JP2018073943A - 半導体発光装置、ステム部品 - Google Patents
半導体発光装置、ステム部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018073943A JP2018073943A JP2016210773A JP2016210773A JP2018073943A JP 2018073943 A JP2018073943 A JP 2018073943A JP 2016210773 A JP2016210773 A JP 2016210773A JP 2016210773 A JP2016210773 A JP 2016210773A JP 2018073943 A JP2018073943 A JP 2018073943A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stem
- metal member
- cap
- emitting device
- semiconductor light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 68
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 68
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 30
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Ni] Chemical compound [Fe].[Co].[Ni] KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/4823—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a pin of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
- H01L2224/48249—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad protruding from the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/162—Disposition
- H01L2924/16251—Connecting to an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. cap-to-substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/163—Connection portion, e.g. seal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【課題】キャップ下端を主面の主面の外縁に近づけることを可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置は、第1面、第2面、及び第1面から前記第2面への第1方向に延在する開口を有するインナー部分、並びに前記インナー部分の外周に設けられたアウター部分を含むステムベースと、開口において支持されたリード部材と、インナー部分を囲むようにアウター部分の上面に設けられた閉じた形状の金属部材とを備えるステム部品と、ステム部品のインナー部分上に設けられた半導体光素子と、ステム部品の金属部材上に設けられたキャップと、を備え、インナー部分及びアウター部分は、第1方向に交差する基準面に沿って配置され、金属部材は、アウター部分の上面によって支持された第1部分と、アウター部分の縁より外側に延出する第2部分とを有する。
【選択図】図1
【解決手段】半導体発光装置は、第1面、第2面、及び第1面から前記第2面への第1方向に延在する開口を有するインナー部分、並びに前記インナー部分の外周に設けられたアウター部分を含むステムベースと、開口において支持されたリード部材と、インナー部分を囲むようにアウター部分の上面に設けられた閉じた形状の金属部材とを備えるステム部品と、ステム部品のインナー部分上に設けられた半導体光素子と、ステム部品の金属部材上に設けられたキャップと、を備え、インナー部分及びアウター部分は、第1方向に交差する基準面に沿って配置され、金属部材は、アウター部分の上面によって支持された第1部分と、アウター部分の縁より外側に延出する第2部分とを有する。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体発光装置、及び半導体発光装置のためのステム部品に関する。
特許文献1は、窒化物半導体発光装置を開示する。特許文献2は、半導体レーザ素子ユニットを開示する。
特許文献1の窒化物半導体発光装置は、ベース、ポスト、ベースの主面に設けられた溶接台を含む。ベースの主面は、主面の周辺に設けられた段差を有する。溶接台は、段差の側面に沿ってポストを取り囲むようにベースに固定される。溶接台は、ベースの周辺の全体にわたって、ベースの縁から離れている。
特許文献2は、第1ステム板及び第2ステム板を含む貼合構造を開示する。第1ステム板は、鋼板と、この鋼板に張り合わされた炭素鋼薄板とを含む。炭素鋼薄板は、鋼板の上面の形状と同じ上面形状を有する。
