JP2018060872A - Wafer processing method and polishing device - Google Patents

Wafer processing method and polishing device Download PDF

Info

Publication number
JP2018060872A
JP2018060872A JP2016195906A JP2016195906A JP2018060872A JP 2018060872 A JP2018060872 A JP 2018060872A JP 2016195906 A JP2016195906 A JP 2016195906A JP 2016195906 A JP2016195906 A JP 2016195906A JP 2018060872 A JP2018060872 A JP 2018060872A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
polishing
liquid
polishing pad
chuck table
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016195906A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6827289B2 (en
Inventor
有佑 宮城
Yusuke Miyagi
有佑 宮城
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2016195906A priority Critical patent/JP6827289B2/en
Priority to TW106130122A priority patent/TWI727089B/en
Priority to CN201710866117.1A priority patent/CN107891358B/en
Priority to KR1020170124277A priority patent/KR102320761B1/en
Publication of JP2018060872A publication Critical patent/JP2018060872A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6827289B2 publication Critical patent/JP6827289B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27—Work carriers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02016—Backside treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer processing method and a polishing device which enable rapid transfer to the formation of a gettering layer after polishing, and which enable a wafer processing as designed.SOLUTION: A wafer processing method hereof is a method for forming a gettering layer on a backside of a wafer by use of a polishing pad. The method comprises: a wafer-holding step ST1 of holding, on a chuck table, a BG tape stuck to a surface of the wafer; a strained layer-removing step ST4 of removing a strained layer from the backside of the wafer while supplying a polishing liquid to the polishing pad and in parallel, rotating the polishing pad and the chuck table; a polishing liquid-removing step ST5 of supplying a rinse liquid to the polishing pad from a nozzle to remove remaining polishing liquid after execution of the strained layer-removing step ST4; and a gettering layer-forming step ST6 of forming a gettering layer on the backside of the wafer while supplying a liquid including no polishing grain to the polishing pad and the wafer and in parallel, rotating the polishing pad and the chuck table.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、ウエーハの加工方法及び研磨装置に関する。   The present invention relates to a wafer processing method and a polishing apparatus.

電子デバイス製造工程においては、略円板状であるシリコン基板等の表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域を区画し、該領域の各々にＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large-Scale Integration）等のデバイスを形成する。このように複数のデバイスが形成されたウエーハをストリートに沿って分割することにより、個々のデバイスを形成する。デバイスの小型化および軽量化を図るために、通常、ウエーハをストリートに沿って切断して個々の領域を分割するのに先立って、ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成している。   In the electronic device manufacturing process, a plurality of regions are defined by dividing lines called streets arranged in a grid on the surface of a substantially disk-shaped silicon substrate or the like, and each of the regions has an IC (Integrated Circuit), Devices such as LSI (Large-Scale Integration) are formed. Individual devices are formed by dividing the wafer on which a plurality of devices are formed in this manner along the street. In order to reduce the size and weight of the device, the wafer is usually ground to have a predetermined thickness by grinding the back surface of the wafer prior to cutting the wafer along the street to divide the individual regions.

上述したようなウエーハの裏面を研削すると、デバイスの裏面にマイクロクラックからなる１μｍ程度の研削歪層が生成される。また、研削歪層によりデバイスの抗折強度が低下するため、ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成した後に、ウエーハの裏面に研磨加工、エッチング加工等を施し、ウエーハの裏面に生成された研削歪層を除去し、デバイスの抗折強度の低下を防いでいる。   When the back surface of the wafer as described above is ground, a grinding strain layer of about 1 μm composed of microcracks is generated on the back surface of the device. In addition, since the bending strength of the device is reduced by the grinding strain layer, the back surface of the wafer is ground and formed to a predetermined thickness, and then the back surface of the wafer is subjected to polishing processing, etching processing, etc. to be generated on the back surface of the wafer. The ground strain layer is removed to prevent the bending strength of the device from decreasing.

一方、裏面の歪層が除去されるとゲッタリング効果が低下してウエーハの内部に含有した銅等の金属イオンがデバイスが形成された表面側に移動することで電流リークが発生する虞が生じる。このような問題を解消するために、ウエーハの裏面に研削歪層（ゲッタリング層）を形成することが行われる。   On the other hand, when the strained layer on the back surface is removed, the gettering effect is reduced, and metal ions such as copper contained in the wafer move to the surface side where the device is formed, which may cause current leakage. . In order to solve such a problem, a grinding strain layer (gettering layer) is formed on the back surface of the wafer.

しかしながら、上記を実施するには研磨手段とゲッタリング層形成手段が必要となり、装置構成が複雑になるという問題がある。この問題点に対し、特許文献１では、研磨機能とゲッタリング層形成機能とをかね備えた研磨パッドを備える研磨装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。   However, in order to implement the above, a polishing means and a gettering layer forming means are required, and there is a problem that the apparatus configuration becomes complicated. In order to solve this problem, Patent Document 1 proposes a polishing apparatus including a polishing pad having both a polishing function and a gettering layer forming function (see, for example, Patent Document 1).

特開２０１５−０４６５５０号公報JP-A-2015-046550

生産性向上の観点からは研磨した後すぐにゲッタリング層形成に移行したいが、研磨後の研磨パッドには、研磨液が含まれており、すぐさまゲッタリング層の形成が行われるわけではない。さらに、設計通りの値に研磨完了しても研磨液を含む研磨パッドがウエーハに接することにより、設計値を超えてウエーハが浸食される虞がある。   From the viewpoint of improving productivity, it is desired to proceed to gettering layer formation immediately after polishing, but the polishing pad after polishing contains a polishing liquid, and the gettering layer is not immediately formed. Further, even if the polishing is completed to the designed value, the polishing pad containing the polishing liquid may come into contact with the wafer and the wafer may be eroded beyond the designed value.

そこで、本発明の目的は、研磨した後速やかにゲッタリング層形成に移行でき、設計通りのウエーハに加工できるウエーハの加工方法及び研磨装置を提供することである。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a wafer processing method and a polishing apparatus that can move to gettering layer formation immediately after polishing and can be processed into a designed wafer.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハの加工方法は、ウエーハよりモース硬度が高い砥粒を有する研磨パッドを使用し、該ウエーハの表面にデバイスが形成されたウエーハの裏面にゲッタリング層を形成するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に保護部材を貼着し、チャックテーブルの保持面に保護部材側を保持するウエーハ保持工程と、該研磨パッドに研磨液を供給しつつ該研磨パッドを回転するとともに該チャックテーブルを回転させながら該研磨パッドによってウエーハの裏面を研磨することによりウエーハの裏面から歪層を除去する歪層除去工程と、該歪層除去工程の実施後に該研磨パッドに向かってノズルからリンス液を供給し該研磨パッドに含まれる残存研磨液を除去する研磨液除去工程と、該研磨パッド及びウエーハに砥粒を含まない液を供給しつつ該研磨パッドを回転するとともに該チャックテーブルを回転させながら該研磨パッドによってウエーハの裏面を研磨することにより裏面にゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成工程と、を含むことを特徴とする。   In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, the wafer processing method of the present invention uses a polishing pad having abrasive grains having a Mohs hardness higher than that of the wafer, and a wafer in which a device is formed on the surface of the wafer. A wafer processing method for forming a gettering layer on the back surface of a wafer, a wafer holding step of attaching a protective member to the wafer surface, and holding the protective member side on the holding surface of the chuck table, and polishing the polishing pad A strain layer removing step of removing the strain layer from the back surface of the wafer by rotating the polishing pad while supplying the liquid and polishing the back surface of the wafer by the polishing pad while rotating the chuck table; A polishing liquid removing step of supplying a rinsing liquid from a nozzle toward the polishing pad after the step is performed and removing a residual polishing liquid contained in the polishing pad A gettering layer is formed on the back surface by rotating the polishing pad while supplying a liquid not containing abrasive grains to the polishing pad and the wafer and polishing the back surface of the wafer with the polishing pad while rotating the chuck table. And a gettering layer forming step.

前記ゲッタリング層形成工程は、該チャックテーブルを該研磨パッドに対して水平移動させながら行っても良い。   The gettering layer forming step may be performed while moving the chuck table horizontally with respect to the polishing pad.

本発明の研磨装置は、ウエーハを研磨する研磨装置であって、ウエーハを回転可能に保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研磨し、該研磨したウエーハにゲッタリング層を形成する研磨パッドを有する研磨手段と、ウエーハ及び該研磨パッドに研磨液を供給する研磨液供給源と、ウエーハ及び該研磨パッドに研磨液とは異なる砥粒を含まない液を供給する液供給源と、少なくとも該研磨手段と該チャックテーブルとを制御して、研磨液を供給しつつウエーハを研磨し、次いで該砥粒を含まない液を供給しつつゲッタリング層を形成する制御手段と、該チャックテーブルに隣接して設けられ、研磨液を除去するためのリンス液を該研磨パッドに向かって供給するノズルと、を備え、該制御手段はさらにウエーハを研磨した後ゲッタリング層形成に移行する際、該ノズルから該研磨パッドに向かってリンス液を供給して該研磨パッドに残存する研磨液を除去するよう制御することを特徴とする。   The polishing apparatus of the present invention is a polishing apparatus for polishing a wafer, a chuck table for rotatably holding a wafer, a wafer held on the chuck table, and a gettering layer formed on the polished wafer A polishing means having a polishing pad, a wafer and a polishing liquid supply source for supplying a polishing liquid to the polishing pad, and a liquid supply source for supplying a wafer and a liquid not containing abrasive grains different from the polishing liquid to the polishing pad. A control means for controlling at least the polishing means and the chuck table to polish the wafer while supplying a polishing liquid and then forming a gettering layer while supplying a liquid not containing the abrasive grains; and the chuck And a nozzle that is provided adjacent to the table and supplies a rinsing liquid for removing the polishing liquid toward the polishing pad, and the control means further includes a wafer. When moving to a gettering layer formed after polishing the wafer, characterized in that by supplying a rinse liquid toward the polishing pad from the nozzle is controlled so as to remove the polishing liquid remaining on the polishing pad.

