JP2018067618A - 発光デバイス - Google Patents

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Hiroyuki Shimizu
寛之 清水
浅野 秀樹
Hideki Asano
秀樹 浅野
隆 村田
Takashi Murata
隆 村田
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Abstract

【課題】励起光の取り出し効率を向上させ、発光効率を高めることができる発光デバイスを提供する。【解決手段】ガラスマトリクス7中に蛍光体粒子8を分散させた波長変換部材3と、波長変換部材3に励起光を照射する光源2と、波長変換部材3と光源2の間に設けられる接着剤層4とを備え、ガラスマトリクス7と接着剤層4の屈折率の差が、0.1以下であることを特徴としている。【選択図】図1

Description

本発明は、LED(Light Emitting Diode)やLD(Laser Diode)などの励起光源を用いた発光デバイスに関するものである。
近年、蛍光ランプや白熱灯に代わる次世代の光源として、LEDやLDなどの励起光源を用いた発光デバイスが注目を集めている。そのような次世代光源の一例として、青色光を出射するLEDと、LEDからの光の一部を吸収して黄色光に変換する波長変換部材とを組み合わせた発光デバイスが広く知られている。この発光デバイスは、LEDから出射された青色光と、波長変換部材から出射された黄色光との合成光である白色光を発する。
波長変換部材としては、従来、樹脂マトリクス中に無機蛍光体粉末を分散させたものが用いられている。しかしながら、当該波長変換部材を用いた場合、LEDからの光により樹脂が劣化し、発光デバイスの輝度が低くなりやすいという問題がある。特に、LEDが発する熱や高エネルギーの短波長(青色〜紫外)光によってモールド樹脂が劣化し、変色や変形を起こすという問題がある。
そこで、樹脂に代えてガラスマトリクス中に蛍光体を分散固定した完全無機固体からなる波長変換部材が提案されている(例えば、特許文献2及び3を参照)。当該波長変換部材は、母材となるガラスがLEDの熱や照射光により劣化しにくく、変色や変形といった問題が生じにくいという特徴を有している。
特開2000−208815号公報 特開2003−258308号公報 特開2007−016171号公報
フリップチップ型のLED等を光源として用いる場合、光源と波長変換部材の間に接着剤層を配置して固定される場合がある。光源からの励起光は、接着剤層を通り波長変換部材に入射する。励起光は、波長変換部材に含まれる蛍光体により蛍光に変換され、波長変換部材の光源とは反対側の面から、波長変換されなかった励起光とともに出射する。ここで、波長変換部材と光出射側の空気層との屈折率差が大きいと、両者の界面で光反射が生じ、光取り出し効率が低下しやすくなる。そこで、波長変換部材と空気層との屈折率差を小さくするため、波長変換部材の屈折率を低下させることが考えられる。しかしながら、単に波長変換部材の屈折率を低下させても必ずしも光取り出し効率の向上につながらない場合がある。この事実は、光取り出し効率には、波長変換部材と空気層の屈折率差以外の要因も関係していることを示唆している。しかしながら、従来、発光デバイスの光取り出し効率を最適化するため、発光デバイスを構成する各部材の屈折率の関係については十分に検討されていなかった。
本発明の目的は、励起光の取り出し効率を向上させ、発光効率を高めることができる発光デバイスを提供することにある。
本発明の発光デバイスは、ガラスマトリクス中に蛍光体粒子を分散させた波長変換部材と、波長変換部材に励起光を照射する光源と、波長変換部材と光源の間に設けられる接着剤層とを備え、ガラスマトリクスと接着剤層の屈折率の差が、0.1以下であることを特徴としている。
ガラスマトリクスの屈折率は、1.6以下であることが好ましい。
接着剤層は、シリコーン樹脂から構成されていることが好ましい。
ガラスマトリクスの屈折率は、1.48以上であることが好ましい。
波長変換部材、光源、及び接着剤層の周囲に反射層を備えることが好ましい。この場合、反射層は、樹脂組成物またはガラスセラミックスから構成されていることが好ましい。
本発明によれば、励起光の取り出し効率を向上させ、発光効率を高めることができる。
本発明の一実施形態の発光デバイスを示す模式的断面図である。 本発明の一実施形態の発光デバイスを示す模式的平面図である。 本発明の一実施形態の発光デバイスにおける波長変換部材を拡大して示す模式的断面図である。 波長変換部材のマトリクスの屈折率と光束との関係を示す図である。
以下、好ましい実施形態について説明する。但し、以下の実施形態は単なる例示であり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照する場合がある。