ステムは、半導体発光素子を搭載する台座を有しており、この台座は、半導体発光素子に放熱経路を提供する。ステムは、ステムに抵抗溶接されるキャップを搭載して、ステム及びキャップは、半導体発光素子を気密に封止するキャビティを形成する。発明者の検討によれば、より大きな台座は、例えばより高い放熱性能を有することができる。大きな台座は、大きなキャビティを必要とする。
求められていることは、所与のステムサイズにおいてより大きなキャビティの形成を可能にするステムを提供することである。
本発明の一側面は、キャップ下端をステムの主面の外縁に近づけることを可能にする半導体発光装置を提供することを目的とする。また、本発明の別の側面は、半導体発光装置のためのステム部品を提供することを目的とする。
本発明の一側面に係る半導体発光装置は、第1面、第2面、及び前記第1面から前記第2面への第1方向に延在する開口を有するインナー部分、並びに前記インナー部分の外周に設けられたアウター部分を含むステムベースと、前記開口において支持されたリード部材と、前記インナー部分を囲むように前記アウター部分の上面に設けられた閉じた形状の金属部材とを備えるステム部品と、前記ステム部品の前記インナー部分上に設けられた半導体光素子と、前記ステム部品の前記金属部材上に設けられたキャップと、を備え、前記インナー部分及び前記アウター部分は、前記第1方向に交差する基準面に沿って配置され、前記金属部材は、前記アウター部分の前記上面によって支持された第1部分と、前記アウター部分の縁より外側に延出する第2部分とを有する。
本発明の別の側面に係るステム部品は、第1面、第2面、及び前記第1面から前記第2面への第1方向に延在する開口を有するインナー部分、並びに前記第1方向に交差する基準面に沿って前記インナー部分の外周に設けられたアウター部分を含むステムベースと、前記開口において支持されたリード部材と、前記インナー部分を囲むように前記インナー部分の側面上及び前記アウター部分の上面上に位置決めされた閉じた金属部材と、を備え、前記金属部材は、前記アウター部分の縁より外側に延出する部分を有する。
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
以上説明したように、本発明の一側面によれば、キャップ下端をステムの主面の外縁に近づけることを可能にする半導体発光装置が提供される。また、本発明の別の側面によれば、この半導体発光装置のためのステム部品が提供される。
いくつかの具体例を説明する。
具体例に係る半導体発光装置は、(a)第1面、第2面、及び前記第1面から前記第2面への第1方向に延在する開口を有するインナー部分、並びに前記インナー部分の外周に設けられたアウター部分を含むステムベースと、前記開口において支持されたリード部材と、前記インナー部分を囲むように前記アウター部分の上面に設けられた閉じた形状の金属部材とを備えるステム部品と、(b)前記ステム部品の前記インナー部分上に設けられた半導体光素子と、(c)前記ステム部品の前記金属部材上に設けられたキャップと、を備え、前記インナー部分及び前記アウター部分は、前記第1方向に交差する基準面に沿って配置され、前記金属部材は、前記アウター部分の前記上面によって支持された第1部分と、前記アウター部分の縁より外側に延出する第2部分とを有する。
半導体発光装置によれば、キャップは、ステム部品の金属部材に接合されて、ステム部品及びキャップは、半導体光素子を収容するキャビティを提供する。ステムベースは、キャップをステム部品に溶接する際における位置決めのための凹みをステムベースのアウター部分の側面に有する一又は複数の部分と、該凹みを有なさい一又は複数の残りの部分とを有する。凹みは、アウター部分からインナー部分への方向に延在すると共に、該凹みを規定する側面は、第1方向に延在する。金属部材は、アウター部分の上面によって支持された第1部分に加えて、アウター部分の主面の縁より外側に延出して凹みを覆う第2部分を有する。第2部分を有する金属部材によれば、キャップ下端は、アウター部分の凹みによって後退したステム主面のサイズに制限されることなく、金属部材の外縁の近くに位置することができる。
具体例に係る半導体発光装置では、前記ステム部品の前記金属部材と前記キャップの一端とを接合する溶接部は、前記金属部材の前記第2部分を横切る。
半導体発光装置によれば、キャップは、金属部材の第1部分だけでなく第2部分にも支持されることができる。ステム部品及びキャップは、閉じた溶接部によって接合されて、キャビティは気密に封止される。
具体例に係るステム部品は、(a)第1面、第2面、及び前記第1面から前記第2面への第1方向に延在する開口を有する内側部、並びに前記第1方向に交差する基準面に沿って前記内側部から延出する外側部を含むステムベースと、(b)前記開口において支持されたリード部材と、(c)前記内側部を囲むように前記内側面の側面及び前記外側部の上面に位置決めされた閉じた金属部材と、を備え、前記金属部材は、前記アウター部分の縁より外側に延出する部分を有する。
ステム部品によれば、金属部材は、キャップを搭載可能なようにインナー部分の側面及びアウター部分の上面に設けられる。金属部材は、また、アウター部分の上面によって支持された第1部分に加えて、アウター部分の縁より外に延出する第2部分を有する。第2部分を有する金属部材によれば、ステムベースの形状(アウター部分の縁)から独立したサイズを有するキャップを用いることを可能にする。
具体例に係るステム部品では、前記金属部材は前記ステムベースの熱伝導性より小さい金属を備える。
ステム部品によれば、位置合わせ治具及びステムベースの金属材料に依らずに、抵抗溶接による良好な溶接部を提供できる。
具体例に係るステム部品では、前記金属部材は、前記ステムベースの前記アウター部分の縁に到達する。
