JP2018073522A - 発光装置及び発光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＯＬＥＤの散乱層を設計上の形状に安定して形成する。【解決手段】塗布材料１４２を形成する前に、基板１００の第１面１０２に対する純水の接触角が５°以上８０°以下、より具体的には２０°以上５０°以下となるように処理を実施している。具体的には、基板１００の第１面１０２は、塗布材料１４２を形成する前に、疎水性処理される。塗布材料１４２は、インクジェット印刷によって基板１００の第１面１０２上に塗布される。これにより、基板１００の第１面１０２に対する散乱層１４０の形成角θ１は、３０°以上８５°以下、より具体的には５０°以上８０°以下となる。【選択図】図３

Description

本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。

近年、発光装置として、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が開発されている。ＯＬＥＤは、有機層を有しており、この有機層は、有機エレクトロルミネッセンスにより光を発する発光層を含んでいる。ＯＬＥＤは、第１電極（例えば、アノード電極）及び第２電極（例えば、カソード電極）をさらに有しており、第１電極及び第２電極は、有機層を挟んで互いに対向している。ＯＬＥＤでは、第１電極及び第２電極を用いて有機層に電圧を印加することにより光が発せられる。

特許文献１には、ＯＬＥＤの一例について記載されている。このＯＬＥＤは、基板、第１電極、有機層、第２電極及び散乱層を備えている。基板は、第１面と、第１面の反対側の第２面と、を有している。第１電極、有機層及び第２電極は、基板の第１面上にある。これに対して、散乱層は、基板の第２面上にある。有機層からの光は、基板を透過して散乱層において散乱される。特許文献１には、散乱層は、感光性樹脂をパターニングすることで形成されることが記載されている。

特開２０１３−１４９３７６号公報

特許文献１に記載されているように、ＯＬＥＤは、散乱層を有していることがある。本発明者は、散乱層を所望の形状、すなわち、設計上の形状に安定して形成するための方法について検討した。

本発明が解決しようとする課題としては、ＯＬＥＤの散乱層を設計上の形状に安定して形成することが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、
基板の第１面に接する散乱層と、
前記散乱層の前記基板と反対側に位置する有機ＥＬ素子と、
を備え、
前記散乱層の端部は、第１位置で前記基板の前記第１面に接し、
前記第１位置における前記第１面と前記散乱層とのなす角は、３０°以上８５°以下である発光装置である。

請求項７に記載の発明は、
基板の第１面に接する散乱層と、
前記散乱層の前記基板と反対側に位置する有機ＥＬ素子と、
を備え、
前記散乱層は、前記散乱層を形成する塗布材料を前記第１面に塗布する工程を経て形成され、
前記工程では、前記基板の前記第１面に対する前記散乱層の形成角が３０°以上８５°以下となり、かつ前記散乱層の厚さが５００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下となるように前記塗布材料が塗布される発光装置である。

請求項８に記載の発明は、
基板の第１面に接する散乱層と、
前記散乱層の前記基板と反対側に位置する有機ＥＬ素子と、
を備え、
前記基板の前記第１面に対する純水の接触角は、５°以上８０°以下である発光装置である。

請求項９に記載の発明は、
基板の第１面上に散乱層を形成する工程と、
前記散乱層上に有機ＥＬ素子を形成する工程と、
を備え、
前記散乱層を形成する工程は、前記散乱層を形成する塗布材料を前記第１面に塗布する工程を含み、
前記塗布材料を塗布する工程では、前記基板の前記第１面に対する前記散乱層の形成角が３０°以上８５°以下となるように前記塗布材料が塗布される発光装置の製造方法である。

実施形態１に係る発光装置を示す平面図である。 図１のＡ−Ａ断面図である。 図２に示した領域αを拡大した図である。 図１〜図３に示した発光装置の製造方法の第１例を説明するための図である。 図１〜図３に示した発光装置の製造方法の第１例を説明するための図である。 図１〜図３に示した発光装置の製造方法の第２例を説明するための図である。 散乱層の断面プロファイルの第１例（純水の接触角＝２０°）及び散乱層の断面プロファイルの第２例（純水の接触角＝５°）を示す図である。 散乱層の厚さと電流効率の関係のグラフを示す図である。 （ａ）は、純水の接触角が５°以上８０°以下の場合の散乱層の光学顕微鏡像を示す図であり、（ｂ）は、純水の接触角が５°未満の場合の散乱層の光学顕微鏡像を示す図であり、（ｃ）は、純水の接触角が８０°超の場合の散乱層の光学顕微鏡像を示す図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る発光装置１０を示す平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。図３は、図２に示した領域αを拡大した図である。

