ＤＷｎｎとの間に形成される結合容量ＣＣｎｓは、図１３Ｂに形成される結合容量より小さくなる。結合容量ＣＧｎｓは、配線ＤＷｎｐと上配線ＧＷｎａとの間に形成される。結合容量ＣＧｎ＋１ｗは、配線ＤＷｎｎと下配線ＧＷｎｂとの間に形成される。結合容量ＣＧｎ＋２ｗは、配線ＤＷｎｐと上配線ＧＷｎ＋１ａとの間に形成される。結合容量ＣＧｎ＋３ｓは、配線ＤＷｎｎと下配線ＧＷｎ＋１ｂとの間に形成される。フレキシブル配線基板ＦＰＣ１において、図１３Ｃに示した構造により、結合容量ＣＣｎｓ、ＣＧｎｓ、ＣＧｎ＋１ｗ、ＣＧｎ＋２ｗ及びＣＧｎ＋３ｓを調整することで差動インピーダンスＺｎｄｉｆｆが制御できる。

以上のように構成された第３実施形態においても、前述した第１実施形態と同様の作用効果が得られる。また、差動配線ＤＷｎを波状に形成し、所定の間隔を置いてペアの配線ＤＷｎｎとＤｗｎｐを交差させることにより、差動配線ＤＷｎの長手方向の各位置で形成される結合容量の大きさを変更することができる。従って、交差位置を調整することにより、差動配線ＤＷｎ全体の差動インピーダンスＺｎｄｉｆｆを適切な大きさに調整することができる。加えて、差動配線ＤＷのペアとなる２つの配線をずらして配置する部分と、２つの配線を交差させる部分とを形成することで、差動効果、例えば、ノイズを除去する効果を向上できる。したがって、本実施形態に係る表示装置は、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１において、差動インピーダンスＺｄｉｆｆの制御性を向上させるとともに、差動伝送の安定性も向上させることができる。

図１４は、第４実施形態に係るフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の構成の一例を示す平面図である。図１４には１つの差動配線ＤＷｎと、この差動配線の両隣に設けられた２つのグランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１とのみを示しているが、実際には図６に示したように差動配線とグランド配線とが交互に配列されている。説明の便宜上、差動配線ＤＷｎと、差動配線ＤＷｎの第１方向Ｘにおいて両隣に設けられたグランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１とで構成される１つの差動伝送路を用いてフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の一部の構造を説明する。
第４実施形態に係るフレキシブル配線基板ＦＰＣ１は、第１実施形態と比較して、配線部ＷＰ１でグランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１がそれぞれ波状に設けられている点が相違している。

図１５Ａは、図１４に示したＸＶＡ−ＸＶＡ線に沿って切断したフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の一部の構造を示す断面図である。図１５Ａは、図１４に示した波状に設けられたグランド配線ＧＷｎ及びＧＷｎ＋１が差動配線ＤＷｎに最も近づく位置の断面を示している。

図示した例では、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐ、ＤＷｎｎの設置幅は、それぞれ、Ｗｔ２（＝Ｗｌｓ＋Ｗｗ＋Ｗｌｓ）である。ここで、Ｗｔ２＜Ｗｔ１である。グランド配線ＧＷｎの上配線ＧＷｎａは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐに対して第１方向Ｘの左側に間隔Ｗｌｓで離れている。グランド配線ＧＷｎの下配線ＧＷｎｂは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｎに対して第１方向Ｘの左側に間隔Ｗｌｓで離れている。グランド配線ＧＷｎにおいて、上配線ＧＷｎａと、下配線ＧＷｎｂとは、第１方向Ｘにおいて同じ位置に配置されている。一方、グランド配線ＧＷｎ＋１の上配線ＧＷｎ＋１ａは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐに対して第１方向Ｘの右側に間隔Ｗｌｓで離れている。グランド配線ＧＷｎ＋１の下配線ＧＷｎ＋１ｂは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｎに対して第１方向Ｘの右側に間隔Ｗｌｓで離れている。グランド配線ＧＷｎ＋１において、上配線ＧＷｎ＋１ａと、下配線ＧＷｎ＋１ｂとは、第１方向Ｘにおいて同じ位置に配置されている。