図1は、本発明の一実施形態の発光デバイスを示す模式的断面図である。図2は、本発明の一実施形態の発光デバイスを示す模式的平面図である。図1に示すように、本実施形態の発光デバイス1は、波長変換部材3と、波長変換部材3に励起光を照射する光源2と、波長変換部材3と光源2の間に設けられる接着剤層4とを備えている。図1及び図2に示すように、本実施形態において、光源2は基板5の上に設置されている。また、波長変換部材3、光源2、及び接着剤層4の周囲には反射層6が配置されている。反射層6を配置することにより、励起光及び蛍光を反射して外部に漏れるのを抑制することができ、光の取り出し効率を高めることができる。
図3は、本発明の一実施形態の発光デバイスにおける波長変換部材を拡大して示す模式的断面図である。図3に示すように、波長変換部材3は、ガラスマトリクス7中に蛍光体粒子8を分散させることにより構成されている。
光源2としては、LEDやLDなどを用いることができる。LEDチップを光源2として用いる場合、LEDチップをフリップチップ実装することができる。フリップチップ型のLEDとしては、例えば、発光層の上にサファイヤ層を設けたものが挙げられる。サファイヤ層は、励起光の出射側に設けられる。
光源2の上には、接着剤層4が設けられている。接着剤層4の上には、波長変換部材3が設けられている。光源2から出射した励起光は、接着剤層4を通り、波長変換部材3に入射する。波長変換部材3に入射した励起光により、蛍光体粒子8が励起され、蛍光体粒子8から蛍光が出射する。蛍光体粒子8から出射した蛍光と波長変換部材3を通過した励起光との合成光が波長変換部材3から出射する。
なお、既述の通り、発光デバイスの光取り出し効率を向上させるため、単に波長変換部材の屈折率を低下させても、必ずしも光取り出し効率の向上につながらない場合がある。このことは、後述の実験データにも示されている。本発明者等の調査の結果、波長変換部材を構成するガラスマトリクスと接着剤層の屈折率差が光取り出し効率に影響していることを見出した。具体的には、本実施形態においては、波長変換部材3のガラスマトリクス7と接着剤層4の屈折率の差を、0.1以下に設定している。これにより、波長変換部材3と接着剤層4の界面で励起光が反射されるのを抑制することができ、励起光の取り出し効率を向上させ、発光効率を高めることができる。
接着剤層4を構成する接着剤としては、例えば、シリコーン樹脂系、エポキシ樹脂系、ビニル系樹脂系、アクリル樹脂系などが挙げられる。ガラスマトリクス7と接着剤層4の屈折率(nd)の差は、0.08以下であることが好ましく、0.07以下であることがさらに好ましく、0.04以下であることが特に好ましい。接着剤層4の屈折率は、1.38〜1.60の範囲であることが好ましく、1.40〜1.58の範囲であることがより好ましい。ガラスマトリクス7の屈折率は、1.48〜1.60の範囲であることが好ましく、1.50〜1.58の範囲であることがより好ましい。
ガラスマトリクス7は、無機蛍光体等の蛍光体粒子8の分散媒として用いることができ、上記範囲の屈折率を有するものであれば特に限定されない。例えば、ホウ珪酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、スズリン酸塩系ガラス、ビスマス酸塩系ガラス等を用いることができる。ホウ珪酸塩系ガラスとしては、質量%で、SiO 30〜85%、Al 0〜30%、B 0〜50%、LiO+NaO+KO 0〜10%、及び、MgO+CaO+SrO+BaO 0〜50%を含有するものが挙げられる。スズリン酸塩系ガラスとしては、モル%で、SnO 30〜90%、P 1〜70%を含有するものが挙げられる。
ガラスマトリクス7の軟化点は、250℃〜1000℃の範囲内であることが好ましく、300℃〜950℃の範囲内であることがより好ましく、500℃〜900℃の範囲内であることがさらに好ましい。ガラスマトリクス7の軟化点が低すぎると、波長変換部材3の機械的強度や化学的耐久性が低下する場合がある。また、ガラスマトリクス7自体の耐熱性が低くなるため、蛍光体粒子8から発生する熱により軟化変形する場合がある。一方、ガラスマトリクス7の軟化点が高すぎると、製造時の加熱工程によって、蛍光体粒子8が劣化して、波長変換部材3の発光強度が低下する場合がある。また、ガラスマトリクス7は、無アルカリガラスであることが好ましい。これにより、蛍光体粒子8の失活を抑制することができる。なお、波長変換部材3の化学的安定性及び機械的強度を高める観点からはガラスマトリクス7の軟化点は500℃以上、600℃以上、700℃以上、800℃以上、特に850℃以上であることが好ましい。そのようなガラスとしては、ホウ珪酸塩系ガラスが挙げられる。ただし、ガラスマトリクス7の軟化点が高くなると、焼成温度も高くなり、結果として製造コストが高くなる傾向がある。よって、波長変換部材3を安価に製造する観点からは、ガラスマトリクス7の軟化点は550℃以下、530℃以下、500℃以下、480℃以下、特に460℃以下であることが好ましい。そのようなガラスとしては、スズリン酸塩系ガラス、ビスマス酸塩系ガラスが挙げられる。