ステム部品によれば、金属部材は、ステムベースの周縁における多くの部分においてステムベースにより支持される。
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、半導体発光装置、ステム部品、及び半導体発光装置を作製する方法に係る実施形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
図1は、本実施形態に係る半導体発光装置を模式的に示す一部破断図である。図2の(a)部は、本実施形態に係る半導体発光装置のステム部品を模式的に示す平面図である。図2の(b)部は、図2の(a)部に示されたIIb−IIb線に沿ってとられた断面を模式的に示す図面である。図2の(c)部は、図2の(a)部に示されたIIc−IIc線に沿ってとられた断面を模式的に示す図面である。
半導体発光装置11は、ステム部品13と、半導体光素子15と、キャップ17とを備える。ステム部品13は、ステムベース19、金属部材21、及びリード部材23を備える。ステムベース19は、第1面19a、第2面19b及び側面19cを含む。また、ステムベース19は、インナー部分19d及びアウター部分19eを含む。インナー部分19dは、第1面19aから第2面19bへの第1軸Ax1の方向に延在する開口19f(19fa、19fb)を有し、アウター部分19eは、インナー部分19dの外周に設けられ、具体的にはインナー部分19dを囲む閉じた形状を有する。インナー部分19d及びアウター部分19eは、第1軸Ax1の方向に交差する基準面に沿って配置され、一体の部材であることができる。本実施例では、インナー部分19dは、アウター部分19eの上面19gに基準にして盛り上がっており、この盛り上がり部は、インナー部分19dの側面19jによって規定される段差を形成する。アウター部分19eの上面19gは、インナー部分19dに比べて、金属部材21の厚さの分だけ凹む。キャップ17の位置ズレを考慮して、アウター部分19eの上面19gの幅WOUT(インナー部分からアウター部分に向かう方向における長さ)は、例えば750〜950マイクロメートル程度であることが良い。この上面19gの幅は、ステム側面における凹み39の深さより大きい。ステムベース19は、例えば銅または銅合金を備える。金属部材21は、ステムベース19のインナー部分19dを囲むようにアウター部分19eの上面19gに設けられ、アウター部分19eの上面19gにおいて閉じた形状を成す。金属部材21はステムベース19の熱伝導性より小さい金属を備える。金属部材21は、例えば鉄または鉄ニッケル合金または鉄ニッケルコバルト合金から成る。また、ステムベース19のインナー部分19dは、金属部材21の熱伝導性より大きな金属を備えることがよい。金属部材21の第1部分21aにおいて、金属部材21は、ステムベース19のアウター部分19eの縁19iに到達する。
図2の(b)部に示されるように、金属部材21の厚さTSTMは、抵抗溶接によって形成される溶接部の貫通を避けるために,例えば100マイクロメートル以上であることが好ましい。また、金属部材21の厚さTSTMは、ステムベース19の側面19cからの放熱ルートを確保するために、例えば350マイクロメートル以下にあることが好ましい。また、金属部材21の幅WSTMは、キャップ17の抵抗溶接のために750マイクロメートル以上であることができる。金属部材21は、第1部分21a及び第2部分21bを有する。第1部分21aは、アウター部分19eの上面19gによって支持される。第2部分21bは、アウター部分19eの縁19iから延出して、架橋21cを形成する。この架橋21cは、上面19g上の第1部分21a及び第2部分21bにより、2方向又は3方向で支持される。金属部材21は、例えば銀ロウ(JIS BAg−8相当)といった接着材によってステムベース19に固定されることができ、具体的にはアウター部分19eの上面19g及びインナー部分19dの側面19cに固定される。
図1を参照すると、半導体光素子15は、ステムベース19のインナー部分19d上に設けられる。本実施例では、ステム部品13は、インナー部分19d上に設けられた台座19hを含み、台座19hは、インナー部分19dの第1面19aを基準にして第1軸Ax1の方向に盛り上がっている。半導体光素子15は台座19hの側面上に設けられる。半導体光素子15は、例えばレーザダイオード、発光ダイオード(LED)を包含する。より具体的には、台座19hの側面は、サブマウント31を搭載しており、サブマウント31は半導体光素子15を搭載する。
キャップ17は、ステム部品13の金属部材21上に設けられる。具体的には。キャップ17は、光学窓部品33及びキャップベース35を含む。キャップベース35は、側壁17a及び天井17bを有しており、側壁17aの一端17cがステム部品13の金属部材21に固定される。好ましくは、側壁17aの一端17cは金属部材21の表面に溶接部27により固定されて、ステム部品13及びキャップ17は、気密に封止されたキャビティ37を形成する。溶接部27は、側壁17aの一端17c及び金属部材21の表面に設けられ、閉じた形状を有する。側壁17aの他端は、天井17bに連なり、天井17bは、例えばレンズ又はガラス基体といった光学窓部品33を支持する。光学窓部品33は、半導体光素子15と光学的に結合される。