本発明によれば、研磨からゲッタリング層形成へ移行する時間を短縮することで生産性を向上させるとともに設計した通りに加工することができる。   According to the present invention, it is possible to improve the productivity by shortening the time for shifting from the polishing to the formation of the gettering layer and to perform the processing as designed.

図１は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の加工対象のウエーハを示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view illustrating a wafer to be processed by the wafer processing method according to the first embodiment. 図２は、実施形態１に係るウエーハの加工方法に用いられる研削研磨装置の構成例の斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a configuration example of a grinding and polishing apparatus used in the wafer processing method according to the first embodiment. 図３は、図２に示された研削研磨装置の研磨手段の構成例を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a configuration example of the polishing means of the grinding and polishing apparatus shown in FIG. 図４は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart showing the flow of the wafer processing method according to the first embodiment. 図５は、実施形態１に係るウエーハの加工方法のウエーハ保持工程の表面にＢＧテープが貼着されたウエーハの断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of a wafer in which a BG tape is attached to the surface of the wafer holding step of the wafer processing method according to the first embodiment. 図６は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の歪層除去工程を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a strained layer removing process of the wafer processing method according to the first embodiment. 図７は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の研磨液除去工程を示す図である。FIG. 7 is a diagram illustrating a polishing liquid removal step of the wafer processing method according to the first embodiment. 図８は、実施形態１に係るウエーハの加工方法のゲッタリング層形成工程を示す図である。FIG. 8 is a diagram illustrating a gettering layer forming step of the wafer processing method according to the first embodiment. 図９は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の個片化工程を示す図である。FIG. 9 is a diagram illustrating an individualization step of the wafer processing method according to the first embodiment. 図１０は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の歪層除去工程を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a strained layer removing step of the wafer processing method according to the second embodiment. 図１１は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の研磨液除去工程を示す図である。FIG. 11 is a diagram illustrating a polishing liquid removal step of the wafer processing method according to the second embodiment. 図１２は、実施形態２に係るウエーハの加工方法のゲッタリング層形成工程を示す図である。FIG. 12 is a diagram illustrating a gettering layer forming step of the wafer processing method according to the second embodiment. 図１３は、実施形態２の変形例１に係るウエーハの加工方法の研磨液除去工程を示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating a polishing liquid removal step of the wafer processing method according to the first modification of the second embodiment.

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Embodiments (embodiments) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. The constituent elements described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the structures described below can be combined as appropriate. Various omissions, substitutions, or changes in the configuration can be made without departing from the scope of the present invention.

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るウエーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の加工対象のウエーハを示す斜視図である。図２は、実施形態１に係るウエーハの加工方法に用いられる研削研磨装置の構成例の斜視図である。図３は、図２に示された研削研磨装置の研磨手段の構成例を示す斜視図である。 Embodiment 1
A wafer processing method according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view illustrating a wafer to be processed by the wafer processing method according to the first embodiment. FIG. 2 is a perspective view of a configuration example of a grinding and polishing apparatus used in the wafer processing method according to the first embodiment. FIG. 3 is a perspective view showing a configuration example of the polishing means of the grinding and polishing apparatus shown in FIG.

実施形態１に係るウエーハの加工方法は、ウエーハＷの裏面ＷＲにゲッタリング層Ｇを形成するとともに、ウエーハＷをデバイスチップＤＴ（図１中に点線で示す）に分割する方法である。ウエーハＷは、図１に示すように、シリコンを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハＷは、表面ＷＳに格子状に形成される複数のストリートＳによって区画された領域にデバイスＤＶが形成されている。即ち、ウエーハＷは、表面ＷＳに複数のデバイスＤＶが形成されている。ウエーハＷは、表面ＷＳの裏側の裏面ＷＲに研削加工などが施されて、所定の厚みまで薄化された後に、裏面ＷＲ側にゲッタリング層Ｇが形成される。ゲッタリング層Ｇは、ウエーハＷの裏面ＷＲ即ち各デバイスＤＶの裏面ＷＲに結晶欠陥、歪みなど（ゲッタリングサイトという）が形成された層であり、このゲッタリングサイトに金属汚染を引き起こす不純物を捕獲、固着する層である。実施形態１において、ウエーハＷは、裏面ＷＲ側にゲッタリング層Ｇが形成された後、デバイスＤＶを含むデバイスチップＤＴに分割されるが、研削研磨装置１により研削加工される前に表面ＷＳ側から裏面ＷＲに至らない溝が形成され、研削研磨装置１によりデバイスチップＤＴに分割された後に、裏面ＷＲ側にゲッタリング層Ｇが形成されても良い。   The wafer processing method according to the first embodiment is a method in which the gettering layer G is formed on the back surface WR of the wafer W, and the wafer W is divided into device chips DT (indicated by dotted lines in FIG. 1). As shown in FIG. 1, the wafer W is a disk-shaped semiconductor wafer or optical device wafer having silicon as a base material. In the wafer W, a device DV is formed in a region partitioned by a plurality of streets S formed in a lattice shape on the surface WS. That is, the wafer W has a plurality of devices DV formed on the surface WS. The wafer W is subjected to grinding or the like on the back surface WR on the back side of the front surface WS and thinned to a predetermined thickness, and then the gettering layer G is formed on the back surface WR side. The gettering layer G is a layer in which crystal defects and strains (called gettering sites) are formed on the back surface WR of the wafer W, that is, the back surface WR of each device DV, and traps impurities that cause metal contamination at the gettering site. It is a layer that adheres. In the first embodiment, after the gettering layer G is formed on the back surface WR side, the wafer W is divided into device chips DT including the device DV, but before being ground by the grinding and polishing apparatus 1, The gettering layer G may be formed on the back surface WR side after the grooves that do not reach the back surface WR are formed and divided into device chips DT by the grinding and polishing apparatus 1.

実施形態１に係るウエーハの加工方法は、少なくとも図２に示す研磨装置としての研削研磨装置１を用いる。研削研磨装置１は、ウエーハＷの裏面ＷＲを薄型化のために研削加工するとともに、研削加工されたウエーハＷの裏面ＷＲを高精度に平坦化しかつウエーハＷの裏面ＷＲ側にゲッタリング層Ｇを形成するために研磨加工するものである。研削研磨装置１は、図２に示すように、装置本体２と、第１の研削手段３と、第２の研削手段４と、研磨手段５と、ターンテーブル６上に設置された例えば４つのチャックテーブル７と、カセット８，９と、位置合わせ手段１０と、搬入手段１１と、洗浄手段１３と、搬出入手段１４と、制御手段１００とを主に備えている。   The wafer processing method according to the first embodiment uses at least a grinding and polishing apparatus 1 as a polishing apparatus shown in FIG. The grinding and polishing apparatus 1 grinds the back surface WR of the wafer W in order to reduce the thickness, flattens the back surface WR of the ground wafer W with high accuracy, and forms a gettering layer G on the back surface WR side of the wafer W. Polishing is performed to form the film. As shown in FIG. 2, the grinding / polishing apparatus 1 includes, for example, four main bodies 2, a first grinding means 3, a second grinding means 4, a polishing means 5, and a turntable 6. The chuck table 7, cassettes 8 and 9, positioning means 10, carry-in means 11, cleaning means 13, carry-in / out means 14, and control means 100 are mainly provided.

第１の研削手段３は、スピンドルの下端に装着された研削砥石を有する研削ホイール３１が回転されながら粗研削位置Ｂのチャックテーブル７に保持されたウエーハＷの裏面ＷＲに鉛直方向と平行なＺ軸方向に沿って押圧されることによって、ウエーハＷの裏面ＷＲを粗研削加工するためのものである。同様に、第２の研削手段４は、スピンドルの下端に装着された研削砥石を有する研削ホイール４１が回転されながら仕上げ研削位置Ｃに位置するチャックテーブル７に保持された粗研削済みのウエーハＷの裏面ＷＲにＺ軸方向に沿って押圧されることによって、ウエーハＷの裏面ＷＲを仕上げ研削加工するためのものである。   The first grinding means 3 includes a Z parallel to the back surface WR of the wafer W held on the chuck table 7 at the rough grinding position B while the grinding wheel 31 having a grinding wheel mounted on the lower end of the spindle is rotated. This is for roughly grinding the back surface WR of the wafer W by being pressed along the axial direction. Similarly, the second grinding means 4 includes a rough-grinded wafer W held on a chuck table 7 positioned at a finish grinding position C while a grinding wheel 41 having a grinding wheel mounted on the lower end of the spindle is rotated. This is for finishing grinding the back surface WR of the wafer W by being pressed against the back surface WR along the Z-axis direction.