図１５Ａに示したフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の構造において、結合容量ＣＣｎは、配線ＤＷｎｐと配線ＤＷｎｎとの間に形成される。結合容量ＣＧｎｓは、配線ＤＷｎｐと上配線ＧＷｎａとの間に形成される。結合容量ＣＧｎ＋１ｓは、配線ＤＷｎｎと下配線ＧＷｎｂとの間に形成される。結合容量ＣＧｎ＋２ｓは、配線ＤＷｎｐと上配線ＧＷｎ＋１ａとの間に形成される。結合容量ＣＧｎ＋３ｓは、配線ＤＷｎｎと下配線ＧＷｎ＋１ｂとの間に形成される。フレキシブル配線基板ＦＰＣ１において、図１５Ａに示した構造により、結合容量ＣＣｎ、ＣＧｎｓ、ＣＧｎ＋１ｓ、ＣＧｎ＋２ｓ及びＣＧｎ＋３ｓを調整することで、差動インピーダンスＺｎｄｉｆｆが制御できる。

図１５Ｂは、図１４に示したＸＶＢ−ＸＶＢ線に沿って切断したフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の一部の構造を示す断面図である。図１５Ｂは、図１４に示した波状に設けられたグランド配線ＧＷｎ及びＧＷｎ＋１が差動配線ＤＷｎから最も離れる位置の断面を示している。

図示した例では、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐ、ＤＷｎｎの設置幅は、それぞれ、Ｗｔ３（＝Ｗｌｗ＋Ｗｗ＋Ｗｌｗ）である。ここで、Ｗｔ１＜Ｗｔ３＜Ｗｔ０である。グランド配線ＧＷｎの上配線ＧＷｎａは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐに対して第１方向Ｘの左側に間隔Ｗｌｗで離れている。グランド配線ＧＷｎの下配線ＧＷｎｂは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｎに対して第１方向Ｘの左側に間隔Ｗｌｗで離れている。グランド配線ＧＷｎにおいて、上配線ＧＷｎａと、下配線ＧＷｎｂとは、第１方向Ｘにおいて同じ位置に配置されている。一方、グランド配線ＧＷｎ＋１の上配線ＧＷｎ＋１ａは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐに対して第１方向Ｘの右側に間隔Ｗｌｗで離れている。グランド配線ＧＷｎ＋１の下配線ＧＷｎ＋１ｂは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｎに対して第１方向Ｘの右側に間隔Ｗｌｗで離れている。グランド配線ＧＷｎ＋１において、上配線ＧＷｎ＋１ａと、下配線ＧＷｎ＋１ｂとは、第１方向Ｘにおいて、同じ位置に配置されている。

図１５Ｂに示したフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の構造において、結合容量ＣＣｎは、配線ＤＷｎｐと配線ＤＷｎｎとの間に形成される。結合容量ＣＧｎｗは、配線ＤＷｎｐと上配線ＧＷｎａとの間に形成される。結合容量ＣＧｎ＋１ｗは、配線ＤＷｎｎと下配線ＧＷｎｂとの間に形成される。結合容量ＣＧｎ＋２ｗは、配線ＤＷｎｐと上配線ＧＷｎ＋１ａとの間に形成される。結合容量ＣＧｎ＋３ｗは、配線ＤＷｎｎと下配線ＧＷｎ＋１ｂとの間に形成される。結合容量ＣＧｎｗ、ＣＧｎ＋１ｗ、ＣＧｎ＋２ｗ及びＣＧｎ＋３ｗは、結合容量ＣＧｎｓ、ＣＧｎ＋１ｓ、ＣＧｎ＋２ｓ及びＣＧｎ＋３ｓと比較して結合容量が小さい。したがって、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１において、図１５Ｂに示した構造により、結合容量ＣＣｎ、ＣＧｎｗ、ＣＧｎ＋１ｗ、ＣＧｎ＋２ｗ及びＣＧｎ＋３ｗを調整することで、差動インピーダンスＺｎｄｉｆｆが制御できる。

このような第４実施形態においても、前述した第１実施形態と同様の作用効果が得られる。加えて、グランド配線ＧＷを波状に設けることで、差動配線ＤＷとグランド配線ＧＷとの間隔を調整することができる。そのため、差動配線ＤＷとグランド配線ＧＷとの間に形成される結合容量を調整することができる。したがって、本実施形態に係る表示装置は、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１の差動インピーダンスＺｄｉｆｆの制御性が向上する。

