JP2018067599A - 電子装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】金属表面に電子部品を接合するとともに樹脂部材を密着させた構造において、樹脂部材の密着性をよりいっそう向上すること。【解決手段】電子装置（１）は、導電性接合層に接合される金属質表面である搭載面（２３）と、搭載面の面内方向について搭載面に隣接しつつ搭載面を囲むように搭載面の外側に設けられた金属質表面である封止面（２４）とを有する支持部材（２）と、合成樹脂成形体であって電子部品を被覆しつつ封止面に接合される樹脂部材（５）とを備える。封止面は、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面（２５）を有する。粗面は、第一領域（２８）と、面内方向におけるレーザー照射痕の密度が第一領域よりも高い第二領域（２９）とを含む。【選択図】図２

Description

本発明は、電子装置及びその製造方法に関する。

金属表面に電子部品（例えばＩＣチップ）を接合するとともに樹脂部材を密着させた構造を有する、半導体装置及びその製造方法が知られている（例えば特許文献１等参照）。また、特許文献１は、金属表面をレーザービーム照射により粗面化して樹脂部材の密着性を向上する技術を開示する。

特開２０１６−２０００１号公報

この種の装置において、樹脂部材の密着性をよりいっそう向上することが求められている。本発明は、上記に例示した課題に鑑みてなされたものである。

請求項１に記載の電子装置（１）は、導電性接合層（４）を介して電子部品（３）を搭載した構成を有する。

この電子装置は、
前記導電性接合層に接合される金属質表面である搭載面（２３）と、前記搭載面の面内方向について前記搭載面に隣接しつつ前記搭載面を囲むように前記搭載面の外側に設けられた金属質表面である封止面（２４）と、を有する支持部材（２）と、
合成樹脂成形体であって、前記電子部品を被覆しつつ前記封止面に接合される樹脂部材（５）と、
を備え、
前記封止面は、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面（２５）を有し、
前記粗面は、第一領域（２８）と、前記面内方向における前記レーザー照射痕の密度が前記第一領域よりも高い第二領域（２９）と、を含む、
上記構成においては、前記支持部材に対するレーザービームの照射により、前記支持部材における前記封止面に、複数の前記レーザー照射痕による前記粗面が形成される。かかる粗面には、前記第一領域と、前記面内方向における前記レーザー照射痕の密度が前記第一領域よりも高い前記第二領域とが形成される。前記レーザー照射痕の密度が高い前記第二領域は、所望の部分（例えば、前記支持部材と前記導電性接合層又は前記樹脂部材との接合部における、内部応力が他の部分よりも高い部分）に対応して設けられ得る。これにより、前記支持部材における金属質表面である前記封止面と、前記樹脂部材との密着性が、よりいっそう向上する。

請求項８に記載の電子装置（１）は、導電性接合層（４）を介して電子部品（３）を搭載した構成を有する。

この電子装置は、
前記導電性接合層に接合される金属質表面である搭載面（２３）と、前記搭載面の面内方向について前記搭載面に隣接しつつ前記搭載面を囲むように前記搭載面の外側に設けられた金属質表面である封止面（２４）と、を有する支持部材（２）と、
合成樹脂成形体であって、前記電子部品を被覆しつつ前記封止面に接合される樹脂部材（５）と、
を備えている。

また、この電子装置においては、
前記封止面は、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面（２５）を有し、
前記粗面は、前記支持部材と前記導電性接合層又は前記樹脂部材との接合部における、内部応力が他の部分よりも高い部分に対応して設けられている。

上記構成においては、前記支持部材に対するレーザービームの照射により、前記支持部材における前記封止面に、前記レーザー照射痕による前記粗面が形成される。かかる粗面は、前記支持部材と前記導電性接合層又は前記樹脂部材との前記接合部における、内部応力が他の部分よりも高い部分に対応して設けられる。これにより、前記支持部材における金属質表面である前記封止面と、前記樹脂部材との密着性が、よりいっそう向上する。

請求項１２に記載の製造方法は、導電性接合層（４）を介して電子部品（３）を搭載した構成を有する電子装置（１）の製造方法である。

この製造方法は、以下の工程を含む。

前記電子部品を搭載する支持部材（２）の有する一つの平面状の金属表面の一部であって、前記金属表面の面内方向における中心部寄りの領域であるレーザー非照射領域（２７）よりも前記面内方向における外側に、パルス発振のレーザービームを照射することで、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面であって第一領域（２８）と前記面内方向における前記レーザー照射痕の密度が前記第一領域よりも高い第二領域（２９）とを含む粗面（２５）を有する金属質表面である封止面（２４）を、前記レーザー照射痕を有しない前記レーザー非照射領域よりも前記面内方向における外側に設け、
前記レーザー非照射領域を含む搭載面（２３）に前記導電性接合層を接合することで、前記導電性接合層を介して前記電子部品を前記支持部材に搭載し、
合成樹脂成形体である樹脂部材（５）を前記封止面に接合することで、前記樹脂部材により前記電子部品を被覆する。