研磨手段５は、チャックテーブル７に保持されたウエーハＷを研磨し、ウエーハＷにゲッタリング層Ｇを形成する研磨パッド５１を有するものである。実施形態１において、研磨手段５は、図３に示すように、スピンドル５４の下端に装着された研磨パッド５１をチャックテーブル７の保持面７ａに対向して配置させる。研磨手段５は、研磨パッド５１が回転されながら、研磨位置Ｄに位置するチャックテーブル７の保持面７ａに保持された仕上げ研削済みのウエーハＷの裏面ＷＲにＺ軸方向に沿って研磨送り手段５３によって押圧される。研磨手段５は、研磨パッド５１がウエーハＷの裏面ＷＲにＺ軸方向に沿って押圧されることによって、ウエーハＷの裏面ＷＲを研磨加工するためのものである。   The polishing means 5 has a polishing pad 51 for polishing the wafer W held on the chuck table 7 and forming a gettering layer G on the wafer W. In the first embodiment, the polishing unit 5 places the polishing pad 51 mounted on the lower end of the spindle 54 so as to face the holding surface 7a of the chuck table 7 as shown in FIG. The polishing means 5 is a polishing feed means 53 along the Z-axis direction on the back surface WR of the finish-ground wafer W held on the holding surface 7a of the chuck table 7 located at the polishing position D while the polishing pad 51 is rotated. Is pressed by. The polishing means 5 is for polishing the back surface WR of the wafer W by pressing the polishing pad 51 against the back surface WR of the wafer W along the Z-axis direction.

研磨手段５の研磨パッド５１は、平均粒径０．３５〜１．７（μｍ）［中央値］の砥粒を２０〜５０重量％含む。平均粒径は、レーザー回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％での粒径を意味する。積算値５０％での粒径とは、粒子サイズが小さいものから粒子数をカウントして、全粒子数の５０％になったところでの粒径を意味する。研磨パッド５１に含まれる砥粒は、ウエーハＷを構成するシリコンよりもモース硬度が高いものであり、ゲッタリング層Ｇを形成するのに好適な砥粒として、例えば、ＧＣ（緑色炭化ケイ素）、ＷＡ（ホワイトアランダム）、ダイヤモンドを用いることができる。また、研磨パッド５１に含まれる砥粒は、研磨加工に好適な砥粒として、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）、ジルコニア（ＺｒＯ２）またはセリア（ＣｅＯ２）を用いることができる。実施形態１において、研磨パッド５１は、ＧＣ等のゲッタリング層Ｇを形成するのに好適な砥粒と、シリカ等の研磨加工に好適な砥粒との双方を含んでいる。 The polishing pad 51 of the polishing means 5 contains 20 to 50% by weight of abrasive grains having an average particle size of 0.35 to 1.7 (μm) [median value]. The average particle size means the particle size at an integrated value of 50% in the particle size distribution obtained by the laser diffraction / scattering method. The particle size at an integrated value of 50% means the particle size at which the number of particles is counted from the smallest particle size and reaches 50% of the total number of particles. The abrasive grains contained in the polishing pad 51 have a Mohs hardness higher than that of silicon constituting the wafer W. As abrasive grains suitable for forming the gettering layer G, for example, GC (green silicon carbide), WA (white alundum) and diamond can be used. As the abrasive grains contained in the polishing pad 51, for example, silica (SiO 2 ), zirconia (ZrO 2 ), or ceria (CeO 2 ) can be used as abrasive grains suitable for polishing. In the first embodiment, the polishing pad 51 includes both abrasive grains suitable for forming the gettering layer G such as GC and abrasive grains suitable for polishing such as silica.

研磨手段５は、切換え弁１２を介して研磨液供給源１５からのアルカリ性を有する研磨液ＧＬを研磨パッド５１とは別体のノズル１６からウエーハＷの裏面ＷＲに供給しながら、研磨パッド５１を用いて研磨加工をウエーハＷの裏面ＷＲに施した後、切換え弁１２を介して液供給源１７からの砥粒を含有しない液Ｌ（実施形態１においては、純水）をノズル１６からウエーハＷの裏面ＷＲに供給しながら、研磨パッド５１を用いてウエーハＷの裏面ＷＲ側にゲッタリング層Ｇを形成する。その際、ウエーハＷの抗折強度が維持される。実施形態１において、ウエーハＷの抗折強度は、１０００ＭＰａ以上に維持されるが、本発明は、これに限定されず、所望のデバイス強度が得られるような値を設定すればよい。ここで、砥粒を含有しない液としては、ウエーハＷと反応しない液体であればよく、ウエーハＷがシリコンからなる場合には、純水や純水に添加物を含んでもよく実質的にウエーハＷと反応しない液体であればよい。   The polishing means 5 supplies the polishing pad 51 while supplying the polishing liquid GL having alkalinity from the polishing liquid supply source 15 to the back surface WR of the wafer W from the nozzle 16 separate from the polishing pad 51 via the switching valve 12. After the polishing process is performed on the back surface WR of the wafer W, a liquid L (pure water in the first embodiment) containing no abrasive grains from the liquid supply source 17 is supplied from the nozzle 16 through the switching valve 12 to the wafer W. The gettering layer G is formed on the back surface WR side of the wafer W using the polishing pad 51 while supplying the back surface WR. At that time, the bending strength of the wafer W is maintained. In the first embodiment, the bending strength of the wafer W is maintained at 1000 MPa or more. However, the present invention is not limited to this, and a value that can provide a desired device strength may be set. Here, the liquid that does not contain abrasive grains may be any liquid that does not react with the wafer W, and when the wafer W is made of silicon, the wafer W may contain an additive in pure water or pure water. Any liquid that does not react with the liquid may be used.

前述したように、研磨液供給源１５は、ウエーハＷ及び研磨パッド５１に研磨液ＧＬを供給するものである。液供給源１７は、ウエーハＷ及び研磨パッド５１に研磨液ＧＬとは異なる砥粒を含まない液Ｌを供給するものである。   As described above, the polishing liquid supply source 15 supplies the polishing liquid GL to the wafer W and the polishing pad 51. The liquid supply source 17 supplies the wafer L and the polishing pad 51 with a liquid L that does not contain abrasive grains different from the polishing liquid GL.

研磨手段５は、研磨加工をウエーハＷの裏面ＷＲに施した後、リンス液供給源１９からの研磨パッド５１から研磨液ＧＬを除去するためのリンス液ＣＬ（実施形態１においては、純水）をノズル２０から回転中の研磨パッド５１に供給する。リンス液ＣＬとしては、ウエーハＷと反応しない液体であればよく、ウエーハＷがシリコンからなる場合には、純水や純水に添加物を含んでもよく実質的にウエーハＷと反応しない液体であればよい。また、研磨手段５は、図３に示すように、研磨パッド５１をスピンドル５４とともに、Ｚ軸方向と直交しかつ装置本体２の幅方向と平行なＸ軸方向に移動させるＸ軸移動手段５２を備える。ノズル２０は、研磨位置Ｄのチャックテーブル７に隣接して設けられ、リンス液ＣＬを研磨パッド５１に向かって供給するものであり、吐出形状がスリット状である。   The polishing means 5 performs a polishing process on the back surface WR of the wafer W, and then rinses CL for removing the polishing liquid GL from the polishing pad 51 from the rinse liquid supply source 19 (pure water in the first embodiment). Is supplied from the nozzle 20 to the rotating polishing pad 51. The rinsing liquid CL may be any liquid that does not react with the wafer W. If the wafer W is made of silicon, it may contain pure water or an additive in pure water, and may be a liquid that does not substantially react with the wafer W. That's fine. Further, as shown in FIG. 3, the polishing means 5 includes an X-axis moving means 52 that moves the polishing pad 51 together with the spindle 54 in the X-axis direction perpendicular to the Z-axis direction and parallel to the width direction of the apparatus main body 2. Prepare. The nozzle 20 is provided adjacent to the chuck table 7 at the polishing position D, and supplies the rinse liquid CL toward the polishing pad 51, and the discharge shape is a slit shape.

実施形態１において、研磨パッド５１が、ＧＣ等のゲッタリング層Ｇを形成するのに好適な砥粒と、シリカ等の研磨加工に好適な砥粒との双方を含んでいるが、本発明では、研磨パッド５１が、ＧＣ等のゲッタリング層Ｇを形成するのに好適な砥粒と、シリカ等の研磨加工に好適な砥粒との少なくとも一方を含んでいれば良い。研磨パッド５１が、砥粒としてＧＣ等のゲッタリング層Ｇを形成するのに好適な砥粒のみを含んでいる場合には、研磨液供給源１５から供給される研磨液ＧＬにシリカ等の研磨加工に好適な砥粒を含有させても良く、研磨パッド５１が、砥粒としてシリカ等の研磨加工に好適な砥粒のみを含んでいる場合には、液供給源１７から供給される液ＬにＧＣ等のゲッタリング層Ｇを形成するのに好適な砥粒を含有させれば良い。   In the first embodiment, the polishing pad 51 includes both abrasive grains suitable for forming the gettering layer G such as GC and abrasive grains suitable for polishing such as silica. The polishing pad 51 only needs to include at least one of abrasive grains suitable for forming the gettering layer G such as GC and abrasive grains suitable for polishing such as silica. When the polishing pad 51 contains only abrasive grains suitable for forming the gettering layer G such as GC as abrasive grains, the polishing liquid GL supplied from the polishing liquid supply source 15 is polished with silica or the like. Abrasive grains suitable for processing may be included. When the polishing pad 51 includes only abrasive grains suitable for polishing such as silica as the abrasive grains, the liquid L supplied from the liquid supply source 17 is used. It is only necessary to contain abrasive grains suitable for forming the gettering layer G such as GC.

また、実施形態１において、リンス液供給源１９から供給するリンス液ＣＬは、純水であるが、本発明では、純水と高圧気体とを混合した２流体であっても良い。   In the first embodiment, the rinsing liquid CL supplied from the rinsing liquid supply source 19 is pure water. However, in the present invention, two fluids obtained by mixing pure water and high-pressure gas may be used.