図１６は、第５実施形態に係るフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の構成の一例を示す平面図である。図１６には１つの差動配線ＤＷｎと、この差動配線の両隣に設けられた２つのグランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１とのみを示しているが、実際には図６に示したように差動配線とグランド配線とが交互に配列されている。説明の便宜上、差動配線ＤＷｎと、差動配線ＤＷｎの第１方向Ｘにおいて両隣に設けられたグランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１とで構成される１つの差動伝送路を用いてフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の一部の構造を説明する。
第５実施形態に係るフレキシブル配線基板ＦＰＣ１は、前述した第１実施形態に比較して、配線部ＷＰ１でグランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１をそれぞれ構成する２つの配線が波状に設けられ、且つ所定の間隔毎に交差している点が相違している。

図１７Ａは、図１６に示したＸＶＩＩＡ−ＸＶＩＩＡ線に沿って切断したフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の一部の構造を示す断面図である。図１７Ａは、図１６に示した波状に設けられたグランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１のそれぞれを構成する２つの配線が最も離れた位置の断面を示している。

図示した例では、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐの設置幅は、Ｗｔ２（＝Ｗｌｓ＋Ｗｗ＋Ｗｌｓ）であり、配線ＤＷｎｎの設置幅は、Ｗｔ３（＝Ｗｌｗ＋Ｗｗ＋Ｗｌｗ）である。グランド配線ＧＷｎの上配線ＧＷｎａは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐに対して第１方向Ｘの左側に間隔Ｗｌｓで離れている。グランド配線ＧＷｎの下配線ＧＷｎｂは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｎに対して第１方向Ｘの左側に間隔Ｗｌｗで離れている。グランド配線ＧＷｎにおいて、上配線ＧＷｎａと下配線ＧＷｎｂとは、第１方向Ｘにおいて、互いにずれている。一方、グランド配線ＧＷｎ＋１の上配線ＧＷｎ＋１ａは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐに対して第１方向Ｘの右側に間隔Ｗｌｓで離れている。グランド配線ＧＷｎ＋１の下配線ＧＷｎ＋１ｂは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｎに対して第１方向Ｘの右側に間隔Ｗｌｗで離れている。グランド配線ＧＷｎ＋１において、上配線ＧＷｎ＋１ａと、下配線ＧＷｎ＋１ｂとは、第１方向Ｘにおいて、互いにずれている。

図１７Ａに示したフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の構造において、結合容量ＣＣｎは、配線ＤＷｎｐと配線ＤＷｎｎとの間に形成される。結合容量ＣＧｎｓは、配線ＤＷｎｐと上配線ＧＷｎａとの間に形成される。結合容量ＣＧｎ＋１ｗは、配線ＤＷｎｎと下配線ＧＷｎｂとの間に形成される。結合容量ＣＧｎ＋２ｓは、配線ＤＷｎｐと上配線ＧＷｎ＋１ａとの間に形成される。結合容量ＣＧｎ＋３ｗは、配線ＤＷｎｎと下配線ＧＷｎ＋１ｂとの間に形成される。結合容量ＣＧｎｓ及びＣＧｎ＋２ｓは、結合容量ＣＧｎ＋１ｗ及びＣＧｎ＋３ｗと比較して結合容量が大きい。フレキシブル配線基板ＦＰＣ１において、図１７Ａに示した構造により、結合容量ＣＣｎ、ＣＧｎｓ、ＣＧｎ＋１ｗ、ＣＧｎ＋２ｓ及びＣＧｎ＋３ｗを調整することで、差動インピーダンスＺｎｄｉｆｆが制御できる。

図１７Ｂは、図１６に示したＸＶＩＩＢ−ＸＶＩＩＢ線に沿って切断したフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の一部の構造を示す断面図である。図１７Ｂは、図１６に示した波状に設けられたグランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１のそれぞれを構成する２つの配線が最も離れた位置の断面を示している。