かかる製造方法によれば、請求項１に記載の前記電子装置が、良好に製造され得る。

請求項１９に記載の製造方法は、導電性接合層（４）を介して電子部品（３）を搭載した構成を有する電子装置（１）の製造方法である。

この製造方法は、以下の工程を含む。

前記電子部品を搭載する支持部材（２）の有する一つの平面状の金属表面の一部であって、前記金属表面の面内方向における中心部寄りの領域であるレーザー非照射領域（２７）よりも前記面内方向における外側に、パルス発振のレーザービームを照射することで、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面（２５）を、有する金属質表面である封止面（２４）を、前記レーザー照射痕を有しない前記レーザー非照射領域よりも前記面内方向における外側であって前記支持部材と前記導電性接合層又は前記樹脂部材との接合部における内部応力が他の部分よりも高くなる部分に対応した位置に設け、
前記レーザー非照射領域を含む搭載面（２３）に前記導電性接合層を接合することで、前記導電性接合層を介して前記電子部品を前記支持部材に搭載し、
合成樹脂成形体である樹脂部材（５）を前記粗面に接合することで、前記樹脂部材により前記電子部品を被覆する。

かかる製造方法によれば、請求項８に記載の前記電子装置が、良好に製造され得る。

なお、上記及び特許請求の範囲欄における各手段に付された括弧付きの参照符号は、同手段と後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。

実施形態の電子装置の概略構成を示す断面図である。 図１に示された電子装置の平面図である。 図１に示された支持部材の平面図である。 図１に示された支持部材の一部拡大断面図である。 図１に示された支持部材の一部拡大断面図である。 図１に示された電子装置の製造工程に対応した、支持部材の一部拡大断面図である。 図１に示された電子装置の製造工程に対応した、支持部材の平面図である。 変形例の電子装置の概略構成を示す平面図である。 図７に示された電子装置の製造工程に対応した、支持部材の平面図である。 他の変形例の電子装置の概略構成を示す平面図である。 さらに他の変形例の電子装置の概略構成を示す平面図である。

以下、本発明の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、複数の実施形態相互間において、また、実施形態と後述の変形例とにおいて、互いに同一又は均等である部分には、同一符号が付されている。この場合、後続の実施形態又は変形例においては、技術的矛盾又は特段の追加説明なき限り、先行する実施形態における説明が適宜援用され得る。

（実施形態の構成）
図１〜図３並びに図４Ａ及び図４Ｂを参照しつつ、本実施形態の電子装置１の構成について説明する。図１に示されているように、電子装置１は、支持部材２と、電子部品３と、導電性接合層４と、樹脂部材５とを備えている。なお、図示及び説明の便宜のため、電子装置１に通常設けられる、保護膜、配線部、等の細部については、各図において図示及び説明が省略されている。また、同様の理由のため、図２の平面図においては、樹脂部材５の図示が省略されている。

支持部材２は、電子部品３を支持する部材であって、本実施形態においては金属部材として構成されている。具体的には、支持部材２は、いわゆるリードフレームであって、少なくとも電子部品３と接合される部分及びその近傍部分にて平板状に形成されている。支持部材２の構成の詳細については後述する。本実施形態においては、電子部品３は、ＩＣチップであって、図２に示されているように、平面形状が矩形状に形成されている。「平面形状」とは、六面体状に形成された電子部品３における最も大きな面積を有する一対の表面である、一対の主面のうちの一方を、当該一方の主面の法線方向と平行な視線で見た場合の、当該一方の主面の形状をいう。また、「平面形状」は、平面視における形状、即ち平面図中の形状をいう場合もある。

導電性接合層４は、支持部材２の一表面である実装面２０に電子部品３を接着するための部材であって、ハンダ又は導電性接着剤によって形成されている。実装面２０の面内方向、即ち、実装面２０と平行な方向を、以下単に「面内方向」と称する。樹脂部材５は、合成樹脂成形体であって、エポキシ樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂等の熱硬化性もしくは熱可塑性合成樹脂によって形成されている。電子装置１は、支持部材２の実装面２０に導電性接合層４を介して電子部品３を搭載するとともに、搭載した電子部品３及び実装面２０を樹脂部材５で被覆した構成を有している。

支持部材２は、本体部２１とメタライズ層２２とを有している。本体部２１は、導電性の良好な金属材料、例えば、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｌ、又はこれらの金属元素の少なくとも一種を含む合金（４２アロイ等）によって形成されている。メタライズ層２２は、本体部２１上に形成された金属薄膜であって、実装面２０を有している。即ち、実装面２０は、メタライズ層２２の表面として設けられている。本実施形態においては、メタライズ層２２は、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇのうちの少なくとも一つを主成分とする金属材料をメッキ等で成膜することによって形成されている。