図３を用いて発光装置１０の概要について説明する。発光装置１０は、散乱層１４０及び有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子１５０を備えている。散乱層１４０は、基板１００の第１面１０２に接している。有機ＥＬ素子１５０は、散乱層１４０の基板１００と反対側に位置している。散乱層１４０の端部Ｅは、第１位置Ｐ１で基板１００の第１面１０２に接している。第１位置Ｐ１における第１面１０２と散乱層１４０とのなす角度（形成角）θ１は、３０°以上８５°以下、好ましくは、５０°以上８０°以下である。

形成角θ１が３０°以上８５°以下、特に５０°以上８０°以下であるとき、散乱層１４０を所望の形状、すなわち、設計上の形状に安定して形成することができる。具体的には、図４又は図６を用いて後述するように、基板１００の第１面１０２には、形成角θ１が上述した範囲になるように処理が実施されている。このような場合、散乱層１４０を所望の形状、すなわち、設計上の形状に安定して形成することができる。

一例において、散乱層１４０の厚さは、５００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることが好ましい。言い換えると、基板１００の第１面１０２から散乱層１４０の最上端までの高さは、５００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることが好ましい。図８を用いて後述するように、散乱層１４０の厚さがある程度厚く、具体的には５００ｎｍ以上であるとき、発光装置１０の電流効率が高いものとなる。このため、散乱層１４０の厚さは、５００ｎｍ以上であることが好ましい。一方、図９を用いて後述するように、散乱層１４０の厚さがある程度低く、具体的には、２０００ｎｍ以下であるとき、散乱層１４０の幅は、位置によらずほぼ一定となる。このため、散乱層１４０の厚さは、２０００ｎｍ以下であることが好ましい。このようにして、一例において、散乱層１４０の厚さは、５００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることが好ましい。

次に、図１を用いて、発光装置１０の平面レイアウトの詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００、複数の第１電極１１０、複数の第１接続部１１２、第１配線１１４、有機層１２０、複数の第２電極１３０、複数の第２接続部１３２及び第２配線１３４を備えている。

基板１００の形状は、第１面１０２に垂直な方向から見た場合、一対の長辺及び一対の短辺を有する矩形である。ただし、基板１００の形状は、本図に示す例に限定されるものではない。基板１００の形状は、第１面１０２に垂直な方向から見た場合、例えば円でもよいし、又は矩形以外の多角形であってもよい。

複数の第１電極１１０は、互いに離間して位置しており、具体的には、基板１００の長辺に沿って一列に並んでいる。複数の第１電極１１０のそれぞれは、基板１００の短辺に沿って延伸している。

複数の第１電極１１０のそれぞれは、複数の第１接続部１１２のそれぞれを介して、第１配線１１４に接続している。複数の第１接続部１１２は、第１配線１１４によって互いに接続している。第１配線１１４は、基板１００の一対の長辺の一方に沿って延伸している。外部からの電圧は、第１配線１１４及び第１接続部１１２を介して第１電極１１０に供給される。なお、本図に示す例において、第１電極１１０及び第１接続部１１２は、互いに一体となっている。言い換えると、発光装置１０は、第１電極１１０として機能する領域及び第１接続部１１２として機能する領域を有する導電層を備えている。

本図に示す例において、有機層１２０は、複数の第１電極１１０に亘って広がっており、互いに隣接する第１電極１１０の間で基板１００の第１面１０２を覆っている。他の例において、有機層１２０は、複数の第１電極１１０に亘って広がっていなくてもよい。この場合、一例において、複数の有機層１２０のそれぞれが複数の第１電極１１０のそれぞれと重なるようになる。この場合、基板１００の第１面１０２は、互いに隣接する第１電極１１０の間で有機層１２０から露出した領域を有するようになる。