蛍光体粒子8は、励起光の入射により蛍光を出射するものであれば、特に限定されるものではない。蛍光体粒子8の具体例としては、例えば、酸化物蛍光体、窒化物蛍光体、酸窒化物蛍光体、塩化物蛍光体、酸塩化物蛍光体、硫化物蛍光体、酸硫化物蛍光体、ハロゲン化物蛍光体、カルコゲン化物蛍光体、アルミン酸塩蛍光体、ハロリン酸塩化物蛍光体及びガーネット系化合物蛍光体から選ばれた1種以上等が挙げられる。励起光として青色光を用いる場合、例えば、緑色光、黄色光または赤色光を蛍光として出射する蛍光体を用いることができる。
ガラスマトリクス7中での蛍光体粒子8の含有量は、1〜70体積%の範囲内であることが好ましく、1.5〜50体積%の範囲内であることがより好ましく、2〜30体積%の範囲内であることがさらに好ましい。蛍光体粒子8の含有量が少なすぎると、波長変換部材3の発光強度が不十分になる場合がある。一方、蛍光体粒子8の含有量が多すぎると、所望の発光色が得られない場合がある。また、波長変換部材3の機械的強度が低下する場合がある。
本実施形態では、基板5として、例えば、光源2から発せられた光線を効率良く反射させることができる白色のLTCC(Low Temperature Co−fired Ceramics)などが用いられる。具体的には、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ニオブ等の無機粉末と、ガラス粉末との焼結体が挙げられる。あるいは、酸化アルミニウムや窒化アルミニウム等のセラミック基板を使用することができる。
本実施形態では、反射層6として、樹脂組成物またはガラスセラミックスを用いることができる。樹脂組成物としては、樹脂と、セラミックス粉末またはガラス粉末の混合物を用いることができる。ガラスセラミックスとしては、LTCC(Low Temperature Co−fired Ceramics)等が挙げられる。ガラスセラミックスの材料としては、ガラス粉末及びセラミックス粉末の混合粉末、又は結晶性ガラス粉末を用いることができる。
ガラス粉末としては、SiO―B系ガラス、SiO−RO系ガラス(Rは、アルカリ土類金属を表す)、SiO−Al系ガラス、SiO−ZnO系ガラス、SiO−RO系ガラス(Rは、アルカリ金属を表す)、又はSiO−TiO系ガラスなどを用いることができる。これらのガラス粉末は、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。
セラミックス粉末としては、アルミナ、ジルコニア又はチタニアなどを用いることができる。これらのセラミックス粉末は、単独で用いてもよく、複数を併用してもよい。
図4は、波長変換部材のマトリクスの屈折率と光束との関係を示す図である。具体的には、屈折率(nd)が1.54であるシリコーン樹脂を接着剤として用いて形成した接着剤層4と、屈折率の異なる材料をマトリクスに用いた波長変換部材3とを組み合わせて作製した発光デバイスから出射される光束と、波長変換部材3のマトリクスの屈折率との関係を示している。光源2は、波長445nmの励起光を出射するLEDである。蛍光体粒子8は、YAGである。マトリクスA〜Kは、以下の通りである。
A:低屈折率シリコーン樹脂
B:溶融シリカ
C:アルカリホウケイ酸ガラス
D:アルカリホウケイ酸ガラス
E:アルカリホウケイ酸ガラス
F:アルカリ土類ケイ酸ガラス
G:バリウムケイ酸ガラス
H:ランタンホウ酸ガラス
I:ランタンチタンホウ酸ガラス
J:ランタン亜鉛ホウ酸ガラス
K:ランタンガドリニウムホウ酸ガラス
上記の各マトリクスA〜Kを用いた各発光デバイスからの出射光の光束(lm)と、各マトリクスの屈折率(nd)を表1に示す。
Figure 2018067618
図4は、表1に示す光束(lm)とマトリクスの屈折率(nd)をグラフにして示してものである。図4においては、接着剤層の屈折率(nd)の位置を点線で示している。
表1及び図4から明らかなように、マトリクスの屈折率と接着剤層の屈折率の差が、0.1以下である場合に、高い光束が得られていることがわかる。また、マトリクスの屈折率を空気の屈折率(≒1.0)に近づけると、屈折率1.5付近より低屈折率域ではむしろ光束値が低下することがわかる。よって、本発明に従い、ガラスマトリクスと接着剤層の屈折率の差を0.1以下にすることで、高い発光強度が得られることがわかる。また、ガラスマトリクスと接着剤層の屈折率の差を0.08以下にすることで、より高い発光強度が得られ、0.07以下にすることで、さらに高い発光強度が得られることがわかる。
1…発光デバイス
2…光源
3…波長変換部材
4…接着剤層
5…基板
6…反射層
7…ガラスマトリクス
8…蛍光体粒子