ターンテーブル６は、装置本体２の上面に設けられた円盤状のテーブルであり、水平面内で回転可能に設けられ、所定のタイミングで回転駆動される。このターンテーブル６上には、例えば４つのチャックテーブル７が、例えば９０度の位相角で等間隔に配設されている。これら４つのチャックテーブル７は、ウエーハＷを回転可能に保持するものであり、保持面７ａに真空チャックを備えたチャックテーブル構造のものであり、保持面７ａ上に載置されたウエーハＷを真空吸着して保持する。これらチャックテーブル７は、研削加工時及び研磨加工時には、鉛直方向と平行な軸を回転軸として、回転駆動機構によって水平面内で回転駆動される。このように、チャックテーブル７は、被加工物としてのウエーハＷを回転可能に保持する保持面７ａを有している。このようなチャックテーブル７は、ターンテーブル６の回転によって、搬入搬出位置Ａ、粗研削位置Ｂ、仕上げ研削位置Ｃ、研磨位置Ｄ、搬入搬出位置Ａに順次移動される。   The turntable 6 is a disk-shaped table provided on the upper surface of the apparatus main body 2, is provided so as to be rotatable in a horizontal plane, and is driven to rotate at a predetermined timing. On the turntable 6, for example, four chuck tables 7 are arranged at equal intervals with a phase angle of 90 degrees, for example. These four chuck tables 7 hold the wafer W in a rotatable manner, and have a chuck table structure having a vacuum chuck on the holding surface 7a. The wafer W placed on the holding surface 7a is vacuumed. Adsorb and hold. The chuck table 7 is rotationally driven in a horizontal plane by a rotational drive mechanism with an axis parallel to the vertical direction as a rotational axis during grinding and polishing. As described above, the chuck table 7 has the holding surface 7a that rotatably holds the wafer W as a workpiece. Such a chuck table 7 is sequentially moved to a carry-in / carry-out position A, a rough grinding position B, a finish grinding position C, a polishing position D, and a carry-in / carry-out position A as the turntable 6 rotates.

カセット８，９は、複数のスロットを有するウエーハＷを収容するための収容器である。一方のカセット８は、研削研磨加工前の表面ＷＳに保護部材であるＢＧ（Back Grind）テープＴ（図５に示す）が貼着されたウエーハＷを収容し、他方のカセット９は、研削研磨加工後のウエーハＷを収容する。また、位置合わせ手段１０は、カセット８から取り出されたウエーハＷが仮置きされて、その中心位置合わせを行うためのテーブルである。   The cassettes 8 and 9 are containers for storing a wafer W having a plurality of slots. One cassette 8 accommodates a wafer W having a BG (Back Grind) tape T (shown in FIG. 5) attached to a surface WS before grinding / polishing, and the other cassette 9 is ground / polished. The processed wafer W is accommodated. The positioning means 10 is a table on which the wafer W taken out from the cassette 8 is temporarily placed and its center is aligned.

搬入手段１１は、吸着パッドを有し、位置合わせ手段１０で位置合わせされた研削研磨加工前のウエーハＷを吸着保持して搬入搬出位置Ａに位置するチャックテーブル７上に搬入する。搬入手段１１は、搬入搬出位置Ａに位置するチャックテーブル７上に保持された研削研磨加工後のウエーハＷを吸着保持して洗浄手段１３に搬出する。   The carrying-in means 11 has a suction pad, sucks and holds the wafer W before grinding and polishing processed by the positioning means 10 and carries it on the chuck table 7 positioned at the carry-in / out position A. The carry-in means 11 sucks and holds the ground and polished wafer W held on the chuck table 7 located at the carry-in / out position A and carries it out to the cleaning means 13.

搬出入手段１４は、例えばＵ字型ハンド１４ａを備えるロボットピックであり、Ｕ字型ハンド１４ａによってウエーハＷを吸着保持して搬送する。具体的には、搬出入手段１４は、研削研磨加工前のウエーハＷをカセット８から位置合わせ手段１０へ搬出するとともに、研削研磨加工後のウエーハＷを洗浄手段１３からカセット９へ搬入する。洗浄手段１３は、研削研磨加工後のウエーハＷを洗浄し、研削及び研磨された加工面に付着している研削屑及び研磨屑等のコンタミネーションを除去する。   The carry-in / out means 14 is, for example, a robot pick provided with a U-shaped hand 14a, and transports the wafer W by suction holding with the U-shaped hand 14a. Specifically, the carry-in / out means 14 carries out the wafer W before the grinding / polishing process from the cassette 8 to the alignment means 10 and carries the wafer W after the grinding / polishing process into the cassette 9 from the cleaning means 13. The cleaning means 13 cleans the wafer W after the grinding and polishing process, and removes contamination such as grinding scraps and polishing scraps attached to the ground and polished processed surface.

制御手段１００は、研削研磨装置１を構成する上述した構成要素をそれぞれ制御するものである。即ち、制御手段１００は、ウエーハＷに対する加工動作を研削研磨装置１に実行させるものであり、少なくとも研磨手段５とチャックテーブル７とを制御して、研磨液ＧＬを供給しつつウエーハＷを研磨し、次いで砥粒を含まない液Ｌを供給しつつゲッタリング層Ｇを形成するものである。制御手段１００は、コンピュータプログラムを実行可能なコンピュータである。制御手段１００は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インタフェース装置とを有する。制御手段１００のＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているコンピュータプログラムをＲＡＭ上で実行して、研削研磨装置１を制御するための制御信号を生成する。制御手段１００のＣＰＵは、生成した制御信号を入出力インタフェース装置を介して研削研磨装置１の各構成要素に出力する。また、制御手段１００は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示手段や、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力手段と接続されている。入力手段は、表示手段に設けられたタッチパネルと、キーボード等とのうち少なくとも一つにより構成される。   The control means 100 controls the above-described components constituting the grinding / polishing apparatus 1. That is, the control unit 100 causes the grinding and polishing apparatus 1 to perform a processing operation on the wafer W, and controls at least the polishing unit 5 and the chuck table 7 to polish the wafer W while supplying the polishing liquid GL. Then, the gettering layer G is formed while supplying the liquid L not containing abrasive grains. The control means 100 is a computer that can execute a computer program. The control means 100 includes an arithmetic processing device having a microprocessor such as a CPU (central processing unit), a storage device having a memory such as a ROM (read only memory) or a RAM (random access memory), and an input / output interface device. And have. The CPU of the control means 100 generates a control signal for controlling the grinding and polishing apparatus 1 by executing a computer program stored in the ROM on the RAM. The CPU of the control means 100 outputs the generated control signal to each component of the grinding / polishing apparatus 1 via the input / output interface device. Further, the control means 100 is connected to a display means (not shown) constituted by a liquid crystal display device or the like that displays a processing operation state or an image, or an input means used when an operator registers processing content information or the like. . The input means includes at least one of a touch panel provided on the display means, a keyboard, and the like.

次に、実施形態１に係るウエーハの加工方法について説明する。図４は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。図５は、実施形態１に係るウエーハの加工方法のウエーハ保持工程の表面にＢＧテープが貼着されたウエーハの断面図である。図６は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の歪層除去工程を示す図である。図７は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の研磨液除去工程を示す図である。図８は、実施形態１に係るウエーハの加工方法のゲッタリング層形成工程を示す図である。図９は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の個片化工程を示す図である。   Next, the wafer processing method according to the first embodiment will be described. FIG. 4 is a flowchart showing the flow of the wafer processing method according to the first embodiment. FIG. 5 is a cross-sectional view of a wafer in which a BG tape is attached to the surface of the wafer holding step of the wafer processing method according to the first embodiment. FIG. 6 is a diagram illustrating a strained layer removing process of the wafer processing method according to the first embodiment. FIG. 7 is a diagram illustrating a polishing liquid removal step of the wafer processing method according to the first embodiment. FIG. 8 is a diagram illustrating a gettering layer forming step of the wafer processing method according to the first embodiment. FIG. 9 is a diagram illustrating an individualization step of the wafer processing method according to the first embodiment.

ウエーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、図４に示すように、ウエーハ保持工程ＳＴ１と、粗研削工程ＳＴ２と、仕上げ研削工程ＳＴ３と、歪層除去工程ＳＴ４と、研磨液除去工程ＳＴ５と、ゲッタリング層形成工程ＳＴ６と、個片化工程ＳＴ７とを含む。   As shown in FIG. 4, a wafer processing method (hereinafter simply referred to as a processing method) includes a wafer holding step ST1, a rough grinding step ST2, a finish grinding step ST3, a strain layer removing step ST4, and a polishing liquid removal. A process ST5, a gettering layer forming process ST6, and a singulation process ST7 are included.

ウエーハ保持工程ＳＴ１は、ウエーハＷの表面ＷＳにＢＧテープＴを貼着し、チャックテーブル７の保持面７ａにＢＧテープＴ側を吸引保持する工程である。ウエーハ保持工程ＳＴ１では、オペレータは、図５に示すように、研削研磨加工前のウエーハＷの表面ＷＳにＢＧテープＴを貼着し、ＢＧテープＴを下向きにして、ウエーハＷをカセット８内に収容する。オペレータは、研削研磨加工前のウエーハＷを収容したカセット８と、ウエーハＷを収容していないカセット９を装置本体２に取り付け、加工情報を制御手段１００に登録する。オペレータは、研削研磨装置１に加工動作の開始指示を入力し、制御手段１００が、研削研磨装置１の加工動作を開始する。   The wafer holding step ST1 is a step of sticking the BG tape T on the surface WS of the wafer W and sucking and holding the BG tape T side on the holding surface 7a of the chuck table 7. In the wafer holding step ST1, as shown in FIG. 5, the operator attaches the BG tape T to the surface WS of the wafer W before grinding and polishing, and places the wafer W in the cassette 8 with the BG tape T facing downward. Accommodate. The operator attaches the cassette 8 containing the wafer W before grinding / polishing and the cassette 9 not containing the wafer W to the apparatus main body 2 and registers the processing information in the control means 100. The operator inputs a processing operation start instruction to the grinding and polishing apparatus 1, and the control means 100 starts the processing operation of the grinding and polishing apparatus 1.