複数の第２電極１３０のそれぞれは、複数の第１電極１１０のそれぞれに重なっている。複数の第２電極１３０は、互いに離間して位置しており、具体的には、基板１００の長辺に沿って一列に並んでいる。複数の第２電極１３０のそれぞれは、基板１００の短辺に沿って延伸しており、具体的には、基板１００の短辺に沿って延伸する一対の長辺及び基板１００の長辺に沿って延伸する一対の短辺を有している。

複数の第２電極１３０のそれぞれは、複数の第２接続部１３２のそれぞれを介して、第２配線１３４に接続している。複数の第２接続部１３２は、第２配線１３４によって互いに接続している。第２配線１３４は、基板１００の一対の長辺の他方に沿って延伸している。外部からの電圧は、第２配線１３４及び第２接続部１３２を介して第２電極１３０に供給される。

次に、図２及び図３を用いて、発光装置１０の断面の詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０及び散乱層１４０を備えている。基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０及び散乱層１４０は、基板１００の第１面１０２上にある。

基板１００は、透光性を有している。一例において、基板１００は、ガラスを含んでいる。他の例において、基板１００は、樹脂（例えば、ポリエチレン（ＰＥ）樹脂、ポリプロピレン（ＰＰ）樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂又はポリイミド（ＰＩ）樹脂）を含んでいてもよい。なお、基板１００は、バリア層を含んでいてもよい。このバリア層はたとえば酸化シリコン（たとえばＳｉＯ_２）、窒化シリコン（たとえばＳｉ_３Ｎ_４）、ＳｉＯＮからなり、スパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等で形成できる。

基板１００の第１面１０２は、第１面１０２に対する純水の接触角が５°以上８０°以下、より具体的には、２０°以上５０°以下となるように処理されている。図４〜図６を用いて後述するように、純水の接触角が５°以上８０°以下である場合、散乱層１４０の形成角θ１は、３０°以上８５°以下となる。

第１電極１１０は、透光性及び導電性を有している。具体的には、第１電極１１０は、透光性及び導電性を有する材料を含んでおり、例えば金属酸化物、具体的には例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）の少なくとも１つを含んでいる。これにより、有機層１２０からの光は、第１電極１１０を透過することができる。

有機層１２０は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層を含んでいる。正孔注入層及び正孔輸送層は、第１電極１１０に接続している。電子輸送層及び電子注入層は、第２電極１３０に接続している。発光層は、第１電極１１０と第２電極１３０の間の電圧によって光を発する。

第２電極１３０は、光反射性及び導電性を有している。具体的には、第２電極１３０は、光反射性を有する材料を含んでおり、例えば金属、具体的には例えば、Ａｌ、Ａｇ及びＭｇＡｇの少なくとも１つを含んでいる。これにより、有機層１２０からの光は、第２電極１３０をほとんど透過することなく、第２電極１３０で反射される。

なお、第２電極１３０の光反射性に起因して、第２電極１３０は、遮光性を有している。このため、本図に示す例では、有機層１２０からの光が第２電極１３０から漏れることが抑制されている。

第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０は、有機ＥＬ素子１５０として機能する領域を有している。言い換えると、有機ＥＬ素子１５０は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０の積層構造を有している。有機ＥＬ素子１５０は、散乱層１４０上に位置している。第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０は、上記した積層構造において、散乱層１４０から第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０の順に並んでいる。

散乱層１４０は、有機ＥＬ素子１５０、具体的には有機層１２０からの光の取り出し効率を高めるように機能している。有機層１２０から光が発せられて、この光が散乱層１４０に入射した場合、この光は、散乱層１４０の内部で散乱する。これによって、有機層１２０からの光の取り出し効率を高めることができる。

散乱層１４０は、絶縁層であり、より具体的には、一例において、バインダ及び一又は複数の粒子を含んでいる。一例において、バインダは、イミド系樹脂、アクリル系樹脂、エーテル系樹脂、シラン系樹脂、シロキサン系樹脂、ガラスペースト、フリット及びＳｉＯ_２ゾルからなる群から選択される少なくとも一つを含んでいる。一例において、粒子は、酸化亜鉛、酸化チタン、チタン酸バリウム、酸化タンタル、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウム及び酸化錫からなる群から選択される少なくとも一つを含んでいる。一例において、粒子の粒径は、０．１μｍ以上１．０μｍ以下である。粒子の粒径が０．１μｍ以上１．０μｍ以下であるとき、光の取り出し効率が高いものとなる。