実装面２０は、支持部材２の有する一つの平面状の金属表面の一部に対して、樹脂部材５との接合性（即ち密着性）を向上するためのレーザービーム照射処理を施すことによって形成されている。具体的には、実装面２０は、搭載面２３と封止面２４とを有している。搭載面２３は、導電性接合層４に接合される金属質表面であって、面内方向における実装面２０の中心部に設けられている。「金属質表面」とは、金属を主成分とする表面であって、金属表面及び金属化合物表面（例えば金属酸化物表面）を含む。本実施形態においては、搭載面２３は、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が良好な金属表面として形成されている。

図３に示されているように、搭載面２３は、電子部品３における矩形状の平面形状に対応して、矩形状の平面形状に形成されている。封止面２４は、面内方向について搭載面２３に隣接する金属質表面であって、搭載面２３を囲むように搭載面２３の外側に設けられている。樹脂部材５は、電子部品３を被覆しつつ、封止面２４に接合されている。

封止面２４は、粗面２５を有している。粗面２５は、複数の略円形状のレーザー照射痕２６によって形成されている。レーザー照射痕２６は、外径が５〜３００μｍ程度のクレーター状の凹凸部であって、実装面２０にパルス発振のレーザービームを照射することによって形成されている。なお、一つの略円形状のレーザー照射痕２６は、一回のパルス発振のレーザービーム照射に対応する。

図３に示されているように、本実施形態においては、粗面２５は、平面視にて、所定の線幅（具体的にはレーザー照射痕２６の外径の二倍に相当する幅）を有する矩形状に形成されている。即ち、封止面２４の、矩形状の粗面２５よりも面内方向における内側には、レーザー照射痕２６を有しないレーザー非照射領域２７が形成されている。なお、本実施形態においては、封止面２４の、粗面２５よりも面内方向における外側にも、レーザー照射痕２６を有しない領域が形成されている。

上記の通り、粗面２５は、実装面２０の面内方向における中心部寄りのレーザー非照射領域２７よりも、面内方向における外側に、パルス発振のレーザービームを照射することによって形成されている。このレーザー非照射領域２７によって、搭載面２３の主要部が形成されている。具体的には、本実施形態においては、搭載面２３とレーザー非照射領域２７とは略一致している。

粗面２５は、第一領域２８と第二領域２９とを含む。第一領域２８及び第二領域２９には、それぞれ、レーザー照射痕２６が複数形成されている。第二領域２９は、面内方向におけるレーザー照射痕２６の密度が第一領域２８よりも高い領域である。具体的には、本実施形態においては、第二領域２９は、レーザービーム照射密度を第一領域２８の１．２５倍以上とすることで形成されている。

また、本実施形態においては、第二領域２９は、支持部材２と導電性接合層４及び樹脂部材５との接合部における、内部応力が他の部分よりも高い部分に対応して設けられている。具体的には、第二領域２９は、電子部品３の矩形状における四隅の近傍部分に設けられている。即ち、第二領域２９は、粗面２５の矩形状の平面形状における角部に設けられている。

図４Ａは、図３におけるIV−IV断面のうちの、第一領域２８に対応する部分を示す。図４Ｂは、図３におけるIV−IV断面のうちの、第二領域２９に対応する部分を示す。図４Ａ及び図４Ｂに示されているように、粗面２５には、第一凸部２６１と第二凸部２６２とが、それぞれ複数形成されている。

第一凸部２６１は、クレーター状のレーザー照射痕２６の外縁部に対応して形成された凸部であって、０．５〜５μｍの高さを有している。第一凸部２６１の高さは、図４Ａ及び図４Ｂにて矢印Ｈ１により示されており、その定義は後述する。

第二凸部２６２は、第一凸部２６１内及び第一凸部２６１の周囲に形成された凸部であって、１〜５００ｎｍの高さ及び１〜３００ｎｍの幅を有している。即ち、第二凸部２６２は、レーザー照射痕２６内及びレーザー照射痕２６の周囲に形成されている。また、第二領域２９における第二凸部２６２は、第一領域２８における第二凸部２６２よりも高く形成されている。第二凸部２６２の高さは、図４Ａ及び図４Ｂにて矢印Ｈ２により示されており、その定義は後述する。

第二凸部２６２は、１〜３００ｎｍの幅を有している。第二凸部２６２の幅の定義も後述する。粗面２５は、隣り合う２つの第二凸部２６２の間隔が１〜３００ｎｍとなるように形成されている。

上記のように、第二凸部２６２の高さは、第一凸部２６１の高さよりも充分小さい。故に、第一凸部２６１の高さは、第二凸部２６２の高さを捨象して定義可能である。即ち、第一凸部２６１の高さは、第二凸部２６２を平滑化して第一凸部２６１の仮想的な断面曲線（図４Ａ及び図４Ｂにおける点線参照）を形成した場合の、面内方向と直交する方向（即ち図４Ａ及び図４Ｂにおける上下方向）における、第一凸部２６１の最高位置と最低位置との間の距離である。

第二凸部２６２の高さは、第一凸部２６１における上記の仮想的な断面曲線を水平に伸ばした場合の、水平線と直交する方向における、第二凸部２６２の最高位置と最低位置との間の距離である。第二凸部２６２の幅は、第二凸部２６２の高さを規定する方向と直交する方向における、第二凸部２６２の隣接する２つの最低位置の間の距離である。