ウエーハ保持工程ＳＴ１では、研削研磨装置１の制御手段１００は、搬出入手段１４がカセット８からウエーハＷを取り出し、位置合わせ手段１０へ搬出し、位置合わせ手段１０が、ウエーハＷの中心位置合わせを行い、搬入手段１１が位置合わせされたウエーハＷの表面ＷＳ側を搬入搬出位置Ａに位置するチャックテーブル７上に搬入し、チャックテーブル７がウエーハＷを吸引保持する。こうして、ウエーハ保持工程ＳＴ１では、ＢＧテープＴをチャックテーブル７で吸引保持することにより、ウエーハＷの裏面ＷＲを露出させる。研削研磨装置１の制御手段１００は、ターンテーブル６でウエーハＷを粗研削位置Ｂ、仕上げ研削位置Ｃ、研磨位置Ｄ及び搬入搬出位置Ａに順に搬送する。なお、研削研磨装置１の制御手段１００は、ターンテーブル６が９０度回転する度に、研削研磨加工前のウエーハＷが搬入搬出位置Ａのチャックテーブル７に搬入される。   In the wafer holding step ST1, the control means 100 of the grinding / polishing apparatus 1 causes the carry-in / out means 14 to take out the wafer W from the cassette 8 and carry it out to the alignment means 10, and the alignment means 10 aligns the center of the wafer W. The surface WS side of the wafer W on which the loading means 11 is aligned is loaded onto the chuck table 7 located at the loading / unloading position A, and the chuck table 7 holds the wafer W by suction. Thus, in the wafer holding step ST1, the back surface WR of the wafer W is exposed by sucking and holding the BG tape T by the chuck table 7. The control means 100 of the grinding / polishing apparatus 1 sequentially transports the wafer W to the rough grinding position B, the finish grinding position C, the polishing position D, and the carry-in / carry-out position A by the turntable 6. The control means 100 of the grinding / polishing apparatus 1 loads the wafer W before grinding / polishing to the chuck table 7 at the loading / unloading position A every time the turntable 6 rotates 90 degrees.

粗研削工程ＳＴ２では、研削研磨装置１の制御手段１００は、粗研削位置ＢでウエーハＷの裏面ＷＲに第１の研削手段３を用いて粗研削加工し、仕上げ研削工程ＳＴ３では、仕上げ研削位置ＣでウエーハＷの裏面ＷＲに第２の研削手段４を用いて仕上げ研削加工する。   In the rough grinding step ST2, the control means 100 of the grinding and polishing apparatus 1 performs rough grinding using the first grinding means 3 on the back surface WR of the wafer W at the rough grinding position B, and in the finish grinding step ST3, the finish grinding position. In C, the back grinding WR of the wafer W is subjected to finish grinding using the second grinding means 4.

歪層除去工程ＳＴ４は、研磨パッド５１に研磨液ＧＬを供給しつつ研磨パッド５１を回転するとともにチャックテーブル７を回転させながら研磨パッド５１によってウエーハＷの裏面ＷＲを研磨することによりウエーハＷの裏面ＷＲから歪層を除去する工程である。歪層除去工程ＳＴ４では、研削研磨装置１の制御手段１００は、研磨位置Ｄでチャックテーブル７と研磨パッド５１とを回転させるとともに、図６に示すように、ウエーハＷの裏面ＷＲに切換え弁１２を介して研磨液供給源１５からの研磨液ＧＬをノズル１６から供給しながら研磨パッド５１をウエーハＷの裏面ＷＲに当接させて、ウエーハＷの裏面ＷＲを研磨加工する。なお、実施形態１において、歪層除去工程ＳＴ４では、研削研磨装置１の制御手段１００は、チャックテーブル７を５０５ｒｐｍの回転数で回転させ、研磨パッド５１を５００ｒｐｍの回転数でチャックテーブル７と同じ向きに回転させるとともに、研磨送り手段５３にウエーハＷの裏面ＷＲに３００ｇ／ｃｍ２の研磨圧力が作用するように研磨パッド５１を押圧させるが、研磨加工の加工条件はこれに限定されない。 In the strain layer removing step ST4, the back surface of the wafer W is polished by rotating the polishing pad 51 while supplying the polishing liquid GL to the polishing pad 51 and polishing the back surface WR of the wafer W by the polishing pad 51 while rotating the chuck table 7. This is a step of removing the strained layer from the WR. In the strain layer removing step ST4, the control means 100 of the grinding and polishing apparatus 1 rotates the chuck table 7 and the polishing pad 51 at the polishing position D, and switches to the back surface WR of the wafer W as shown in FIG. The polishing pad 51 is brought into contact with the back surface WR of the wafer W while the polishing liquid GL from the polishing liquid supply source 15 is being supplied from the nozzle 16 via, and the back surface WR of the wafer W is polished. In the first embodiment, in the strained layer removing step ST4, the control unit 100 of the grinding and polishing apparatus 1 rotates the chuck table 7 at a rotation speed of 505 rpm, and the polishing pad 51 is the same as the chuck table 7 at a rotation speed of 500 rpm. The polishing pad 51 is pressed so that a polishing pressure of 300 g / cm 2 acts on the back surface WR of the wafer W on the polishing feed unit 53 while rotating in the direction, but the processing conditions of the polishing process are not limited to this.

研磨液除去工程ＳＴ５は、歪層除去工程ＳＴ４の実施後に研磨パッド５１に向かってノズル２０からリンス液ＣＬを供給し研磨パッド５１に含まれる残存研磨液ＧＬを除去する工程である。研磨液除去工程ＳＴ５では、研削研磨装置１の制御手段１００は、研磨位置Ｄでチャックテーブル７と研磨パッド５１とを回転させるとともに、図７に示すように、研磨パッド５１のウエーハＷの裏面ＷＲからはみ出した部分にリンス液供給源１９から供給されたリンス液ＣＬをノズル２０から供給するとともに、ウエーハＷの裏面ＷＲに切換え弁１２を介して液供給源１７から供給された液Ｌをノズル１６から供給しながら、研磨パッド５１をウエーハＷの裏面ＷＲに当接させる。   The polishing liquid removal step ST5 is a step of removing the residual polishing liquid GL contained in the polishing pad 51 by supplying the rinsing liquid CL from the nozzle 20 toward the polishing pad 51 after the execution of the strained layer removal step ST4. In the polishing liquid removal step ST5, the control means 100 of the grinding / polishing apparatus 1 rotates the chuck table 7 and the polishing pad 51 at the polishing position D, and as shown in FIG. 7, the back surface WR of the wafer W of the polishing pad 51. The rinsing liquid CL supplied from the rinsing liquid supply source 19 is supplied from the nozzle 20 to the protruding portion, and the liquid L supplied from the liquid supply source 17 to the back surface WR of the wafer W via the switching valve 12 is supplied to the nozzle 16. The polishing pad 51 is brought into contact with the back surface WR of the wafer W while being fed from the wafer.

ゲッタリング層形成工程ＳＴ６は、研磨パッド５１及びウエーハＷに砥粒を含まない液Ｌを供給しつつ研磨パッド５１を回転するとともにチャックテーブル７を回転させながら研磨パッド５１によってウエーハＷの裏面ＷＲを研磨することにより裏面ＷＲにゲッタリング層Ｇを形成する工程である。   In the gettering layer formation step ST6, the back surface WR of the wafer W is moved by the polishing pad 51 while rotating the polishing pad 51 while rotating the chuck table 7 while supplying the polishing pad 51 and the wafer L with the liquid L not containing abrasive grains. In this step, the gettering layer G is formed on the back surface WR by polishing.

ゲッタリング層形成工程ＳＴ６では、研削研磨装置１の制御手段１００は、研磨位置Ｄでチャックテーブル７と研磨パッド５１とを回転させるとともに、図８に示すように、ウエーハＷの裏面ＷＲに切換え弁１２を介して液供給源１７から供給された砥粒を含有しない液Ｌをノズル１６から供給するとともに、研磨パッド５１のウエーハＷの裏面ＷＲからはみ出した部分にリンス液供給源１９から供給されたリンス液ＣＬをノズル２０から供給しながら、研磨パッド５１をウエーハＷの裏面ＷＲに当接させて、ウエーハＷの裏面ＷＲ側にゲッタリング層Ｇを生成する。ゲッタリング層形成工程ＳＴ６を実施した後のウエーハＷの裏面ＷＲの算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．８〜４．５ｎｍである。   In the gettering layer forming step ST6, the control means 100 of the grinding / polishing apparatus 1 rotates the chuck table 7 and the polishing pad 51 at the polishing position D and switches to the back surface WR of the wafer W as shown in FIG. The liquid L not containing abrasive grains supplied from the liquid supply source 17 via the nozzle 12 is supplied from the nozzle 16 and supplied from the rinse liquid supply source 19 to the portion of the polishing pad 51 that protrudes from the back surface WR of the wafer W. While supplying the rinse liquid CL from the nozzle 20, the polishing pad 51 is brought into contact with the back surface WR of the wafer W to generate the gettering layer G on the back surface WR side of the wafer W. The arithmetic average roughness (Ra) of the back surface WR of the wafer W after performing the gettering layer forming step ST6 is 0.8 to 4.5 nm.