図示した例では、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐの設置幅は、Ｗｔ３（＝Ｗｌｗ＋Ｗｗ＋Ｗｌｗ）であり、配線ＤＷｎｎの設置幅は、Ｗｔ２（＝Ｗｌｓ＋Ｗｗ＋Ｗｌｓ）である。グランド配線ＧＷｎの上配線ＧＷｎａは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐに対して第１方向Ｘの左側に間隔Ｗｌｗで離れている。グランド配線ＧＷｎの下配線ＧＷｎｂは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｎに対して第１方向Ｘの左側に間隔Ｗｌｓで離れている。グランド配線ＧＷｎにおいて、上配線ＧＷｎａと、下配線ＧＷｎｂとは、第１方向Ｘにおいて、互いにずれている。一方、グランド配線ＧＷｎ＋１の上配線ＧＷｎ＋１ａは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐに対して第１方向Ｘの右側に間隔Ｗｌｗで離れている。グランド配線ＧＷｎ＋１の下配線ＧＷｎ＋１ｂは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｎに対して第１方向Ｘの右側に間隔Ｗｌｓで離れている。グランド配線ＧＷｎ＋１において、上配線ＧＷｎ＋１ａと、下配線ＧＷｎ＋１ｂとは、第１方向Ｘにおいて、互いにずれている。

図１７Ｂに示したフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の構造において、結合容量ＣＣｎは、配線ＤＷｎｐと配線ＤＷｎｎとの間に形成される。結合容量ＣＧｎｗは、配線ＤＷｎｐと上配線ＧＷｎａとの間に形成される。結合容量ＣＧｎ＋１ｓは、配線ＤＷｎｎと下配線ＧＷｎｂとの間に形成される。結合容量ＣＧｎ＋２ｗは、配線ＤＷｎｐと上配線ＧＷｎ＋１ａとの間に形成される。結合容量ＣＧｎ＋３ｓは、配線ＤＷｎｎと下配線ＧＷｎ＋１ｂとの間に形成される。結合容量ＣＧｎｗ及びＣＧｎ＋２ｗは、結合容量ＣＧｎ＋１ｓ及びＣＧｎ＋３ｓと比較して結合容量が小さい。したがって、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１において、図１７Ｂに示した構造により、結合容量ＣＣｎ、ＣＧｎｗ、ＣＧｎ＋１ｓ、ＣＧｎ＋２ｗ及びＣＧｎ＋３ｓを調整することで、差動インピーダンスＺｎｄｉｆｆが制御できる。

このような第５実施形態においても、上記同様の効果が得られる。加えて、グランド配線ＧＷを構成する２つの配線が波状に設けれ、且つ所定の間隔毎に交差させることで、差動配線ＤＷとグランド配線ＧＷとの間隔を調整することができる。そのため、差動配線ＤＷとグランド配線ＧＷとの間に形成される結合容量を調整することができる。したがって、本実施形態に係る表示装置は、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１の差動インピーダンスＺｄｉｆｆの制御性が向上する。

図１８は、第６実施形態に係るフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の構成の一例を示す平面図である。図１８には１つの差動配線ＤＷｎと、この差動配線の両隣に設けられた２つのグランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１とのみを示しているが、実際には図６に示したように差動配線とグランド配線とが交互に配列されている。説明の便宜上、差動配線ＤＷｎと、差動配線ＤＷｎの第１方向Ｘにおいて両隣に設けられたグランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１とで構成される１つの差動伝送路を用いてフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の一部の構造を説明する。

第６実施形態に係るフレキシブル配線基板ＦＰＣ１は、第１実施形態に比較して、配線部ＷＰ１で差動配線ＤＷｎのペアとなる２つの配線と、グランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１をそれぞれ構成する２つの配線とが、それぞれ、波状に設けられ、且つ所定の間隔毎に交差している点が相違している。

図１９Ａは、図１８に示したＸＩＸＡ−ＸＩＸＡ線に沿って切断したフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の一部の構造を示す断面図であり、図１９Ｂは、図１８に示したＸＩＸＢ−ＸＩＸＢ線に沿って切断したフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の一部の構造を示す断面図であり、図１９Ｃは、図１８に示したＸＩＸＣ−ＸＩＸＣ線に沿って切断したフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の一部の構造を示す断面図である。
図１９Ａは、図１８に示した波状に設けられた差動配線ＤＷｎの２つの配線と、グランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１をそれぞれ構成する２つの配線とが、それぞれ、最も離れた位置の断面を示している。図示した例では、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐ、ＤＷｎｎの設置幅は、それぞれ、Ｗｔ１（＝Ｗｌ＋Ｗｗ＋Ｗｌ）である。差動配線ＤＷｎにおいて、配線ＤＷｎｐと、配線ＤＷｎｎとは、第１方向Ｘにおいて、互いにずれている。グランド配線ＧＷｎの上配線ＧＷｎａは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐに対して第１方向Ｘの左側に間隔Ｗｌで離れている。グランド配線ＧＷｎの下配線ＧＷｎｂは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｎに対して第１方向Ｘの左側に間隔Ｗｌで離れている。グランド配線ＧＷｎにおいて、上配線ＧＷｎａと、下配線ＧＷｎｂとは、第１方向Ｘにおいて互いにずれている。一方、グランド配線ＧＷｎ＋１の上配線ＧＷｎ＋１ａは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐに対して第１方向Ｘの右側に間隔Ｗｌで離れている。グランド配線ＧＷｎ＋１の下配線ＧＷｎ＋１ｂは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｎに対して第１方向Ｘの右側に間隔Ｗｌで離れている。グランド配線ＧＷｎ＋１において、上配線ＧＷｎ＋１ａと、下配線ＧＷｎ＋１ｂとは、第１方向Ｘにおいて互いにずれている。