（実施形態の構成の製造方法）
上記構成を有する電子装置１は、以下のようにして製造することができる。なお、電子装置１に通常設けられる上記の細部に関しては、製造工程の説明を省略する。

まず、支持部材２の一金属表面の一部（即ちレーザー非照射領域２７よりも面内方向における外側の領域）に、パルス発振のレーザービームを走査しつつ多数回照射することで、略円形状のレーザー照射痕２６を多数有する粗面２５が形成される。レーザービームの照射条件は以下の通りである。レーザー光源は、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧ（ネオジム：イットリウム・アルミニウム・ガーネット）を用いることが可能である。Ｎｄ：ＹＡＧの場合、波長は、基本波長である１０６４μｍ、又はその高調波である５３３μｍ又は３５５μｍの波長を用いることが可能である。レーザービームの照射スポット径は、５〜３００μｍ、エネルギー密度は５〜１００Ｊ／平方ｃｍ、パルス幅（即ち一つのスポットあたりの照射時間）は１０〜１０００ｎｓである。

図５は、一回のレーザービーム照射によって一つのレーザー照射痕２６が形成された様子を示す。図中、破線は、レーザービームを示す。レーザービームの照射により、金属の溶融及び／又は気化と、これに伴う金属の凝固及び／又は堆積が生じる。これにより、図５に示されているように、ミクロンサイズの第一凸部２６１が平面視にて略円形に形成される。第一凸部２６１の外径は、レーザービームの照射スポット径よりも僅かに大きい。また、第一凸部２６１の内側及び周囲に、ナノサイズ又はサブミクロンサイズの第二凸部２６２が形成される。

レーザービームの走査条件は以下の通りである。本実施形態においては、レーザー光源、光学系、及び支持部材２を着脱可能に支持するためのＸＹステージは、容易には移動しないように固定的に設けられている。支持部材２がＸＹステージ上に装着される。レーザー光源の駆動とＸＹステージの駆動とが同期されつつ、実装面２０上の所望の位置にてレーザービームが照射される。これにより、レーザービームを実装面２０上にて所望のパターンで走査することが可能である。以下の説明では、説明の簡略化のため、レーザービームが実装面２０上を移動するような表現が用いられることがある。

本実施形態においては、図６に示されているように、まず、位置Ｐ１０を起点として、矩形Ｐ１１−Ｐ１２−Ｐ１３−Ｐ１４上をレーザービームが走査される。これにより、矩形Ｐ１１−Ｐ１２−Ｐ１３−Ｐ１４上に、レーザー照射痕２６が、隙間なく複数形成される。なお、位置Ｐ１０は、辺Ｐ１４−Ｐ１１上における、位置Ｐ１４よりも、レーザービームの照射スポット径の１／２程度、図中Ｘ軸正方向に変位した位置である。

具体的には、まず、支持部材２の図中Ｘ軸負方向への移動により、位置Ｐ１０からＰ１１に向かって、レーザービームが、実装面２０上を図中Ｘ軸正方向に一直線状に走査される。次に、支持部材２の図中Ｙ軸正方向への移動により、位置Ｐ１１からＰ１２に向かって、レーザービームが、実装面２０上を図中Ｙ軸負方向に一直線状に走査される。続いて、支持部材２の図中Ｘ軸正方向への移動により、位置Ｐ１２からＰ１３に向かって、レーザービームが、実装面２０上を図中Ｘ軸負方向に一直線状に走査される。さらに、支持部材２の図中Ｙ軸負方向への移動により、位置Ｐ１３からＰ１４に向かって、レーザービームが、実装面２０上を図中Ｙ軸正方向に一直線状に走査される。

その後、位置Ｐ２０を起点として、矩形Ｐ２１−Ｐ２２−Ｐ２３−Ｐ２４上をレーザービームが走査される。これにより、矩形Ｐ２１−Ｐ２２−Ｐ２３−Ｐ２４上に、レーザー照射痕２６が、隙間なく複数形成される。なお、矩形Ｐ２１−Ｐ２２−Ｐ２３−Ｐ２４は、矩形Ｐ１１−Ｐ１２−Ｐ１３−Ｐ１４よりも、レーザービームスポット１個分、外側に設けられている。また、辺Ｐ２１−Ｐ２２は辺Ｐ１１−Ｐ１２に隣接し、辺Ｐ２２−Ｐ２３は辺Ｐ１２−Ｐ１３に隣接し、辺Ｐ２３−Ｐ２４は辺Ｐ１３−Ｐ１４に隣接し、辺Ｐ２４−Ｐ２１は辺Ｐ１４−Ｐ１１に隣接している。位置Ｐ２０は、辺Ｐ２４−Ｐ２１上における、位置Ｐ２４よりも、レーザービームの照射スポット径の１／２程度、図中Ｘ軸正方向に変位した位置である。