本図に示す例においては、散乱層１４０の位置を決めるための絶縁層が設けられていない。言い換えると、本図に示す例では、散乱層１４０の側面がそのような絶縁層に接していない。図５を用いて後述するように、散乱層１４０は、インクジェット印刷によって塗布材料１４２を塗布する工程を経て形成されている。つまり、散乱層１４０は、塗布膜である。このため、本図に示す例では、散乱層１４０の側面は、有機層１２０によって覆われており、より具体的には、有機層１２０に接している。

発光装置１０は、複数の発光部１５２及び複数の透光部１５４を有している。複数の発光部１５２のそれぞれは、互いに隣接する透光部１５４の間にあって、複数の有機ＥＬ素子１５０のそれぞれと重なっている。言い換えると、複数の有機ＥＬ素子１５０のそれぞれは、互いに隣接する透光部１５４の間に位置している。複数の透光部１５４のそれぞれは、複数の第２電極１３０と重なっておらず、詳細には、複数の発光部１５２の配列方向において、互いに隣接する第２電極１３０のうちの一方の第２電極１３０の端部から他方の第２電極１３０の端部に亘って広がっている。

本図に示す例において、発光装置１０は、半透過ＯＬＥＤとして機能している。具体的には、複数の発光部１５２から光が発せられていない場合、人間の視覚では、第１面１０２側の物体が第２面１０４側から透けて見え、第２面１０４側の物体が第１面１０２側から透けて見える。さらに、複数の発光部１５２からの光は、第２面１０４側から主に出力され、第１面１０２側からはほとんど出力されない。複数の発光部１５２から光が発せられている場合、人間の視覚では、第２面１０４側の物体が第１面１０２側から透けて見える。

一例において、発光装置１０は、自動車のハイマウントストップランプとして用いることができる。この場合、発光装置１０は、自動車のリアウインドウに貼り付けることができる。さらに、この場合、発光装置１０は、例えば、赤色の光を発する。

図４及び図５は、図１〜図３に示した発光装置１０の製造方法の第１例を説明するための図である。この第１例では、以下のようにして発光装置１０が製造される。

まず、図４に示すように、基板１００の第１面１０２に対する散乱層１４０（図１）の形成角θ１（図３）が３０°以上８５°以下、より具体的には５０°以上８０°以下となるように処理を実施する。本図に示す例では、基板１００の第１面１０２を疎水性処理しており、具体的には、基板１００の第１面１０２をＵＶ（ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）で処理しており、より具体的には、基板１００の第１面１０２にＵＶを照射している。これにより、基板１００の第１面１０２は、疎水性を有するようになる。なお、ＵＶは、第１面１０２のほぼ全体に照射されている。本図に示す例において、第１面１０２に対する純水の接触角は、ＵＶの照射時間によって制御することができ、具体的には、ＵＶの照射時間が長いほど大きくなる。

より詳細には、基板１００の第１面１０２は、第１面１０２に対する純水の接触角が５°以上８０°以下となるように処理が実施されている。この場合、形成角θ１（図３）は、３０°以上８５°以下となる。特に、基板１００の第１面１０２は、第１面１０２に対する純水の接触角が２０°以上５０°以下となるように処理が実施されている場合、形成角θ１（図３）は、５０°以上８０°以下となる。

なお、基板１００は、ガラスからなっていてもよいし、又は樹脂（例えば、ポリエチレン（ＰＥ）樹脂、ポリプロピレン（ＰＰ）樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂又はポリイミド（ＰＩ）樹脂）からなっていてもよい。基板１００がガラスからなる場合及び基板１００が樹脂からなる場合のいずれにおいても、第１面１０２に対する純水の接触角は、ＵＶの照射時間によって制御することができる。

次いで、図５に示すように、基板１００の第１面１０２上に塗布材料１４２を塗布する。本図に示す例において、塗布材料１４２は、インクジェット印刷によって塗布されている。このため、本図に示す例では、塗布材料１４２の位置を決めるための絶縁層を設けることなく、塗布材料１４２の位置を決めることができる。さらに、塗布材料１４２を用いる場合、塗布材料１４２の一部をパターニングによって除去する必要がない。このため、塗布材料１４２の一部が無駄になること、すなわち、散乱層１４０の形成に寄与しないことを防止することができる。これにより、散乱層１４０を形成するためのコストを低くすることができる。