図１９Ａに示したフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の構造において、結合容量ＣＣｎｓは、配線ＤＷｎｐと配線ＤＷｎｎとの間に形成される。結合容量ＣＧｎは、配線ＤＷｎｐと上配線ＧＷｎａとの間に形成される。結合容量ＣＧｎ＋１は、配線ＤＷｎｎと下配線ＧＷｎｂとの間に形成される。結合容量ＣＧｎ＋２は、配線ＤＷｎｐと上配線ＧＷｎ＋１ａとの間に形成される。結合容量ＣＧｎ＋３は、配線ＤＷｎｎと下配線ＧＷｎ＋１ｂとの間に形成される。フレキシブル配線基板ＦＰＣ１において、図１９Ａに示した構造により、結合容量ＣＣｎｓ、ＣＧｎ、ＣＧｎ＋１、ＣＧｎ＋２及びＣＧｎ＋３を調整することで、差動インピーダンスＺｎｄｉｆｆが制御できる。

図１９Ｂは、波状に設けられた差動配線ＤＷｎの２つの配線と、グランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１のそれぞれを構成する２つの配線とがそれぞれ交差する位置の断面を示している。このような２つの配線が交差する位置においては、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐと、配線ＤＷｎｎとは、第３方向Ｚに全幅が重なって、すなわち、中心が一致した状態で重なって配置されている。そのため、交差位置において、配線ＤＷｎｐと配線ＤＷｎｎとの間に形成される結合容量ＣＣｎは最も大きくなる。この位置においては、グランド配線ＧＷｎの上配線ＧＷｎａと下配線ＧＷｎｂとは、第３方向Ｚに全幅が重なっている。同様に、グランド配線ＧＷｎ＋１の上配線ＧＷｎ＋１ａと下配線ＧＷｎ＋１ｂとは、第３方向Ｚに全幅が重なっている。

図１９Ｃは、図１８に示したＸＩＸＣ−ＸＩＸＣ線に沿って切断したフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の一部の構造を示す断面図である。図１９Ｃは、図１８に示した波状に設けられた差動配線ＤＷｎの２つの配線と、グランド配線ＧＷｎ、ＧＷｎ＋１をそれぞれ構成する２つの配線とが、それぞれ、最も離れた位置の断面を示している。

図示した例では、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐ、ＤＷｎｎの設置幅は、それぞれ、Ｗｔ１（＝Ｗｌ＋Ｗｗ＋Ｗｌ）である。図示した位置において、配線ＤＷｎｐと配線ＤＷｎｎとは、それぞれ、図１９Ａに示した配線ＤＷｎｐと配線ＤＷｎｎと第１方向Ｘで反対方向にずれている。同様に、グランド配線ＧＷｎの上配線ＧＷｎａと下配線ＧＷｎｂとは、それぞれ、図１９Ａに示した上配線ＧＷｎａと下配線ＧＷｎｂと第１方向Ｘで反対方向にずれている。グランド配線ＧＷｎ＋１の上配線ＧＷｎ＋１ａと下配線ＧＷｎ＋１ｂとは、それぞれ、図１９Ａに示した上配線ＧＷｎ＋１ａと下配線ＧＷｎ＋１ｂと第１方向Ｘで反対方向にずれている。グランド配線ＧＷｎの上配線ＧＷｎａは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐに対して第１方向Ｘの左側に間隔Ｗｌで離れている。グランド配線ＧＷｎの下配線ＧＷｎｂは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｎに対して第１方向Ｘの左側に間隔Ｗｌで離れている。一方、グランド配線ＧＷｎ＋１の上配線ＧＷｎ＋１ａは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｐに対して第１方向Ｘの右側に間隔Ｗｌで離れている。グランド配線ＧＷｎ＋１の下配線ＧＷｎ＋１ｂは、差動配線ＤＷｎの配線ＤＷｎｎに対して第１方向Ｘの右側に間隔Ｗｌで離れている。