具体的には、まず、位置Ｐ２０からＰ２１に向かって、レーザービームが、図中Ｘ軸正方向に一直線状に走査される。次に、位置Ｐ２１からＰ２２に向かって、レーザービームが、図中Ｙ軸負方向に一直線状に走査される。続いて、位置Ｐ２２からＰ２３に向かって、レーザービームが、図中Ｘ軸負方向に一直線状に走査される。さらに、位置Ｐ２３からＰ２４に向かって、レーザービームが、図中Ｙ軸正方向に一直線状に走査される。

位置Ｐ１０を起点としてＰ１１、Ｐ１２、及びＰ１３を経てＰ１４に至るレーザービームの走査速度は一定ではない。具体的には、位置Ｐ１０におけるレーザービーム照射前においては、支持部材２は停止している。位置Ｐ１０におけるレーザービーム照射時又はその直前にて、支持部材２の図中Ｘ軸負方向への移動が開始される。その後、レーザービーム照射位置が位置Ｐ１１に達するまで、支持部材２は連続的に移動する。

支持部材２の移動開始から所定の加速時間の間、支持部材２の移動速度が加速され、その後、移動速度は一定となる。さらにその後、支持部材２の移動速度が減速され、位置Ｐ１１におけるレーザービーム照射時又はその直後にて、支持部材２の移動方向の転換のため、支持部材２の図中Ｘ軸負方向への移動が停止される。このため、走査開始直後の位置Ｐ１０近辺、及び走査終了間際の位置Ｐ１１近辺においては、走査速度が比較的遅くなる。故に、位置Ｐ１０近傍及び位置Ｐ１１近傍にて、レーザー照射痕２６の密度が比較的高くなる。これに対し、Ｐ１０とＰ１１との中間位置近傍にて、走査速度が比較的高くなり、故に、レーザー照射痕２６の密度が比較的低くなる。

位置Ｐ１１にて、支持部材２の移動方向が転換される。即ち、支持部材２は、レーザービームの位置Ｐ１１からＰ１２に向かう走査の際に、図中Ｙ軸正方向に移動する。支持部材２が図中Ｙ軸正方向の移動を開始してから、レーザービーム照射位置が位置Ｐ１２に達するまで、支持部材２は連続的に移動する。このとき、上記の位置Ｐ１０−Ｐ１１間の走査と同様に、走査開始直後の位置Ｐ１１近辺、及び走査終了間際の位置Ｐ１２近辺においては、走査速度が比較的遅くなる。故に、位置Ｐ１１近傍及び位置Ｐ１２近傍にて、レーザー照射痕２６の密度が比較的高くなる。これに対し、Ｐ１１とＰ１２との中間位置にて、走査速度が比較的高くなり、故に、レーザー照射痕２６の密度が比較的低くなる。

レーザービームの、位置Ｐ１２からＰ１３に向かう走査、及び位置Ｐ１３からＰ１４に向かう走査の際も、上記と同様である。これにより、矩形Ｐ１１−Ｐ１２−Ｐ１３−Ｐ１４の角部にて、レーザー照射痕２６の密度が比較的高くなる。これに対し、矩形Ｐ１１−Ｐ１２−Ｐ１３−Ｐ１４の各辺における中間位置近傍にて、レーザー照射痕２６の密度が比較的低くなる。

位置Ｐ２０を起点としてＰ２１、Ｐ２２、及びＰ２３を経てＰ２４に至るレーザービームの走査についても、上記の位置Ｐ１０を起点としてＰ１１、Ｐ１２、及びＰ１３を経てＰ１４に至るレーザービームの走査と同様である。これにより、矩形Ｐ２１−Ｐ２２−Ｐ２３−Ｐ２４の角部にて、レーザー照射痕２６の密度が比較的高くなる。これに対し、矩形Ｐ２１−Ｐ２２−Ｐ２３−Ｐ２４の各辺における中間位置近傍にて、レーザー照射痕２６の密度が比較的低くなる。このようにして、粗面２５の矩形状の平面形状における角部に、面内方向におけるレーザー照射痕２６の密度が第一領域２８よりも高い第二領域２９が形成される。

レーザー照射痕２６の密度が第一領域２８よりも高い第二領域２９においては、レーザービーム照射による金属の気化量及び堆積量が、比較的多くなる。故に、第二領域２９における第二凸部２６２は、第一領域２８における第二凸部２６２よりも、高さが高く形成される。

上記のようにして、レーザービーム照射により実装面２０に粗面２５が形成された後、レーザー非照射領域２７を含む搭載面２３に、導電性接合層４が接合される。続いて、導電性接合層４における、実装面２０と接合された側と反対側に、電子部品３が接合される。こうして、電子部品３が、導電性接合層４を介して支持部材２に搭載される。

その後、合成樹脂成形体である樹脂部材５を封止面２４に接合することで、樹脂部材５により電子部品３が被覆される。このとき、封止面２４には、粗面２５が形成されている。この粗面２５は、微視的には、図４Ａ及び図４Ｂに示されているように、ミクロンサイズの第一凸部２６１と、ナノサイズ又はサブミクロンサイズの第二凸部２６２とを有している。このため、支持部材２と樹脂部材５とが良好に密着する。