一例において、塗布材料１４２は、散乱層１４０の厚さが５００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下となるように塗布される。これにより、散乱層１４０（図３）の厚さは、塗布材料１４２の厚さとほぼ等しくなる。このため、塗布材料１４２の厚さが５００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下である場合、散乱層１４０（図３）の厚さは、５００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下となる。

次いで、塗布材料１４２を乾燥させる。これにより、塗布材料１４２は、散乱層１４０（図３）となる。この場合、上述したように、散乱層１４０の形成角θ１は、純水の接触角により、決定される。

次いで、第１電極１１０、第１接続部１１２及び第２接続部１３２を形成する。一例において、第１電極１１０、第１接続部１１２及び第２接続部１３２は、スパッタリングにより形成された導電層をパターニングすることにより形成される。

なお、散乱層１４０を形成した後かつ第１電極１１０を形成する前に、基板１００の第１面１０２上及び散乱層１４０上にバリア層（例えば、酸化シリコン（例えば、ＳｉＯ_２）、窒化シリコン（例えば、Ｓｉ_３Ｎ_４）またはＳｉＯＮ）を形成してもよい。この場合、バリア層は、複数の散乱層１４０に亘って広がり、基板１００の第１面１０２及び散乱層１４０を覆うようになる。さらに、第１電極１１０が形成された場合、バリア層の一部は、散乱層１４０と第１電極１１０の間に位置するようになる。

次いで、有機層１２０を形成する。一例において、有機層１２０は、蒸着によって形成される。

次いで、第２電極１３０を形成する。これにより、有機ＥＬ素子１５０が形成される。一例において、第２電極１３０は、蒸着によって形成される。

このようにして、図１〜図３に示した発光装置１０が製造される。

図６は、図１〜図３に示した発光装置１０の製造方法の第２例を説明するための図である。この第２例は、以下の点を除いて、図４及び図５を用いて説明した第１例と同様である。

まず、図６に示すように、基板１００の第１面１０２に対する純水の接触角が５°以上８０°以下、より具体的には２０°以上５０°以下となるように処理を実施する。本図に示す例では、基板１００の第１面１０２を疎水性処理しており、具体的には、基板１００の第１面１０２をＨＭＤＳ（ＨｅｘａＭｅｔｈｙｌＤｉＳｉｌａｚａｎｅ）で処理しており、より具体的には、基板１００の第１面１０２上にＨＭＤＳを形成している。これにより、基板１００の第１面１０２は、図４に示した例と同様にして、疎水性を有するようになる。なお、ＨＭＤＳは、第１面１０２のほぼ全体上に形成されている。

次いで、図４及び図５を用いて説明した第１例と同様にして、基板１００の第１面１０２上に塗布材料１４２を塗布する。この場合、図４及び図５を用いて説明した第１例と同様にして、基板１００の第１面１０２に対する散乱層１４０の形成角θ１（図３）は、散乱層１４０（図１）の形状が安定して所望の形状になるための角度となる。

次いで、図４及び図５を用いて説明した第１例と同様にして、塗布材料１４２を乾燥させる。次いで、図４及び図５を用いて説明した第１例と同様にして、第１電極１１０、第１接続部１１２、第２接続部１３２、有機層１２０及び第２電極１３０を形成する。これにより、有機ＥＬ素子１５０が形成される。

このようにして、図１〜図３に示した発光装置１０が製造される。

図７は、散乱層１４０の断面プロファイルの第１例（純水の接触角＝２０°）及び散乱層１４０の断面プロファイルの第２例（純水の接触角＝５°）を示す図である。本図に示す例において、散乱層１４０は、バインダ及び複数の粒子を含んでおり、バインダはポリシロキサンであり、粒子は酸化チタン（ＴｉＯ_２）粒子である。