リード部材23は、半導体光素子15への電気接続のために設けられる。また、リード部材23は、ステムベース19の開口19fを貫通しており、開口19fに設けられた封止材25によって支持される。封止材25は、金属パイプ及びガラスを備える。リード部材23は、開口19fにおいて第1軸Ax1の方向に延在する。リード部材23は、半導体光素子15に電気的に接続される。本実施例では、半導体光素子15は、ボンディングワイヤを介して直接にリード部材23に接続されることができ、またサブマウント31の配線層を介してリード部材23に接続されることができる。
半導体発光装置11によれば、キャップ17は、ステム部品13の金属部材21に接合されて、ステム部品13及びキャップ17は、半導体光素子15を収容するキャビティ37を提供する。ステムベース19のアウター部分19eは、キャップ17をステム部品13に溶接する際における位置決めのための凹み39(具体的には、39a、39b、39c)をステムベース19のアウター部分19eの側面19kに有する部分と、凹み39(39a、39b、39c)を有なさい残りの部分とを有する。凹み39(39a、39b、39c)は、アウター部分19eの側面19kからインナー部分19dへの方向に延在すると共に、該凹み39a、39b、39cを規定する側面19cは、第1軸Ax1の方向にアウター部分19eの上面19gから第2面19bまで延在する。金属部材21は、アウター部分19eの上面19gによって支持された第1部分21aに加えて、アウター部分19eの上面19gの縁19iより外側に延出して凹み39a、39b、39cに係る開口を覆う第2部分21bを有する。第2部分21bを有する金属部材21によれば、キャップ17の一端17cは、アウター部分19eの凹み39a、39b、39cによって後退した主面13aのサイズに制限されることなく、金属部材21の縁21j及びアウター部分10eの縁19iの近くに位置することができる。
図1に示されるように、ステム部品13の金属部材21とキャップ17の一端17cとを接合する溶接部27は、金属部材21の第2部分21bを横切る。キャップ17は、金属部材21の第1部分21aだけでなく第2部分21bにも支持されることができる。ステム部品13及びキャップ17は、閉じた溶接部27によって接合されて、キャビティ37は気密に封止される。
図3の(a)部を参照すると、キャップ17は、コリメートレンズといった光学窓部品33を支持している。キャビティ37内の半導体光素子15は、コリメートレンズを介して外部の光学部品に光学的に結合される。図3の(b)部を参照すると、キャップ17は、半導体光素子15に係る光を透過可能なガラス基板といった光学窓部品33を支持している。キャビティ37内の半導体光素子15は、このような透明基板を介して外部の光学部品に光学的に結合される。図3の(a)部及び図3の(b)部に示される半導体発光装置11は、例えば同軸型光モジュールとして参照される。同軸型光モジュールは、例えば同軸方向に延び直径10ミリメートル以下を有する円柱内に収まるような大きさである。また、キャップ17の内径CPRとステム部品13の外径STRとの比(CPR/STR)は、例えば0.5以上であることができる。
図4〜図6を参照しながら、半導体発光装置を作製する方法における主要な工程を記述する。図4の(a)部に示されるように、ステム組立体51及びキャップ部品53を準備する。ステム組立体51は、ステム部品(簡単のために符合「13」として参照する)、及びステム部品13のインナー部分19d上にダイボンドされた半導体光素子15を含む。キャップ17にまだ抵抗溶接されていないので、この工程におけるステム部品13は、厳格には、溶接部27のための溶融部分がステム部品13に形成されていない点で、図1に示されたステム部品13と異なる。キャップ部品53は、キャップ17と同様に側壁17a及び天井17bを有する。キャップ部品53は、まだ抵抗溶接が行われていないので、この工程におけるキャップ部品53は、厳格には、溶接部27のための溶融突起(図6の(a)部における溶融突起53a)が側壁17aの一端17cの底面に残っている点で、図1に示されたキャップ17と異なる。
また、位置決め治具55を準備する。位置決め治具55は、図5に示されるように、ステム組立体51を受け入れる窪み55aを含む。この窪み55aは、位置決め治具にステム組立体51を設置する際にステムベース19の側面19cをガイドするガイド面55bと、位置決め治具55に対してステム組立体51の向きを規定するオリエンテーション突起55cとを含む。窪み55aは、ステム組立体51の背面(第2面13b)を支持する底面55dを有する。オリエンテーション突起55cの高さPHは、ステムベース19の凹み39aにおけるステムベース19のアウター部分19eの厚さTに関連しており、この厚さTに関する公差は、例えば−50〜+50マイクロメートルである。高さPHに関する公差は、例えば−50〜+50マイクロメートルである。位置決め治具55は、例えばアルミニウムといった金属製であることができる。図5を参照すると、本実施例における位置決め治具55の主要な寸法が理解される。
アルミニウム製の位置決め治具55のサイズ。
DX:12ミリメートル。
DY:6ミリメートル。
DZ:2ミリメートル。
アルミニウム製の位置決め治具55のサイズ。
DX:12ミリメートル。
DY:6ミリメートル。
DZ:2ミリメートル。
図4の(b)部に示されるように、ステム組立体51及びキャップ部品53を位置決め治具55に設置する。ステム組立体51のステムベース19及びリード部材23を位置決め治具55の窪み55aに挿入すると共に、必要な場合には、ステム組立体51を軸回りに回転させて、ステム組立体51の凹み39aを位置決め治具55のオリエンテーション突起55cに填め合わせる。