（実施形態の効果）
上記の通り、本実施形態においては、支持部材２に対するレーザービームの照射により、支持部材２における封止面２４に、複数のレーザー照射痕２６による粗面２５が形成される。樹脂部材５との接合性（即ち密着性）を向上するための粗面２５には、第一領域２８と、面内方向におけるレーザー照射痕２６の密度が第一領域２８よりも高い第二領域２９とが形成される。

レーザー照射痕２６の密度が高い第二領域２９は、必要に応じて、所望の部分に設けられ得る。具体的には、例えば、レーザー照射痕２６の密度が高い第二領域２９は、支持部材２と導電性接合層４及び樹脂部材５との接合部における内部応力が高い部分である、電子部品３の矩形状における四隅の近傍部分に設けられる。これにより、内部応力に起因する、樹脂部材５の剥離等の不具合の発生が、可及的に抑制される。即ち、支持部材２における金属質表面である封止面２４と、樹脂部材５との密着性が、よりいっそう向上する。

レーザー照射痕２６の密度が高い第二領域２９は、レーザー照射痕２６の密度が低い第一領域２８よりも、第二凸部２６２の高さが高くなるように形成されている。これにより、内部応力が高い部分における樹脂部材５の密着性が、よりいっそう向上する。

本実施形態においては、レーザー照射痕２６の密度が高い第二領域２９は、粗面２５の全部ではなく、必要な一部にのみ設けられる。具体的には、実装面２０上のレーザービームの一方向走査における、始点近傍及び終点近傍に、第二領域２９が選択的に形成される。したがって、本実施形態によれば、加工時間の増加を最小限に抑えつつ、良好な密着力を確保することが可能となる。

（変形例）
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、上記実施形態に対しては適宜変更が可能である。以下、代表的な変形例について説明する。以下の変形例の説明においては、上記実施形態と異なる部分についてのみ説明する。したがって、以下の変形例の説明において、上記実施形態と同一の符号を有する構成要素に関しては、技術的矛盾又は特段の説明なき限り、上記実施形態における説明が適宜援用され得る。

支持部材２は、リードフレームに限定されない。例えば、支持部材２は、いわゆるＳＯＩ基板であってもよい。ＳＯＩはSilicon on Insulatorの略である。一方、本体部２１が金属部材であって、その表面の、導電性接合層４及び樹脂部材５との接合性が所定程度良好であれば、支持部材２は、メタライズ層２２を有していなくてもよい。

電子部品３は、ＩＣチップに限定されない。即ち、例えば、電子部品３は、コンデンサ素子等であってもよい。

封止面２４における、粗面２５が設けられていない部分は、樹脂部材５に覆われていなくてもよい。あるいは、粗面２５、即ち複数のレーザー照射痕２６は、封止面２４の全体に形成されていてもよい（図７〜図９参照）。粗面２５の一部（即ち面内方向における外縁部）は、樹脂部材５に覆われていなくてもよい。

図７に示されているように、第二領域２９は、電子部品３の矩形状における各辺の近傍部分に設けられていてもよい。なお、図７の例においても、レーザー照射痕２６の構造は、上記実施形態（図４Ａ及び図４Ｂ参照）と同様である。

レーザーの種類は、上記実施形態に限定されない。即ち、例えば、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、等が利用可能である。

レーザービームの走査方式も、上記実施形態に限定されない。即ち、例えば、支持部材２を固定して、光学系にてレーザービームスポットを実装面２０上にて移動させることが可能である。

レーザービームの走査方向も、特段の限定はない。即ち、例えば、図６に示されているように、レーザービームは、閉曲線上にて走査され得る。あるいは、例えば、図８にて実線矢印によって示されているように、レーザービームは、多数回、往復走査され得る。具体的には、図８の走査態様においては、副走査方向（図８における破線矢印参照）への支持部材２の相対移動の際には、レーザービームの照射は行われない。一回の副走査方向の走査と次回の副走査方向の走査との間に行われる、主走査方向（図８における実線矢印参照）への支持部材２の相対移動の際に、レーザービームの照射が行われる。一回の主走査方向の走査と、次回の主走査方向の走査とでは、支持部材２の相対移動方向が反対となる。

図９に示されているように、粗面２５が封止面２４の全体に形成されている場合において、レーザー照射痕２６の密度が高い第二領域２９は、支持部材２と導電性接合層４及び樹脂部材５との接合部における内部応力が他の部分よりも高い部分に対応して設けられていてもよい。即ち、第二領域２９は、電子部品３の矩形状における四隅の近傍部分を含み、且つ当該部分から電子部品３の平面視における矩形状の外形形状における一辺（図９における上辺）に沿うような、帯状に形成されていてもよい。図９の例においても、レーザー照射痕２６の構造は、上記実施形態（図４Ａ及び図４Ｂ参照）と同様である。