純水の接触角が２０°における散乱層１４０の幅は、純水の接触角が５°における散乱層１４０の幅よりも狭い。純水の接触角が２０°における散乱層１４０の厚さは、純水の接触角が５°における散乱層１４０の厚さよりも厚い。このようにして、純水の接触角が２０°における散乱層１４０の幅に対する散乱層１４０の厚さの比（アスペクト比）は、純水の接触角が５°における散乱層１４０の幅に対する散乱層１４０の厚さの比（アスペクト比）より大きいものとなっている。

本図に示す結果は、基板１００の第１面１０２に対する塗布材料１４２の濡れ性が小さいほど、散乱層１４０の幅に対する散乱層１４０の厚さの比（アスペクト比）が大きくなることを示唆している。

図８は、散乱層１４０の厚さと電流効率の関係のグラフを示す図である。本図に示す例において、散乱層１４０は、バインダ及び複数の粒子を含んでおり、バインダはポリシロキサンであり、粒子は酸化チタン（ＴｉＯ_２）粒子である。第１例において、散乱層１４０の粒子濃度は、３３ｗｔ％である。第２例において、散乱層１４０の粒子濃度は、５０ｗｔ％である。なお、本図に示すグラフの縦軸は、散乱層１４０を設けなかった場合の電流効率に対する相対値を示している。

本図に示す結果は、散乱層１４０の厚さが５００ｎｍ以上であることが好ましく、散乱層１４０の厚さが６００ｎｍ以上であることがより好ましいことを示唆している。具体的には、本図に示すように、粒子濃度が３３ｗｔ％である場合及び粒子濃度が５０ｗｔ％である場合のいずれにおいても、電流効率は、散乱層１４０の厚さ３００ｎｍにおいて十分に高いものとなっており、散乱層１４０の厚さ６００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲でほぼ一定となっている。この結果より、散乱層１４０の厚さが５００ｎｍ以上、特に６００ｎｍ以上であるとき、発光装置１０の電流効率が高いものになるといえる。このため、散乱層１４０の厚さは、５００ｎｍ以上であることが好ましく、散乱層１４０の厚さは、６００ｎｍ以上であることがより好ましいといえる。

図９（ａ）は、純水の接触角が５°以上８０°以下の場合の散乱層１４０の光学顕微鏡像を示す図であり、図９（ｂ）は、純水の接触角が５°未満の場合の散乱層１４０の光学顕微鏡像を示す図であり、図９（ｃ）は、純水の接触角が８０°超の場合の散乱層１４０の光学顕微鏡像を示す図である。本図に示す例において、散乱層１４０は、バインダ及び複数の粒子を含んでおり、バインダはポリシロキサンであり、粒子は酸化チタン（ＴｉＯ_２）粒子である。

図９（ａ）に示すように、純水の接触角が５°以上８０°以下の場合、散乱層１４０の幅は、位置によらずほぼ一定となっている。さらに、散乱層１４０の幅は、散乱層１４０のほぼ設計値となっている。このようにして、純水の接触角が５°以上８０°以下の場合、散乱層１４０は、所望の形状、すなわち、設計上の形状に安定して形成されている。

図９（ｂ）に示すように、純水の接触角が５°未満の場合、散乱層１４０の幅は、位置によらずほぼ一定となっている。一方、図９（ｂ）の散乱層１４０の幅は、図９（ａ）の散乱層１４０の幅よりも広く、さらに、散乱層１４０の設計値よりも広くなっている。本図に示す例では、基板１００の第１面１０２に対する純水の接触角が小さく、このため、基板１００の第１面１０２に対する塗布材料１４２の濡れ性が高くなっている。本図に示す例では、高い濡れ性に起因して、塗布材料１４２が設計位置よりも外側に広がっている可能性がある。このことが、散乱層１４０の幅が散乱層１４０の設計値よりも広くなっている理由である可能性がある。

図９（ｃ）に示すように、純水の接触角が８０°超の場合、散乱層１４０の幅は、位置に依存して変動している。本図に示す例では、基板１００の第１面１０２に対する純水の接触角が大きく、このため、図７を用いて説明したように、散乱層１４０（塗布材料１４２）の幅に対する散乱層１４０（塗布材料１４２）の厚さの比（アスペクト比）が大きくなっている。大きなアスペクト比に起因して、塗布材料１４２の形状が安定していない可能性がある。このことが、散乱層１４０の幅が位置に依存して変動している理由である可能性がある。