このように、制御手段１００は、研磨液除去工程ＳＴ５とゲッタリング層形成工程ＳＴ６において、リンス液ＣＬを供給することにより、ウエーハＷを研磨した後ゲッタリング層Ｇの形成に移行する際、ノズル２０から研磨パッド５１に向かってリンス液ＣＬを供給して研磨パッド５１に残存する研磨液ＧＬを除去するように研削研磨装置１を制御する。なお、実施形態１において、ゲッタリング層形成工程ＳＴ６では、研削研磨装置１の制御手段１００は、チャックテーブル７を５０５ｒｐｍの回転数で回転させ、研磨パッド５１を５００ｒｐｍの回転数でチャックテーブル７と同じ向きに回転させるとともに、研磨送り手段５３にウエーハＷの裏面ＷＲに５０ｇ／ｃｍ２の研磨圧力が作用するように研磨パッド５１を押圧させるが、ゲッタリング層Ｇを形成するための加工条件はこれに限定されない。 As described above, when the control means 100 shifts to the formation of the gettering layer G after polishing the wafer W by supplying the rinsing liquid CL in the polishing liquid removing process ST5 and the gettering layer forming process ST6, The grinding / polishing apparatus 1 is controlled so that the rinsing liquid CL is supplied from 20 toward the polishing pad 51 to remove the polishing liquid GL remaining on the polishing pad 51. In the first embodiment, in the gettering layer forming step ST6, the control unit 100 of the grinding / polishing apparatus 1 rotates the chuck table 7 at a rotation speed of 505 rpm and the polishing pad 51 at a rotation speed of 500 rpm. While rotating in the same direction and pressing the polishing pad 51 so that the polishing pressure of 50 g / cm 2 acts on the back surface WR of the wafer W to the polishing feeding means 53, the processing conditions for forming the gettering layer G are as follows. It is not limited to this.

実施形態１において、研磨液除去工程ＳＴ５は、液ＬをウエーハＷの裏面ＷＲに供給したが、本発明では液Ｌを供給しなくても良い。また、実施形態１では、ウエーハＷの外径が、３００ｍｍであり、研磨パッド５１の外径が、４５０ｍｍである。歪層除去工程ＳＴ４及びゲッタリング層形成工程ＳＴ６では、研磨パッド５１の外周がウエーハＷの中心を覆い、かつウエーハＷの外縁からはみ出すように研磨パッド５１を位置付ける。   In the first embodiment, the polishing liquid removing step ST5 supplies the liquid L to the back surface WR of the wafer W. However, the liquid L may not be supplied in the present invention. In the first embodiment, the outer diameter of the wafer W is 300 mm, and the outer diameter of the polishing pad 51 is 450 mm. In the strain layer removing step ST4 and the gettering layer forming step ST6, the polishing pad 51 is positioned so that the outer periphery of the polishing pad 51 covers the center of the wafer W and protrudes from the outer edge of the wafer W.

研削研磨装置１の制御手段１００は、ゲッタリング層形成工程ＳＴ６後に、ゲッタリング層形成工程ＳＴ６が実施されたウエーハＷを搬入搬出位置Ａに位置付け、搬入手段１１により洗浄手段１３に搬入し、洗浄手段１３で洗浄し、洗浄後のウエーハＷを搬出入手段１４でカセット９へ搬入する。   After the gettering layer forming step ST6, the control unit 100 of the grinding / polishing apparatus 1 positions the wafer W on which the gettering layer forming step ST6 has been performed at the loading / unloading position A, and carries the wafer W into the cleaning unit 13 by the loading unit 11. Washing is performed by means 13, and the washed wafer W is loaded into cassette 9 by loading / unloading means 14.

個片化工程ＳＴ７では、カセット９内からウエーハＷを取り出し、表面ＷＳからＢＧテープＴを剥がした後、ウエーハＷの表面ＷＳにポリビニルアルコール（polyvinyl alcohol：ＰＶＡ）又はポリビニルピロリドン（polyvinyl pyrrolidone：ＰＶＰ）等を含む水溶性樹脂により構成される図示しない保護膜を形成し、ウエーハＷの裏面ＷＲ側を図９に示すレーザ加工機３０のチャックテーブル３３に保持する。個片化工程ＳＴ７は、図９に示すように、レーザ加工機３０のレーザ光照射ユニット３２をストリートＳに沿って相対的に移動させながらレーザ光照射ユニット３２からレーザ光ＬＲをストリートＳに照射して、ストリートＳにアブレーション加工を施して、ウエーハＷをストリートＳに沿って個々のデバイスチップＤＴに個片化する。個片化工程ＳＴ７は、ウエーハＷを個々のデバイスチップＤＴに個片化した後、図示しない保護膜を除去し、ウエーハＷの表面ＷＳを洗浄し、保護膜を洗浄してデブリとともに除去する。なお、実施形態１において、ウエーハＷは、裏面ＷＲが直接チャックテーブル３３に吸引保持されたが、本発明では、裏面ＷＲに図示しないリングフレームの内周に固定されたダイシングテープに貼着されて、ダイシングテープを介してチャックテーブル３３に吸引保持されても良い。   In the singulation process ST7, the wafer W is taken out from the cassette 9, and the BG tape T is peeled off from the surface WS. A protective film (not shown) made of a water-soluble resin including the like is formed, and the back surface WR side of the wafer W is held on the chuck table 33 of the laser beam machine 30 shown in FIG. As shown in FIG. 9, the individualization step ST <b> 7 irradiates the street S with the laser beam LR from the laser beam irradiation unit 32 while relatively moving the laser beam irradiation unit 32 of the laser processing machine 30 along the street S. Then, the street S is ablated, and the wafer W is divided into individual device chips DT along the street S. In the singulation step ST7, after the wafer W is separated into individual device chips DT, a protective film (not shown) is removed, the surface WS of the wafer W is washed, and the protective film is washed and removed together with debris. In Embodiment 1, the back surface WR of the wafer W is directly held by the chuck table 33. In the present invention, the back surface WR is attached to a dicing tape fixed to the inner periphery of a ring frame (not shown). Alternatively, the chuck table 33 may be sucked and held via a dicing tape.

実施形態１において、個片化工程ＳＴ７は、レーザ光ＬＲを用いたアブレーション加工によりウエーハＷを個々のデバイスチップＤＴに個片化したが、本発明では、個片化工程ＳＴ７は、レーザ光を照射してウエーハＷの内部に改質層を形成してウエーハＷを個々のデバイスチップＤＴに個片化しても良いし、レーザ光ＬＲを用いたアブレーション加工によりウエーハＷを個々のデバイスチップＤＴに個片化する場合において、アブレーション加工によりハーフカットした後、外力を加えて個々のデバイスチップＤＴに個片化しても良い。切削ブレードを用いた切削加工によりウエーハＷを個々のデバイスチップＤＴに個片化してもよい。   In the first embodiment, in the singulation process ST7, the wafer W is divided into individual device chips DT by ablation processing using the laser beam LR. However, in the present invention, the singulation process ST7 is performed by using the laser beam. Irradiation may form a modified layer inside the wafer W to separate the wafer W into individual device chips DT, or the wafer W may be formed into individual device chips DT by ablation processing using a laser beam LR. In the case of individualization, after half-cutting by ablation processing, an external force may be applied to separate individual device chips DT. The wafer W may be divided into individual device chips DT by cutting using a cutting blade.

以上のように、実施形態１に係る加工方法は、歪層除去工程ＳＴ４の実施後に、研磨パッド５１に向かってノズル２０からリンス液ＣＬを供給する研磨液除去工程ＳＴ５を実施するので、ゲッタリング層形成工程ＳＴ６において、研磨パッド５１に残留した研磨液ＧＬを効率的に除去できるので、研磨液ＧＬによるウエーハＷの裏面ＷＲの過剰な浸食を抑制することができ、速やかにゲッタリング層Ｇの形成に移行することができる。   As described above, the processing method according to the first embodiment performs the polishing liquid removal process ST5 for supplying the rinsing liquid CL from the nozzle 20 toward the polishing pad 51 after the strained layer removal process ST4. In the layer forming step ST6, the polishing liquid GL remaining on the polishing pad 51 can be efficiently removed, so that excessive erosion of the back surface WR of the wafer W by the polishing liquid GL can be suppressed, and the gettering layer G can be quickly removed. Can move to formation.

〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るウエーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１０は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の歪層除去工程を示す図である。図１１は、実施形態２に係るウエーハの加工方法の研磨液除去工程を示す図である。図１２は、実施形態２に係るウエーハの加工方法のゲッタリング層形成工程を示す図である。図１０から図１２は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。 [Embodiment 2]
A wafer processing method according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 10 is a diagram showing a strained layer removing step of the wafer processing method according to the second embodiment. FIG. 11 is a diagram illustrating a polishing liquid removal step of the wafer processing method according to the second embodiment. FIG. 12 is a diagram illustrating a gettering layer forming step of the wafer processing method according to the second embodiment. 10 to 12, the same parts as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

実施形態２に係るウエーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、歪層除去工程ＳＴ４、研磨液除去工程ＳＴ５及びゲッタリング層形成工程ＳＴ６を実施する研磨手段５の構成が実施形態１と異なる以外、実施形態１と同じである。   The wafer processing method according to the second embodiment (hereinafter simply referred to as a processing method) has a configuration of the polishing means 5 that performs the strained layer removing step ST4, the polishing liquid removing step ST5, and the gettering layer forming step ST6. The same as in the first embodiment except for the above.