図９の走査態様においても、副走査方向（図９における破線矢印参照）への支持部材２の相対移動の際には、レーザービームの照射は行われない。一回の副走査方向の走査と次回の副走査方向の走査との間に行われる、主走査方向（図９における実線矢印参照）への支持部材２の相対移動の際に、レーザービームの照射が行われる。一回の主走査方向の走査と、次回の主走査方向の走査とでは、支持部材２の相対移動方向が反対となる。

第二凸部２６２は、第一凸部２６１内又は第一凸部２６１の周囲に形成されていればよい。

レーザー照射痕２６の密度が高い第二領域２９の形成方法は、上記実施形態に示された具体例に限定されない。即ち、上記実施形態においては、支持部材２と光学系との相対移動速度の変化を用いてレーザー照射痕２６の疎密を形成したが、本発明はかかる方法に限定されない。具体的には、例えば、粗面２５に相当する実装面２０上の領域内をレーザービームスポットが通過する間、支持部材２と光学系との相対移動速度は一定にされ得る。この場合、レーザービームの発振周波数を調整することで、レーザー照射痕２６の疎密を形成することが可能である。あるいは、支持部材２と光学系との相対移動速度と、レーザービームの発振周波数との双方を制御することによっても、レーザー照射痕２６の疎密を形成することが可能である。

第一領域２８及び第二領域２９におけるレーザー照射痕２６の形成態様も、上記実施形態に示された具体例に限定されない。例えば、第一領域２８には、レーザー照射痕２６がない部分があってもよい。第二領域２９におけるレーザー照射痕２６の形成密度も、一定であってもよいし、第二領域２９内の特定の領域にて形成密度が特に高い部分が存在していてもよい。

図１０に示されているように、粗面２５は、支持部材２と導電性接合層４及び樹脂部材５との接合部における内部応力が他の部分よりも高い部分のみに対応して設けられていてもよい。具体的には、粗面２５は、電子部品３の矩形状における四隅の近傍部分に設けられていてもよい。なお、図１０の例においても、レーザー照射痕２６の構造は、上記実施形態（図４Ａ及び図４Ｂ参照）と同様である。かかる構成によっても、上記実施形態と同様の効果が奏され得る。

変形例も、上記の例示に限定されない。即ち、複数の変形例が、互いに組み合わされ得る。また、複数の実施形態が、互いに組み合わされ得る。更に、複数の実施形態の組み合わせに対して、上記変形例の全部又は一部が、適宜組み合わされ得る。

１ 電子装置
２ 支持部材 ２０ 実装面
２１ 本体部 ２２ メタライズ層
２３ 搭載面 ２４ 封止面
２５ 粗面 ２６ レーザー照射痕
２６１ 第一凸部 ２６２ 第二凸部
２７ レーザー非照射領域
２８ 第一領域 ２９ 第二領域
３ 電子部品 ４ 導電性接合層
５ 樹脂部材

Claims (20)