設置の後において位置合わせが完了したとき、図6の(a)部に示されるように、ステム組立体51の金属部材21の第2部分21bは、オリエンテーション突起55cの上面とキャップ部品53の一端17cとの間に位置する。また、キャップ部品53の溶融突起53aは、ステム組立体51の主面に接触している。
ステム組立体51及びキャップ部品53を位置決め治具55に設置した後に、キャップ部品53と位置決め治具55との間に電流を流して、図6の(a)部に示されるように、抵抗溶接法によりステム組立体51及びキャップ部品53を溶接する。この溶接により、半導体発光装置のキャビティ37が完成される。この作製方法によれば、ステムベース19の形状(アウター部分19eの縁19i)から独立したサイズを有するキャップ17を半導体発光装置11のために用いることができる。
この半導体発光装置11を作製する方法は、ステム部品13の主面13aの縁にキャップ17の一端17cの外縁を近づけることを可能にする。
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
以上説明したように、本実施形態によれば、キャップ下端をステムの主面の外縁に近づけることを可能にする半導体発光装置が提供される。また、本実施形態によれば、キャップ下端を主面の主面の外縁に近づけることを可能なステム部品が提供される。さらに、本実施形態によれば、ステムの主面の外縁にキャップ下端を近づけることを可能にする半導体発光装置を作製する方法が提供される。
11…半導体発光装置、13…ステム部品、15…半導体光素子、17…キャップ、19…ステムベース、21…金属部材、23…リード部材。
Claims (5)
- 半導体発光装置であって、
第1面、第2面、及び前記第1面から前記第2面への第1方向に延在する開口を有するインナー部分、並びに前記インナー部分の外周に設けられたアウター部分を含むステムベースと、前記開口において支持されたリード部材と、前記インナー部分を囲むように前記アウター部分の上面に設けられた閉じた形状の金属部材とを備えるステム部品と、
前記ステム部品の前記インナー部分上に設けられた半導体光素子と、
前記ステム部品の前記金属部材上に設けられたキャップと、
を備え、
前記インナー部分及び前記アウター部分は、前記第1方向に交差する基準面に沿って配置され、
前記金属部材は、前記アウター部分の前記上面によって支持された第1部分と、前記アウター部分の縁より外側に延出する第2部分とを有する、半導体発光装置。 - 前記ステム部品の前記金属部材と前記キャップの一端とを接合する溶接部は、前記金属部材の前記第2部分を横切る、請求項1に記載された半導体発光装置。
- ステム部品であって、
第1面、第2面、及び前記第1面から前記第2面への第1方向に延在する開口を有するインナー部分、並びに前記インナー部分の外側に設けられたアウター部分を含むステムベースと、
前記開口において支持されたリード部材と、
前記インナー部分を囲むように前記インナー部分の側面及び前記アウター部分の上面に位置決めされた閉じた金属部材と、
を備え、
前記インナー部分及び前記アウター部分は、前記第1方向に交差する基準面に沿って配置され、
前記金属部材は、前記アウター部分の縁より外側に延出する部分を有する、ステム部品。 - 前記ステムベースは前記金属部材の熱伝導性より大きな金属を備える、請求項3に記載されたステム部品。
- 前記金属部材は、前記ステムベースの前記アウター部分の縁に到達する、請求項3又は請求項4に記載されたステム部品。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016210773A JP2018073943A (ja) | 2016-10-27 | 2016-10-27 | 半導体発光装置、ステム部品 |
US15/791,957 US10411167B2 (en) | 2016-10-27 | 2017-10-24 | Semiconductor light emitting apparatus, stem part |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016210773A JP2018073943A (ja) | 2016-10-27 | 2016-10-27 | 半導体発光装置、ステム部品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018073943A true JP2018073943A (ja) | 2018-05-10 |
Family
ID=62021810
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016210773A Withdrawn JP2018073943A (ja) | 2016-10-27 | 2016-10-27 | 半導体発光装置、ステム部品 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10411167B2 (ja) |
JP (1) | JP2018073943A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021061299A (ja) * | 2019-10-04 | 2021-04-15 | 住友電気工業株式会社 | 発光モジュールおよびその製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102266664B1 (ko) * | 2019-02-26 | 2021-06-21 | 주식회사 코스텍시스 | 스템 유닛 및 반도체 레이저 다이오드 패키지 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2560131B2 (ja) | 1990-05-23 | 1996-12-04 | ローム株式会社 | 半導体レーザ装置 |