さらに、本発明者が検討したところ、散乱層１４０（塗布材料１４２）の厚さが２０００ｎｍ以下であるとき、散乱層１４０の幅が位置によらずほぼ一定となることが明らかとなった。これに対して、散乱層１４０（塗布材料１４２）の厚さが２０００ｎｍを超えて厚くなると、散乱層１４０の幅が位置に依存して変動する傾向が大きくなることが明らかとなった。この結果は、散乱層１４０の厚さが厚いほど散乱層１４０の形状が安定しなくなる傾向があることを示唆している。このため、散乱層１４０の厚さは、２０００ｎｍ以下であることが好ましい。

以上、本実施形態によれば、塗布材料１４２を形成する前に、基板１００の第１面１０２に対する純水の接触角が５°以上８０°以下、より具体的には２０°以上５０°以下となるように処理を実施している。具体的には、基板１００の第１面１０２は、塗布材料１４２を形成する前に、疎水性処理される。塗布材料１４２は、インクジェット印刷によって基板１００の第１面１０２上に塗布される。これにより、基板１００の第１面１０２に対する純水の接触角は、５°以上８０°以下、より具体的には２０°以上５０°以下となる。この場合、散乱層１４０を設計上の形状に安定して形成することができる。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

１０ 発光装置
１００ 基板
１０２ 第１面
１０４ 第２面
１１０ 第１電極
１１２ 第１接続部
１１４ 第１配線
１２０ 有機層
１３０ 第２電極
１３２ 第２接続部
１３４ 第２配線
１４０ 散乱層
１４２ 塗布材料
１５０ 有機ＥＬ素子
１５２ 発光部
１５４ 透光部

Claims (10)

1. 基板の第１面に接する散乱層と、
   前記散乱層の前記基板と反対側に位置する有機ＥＬ素子と、
   を備え、
   前記散乱層の端部は、第１位置で前記基板の前記第１面に接し、
   前記第１位置における前記第１面と前記散乱層とのなす角は、３０°以上８５°以下である発光装置。
2. 請求項１に記載の発光装置において、
   前記散乱層の厚さは、５００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下である発光装置。
3. 請求項１又は２に記載の発光装置において、
   前記散乱層は、塗布膜である発光装置。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置において、
   複数の透光部を備え、
   前記複数の有機ＥＬ素子のそれぞれは、互いに隣接する透光部の間に位置している発光装置。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記有機ＥＬ素子は、透光性の第１電極、有機層及び遮光性の第２電極の積層構造を有し、
   前記第１電極、前記有機層及び前記第２電極は、前記積層構造において、前記散乱層から前記第１電極、前記有機層及び前記第２電極の順に並ぶ発光装置。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記基板の前記第１面に対する純水の接触角は、５°以上８０°以下である発光装置。
7. 基板の第１面に接する散乱層と、
   前記散乱層の前記基板と反対側に位置する有機ＥＬ素子と、
   を備え、
   前記散乱層は、前記散乱層を形成する塗布材料を前記第１面に塗布する工程を経て形成され、
   前記工程では、前記基板の前記第１面に対する前記散乱層の形成角が３０°以上８５°以下となり、かつ前記散乱層の厚さが５００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下となるように前記塗布材料が塗布される発光装置。
8. 基板の第１面に接する散乱層と、
   前記散乱層の前記基板と反対側に位置する有機ＥＬ素子と、
   を備え、
   前記基板の前記第１面に対する純水の接触角は、５°以上８０°以下である発光装置。
9. 基板の第１面上に散乱層を形成する工程と、
   前記散乱層上に有機ＥＬ素子を形成する工程と、
   を備え、
   前記散乱層を形成する工程は、前記散乱層を形成する塗布材料を前記第１面に塗布する工程を含み、
   前記塗布材料を塗布する工程では、前記基板の前記第１面に対する前記散乱層の形成角が３０°以上８５°以下となるように前記塗布材料が塗布される発光装置の製造方法。
10. 請求項９に記載の発光装置の製造方法において、
    前記散乱層を形成する工程の前において、前記塗布材料を塗布する工程で純水の接触角が５°以上８０°以下となるように処理を実施する工程を備える発光装置の製造方法。