Claims (6)

  1. ガラスマトリクス中に蛍光体粒子を分散させた波長変換部材と、
    前記波長変換部材に励起光を照射する光源と、
    前記波長変換部材と前記光源の間に設けられる接着剤層とを備え、
    前記ガラスマトリクスと前記接着剤層の屈折率の差が、0.1以下である、発光デバイス。
  2. 前記ガラスマトリクスの屈折率は、1.6以下である、請求項1に記載の発光デバイス。
  3. 前記接着剤層は、シリコーン樹脂から構成されている、請求項1または2に記載の発光デバイス。
  4. 前記ガラスマトリクスの屈折率は、1.48以上である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の発光デバイス。
  5. 前記波長変換部材、前記光源、及び前記接着剤層の周囲に反射層を備える、請求項1〜4のいずれか一項に記載の発光デバイス。
  6. 前記反射層が、樹脂組成物またはガラスセラミックスから構成されている、請求項1〜5のいずれか一項に記載の発光デバイス。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102149988B1 (ko) 2018-09-07 2020-08-31 대주전자재료 주식회사 파장 변환 부재 제조용 적층체 및 파장 변환 부재의 제조방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090173958A1 (en) * 2008-01-04 2009-07-09 Cree, Inc. Light emitting devices with high efficiency phospor structures
JP5505864B2 (ja) * 2010-03-30 2014-05-28 日本電気硝子株式会社 半導体発光素子デバイスの製造方法
JP2013033854A (ja) * 2011-08-02 2013-02-14 Koito Mfg Co Ltd 光波長変換部材
JP6089686B2 (ja) * 2012-12-25 2017-03-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5931006B2 (ja) * 2013-06-03 2016-06-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2015149172A (ja) * 2014-02-06 2015-08-20 東レ株式会社 複合シートならびにそれを用いたledパッケージおよびその製造方法
JP5721894B2 (ja) * 2014-09-25 2015-05-20 株式会社東芝 光半導体装置
JP6484982B2 (ja) * 2014-09-30 2019-03-20 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

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