1. 導電性接合層（４）を介して電子部品（３）を搭載した構成を有する電子装置（１）であって、
   前記導電性接合層に接合される金属質表面である搭載面（２３）と、前記搭載面の面内方向について、前記搭載面に隣接しつつ前記搭載面を囲むように前記搭載面の外側に設けられた金属質表面である封止面（２４）と、を有する支持部材（２）と、
   合成樹脂成形体であって、前記電子部品を被覆しつつ前記封止面に接合される樹脂部材（５）と、
   を備え、
   前記封止面は、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面（２５）を有し、
   前記粗面は、第一領域（２８）と、前記面内方向における前記レーザー照射痕の密度が前記第一領域よりも高い第二領域（２９）と、を含む、
   電子装置。
2. 前記第二領域は、前記支持部材と前記導電性接合層又は前記樹脂部材との接合部における、内部応力が他の部分よりも高い部分に対応して設けられた、請求項１に記載の電子装置。
3. 前記電子部品は、平面形状が矩形状に形成され、
   前記第二領域は、前記電子部品の前記矩形状における四隅の近傍部分に設けられた、請求項１又は２に記載の電子装置。
4. 前記第二領域は、前記電子部品の前記矩形状における各辺の近傍部分に設けられた、請求項３に記載の電子装置。
5. 前記粗面は、前記レーザー照射痕に対応する高さ０．５〜５μｍの第一凸部（２６１）と、前記第一凸部内及び／又は前記第一凸部の周囲に形成された高さ１〜５００ｎｍ及び幅１〜３００ｎｍの第二凸部（２６２）とを、それぞれ複数有する、
   請求項１〜４のいずれか１つに記載の電子装置。
6. 前記粗面は、隣り合う２つの前記第二凸部の間隔が１〜３００ｎｍとなるように形成された、
   請求項５に記載の電子装置。
7. 前記第二領域における前記第二凸部は、前記第一領域における前記第二凸部よりも高く形成された、
   請求項５又は６に記載の電子装置。
8. 導電性接合層（４）を介して電子部品（３）を搭載した構成を有する電子装置（１）であって、
   前記導電性接合層に接合される金属質表面である搭載面（２３）と、前記搭載面の面内方向について、前記搭載面に隣接しつつ前記搭載面を囲むように前記搭載面の外側に設けられた金属質表面である封止面（２４）と、を有する支持部材（２）と、
   合成樹脂成形体であって、前記電子部品を被覆しつつ前記封止面に接合される樹脂部材（５）と、
   を備え、
   前記封止面は、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面（２５）を有し、
   前記粗面は、前記支持部材と前記導電性接合層又は前記樹脂部材との接合部における、内部応力が他の部分よりも高い部分に対応して設けられた、
   電子装置。
9. 前記電子部品は、平面形状が矩形状に形成され、
   前記粗面は、前記電子部品の前記矩形状における四隅の近傍部分に設けられた、請求項８に記載の電子装置。
10. 前記粗面は、前記レーザー照射痕に対応する高さ０．５〜５μｍの第一凸部（２６１）と、前記第一凸部内及び／又は前記第一凸部の周囲に形成された高さ１〜５００ｎｍ及び幅１〜３００ｎｍの第二凸部（２６２）とを、それぞれ複数有する、
    請求項８又は９に記載の電子装置。
11. 前記粗面は、隣り合う２つの前記第二凸部の間隔が１〜３００ｎｍとなるように形成された、
    請求項１０に記載の電子装置。
12. 導電性接合層（４）を介して電子部品（３）を搭載した構成を有する電子装置（１）の製造方法であって、
    前記電子部品を搭載する支持部材（２）の有する一つの平面状の金属表面の一部であって、前記金属表面の面内方向における中心部寄りの領域であるレーザー非照射領域（２７）よりも前記面内方向における外側に、パルス発振のレーザービームを照射することで、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面であって第一領域（２８）と前記面内方向における前記レーザー照射痕の密度が前記第一領域よりも高い第二領域（２９）とを含む粗面（２５）を有する金属質表面である封止面（２４）を、前記レーザー照射痕を有しない前記レーザー非照射領域よりも前記面内方向における外側に設け、
    前記レーザー非照射領域を含む搭載面（２３）に前記導電性接合層を接合することで、前記導電性接合層を介して前記電子部品を前記支持部材に搭載し、
    合成樹脂成形体である樹脂部材（５）を前記封止面に接合することで、前記樹脂部材により前記電子部品を被覆する、
    電子装置の製造方法。
13. 前記封止面を設けることは、前記支持部材と前記導電性接合層又は前記樹脂部材との接合部における、内部応力が他の部分よりも高い部分に対応して、前記第二領域を形成することである、請求項１２に記載の電子装置の製造方法。
14. 前記封止面を設けることは、平面形状が矩形状の前記電子部品の前記矩形状における四隅の近傍部分に、前記第二領域を形成することである、請求項１２又は１３に記載の電子装置の製造方法。
15. 前記封止面を設けることは、前記電子部品の前記矩形状における各辺の近傍部分に、前記第二領域を形成することである、請求項１４に記載の電子装置の製造方法。
16. 前記封止面を設けることは、前記粗面に、前記レーザー照射痕に対応する高さ０．５〜５μｍの第一凸部（２６１）と、前記第一凸部内及び／又は前記第一凸部の周囲に形成された高さ１〜５００ｎｍ及び幅１〜３００ｎｍの第二凸部（２６２）とを、それぞれ複数形成することである、請求項１２〜１５のいずれか１つに記載の電子装置の製造方法。
17. 前記封止面を設けることは、隣り合う２つの前記第二凸部の間隔が１〜３００ｎｍとなるように、前記粗面を形成することである、請求項１６に記載の電子装置の製造方法。
18. 前記第二領域における前記第二凸部を、前記第一領域における前記第二凸部よりも高く形成する、請求項１６又は１７に記載の電子装置の製造方法。
19. 導電性接合層（４）を介して電子部品（３）を搭載した構成を有する電子装置（１）の製造方法であって、
    前記電子部品を搭載する支持部材（２）の有する一つの平面状の金属表面の一部であって、前記金属表面の面内方向における中心部寄りの領域であるレーザー非照射領域（２７）よりも前記面内方向における外側に、パルス発振のレーザービームを照射することで、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面（２５）を、有する金属質表面である封止面（２４）を、前記レーザー照射痕を有しない前記レーザー非照射領域よりも前記面内方向における外側であって前記支持部材と前記導電性接合層又は前記樹脂部材との接合部における内部応力が他の部分よりも高くなる部分に対応した位置に設け、
    前記レーザー非照射領域を含む搭載面（２３）に前記導電性接合層を接合することで、前記導電性接合層を介して前記電子部品を前記支持部材に搭載し、
    合成樹脂成形体である樹脂部材（５）を前記粗面に接合することで、前記樹脂部材により前記電子部品を被覆する、
    電子装置の製造方法。
20. 平面形状が矩形状の前記電子部品の前記矩形状における四隅の近傍部分に、前記粗面を形成する、請求項１９に記載の電子装置の製造方法。

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