図１９Ｃに示したフレキシブル配線基板ＦＰＣ１の構造において、結合容量ＣＣｎｓは、配線ＤＷｎｐと配線ＤＷｎｎとの間に形成される。結合容量ＣＧｎは、配線ＤＷｎｐと上配線ＧＷｎａとの間に形成される。結合容量ＣＧｎ＋１は、配線ＤＷｎｎと下配線ＧＷｎｂとの間に形成される。結合容量ＣＧｎ＋２は、配線ＤＷｎｐと上配線ＧＷｎ＋１ａとの間に形成される。結合容量ＣＧｎ＋３は、配線ＤＷｎｎと下配線ＧＷｎ＋１ｂとの間に形成される。フレキシブル配線基板ＦＰＣ１において、図１９Ｃに示した構造により、結合容量ＣＣｎｓ、ＣＧｎ、ＣＧｎ＋１、ＣＧｎ＋２及びＣＧｎ＋３を調整することで、差動インピーダンスＺｎｄｉｆｆが制御できる。

このような第６実施形態においても、上記同様の効果が得られる。加えて、波状に設けられた差動配線ＤＷの２つの配線とグランド配線ＧＷの２つの配線とが、それぞれ、第１方向Ｘで同じ間隔で設けられ、且つ第２方向Ｙに延長している。そのため、差動配線ＤＷとグランド配線ＧＷとの間の結合容量の均一性を確保できるため、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１において、差動配線ＤＷにおいて、差動インピーダンスが不連続となることを防止できる。したがって、本実施形態に係る表示装置は、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１において、差動インピーダンスＺｄｉｆｆの制御性を向上させるとともに、差動伝送の安定性も向上させることができる。

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

ＤＳＰ…表示装置 ＰＮＬ…表示パネル ＨＯＳ…ホスト装置
ＳＵＢ１…第１基板 ＳＵＢ２…第２基板 ＤＡ…表示領域 ＮＡ…非対向領域
ＦＰＣ１…フレキシブル配線基板 ＣＮＴ１…接続部 ＣＮＴ２…接続部
ＷＰ１…配線部 ＤＷ…差動配線 ＧＷ…グランド配線

Claims (24)