BE1007779A3 (nl) * | 1993-11-25 | 1995-10-17 | Philips Electronics Nv | Opto-electronische halfgeleiderinrichting met een straling-emitterende halfgeleiderdiode en werkwijze van een dergelijke inrichting. |
JP4772557B2 (ja) | 2006-03-30 | 2011-09-14 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 電子部品、および電子部品用モジュール |
JP2008028143A (ja) | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光モジュール |
JP5427325B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2014-02-26 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体発光装置 |
-
2016
- 2016-10-27 JP JP2016210773A patent/JP2018073943A/ja not_active Withdrawn
-
2017
- 2017-10-24 US US15/791,957 patent/US10411167B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021061299A (ja) * | 2019-10-04 | 2021-04-15 | 住友電気工業株式会社 | 発光モジュールおよびその製造方法 |
JP7230764B2 (ja) | 2019-10-04 | 2023-03-01 | 住友電気工業株式会社 | 発光モジュールの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180122995A1 (en) | 2018-05-03 |
US10411167B2 (en) | 2019-09-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9529134B2 (en) | Light emitting device | |
JP4451859B2 (ja) | 高出力ledパッケージ | |
US8897334B2 (en) | Light emitting device | |
TWI492355B (zh) | 半導體封裝 | |
WO2012042685A1 (ja) | 半導体発光装置及び光源装置 | |
JP2022009833A (ja) | 発光装置 | |
JP6511807B2 (ja) | 半導体レーザ装置、光源装置、半導体レーザ装置の製造方法、及び光源装置の製造方法 | |
JP2018073943A (ja) | 半導体発光装置、ステム部品 | |
JP6225834B2 (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
JP2010087181A (ja) | 光素子用パッケージ、半導体発光装置および照明装置 | |
JP2007048938A (ja) | 半導体レーザ | |
JP7306831B2 (ja) | 半導体パッケージ用ステム、半導体パッケージ | |
JP7014645B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP4678154B2 (ja) | 半導体レーザパッケージおよび半導体レーザパッケージの製造方法 | |
WO2017010025A1 (ja) | レーザモジュール | |
JP2019021769A (ja) | 発光素子搭載用パッケージ | |
JP6485518B2 (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
JP6005537B2 (ja) | 半導体パッケージ用ステム及び半導体パッケージ | |
JP2007088327A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP3723249B2 (ja) | 半導体レーザ装置およびその製法 | |
JP7467877B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2019075460A (ja) | 半導体発光素子および半導体発光装置 | |
US20220341583A1 (en) | Light-emitting apparatus | |
JP2023074359A (ja) | 半導体パッケージ用ステム | |
JP2016100535A (ja) | 半導体装置用ステム及び半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190422 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20191018 |