実施形態２に係る加工方法は、歪層除去工程ＳＴ４、研磨液除去工程ＳＴ５及びゲッタリング層形成工程ＳＴ６を実施する研磨手段５は、図１０、図１１及び図１２に示すように、研磨液供給源１５からの研磨液ＧＬ又は液供給源１７からの液Ｌを、研磨パッド５１のウエーハＷの裏面ＷＲに当接する研磨面の中央に供給する供給通路１８を中心に設けている。また、実施形態２に係る加工方法では、ウエーハＷの外径は、３００ｍｍであり、研磨パッド５１の外径は、３００ｍｍ以上であればよく、この例では、４５０ｍｍである。歪層除去工程ＳＴ４及び研磨液除去工程ＳＴ５において、研磨パッド５１の全体でウエーハＷの裏面ＷＲ全体を覆うように、研磨パッド５１を位置付ける。   In the processing method according to the second embodiment, the polishing means 5 for carrying out the strain layer removing step ST4, the polishing solution removing step ST5, and the gettering layer forming step ST6 is a polishing solution as shown in FIGS. A supply passage 18 for supplying the polishing liquid GL from the supply source 15 or the liquid L from the liquid supply source 17 to the center of the polishing surface in contact with the back surface WR of the wafer W of the polishing pad 51 is provided. In the processing method according to the second embodiment, the outer diameter of the wafer W is 300 mm, and the outer diameter of the polishing pad 51 may be 300 mm or more. In this example, the outer diameter is 450 mm. In the strain layer removing step ST4 and the polishing liquid removing step ST5, the polishing pad 51 is positioned so that the entire polishing pad 51 covers the entire back surface WR of the wafer W.

また、実施形態２に係る加工方法では、ゲッタリング層形成工程ＳＴ６は、図１２に示すように研磨パッド５１の外縁部がウエーハＷの外縁からはみ出る位置と、図１１に示すように研磨パッド５１の全体でウエーハＷの裏面ＷＲ全体を覆う位置とに亘って、チャックテーブル７を研磨パッド５１に対して水平移動させながら行う。実施形態２において、ゲッタリング層形成工程ＳＴ６では、研削研磨装置１の制御手段１００は、Ｘ軸移動手段５２に研磨パッド５１をスピンドル５４とともに水平方向であるＸ軸方向に移動させて、チャックテーブル７を研磨パッド５１に対して水平移動させる。   In the processing method according to the second embodiment, the gettering layer forming step ST6 includes a position where the outer edge of the polishing pad 51 protrudes from the outer edge of the wafer W as shown in FIG. 12, and a polishing pad 51 as shown in FIG. The chuck table 7 is moved horizontally with respect to the polishing pad 51 over a position covering the entire back surface WR of the wafer W. In the second embodiment, in the gettering layer forming step ST6, the control unit 100 of the grinding and polishing apparatus 1 moves the polishing pad 51 together with the spindle 54 in the X-axis direction, which is the horizontal direction, to the X-axis moving unit 52, thereby 7 is moved horizontally with respect to the polishing pad 51.

実施形態２に係る加工方法は、実施形態１と同様に、歪層除去工程ＳＴ４の実施後に、研磨パッド５１に向かってノズル２０からリンス液ＣＬを供給する研磨液除去工程ＳＴ５を実施するので、ゲッタリング層形成工程ＳＴ６において、研磨パッド５１に残留した研磨液ＧＬを抑制できるので、研磨液ＧＬによるウエーハＷの裏面ＷＲの過剰な浸食を抑制することができ、速やかにゲッタリング層Ｇを形成することができる。その結果、実施形態１に係る加工方法は、研磨した後速やかにゲッタリング層Ｇの形成に移行でき、設計通りのゲッタリング層Ｇを形成できて、設計通りのウエーハＷに加工することができる。   Since the processing method according to the second embodiment performs the polishing liquid removal step ST5 for supplying the rinsing liquid CL from the nozzle 20 toward the polishing pad 51 after the strained layer removal step ST4, as in the first embodiment, In the gettering layer forming step ST6, the polishing liquid GL remaining on the polishing pad 51 can be suppressed, so that excessive erosion of the back surface WR of the wafer W by the polishing liquid GL can be suppressed, and the gettering layer G is formed quickly. can do. As a result, the processing method according to the first embodiment can shift to the formation of the gettering layer G immediately after polishing, can form the gettering layer G as designed, and can be processed into the wafer W as designed. .

〔変形例〕
本発明の実施形態２の変形例１に係るウエーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１３は、実施形態２の変形例１に係るウエーハの加工方法の研磨液除去工程を示す図である。図１３は、実施形態２と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。 [Modification]
A wafer processing method according to Modification 1 of Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 13 is a diagram illustrating a polishing liquid removal step of the wafer processing method according to the first modification of the second embodiment. In FIG. 13, the same parts as those of the second embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

実施形態２の変形例１に係るウエーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、研磨液除去工程ＳＴ５において、図１３に示すように、研磨パッド５１に供給通路１８を通して吸引源４０の吸引力を作用させて、研磨パッド５１の残存研磨液ＧＬを吸引する以外、実施形態２と同じである。   The wafer processing method according to the first modification of the second embodiment (hereinafter simply referred to as a processing method) is a polishing liquid removal step ST5 in which the suction source 40 is supplied to the polishing pad 51 through the supply passage 18 as shown in FIG. The same as the second embodiment except that the residual polishing liquid GL of the polishing pad 51 is sucked by applying a suction force.

実施形態２の変形例１に係る加工方法は、実施形態２と同様に、歪層除去工程ＳＴ４の実施後に、研磨パッド５１に向かってノズル２０からリンス液ＣＬを供給する研磨液除去工程ＳＴ５を実施するので、研磨した後速やかにゲッタリング層Ｇの形成に移行でき、設計通りのゲッタリング層Ｇを形成できて、設計通りのウエーハＷに加工することができる。   The processing method according to the first modification of the second embodiment is similar to the second embodiment in that the polishing liquid removal process ST5 for supplying the rinsing liquid CL from the nozzle 20 toward the polishing pad 51 is performed after the strained layer removal process ST4. Therefore, the gettering layer G can be formed immediately after polishing, the gettering layer G as designed can be formed, and the wafer W can be processed as designed.

また、図１３の構成の更に変形例２として、供給通路１８に連通するバイパスラインを設けて、液供給源１７から液Ｌを供給し研磨液ＧＬをバイパスラインから押し出し、さらにリンス液供給源１９からリンス液ＣＬを研磨パッド５１に供給して研磨液を研磨パッド５１から除去するように構成しても良い。   Further, as a second modification of the configuration of FIG. 13, a bypass line communicating with the supply passage 18 is provided, the liquid L is supplied from the liquid supply source 17, the polishing liquid GL is pushed out from the bypass line, and the rinse liquid supply source 19 is further supplied. Alternatively, the rinse liquid CL may be supplied to the polishing pad 51 to remove the polishing liquid from the polishing pad 51.

各実施形態によれば、以下のデバイスチップの製造方法を得ることができる。   According to each embodiment, the following device chip manufacturing method can be obtained.

（付記）
研磨装置の研磨パッドに研磨液を供給しつつ該研磨パッドを回転するとともに該研磨装置のチャックテーブルを回転させながら該研磨パッドによって研削加工後のウエーハの裏面を研磨することによりウエーハの裏面から歪層を除去する歪層除去工程と、
該歪層除去工程の実施後に該研磨パッドに向かってノズルからリンス液を供給し該研磨パッドに含まれる残存研磨液を除去する研磨液除去工程と、
該研磨パッド及びウエーハに砥粒を含まない液を供給しつつ該研磨パッドを回転するとともに該チャックテーブルを回転させながら該研磨パッドによってウエーハの裏面を研磨することにより裏面にゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成工程と、
ウエーハをストリートに沿って個々のデバイスチップに個片化する個片化工程と、を含む、
デバイスチップの製造方法。 (Appendix)
The polishing pad is rotated while supplying the polishing liquid to the polishing pad of the polishing apparatus, and the back surface of the wafer after grinding is polished by the polishing pad while rotating the chuck table of the polishing apparatus. A strained layer removing step of removing the layer;
A polishing liquid removing step of supplying a rinsing liquid from a nozzle toward the polishing pad after the distortion layer removing step and removing a residual polishing liquid contained in the polishing pad;
A gettering layer is formed on the back surface by rotating the polishing pad while supplying a liquid not containing abrasive grains to the polishing pad and the wafer and polishing the back surface of the wafer with the polishing pad while rotating the chuck table. A gettering layer forming step;
Singulation process for dividing the wafer into individual device chips along the street,
Device chip manufacturing method.