1. 端子部を有する表示パネルと、
   第１絶縁層と、前記第１絶縁層の第１表面に位置し、差動信号を伝送する第１配線と、前記第１絶縁層の前記第１表面に対向する第２表面に位置し、前記第１配線と容量結合を形成し、前記第１配線とともに前記差動信号を伝送する第２配線と、前記第１配線と容量結合を形成し、前記第１配線から離間して前記第１表面に位置する第１グランド配線と、前記第１配線と容量結合を形成し、前記第１グランド配線と反対側で前記第１配線から離間して前記第１表面に位置する第２グランド配線と、前記第２配線と容量結合を形成し、前記第２配線から離間して前記第２表面に位置する第３グランド配線と、前記第２配線と容量結合を形成し、前記第３グランド配線と反対側で前記第２配線から離間して前記第２表面に位置する第４グランド配線と、前記端子部に接続されている接続部と、を有する回路基板と、を備える表示装置。
2. 前記回路基板は、平面視した場合、前記第１配線と前記第２配線とが重なる第１部を備える請求項１に記載の表示装置。
3. 前記回路基板は、平面視した場合、前記第１配線と前記第２配線とがずれている第２部を備える請求項１又は２に記載の表示装置。
4. 前記回路基板は、前記第１絶縁層を貫通する貫通孔と、前記第１表面に位置し、且つ前記貫通孔を介して前記第２配線と電気的に接続された第３配線と、を備える請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
5. 前記回路基板は、平面視した場合、前記接続部と反対側に延長し、延長する方向で前記貫通孔が形成された位置よりも先で狭窄する狭窄部を備える請求項４に記載の表示装置。
6. 前記回路基板は、前記第１絶縁層の前記第１表面に対向する第２絶縁層と、前記第１絶縁層の前記第２表面に対向する第３絶縁層と、を備える請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記第１絶縁層は、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイアミドイミド樹脂、エポキシ樹脂、又は液晶ポリマーを有し、
   前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層は、ポリエステル系樹脂、ポリイミド、又は液晶ポリマーを有する、請求項６に記載の表示装置。
8. 前記回路基板は、前記第１絶縁層を貫通する第１接続孔と、前記第１絶縁層を貫通する第２接続孔と、前記第１接続孔を介して前記第１グランド配線と前記第３グランド配線とを接続する第１接続部と、前記第２接続孔を介して前記第２グランド配線と前記第４グランド配線とを接続する第２接続部と、を備える請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 前記回路基板は、平面視した場合、前記第１グランド配線と前記第３グランド配線とが重なる第３部を備える、請求項８に記載の表示装置。
10. 前記回路基板は、平面視した場合、前記第２グランド配線と前記第４グランド配線とが重なる第４部を備える、請求項８又は９に記載の表示装置。
11. 前記回路基板は、平面視した場合、前記第１グランド配線と前記第３グランド配線とがずれている第５部を備える、請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の表示装置。
12. 前記回路基板は、平面視した場合、前記第２グランド配線と前記第４グランド配線とがずれている第６部を備える、請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の表示装置。
13. 第１絶縁層と、前記第１絶縁層の第１表面に位置し、差動信号を伝送する第１配線と、前記第１絶縁層の前記第１表面に対向する第２表面に位置し、前記第１配線と容量結合を形成し、前記第１配線とともに前記差動信号を伝送する第２配線と、前記第１配線と容量結合を形成し、前記第１配線から離間して前記第１表面に位置する第１グランド配線と、前記第１配線と容量結合を形成し、前記第１グランド配線と反対側で前記第１配線から離間して前記第１表面に位置する第２グランド配線と、前記第２配線と容量結合を形成し、前記第２配線から離間して前記第２表面に位置する第３グランド配線と、前記第２配線と容量結合を形成し、前記第３グランド配線と反対側で前記第２配線から離間して前記第２表面に位置する第４グランド配線と、を備える回路基板。
14. 平面視した場合、前記第１配線と前記第２配線とが重なる第１部を備える、請求項１３に記載の回路基板。
15. 平面視した場合、前記第１配線と前記第２配線とがずれている第２部を備える、請求項１３、又は１４に記載の回路基板。
16. 前記第１絶縁層を貫通する貫通孔と、前記第１表面に位置し、且つ前記貫通孔を介して前記第２配線と電気的に接続された第３配線とを備える、請求項１３乃至１５のいずれか１項に記載の回路基板。
17. 平面視した場合、延長する方向で前記貫通孔が形成された位置よりも先で狭窄する狭窄部を備える請求項１６に記載の回路基板。
18. 前記第１絶縁層の前記第１表面に対向する第２絶縁層と、前記第１絶縁層の前記第２表面に対向する第３絶縁層と、を備える請求項１３乃至１７のいずれか１項に記載の回路基板。
19. 前記第１絶縁層は、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイアミドイミド樹脂、エポキシ樹脂、又は液晶ポリマーを有し、
    前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層は、ポリエステル系樹脂、ポリイミド、又は液晶ポリマー有する、請求項１８に記載の回路基板。
20. 前記第１絶縁層を貫通する第１接続孔と、前記第１絶縁層を貫通する第２接続孔と、前記第１接続孔を介して前記第１グランド配線と前記第３グランド配線とを接続する第１接続部と、前記第２接続孔を介して前記第２グランド配線と前記第４グランド配線とを接続する第２接続部と、を備える請求項１３乃至１９のいずれか１項に記載の回路基板。
21. 平面視した場合、前記第１グランド配線と前記第３グランド配線とが重なる第３部を備える請求項２０に記載の回路基板。
22. 平面視した場合、前記第２グランド配線と前記第４グランド配線とが重なる第４部を備える請求項２０、又は２１に記載の回路基板。
23. 平面視した場合、前記第１グランド配線と前記第３グランド配線とがずれている第５部を備える請求項２０乃至２２のいずれか１項に記載の回路基板。
24. 平面視した場合、前記第２グランド配線と前記第４グランド配線とがずれている第６部を備える請求項２０乃至２３のいずれか１項に記載の回路基板。

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