なお、本発明は上記実施形態、変形例に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。   In addition, this invention is not limited to the said embodiment and modification. That is, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

１ 研削研磨装置（研磨装置）
５ 研磨手段
７ チャックテーブル
７ａ 保持面
１５ 研磨液供給源
１７ 液供給源
２０ ノズル
５１ 研磨パッド
１００ 制御手段
Ｗ ウエーハ
ＷＳ 表面
ＷＲ 裏面
ＤＶ デバイス
Ｇ ゲッタリング層
Ｔ ＢＧテープ（保護部材）
ＧＬ 研磨液
ＣＬ リンス液
Ｌ 液
ＳＴ１ ウエーハ保持工程
ＳＴ４ 歪層除去工程
ＳＴ５ 研磨液除去工程
ＳＴ６ ゲッタリング層形成工程 1 Grinding and polishing equipment (polishing equipment)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 5 Polishing means 7 Chuck table 7a Holding surface 15 Polishing liquid supply source 17 Liquid supply source 20 Nozzle 51 Polishing pad 100 Control means W Wafer WS Surface WR Back surface DV Device G Gettering layer T BG tape (protective member)
GL Polishing liquid CL Rinse liquid L liquid ST1 Wafer holding process ST4 Strain layer removing process ST5 Polishing liquid removing process ST6 Gettering layer forming process

Claims (3)

ウエーハよりモース硬度が高い砥粒を有する研磨パッドを使用し、該ウエーハの表面にデバイスが形成されたウエーハの裏面にゲッタリング層を形成するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に保護部材を貼着し、チャックテーブルの保持面に保護部材側を保持するウエーハ保持工程と、
該研磨パッドに研磨液を供給しつつ該研磨パッドを回転するとともに該チャックテーブルを回転させながら該研磨パッドによってウエーハの裏面を研磨することによりウエーハの裏面から歪層を除去する歪層除去工程と、
該歪層除去工程の実施後に該研磨パッドに向かってノズルからリンス液を供給し該研磨パッドに含まれる残存研磨液を除去する研磨液除去工程と、
該研磨パッド及びウエーハに砥粒を含まない液を供給しつつ該研磨パッドを回転するとともに該チャックテーブルを回転させながら該研磨パッドによってウエーハの裏面を研磨することにより裏面にゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成工程と、を含むウエーハの加工方法。 A wafer processing method using a polishing pad having abrasive grains having a higher Mohs hardness than a wafer, and forming a gettering layer on the back surface of the wafer in which a device is formed on the surface of the wafer,
A wafer holding step of attaching a protective member to the surface of the wafer and holding the protective member side on the holding surface of the chuck table;
A strained layer removing step of removing the strained layer from the back surface of the wafer by rotating the polishing pad while supplying the polishing liquid to the polishing pad and polishing the back surface of the wafer with the polishing pad while rotating the chuck table; ,
A polishing liquid removing step of supplying a rinsing liquid from a nozzle toward the polishing pad after the distortion layer removing step and removing a residual polishing liquid contained in the polishing pad;
A gettering layer is formed on the back surface by rotating the polishing pad while supplying a liquid not containing abrasive grains to the polishing pad and the wafer and polishing the back surface of the wafer with the polishing pad while rotating the chuck table. And a gettering layer forming step. 該ゲッタリング層形成工程は、該チャックテーブルを該研磨パッドに対して水平移動させながら行う請求項１に記載のウエーハの加工方法。   The wafer processing method according to claim 1, wherein the gettering layer forming step is performed while moving the chuck table horizontally with respect to the polishing pad. ウエーハを研磨する研磨装置であって、
ウエーハを回転可能に保持するチャックテーブルと、
該チャックテーブルに保持されたウエーハを研磨し、該研磨したウエーハにゲッタリング層を形成する研磨パッドを有する研磨手段と、
ウエーハ及び該研磨パッドに研磨液を供給する研磨液供給源と、
ウエーハ及び該研磨パッドに研磨液とは異なる砥粒を含まない液を供給する液供給源と、
少なくとも該研磨手段と該チャックテーブルとを制御して、研磨液を供給しつつウエーハを研磨し、次いで該砥粒を含まない液を供給しつつゲッタリング層を形成する制御手段と、
該チャックテーブルに隣接して設けられ、研磨液を除去するためのリンス液を該研磨パッドに向かって供給するノズルと、を備え、
該制御手段はさらにウエーハを研磨した後ゲッタリング層形成に移行する際、該ノズルから該研磨パッドに向かってリンス液を供給して該研磨パッドに残存する研磨液を除去するよう制御する、研磨装置。 A polishing apparatus for polishing a wafer,
A chuck table for rotatably holding the wafer;
Polishing means having a polishing pad for polishing a wafer held on the chuck table and forming a gettering layer on the polished wafer;
A polishing liquid supply source for supplying a polishing liquid to the wafer and the polishing pad;
A liquid supply source for supplying a wafer and a liquid not containing abrasive grains different from the polishing liquid to the polishing pad;
Control means for controlling at least the polishing means and the chuck table, polishing the wafer while supplying a polishing liquid, and then forming a gettering layer while supplying a liquid not containing the abrasive grains;
A nozzle that is provided adjacent to the chuck table and supplies a rinsing liquid for removing the polishing liquid toward the polishing pad;
The control means further controls to supply a rinsing liquid from the nozzle toward the polishing pad to remove the polishing liquid remaining on the polishing pad when the wafer is polished and then shifted to gettering layer formation. apparatus.
JP2016195906A 2016-10-03 2016-10-03 Wafer processing method and polishing equipment Active JP6827289B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016195906A JP6827289B2 (en) 2016-10-03 2016-10-03 Wafer processing method and polishing equipment
TW106130122A TWI727089B (en) 2016-10-03 2017-09-04 Wafer processing method and polishing device
CN201710866117.1A CN107891358B (en) 2016-10-03 2017-09-22 Wafer processing method and polishing apparatus
KR1020170124277A KR102320761B1 (en) 2016-10-03 2017-09-26 Wafer processing method and polishing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016195906A JP6827289B2 (en) 2016-10-03 2016-10-03 Wafer processing method and polishing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018060872A true JP2018060872A (en) 2018-04-12
JP6827289B2 JP6827289B2 (en) 2021-02-10

Family

ID=61803184

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016195906A Active JP6827289B2 (en) 2016-10-03 2016-10-03 Wafer processing method and polishing equipment

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6827289B2 (en)
KR (1) KR102320761B1 (en)
CN (1) CN107891358B (en)
TW (1) TWI727089B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112638573A (en) * 2018-09-13 2021-04-09 东京毅力科创株式会社 Processing system and processing method

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110576386B (en) * 2018-06-26 2021-10-12 蓝思精密(东莞)有限公司 Processing method of fingerprint ring
EP3900876A1 (en) * 2020-04-23 2021-10-27 Siltronic AG Method of grinding a semiconductor wafer

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006344878A (en) * 2005-06-10 2006-12-21 Disco Abrasive Syst Ltd Processing apparatus and processing method
JP2013247132A (en) * 2012-05-23 2013-12-09 Disco Abrasive Syst Ltd Method for processing plate-like object
JP2015046550A (en) * 2013-08-29 2015-03-12 株式会社ディスコ Polishing pad and processing method of wafer

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5997392A (en) * 1997-07-22 1999-12-07 International Business Machines Corporation Slurry injection technique for chemical-mechanical polishing
JPH1190816A (en) * 1997-09-22 1999-04-06 Toshiba Corp Polishing device and polishing method
US6346032B1 (en) * 1999-09-30 2002-02-12 Vlsi Technology, Inc. Fluid dispensing fixed abrasive polishing pad
JP2002141313A (en) * 2000-08-22 2002-05-17 Nikon Corp Cmp device and manufacturing method of semiconductor device
KR100681683B1 (en) * 2001-03-16 2007-02-09 동부일렉트로닉스 주식회사 Wafer surface grinder
JP2002273651A (en) * 2001-03-19 2002-09-25 Fujitsu Ltd Polishing method and polishing device
JP2004253775A (en) * 2003-01-31 2004-09-09 Nec Electronics Corp Chemical mechanical polishing method
CN102001035A (en) * 2009-08-28 2011-04-06 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Chemical mechanical polishing system
CN102528653B (en) * 2010-12-30 2014-11-05 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Fixed type particle grinding device and grinding method thereof
JP2015202545A (en) * 2014-04-16 2015-11-16 株式会社ディスコ Grinding device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006344878A (en) * 2005-06-10 2006-12-21 Disco Abrasive Syst Ltd Processing apparatus and processing method
JP2013247132A (en) * 2012-05-23 2013-12-09 Disco Abrasive Syst Ltd Method for processing plate-like object
JP2015046550A (en) * 2013-08-29 2015-03-12 株式会社ディスコ Polishing pad and processing method of wafer

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112638573A (en) * 2018-09-13 2021-04-09 东京毅力科创株式会社 Processing system and processing method
CN112638573B (en) * 2018-09-13 2023-08-22 东京毅力科创株式会社 Processing system and processing method

Also Published As

Publication number Publication date
TW201814784A (en) 2018-04-16
KR20180037113A (en) 2018-04-11
CN107891358A (en) 2018-04-10
KR102320761B1 (en) 2021-11-01
TWI727089B (en) 2021-05-11
JP6827289B2 (en) 2021-02-10
CN107891358B (en) 2021-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5916513B2 (en) Processing method of plate
JP5963537B2 (en) Processing method of silicon wafer
JP6723892B2 (en) Wafer processing method
JP6192778B2 (en) Silicon wafer processing equipment
KR102320761B1 (en) Wafer processing method and polishing apparatus
JP5455609B2 (en) Grinding apparatus and wafer grinding method using the grinding apparatus
JP5410940B2 (en) Grinding equipment
JP5466963B2 (en) Grinding equipment
KR102282258B1 (en) Processing method of a wafer
JP2008109006A (en) Wafer grinding method
JP5907797B2 (en) Wafer processing method
JP6851761B2 (en) How to process plate-shaped objects
JP2011031359A (en) Polishing tool, polishing device, and polishing machining method
JP7357567B2 (en) Wafer processing method
JP7304708B2 (en) Wafer processing method
TWI833902B (en) Wafer processing methods
JP2018056384A (en) Processing method for device wafer
JP6749202B2 (en) Device chip manufacturing method
JP2023082509A (en) Processing method and processing device
JP2023104444A (en) Processing method for work-piece
TW202042967A (en) Method of processing workpiece

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190814

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200521

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200602

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200730

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20201222

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210119

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6827289

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250